JPH02267263A - Target for magnetron sputtering - Google Patents
Target for magnetron sputteringInfo
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- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 198
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- FISYGCYZACXIKK-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel titanium Chemical compound [Ti][Ni][Ni][Co] FISYGCYZACXIKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
イ８発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気異方性を有する連続磁性薄膜、例えば磁
気記録に用いる連続磁性媒体を製造するマグネトロンス
パッタ装置のマグネトロンスパッタリングターゲットの
構造に関する。Detailed Description of the Invention A.8 Objective of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetron sputtering method for a magnetron sputtering apparatus for producing a continuous magnetic thin film having magnetic anisotropy, for example, a continuous magnetic medium used for magnetic recording. Concerning the structure of the target.
近年、磁気記録の高密度化の要求に伴い、磁性層が磁性
材料のみによって形成された、所謂、連続磁性媒体の研
究が各方面で盛んに行われている。In recent years, with the demand for higher density magnetic recording, research on so-called continuous magnetic media in which the magnetic layer is formed only of magnetic materials has been actively conducted in various fields.
真空蒸着法や、スパッタリング法などによって作成され
る連続磁性媒体は、磁気記録、再生を行う磁性層が磁性
材料のみによって形成されるために、その記録密度の飛
躍的向上が期待されているが、特に、スパッタリング法
によって作成された連続磁性媒体は、作成した媒体の薄
膜の微細構造が緻密なものになることなどにより、高い
耐久性。Continuous magnetic media created by vacuum evaporation, sputtering, etc. are expected to dramatically improve their recording density because the magnetic layer that performs magnetic recording and reproduction is formed only from magnetic materials. In particular, continuous magnetic media created by sputtering have high durability due to the fine structure of the thin film of the created media.
高磁気記録密度の磁気記録媒体が作成できることが期待
され、特に研究開発が進めれている。It is expected that magnetic recording media with high magnetic recording density can be created, and research and development efforts are particularly underway.
磁気記録媒体の長手方向に対する磁気記録再生過程は、
第６図に示すように、連続磁性媒体１４上のトラック１
５を磁気ヘッド１３が走行し行っているが、この記録再
生信号の出力や出力信号とノイズとの比を示すＣ／Ｎは
、磁気ヘッド１３が走行するトラック１５の連続磁性媒
体の磁性薄膜の磁気異方性の方向に大きく関係し、磁気
ヘッド走行方向に高い残留磁気特性を持つ様に作られ、
一般に連続磁性媒体の磁性薄膜の磁気異方性の方向がト
ラツタ方向に向いたとき、記録再生信号の出力及びＣ／
Ｎは最大となる。このために連続磁性媒体を製造するに
際し、その性能を充分に引き出すためには磁気異方性の
方向の制御が重要となる。The magnetic recording and reproducing process in the longitudinal direction of the magnetic recording medium is
As shown in FIG. 6, track 1 on the continuous magnetic medium 14
5, the magnetic head 13 runs on the track 15, and the output of this recording/reproduction signal and the C/N, which indicates the ratio of the output signal to noise, are based on the magnetic thin film of the continuous magnetic medium on the track 15 on which the magnetic head 13 runs. It is closely related to the direction of magnetic anisotropy, and is made to have high residual magnetic properties in the direction of magnetic head travel.
Generally, when the direction of magnetic anisotropy of the magnetic thin film of a continuous magnetic medium is directed toward the tracker, the output of the recording/reproducing signal and the C/
N becomes maximum. For this reason, when manufacturing a continuous magnetic medium, it is important to control the direction of magnetic anisotropy in order to fully exploit its performance.
連続磁性媒体は第７図に示すような構成のマグネトロン
スパッタ装置で作成される。１６はキャン、１７はマグ
ネトロンスパッタリングターゲット、１８は送り出しロ
ール、１９は巻取りロール、２０はフィルムである。こ
こで、連続磁性媒体の磁気異方性の方向は、マグネトロ
ンスパッタリングターゲット（以下ターゲットと称す）
からフィルム２０へ漏洩する磁束の方向２１により定ま
る。このために、連続磁性媒体の磁気異方性の方向を制
御するためには、ターゲット１７から漏洩する磁束の方
向２１がフィルム２０Ｊ：、で磁気ヘッド走行方向に向
くように。The continuous magnetic medium is produced using a magnetron sputtering apparatus configured as shown in FIG. 16 is a can, 17 is a magnetron sputtering target, 18 is a delivery roll, 19 is a take-up roll, and 20 is a film. Here, the direction of magnetic anisotropy of the continuous magnetic medium is determined by a magnetron sputtering target (hereinafter referred to as target).
