JPH02267946A - Package for semiconductor device - Google Patents

Package for semiconductor device

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JPH02267946A
JPH02267946A JP8934789A JP8934789A JPH02267946A JP H02267946 A JPH02267946 A JP H02267946A JP 8934789 A JP8934789 A JP 8934789A JP 8934789 A JP8934789 A JP 8934789A JP H02267946 A JPH02267946 A JP H02267946A
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JP
Japan
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wsi
wafer
package
inner lead
die pad
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Japanese (ja)
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Muneo Hatta
八田 宗生
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable the performance of WSI(Wafer Scale Integration) to be enhanced by a method wherein inner lead parts conforming to the outer peripheral shape of a semiconductor substrate to be internally mounted are formed. CONSTITUTION:The title package for semiconductor device is provided with a die pad part 5 for mounting a semiconductor substrate 1, inner lead parts 6a, 6b formed around and inside the die pad part 5 so as to be engaged with the notch parts of the semiconductor substrate 1 and to be bonded onto the specific positions of the semiconductor substrate 1 and outer pins 8 electrically connected to the inner lead parts 6a, 6b. Then, the inner lead parts 6a, 6b formed in the package are formed on the positions to be engaged with the WSI wafer whereon various notch parts, etc., are formed. Through these procedures, inner lead parts 6a, 6b corresponding to the numbers of the parts 3 of the WSI wafer 1 can be formed, thereby enabling the performance of the WSI to be enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体装置用パッケージに関し、特にWS
Iウェハを装填するための半導体装置用パッケージのボ
ンディング構造の改善に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a package for a semiconductor device, and in particular to a WS package.
This invention relates to an improvement in the bonding structure of a semiconductor device package for loading an I-wafer.

[従来の技術] LSI  (Large  5cale  Integ
ration)の概念をさらに発展させ、1枚のウェハ
上にたとえばCPU (Cen f ra I  Pr
ocessing  Unit)やマイクロプロセッサ
などの1つの統合された機能を有する集積回路を構成し
た半導体装置がある。このような半導体装置はWSI 
 (Wafer  5cale  1ntegrati
on)と略称される。
[Conventional technology] LSI (Large 5cale Integ)
By further developing the concept of
2. Description of the Related Art There are semiconductor devices configured as integrated circuits having one integrated function, such as microprocessors and microprocessors. Such semiconductor devices are WSI
(Wafer 5cale 1ntegrati
on).

従来のWSIの一例を第13図および第14図に示す。An example of a conventional WSI is shown in FIGS. 13 and 14.

第13図はWSIのウェハ1の平面模式図である。また
第14図は、ウェハ1が装填されるWSI用パッケージ
2の概略斜視図である。WSIウェハ1は、円形の断面
構造を有している。
FIG. 13 is a schematic plan view of the wafer 1 of WSI. Further, FIG. 14 is a schematic perspective view of the WSI package 2 into which the wafer 1 is loaded. The WSI wafer 1 has a circular cross-sectional structure.

WSIウェハ1の主表面には多くの論理回路などの集積
回路が形成される。また、その外周縁部には複数のワイ
ヤポンディングパッド3が設けられる。
On the main surface of the WSI wafer 1, many integrated circuits such as logic circuits are formed. Further, a plurality of wire bonding pads 3 are provided on the outer peripheral edge thereof.

