JPH02260802A - Strip line type diode attenuator - Google Patents
Strip line type diode attenuatorInfo
- Publication number
- JPH02260802A JPH02260802A JP8065189A JP8065189A JPH02260802A JP H02260802 A JPH02260802 A JP H02260802A JP 8065189 A JP8065189 A JP 8065189A JP 8065189 A JP8065189 A JP 8065189A JP H02260802 A JPH02260802 A JP H02260802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- diodes
- turned
- wavelength
- attenuation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減衰器に関し、特にストリップラインとダイオ
ードを用いた減衰器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an attenuator, and particularly to an attenuator using a strip line and a diode.
従来、この種の減衰器は第2図のように、基板13及び
23上に各々形成された入力信号伝送用ストリップライ
ン11及び21とPINダイオード12及び22で構成
されており、これらはワイヤ14で接続されている。Conventionally, this type of attenuator is composed of input signal transmission strip lines 11 and 21 and PIN diodes 12 and 22 formed on substrates 13 and 23, respectively, as shown in FIG. connected with.
この減衰器において、入力1に供給された入力信号(例
えば、RF倍信号は、ダイオード12゜22にて減衰さ
れて出力2に現れる。入力信号の減衰はダイオードがオ
ンの時に大きく、オフの時に小となる。In this attenuator, an input signal (for example, an RF multiplied signal) supplied to input 1 is attenuated by a diode 12°22 and appears at output 2.The attenuation of the input signal is large when the diode is on, and is large when the diode is off. becomes small.
上述した従来の減衰器は、ダイオードのオフ時に減衰量
が最小になるため、ダイオードのバイアス回路(図示せ
ず)が故障したときに、入力のRF倍信号出力にそのま
ま現れ、オーバーパワーとなって回路全体を破壊してし
まう可能性がある。In the conventional attenuator described above, the amount of attenuation is minimized when the diode is off, so if the diode bias circuit (not shown) fails, it will appear as it is in the RF multiplied signal output of the input, resulting in overpower. There is a possibility that the entire circuit will be destroyed.
また、第2図のように、ワイヤーボンディングを4箇所
しなければならず、組み立てに時間がかかるという問題
がある。更に、ワイヤーボンディングをする箇所が多い
分、通過損失が増大するという問題もある。Furthermore, as shown in FIG. 2, wire bonding must be performed at four locations, which poses a problem in that it takes time to assemble. Furthermore, there is also the problem that the passage loss increases because there are many locations where wire bonding is performed.
本発明はバイアス回路が故障した場合に回路全体を保護
するようにしたダイオード減衰器を提供することを目的
としている。It is an object of the present invention to provide a diode attenuator which protects the entire circuit in case of failure of the bias circuit.
本発明のストリップライン型ダイオード減衰器は、RF
入力信号伝送用ストリップラインと2つのダイオードの
間に各々174波長の分岐ストリップラインを設けて、
この分岐ストリップラインを約174波長の間隔で並列
に構成し、ダイオードのオフ時に減衰量を最大に、ダイ
オードのオン時に減衰量を最小となるように構成してい
る。The stripline diode attenuator of the present invention has an RF
Branch strip lines each having 174 wavelengths are provided between the input signal transmission strip line and the two diodes,
These branch strip lines are arranged in parallel at intervals of about 174 wavelengths, and are configured so that the amount of attenuation is maximized when the diode is off, and the amount of attenuation is minimized when the diode is on.
上述した構成では、ダイオードがオフの時に減衰が最大
となり、バイアス回路が故障したときにRF倍信号減衰
させて回路を保護する。In the above-described configuration, the attenuation is maximum when the diode is off, and when the bias circuit fails, the signal is attenuated by RF times to protect the circuit.
次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の平面図である。この減衰器
は、少なくとも、基板8に形成されたストリップライン
3,4.5と、PINダイオード6.7とで構成され、
ストリップライン4.5とダイオード6.7とはワイヤ
9.10により接続されている。FIG. 1 is a plan view of one embodiment of the present invention. This attenuator is composed of at least strip lines 3 and 4.5 formed on the substrate 8 and a PIN diode 6.7,
Strip line 4.5 and diode 6.7 are connected by wire 9.10.
また、第1図において、■は入力でRF倍信号入力され
、2は出力でRF倍信号出力される。ストリップライン
3はRF信号伝送用マイクロストリップラインで、約1
74波長の長さである。また、ストリップライン4.5
は伝送用マイクロストリップラインから約174波長の
間隔をもって並列分岐された約1/4波長ストリツプラ
インである。このストリップラインは、点6’、7’が
短絡、即ちダイオード6.7がオンの時に点4’、5’
が開放になるように、また点6’、7’が開放、即ちダ
イオード6.7がオフの時に点4’、5’が短絡になる
ようにする働きがあり、これによりダイオードオン時に
は減衰量が最小、オフ時には最大になる。Further, in FIG. 1, the RF multiplied signal is input at the input, and the RF multiplied signal is output at the output. Stripline 3 is a microstripline for RF signal transmission, and is approximately 1
It is 74 wavelengths long. Also, strip line 4.5
are approximately 1/4 wavelength strip lines branched in parallel at intervals of approximately 174 wavelengths from the transmission microstrip line. This stripline is connected to points 4' and 5' when points 6' and 7' are shorted, i.e. when diode 6.7 is on.