It is determined by the direction 21 of the magnetic flux leaking from to the film 20. For this purpose, in order to control the direction of magnetic anisotropy of the continuous magnetic medium, the direction 21 of the magnetic flux leaking from the target 17 is directed to the running direction of the magnetic head in the film 20J.
ターゲットの磁極を構成する必要がある。It is necessary to configure the magnetic poles of the target.
以上述べたような要求を満足するターゲットとして、本
発明者らは第９図に示すようなター・ゲットをすでに考
案した。The present inventors have already devised a target as shown in FIG. 9 as a target that satisfies the above-mentioned requirements.
このターゲットは磁極３．４．５の配列が井桁状になっ
ており、且つ磁極３．４．５のＮ極とＳ極が隣り合う配
置となっている。この様なターゲットの磁極の配置とす
ることによって、ターゲットからの磁束の方向６は磁気
記録媒体を形成するフィルム上において平行となる。こ
のフィルム上で平行となった磁束の方向６によって、連
続磁性媒体を製造する際の該媒体の磁気異方性をフィル
ムの長手方向と平行方向、即ち磁気ヘッドの走行方向を
向くように制御していた。In this target, the magnetic poles 3.4.5 are arranged in a parallel cross pattern, and the N and S poles of the magnetic poles 3.4.5 are arranged adjacent to each other. By arranging the magnetic poles of the target in this manner, the direction 6 of the magnetic flux from the target becomes parallel on the film forming the magnetic recording medium. By controlling the direction 6 of the magnetic flux parallel to each other on the film, the magnetic anisotropy of the medium when manufacturing a continuous magnetic medium is controlled in a direction parallel to the longitudinal direction of the film, that is, in the running direction of the magnetic head. was.
しかしながら、第９図に示すターゲットでは磁気記録媒
体の形成速度が遅いという問題点があった。However, the target shown in FIG. 9 had a problem in that the formation speed of the magnetic recording medium was slow.
本発明は、磁気記録媒体のスパッタリング時にマグネト
ロンスパッタリングターゲットの外周部に配置された磁
極のＮ極とＳ極の間の部分や、井桁状に配置された磁極
における同極の磁極が向き合う十字路の中心部分では、
磁束による電子の閉じ込めが弱くなり電子は四方へ発散
し、ターゲット近傍の電子の密度を低下して、電子の衝
突によす発生するイオンの数を減少し、イオンによるタ
ーゲットのスパッタリング現象を低下して磁気記録媒体
の形成速度が遅い従来のマグネトロンスパッタリングタ
ーゲットを、ターゲットの構造を変えることにより同一
人力電力で従来に比べて磁気記録媒体の形成速度が速い
、量産性の優れたマグネトロンスパッタリングターゲッ
トを提供するものである。The present invention can be applied to the part between the N and S poles of magnetic poles arranged on the outer periphery of a magnetron sputtering target during sputtering of a magnetic recording medium, or the center of a crossroads where magnetic poles of the same polarity face each other in magnetic poles arranged in a grid pattern. In part,
The confinement of electrons by the magnetic flux becomes weaker and the electrons diverge in all directions, reducing the density of electrons near the target, reducing the number of ions generated by electron collisions, and reducing the sputtering phenomenon of the target by ions. By changing the structure of the conventional magnetron sputtering target, which has a slow rate of forming magnetic recording media, we provide a magnetron sputtering target that can form magnetic recording media faster with the same amount of human power and has excellent mass productivity. It is something to do.
口０発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは以上の問題に対し鋭意検討した結果、以下
のことを見出した。Structure of the Invention [Means for Solving the Problems] The present inventors have made the following findings as a result of intensive studies on the above problems.
即ち従来のマグネトロンスパッタリングターゲットでは
、４隅の部分では漏洩磁束が発散するため充分に電子の
閉じ込めが出来ない部分があるために電子が発散するの
であるから、この発散しようとする電子を電気的に反射
すれば電子の発散は防止できる。In other words, in the conventional magnetron sputtering target, the leakage magnetic flux diverges at the four corners, and there are parts where electrons cannot be confined sufficiently, causing the electrons to diverge. Reflection can prevent electrons from dispersing.
