JPH02257451A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JPH02257451A
JPH02257451A JP1272642A JP27264289A JPH02257451A JP H02257451 A JPH02257451 A JP H02257451A JP 1272642 A JP1272642 A JP 1272642A JP 27264289 A JP27264289 A JP 27264289A JP H02257451 A JPH02257451 A JP H02257451A
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magneto
optical recording
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recording medium
cyclic olefin
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邦彦 水本
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英彦 橋本
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Abstract

PURPOSE:To improve an adhesive property and to improve oxidation resistance and the long-term stability of magneto-optical recording characteristics, etc., by composing a substrate from a copolymer of ethylene and specific cyclic olefin and forming the same of cyclic olefin random copolymers having >=70 deg.C and <70 deg.C softening temp. CONSTITUTION:The substrate consists of the copolymer of the ethylene and the cyclic olefin expressed by formula I and consists of the cyclic olefin random copolymer (A) having the ultimate viscosity eta in a 0.05 to 10dl/g range and >=70 deg.C softening temp. TMA and the cyclic olefin random copolymer (B) likewise having <70 deg.C. The weight ratio of the component (A)/component (B) is specified to a 100/0.1 to 100/10 range. The thin film of an amorphous alloy selected from 3d transition metals and rare earths respectively is used as the magneto-optical recording film. In the formula I, n denotes 0 or positive integer; R<1> to R<12> denote a hydrogen atom, halogen atom, etc.; R<9> to R<12> may form a monocyclic or polycyclic group by bonding to each other. The adhesive property between the substrate and the recording medium is improved in this way and the recording medium having the excellent oxidation resistance and the magneto-optical recording characteristics is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 i肌立弦五附1 本発明は、基板と光磁気記録膜との密着性に優へ しか
も耐酸化性および光磁気記録特性に優れた光磁気記録媒
体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magneto-optical recording medium that has excellent adhesion between a substrate and a magneto-optical recording film, as well as excellent oxidation resistance and magneto-optical recording properties.

の     ならびにその  占 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム(T b)
、カドリニウム(G d)などの希土類元素との合金か
らなる光磁気記録特性 膜面と垂直な方向に磁化容易軸
を有し 一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方
向とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができる
ことが知られている。
as well as transition metals such as iron, cobalt, and terbium (Tb).
, magneto-optical recording properties of alloys with rare earth elements such as cadrinium (Gd).The axis of easy magnetization is perpendicular to the film surface, and the film surface is entirely magnetized in one direction, with the direction opposite to this direction of magnetization. It is known that small inverted magnetic domains can be formed.

この反転磁区の有無を「1」、 「0」に対応させるこ
とによって、上記のような光磁気記録膜にデジタル信号
を記録させることが可能となる。
By associating the presence or absence of this inverted magnetic domain with "1" and "0", it becomes possible to record digital signals on the magneto-optical recording film as described above.

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜として哄 たとえば特公昭57−20691号公報に
15〜3o原子%のTbを含むTb−Fe系光磁気記録
膜が開示されている。またT b−F e−Co、Gd
−Tb−Fe、  Dy−Tb−Fe−C。
As a magneto-optical recording film made of such a transition metal and a rare earth element, for example, a Tb--Fe based magneto-optical recording film containing 15 to 3 at % of Tb is disclosed in Japanese Patent Publication No. 57-20691. Also, T b-F e-Co, Gd
-Tb-Fe, Dy-Tb-Fe-C.

系などの光磁気記録膜も用いられている。Magneto-optical recording films, such as those based on magneto-optical systems, are also used.

これらの光磁気記録膜IL  優れた記録再生特性を有
している力\ 使用時にこの光磁気記録膜は酸化を受け
てその特性が経時的に変化してしまうという実用上の大
きな問題点があった このような遷移金属と希土類元素とを含む光磁気記録膜
についてはその酸化劣化のメカニズムは、たとえば日本
応用磁気学会誌第9巻 NQ、2、第93〜96頁で検
討されており、以下のような3つのタイプがあることが
報告されている。
The power of these magneto-optical recording films IL is that they have excellent recording and reproducing properties. During use, these magneto-optical recording films undergo oxidation and their properties change over time, which is a major practical problem. The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording films containing transition metals and rare earth elements is discussed, for example, in Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Vol. 9, NQ, 2, pp. 93-96, and as follows: It has been reported that there are three types:

イ)孔食 孔食とは光磁気記録膜にピンホールが発生することを意
味するカー この腐食は、主として高温雰囲気下で進行
し たとえばTb−Fe系、Tb−C。
b) Pitting corrosion Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in the magneto-optical recording film.This corrosion mainly progresses in high temperature atmospheres, such as Tb-Fe and Tb-C.

系などで著しく進行する。The disease progresses markedly in some systems.

ロ)表面酸化 光磁気記録膜に表面酸化層が形成さ汰 カー回転角θk
が経時的に変化し ついにはカー回転角θkが減少して
しまう。
b) Surface oxidation layer is formed on the surface oxidized magneto-optical recording film. Kerr rotation angle θk
changes over time, and eventually the Kerr rotation angle θk decreases.

ハ)希土類金属の選択酸化 光磁気記録膜中の希土類金属が選択的に酸化され、 保
磁力Hcが経時的に大きく変化してしまう。
c) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the magneto-optical recording film is selectively oxidized, and the coercive force Hc changes greatly over time.

上記のような光磁気記録膜の酸化劣化を防止するため、
従来 種々の方法が試みられている。たとえは 光磁気
記録膜を、S i3N、、5iO1Si02、A、(N
な゛どの酸化防止保護膜でサンドイッチしたような3層
構造にする方法が検討されている。
In order to prevent the oxidative deterioration of the magneto-optical recording film as described above,
Conventionally, various methods have been tried. For example, a magneto-optical recording film is Si3N, 5iO1Si02, A, (N
A method of creating a three-layer structure sandwiched between various anti-oxidation protective films is being considered.

また、Tb−Fe系 Tb−Co系などの光磁気記録膜
中をへ この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第3
の金属を添加する方法が種々試みられている。
In addition, in order to improve the oxidation resistance of this thin film, a third
Various methods of adding metals have been attempted.

たとえば上述した日本応用磁気学会誌で哄Tb−Feあ
るいはTb−CoE、Co、Ni、Pt。
For example, in the above-mentioned Journal of the Japanese Society of Applied Magnetics, Tb-Fe, Tb-CoE, Co, Ni, and Pt.

Af7、CrS Ti、Pdなどの第3金属を3.5原
子%までの量で添加することによって、Tb−Fe系あ
るいはTb−Co系の光磁気記録膜の耐酸化性を向上さ
せる試みがなされている。
Attempts have been made to improve the oxidation resistance of Tb-Fe-based or Tb-Co-based magneto-optical recording films by adding a third metal such as Af7, CrS, Ti, or Pd in an amount of up to 3.5 atomic percent. ing.

また第9回日本応用磁気学会学術講演概要集(1985
年11月)の第209頁に鷹 やはり光磁気記録膜の耐
酸化性を向上させる目的で、Tb−FeあるいはTb−
Fe−Co &=  Pt、  Al、Cr。
Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2013), page 209, Tb-Fe or Tb-
Fe-Co&=Pt, Al, Cr.

TiをlO原子%までの量で添加してなる光磁気記録膜
が教示されている。
Magneto-optical recording films doped with Ti in amounts up to 1 atomic % have been taught.

また特開昭61−255546号公報に哄 希土類元素
と遷移元素とからなる光磁気記録膜に、P狐 A城 A
龜 R鳴 R飄 P伐 0亀 Irなどの貴金属元素を
再生に必要なカー回転角が得られる範囲内で添加してな
る耐酸化、性が向上された光磁気記録膜が開示されてい
る。
Also, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-255546, a magneto-optical recording film made of rare earth elements and transition elements is described.
A magneto-optical recording film with improved oxidation resistance and properties has been disclosed, in which a noble metal element such as Ir is added within a range that allows the Kerr rotation angle necessary for reproduction to be obtained.

このように従来Tb−FeあるいはTb−Coに、Cへ
 NL P瓢 Al、C八 T1、Pdなどの第3金属
が添加されてなる光磁気記録膜は知られている力(これ
らの光磁気記録膜を通常の基板 たとえばポリカーボネ
ート樹脂からなる基板に積層した光磁気記録媒体はなお
耐酸化性が充分でなく、光磁気記録特性の長期安定性の
面でも不充分であり、かつ基板の大きな複屈折のためC
/N比が小さく、ノイズレベルが高く、さらに基板と膜
との密着性も十分でなかった そのため基板としてポリ
カーボネート樹脂を用いる場合1k  熱処理でポリカ
ーボネート基板の水分を十分に除去する工程がまた膜と
の密着性を良くするために屯 基板表面をプラズマ処理
する工程が必要となっていた本発明者らは、上記のよう
な光磁気記録媒体の性能を向上させるべく鋭意研究した
ところ、光磁気記録膜が酸化して劣化するのは、光磁気
記録膜の組成と共に光磁気記録膜を積層するために従来
用いられている基板自体にも原因があることおよび従来
用いられているポリカーボネートなどの基板叫 光磁気
記録膜との密着性に劣り、このため光磁気記録膜の酸化
を充分に防止できないことにあることを見出しへ 本発明者ら代 上記のような知見に基づきさらに検討し
たところ、基板として特定の構造をするエチレンと環状
オレフィンとのランダム共重合体を用い、かつ上記のよ
うな基板へ 特定の光磁気記録膜を積層すれif、  
基板と光磁気記録膜との密着性に優へ しかも耐酸化性
および高C/N比という光磁気記録特性に便法 かつ光
磁気記録特性の長期安定性に優れた光磁気記録媒体が得
られることを見出して、本発明を完成するに至っへi肌
立1濃 本発明代 上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、基板と光磁気記録膜との密着
性に便法 しかも耐酸化性、光磁気記録特性および光磁
気記録特性の長期安定性に優れた光磁気記録媒体を提供
することを目的としている。
In this way, conventional magneto-optical recording films made of Tb-Fe or Tb-Co doped with a third metal such as C, Al, C, T1, Pd, etc. Magneto-optical recording media in which the recording film is laminated on a normal substrate, such as a substrate made of polycarbonate resin, still do not have sufficient oxidation resistance, the long-term stability of the magneto-optical recording characteristics is insufficient, and the substrate has large complexities. C due to refraction
/N ratio was low, the noise level was high, and the adhesion between the substrate and the film was also insufficient. Therefore, when using polycarbonate resin as the substrate, the process of sufficiently removing moisture from the polycarbonate substrate by heat treatment is also required. In order to improve the adhesion, it was necessary to perform a plasma treatment process on the surface of the substrate.The present inventors conducted intensive research to improve the performance of the magneto-optical recording medium as described above, and found that the magneto-optical recording film The reason for the oxidation and deterioration of the magneto-optical recording film is due to the composition of the magneto-optical recording film as well as the substrate itself that is conventionally used to laminate the magneto-optical recording film. The present inventors discovered that the adhesion with the magnetic recording film was poor, and as a result, the oxidation of the magneto-optical recording film could not be sufficiently prevented. Based on the above findings, further investigation revealed that the substrate If a random copolymer of ethylene and cyclic olefin having the structure is used, and a specific magneto-optical recording film is laminated on the substrate as described above,
A magneto-optical recording medium with excellent adhesion between the substrate and the magneto-optical recording film, excellent oxidation resistance and high C/N ratio in magneto-optical recording properties, and excellent long-term stability of the magneto-optical recording properties can be obtained. The present invention has been completed based on the discovery that the present invention has been completed with the aim of solving the problems associated with the prior art as described above. The object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium which is convenient in terms of performance and has excellent oxidation resistance, magneto-optical recording characteristics, and long-term stability of magneto-optical recording characteristics.

久」目υ」葺 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に光磁気配e膜
が積層されてなる光磁気記録媒体においで、 基板カー (A)エチレンと、下記一般式[I]で表わされる環状
オレフィンとの共重合体とからなり、135℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度[η]が0.05〜10dl/
gの範囲にあり、軟化温度(TMA)が70℃以上であ
る環状オレフィン系ランダム共重合体と、 (B)エチレンと、下記一般式[!]で表わされる環状
オレフィンとの共重合体とからなり、135℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度[V]が0.05〜5dl/g
の範囲にあり、軟化温度(TMA)が70℃未満である
環状オレ フィンランダム共重合体とからなり、 上記(A)成分/(B)成分の重量比が10070.1
〜100/10の範囲である環状オレフィンランダム共
重合体組成物から形成されていることを一つの特徴とし
ている。
A magneto-optical recording medium according to the present invention is a magneto-optical recording medium in which a magneto-optical film is laminated on a substrate, and comprises a substrate (A) ethylene and the following general formula [I]. The intrinsic viscosity [η] measured in decalin at 135°C is 0.05 to 10 dl/
a cyclic olefin random copolymer having a softening temperature (TMA) of 70° C. or higher, (B) ethylene, and the following general formula [! ] and has an intrinsic viscosity [V] of 0.05 to 5 dl/g as measured in decalin at 135°C.
and a cyclic olefin random copolymer with a softening temperature (TMA) of less than 70°C, and the weight ratio of component (A)/component (B) is 10070.1.
One of its characteristics is that it is formed from a cyclic olefin random copolymer composition in the range of ~100/10.

・・・[エコ (式[I]において、nはOもしくは正の整数であり、
R1ないしR12はそれぞれ水素原子、ノxロゲン原子
または炭化水素基を示し、R9−R12は、互いに結合
して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該
単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またR9とR11とで、またはR11とR12とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい)。
...[Eco(In formula [I], n is O or a positive integer,
R1 to R12 each represent a hydrogen atom, a nitrogen atom, or a hydrocarbon group, and R9 to R12 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group The group may have a double bond, and R9 and R11 or R11 and R12 may form an alkylidene group).

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て6戯 該環状オレフィン成分は一般式[11で表わさ
れる構造を形成している。
In such a cyclic olefin random copolymer, the 6-cyclic olefin component forms a structure represented by the general formula [11].

・・・ [II] (式[ulにおいて、nは0もしくは正の整数であり、
R1ないしRI2はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示L−% R@〜RI 21L互いに
結合して単環または多環の基を形成していてもよく、か
つ該単環または多環の基が二重結合を有していてもよく
、 またRoとRIMとで、またはR11とRL2とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい)。
... [II] (In the formula [ul, n is 0 or a positive integer,
R1 to RI2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group. The group may have a double bond, and Ro and RIM or R11 and RL2 may form an alkylidene group).

また本発明で檄 上記のような基板く 光磁気記録膜と
して、 (i)3d遷移金属から選ばれる少なくとも1
種と、 (1ii)希土類から選ばれる少なくとも1種
の元素とを必須成分元素として少なくとも含む膜面に垂
直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜を用いることを
特徴としている。
In addition, in the present invention, a substrate as described above is used as a magneto-optical recording film, (i) at least one member selected from 3D transition metals.
The present invention is characterized in that it uses an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, which contains at least a species and (1ii) at least one element selected from rare earth elements as essential elements.

日 の        ・  日 以下本発明に係る光磁気記録媒体について、具体的に説
明する。
The magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically explained below.

本発明に係る光磁気記録媒体1は、第1図に示すようE
、  基板2上、に光磁気記録膜3が積層された構造を
有している。
The magneto-optical recording medium 1 according to the present invention has an E
, has a structure in which a magneto-optical recording film 3 is laminated on a substrate 2.