WSIパッケージ2はパッケージ本体4の中央部にWS
Iウェハ1を載置するダイパッド部5を備えている。パ
ッケージ本体4は主にセラミックからなる多層基板から
構成される。ダイパッド部5の周囲には複数のインナー
リード6が形成されている。インナーリード6は、ダイ
パッド部5にWSIウェハ1が装填された状態において
WSIウェハ1のワイヤポンディングパッド3に対向す
るように形成されている。そして、インナーリード6と
ワイヤポンディングパッド3とが配線される。さらにイ
ンナーリード6の外周部にはシールリング7が形成され
ている。シールリング7は蓋(図示せず)とパッケージ
本体4との装着時の気密性を保持する。パッケージ本体
4の下方には複数の外部ピン8が形成されいる。この外
部ピン8はインナーリード6を介してWSIウェハ1の
ワイヤポンディングパッド3に電気的に接続される。
The WSI package 2 has a WS in the center of the package body 4.
A die pad section 5 on which an I-wafer 1 is placed is provided. The package body 4 is composed of a multilayer substrate mainly made of ceramic. A plurality of inner leads 6 are formed around the die pad portion 5 . The inner leads 6 are formed so as to face the wire bonding pads 3 of the WSI wafer 1 when the WSI wafer 1 is loaded on the die pad portion 5 . Then, the inner lead 6 and the wire bonding pad 3 are wired. Furthermore, a seal ring 7 is formed on the outer periphery of the inner lead 6. The seal ring 7 maintains airtightness when the lid (not shown) and the package body 4 are attached. A plurality of external pins 8 are formed below the package body 4. This external pin 8 is electrically connected to the wire bonding pad 3 of the WSI wafer 1 via the inner lead 6.

また、第15図および第16図には従来のWSIの他の
例が一示されている。この例は、はぼ正方形の主表面を
有するウェハに形成されたWSIの例が示されている。
Further, other examples of conventional WSI are shown in FIGS. 15 and 16. In this example, a WSI formed on a wafer having a substantially square main surface is shown.

その基本的な構造においては上記の例と同様である。Its basic structure is similar to the above example.

このようなWSIの構造上の特徴点をLSIの対比にお
いて列挙すると、以下のような点が挙げられる。
When the structural features of such WSI are listed in comparison with LSI, the following points can be mentioned.

(1) 多くの論理回路や記憶回路などを有するため、
その外部との信号等の入出力用のパッド部を多数必要と
すること。
(1) Because it has many logic circuits and memory circuits,
It requires a large number of pads for inputting and outputting signals to and from the outside.

(2) ウェハ上でのアクセスタイムを減少するために
パッド部とのワイヤ長を短くすることが困難なこと。
(2) It is difficult to shorten the wire length between the pad and the pad in order to reduce the access time on the wafer.

(3) 個々のWSIが高価であり、高い製造歩留りが
要求されること。
(3) Individual WSIs are expensive and require high manufacturing yields.

(4) 多くの機能を有するため、個々の機能ユニット
ごとの回路テストが複数の工程において行なわれること
(4) Since it has many functions, circuit tests for each functional unit are performed in multiple steps.

[発明が解決しようとする課題] このように、WS Iにおいては多くの機能を有する集
積回路が構成される。したがって、外部との入出力のた
めの多くの入出力部が要求される。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the WSI, an integrated circuit having many functions is configured. Therefore, many input/output units are required for input/output with the outside.

すなわち、WSIウェハ1側においては、多くのワイヤ
ポンディングパッド3をWSIウェハ1の周辺部に配置
する必要がある。また、WSIパッケージ2においては
、インナーリード6および外部ピン8を多数配列して形
成する必要がある。
That is, on the WSI wafer 1 side, it is necessary to arrange many wire bonding pads 3 around the WSI wafer 1. Further, in the WSI package 2, it is necessary to form a large number of inner leads 6 and external pins 8 in an array.