従って本発明は、磁極の構造が井桁状で、且つ磁極のＮ
極とＳ極が隣り合う配置としたマグネトロンスパッタリ
ングターゲットにおいて、該ターゲットの４隅の磁極の
間を非磁性材で、且つ導電性を有する材料で磁極間に空
洞を形成して電子の反射域を設けることにより、電子の
発散を防止し同一人力電力により磁気記録媒体の形成速
度を向上した事を特徴とするマグネトロンスパッタリン
グターゲットである。Therefore, in the present invention, the structure of the magnetic pole is parallel cross-shaped, and the N of the magnetic pole is
In a magnetron sputtering target in which poles and south poles are arranged next to each other, a non-magnetic material is used between the magnetic poles at the four corners of the target, and a cavity is formed between the magnetic poles using a conductive material to create an electron reflection area. This is a magnetron sputtering target characterized by preventing electron dispersion and improving the formation speed of a magnetic recording medium with the same human power.
即ち本発明は、
１、磁気異方性を有する連続磁性薄膜を形成するマグネ
トロンスパッタ装置の、マグネトロンスパッタリングタ
ーゲットを構成する磁気回路組立体の、磁束を発生する
磁極の配列を井桁状にし、磁極は互いにＮ極とＳ極とが
隣り合う構造としたマグネトロンスパッタリングターゲ
ットにおいて、該ターゲットのスパッタリング面に磁気
回路組立体の４隅の、同極が向き合う領域の、磁極のＮ
極とＳ極の間に、非磁性材で、且つ導電性の材料で形成
した磁極間を空洞にした反射板を設けたことを特徴とす
るマグネトロンスパッタリングターゲット。That is, the present invention has the following features: 1. In a magnetron sputtering apparatus for forming a continuous magnetic thin film having magnetic anisotropy, the magnetic circuit assembly constituting the magnetron sputtering target has magnetic flux-generating magnetic poles arranged in a cross-shaped pattern, and the magnetic poles are In a magnetron sputtering target having a structure in which N poles and S poles are adjacent to each other, the N poles of the N poles are placed on the sputtering surface of the target in the areas where the same poles face each other at the four corners of the magnetic circuit assembly.
A magnetron sputtering target characterized in that a reflecting plate made of a non-magnetic and conductive material and having a cavity between the magnetic poles is provided between the pole and the S pole.
２、磁性薄膜と同じ組成のターゲットの板のスパッタ面
４隅に、磁気回路組立体の磁極位置に対応して非磁性で
、且つ導電性の磁極間を空洞にした反射板を設けたこと
を特徴とする請求項１記載のマグネトロンスパッタリン
グターゲット。2. At the four corners of the sputtering surface of the target plate with the same composition as the magnetic thin film, reflective plates were provided with cavities between the non-magnetic and conductive magnetic poles corresponding to the magnetic pole positions of the magnetic circuit assembly. The magnetron sputtering target according to claim 1.
３、磁気回路組立体のヨークを磁性薄膜と同じ組成の板
とし、磁極を該板のスパッタ面に取付け、磁極の上面に
磁性薄膜と同じ組成の板を取付はスパッタ面４隅の磁極
の間に非磁性で、且つ導電性の磁極間を空洞にした反射
板を設けたことを特徴とする請求項１記載のマグネトロ
ンスパッタリングターゲットである。3. The yoke of the magnetic circuit assembly is a plate with the same composition as the magnetic thin film, and the magnetic pole is attached to the sputtering surface of the plate.The plate with the same composition as the magnetic thin film is attached to the top surface of the magnetic pole between the magnetic poles at the four corners of the sputtering surface. 2. The magnetron sputtering target according to claim 1, further comprising a reflective plate which is non-magnetic and conductive and has a cavity between the magnetic poles.
マグネトロンスパッタリングターゲットの磁気記録媒体
形成速度に関連する電子とイオンの働きは下記のように
なる。The functions of electrons and ions related to the magnetic recording medium formation rate of a magnetron sputtering target are as follows.