また本発明に係る光磁気記録媒体1は、第2図に示すよ
うく 基板2上く 光磁気記録膜3と反射膜4とがこの
順序で積層された構造を有していてもよい。
Further, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention may have a structure in which a magneto-optical recording film 3 and a reflective film 4 are laminated in this order on a substrate 2, as shown in FIG.

さらに本発明に係る光磁気記録媒体1は、第3図に示す
ようへ 基板2と光磁気記録jX3との聞く エンハン
ス膜5が設けられた構造を有していてもよい。
Furthermore, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention may have a structure in which an enhancement film 5 is provided between the substrate 2 and the magneto-optical recording medium 1, as shown in FIG.

さらにまた、本発明に係る光磁気記録媒体1は、第4図
に示すよう番へ  基板2と光磁気記録膜3との間にエ
ンハンス膜5が設けられるとともに光磁気記録膜3と反
射膜4との間にエンハンス膜5が設けられた構造を有し
ていてもよい。
Furthermore, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention has an enhancement film 5 provided between the substrate 2 and the magneto-optical recording film 3 as shown in FIG. It may have a structure in which an enhancement film 5 is provided between.

エンハンス膜としては例えばS is N、、SiN。Examples of the enhancement film include SiN, SiN.

(0<x<473)などの窒化ケイLAjN。Silicon nitride LAjN such as (0<x<473).

Zn5eS ZnS、  Si等が例示できる。Examples include Zn5eS, ZnS, and Si.

本発明では、上記のような基板2代 (A)エチレンと、下記一般式[I]で表される環状オ
レフィンとの共重合体とからなり、 135℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度[V]力ζ0、05〜10dl
/gの範囲にあり、軟化温度(TMA)が70℃以上で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体と、 (B)エチレンと、下記一般式[I]で表される環状オ
レフィンとの共重合体とからなり、135℃のデカリン
中で測定した極限粘度[η]カー〇、 05〜5dl/
Hの範囲にあり、軟化温度(TMA)が70℃未満であ
る環状オレフィンランダム共重合体とからなり、 上記(A)成分/(B)成分の重量比が10070.1
〜100/10の範囲である環状オレフィンランダム共
重合体組成物から形成されている。
In the present invention, the substrate is made of a copolymer of the second generation (A) ethylene as described above and a cyclic olefin represented by the following general formula [I], and has an intrinsic viscosity [V ]Force ζ0, 05~10dl
/g, and a cyclic olefin random copolymer having a softening temperature (TMA) of 70°C or higher; (B) a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following general formula [I]; The intrinsic viscosity measured in decalin at 135°C [η] car〇, 05 to 5 dl/
H range and a cyclic olefin random copolymer having a softening temperature (TMA) of less than 70°C, and the weight ratio of the component (A)/component (B) is 10070.1.
It is formed from a cyclic olefin random copolymer composition in the range of ~100/10.

・・・ [r] (式[I]において、nはOもしくは正の整数であり 
R1ないしR12はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭化水素基を示り、、R9〜Rl 214互いに結
合して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ
該単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またR@とR1・とで、またはR11とRI2とで、ア
ルキリデン基を形成していてもよい)。
... [r] (In formula [I], n is O or a positive integer, and
R1 to R12 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, R9 to Rl 214 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group The group may have a double bond, and R@ and R1. or R11 and RI2 may form an alkylidene group).

上記一般式[tlで表される環状オレフィンについてさ
らに詳しく説明すると、上記一般式[r]で表される環
状オレフィンは、上記式[I]で表される4L  以下
に記載する式[!−a]で表すこともできる。
To explain in more detail about the cyclic olefin represented by the above general formula [tl], the cyclic olefin represented by the above general formula [r] is the 4L represented by the above formula [I], which is expressed by the following formula [! -a].

[A]および[B]中において14  該環状オレフィ
ン成分は一般式[nlで表わされる構造を形成している
In [A] and [B], 14 the cyclic olefin component forms a structure represented by the general formula [nl].

・・・[I−al ただし 上記[■−alにおいて、nはOまたは1であ
り、mはOまたは正の整数であり、R1−R1@ GL
  それぞれ独立番ミ  水素原子、ハロゲン原子およ
び炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を
表す。
...[I-al However, in the above [■-al, n is O or 1, m is O or a positive integer, and R1-R1@GL
Each independently represents an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a hydrocarbon group.

そして RI S 4 RI 町1  互いに結合して
単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単環
または多環の基が二重結合を有していてもよい。
and RI S 4 RI Machi 1 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond.

また、R15とRI6とで、またはR1)とRI8とで
アルキリデン基を形成していてもよい。
Furthermore, R15 and RI6 or R1) and RI8 may form an alkylidene group.

このような環状オレフィン系ランダム共重合体・・・ 
[nl (式[nlにおいて、nは0もしくは正の整数であり、
・R1ないしR12はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子
または炭化水素基を示L−,R”−RI2+&互いに結
合して単環または多環の基を形成していてもよく、かつ
該単環または多環の基が二重結合を有していてもよく、 またR11とR1・とで、またはR11とR12とで、
アルキリデン基を形成していてもよい)。
Such a cyclic olefin random copolymer...
[nl (In the formula [nl, n is 0 or a positive integer,
・R1 to R12 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic The group may have a double bond, and R11 and R1. or R11 and R12,
(may form an alkylidene group).

なお、環状オレフィンを、上記のように[t−alで表
すと、環状オレフィン系ランダム共重合体[A]および
[B]中において1戴 該環状オレフィン成分代 以下
に示す式[n−alで表わされる構造を形成している。
Incidentally, the cyclic olefin is expressed as [t-al] in the cyclic olefin-based random copolymers [A] and [B]. forming the structure represented.

・・・[u −al ただ狐 上記[rt−alにおいて、nは0または1で
あり、mは0または正の整数であり、R1〜RIJ4 
 それぞれ独立!、  水素原子、ハロゲン原子および
炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしくは基を表
す。
... [u -al Tadakitsune In the above [rt-al, n is 0 or 1, m is 0 or a positive integer, and R1 to RIJ4
Each independent! , represents an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a hydrocarbon group.

そして、RI S 4 Rl$14  互いに結合して
単環または多環の基を形成していてもよく、かつ該単環
または多環の基が二重結合を有していてもよい。
RI S 4 Rl$14 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond.

また、 RISとRIBとで、またはR17とR1・と
でアルキリデン基を形成していてもよい。
Further, RIS and RIB or R17 and R1. may form an alkylidene group.

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体の構成
成分である環状オレフィン1戴 一般式[!]で表わさ
れる不飽和単量体からなる群から選ばれた少なくとも1
種の環状オレフィンである。
A cyclic olefin, which is a constituent component of the above-mentioned cyclic olefin random copolymer, has the general formula [! ] At least one selected from the group consisting of unsaturated monomers represented by
It is a type of cyclic olefin.

一般式中[r]で表わされる環状オレフィン代シクロペ
ンタジェン類と相応するオレフィン類あるいは環状オレ
フィンとをディールス・アルダ−反応で縮合させること
により容易に製造することができる。
It can be easily produced by condensing the cyclic olefin cyclopentadiene represented by [r] in the general formula with the corresponding olefin or cyclic olefin in a Diels-Alder reaction.

一般式[r]で表わされる環状オレフィンとして、具体
的に瓜 1.4.5.8−ジメタノ−1,2,3,4,
4a。
Specifically, the cyclic olefin represented by the general formula [r] includes melon 1.4.5.8-dimethano-1,2,3,4,
4a.

5、8.8a−オクタヒドロナフタレンのほか&:、%
 2−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3
,4,4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン
、2−エチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3
,4,4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン
、2−ブロビル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,
3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレ
ン、2−へキシル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2
,3,4,4a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタ
レン、2.3−ジメチル−1,4,5,8−ジメタノ−
1,2,3,4゜4a、 5.8.8g−オクタヒドロ
ナフタレン、2−メチル−3−エチル−1,4,5,8
−ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−
オクタヒドロナフタレン、2−クロロ−1,4,5,8
−ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−
オクタヒドロナフタレン、2−ブロモ−1,4,5,8
−ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.8.8a−
オクタヒドロナフタレン、2−フルオロ−1,4,5,
8−ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.8.8a
−オクタヒドロナフタレン、2.3−ジクロロ−1,4
,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a、 5.8
.8a−オクタヒドロナフタレン、2−シクロヘキシル
−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a、
 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2−n−ブ
チル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4
a、 5.8.8a−オクタヒドロナフタレン、2−イ
ソブチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4
,4a、 5゜8.8a−オクタヒドロナフタレンなど
のオクタヒドロナフタレン類を例示することができる。
5, 8.8a-octahydronaphthalene and other &:, %
2-methyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3
,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-ethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3
,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-brobyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,
3,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-hexyl-1,4,5,8-dimethano-1,2
, 3,4,4a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2.3-dimethyl-1,4,5,8-dimethano-
1,2,3,4゜4a, 5.8.8g-octahydronaphthalene, 2-methyl-3-ethyl-1,4,5,8
-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a-
Octahydronaphthalene, 2-chloro-1,4,5,8
-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a-
Octahydronaphthalene, 2-bromo-1,4,5,8
-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a-
Octahydronaphthalene, 2-fluoro-1,4,5,
8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8.8a
-octahydronaphthalene, 2,3-dichloro-1,4
,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5.8
.. 8a-octahydronaphthalene, 2-cyclohexyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,
5.8.8a-Octahydronaphthalene, 2-n-butyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4
a, 5.8.8a-octahydronaphthalene, 2-isobutyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4
, 4a, 5°8.8a-octahydronaphthalenes such as octahydronaphthalene can be exemplified.

さらに、式[I]で表される環状オレフィンの例として
檄 以下に記載する化合物を挙げることができる。
Furthermore, examples of the cyclic olefin represented by formula [I] include the compounds described below.

すなわち、本発明において使用される上記式[l]で表
わされる環状オレフィンとして檄 具体的に1戴 ビシクロ[2,2,1]ヘプト−2−エン誘導機テトラ
シクロ[4,4,0,1’ s、 1〒・Im]−3−
ドデセン誘導化 ヘキサシクロ[5,5,l、 ls、s、 11@、+
*、Oa、v、0*、I41−4−ヘプタデンセン誘導
倣 オクタシクロ[g、3.Q、12.1,14.T、11
1.1・、113.16Qi、I、Qlli’l]−5
−トコセン誘導倣ペンタシクロ[6,6,1,1’・6
.02・7.伊・14]−4−へキサデセン誘導化 ヘプタシクロ−5−イコセン誘導朱 ヘプタシクロー5−ヘンエイコセン誘導体、) リシク
O[4,3,0,1”−’]−3−テセン誘導倣誘導シ
トリシクロ 3.0.1”・6〕−3−ウンデセン誘導
本ペンタシクロ[6,5,1,1m 、 ! 、 O”
・?、Q・ロク]−4−ペンタデセン誘導倣 ペンタシクロペンタデカジエン誘導& ベンタシオロ[4,7,0,1”・昏、 Ql 、 1
3 、1@・1m]−3−ベンタデセン誘導本 ヘンタシクo [7,8,0,1*、s、Oft、 1
1@、It、QIl、1・112、Is]−4−エイコ
セン誘導体、および ノナシクロ[9,10,1,1,4,7,0’・−、Q
2・1・、Oft・21113.2@、Qlm、lI、
1111番]−5−ベンタコセン誘導体を挙げることが
できる。
That is, as the cyclic olefin represented by the above formula [l] used in the present invention, specifically, 1-bicyclo[2,2,1]hept-2-ene derivative tetracyclo[4,4,0,1' s, 1〒・Im]-3-
Dodecene-derivatized hexacyclo[5,5,l, ls, s, 11@, +
*, Oa, v, 0*, I41-4-heptadensene-induced mimic octacyclo[g, 3. Q, 12.1, 14. T, 11
1.1., 113.16 Qi, I, Qlli'l]-5
- tococene-induced imitation pentacyclo[6,6,1,1'・6
.. 02.7. Italian 14]-4-hexadecene derivatization heptacyclo-5-icosene derivative Zhu heptacyclo-5-heneicosene derivative,) Lysic O[4,3,0,1''-']-3-thecene derivatization Mimic induction citriciclo 3.0 .1”・6]-3-Undecene derivative book pentacyclo[6,5,1,1m,! , O”
・? , Q・Roku]-4-pentadecene induction imitation, pentacyclopentadecadiene induction & bentashiolo [4,7,0,1”・Ql, 1
3,1@・1m]-3-bentadecene derivative book o [7,8,0,1*,s,Oft, 1
1@, It, QIl, 1·112, Is]-4-eicosene derivative, and nonacyclo[9,10,1,1,4,7,0'·-,Q
2・1・,Of・21113.2@,Qlm,lI,
No. 1111]-5-bentacocene derivatives.

以下にこのような化合物の具体的な例を示す。Specific examples of such compounds are shown below.

6−メチルビシクロ[2 などのようなビシクロ[2,2,11 ヘプト−2−エン誘 導体: ン CH。6-methylbicyclo[2 Bicyclo [2, 2, 11 Hept-2-ene induction conductor: hmm CH.