When the diode 6.7 is off, points 4' and 5' are shorted, so that when the diode 6.7 is off, the attenuation decreases. is the minimum, and maximum when off.
以上説明したように本発明は、ダイオードがオフ時で減
衰が最大となるため、バイアス回路が故障したときにR
F倍信号減衰させるため、回路全体を保護できる効果が
ある。また、ワイヤーボンディングの箇所が減るため製
作が容易となり、かつストリップラインの箇所が増える
ため通過損失を低く抑えることができる効果がある。As explained above, in the present invention, the attenuation is maximum when the diode is off, so when the bias circuit fails, R
Since the signal is attenuated by a factor of F, it has the effect of protecting the entire circuit. Furthermore, since the number of wire bonding locations is reduced, manufacturing becomes easier, and the number of stripline locations is increased, which has the effect of suppressing passing loss to a low level.
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は従来の減
衰器の一例の平面図である。
I・・・入力、2・・・出力、3・・・1/4波長スト
リツプライン、4,5・・・1/4λストリツプライン
、6.7・・・ダイオード、8・・・基板、9.lO・
・・ワイヤ、11 21・・・ストリップライン、12
.22・・・ダイオード、13.23・・・基板、14
・・・ワイヤ。
第1図
第2図FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of an example of a conventional attenuator. I...Input, 2...Output, 3...1/4 wavelength stripline, 4,5...1/4λ stripline, 6.7...Diode, 8...Substrate ,9. lO・
...Wire, 11 21...Strip line, 12
.. 22...Diode, 13.23...Substrate, 14
...Wire. Figure 1 Figure 2
Claims (1)
隔をもって並列に約1/4波長の2つの分岐ストリップ
ラインを接続し、更に前記分岐ストリップラインの先端
に各々ダイオードを接続して構成してなり、前記ダイオ
ードのオン時に減衰量が最小に、オフ時に最大となるこ
とを特徴とするストリップライン型ダイオード減衰器。1. Two branch strip lines of about 1/4 wavelength are connected in parallel to the input signal transmission strip line with an interval of about 1/4 wavelength, and further a diode is connected to the tip of each of the branch strip lines, A stripline diode attenuator characterized in that the amount of attenuation is minimum when the diode is on and maximum when the diode is off.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8065189A JPH02260802A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Strip line type diode attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8065189A JPH02260802A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Strip line type diode attenuator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02260802A true JPH02260802A (en) | 1990-10-23 |
Family
ID=13724270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8065189A Pending JPH02260802A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Strip line type diode attenuator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02260802A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08265005A (en) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | Attenuation circuit using quarter-wavelength line |
JP2012004635A (en) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | New Japan Radio Co Ltd | Temperature variable attenuator |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8065189A patent/JPH02260802A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08265005A (en) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | Attenuation circuit using quarter-wavelength line |
JP2012004635A (en) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | New Japan Radio Co Ltd | Temperature variable attenuator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3982212A (en) | Switching arrangements | |
JPH02260802A (en) | Strip line type diode attenuator | |
US4361819A (en) | Passive semiconductor power limiter formed on flat structure lines, and an ultra-high frequency circuit using such a limiter | |
AU706738B2 (en) | Bypassable wilkinson divider | |
JPH02295202A (en) | Direct current preventing circuit | |
JP3157547B2 (en) | Semiconductor package | |
JPS62102602A (en) | Reflection type attenuator | |
JPH0133961B2 (en) | ||
JPH01305602A (en) | Micro-wave circuit | |
JPH0786509A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR100272664B1 (en) | Circulator capable of integrating with semiconductor device | |
JPS63244906A (en) | Bias circuit | |
JPS63133701A (en) | Microwave semiconductor device | |
JPH02284502A (en) | Internal matching circuit substrate for semiconductor device | |
RU2025838C1 (en) | Shf limiter | |
JPH05335817A (en) | Directional coupler | |
JPH06109829A (en) | Transmitting-receiving apparatus | |
JPH01154602A (en) | Reflection type attenuator | |
JPS63227104A (en) | Balance type mixer | |
JPH0786443A (en) | Chip carrier of semiconductor external modulator | |
JPS61208908A (en) | Signal selection circuit | |
JPH01120104A (en) | Semiconductor device | |
KR20000076872A (en) | A semiconductor device | |
JPH02189001A (en) | Pin diode switch | |
JPS62202603A (en) | Pin diode attenuator |