■第８図に示すように、マグネトロンスパッタリングタ
ーゲットにおいて、ターゲット２の外周部に配置された
磁極３．４のＮ極とＳ極の間の部分２２や、井桁状に配
置された磁極が形成する十字路の中心部分２３では、磁
束がターゲツト面より垂直方向へ漏洩する為に電子の閉
じ込めが出来ず、電子の発散２４が生ずる。■As shown in Fig. 8, in the magnetron sputtering target, the portion 22 between the N and S poles of the magnetic poles 3.4 arranged on the outer periphery of the target 2, and the magnetic poles arranged in a cross-shaped pattern are formed. In the central portion 23 of the crossroads, the magnetic flux leaks in the vertical direction from the target surface, so electrons cannot be confined, and electron divergence 24 occurs.
■電子が発散するとターゲット近傍の電子の密度が低下
する。このため、電子の衝突により発生するイオンの数
が減少する。■When electrons diverge, the density of electrons near the target decreases. Therefore, the number of ions generated by electron collisions is reduced.
■イオンの数が減少すれば、イオンによるターゲットの
スパッタリング現象が低下するために膜形成速度が遅く
なる。(2) If the number of ions decreases, the sputtering phenomenon of the target by ions will decrease, and the film formation rate will slow down.
従って、非磁性材で、且つ導電性の材料で形成した反射
板を設けた本発明のマグネトロンスパッタリングターゲ
ットにすることにより、磁束がターゲツト面上から漏洩
する部分でもイオンの数が増加し、磁気記録媒体の形成
速度は速くなる。Therefore, by using the magnetron sputtering target of the present invention equipped with a reflector made of a non-magnetic and conductive material, the number of ions increases even in the area where the magnetic flux leaks from the target surface, and magnetic recording is possible. The rate of media formation is faster.
本発明の実施例につき図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
実施例−１
第１図は本発明による実施例−１のマグネトロンスパッ
タリングターゲットを示し、第１図（ａ）はマグネトロ
ンスパッタリングターゲットの構造を示す斜視図、第１
図（ｂ）は反射板の拡大斜視図、第１図（Ｃ）は磁気回
路組立体における磁極の配置と磁束の方向を示す斜視図
である。Example-1 Fig. 1 shows a magnetron sputtering target of Example-1 according to the present invention, and Fig. 1(a) is a perspective view showing the structure of the magnetron sputtering target.
FIG. 1B is an enlarged perspective view of the reflector, and FIG. 1C is a perspective view showing the arrangement of magnetic poles and the direction of magnetic flux in the magnetic circuit assembly.
第１表にマグネトロンスパッタリングターゲットの構造
の諸元を示す。Table 1 shows the structural specifications of the magnetron sputtering target.
第１表
マグネトロンスパッタリングターゲット諸元本発明の実
施例−１においては、ターゲラＩ−２の材料に長辺長さ
４５０ｍｍ、短辺長さ１２０ｍｍ、厚さ６ｎｏｎの矩形
状の磁気記録媒体を形成する、重量比でＮ１が１０％、
Ｔｉが４％、残Ｃｏから成るコバルト・ニッケル・チタ
ン合金を用いた。磁極３．４．５の構造はターゲット２
の表面にＮ極、Ｓ極の磁極を互い違いに配置した井桁状
に構成し、磁極のＮ極とＳ極とが互いに隣り合う構造、
即ちターゲットの４隅部分の磁極３の磁極を、中央の磁
極５と同じ磁極とし、実施例−１のマグネトロンスパッ
タリングターゲットは磁極露出型である。磁極３．４．
５の磁石の材質はサマリウムコバルト磁石を用い、磁極
の配列は磁極全体におけるＮ極とＳ極の磁極の面積が等
しくなるようにした。磁石の上にはターゲット２の材料
と同材質の板７を設け、磁石がスパッタリングされるの
を防止した。更にターゲット２の外周部に配置された磁
極３，４のＳ極とＮ極との間に、第１図（ｂ）に示すよ
うな構造で材質がＴｉの反射板を設けた。Table 1 Magnetron Sputtering Target Specifications In Example 1 of the present invention, a rectangular magnetic recording medium with a long side length of 450 mm, a short side length of 120 mm, and a thickness of 6non is formed using the material of Targera I-2. , N1 is 10% by weight,
A cobalt-nickel-titanium alloy consisting of 4% Ti and the remainder Co was used. The structure of magnetic pole 3.4.5 is target 2
A structure in which N-pole and S-pole magnetic poles are arranged alternately on the surface of the parallel grid, and the N-pole and S-pole of the magnetic pole are adjacent to each other.