5.10−ジメチルテトラ 9−イソブチル−11,12 5,8,9,10−テトラメチ 8−メチル−9−エチルテ 8−クロロテトラシフ 8−プロモチトラシフ 8−メチルテトラシフ 8−エチルテトラシフ 1・]−]3−ドデセ ン・]−]3−ドデセ ン @ ]−]3−ドデセ ン 、1丁 l]−3−ドデセン 7・1・]−]3−ドデセ ン3−ドデセン ・1・]−]3−ドデセ ン12 5.17・+s]−3−ドデセ ン 1a、s、1v 1・]−]3−ドデ セ 8−n−プロピリデン ン 8−エチリデン−9−イソ 8−n−プロピリデン−9 [4,4,0,12 s、1v、+@]−3 8−イソプロピリデン 一ドデセン 8−n−プロピリデン−9 一ドデセン + 1 ]−]3−ドデセ 一ドデセン などのテトラシクロ[4,4,0,12・5.17・+
θ]−3−ドデセ8−イソプロビリデン ン誘導体; (以下余白) +S、Ql?、Q・、+a]−4−ヘプ1z−メチルへ
キサシフ タデセン などのへキサシクロ[6,6,1,13・−11113
,Q2.?、Q*デセン ・Ia ]−4−へブタデセン誘導体;トコセン デセン ■、1・、1目、 l I+ 、 (p@ 、 Ql 2・+tl−5−トコセン ヘプタデセン 15−エチルオクタシフ などのオクタシクロ[8,8,0,11・−914・)
、Ill・1・11+ s 、 (p 、・、012 1)]−]5−トコセン誘導体 ;どのペンタシクロ[6,6,1,13・e、02v、
□s、+a)−4− ヘキサデセン誘導体; などのへブタシクロ−5−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−5−ヘンエイコセン誘導体;などのトリシク
ロ[4,3,0,12・S]−3−デセン誘導体;10
−メチル−トリシフ などのトリシクロ[4,4,0,11 s]−3−ウンデセン誘導 体; 14、15−ジメチルベン などのペンタシクロ[6,5,1,1り・6.02・7
.o91 ’J ] −4− ペンタデセン誘導体; 1.6−シメチルベンタ などのジエン化合物; Ha セン などノペンタシクロ[4,7,(112,s、Ql、1
3.l11.+2]−3−ペンタデセン誘導体; コセン 3.2・、0+ A 、 l・ 1lile]−5−ベ
ンタコセン などのノナシクロ[9,10,1,1’ 、マ(p 、
 @、 Ql 、 I @ 、 Ql 2’ ” 、 
1”””、 O’ ” ”、 1”、” ] −]5−
ヘ:/夕”:1 ”t’ ン誘導体; (以下余白) などのヘプタシクロ[7,g、Q、131.Ql、T、
11@、1.Ql・IlB、111・+s]−4−エイ
コセン誘導体;、21,112.2@、Ql4.19,
115・l@]−5−ベンタコセン この環状オレフィン系ランダム共重合体[A]および[
B]lL  エチレンおよび前記環状オレフィンの他に
本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共
重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任
意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具
体的に檄 たとえば生成するランダム共重合体中のエチ
レン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、1−ブ
テン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘキセン、1−
オクテン、1−デセン、 1−ドデセン、 1−テトラ
デセン、 1−へキサデセン、1−オクタデセン、1−
エイコセンなどの炭素原子数が3〜20のα−オレフィ
ンなどを例示することができる。
5.10-dimethyltetra9-isobutyl-11,12 5,8,9,10-tetramethy8-methyl-9-ethylte8-chlorotetrashif8-promotitrashif8-methyltetrashif8-ethyltetrashif1.] -]3-dodecene. [4,4,0, 12 s, 1v, +@]-3 8-isopropylidene-dodecene 8-n-propylidene-9-dodecene+ 1]-]3-dodece-dodecene etc. tetracyclo[4,4,0,12・5.17・+
θ]-3-dodece8-isopropylidene derivative; (blank below) +S, Ql? , Q., +a]-4-hep1z-methylhexacyclo[6,6,1,13・-11113
,Q2. ? ,Q*decene・Ia]-4-hebutadecene derivatives; tococenedecene ■, 1・, 1st, l I+ , (p@, Ql 2・+tl-5-tocosenheptadecene 15-ethyl octashif and other octacyclo[ 8,8,0,11・-914・)
, Ill·1·11+ s , (p ,·,012 1)]-]5-tococene derivative; which pentacyclo[6,6,1,13·e, 02v,
□s, +a) -4-hexadecene derivatives; Hebutacyclo-5-icosene derivatives or Hebutacyclo-5-heneicosene derivatives; Tricyclo[4,3,0,12・S]-3-decene derivatives; 10
-Tricyclo[4,4,0,11s]-3-undecene derivatives such as methyl-tricif; pentacyclo[6,5,1,1-6.02.7 such as 14,15-dimethylben
.. o91 'J] -4-pentadecene derivatives; diene compounds such as 1,6-dimethylbenta; nopentacyclo[4,7,(112,s,Ql,1
3. l11. +2]-3-pentadecene derivatives; nonacyclo[9,10,1,1', ma(p,
@, Ql, I @, Ql 2'”,
1”””, O’ ””, 1”,”] -]5-
Heptacyclo [7, g, Q, 131. Ql, T,
11@, 1. Ql・IlB, 111・+s]-4-eicosene derivative;, 21,112.2@, Ql4.19,
115·l@]-5-bentacocene This cyclic olefin random copolymer [A] and [
B]lL In addition to ethylene and the above-mentioned cyclic olefin, other copolymerizable unsaturated monomer components may be contained as necessary within a range that does not impair the object of the present invention. The unsaturated monomers which may be optionally copolymerized include, for example, propylene, 1-butene, 4-methyl- 1-pentene, 1-hexene, 1-
Octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-
Examples include α-olefins having 3 to 20 carbon atoms such as eicosene.

上記のような軟化点(TMA)が70℃以上である環状
オ゛レフイン系ランダム共重合体[A]において、エチ
レンに由来する繰り返し単位(a) +L40〜85モ
ル%、好ましくは50〜75モル%の範囲で存在してお
り、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位(b
)は15〜60モル%、好ましくは25〜50モル%の
範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位
(a)および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
(b)は、ランダムに実質上線状に配列している。なお
、エチレン組成および環状オレフィン組成はIC−NM
Rによって測定した この環状オレフィン系ランダム共
重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有してい
ないこと1戴 該共重合体が135℃のデカリン中に完
全に溶解することによって確認できる。
In the above-mentioned cyclic olefin random copolymer [A] having a softening point (TMA) of 70°C or higher, repeating unit (a) derived from ethylene +L40 to 85 mol%, preferably 50 to 75 mol% %, and the repeating unit derived from the cyclic olefin (b
) is present in a range of 15 to 60 mol%, preferably 25 to 50 mol%, and the repeating units (a) derived from ethylene and the repeating units (b) derived from the cyclic olefin are randomly distributed in a substantially linear manner. They are arranged in a shape. In addition, the ethylene composition and cyclic olefin composition are IC-NM
This cyclic olefin random copolymer is substantially linear and does not have a gel-like crosslinked structure as measured by .

このような環状オレフィン系ランダム共重合体゛[A]
の135℃のデカリン中で測定した極限粘度[η]屯 
0.05〜10dl/i  好ましくは0、08〜5d
l/gの範囲にある。
Such a cyclic olefin random copolymer ゛[A]
Intrinsic viscosity [η]tons measured in decalin at 135°C
0.05-10dl/i preferably 0.08-5d
It is in the range of l/g.

また環状オレフィン系ランダム共重合体[A]のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度(T
MA)l戴 70℃以ム 好ましくは90〜250℃、
さらに好ましくは100〜200℃め範囲にある。なお
軟化温度(TMA)は、デュポン社製Thermome
chani、cal Analyserを用いてl1厚
さシートの熱変形挙動により測定しヘ すなわちシート
上に石英製針をのせ、荷重49gをかけ、5℃/分で昇
温していき、針が0.635−侵入した温度をTMAと
しt4  また、該環状オレフィン系ランダム共重合体
[AIのガラス転移温度(T g) IL  通常50
〜230℃、好ましくは70〜210℃の範囲にあるこ
とが望ましい。
In addition, the softening temperature (T
MA) Temperature: 70°C or less, preferably 90-250°C,
More preferably, the temperature is in the range of 100 to 200°C. The softening temperature (TMA) is determined by Thermome manufactured by DuPont.
The thermal deformation behavior of a 11-thick sheet was measured using a chani, cal analyzer.That is, a quartz needle was placed on the sheet, a load of 49 g was applied, and the temperature was raised at a rate of 5°C/min until the needle became 0.635. - The temperature of penetration is TMA and t4 Also, the glass transition temperature (T g) of the cyclic olefin random copolymer [AI] IL usually 50
It is desirable that the temperature is in the range of ~230°C, preferably 70~210°C.

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体[AIの
X線回折法によって測定した結晶化度は、0〜lO%、
好ましくは0〜7%、とくに好ましくは0〜5%の範囲
である。
In addition, the crystallinity of this cyclic olefin random copolymer [AI measured by X-ray diffraction method is 0 to 10%,
The range is preferably from 0 to 7%, particularly preferably from 0 to 5%.

また上記のような軟化点(TMA)が70℃未満である
環状オレフィン系ランダム共重合体[B]において、エ
チレンに由来する繰り返し単位(a)は、60〜98モ
ル%、好ましくは60〜98モル%の範囲で存在してお
り、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位(b
)は2〜40モル覧好ましくは5〜40モル%の範囲で
存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位(a)
および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位(b)
 It、  ランダムに実質上線状に配列している。な
お、エチレン組成および環状オレフィン組成は13 C
−NMRによって測定した この環状オレフィン系ラン
ダム共重合体[B]が実質上線状であり、ゲル状架橋構
造を有していないことは、該共重合体が135℃のデカ
リン中に完全に溶解することによって確認できる。
Further, in the cyclic olefin random copolymer [B] having a softening point (TMA) of less than 70°C, the repeating unit (a) derived from ethylene is 60 to 98 mol%, preferably 60 to 98 mol%. The repeating unit derived from the cyclic olefin (b
) is present in a range of 2 to 40 mol%, preferably 5 to 40 mol%, and the repeating unit (a) derived from ethylene
and a repeating unit (b) derived from the cyclic olefin
It, randomly arranged substantially in a line. In addition, the ethylene composition and cyclic olefin composition are 13C
-The fact that this cyclic olefin random copolymer [B] is substantially linear and does not have a gel-like crosslinked structure as measured by NMR means that the copolymer completely dissolves in decalin at 135°C. This can be confirmed by

このような環状オレフィン系ランダム共重合体[B]の
135℃のデカリン中で測定した極限粘度[η]瓜 0
,05〜5d1/龜 好ましくは0゜08〜3dl/g
の範囲にある。
The intrinsic viscosity [η] of such a cyclic olefin random copolymer [B] measured in decalin at 135°C is 0
,05-5dl/g Preferably 0°08-3dl/g
within the range of

また環状オレフィン系ランダム共重合体[B]のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度(T
MA)Ik  70℃未鳳 好ましくは一10〜60℃
、さらに好ましくは10〜55℃の範囲にある。また、
該環状オレフィン系ランダム共重合体[B]のガラス転
移温度(Tg)は、通常−30〜60℃、好ましくは一
20〜50℃の範囲にあることが望ましい。
In addition, the softening temperature (T
MA) Ik 70℃, preferably -10~60℃
, more preferably in the range of 10 to 55°C. Also,
It is desirable that the glass transition temperature (Tg) of the cyclic olefin random copolymer [B] is usually in the range of -30 to 60°C, preferably in the range of -20 to 50°C.

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体[B]の
X線回折法によって測定した結晶化変電O〜10%、好
ましくは0〜7%、とくに好ましくは0〜5%の範囲で
ある。
Further, the crystallization change of the cyclic olefin random copolymer [B] measured by X-ray diffraction is in the range of O to 10%, preferably 0 to 7%, particularly preferably 0 to 5%.

本発明において、基板として用いる環状オレフィンラン
ダム共重合体組成物において該環状オレフィン系ランダ
ム共重合体[A]/該環状オレフィン系ランダム共重合
体[B]の重量比は10010.1ないし100/10
、好ましくは10010.3ないし100/7、とくに
好ましくは10070.5ないし10015の範囲であ
る。
In the present invention, in the cyclic olefin random copolymer composition used as a substrate, the weight ratio of the cyclic olefin random copolymer [A]/the cyclic olefin random copolymer [B] is 10010.1 to 100/10.
, preferably from 10010.3 to 100/7, particularly preferably from 10070.5 to 10015.

[B]酸成分この範囲で[A]酸成分配合することによ
って基板自体の優れた透明性と表面平滑性を維持したま
まで本発明で用いる光磁気記録膜との苛酷な条件下での
密着性が[A]威分のみの場合に比べさらに向上すると
いう効果があり、 [AIと[B]のブレンドよりなる
この上記の環状オレフィンランダム共重合体組成物を基
板に用いれば本発明で用いる光磁気記録膜との優れた密
着性は+1 高湿条件下放置後においてさえも変化がな
いという特性を有している。
[B] Acid component By blending the [A] acid component within this range, the substrate itself can adhere to the magneto-optical recording film used in the present invention under severe conditions while maintaining its excellent transparency and surface smoothness. This cyclic olefin random copolymer composition consisting of a blend of [AI and [B] can be used in the present invention if it is used as a substrate. The excellent adhesion with the magneto-optical recording film is +1. It has the characteristic that it does not change even after being left under high humidity conditions.

本発明で基板として用いる環状オレフィン系ランダム共
重合体組成物を構成する環状オレフィン系ランダム共重
合体[AIおよび[B1代 いずれも特開昭60−16
8708号公私 特開昭61−120816号公私 特
開昭61−115912号公私 特開昭61−1159
16号公抵特願昭61−95905号公私 特願昭61
−95906号公抵 特開昭61−271308号公私
 特開昭61−272216号公報などにおいて本出願
人が提案した方法に従い適宜条件を選択することにより
、製造することができる。
Cyclic olefin random copolymer [AI and [B1 generation] constituting the cyclic olefin random copolymer composition used as a substrate in the present invention, both of which were published in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-16
No. 8708 Public/Private JP 61-120816 Public/Private JP 61-115912 Public/Private JP 61-1159
Public and Private Patent Application No. 16, 1982-95905, Public and Private Patent Application, 1982
It can be produced by appropriately selecting conditions according to the method proposed by the present applicant in JP-A-95906, public publication, JP-A-61-271308, public-private publication, and JP-A-61-272216.

この環状オレフィン系ランダム共重合体組成物の製法と
しては公知の方法が適用でき、環状オレフィン系ランダ
ム共重合体[AIおよび[B]を別個に製造り、  [
AIと[B]を押出機でブレンドして製造する方法、 
[AIおよび[B]を適当な潜弧 たとえばヘプタン、
ヘキサン、デカン、シクロヘキサンのような飽和炭化水
素、 トルエン、ベンゼン、キシレンのような芳香族炭
化水素に充分溶解して行なう溶液ブレンド法、さらに[
AI、[B]を別個の重合器で合成し得られるポリマー
を別の容器でブレンドしてポリマーを製、造する方法を
あげることができる。
A known method can be applied to the production of this cyclic olefin random copolymer composition, in which the cyclic olefin random copolymer [AI and [B] are separately produced, and [
A method of manufacturing by blending AI and [B] with an extruder,
[AI and [B] in a suitable submerged arc, such as heptane,
The solution blending method is carried out by sufficiently dissolving in saturated hydrocarbons such as hexane, decane, and cyclohexane, and aromatic hydrocarbons such as toluene, benzene, and xylene;
One example is a method in which AI and [B] are synthesized in separate polymerization vessels and the resulting polymers are blended in a separate vessel to produce a polymer.

また環状オレフィン系ランダム共重合体組成物の135
℃デカリン中で測定した極限粘度[V]は0.05ない
し10dl/&  好ましくは0.08ないし5dl/
gの範囲であり、サーマル・メカニカル・アナライザー
によって測定した軟化温度(TMA)は70ないし25
0℃、好ましくは80〜250℃特に好ましくは100
ないし200℃の範囲にあり、ガラス転移温度(Tg 
)は70ないし230℃、好ましくは90ないし210
℃の範囲にある。
In addition, 135 of the cyclic olefin random copolymer composition
The intrinsic viscosity [V] measured in decalin at °C is 0.05 to 10 dl/&, preferably 0.08 to 5 dl/
The softening temperature (TMA) measured by a thermal mechanical analyzer ranges from 70 to 25 g.
0°C, preferably 80-250°C, particularly preferably 100°C
The glass transition temperature (Tg
) is 70 to 230°C, preferably 90 to 210°C.
in the range of ℃.

また、基板を形成する樹脂として、上記のような環状オ
レフィンランダム共重合体と共く 上述の式[r]で表
される環状オレフィンが開環重合することにより形成さ
れる次式〔I11〕で表される繰り返し単位を含む重合
体もしくは共重合体が含まれていてもよく、さらに上記
式[n+1で表される繰り返し単位を水橋することによ
り形成される次式[■]で示すような繰り返し単位を含
む重合体あるいは共重合体が含まれていてもよい。
In addition, as a resin forming the substrate, in addition to the above-mentioned cyclic olefin random copolymer, the following formula [I11] formed by ring-opening polymerization of the cyclic olefin represented by the above-mentioned formula [r] may be used. It may contain a polymer or copolymer containing the repeating unit represented by A polymer or copolymer containing the unit may also be included.