一方、ワイヤポンディングパッド3あるいはインナーリ
ード6のワイヤボンディングのための必要面積は、その
最小値に限界がある。つまり、ボンディング用ワイヤは
金線などが用いられる。そして、このワイヤをポンディ
ングパッド3表面あるいはインナーリード6の表面に溶
着してボンディングされる。このためにワイヤポンディ
ングパッド3あるいはインナーリード6の表面積にはこ
の溶着部を加工し得る最低限度がある。また一方でWS
Iウェハ1の外周辺長さはウェハのサイズにより決定さ
れる。したがって、必然的にWSIウェハ1の外周辺部
に配置し得るワイヤポンディングパッド3の数は規制さ
れる。またWSIパッケージ2側のインナーリード6の
数も同様の理由で規制される。したがって、この規制さ
れる数よりも多数のパッドを必要とする高性能な論理回
路あるいは統合された論理回路と記憶回路などを有する
WSIはパッド数の制限によってその形成が制限される
という問題があった。
On the other hand, the area required for wire bonding of the wire bonding pad 3 or the inner lead 6 has a minimum value. That is, a gold wire or the like is used as the bonding wire. Then, this wire is welded to the surface of the bonding pad 3 or the surface of the inner lead 6 for bonding. For this reason, there is a minimum surface area of the wire bonding pad 3 or inner lead 6 that can process this welded portion. On the other hand, WS
The outer peripheral length of the I-wafer 1 is determined by the size of the wafer. Therefore, the number of wire bonding pads 3 that can be arranged around the outer periphery of the WSI wafer 1 is necessarily limited. Further, the number of inner leads 6 on the WSI package 2 side is also regulated for the same reason. Therefore, WSIs having high-performance logic circuits or integrated logic circuits and memory circuits that require a larger number of pads than the regulated number have the problem that their formation is restricted due to the limit on the number of pads. Ta.

したがって、本発明は上記のような問題点を解消するた
め1どなされたもので、パッド部の数が増加したWSI
ウェハを装填し、外部との信号の授受を完全になし得る
半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is a WSI with an increased number of pads.
An object of the present invention is to provide a package for a semiconductor device in which a wafer can be loaded and signals can be completely exchanged with the outside.

[課題を解決するための手段] この発明による半導体装置用パッケージは、ウェハスケ
ールの大きさを有し、その外周部まノこは内部に切欠部
を有する半導体基板の主表面上に1つの統合された機能
を有する集積回路が形成された半導体装置を収納するも
ので、半導体基板を載置するためのダイパッド部と、半
導体基板の切欠部に嵌まり込むようにダイパッド部の周
辺やその内部に形成され、半導体基板の所定の位置にボ
ンディングされるインナーリード部と、インナーリード
部と電気的に接続された外部ピンとを備えている。
[Means for Solving the Problems] A package for a semiconductor device according to the present invention has a wafer scale size, and a peripheral saw is integrated into a main surface of a semiconductor substrate having a cutout inside. This device houses a semiconductor device on which an integrated circuit with a specified function is formed, and includes a die pad section on which the semiconductor substrate is placed, and a die pad section around and inside the die pad section that fits into the notch of the semiconductor substrate. The semiconductor device includes an inner lead portion formed and bonded to a predetermined position of a semiconductor substrate, and an external pin electrically connected to the inner lead portion.

[作用] 半導体装置用パッケージに形成されたインナーリード部
は種々の切欠部などが形成されるWSIウェハに嵌まり
込む位置に形成されている。これにより、WSIウェハ
のパッド部の数に対応するインナーリード部を形成する
ことが可能となり、WSIウェハの集積回路の機能に応
じた入出力リードを構成することができる。
[Function] The inner lead portion formed in the semiconductor device package is formed at a position where it fits into the WSI wafer in which various cutouts and the like are formed. This makes it possible to form inner lead parts corresponding to the number of pad parts of the WSI wafer, and it is possible to configure input/output leads according to the functions of the integrated circuit of the WSI wafer.

[実施例] 以下、この発明の実施例について図を用いて説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の第1の実施例によるWSIの分解構
造図である。WSIは、WSIウェハ1と、WSIパッ
ケージ2とを備える。WSIウェハ1はその中央部に円
形の開口部12が形成されている。さらにWSIウェハ
1の外周辺部および円形開口部12の外周辺部には複数
のワイヤポンディングパッド3が形成されている。複数
のワイヤポンディングパッド3の中には回路テスト用に
のみ用いられるテスト用パッド3aが所定の場所に形成
されている。
FIG. 1 is an exploded structural diagram of a WSI according to a first embodiment of the present invention. The WSI includes a WSI wafer 1 and a WSI package 2. The WSI wafer 1 has a circular opening 12 formed in its center. Furthermore, a plurality of wire bonding pads 3 are formed around the outer periphery of the WSI wafer 1 and the outer periphery of the circular opening 12. A test pad 3a used only for circuit testing is formed at a predetermined location among the plurality of wire bonding pads 3.