That is, the magnetic poles of the magnetic poles 3 at the four corners of the target are the same as the magnetic poles 5 at the center, and the magnetron sputtering target of Example-1 is of the exposed magnetic pole type. Magnetic pole 3.4.
The material of the magnet in No. 5 was a samarium cobalt magnet, and the magnetic poles were arranged so that the areas of the N and S poles in the entire magnetic pole were equal. A plate 7 made of the same material as the target 2 was provided on the magnet to prevent the magnet from being sputtered. Further, between the S and N poles of the magnetic poles 3 and 4 disposed on the outer periphery of the target 2, a reflective plate made of Ti and having a structure as shown in FIG. 1(b) was provided.
本発明による反射板は、ターゲットの４隅にある磁極と
隣り合う磁極の間の磁極のない空間の、磁極の間に空洞
を作る様な構造である。The reflector according to the present invention has a structure in which a cavity is created between the magnetic poles in the space without magnetic poles between the magnetic poles at the four corners of the target and the adjacent magnetic poles.
この様に構成したマグネトロンスパッタリングターゲッ
トによるフィルム平面上の磁界を第２図に示す。図から
も明らかなように、フィルム上の磁束は磁気記録媒体を
形成する領域の殆どにおいて、その方向が一様にフィル
ムの長さ方向、即ち磁気記録ヘッドが走行するトラック
の方向を向いている。FIG. 2 shows the magnetic field on the plane of the film created by the magnetron sputtering target configured in this manner. As is clear from the figure, in most of the areas forming the magnetic recording medium, the magnetic flux on the film is uniformly directed in the length direction of the film, that is, in the direction of the track along which the magnetic recording head runs. .
以上の様に構成したマグネトロンスパッタリングターゲ
ットを用い、第２表の条件でフィルム上に連続磁性薄膜
の磁気記録媒体を形成した結果、フィルム上に形成した
磁性薄膜の膜形成速度は第３図に示す様に、従来の反射
板を設けないマグネトロンスパッタリングターゲットに
よる膜形成速度９に比べ、本発明のマグネトロンスパッ
タリングター・ゲットによる膜形成速度８が２倍以上と
なった。Using the magnetron sputtering target configured as described above, a continuous magnetic thin film magnetic recording medium was formed on the film under the conditions shown in Table 2. As a result, the film formation speed of the magnetic thin film formed on the film is shown in Figure 3. Similarly, the film formation speed 8 using the magnetron sputtering target of the present invention was more than twice as high as the film formation speed 9 using the conventional magnetron sputtering target without a reflective plate.
以下余白
第２表
磁性薄膜磁気記録媒体
実施例−２
第４図に本発明による実施例−２のマグネトロンスパッ
タリングターゲットの構造を示す。Table 2 (margin) below: Magnetic thin film magnetic recording medium Example 2 FIG. 4 shows the structure of a magnetron sputtering target of Example 2 according to the present invention.
実施例−２においては、ターゲット２はフィルム上に形
成する磁気記録媒体と同じ組成の強磁性の板材から成り
、裏側に軟鉄材のヨーク１０を使用した磁気回路組衣）
を設けたもので、その他の条件は第１表のマグネトロン
スパッタリングターゲットの構造の諸元と同一である。In Example 2, the target 2 is made of a ferromagnetic plate material having the same composition as the magnetic recording medium to be formed on the film, and a magnetic circuit assembly using a yoke 10 made of soft iron on the back side.
Other conditions were the same as those of the structure of the magnetron sputtering target in Table 1.
第４図に示すマグネトロンスパッタリングターゲットで
は、ターゲット２のスパッタ面の４隅には実施例−１と
同様に磁気回路組立体の磁極３．４．５の位置に対応し
、磁極間に空洞を形成するＴｉ材で作られた反射板を取
り付けた構造としである。該マグネトロンスパッタリン
グターゲットを用い第２表の条件でフィルム上に連続磁
性薄膜の磁気記録媒体を形成した結果、フィルム上に形
成した磁極薄膜の膜形成速度は第５図に示す様に、従来
の反射板を設けないマグネトロンスパッタリングターゲ
ットによる膜形成速度１２に比べ、本発明のマグネトロ
ンスパッタリングターゲットによる膜形成速度１１が２
倍以上になった。In the magnetron sputtering target shown in FIG. 4, cavities are formed between the magnetic poles at the four corners of the sputtering surface of the target 2, corresponding to the positions of the magnetic poles 3, 4, and 5 of the magnetic circuit assembly, as in Example-1. The structure is equipped with a reflective plate made of Ti material. As a result of forming a magnetic recording medium in the form of a continuous magnetic thin film on a film using the magnetron sputtering target under the conditions shown in Table 2, the film formation speed of the magnetic pole thin film formed on the film was faster than that of the conventional reflective film, as shown in Figure 5. Compared to the film formation speed 12 of the magnetron sputtering target without a plate, the film formation speed 11 of the magnetron sputtering target of the present invention is 2.