・・・[ml ・・・[rt’ ま ただ獣 上記式[mlおよび[■]において、nおよび
R1〜Rl 214  前記式[1]で示される環状オ
レフィンにおけるnおよびR1−R1ff1と同じ意味
である。
...[ml ...[rt'] In the above formulas [ml and [■], n and R1 to Rl 214 Same meaning as n and R1-R1ff1 in the cyclic olefin shown in the above formula [1] be.

本発明の環状オレフィン系ランダム共重合体組成物は前
記環状オレフィン系ランダム共重合体[A]および前記
環状オレフィン系ランダム共重合体[B]を必須成分と
するものであるカー その他に耐熱安定舷 耐候安定i
1K  帯電防止舷 スリップ舷 アンチブロッキング
斉L 防曇寿L 滑舷染料、顔料、天然源 合成法 ワ
ックスなどを配合することができ、その配合割合は適宜
量である。
The cyclic olefin random copolymer composition of the present invention contains the cyclic olefin random copolymer [A] and the cyclic olefin random copolymer [B] as essential components. Weather resistance stable i
1K Antistatic Ship Slip Ship Anti-Blocking Qi L Anti-Fog Ju L Slipboard Dyes, pigments, natural sources, synthesis method Wax, etc. can be blended, and the blending ratio is appropriate.

たとえく 任意成分として配合される安定剤して具体的
に檄 テトラキス[メチレン−3(3,5−ジ−t−ブ
チル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートコメタ
ン、β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロピオン酸アルキルエステル(特に炭素原子
数18以下のアルキルエステルが好ましい)。
For example, stabilizers that may be added as optional ingredients include tetrakis[methylene-3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate comethane, -t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionic acid alkyl esters (especially preferred are alkyl esters having 18 or less carbon atoms).

2.2°−オキザミドビス[エチル−3(3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート
などのフェノール系酸化防止剤)ステアリン酸亜鉛、ス
テアリン酸カルシウム、12−ヒドロキシステアリン酸
カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステア
レート、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステ
アレート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペ
ンタエリスリトールジステアレート、ヘンタエリスリト
ールトリステアレート等の多価アルコール脂肪酸エステ
ルなどを挙げることができる。これらは単独で配合して
もよいカー組合わせて配合してもよく、たとえばテトラ
キス[メチレン−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロピオネートコメタンとステアリ
ン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組合わ
せ等を例示することができる。
2.2°-oxamidobis[ethyl-3(3,5-di-
Phenolic antioxidants such as t-butyl-4-hydroxyphenyl propionate) fatty acid metal salts such as zinc stearate, calcium stearate, calcium 12-hydroxystearate, glycerin monostearate, glycerin monolaurate, glycerin distearate , polyhydric alcohol fatty acid esters such as pentaerythritol monostearate, pentaerythritol distearate, and hentaerythritol tristearate. These may be blended alone or in combination, such as tetrakis[methylene-3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate comethane and zinc stearate and Examples include combinations with glycerin monostearate.

本発明では特く フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組合せて用いるどとが好
ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは3価以上
の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエステ
ル化された多価アルコール脂肪酸エステルであることが
好ましい。
In the present invention, it is particularly preferable to use a combination of a phenolic antioxidant and a fatty acid ester of a polyhydric alcohol. Preferably, it is an esterified polyhydric alcohol fatty acid ester.

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的に1 グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジステ
アレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリト
ールの脂肪酸エステルが用いられる。
Such fatty acid esters of polyhydric alcohols include:
Specifically 1 glycerin fatty acid esters such as glycerin monostearate, glycerin monolaurate, glycerin monomyristate, glycerin monopalmitate, glycerin distearate, glycerin dilaurate,
Fatty acid esters of pentaerythritol such as pentaerythritol monostearate, pentaerythritol monolaurate, pentaerythritol distearate, pentaerythritol dilaurate, and pentaerythritol tristearate are used.

このようなフェノール系酸化防止剤檄 環状オレフィン
系ランダム共重合体組成物100重量部に対して0.0
1〜lO重量眼 好ましくは0.05〜3重量服 さら
に好ましくは0.1〜1重量部の量で用いら瓢 また多
価アルコールの脂肪酸エステルは該組成物100重量部
に対して0.01−10重量部好ましくは0.05〜3
重量部の量で用いられる。
Such a phenolic antioxidant is 0.0 parts by weight per 100 parts by weight of the cyclic olefin random copolymer composition.
The amount of fatty acid ester of polyhydric alcohol is 0.01 to 100 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight, and more preferably 0.1 to 1 part by weight. -10 parts by weight, preferably 0.05 to 3
Used in parts by weight.

本発明で瓜 基板2として、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を用いており、この環状オレフィ
ン系ランダム共重合体代 従来基板2として用いられて
いるポリカーボネート、ポリ(メタ)アクリレートなど
と比較して吸水率が小さいため、基板上に積層された光
磁気記録膜が水分によって酸化されることが少ない。ま
たこの環状オレフィン系ランダム共重合体組成物からな
る基板と光磁気記録膜とは密着性に優れており、この点
からも基板上に積層された光磁気記録膜の酸化が効果的
に防止される。したがってこの環状オレフィン系ランダ
ム共重合体組成物からなる基板上に光磁気記録膜を積層
してなる光磁気記録媒体哄 耐久性に便法 しかも長期
安定性にも優れている。
In the present invention, a cyclic olefin-based random copolymer as described above is used as the melon substrate 2, and this cyclic olefin-based random copolymer may be substituted with polycarbonate, poly(meth)acrylate, etc. that have been conventionally used as the substrate 2. Since the water absorption rate is comparatively low, the magneto-optical recording film laminated on the substrate is less likely to be oxidized by moisture. In addition, the substrate made of this cyclic olefin random copolymer composition and the magneto-optical recording film have excellent adhesion, and from this point of view, oxidation of the magneto-optical recording film laminated on the substrate can be effectively prevented. Ru. Therefore, a magneto-optical recording medium formed by laminating a magneto-optical recording film on a substrate made of this cyclic olefin random copolymer composition has excellent durability and long-term stability.

さらに上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体
組成物からなる基板哄 複屈折が小さく、したがって光
磁気記録膜の読取り時の感度が大きく、読取9時に非差
動型のドライブ装置を用いることもできる。
Furthermore, the substrate made of the above-mentioned cyclic olefin random copolymer composition has low birefringence, so the sensitivity when reading the magneto-optical recording film is high, and a non-differential drive device can be used at the time of reading. can.

本発明で檄 上記のような基板z上に(i)3d遷移金
属から選ばれる少なくとも1種と、 (1ii)希土類
から選ばれる少なくとも1種の元素とを少なくとも含む
、膜面に薄膜な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から
なる光磁気記録膜3が積層されるが、本発明ではこのよ
うな光磁気記録膜3の中で、 (i)3d遷移金属から
選ばれる少なくとも1種と、 (11)耐腐食性金属と
、 (1ii)希土類から選ばれる少なくとも1種の元
素とからなる光磁気記録膜を用いることが好ましい。
In the present invention, on the substrate z as described above, a thin film easily magnetized on the film surface containing at least (i) at least one element selected from 3D transition metals and (1ii) at least one element selected from rare earths. A magneto-optical recording film 3 made of an amorphous alloy thin film having an axis is laminated, and in the present invention, in such a magneto-optical recording film 3, (i) at least one selected from 3d transition metals; It is preferable to use a magneto-optical recording film comprising (11) a corrosion-resistant metal and (1ii) at least one element selected from rare earths.

以下まずこの好ましい光磁気記録膜3について説明する
First, this preferred magneto-optical recording film 3 will be explained below.

(i)3d遷移金属としてIt、  Fe、  Co、
  Ti、VSCr、  Mn、  Ni、Cu、  
Znなどが用いられるカー このうちFeまたはcoあ
るいはこの間者であることが好ましい。
(i) 3d transition metals such as It, Fe, Co,
Ti, VSCr, Mn, Ni, Cu,
Among these, Fe, Co, or something in between is preferable.

この3d遷移金属1戴 光磁気記録膜3中に好ましくは
20〜90原子%、より好ましくは30〜85原子%、
とくに好ましくは35〜80原子%の量で存在している
Preferably 20 to 90 at%, more preferably 30 to 85 at%,
It is particularly preferably present in an amount of 35 to 80 atom %.

(11)耐腐食性金属14  光磁気記録膜3に含ませ
ることによって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高める
ことができる。このような耐腐食性金属として+L  
Pt、  Pd、  Mo、T1、ZrS Ta。
(11) Corrosion-resistant metal 14 By including it in the magneto-optical recording film 3, the oxidation resistance of the magneto-optical recording film can be improved. +L as such a corrosion-resistant metal
Pt, Pd, Mo, T1, ZrS Ta.

Nbなどが用いられるが、このうちPtS Pd。Among these, PtS and Pd are used.

T1が好ましくとくにPtまたはPdあるいはこの両者
であることが好ましい。
T1 is preferably Pt or Pd or both.

この耐腐食性金属は、光磁気記録膜3中&ミ5〜30原
子%好ましくは5〜25N、子%、とくにはlO〜25
原子%、さらに好ましくはlO〜zO原子%の量で存在
している。
This corrosion-resistant metal is contained in the magneto-optical recording film 3 in an amount of 5 to 30 atomic percent, preferably 5 to 25 N, particularly 10 to 25 atomic percent.
It is present in an amount of atomic %, more preferably 10 to zO atomic %.

この耐腐食性金属の含有量が5原子%未満であると、得
られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改善されず、
経時的に保磁力Heが大きく変化したりあるいはカー回
転角θkが減少したりする。
If the content of this corrosion-resistant metal is less than 5 at %, the oxidation resistance of the resulting magneto-optical recording film will not be sufficiently improved;
Over time, the coercive force He changes significantly or the Kerr rotation angle θk decreases.

また、30原子%を超えて存在する場合に汰 得られる
非晶質合金薄膜のキュリー点が室温以下となる傾向もあ
るため好ましくない。 (1ii)光磁気記録膜3代 
上記(1)および(ii)に加えで、下記の群から選ば
れる少なくとも1種の希土類元素を含んで構成されてい
る。
Furthermore, if the amount exceeds 30 atom %, the Curie point of the resulting amorphous alloy thin film tends to be lower than room temperature, which is not preferable. (1ii) Third generation of magneto-optical recording film
In addition to (1) and (ii) above, it is configured to contain at least one rare earth element selected from the following group.

GdS Tb、  Dy、  Ho、  Er、  T
m、  Yb。
GdS Tb, Dy, Ho, Er, T
m, Yb.

Lu、  La、  Ce、  Pr、  Nd、  
Pm、  Sm。
Lu, La, Ce, Pr, Nd,
Pm, Sm.

u このうちG d s  T b SD y 、  Ho
、NdS Sm、Prが好ましく用いられる。
u Of these, G d s T b SD y, Ho
, NdS Sm, Pr are preferably used.

上記のような群から選ばれる少なくとも1種の希土類元
素法 光磁気記録膜3中レミ  好ましくは5〜50原
子%、さらに好ましくは8〜45原子%、とくに好まし
くはlO〜40原子%の量で存在している。
At least one rare earth element method selected from the above group Remi in the magneto-optical recording film 3 Preferably in an amount of 5 to 50 at%, more preferably 8 to 45 at%, particularly preferably lO to 40 at%. Existing.

本発明で1戴 光磁気記録IK3力ζ 特く 下記の記
載するような組成を有することが好ましい。
In the present invention, it is particularly preferable that the magneto-optical recording material has a composition as described below.

13d遷 − 本発明に係る光磁気記録膜中にIL(i)3d遷移元素
として、好ましくはFeまたはCoあるいはこの両者が
含まれており、Feおよび/またはCo檄 40派子%
以上8011に子%以下、好ましくは40派子%以上7
5原子%未鳳 さらに好ましくは40派子%以上59[
子%以下の量で存在していることが望ましい。
13d transition - The magneto-optical recording film according to the present invention preferably contains Fe or Co or both as the IL(i)3d transition element, and Fe and/or Co 40%
More than 8011 children% or less, preferably 40 children% or more 7
5 atomic% non-polymerized, more preferably 40 atomic% or more 59[
It is desirable that the amount is less than %.

さらにFeおよび/またはCOは、 Co / (Fe +Co )比cyp子比]Ago以
上、0.3以下、好ましくは0以上0.2以下、さらに
好ましくは0.01以上0.2以下であるような量で、
光磁気記録膜中に存在してl、%ることか望ましい。
Further, Fe and/or CO have a Co / (Fe + Co ) ratio [cyp particle ratio] Ago or more and 0.3 or less, preferably 0 or more and 0.2 or less, and more preferably 0.01 or more and 0.2 or less. in an amount
It is desirable that it be present in the magneto-optical recording film in an amount of 1%.

Feおよび/またはCoの量が40派子%以上で80J
]千%以下の範囲にあると、耐酸化性に優へ かつ膜面
に垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得ら
れるという利点を有する。
80J when the amount of Fe and/or Co is 40% or more
] 1,000% or less has the advantage that a magneto-optical recording film with excellent oxidation resistance and an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface can be obtained.

ところで光磁気記録膜中く COを添加すると、(イ)
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また(口)カー回
転角(θk)が大きくなるとし1う現象が認めら瓢 そ
の粘気 COの添加量により、光磁気記録膜の記録感度
を調整することができ、しかもCoの添加により、再生
信号のキャリアレベルを増加することができる。本発明
において用いる光磁気記録膜で広 ノイズレベル、C/
N比の点からCo / (Fe +Co )比[W、子
比]は0以上0.3以下、好ましくは0以上0.2以下
、さらに好ましくは0.01以上0.2以下であること
が望ましい。
By the way, when CO is added to the magneto-optical recording film, (a)
As the Curie point of the magneto-optical recording film increases and the Kerr rotation angle (θk) increases, the following phenomenon is observed: The recording sensitivity of the magneto-optical recording film is adjusted by adjusting the amount of viscosity and CO added. Moreover, by adding Co, the carrier level of the reproduced signal can be increased. The magneto-optical recording film used in the present invention has a wide noise level, C/
In terms of N ratio, the Co/(Fe + Co) ratio [W, child ratio] is 0 or more and 0.3 or less, preferably 0 or more and 0.2 or less, and more preferably 0.01 or more and 0.2 or less. desirable.

第5図に上記環状オレフィン共重合体組成物基板にPt
 Tb Fe Co系光磁気記録膜を積層した光磁気記
録媒体におけるCo / (Co 十Fe )比[yK
子比]とノイズレベル(dBm)との関係を示し また
第6図にPd Tb Fe Co系光磁気記録膜を積層
した光磁気記録媒体における Co / (Co +Fe )比[原子比]とノイズレ
ベル(d B m)との関係を示す。
Figure 5 shows that the cyclic olefin copolymer composition substrate is coated with Pt.
Co/(Co + Fe) ratio [yK
Fig. 6 shows the relationship between the Co/(Co + Fe) ratio [atomic ratio] and the noise level in a magneto-optical recording medium in which a Pd Tb Fe Co-based magneto-optical recording film is laminated. (d B m).