WSIパッケージ2は、セラミックで形成された多層基
板からなるパッケージ本体4を備える。
The WSI package 2 includes a package body 4 made of a multilayer substrate made of ceramic.

パッケージ本体4の中央部にはWSIウェハ1を載置す
るダイパッド部5が形成されている。ダイパッド部5の
中央にはWSIウェハ1の開口部12に嵌まり込む凸部
13aが形成されている。この凸部13aの外表面およ
びダイパッド部5の外周面上には複数のインナーリード
6a、6bが形成されている。インナーリード6a、6
bはWSIウェハ1のワイヤポンディングパッド3に対
応する個数だけ形成されている。さらに、このインナー
リード6a、6bは、パッケージ本体4の下面側に突出
した複数の外部ピン8に各々接続されている。さらにパ
ッケージ本体4の上面にはシールリング7が形成されて
いる。
A die pad portion 5 on which the WSI wafer 1 is placed is formed in the center of the package body 4 . A convex portion 13 a that fits into the opening 12 of the WSI wafer 1 is formed at the center of the die pad portion 5 . A plurality of inner leads 6a and 6b are formed on the outer surface of the convex portion 13a and the outer peripheral surface of the die pad portion 5. Inner leads 6a, 6
The number of pads b corresponding to the number of wire bonding pads 3 on the WSI wafer 1 is formed. Furthermore, the inner leads 6a and 6b are each connected to a plurality of external pins 8 protruding from the lower surface of the package body 4. Further, a seal ring 7 is formed on the upper surface of the package body 4.

WSIウェハ1は、ws rパッケージ2の所定の位置
に組込まれ、ワイヤボンディングされる。
The WSI wafer 1 is assembled into a predetermined position of the WSR package 2 and wire bonded.

その後、上面をM14により密封される。After that, the upper surface is sealed with M14.

第2図は、WS Iウェハ1がWSIパッケージ2に組
込まれワイヤボンディングされた状態を示す構造斜視図
である。WSIウェハ1の外周辺部あるいは内周辺部に
形成されたワイヤポンディングパッド3は、WSIパッ
ケージ2のインナーリード6a、6bに各々配線される
。WSIウェハ1の中央部に円形開口部12を有する形
状においては、この円形開口部12の近傍に形成された
ワイヤポンディングパッド3の数だけパッド数を増加す
ることができる。
FIG. 2 is a structural perspective view showing a state in which the WSI wafer 1 is assembled into the WSI package 2 and wire-bonded. Wire bonding pads 3 formed on the outer or inner periphery of the WSI wafer 1 are wired to inner leads 6a and 6b of the WSI package 2, respectively. In the case where the WSI wafer 1 has a circular opening 12 in the center, the number of pads can be increased by the number of wire bonding pads 3 formed near the circular opening 12.

第3図および第4図にこの発明の第2の実施例を示す。A second embodiment of the invention is shown in FIGS. 3 and 4. FIG.

第3図は、WSIウェハ1の平面構造図である。第4図
は第3図に示すWSIウェハ1を装填するためのWSI
パッケージ2の構造斜視図である。第3図を参照して、
この例のWSIウェハ1はその外周部に複数個の切欠部
15を有している。さらにこの切欠部15が形成された
WSIウェハ1の外周辺部に沿って複数のワイヤポンデ
ィングパッド3が形成されている。ワイヤポンディング
パッド3が形成される領域は、WSIつ工/11の外周
辺に切欠部15を形成することにより、従来の円形WS
■ウェハ1に比べて増加している。
FIG. 3 is a plan view of the structure of the WSI wafer 1. Figure 4 shows a WSI for loading the WSI wafer 1 shown in Figure 3.
FIG. 2 is a structural perspective view of a package 2. FIG. Referring to Figure 3,
The WSI wafer 1 in this example has a plurality of notches 15 on its outer periphery. Furthermore, a plurality of wire bonding pads 3 are formed along the outer periphery of the WSI wafer 1 in which the notch 15 is formed. The area where the wire bonding pad 3 is formed is formed by forming a notch 15 around the outer periphery of the WSI structure/11, so that the area where the wire bonding pad 3 is formed is different from the conventional circular WS.
■Increased compared to wafer 1.