It has more than doubled.
尚、本発明のターゲツト面４隅の磁極間に取り付ける非
磁性金属板から成る反射板は、中央の磁極５と周囲の磁
極３．４との間で、同極性で対向する位置に反射板を設
置し、磁極間の空洞を作るものであるが、第２表に示す
スパッタリングの条件において有効な反射板の高さはタ
ーゲットの面に対し同一面から３０ｍｍ高さの範囲であ
る。即ち磁極をターゲツト材の表側、又は裏側に設けて
も、膜形成速度において同じ効果が得られた。In addition, the reflector made of a non-magnetic metal plate attached between the magnetic poles at the four corners of the target surface according to the present invention is such that the reflector is placed at a position opposite to each other with the same polarity between the central magnetic pole 5 and the surrounding magnetic poles 3.4. The effective height of the reflector under the sputtering conditions shown in Table 2 is within a range of 30 mm from the same plane as the target surface. That is, even if the magnetic pole was provided on the front side or the back side of the target material, the same effect on film formation rate was obtained.
本発明の実施例は、長手磁気記録媒体のＣｏ−Ｎｉ−Ｔ
ｉを用いた連続磁性磁気記録媒体を作製する例について
述べたが、本発明はこの実施例に限るものではなく、例
えば下記の項目も本発明に含まれることは明白である。Embodiments of the present invention provide a longitudinal magnetic recording medium of Co-Ni-T.
Although an example of manufacturing a continuous magnetic recording medium using i has been described, the present invention is not limited to this embodiment, and it is clear that the following items are also included in the present invention, for example.
■マグネトロンスパッタリングターゲットを任意の傾き
で配置したもの、即ち磁気記録媒体の磁気異方性の形成
方向が本発明の実施例の磁性薄膜とは異なる特性となる
が、用途により例えば磁気センサとして軟磁性薄膜の形
成に使用する場合、本発明の実施例と同様な膜形成速度
が得られる故、本発明と同様な効果が得られることは明
白である。■A magnetron sputtering target arranged at an arbitrary inclination, that is, a magnetic recording medium whose magnetic anisotropy is formed has different characteristics from the magnetic thin film of the embodiment of the present invention. When used to form a thin film, it is obvious that the same effects as the present invention can be obtained since the same film formation rate as in the examples of the present invention can be obtained.
本発明は磁気記録媒体以外の、前記の磁気センサの製造
等にも応用でき、その用途と発明の内容は限定されるも
のではない。The present invention can be applied not only to magnetic recording media but also to the manufacture of the above-mentioned magnetic sensors, and the application and content of the invention are not limited.
■マグネトロンスパッタリングターゲットのスパッタ面
に形成する反射板の材質にＴｉ材を用いた例で説明した
が、磁気記録媒体を形成する合金組成で他の非磁性材で
、且つ導電性の材質を用いても本発明の実施を可能とす
ることは当然である。■Although we have explained an example in which Ti material is used as the material for the reflective plate formed on the sputtering surface of the magnetron sputtering target, it is also possible to use other non-magnetic and conductive materials in the alloy composition that forms the magnetic recording medium. Naturally, it is also possible to implement the present invention.
例えばフィルム上に形成する薄膜に、アルミニウム（Ａ
１）を含むものであればアルミニウムを用いた反射板と
してもよい。For example, aluminum (A
As long as it includes 1), the reflector may be made of aluminum.