具体的には、P tl a T b2 s F e5 
@ CO@で示される組成を有する光磁気記録膜(Co
 / (Fe +Co )比[m子比]:0.15)を
用いた場合哄 ノイズレベルが一56dBmであるのに
対しPt13Tb2@Fe5sCOa3で示される組成
を有する光磁気記録膜(Co / (Fe +Go )
比[原子比]:0.39)を基板に積層した場合法 ノ
イズレベル75’50dBmであり、ノイズレベルが大
きくなる傾向がある。またPd+、Tb2vFeB□C
o7で示される組成を有する光磁気記録膜(Co/(F
e+CO)比[原子比]:0.12)哄 ノイズレベル
が一56dBmであるのに対して、Pd+aTbztF
e4+CO+*で示される組成を有する光磁気記録膜で
(Co / (Fe +Co )比[原子比]:0,3
1)jL  ノイズにペルが一51dBmであり、ノイ
ズレベルが大きくなる傾向がある。
Specifically, P tla T b2 s F e5
A magneto-optical recording film (Co
/ (Fe + Co) ratio [m ratio]: 0.15), the noise level is 156 dBm, while the magneto-optical recording film (Co / (Fe + Go) having the composition shown as Pt13Tb2@Fe5sCOa3) )
The noise level is 75'50 dBm, and the noise level tends to increase. Also, Pd+, Tb2vFeB□C
A magneto-optical recording film (Co/(F
e+CO) ratio [atomic ratio]: 0.12) 哄 The noise level is 156 dBm, while Pd+aTbztF
In a magneto-optical recording film having a composition represented by e4+CO+*, the (Co/(Fe +Co) ratio [atomic ratio]: 0.3
1) jL noise has a pel of 151 dBm, and the noise level tends to increase.

第7図にPtTbFeC0あるいは Pd TbFeC
oで示される組成を有する光磁気記録膜を基板に積層し
た場合におけるCo / (Fe 7l−Co)比[J
J(子比]と消去劣化(ΔC/N比(dB))との関係
を示す。
Figure 7 shows PtTbFeC0 or PdTbFeC.
Co/(Fe7l-Co) ratio [J
The relationship between J (child ratio) and erasure degradation (ΔC/N ratio (dB)) is shown.

具体的に広Pt+aTk)2sFessC,osなる組
成を有する光磁気記録膜(Co / (Fe +Co 
)比[/jit子比]:0.155)を基板に積層した
光磁気記録媒体く −たん記録された情報を消去する際
、膜に照射するエネルギーを大きくしても膜変質は全く
起こらず、新たな情報も、C/N比の値としては、消去
前のと同じ値の記録ができる。
Specifically, a magneto-optical recording film (Co / (Fe + Co
) ratio [/jit ratio]: 0.155) is laminated on the substrate.When erasing recorded information, no film deterioration occurs at all even if the energy irradiated to the film is increased. , new information can also be recorded with the same C/N ratio value as before erasing.

さらに本発明に用いる好ましい光磁気記録膜は、記録お
よび消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることは
ない。たとえば P tl 3 T b2 @ F es s COsか
らなる組成を有する光磁気記録膜は、 10万回の記録
および消去を繰り返し行なってもC/N比の低下は認め
られない。
Further, the preferable magneto-optical recording film used in the present invention does not undergo film deterioration even after repeated recording and erasing. For example, in a magneto-optical recording film having a composition of P tl 3 T b2 @F es s COs, no decrease in the C/N ratio is observed even after repeated recording and erasing 100,000 times.

(ii)耐腐食性金属 本発明に用いる好ましい光磁気記録膜中に(戴(ii)
耐腐食性金属として、好ましくはPtまたハP dある
いはこの両者が含まれており、Ptおよび/またはPd
は、光磁気記録膜中に5〜30原子%、好ましくは10
原子%を超えて30原子%以下、さらに好ましくは10
原子%を超えて20原子%未満、最も好ま(くは11原
子%以上19原子%以下の量で存在していることが望ま
しい。
(ii) Corrosion-resistant metal In the preferred magneto-optical recording film used in the present invention ((ii)
The corrosion-resistant metal preferably contains Pt and/or Pd.
is contained in the magneto-optical recording film in an amount of 5 to 30 atomic %, preferably 10
More than 30 atomic %, more preferably 10 atomic %
It is desirable that it is present in an amount of more than 1 atomic % and less than 20 atomic %, most preferably 11 atomic % or more and 19 atomic % or less.

光磁気記録膜中のptおよび/またはPdの量が5原子
%以上特にlO原子%を超えて存在すると、光磁気記録
膜の耐酸化性に便法 長期間使用しても孔食が発生せず
、C/N比も劣化しないという利点を有する。
If the amount of PT and/or Pd in the magneto-optical recording film exceeds 5 atomic % or more, especially more than 10 atomic %, it will improve the oxidation resistance of the magneto-optical recording film. First, it has the advantage that the C/N ratio does not deteriorate.

またTi、MoS Zr、Ta、Nbなどにおいても同
様の効果が認められる。
Similar effects are also observed in Ti, MoS, Zr, Ta, Nb, and the like.

第8図に光磁気記録膜中におけるptおよび/またはP
d含有量と、光磁気記録媒体を相対湿度85%、80℃
の環境下に1000時間保持した場合のΔC/N比との
関係を示す。
Figure 8 shows pt and/or P in the magneto-optical recording film.
d content and the magneto-optical recording medium at 85% relative humidity and 80°C.
The relationship between the ΔC/N ratio and the ΔC/N ratio when maintained for 1000 hours under the following environment is shown.

この第8図から、光磁気記録膜中のptおよび/または
Pdの量が5原子%以上特に1o原子%を超えている場
合に1戴 光磁気記録膜の耐酸化性が向上し 長期間使
用しても孔食が発生せず、C/N比が劣化することがな
いことがわかる。
From this Figure 8, it can be seen that when the amount of PT and/or Pd in the magneto-optical recording film is 5 atomic % or more, especially more than 10 atomic %, the oxidation resistance of the magneto-optical recording film is improved and it can be used for a long period of time. It can be seen that no pitting corrosion occurs even when the C/N ratio is deteriorated.

たとえばP tl2 T b2 B F es @ C
O@あるいはP C12T bB F ea3 C07
で示される組成を有する光磁気記録膜を用いた場合は、
相対湿度85%、80℃の環境下に1000時間保持し
ても、C/N比は全く変化しない。これに対してptま
たはPdを含まないT b2s F ea 11 Co
7で示される組成を有する光磁気記録膜を用いた場合は
、相対湿度85%、80℃の環境下に1000時間保持
すると、C/N比は大きく低下する。
For example, P tl2 T b2 B Fes @ C
O@ or P C12T bB F ea3 C07
When using a magneto-optical recording film having the composition shown by
The C/N ratio does not change at all even if it is kept in an environment of 85% relative humidity and 80° C. for 1000 hours. On the other hand, T b2s F ea 11 Co which does not contain pt or Pd
When a magneto-optical recording film having the composition shown in No. 7 is used, the C/N ratio decreases significantly when it is kept in an environment of 85% relative humidity and 80° C. for 1000 hours.

また光磁気記録膜中にPt、  Pd、  Ti、  
Zr。
In addition, Pt, Pd, Ti,
Zr.

Nb、Ta、Moの少なくとも1種を上記のような範囲
の量で添加することにより、光磁気記録膜に情報を記録
したりあるいは情報を読出す際をミ小さなバイアス磁界
で充分に高いC/N比が得られる。小さなバイアス磁界
で充分に高いC/N比が得られると、バイアス磁界発生
用のマグネットを小さくすることができ、しかもマグネ
ットからの発熱も押えることができるため、光磁気記録
膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素化すること
ができる。しかも小°さなバイアス磁界で充分に大きな
C/N比が得られるため、オーバーライド可能な磁界変
調記録用のマグネットの設計も容易となる。
By adding at least one of Nb, Ta, and Mo in an amount within the above range, a sufficiently high C/C ratio can be achieved with a small bias magnetic field when recording information on a magneto-optical recording film or reading information. The N ratio is obtained. If a sufficiently high C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, the magnet for generating the bias magnetic field can be made smaller, and heat generation from the magnet can also be suppressed, making it possible to drive optical disks with a magneto-optical recording film. The device can be simplified. Moreover, since a sufficiently large C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, it becomes easy to design a magnet for magnetic field modulation recording that can be overridden.

第9図にP t+3Tb2sFesscO*で示される
組成を有する光磁気記録膜およびT bes F es
s Catで示される組成を有する光磁気記録膜を用い
た場合におけるバイアス磁界依存性と、C/N比(dB
)との関係を示す。
FIG. 9 shows a magneto-optical recording film having a composition shown as P t+3Tb2sFesscO* and T bes F es
Bias magnetic field dependence and C/N ratio (dB
).

この第9図より、T b2 s F ee s CO?
で示される光磁気記録膜を用いた場合では、2500e
以上のバイアス磁界を印加しないとC/N比は飽和しな
いのに対し、  P t+ 3 T b2g F es
e COsで示される光磁気記録膜で1戴 小さなバイ
アス磁界でも充分に記録可能であり、 1200e以上
でC/N比は飽和していることがわかる。実施例では、
表中に各光磁気記録膜について、C/N比が飽和するの
に必要な最小バイアス磁界Hsatの値を示す。この値
Hsatが小さいほど、小さなバイアス磁界でC/N比
が飽和することになる。
From this figure 9, T b2 s F ee s CO?
When using a magneto-optical recording film shown in 2500e
While the C/N ratio will not be saturated unless a bias magnetic field of the above magnitude is applied, P t+ 3 T b2g F es
It can be seen that sufficient recording is possible even with a small bias magnetic field with the magneto-optical recording film indicated by eCOs, and that the C/N ratio is saturated above 1200e. In the example,
The table shows the value of the minimum bias magnetic field Hsat necessary for saturating the C/N ratio for each magneto-optical recording film. The smaller this value Hsat is, the more the C/N ratio is saturated with a smaller bias magnetic field.

また第10図E、Pt Tb Fe Co系光磁気記録
膜およびPd Tb Fe Co系光磁気記録膜におけ
るptおよび/またはPdの含有量と、最小バイアス磁
界(Hsat、 (Oe))との関係を示す。
In addition, Fig. 10E shows the relationship between the content of pt and/or Pd in the Pt Tb Fe Co-based magneto-optical recording film and the Pd Tb Fe Co-based magneto-optical recording film and the minimum bias magnetic field (Hsat, (Oe)). show.

この第10図より、Ptおよび/またはPdの含有量が
10i子%を超えると、最小バイアス磁界Hsatが充
分に小さくなることがわかる。
From FIG. 10, it can be seen that when the content of Pt and/or Pd exceeds 10i%, the minimum bias magnetic field Hsat becomes sufficiently small.

iii  希土 −RE 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素(RE)
が含まれており、この希土類元素としては、  Nd、
   SmS  Pr、   Ce、   Eu、  
 Gd、  Tb。
iii Rare earth -RE The magneto-optical recording film according to the present invention contains a rare earth element (RE).
These rare earth elements include Nd,
SmS Pr, Ce, Eu,
Gd, Tb.

n)yまたはHoが用いられる。n) y or Ho is used.

これらの中では、NdS Pr、Gd、Tb。Among these, NdS Pr, Gd, Tb.

Dyが好ましく用いら瓢 特にTbが好ましい。Dy is preferably used, and Tb is particularly preferred.

また希土類元素は2種以上併用してもよく、この場合に
Tbを希土類元素のうち50原子%以上含有しているこ
とが好ましい。
Further, two or more kinds of rare earth elements may be used in combination, and in this case, it is preferable that Tb is contained in an amount of 50 at % or more of the rare earth elements.

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からRE/(RE+Fe +
Co)比[原子比]をXで表わした場合に、0.15≦
X≦0.45好ましくは0、20≦X≦0、4であるよ
うな量で光磁気記録膜中に存在していることが望ましい
This rare earth element has the advantage of providing magnetism with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, so that RE/(RE+Fe +
Co) ratio [atomic ratio] is expressed as X, 0.15≦
It is desirable that the compound be present in the magneto-optical recording film in an amount such that X≦0.45, preferably 0, 20≦X≦0, 4.

本発明においてIL  光磁気記録膜に種々の元素を少
量添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力H
cやカー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計るこ
ともできる。これらの元素代記録膜を構成する全原子数
に対してたとえば10原子%未溝の割合で用いることが
できる。
In the present invention, small amounts of various elements are added to the IL magneto-optical recording film to adjust the Curie temperature, compensation temperature, or coercive force H.
It is also possible to improve c and Kerr rotation angle θ or to reduce costs. These elements can be used at a rate of, for example, 10 atomic percent of the total number of atoms constituting the recording film.

併用できる他の元素の例として11  以下のような元
素が挙げられる。
Examples of other elements that can be used in combination include the following 11 elements.

(1)Fe、Co以外の3d遷移元素 具体的には、Sc、  Ti5V、  Cr、  Mn
(1) 3d transition elements other than Fe and Co, specifically Sc, Ti5V, Cr, Mn
.

NiS Cu、  Znが用いられる。NiS, Cu, and Zn are used.

これらのうち、Ti、  Ni、Cu、Znなどが好ま
しく用いられる。
Among these, Ti, Ni, Cu, Zn, etc. are preferably used.

(n)Pd以外の4d遷移元素 具体的にIll  YSZrSNb、  Mo、Tc。(n) 4d transition elements other than Pd Specifically, Ill YSZrSNb, Mo, Tc.

RuS Rh、AgS Cdが用いられる。RuS Rh and AgS Cd are used.

このうちZr、Nbが好ましく用いられる。Among these, Zr and Nb are preferably used.

(m)Pt以外の5d遷移元素 具体的に+l  Hf5Ta、  W、  Re、  
Os。
(m) 5d transition elements other than Pt Specifically +l Hf5Ta, W, Re,
Os.

Ir、AuS Hgが用いられる。Ir, AuS, Hg are used.

このうちTaが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.

(rv)mB族元素 具体的には、 B、  AI、Ga、  InS Ti
が用いられる。
(rv) mB group elements, specifically: B, AI, Ga, InS Ti
is used.

このうちB、  AI、Gaが好ましく用いられる。Among these, B, AI, and Ga are preferably used.

(v)rvB族元素 具体的に11  C,SiS GeX Sn、Pbが用
いられる。
(v) rvB group element Specifically, 11 C, SiS GeX Sn, and Pb are used.

このうち、Si、Ge、Sn、Pbが好ましく用いられ
る。
Among these, Si, Ge, Sn, and Pb are preferably used.

(Vl)VB族元素 具体的には、NS P、As、Sb、Biが用いられる
(Vl) VB group element Specifically, NSP, As, Sb, and Bi are used.

このうちsbが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.

(■)VIB族元素 具体的には、SS Se、Te、Poが用いられる。(■) VIB group elements Specifically, SS Se, Te, and Po are used.

このうちTeが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.