このために、ワイヤポンディングパッド3の個数を増大
することができる。また、同時に、WSIウェハ1の外
周部に回路テスト用のテストパッド3aが形成されてい
る。
For this reason, the number of wire bonding pads 3 can be increased. At the same time, test pads 3a for circuit testing are formed on the outer periphery of the WSI wafer 1.

WSIパッケージ2はパッケージ本体4とWSIウェハ
1を載置するダイパッド部5、WSIウェハ1のワイヤ
ポンディングパッド3と電気的に接続するためのインナ
ーリード6 a s 6 bおよび外部ピン8とを備え
ている。さらに、ダイパッド部5の外周縁上の所定位置
にはWSIウェハ1の切欠部15に嵌まり込む凸部13
bが形成されている。さらに凸部13bの上面にはイン
ナーリード6bが形成されている。装置の組立状態にお
いて、WSIパッケージ2の凸部13bは、WSIウェ
ハ1の切欠部15に嵌まり合う。そして、互いに隣接す
るWSIウェハ1のワイヤボンディングバッド3とWS
Iパッケージ2の凸部13bのインナーリード6bとが
ワイヤボンディングされる。
The WSI package 2 includes a package body 4, a die pad section 5 on which the WSI wafer 1 is placed, inner leads 6a, s, 6b and external pins 8 for electrical connection to the wire bonding pads 3 of the WSI wafer 1. ing. Further, at a predetermined position on the outer peripheral edge of the die pad portion 5, a convex portion 13 that fits into the notch 15 of the WSI wafer 1 is provided.
b is formed. Furthermore, inner leads 6b are formed on the upper surface of the convex portion 13b. In the assembled state of the device, the protrusion 13b of the WSI package 2 fits into the notch 15 of the WSI wafer 1. Then, the wire bonding pads 3 of the WSI wafer 1 adjacent to each other and the WS
The inner lead 6b of the protrusion 13b of the I package 2 is wire-bonded.

第5図および第6図はこの発明の第3の実施例を示す。5 and 6 show a third embodiment of the invention.

この実施例は、第1の実施例と第2の実施例とを相互に
組合わせた構造を有している。すなわち、WSISlウ
ェハ1いてはその円形外周部およびその中心部に各々切
欠部15と円形開口部12とが形成されている。ワイヤ
ポンディングパッド3はこのWS■ウェハ1の切欠部お
よび円形開口部12の周辺に沿って形成されている。さ
らに、ワイヤポンディングパッド3の中に回路テスト用
のテスト用パッド3aが適宜配置されている。
This embodiment has a structure in which the first embodiment and the second embodiment are mutually combined. That is, the WSISl wafer 1 has a notch 15 and a circular opening 12 formed at its circular outer periphery and at its center, respectively. The wire bonding pad 3 is formed along the periphery of the notch and the circular opening 12 of the WS1 wafer 1. Furthermore, test pads 3a for circuit testing are appropriately arranged within the wire bonding pads 3.

また、WSIパッケージ2においては、ダイパッド部5
のWSISlウェハ1欠部15および円形開口部12に
対応する位置に各々凸部13b、13aが形成されてい
る。
In addition, in the WSI package 2, the die pad portion 5
Convex portions 13b and 13a are formed at positions corresponding to the cutout portion 15 of the WSISl wafer 1 and the circular opening portion 12, respectively.