ハ５発明の効果
〔発明の効果〕
本発明によるマグネトロンスパッタリングターゲットは
、ターゲツト面４隅の磁極間に非磁性の金属から成る反
射板を取り付けることにより、同種極性の磁極が向き合
い、ターゲツト面上から漏れる磁束のために発散しよう
どする電子をターゲツト面上に閉じ込められるために、
本発明のマグネトロンスパッタリングターゲットとする
ことにより、磁気記録媒体形成速度の速い生産性の高い
マグネトロンスパッタ装置用マグネトロンスパッタリン
グターゲットを提供出来る様になった。C5 Effects of the Invention [Effects of the Invention] The magnetron sputtering target according to the present invention has a reflective plate made of non-magnetic metal between the magnetic poles at the four corners of the target surface, so that the magnetic poles of the same polarity face each other and can be seen from above the target surface. Because the electrons that are about to diverge due to the leaking magnetic flux are trapped on the target surface,
By using the magnetron sputtering target of the present invention, it has become possible to provide a magnetron sputtering target for a magnetron sputtering device with high productivity and a high rate of magnetic recording medium formation.
第１図は、本発明によるマグネトロンスパッタリングタ
ーゲットの第１の実施例を示す図で、第１図（ａ）はマ
グネトロンスパッタリングターゲットの構造を示す斜視
図、第１図（ｂ）は反射板の部分を拡大した斜視図、第
１図（ｃ）は磁気回路組立体における磁極の配置と磁束
の方向を示す斜視図。
第２図は、本発明のマグネトロンスパッタリングターゲ
ットにおける磁気回路組立体によるフィルム平面上の磁
界の分布を示す平面図。
第３図は、本発明の第１の実施例によるマグネトロンス
パッタリングターゲットによるターゲット電圧と磁気記
録媒体形成速度を示す図。
第４図は、本発明の第２の実施例にょるマグネトロンス
パッタリングターゲットの構造を示す斜視図。
第５図は、本発明の第２の実施例におけるマグネトロン
スパッタリングターゲットによるターゲット電圧と、磁
気記録媒体形成速度を示す図。
第６図は、連続磁性媒体と磁気ヘッドによる記録再生の
概念を示す正面図。
第７図は、連続磁性薄膜磁気記録媒体の製造装置である
マグネトロンスパッタ装置を示す斜視図。
第８図は、磁気回路組立体における電子の発散を示す斜
視図。
第９図は、従来のマグネトロンスパッタリングターゲッ
トの構造を示す斜視図。
１・・・反射板、２・・・ターゲット、３．４・・・磁
極、５・・・中央の磁極、６・・・磁束の方向、７・・
・ターゲットと同材質（７）板、８，１１・・・本発明
のマグネトロンスパッタリングターゲットによる膜形成
速度、９．１２・・・従来のマグネトロンスパッタリン
グターゲットによる膜形成速度、１０・・・ヨーク、１
３・・・磁気ヘッド、１４・・・連続磁性媒体、１５・
・・トラック、１６・・・キャン、１７・・・マグネト
ロンスパッタリングターゲット、１８・・・送り出しロ
ール、１９・・・巻取りロール、２０・・・フィルム、
２１・・・磁束の方向、２２・・・外周部に配置された
磁極のＮ極とＳ極の間の部分、２３・・・井桁状に配置
された磁極が形作る十字路の中心部分、２４・・・電子
の発散。
特許出願人 株式会社トーキン
第１図
＜０）
（Ｃ）
第４
図
第５図
グー５ｒ″ワト！１斤−（−Ｖ）
第２図
第３１図
ターケ゛・７ト電ｈヒ
Ｃ〜〕
第６図
第７図FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a magnetron sputtering target according to the present invention, FIG. 1(a) is a perspective view showing the structure of the magnetron sputtering target, and FIG. 1(b) is a portion of a reflecting plate. FIG. 1(c) is an enlarged perspective view showing the arrangement of magnetic poles and the direction of magnetic flux in the magnetic circuit assembly. FIG. 2 is a plan view showing the distribution of the magnetic field on the film plane due to the magnetic circuit assembly in the magnetron sputtering target of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing target voltage and magnetic recording medium forming speed using a magnetron sputtering target according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing the structure of a magnetron sputtering target according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the target voltage and magnetic recording medium forming speed by the magnetron sputtering target in the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a front view showing the concept of recording and reproducing using a continuous magnetic medium and a magnetic head. FIG. 7 is a perspective view showing a magnetron sputtering apparatus which is a manufacturing apparatus for continuous magnetic thin film magnetic recording media. FIG. 8 is a perspective view showing the divergence of electrons in the magnetic circuit assembly. FIG. 9 is a perspective view showing the structure of a conventional magnetron sputtering target. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Reflection plate, 2... Target, 3.4... Magnetic pole, 5... Center magnetic pole, 6... Direction of magnetic flux, 7...