また本発明では、光磁気記録膜3として、上記のような
(i)3d遷移金属から選ばれる少なくとも1種と、 
(1ii)希土類から選ばれる少なくとも1種の元素と
からなる光磁気記録膜を用いることができる。このよう
な光磁気記録膜として1戴Tb Fe Co系の光磁気
記録膜が好ましく、Tbは10〜4o原子%の量で、F
eは30〜90原子%の量で、CoはO〜30原子%の
量で存在していることが好ましい。また本発明では(i
)3d遷移金属と(1ii)希土類元魚 例えばTb−
Fe、T b−F e−Co系にさらに他の元素(例え
ば上記(r)〜(■)で示される元素)を含んでいても
よい。
Further, in the present invention, as the magneto-optical recording film 3, at least one selected from (i) 3d transition metals as described above;
(1ii) A magneto-optical recording film made of at least one element selected from rare earths can be used. As such a magneto-optical recording film, a magneto-optical recording film based on 1 Tb Fe Co is preferable, and Tb is contained in an amount of 10 to 40 at.
Preferably, e is present in an amount of 30 to 90 atom %, and Co is present in an amount of O to 30 atom %. Furthermore, in the present invention (i
) 3d transition metals and (1ii) rare earth metals such as Tb-
The Fe, Tb-Fe-Co system may further contain other elements (for example, the elements represented by (r) to (■) above).

上記のような組成を有する光磁気記録膜3は、膜面に垂
直な磁化容易軸を有し 多くはカー・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることが、広角X線回折などにより確か
められる。
The magneto-optical recording film 3 having the above composition is an amorphous thin film that has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and exhibits a rectangular loop with good Kerr hysteresis and is capable of perpendicular magnetic and magneto-optical recording. This can be confirmed by wide-angle X-ray diffraction.

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角(θkl)と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角(θに2)との比θ
ka/θに1が0.8以上であることを意味している。
In this specification, a square loop with good Kerr hysteresis means the saturated Kerr rotation angle (θkl), which is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and the residual Kerr rotation angle (θkl), which is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. The ratio θ to 2)
1 means that ka/θ is 0.8 or more.

このような光磁気記録膜2の膜厚は、 100〜500
0オングストローム、好ましくは100〜3000オン
グストローム、より好ましくは150〜2000オング
ストロ一ム程度である。
The film thickness of such a magneto-optical recording film 2 is 100 to 500
0 angstrom, preferably about 100 to 3000 angstrom, more preferably about 150 to 2000 angstrom.

叉討葱 本発明に係る光磁気記録媒体1では、上記のような光磁
気記録膜3上に、反射膜4が設けられていてもよい。
In the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention, a reflective film 4 may be provided on the magneto-optical recording film 3 as described above.

この反射膜4は、熱伝導率が2J/cn−sec・K以
下好ましくはI J / as・sec −K以下であ
るような金属または合金から構成されていることが望ま
しい。
The reflective film 4 is desirably made of a metal or alloy having a thermal conductivity of 2 J/cn-sec.K or less, preferably I J /as.sec.K or less.

さらに好ましくは、反射膜4(戯 反射率が50%以上
好ましくは70%以上であり、かつ熱伝導率が2 J 
/am−sec −K以下好ましくはlJ/cffi・
5ea−に以下であるような金属または合金から構成さ
れている。
More preferably, the reflective film 4 has a reflectance of 50% or more, preferably 70% or more, and a thermal conductivity of 2 J
/am-sec -K or less preferably lJ/cffi・
Constructed from metals or alloys below 5ea-.

具体的には、反射膜4哄 熱伝導率が0.71J/Ql
l ・sec −KであるPt、  熱伝導率が0.7
6J/am−sec−にであるPd  熱伝導率が0.
22J/cm−sec−にであるT1、または熱伝導率
が099J/cIIl−3eC−にであるCO1熱伝導
率が0. 23 J/al−sec −にであるZrあ
るいはこれらの合金から構成されていることが好ましい
Specifically, the thermal conductivity of 4 layers of reflective film is 0.71 J/Ql.
Pt whose thermal conductivity is l sec -K and whose thermal conductivity is 0.7
Pd whose thermal conductivity is 6 J/am-sec-0.
T1 whose thermal conductivity is 22 J/cm-sec-, or CO1 whose thermal conductivity is 099 J/cIIl-3eC-. 23 J/al-sec - or an alloy thereof.

このような反射膜4代 反射率が50%以上好ましくは
70%以上であり、熱転−導率が2J/■−sec −
K以下好ましくはI J /cn −5ec −に以下
であるニッケル系合金であることも好ましい。
The fourth generation of such a reflective film has a reflectance of 50% or more, preferably 70% or more, and a thermal conductivity of 2 J/■-sec -
It is also preferable to use a nickel-based alloy having an I J /cn −5ec − or less.

このような反射膜を構成するニッケル系合金1戴特にニ
ッケルを主成分とし、かつシリコン、モリブデン、鉄、
クロムおよび銅からなる群から選択される少なくとも1
種を含有していることが好ましい。このようなニッケル
系合金で:戴 ニッケルは30〜99WC千%好ましく
は50〜90原子%の量で存在している。
The nickel-based alloy 1 constituting such a reflective film is mainly composed of nickel, silicon, molybdenum, iron,
At least one selected from the group consisting of chromium and copper
Preferably, it contains seeds. In such nickel-based alloys: nickel is present in an amount of 30 to 99 1,000 %, preferably 50 to 90 atomic %.

上記のような反射膜を構成するニッケル合金としては、
具体的には下記のような合金を用いることができる。
The nickel alloy that makes up the above reflective film is as follows:
Specifically, the following alloys can be used.

Ni−Cr系合金(たとえば30〜99原子%Ni、1
〜70原子%Cr、  特に好ましくは70〜95原子
%Ni、5〜30原子%Cr)Ni−3i系合金(たと
えば85原子%Ni。
Ni-Cr alloy (e.g. 30-99 atomic% Ni, 1
~70 at.% Cr, particularly preferably 70-95 at.% Ni, 5-30 at.% Cr) Ni-3i based alloy (e.g. 85 at.% Ni.

10JX子%Si、3原子%Cu、  2JJK子%A
 )N i−Cu系合金(たとえば63原子%Ni、2
9〜30原子%Cu、0.9〜2原子%Fa、  0.
 1〜4原子%S駄 O〜2.75.Jl[子%A)N
i−Mo−Fe系合金(たとえば60〜65ffl子%
N1.25〜35原子%MO15原子%Fe)N i−
M o−F e−Cr系合金(たとえば55〜60原子
%Ni、  15〜20原子%Mo、6原子%Fe、1
2〜16原子%Cr、5原子%W)N i−M o−F
 e−Cr−Cu系合金(たとえば60原子%N1.5
原子%Mo、8原子%Fe、21原子%Cr13JJK
子%Cu、1原子%S1、l原子%Mn、lfi子%W
1  あるいは44〜47原子%Ni、  5. 5〜
7.5原子%Mo、21〜23原子%CrS 0. 1
5i子%Cu、1原子%Si。
10JX%Si, 3atomic%Cu, 2JJK%A
) Ni-Cu alloy (e.g. 63 atomic% Ni, 2
9 to 30 atom% Cu, 0.9 to 2 atom% Fa, 0.
1 to 4 atomic% S da O to 2.75. Jl[child%A)N
i-Mo-Fe alloy (e.g. 60-65ffl%
N1.25-35 at% MO15 at% Fe) Ni-
M o-Fe-Cr alloy (e.g. 55-60 atomic% Ni, 15-20 atomic% Mo, 6 atomic% Fe, 1
2 to 16 atom% Cr, 5 atom% W) N i-Mo-F
e-Cr-Cu alloy (e.g. 60 atomic% N1.5
atomic%Mo, 8atomic%Fe, 21atomic%Cr13JJK
Child% Cu, 1 atom% S1, l atom% Mn, lfi child% W
1 or 44 to 47 atom% Ni, 5. 5~
7.5 at% Mo, 21-23 at% CrS 0. 1
5i% Cu, 1% Si.

1〜2原子%Mn、  2、5原子%Co、1原子%W
S1.7〜2.5原子%Nb、  残部Fe)N i−
Cr−Cu−M u系合金(たとえば56〜57原子%
Ni、23〜24原子%Cr、8原子%(u、  4y
L子%Mo、2原子%W、  1原子%S1またはMn
) Ni−Cr−Fe系合金(たとえば79.5原子%Ni
、13原子%Cu、  6. 5原子%Fe。
1 to 2 atom% Mn, 2,5 atom% Co, 1 atom% W
S1.7-2.5 atomic% Nb, balance Fe) Ni-
Cr-Cu-Mu alloy (e.g. 56-57 atomic%
Ni, 23-24 at% Cr, 8 at% (u, 4y
L % Mo, 2 atomic % W, 1 atomic % S1 or Mn
) Ni-Cr-Fe alloy (e.g. 79.5 atomic% Ni
, 13 atomic% Cu, 6. 5 atom% Fe.

0.2原子%Cu、  あるいは30〜34原子%Ni
、19〜22yK子%Cr、  0. 5原子%Cu。
0.2 atom% Cu, or 30-34 atom% Ni
, 19-22yK%Cr, 0. 5 atom% Cu.

l原子%S1.1. 5原子%Mn、残部Fe)このよ
うな反射膜4を有する光磁気記録媒体鷹アルミニウム、
銖 金などからなる反射膜を有する光磁気記録媒体と比
較して、優れたC/N比を有している。
l atom %S1.1. 5 atomic % Mn, balance Fe) magneto-optical recording medium Taka aluminum having such a reflective film 4;
It has an excellent C/N ratio compared to a magneto-optical recording medium having a reflective film made of iron or the like.

すなわち、アルミニウムなどの熱伝導率が大きな反射膜
を用いると、レーザービームを照射して光磁気記録膜に
ピットを形成する場合へ レーザービームから光磁気記
録膜に与えられた熱エネルギーがこの反射膜を伝わって
拡散するため、大きな記録レーザーパワーを必要とする
。さらに、光磁気記録膜に形成されるビットの形状は大
きくなったり、形状が乱れたりしてしまう。その&  
反射膜の膜厚に対する記録パワー依存性が大きくなりす
ぎてしまう。
In other words, when a reflective film such as aluminum with high thermal conductivity is used, pits are formed in the magneto-optical recording film by irradiating the laser beam.Thermal energy given to the magneto-optical recording film by the laser beam is transferred to the reflective film. , which requires a large recording laser power. Furthermore, the shape of the bit formed on the magneto-optical recording film becomes large or irregular. the&
The dependence of recording power on the thickness of the reflective film becomes too large.

また上記のような反射膜4は、光磁気記録膜の耐酸化性
を向上させる効果を有しており、したがって長期信頼性
に優れた光磁気記録媒体が得られ反射膜4としては、熱
伝導率が2J/aII−8ec・K以下、好ましくは1
1/as・5ec−に以下のニッケル系合金からなる反
射膜が好ましく、特にN i−Cr合金(たとえば30
〜99原子%Ni。
In addition, the reflective film 4 as described above has the effect of improving the oxidation resistance of the magneto-optical recording film, so that a magneto-optical recording medium with excellent long-term reliability can be obtained. rate is 2J/aII-8ec・K or less, preferably 1
A reflective film made of the following nickel-based alloy with a diameter of 1/as·5ec- is preferable, particularly a Ni-Cr alloy (e.g. 30
~99 atom% Ni.

1〜70原子%Cr)が好ましく、さらにNi70〜9
5yK子%、Cr5〜30原子%のNi−Cr合金から
なる反射膜カー 高いC/N比が得られるため好ましい
1 to 70 atom% Cr) is preferable, and further Ni70 to 9
A reflective film made of a Ni-Cr alloy containing 5yK% and 5 to 30 atomic% of Cr is preferable because a high C/N ratio can be obtained.

また一方低い熱伝導率で高い反射率を有する金属特にニ
ッケル系合金からなる反射膜4を設けることによって、
光磁気記録膜の膜厚を薄くしても、高いカー回転角、反
射率を得ることができる。
On the other hand, by providing a reflective film 4 made of a metal, particularly a nickel-based alloy, that has low thermal conductivity and high reflectance,
Even if the thickness of the magneto-optical recording film is reduced, a high Kerr rotation angle and reflectance can be obtained.

この様な反射膜4の膜厚檄 100〜4000オングス
トローム、好ましくは200〜2000オングストロ一
ム程度である。
The thickness of such a reflective film 4 is about 100 to 4000 angstroms, preferably about 200 to 2000 angstroms.

また光磁気記録膜3と反射膜との合計膜厚は、300〜
4600オングストローム、好ましくは350〜240
0オングストロ一ム程度である。
The total thickness of the magneto-optical recording film 3 and the reflective film is 300~
4600 angstroms, preferably 350-240
It is approximately 0 angstroms.

本発明に係る光磁気記録媒体1で(戴 上記のような基
板2と光磁気記録膜3との間にエンハンス膜5が設けら
れていてもよく、また光磁気記録膜3と反射膜4との間
にエンハンス膜5が設けられていてもよい。このエンハ
ンス膜5は、本発明に係る光磁気記録媒体lの感度を高
める働きをするとともに光磁気記録膜3の保護膜として
も作用している。このようなエンハンス膜5は、基板の
屈折率よりも大きな屈折率を有する透明膜であれば用い
ることができる。
In the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention, an enhancement film 5 may be provided between the substrate 2 and the magneto-optical recording film 3 as described above, and the magneto-optical recording film 3 and the reflective film 4 may be provided with an enhancement film 5. An enhancement film 5 may be provided between them.This enhancement film 5 serves to increase the sensitivity of the magneto-optical recording medium l according to the present invention, and also acts as a protective film for the magneto-optical recording film 3. As such an enhancement film 5, any transparent film having a refractive index greater than that of the substrate can be used.

このようなエンハンス膜としては、基板との密着性、光
磁気記録媒体の光磁気記録特性の長期安定性の面からZ
n S、  Zn 5eSCd S。
As such an enhancement film, Z
nS, Zn5eSCdS.

S i、 N、、Si Nx (0<x<4/3)、S
i。
S i, N,, Si Nx (0<x<4/3), S
i.

ANなどを用いることができる。このエンハンス膜の膜
厚は、  100〜1000オングストローム、好まし
くは300〜850オングストロ一ム程度である。この
中で耐クラツク性の点がら、特にSi、N4、Si N
x  (0<x<4/3)をエンハンス膜として用いる
ことが特に好ましい。
AN etc. can be used. The thickness of this enhancement film is about 100 to 1000 angstroms, preferably about 300 to 850 angstroms. Among these, from the viewpoint of crack resistance, Si, N4, SiN
It is particularly preferable to use x (0<x<4/3) as the enhancement film.

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。
Next, a method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention will be explained.

基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する
各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲ
ット、または所定割合の組成を有する合金ターゲットを
用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の従来公知の成膜条件を採用して、この基板(基板は固
定していてもよく、また自転していてもよい)上に所定
組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いで必要に応じて
この上に反射膜を上記と同様にして被着させることによ
って、本発明に係る光磁気記録媒体を製造することがで
きる。
The substrate temperature is maintained at about room temperature, and a composite target in which chips made of each element constituting an amorphous alloy thin film are arranged in a predetermined ratio, or an alloy target with a predetermined composition ratio is used, and the sputtering method or electron beam evaporation method is used. An amorphous alloy thin film of a predetermined composition is deposited on this substrate (the substrate may be fixed or rotating) using conventionally known film forming conditions, and then Accordingly, by depositing a reflective film thereon in the same manner as described above, the magneto-optical recording medium according to the present invention can be manufactured.