さらに、第7図および第8図にはこの発明の第4の実施
例が示されている。第7図は、この実施例のWSISl
ウェハ1面構造図である。第8図は、この発明のWSI
パッケージ2の構造斜視図である。第7図を参照して、
本実施例のWSISlウェハ1の中央に円形開口部12
と、さらにこの円形開口部から十字方向に延びた切欠部
12aとが形成されている。ワイヤポンディングパッド
3は、この円形開口部12、切欠部12aおよび円形外
周縁部に沿って複数個形成されている。さらに回路テス
ト用テストパッド3aがこのワイヤポンディングパッド
3の中に適宜形成されている。
Furthermore, a fourth embodiment of the present invention is shown in FIGS. 7 and 8. FIG. 7 shows the WSISl of this embodiment.
FIG. 1 is a structural diagram of one side of a wafer. Figure 8 shows the WSI of this invention.
FIG. 2 is a structural perspective view of a package 2. FIG. Referring to Figure 7,
A circular opening 12 is formed in the center of the WSISl wafer 1 of this embodiment.
Furthermore, a notch 12a extending in a cross direction from this circular opening is formed. A plurality of wire bonding pads 3 are formed along the circular opening 12, the notch 12a, and the circular outer peripheral edge. Furthermore, a test pad 3a for circuit testing is appropriately formed within this wire bonding pad 3.

第8図を参照して、WSIパッケージ2には、ダイパッ
ド部5の中央にWSISlウェハ1形開口部12などに
嵌まり込む凸部13aが形成されている。
Referring to FIG. 8, the WSI package 2 has a convex portion 13a formed in the center of the die pad portion 5 to fit into the WSISl wafer 1 type opening 12 or the like.

第9図および第10図には、この発明の第5の実施例が
示される。第9図は、この実施例によるWSISlウェ
ハ1面構造図である。第10図はこの実施例のWSIパ
ッケージ2の構造斜視図である。
A fifth embodiment of the invention is shown in FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a structural diagram of one side of a WSISl wafer according to this embodiment. FIG. 10 is a structural perspective view of the WSI package 2 of this embodiment.

第9図を参照して、WS4ウェハ1は正方形状を有して
いる。WSISlウェハ1央には円形開口部12が形成
されている。ワイヤポンディングパッド3はWSISl
ウェハ1周縁部および円形切欠部12の外周縁部に整列
して形成されている。
Referring to FIG. 9, WS4 wafer 1 has a square shape. A circular opening 12 is formed in the center of the WSISl wafer 1. Wire bonding pad 3 is WSISl
They are formed in alignment with the periphery of the wafer 1 and the outer periphery of the circular notch 12 .

回路テスト用パッド3aはこのワイヤポンディングパッ
ド3の配列の所定位置に形成されている。
Circuit test pads 3a are formed at predetermined positions in the array of wire bonding pads 3.

第10図を参照して、WSIパッケージ2は正方形状の
WSISlウェハ1置する正方形状のダイパッド部5を
備えている。ダイパッド部5の中央にはWSISlウェ
ハ1形開口部12に嵌まり込む形状の凸部13gが形成
されている。この円形の凸部13aの外表面にはインナ
ーリード6aが形成されている。さらにダイパッド部5
の外周辺上には同じくインナーリード6bが複数個形成
されている。
Referring to FIG. 10, the WSI package 2 includes a square die pad portion 5 on which a square WSISl wafer is placed. A convex portion 13g having a shape that fits into the WSISl wafer 1 type opening 12 is formed in the center of the die pad portion 5. Inner leads 6a are formed on the outer surface of this circular convex portion 13a. Furthermore, the die pad section 5
Similarly, a plurality of inner leads 6b are formed on the outer periphery of the inner lead 6b.

さらに、第11図および第12図にはこの発明の第6の
実施例が示されている。第11図は、この実施例のWS
ISlウェハ1面構造図である。
Furthermore, a sixth embodiment of the present invention is shown in FIGS. 11 and 12. Figure 11 shows the WS of this embodiment.
FIG. 1 is a structural diagram of one side of an ISL wafer.

第12図は、この実施例のWSIパッケージ2の構造斜
視図である。
FIG. 12 is a structural perspective view of the WSI package 2 of this embodiment.