- Made of the same material as the target (7) Plate, 8, 11...Film formation rate by the magnetron sputtering target of the present invention, 9.12...Film formation rate by the conventional magnetron sputtering target, 10...Yoke, 1
3... Magnetic head, 14... Continuous magnetic medium, 15.
... Track, 16... Can, 17... Magnetron sputtering target, 18... Sending roll, 19... Winding roll, 20... Film,
21... Direction of magnetic flux, 22... Part between the N and S poles of the magnetic poles arranged on the outer periphery, 23... Central part of the crossroads formed by the magnetic poles arranged in a grid pattern, 24. ...Divergence of electrons. Patent applicant TOKIN Co., Ltd. Figure 1 <0) (C) Figure 4 Figure 5 Goo 5r'' Wato! 1 catty-(-V) Figure 2 Figure 31 Figure 6 Figure 7
Claims (1)
トロンスパッタ装置の、マグネトロンスパッタリングタ
ーゲットを構成する磁気回路組立体の、磁束を発生する
磁極の配列を井桁状にし、磁極は互いにＮ極とＳ極とが
隣り合う構造としたマグネトロンスパッタリングターゲ
ットにおいて、該ターゲットのスパッタリング面に磁気
回路組立体の４隅の、同極が向き合う領域の、磁極のＮ
極とＳ極の間に、非磁性材で、且つ導電性の材料で形成
した磁極間を空洞にした反射板を設けたことを特徴とす
るマグネトロンスパッタリングターゲット。 ２、磁性薄膜と同じ組成のターゲットの板のスパッタ面
４隅に、磁気回路組立体の磁極位置に対応して非磁性で
、且つ導電性の磁極間を空洞にした反射板を設けたこと
を特徴とする請求項１記載のマグネトロンスパッタリン
グターゲット。 ３、磁気回路組立体のヨークを磁性薄膜と同じ組成の板
とし、磁極を該板のスパッタ面に取付け、磁極の上面に
磁性薄膜と同じ組成の板を取付けスパッタ面４隅の磁極
の間に非磁性で、且つ導電性の磁極間を空洞にした反射
板を設けたことを特徴とする請求項１記載のマグネトロ
ンスパッタリングターゲット。[Scope of Claims] 1. In a magnetron sputtering apparatus that forms a continuous magnetic thin film having magnetic anisotropy, the magnetic circuit assembly that constitutes the magnetron sputtering target has magnetic poles that generate magnetic flux arranged in a cross-shaped pattern, and In a magnetron sputtering target having a structure in which N and S poles are adjacent to each other, the N and N magnetic poles are located at the four corners of the magnetic circuit assembly on the sputtering surface of the target, in areas where the same poles face each other.
A magnetron sputtering target characterized in that a reflecting plate made of a non-magnetic and conductive material and having a cavity between the magnetic poles is provided between the pole and the S pole. 2. At the four corners of the sputtering surface of the target plate with the same composition as the magnetic thin film, reflective plates were provided with cavities between the non-magnetic and conductive magnetic poles corresponding to the magnetic pole positions of the magnetic circuit assembly. The magnetron sputtering target according to claim 1. 3. The yoke of the magnetic circuit assembly is a plate with the same composition as the magnetic thin film, the magnetic pole is attached to the sputtering surface of the plate, and the plate with the same composition as the magnetic thin film is attached to the top surface of the magnetic pole between the magnetic poles at the four corners of the sputtering surface. 2. The magnetron sputtering target according to claim 1, further comprising a reflective plate having a cavity between the non-magnetic and conductive magnetic poles.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8611489A JPH02267263A (en) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | Target for magnetron sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8611489A JPH02267263A (en) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | Target for magnetron sputtering |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267263A true JPH02267263A (en) | 1990-11-01 |
Family
ID=13877671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8611489A Pending JPH02267263A (en) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | Target for magnetron sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267263A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100230274A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Applied Materials, Inc. | Minimizing magnetron substrate interaction in large area sputter coating equipment |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP8611489A patent/JPH02267263A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100230274A1 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Applied Materials, Inc. | Minimizing magnetron substrate interaction in large area sputter coating equipment |
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