このように本発明に係る光磁気記録媒体1戴 熱処理 
プラズマ処理などの前処理が必要なく、常温での成膜が
可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるために
成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がない。
As described above, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention is heat treated.
There is no need for pretreatment such as plasma treatment, and the film can be formed at room temperature, and there is no need to perform heat treatment such as annealing after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface.

なお必要に応じて檄 基板温度を50〜100℃に加熱
しながらまたは一50℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもでき る。
Note that, if necessary, the amorphous alloy thin film can be formed on the substrate while heating the substrate to 50 to 100°C or cooling it to -50°C.

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。
Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, ions of an inert gas such as argon accelerated by an electric field will strike not only the target material but also the perpendicularly magnetized film being formed, resulting in a perpendicularly magnetized film with excellent properties. There is.

l旦立羞濃 本発明に係る光磁気記録媒体では、エチレンと環状オレ
フィンとからなる環状オレフィンランダム共重合体組成
物基板上に、特定の非晶質合金薄膜からなる光磁気記録
膜が積層された構成を有しているため、基板と光磁気記
録膜との密着性に潰損 しかも耐酸化性、光磁気記録特
性および光磁気記録特性の長期安定性にも優れている。
In the magneto-optical recording medium according to the present invention, a magneto-optical recording film made of a specific amorphous alloy thin film is laminated on a cyclic olefin random copolymer composition substrate made of ethylene and a cyclic olefin. Because it has such a structure, the adhesiveness between the substrate and the magneto-optical recording film is not damaged, and it also has excellent oxidation resistance, magneto-optical recording characteristics, and long-term stability of the magneto-optical recording characteristics.

以下本発明を実施例によって説明するカー 本発明は、
これら実施例に限定されるものではない。
The present invention will be explained below by way of examples.
The present invention is not limited to these examples.

なお、以下の実施例における光磁気記録媒体の物性は以
下の方法により調べtう (1)光磁気記録膜の組成:  ICP分析法により行
っt4 (2)カー回転角は基板側から測定した外部磁場ゼロで
の残留カー回転角を斜入射法(λ=780nm)で測定
しへ 斜入射法の具体的測定法および装置は、山用和部
監修「磁性材料の測定技術」(昭和60年12月25日
トリケッブス株式会社発行)第261頁〜263頁に記
載されている。
The physical properties of the magneto-optical recording medium in the following examples were investigated by the following methods. (1) Composition of the magneto-optical recording film: Performed by ICP analysis (2) Kerr rotation angle was measured from the substrate side. Let's measure the residual Kerr rotation angle with zero magnetic field using the oblique incidence method (λ = 780 nm).The specific measurement method and equipment of the oblique incidence method are described in "Measurement techniques for magnetic materials" supervised by Kazube Yamayo (December 1985). Published by Trikebbs Co., Ltd.) on pages 261 to 263.

(3)光磁気ディスクは、直径130鶴であり、この光
磁気ディスクをドライブ装置(ナカミチ0MS−100
0)を使用して、記録周波数IMHz(Duty比50
%)、線速11.  In/s、  書込み時のバイア
ス磁界2000eS 読出レーザーパワー1.  OW
の条件で記録 再生を行っへ (4)そして、表6にはスペクトラムアナライザーで2
次高調波のレベルが最小となる記録パワー(最適記録パ
ワー)で記録した時の信号対雑音比(C/N比)とノイ
ズレベルをも示す。
(3) The magneto-optical disk is 130 mm in diameter, and the magneto-optical disk is driven by a drive device (Nakamichi 0MS-100).
0), recording frequency IMHz (Duty ratio 50
%), linear velocity 11. In/s, bias magnetic field during writing 2000 eS, read laser power 1. OW
Perform recording and playback under the following conditions (4) Then, Table 6 shows 2.
The signal-to-noise ratio (C/N ratio) and noise level when recording is performed with the recording power that minimizes the level of harmonics (optimum recording power) are also shown.

(5)そして、この情報を最適記録パワーより3、 0
mW大きなパワーで消去獣 新たな情報の記録を行っ島
 この操作を10回行なって、この消去前後でのC/N
比の差をΔC/N比として署わした。
(5) Then, convert this information to 3.0 from the optimum recording power.
The erasing beast records new information with mW high power. Do this operation 10 times and get the C/N before and after erasing.
The difference in ratio was signed as the ΔC/N ratio.

(6)バイアス磁界依存性についてI礼  上記の条件
でバイアス磁界依存性について屯 上記の条件でバイア
ス磁界を50〜5000eまで変化させた場合のC/N
比の変化よりHsat、を求めた(7)さら番−長期信
頼性を調べることを目的へ得られた光磁気ディスクを8
0℃、相対湿度85%の高温高温条件のオープン中に1
000時間放置するライフ・テストを行ない、1000
時間経過後にC/N比を測定u 表6に示す。
(6) Concerning the bias magnetic field dependence. Regarding the bias magnetic field dependence under the above conditions. C/N when changing the bias magnetic field from 50 to 5000e under the above conditions.
Hsat was determined from the change in the ratio.
1 during open operation under high temperature conditions of 0°C and 85% relative humidity.
We conducted a life test where we left it for 000 hours, and 1000
The C/N ratio was measured after the elapse of time and is shown in Table 6.

参考IL (環状オレフィンランダム共重合体組成物基板の製造) 工u」」」」 (軟化温度が70℃以上の共重合体(A)の合成)攪拌
翼を備えた2 ガラス製重合器を用いて、連続的シミ 
エチレンと1.4.5.8−ジメタノ−1,2,3゜反
応を行なった すなわち、重合器上部から、DMONの
シクロヘキサン溶液を、重合器内でのDMONfi度が
60g/L。
Reference IL (Manufacture of cyclic olefin random copolymer composition substrate) (Synthesis of copolymer (A) with a softening temperature of 70°C or higher) Using a glass polymerization vessel equipped with a stirring blade. Continuous stains
A 1,4,5,8-dimethano-1,2,3° reaction was carried out with ethylene. That is, a cyclohexane solution of DMON was added from the top of the polymerization vessel, and the degree of DMON in the polymerization vessel was 60 g/L.

触媒としてVO(OCaHs)C2のシクロヘキサン溶
液を、重合器内でのバナジウム濃度が0゜9 mmol
/   エチルアルミニウムセスキクロリド(A l 
(C2Hs ) + 、 s C+ 、 s )のシク
ロヘキサン溶液を、重合器内でのアルミニウム濃度が7
. 2mmol/Lとなるようにそれぞれ重合器中に連
続的に供給獣 一方、重合器下部から、重合器内の重合
液が1 になるように連続的に抜き出す。また、重合器
上部から、エチレンを毎時85ノ、水素を毎時6,17
、窒素を毎時45ノの速度で供給する。
A cyclohexane solution of VO(OCaHs)C2 was used as a catalyst, and the vanadium concentration in the polymerization vessel was 0°9 mmol.
/ Ethyl aluminum sesquichloride (A l
A cyclohexane solution of (C2Hs) +, s C+, s) was heated to an aluminum concentration of 7 in the polymerization vessel.
.. Continuously feed each into the polymerization vessel so that the amount becomes 2 mmol/L.Meanwhile, continuously draw out the polymer solution in the polymerization vessel from the lower part of the polymerization vessel so that the amount becomes 1. In addition, from the top of the polymerization vessel, 85 kg/h of ethylene and 6.17 kg/h of hydrogen were added.
, nitrogen at a rate of 45 rpm.

共重合反応哄 重合外部にと9つけられたジャラケット
に冷媒を循環させることにより10℃で行なりへ 上記反応条件で共重合を行なうと、エチレン・DMON
ランダム共重合体を含む重合反応混合物が得られる。重
合器下部から抜き出した重合液くイソプロピルアルコー
ルを少量添加して重合反応を停止させた この後、重合
液に対して約3倍量のアセトンが入れである家庭用ミキ
サー中く ミキサーを回転させながら重合液を投入し 
生成共重合体を析出させた 析出させた共重合体は濾、
過により採取し ポリマー濃度が約50g/iになるよ
うにアセトン中に分散させ、アセトンの沸点で約2時間
共重合体を処理した 上記記載の処理後、濾過により共
重合体を採取1.、 120℃で一昼夜減圧乾燥した 以上のようにして得られたエチレン・DMONランダム
共重合体(A)の11C−NMR分析で測定した共重合
体中のエチレン組成は59mo1%、135℃デカリン
中で測定した極限粘度[η]は0、 42 dl/龜 
軟化温度(TMA)は154℃であり九 ユ1u」11五」 (軟化温度が70℃未満の共重合体CB)の合成)重合
例1 においてDMON、VO(OCaHs)CJl、
およびエチルアルミニウムセスキクロリドの重合器内濃
度がそれぞれ23g/IJ、Q、  7 mmol/ 
および5. 6mmol/Jになるように連続的に供給
し また重合器上部からエチレンを毎時140ノ、水素
を毎時13j、窒素を毎時25J供給し重合温度を10
℃とした以外は同様にして連続的に重合を行なった 重
合終了後、重合例1と同様に生成共重合を析出させ、析
出した共重合体を採取1..180℃で減圧下12時間
乾燥し九以上のようにして得られたエチレン゛・DMO
N共重合体(B)のISC−NMR分析で測定した共重
合体中のエチレン組成は89mo1%S 135℃デカ
リン中で測定した極限粘度[ηコは0.44dl/i 
軟化温度(TMA)は39℃であった( 1ii)環状
オレフィンランダム共重合体組成物の基板の製造 重合例1および2で合成した共重合体(A)およびCB
)をそれぞれ400g、4g(重量比:(A)/ (B
)=10071)をシクロヘクサン8に投入し 充分攪
拌しながら約50℃で溶解させた 得られた均一*aを
アセトンzl+=投入t、、  (A)/ (B)ブレ
ンド物を析出させた 得られたブレンド物を120℃で
減圧下で一昼寝乾燥させた 得られた(A)/ CB)ブレンド物に安定剤としてテ
トラキス[メチレン−3(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネートコメタン、ステ
アリン酸亜銖 グリセリンモノステアレートを樹脂[A
l、 [B]の総量に対して、それぞれ0.5%、0.
05%、0.5%配合狐 20−―押出機(L/D=2
0)を用いて23℃でペレタイズ後、東芝機械−製の射
出成形機l5−50を用い、厚さl細、 x30mφの
ディスク板を(両面とも鏡面)を成形しt4 叉111 ターゲットとしてFe、Coターゲット上にptとTb
とのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
て参考例1で得られた環状オレフィンランダム共重合体
組成物製基板(130mm≠)(以下PO基板という)
を乾燥せずに(テフロンTEで超音波洗浄した後)この
基板上に20〜50℃でマグネトロンスパッタ法によ1
7、Ar雰囲気下で真空到達度1.  OX I 01
Torr以下の条件で膜厚1000オングストロームの
P tl 2T b3 @ F ea @ Co@ f
)光磁気記録膜と成膜した得られた光磁気記録膜は広角
X線回折法により測定した結果 非晶質であった なお
、組成1戴ICP発光分析によって求め島 得られた光磁気記録媒体(膜)の各物性を表6に示しへ
 また顕微鏡で観察しな成膜状態は良好であった 上記で得られた膜付き130m−ディスク板を湿度85
%凪 温度85℃の恒温恒温層中に170 hrs放置
した 顕微鏡でテスト後の膜の状態を観察したところ、
テスト前と比べて記録膜の外観に変化はなく、また膜の
密着性も良好であった失星j」 ターゲットとしてFe、Coターゲット上各へTbのチ
ップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い、実施
例1で用いたPOと同じPO基板上に実施例1と同様の
条件で膜厚1000オングストロームのT b2 @ 
F es * CO〒の光磁気記録膜を成膜した 得ら
れた光磁気記録膜は非晶質であっムこの光磁気記録膜(
媒体)の各物性を表6に示した また顕微鏡で観察した
成膜状態は良好であった 上記で得られた膜付き130.、φディスク板を湿度8
5%凪 温度85℃の恒温恒温層中に170 hrs放
置した 顕微鏡でテスト後の膜の状態を観察したところ
、テスト前と比べて記録膜の外観に変化はなく、また膜
の密着性も良好であったよ豊漬」 ターゲットとしてFe、Coターゲット上にPtとTb
とのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
て、ポリカーボネート樹脂基板(PC基板)をスパッタ
装置中で80℃で6時間乾燥処理し 終夜排気後、この
基板上に20〜50℃でり、  Cマグネトロンスパッ
タ法によりAr雰囲気下、真空到達度1,0XIO−フ
T orr以下の条件で膜厚1000オングストローム
のP tl 2 T b3・F ea・Co、の光磁気
記録膜を成膜し島得られた光磁気記録膜は広角X線回折
法により測定した結果 非晶質であった なお組成はI
CP分析法により行った 比較例2 ターゲットとしてFe、Coターゲット上にTbのチッ
プを所定割合で配置した複合ターゲットを用い、比較例
1と同様にしてポリカーボネート樹脂基板上に膜厚10
00オングストロームのTb2SFe、。Cotの光磁
気記録膜を成膜した 得られた光磁気記録膜は広角X線
回折法により測定した給気 非晶質であった [基板と光磁気記録膜との密着性評価]以下の方法によ
り実施例1. 2、比較例1. 2の光磁気記録媒体の
基板と光磁気記録膜との密着性の評価を行った 結果を表1に示す。
Copolymerization reaction The copolymerization is carried out at 10°C by circulating a refrigerant through a jacket attached to the outside of the polymerization. When copolymerization is carried out under the above reaction conditions, ethylene and DMON are produced.
A polymerization reaction mixture containing a random copolymer is obtained. A small amount of isopropyl alcohol was added to the polymerization liquid taken out from the bottom of the polymerization vessel to stop the polymerization reaction.After this, the polymerization liquid was placed in a household mixer containing about three times the amount of acetone as the mixer was being rotated. Pour the polymerization solution
The produced copolymer was precipitated.The precipitated copolymer was filtered,
The copolymer was collected by filtration, dispersed in acetone to a polymer concentration of about 50 g/i, and treated at the boiling point of acetone for about 2 hours. After the above treatment, the copolymer was collected by filtration.1. The ethylene/DMON random copolymer (A) obtained as described above was dried under reduced pressure at 120°C for a day and night. The ethylene composition in the copolymer measured by 11C-NMR analysis was 59 mo1% in decalin at 135°C. The measured intrinsic viscosity [η] is 0, 42 dl/h
The softening temperature (TMA) was 154°C, and DMON, VO(OCaHs)CJl,
The concentrations of ethylaluminum sesquichloride and ethylaluminum sesquichloride in the polymerization vessel were 23 g/IJ, Q, and 7 mmol/, respectively.
and 5. 6 mmol/J was continuously supplied, and ethylene was supplied at 140 J/hour, hydrogen at 13 J/hour, and nitrogen at 25 J/hour from the top of the polymerization vessel, and the polymerization temperature was adjusted to 10 J/hour.
Polymerization was carried out continuously in the same manner except that the temperature was set at 1.degree. .. Ethylene DMO obtained as above by drying at 180°C for 12 hours under reduced pressure
The ethylene composition in the copolymer measured by ISC-NMR analysis of N copolymer (B) is 89 mo1% S. The intrinsic viscosity measured in decalin at 135°C [η is 0.44 dl/i
The softening temperature (TMA) was 39°C. (1ii) Production of substrate of cyclic olefin random copolymer composition Copolymers (A) and CB synthesized in Polymerization Examples 1 and 2
) respectively 400g and 4g (weight ratio: (A) / (B
) = 10071) was added to cyclohexane 8 and dissolved at about 50°C with thorough stirring.The obtained homogeneous *a was added to acetone zl+=t,, (A)/(B) The blend was precipitated. Tetrakis[methylene-3 (3,5-di-t-butyl-4
-Hydroxyphenyl)propionate comethane, stearic acid monostearate, resin [A
0.5% and 0.1%, respectively, of the total amount of [B].
05%, 0.5% blended fox 20--Extruder (L/D=2
After pelletizing at 23°C using 0), an injection molding machine 15-50 manufactured by Toshiba Machine Co., Ltd. was used to mold a disk plate with a thickness of 1 and a diameter of 30 m (mirror surface on both sides) using Fe as a target. pt and Tb on Co target
A substrate made of a cyclic olefin random copolymer composition (130 mm≠) obtained in Reference Example 1 using a composite target in which chips of and were arranged at a predetermined ratio (hereinafter referred to as PO substrate)
1 was deposited on this substrate without drying (after ultrasonic cleaning with Teflon TE) by magnetron sputtering at 20 to 50°C.
7. Vacuum attainment level 1. under Ar atmosphere. OXI 01
P tl 2T b3 @ F ea @ Co @ f with a film thickness of 1000 angstroms under Torr or less conditions
) The magneto-optical recording film and the obtained magneto-optical recording film were measured by wide-angle X-ray diffraction and were found to be amorphous. The physical properties of the (film) are shown in Table 6.The film formation state was good when observed under a microscope.
% Calm The state of the membrane after the test was observed under a microscope after being left in a constant temperature bath at a temperature of 85℃ for 170 hrs.
There was no change in the appearance of the recording film compared to before the test, and the adhesion of the film was good.''A composite target was used, in which Tb chips were placed at a predetermined ratio on each of Fe and Co targets. , T b2 @ with a film thickness of 1000 angstroms was deposited on the same PO substrate as used in Example 1 under the same conditions as Example 1.
A magneto-optical recording film of Fes*CO〒 was formed.The obtained magneto-optical recording film was amorphous.
Table 6 shows the physical properties of the film 130. , the humidity of the φ disk plate is 8
The film was left in a constant temperature bath at 5% calm for 170 hrs at a temperature of 85°C. When the state of the film was observed after the test using a microscope, there was no change in the appearance of the recording film compared to before the test, and the adhesion of the film was good. Pt and Tb on Fe and Co targets as targets.
A polycarbonate resin substrate (PC board) was dried in a sputtering device at 80°C for 6 hours using a composite target in which chips of A magneto-optical recording film of P tl 2 T b 3 /F ea /Co with a film thickness of 1000 angstroms was formed using the C magnetron sputtering method in an Ar atmosphere with a vacuum attainment of 1,0XIO-F Torr or less. The magneto-optical recording film was found to be amorphous when measured by wide-angle X-ray diffraction.The composition was I.
Comparative Example 2 carried out using the CP analysis method A composite target in which Tb chips were arranged at a predetermined ratio on Fe and Co targets was used as the target, and a film thickness of 10% was deposited on a polycarbonate resin substrate in the same manner as in Comparative Example 1.
00 angstrom Tb2SFe,. A magneto-optical recording film of Cot was formed.The obtained magneto-optical recording film was found to be amorphous as measured by wide-angle X-ray diffraction [Evaluation of adhesion between the substrate and magneto-optical recording film] by the following method. Example 1. 2. Comparative example 1. Table 1 shows the results of evaluating the adhesion between the substrate and the magneto-optical recording film of the magneto-optical recording medium No. 2.