第11図を参照して、WSISlウェハ1方形状を有し
ている。その中央部には、円形開口部12と、この円形
開口部12から十字方向に延びた切欠部12aが形成さ
れている。ワイヤポンディングパッド3は、WSISl
ウェハ1方形状の外周縁部および円形開口部12、切欠
部12aの外周縁部に複数個整列して形成されている。
Referring to FIG. 11, the WSISl wafer has a rectangular shape. A circular opening 12 and a notch 12a extending in a cross direction from the circular opening 12 are formed in the center thereof. Wire bonding pad 3 is WSISl
A plurality of them are formed in alignment on the outer peripheral edge of the rectangular shape of the wafer, the circular opening 12, and the outer peripheral edge of the notch 12a.

回路テスト用のテストパッド3aは、複数のワイヤポン
ディングパッド3の配列の所定位置に形成されている。
Test pads 3a for circuit testing are formed at predetermined positions in the array of a plurality of wire bonding pads 3.

第12図を参照して、WSIパッケージ2はWSlウェ
ハ1を載置する正方形状のダイパッド部5を備えている
。ダイパッド部5の中央にはWSISlウェハ1形開口
部12、切欠部12aに嵌まり込む形状の凸部13aが
形成されている。凸部13aの外周表面にはインナーリ
ード6a、6Cが形成されている。さらに、ダイパッド
部5の外周表面には同様にインナーリード6bが形成さ
れている。各インナーリード6a、6b、6cは各々外
部ピン8に接続されている。
Referring to FIG. 12, WSI package 2 includes a square die pad portion 5 on which WSI wafer 1 is placed. A convex portion 13a is formed in the center of the die pad portion 5 and has a shape that fits into the WSISl wafer 1 type opening 12 and the notch 12a. Inner leads 6a and 6C are formed on the outer peripheral surface of the convex portion 13a. Further, inner leads 6b are similarly formed on the outer peripheral surface of the die pad portion 5. Each inner lead 6a, 6b, 6c is connected to an external pin 8, respectively.

なお、上記実施例においてはWSIウェハ1の形状が円
形あるいは正方形状のものについて説明したが、これに
限定されることなく長方形状などの他の形状であっても
構わない。
In the above embodiments, the shape of the WSI wafer 1 is circular or square, but the shape is not limited to this, and other shapes such as a rectangular shape may be used.