吏養ユヌ1 基盤目試験(JIS K5400) 試料の記録膜上く 直交する縦横11本ずつの平行線を
カッターナイフを用いて1mの間隔でひく。 1 cm
2の中に100個の升目ができるように基盤目状の切傷
を付ける。
Training Yunu 1 Substrate test (JIS K5400) On the recording film of the sample, draw 11 orthogonal parallel lines at 1 m intervals using a cutter knife. 1 cm
Make incisions in the shape of the base so that 100 squares are formed in 2.

セロハンテープにチバン製)を用いて剥離評価する。Peeling was evaluated using cellophane tape (manufactured by Chiban).

評−一一価 ■成膜直後 ■80℃785%凪 100時間後 ス1」[しユ又曳 実施例1と同様にして、実施例1と同じPO基板上に表
2に示す組成の光磁気記録膜を成膜しtう得られた光磁
気記録媒体の特性を表2に示す。
Evaluation - Immediately After Film Formation ■ 80°C 785% Calm After 100 Hours 1'' Table 2 shows the characteristics of the magneto-optical recording medium obtained by forming the magnetic recording film.

大1目1灸」 参考例1で得られた環状オレフィンランダム共重合体組
成物製ディスク基板上く スパッタ法によってエンハン
ス層として700オングストロームのSi Nx (0
<X<4/3、屈折率n=2゜3、k(消衰係数)=0
.014)、光磁気記録層と、して300オングストロ
ームの P t+ * T bs a F es s CO+s
、反射層として700オングストロームのN its 
Cr2・を逐次積層形成し 光磁気ディスクを作成した このディスクの記録再生特性を記録周波数1MHz (
Duty比50%)、線速5,4m/sにて評価した その結果 最適記録レーザパワーは3.5mWであり、
C/Nは50dB(再生レーザパワーは1、  OmW
)であった 叉胤五主1:ユ1 実施例21と同様にして、光磁気記録層および反射層が
表7に示すよう・な組成および構造を有する光磁気ディ
スクを作成味 実施例21と同様にして評価を行なった 結果を表3に示す。
700 angstroms of SiNx (0
<X<4/3, refractive index n=2°3, k (extinction coefficient)=0
.. 014), a magneto-optical recording layer, and a 300 angstrom P t+ *T bs a F es s CO+s
, 700 angstrom Nits as a reflective layer.
A magneto-optical disk was created by sequentially laminating Cr2. The recording and reproducing characteristics of this disk were determined at a recording frequency of 1 MHz (
The optimum recording laser power was 3.5 mW, which was evaluated at a linear velocity of 5.4 m/s.
C/N is 50dB (reproduction laser power is 1, OmW
) was prepared in the same manner as in Example 21 to create a magneto-optical disk having a composition and structure as shown in Table 7 in the magneto-optical recording layer and reflective layer. Table 3 shows the results of evaluation conducted in the same manner.

表  3Table 3

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第11  第2は 第3図および第4図1戴 本発明に
係る光磁気記録媒体の断面図である。 第5図1戴 Ptを含有する光磁気記録膜中のCo /
 (Fe +Co )比[JllK子比]とノイズレベ
ル(dBm)との関係を示す図である。第6回頭Pdを
含有する光磁気記録膜中のCo/(Fe+Co)比[原
子比]とノイズレベル(dBm)との関係を示す図であ
る。第7図檄 光磁気記録膜中cl)Co / (Fe
 +Co )比[原子比]と消去劣化(ΔC/N比(d
B))との関係を示す図である。 第8図1戴 光磁気記録膜中のptおよび/またはPd
の含有量(yK千%)と、耐酸化性(△C/N比)との
関係を示す図である。第9図1叡 光磁気記録膜のバイ
アス磁界(Oe )とC/N比との関係を示す図である
。第10図代 光磁気記録膜中のptおよび/またはP
dの含有量(原子%)と最小バイアス磁界(Hsat、
 (Oe))との関係を示す図である。 なお、第4図〜第9図の光磁気ディスクはすべて第1図
の構成のもので、基板が参考例1で得られた環状オレフ
ィンランダム共重合体組成物であり、この基板上に10
00オングストロームの記録膜を順次積層したものであ
る。 纂 図 第 図 第3図 代 理 人
11. FIG. 3 and FIG. 4 are sectional views of the magneto-optical recording medium according to the present invention. Figure 5.1 Co/magneto-optical recording film containing Pt
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the (Fe + Co 2 ) ratio [JllK ratio] and the noise level (dBm). 6 is a diagram showing the relationship between Co/(Fe+Co) ratio [atomic ratio] and noise level (dBm) in a magneto-optical recording film containing Pd. Fig. 7 Magneto-optical recording film cl)Co/(Fe
+Co) ratio [atomic ratio] and erasure degradation (ΔC/N ratio (d
It is a figure showing the relationship with B)). Figure 8 1. PT and/or Pd in magneto-optical recording film
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the content (yK 1,000%) and oxidation resistance (ΔC/N ratio). FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the bias magnetic field (Oe) and the C/N ratio of the magneto-optical recording film. Figure 10 PT and/or P in the magneto-optical recording film
d content (atomic %) and minimum bias magnetic field (Hsat,
(Oe)). The magneto-optical disks shown in FIGS. 4 to 9 all have the configuration shown in FIG. 1, and the substrate is the cyclic olefin random copolymer composition obtained in Reference Example 1.
0.00 angstrom recording films are sequentially laminated. Compiled diagram Figure 3 Agent

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)基板上に光磁気記録膜が積層されてなる光磁気記録
媒体において、 基板が、 (A)エチレンと、下記一般式[ I ]で表わされる環
状オレフィンとの共重合体とからなり、135℃のデカ
リン中で測定した極限粘度[η]が0.05〜10dl
/gの範囲にあり、軟化温度(TMA)が70℃以上で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体と、 (B)エチレンと、下記一般式[ I ]で表わされる環
状オレフィンとの共重合体とからなり、135℃のデカ
リン中で測定した極限粘度[η]が0.05〜5dl/
gの範囲にあり、軟化温度(TMA)が70℃未満であ
る環状オレフィンランダム共重合体とからなり、 上記(A)成分/(B)成分の重量比が100/0.1
〜100/10の範囲である環状オレフィンランダム共
重合体組成物から形成され、かつ光磁気記録膜が、(i
)3d遷移金属から選ばれる少なくとも1種と、(ii
)希土類から選ばれる少なくとも1種の元素とを少なく
とも含む、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体; ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[ I ] (式[ I ]において、nは0もしくは正の整数であり
、R^1ないしR^1^2はそれぞれ水素原子、ハロゲ
ン原子または炭化水素基を示し、R^9〜R^1^2は
、互いに結合して単環または多環の基を形成していても
よく、かつ該単環または多環の基が二重結合を有してい
てもよく、 またR^9とR^1^0とで、またはR^1^1とR^
1^2とで、アルキリデン基を形成していてもよい)。 2)光磁気記録膜が、(i)3d遷移金属から選ばれる
少なくとも1種と、(ii)耐腐食性金属と、(iii
)希土類から選ばれる少なくとも1種の元素とからなり
、前記耐腐食性金属の含有量が5〜30原子%である、
膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜である
請求項第1項に記載の光磁気記録媒体。 3)光磁気記録膜に含まれる(i)3d遷移金属が、F
eまたはCoあるいはこの両者であることを特徴とする
請求項第1項に記載の光磁気記録媒体。 4)耐食性金属が、Ti、Zr、Nb、Ta、Mo、P
t、Pdの少なくとも1種であることを特徴とする請求
項第1項に記載の光磁気記録媒体。 5)光磁気記録膜に含まれる(ii)耐腐食性金属が、
PtまたはPdあるいはこの両者であることを特徴とす
る請求項第1項に記載の光磁気記録媒体。 6)光磁気記録膜に含まれる(iii)希土類が、Nd
、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、DyまたはH
oであることを特徴とする請求項第1項に記載の光磁気
記録媒体。 7)光磁気記録膜に含まれる(i)3d遷移金属の量が
40原子%以上80原子%以下であり、(ii)耐腐食
性金属の量が10原子%を超えて30原子%以下である
ことを特徴とする請求項第1項に記載の光磁気記録媒体
。 8)光磁気記録膜が、(i)3d遷移金属から選ばれる
少なくとも1種と、(iii)希土類から選ばれる少な
くとも1種の元素とからなる、膜面に垂直な磁化容易軸
を有する非晶質合金薄膜である請求項第1項に記載の光
磁気記録媒体。 9)光磁気記録膜に含まれる(i)3d遷移金属が、F
eまたはCoあるいはこの両者であることを特徴とする
請求項第8項に記載の光磁気記録媒体。 10)光磁気記録膜に含まれる(iii)希土類が、N
d、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dyまたは
Hoであることを特徴とする請求項第8項に記載の光磁
気記録媒体。 11)光磁気記録膜上に、反射膜が積層されている請求
項第1項または第8項に記載の光磁気記録媒体。
[Scope of Claims] 1) A magneto-optical recording medium in which a magneto-optical recording film is laminated on a substrate, the substrate comprising: (A) a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following general formula [I]; The intrinsic viscosity [η] measured in decalin at 135°C is 0.05 to 10 dl.
/g, and has a softening temperature (TMA) of 70°C or higher; (B) a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following general formula [I]; The intrinsic viscosity [η] measured in decalin at 135°C is 0.05 to 5 dl/
g and a cyclic olefin random copolymer having a softening temperature (TMA) of less than 70°C, and the weight ratio of the component (A)/component (B) is 100/0.1.
The magneto-optical recording film is formed from a cyclic olefin random copolymer composition in the range of 100/10 to 100/10;
) at least one selected from 3d transition metals; and (ii
) A magneto-optical recording medium characterized by being an amorphous alloy thin film containing at least one element selected from rare earths and having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface; Yes▼... [I] (In the formula [I], n is 0 or a positive integer, R^1 to R^1^2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydrocarbon group, and R^ 9 to R^1^2 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic group may have a double bond, and R^9 and R^1^0, or R^1^1 and R^
1^2 may form an alkylidene group). 2) The magneto-optical recording film contains (i) at least one selected from 3D transition metals, (ii) a corrosion-resistant metal, and (iii)
) at least one element selected from rare earths, and the content of the corrosion-resistant metal is 5 to 30 at %;
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, which is an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. 3) (i) 3d transition metal contained in the magneto-optical recording film is F
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, characterized in that it is made of E, Co, or both. 4) Corrosion resistant metal is Ti, Zr, Nb, Ta, Mo, P
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, characterized in that it is at least one of t and Pd. 5) (ii) Corrosion-resistant metal contained in the magneto-optical recording film,
The magneto-optical recording medium according to claim 1, characterized in that it is made of Pt or Pd or both. 6) The rare earth (iii) contained in the magneto-optical recording film is Nd
, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy or H
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium is o. 7) The amount of (i) 3d transition metal contained in the magneto-optical recording film is 40 atomic % or more and 80 atomic % or less, and (ii) the amount of corrosion-resistant metal is more than 10 atomic % and 30 atomic % or less. The magneto-optical recording medium according to claim 1, characterized in that: 8) The magneto-optical recording film is an amorphous film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and consisting of (i) at least one element selected from 3D transition metals and (iii) at least one element selected from rare earths. 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, which is a thin alloy film. 9) (i) 3d transition metal contained in the magneto-optical recording film is F
9. The magneto-optical recording medium according to claim 8, characterized in that it is made of E, Co, or both. 10) The rare earth (iii) contained in the magneto-optical recording film is N
9. The magneto-optical recording medium according to claim 8, characterized in that the material is d, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy or Ho. 11) The magneto-optical recording medium according to claim 1 or 8, wherein a reflective film is laminated on the magneto-optical recording film.
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