[発明の効果〕 このように、本発明における半導体装置用パッケージは
その内部に載置する半導体基板の外周形状に応じたイン
ナーリード部を形成したので、WSlに要求される必要
数の入出力リードを構成することが可能であり、これに
より半導体装置用パッケージに装填されるWSIの高性
能化を実現することができる。
[Effects of the Invention] As described above, since the semiconductor device package according to the present invention has an inner lead portion formed in accordance with the outer peripheral shape of the semiconductor substrate placed inside the package, the required number of input/output leads required for WSL can be formed. This makes it possible to realize higher performance of the WSI loaded in a semiconductor device package.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の第1の実施例によるWSIの分解構
造斜視図である。第2図は、第1図に示されるWSIの
ワイヤボンディング状態を示す構造斜視図である。第3
図は、この発明の第2の実施例によるWSIウェハの平
面構造図であり、第4図は第3図に示されるWSIウェ
ハを装填するためのWSIパッケージの構造斜視図であ
る。第5図は、この発明の第3の実施例によるWSIウ
ェハの平面構造図であり、第6図は、第5図に示される
WSIウェハを装填するためのWSIパッケージの構造
斜視図である。第7図は、この発明の第4の実施例を示
すWSIウェハの平面構造図であり、第8図は、第7図
のWSIウェハを装填するためのWSIパッケージの構
造斜視図である。 第9図は、この発明の第5の実施例を示すWSIウェハ
の平面構造図であり、第10図は、第9図のWSIウェ
ハを装填するためのWSIパッケージの構造斜視図であ
る。第11図は、この発明の第6の実施例を示すWSI
ウェハの平面構造図であり、第12図は、第11図のW
SIウェハを装填するためのWSIパッケージの構造斜
視図である。 第13図は、従来のWSIウェハの平面構造図である。 第14図は、第13図のWSIウェハを装填するための
WSIパッケージの構造斜視図である。第15図は、従
来の他の例を示すWSIウェハの平面構造図であり、第
16図は、第15図のWSIウェハを装填するためのW
SIパッケージの構造斜視図である。 図において、1はWSIウェハ、2はWSIパッケージ
、3はワイヤポンディングパッド、3aはテスト用パッ
ド、6.6a、6b、6cはインナーリード、12は円
形開口部、12aは円形開口部12に連続した十字切欠
部、13a、13bは凸部、15は切欠部を示している
。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a WSI according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a structural perspective view showing the wire bonding state of the WSI shown in FIG. 1. Third
4 is a plan structural view of a WSI wafer according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a structural perspective view of a WSI package for loading the WSI wafer shown in FIG. 3. FIG. 5 is a plan structural view of a WSI wafer according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a structural perspective view of a WSI package for loading the WSI wafer shown in FIG. FIG. 7 is a plan structural view of a WSI wafer showing a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a structural perspective view of a WSI package for loading the WSI wafer of FIG. FIG. 9 is a plan structural view of a WSI wafer showing a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a structural perspective view of a WSI package for loading the WSI wafer of FIG. 9. FIG. 11 is a WSI diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
12 is a plan view of the wafer, and FIG. 12 is a plan view of the wafer.
FIG. 2 is a structural perspective view of a WSI package for loading an SI wafer. FIG. 13 is a plan view of a conventional WSI wafer. FIG. 14 is a structural perspective view of the WSI package for loading the WSI wafer of FIG. 13. FIG. 15 is a plan view of a WSI wafer showing another conventional example, and FIG. 16 is a WSI wafer shown in FIG.
FIG. 2 is a structural perspective view of an SI package. In the figure, 1 is a WSI wafer, 2 is a WSI package, 3 is a wire bonding pad, 3a is a test pad, 6.6a, 6b, and 6c are inner leads, 12 is a circular opening, and 12a is a circular opening 12. Continuous cross notches, 13a and 13b are convex portions, and 15 is a notch. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ウェハスケールの大きさを有し、その外周部または内部
に切欠部を有する半導体基板の主表面上に1つの統合さ
れた機能を有する集積回路が形成された半導体装置を収
納するための半導体装置用パッケージであって、 前記半導体基板を載置するためのダイパッド部と、 前記半導体基板の切欠部に嵌まり込むように前記ダイパ
ッド部の周辺やその内部に形成され、前記半導体基板の
所定の位置にボンディングされるインナーリード部と、 前記インナーリード部と電気的に接続された外部ピンと
を備えた、半導体装置用パッケージ。
[Claims] A semiconductor device having a wafer scale size and having an integrated circuit with one integrated function formed on the main surface of a semiconductor substrate having a notch on its outer periphery or inside. A package for a semiconductor device, comprising: a die pad portion on which the semiconductor substrate is placed; and a die pad portion formed around or inside the die pad portion so as to fit into a notch of the semiconductor substrate; A package for a semiconductor device, comprising: an inner lead portion bonded to a predetermined position on a substrate; and an external pin electrically connected to the inner lead portion.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4308705A1 (en) * 1992-03-19 1993-09-30 Mitsubishi Electric Corp Integrated circuit device with non-rectangular semiconductor chip - has inner contact points bordering on chip in configuration which corresponds to chip configuration

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4308705A1 (en) * 1992-03-19 1993-09-30 Mitsubishi Electric Corp Integrated circuit device with non-rectangular semiconductor chip - has inner contact points bordering on chip in configuration which corresponds to chip configuration
DE4308705C2 (en) * 1992-03-19 1996-03-21 Mitsubishi Electric Corp Integrated circuit chips and a method for separating them from a semiconductor wafer

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