JPH0432054A - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording mediumInfo
- Publication number
- JPH0432054A JPH0432054A JP13905490A JP13905490A JPH0432054A JP H0432054 A JPH0432054 A JP H0432054A JP 13905490 A JP13905490 A JP 13905490A JP 13905490 A JP13905490 A JP 13905490A JP H0432054 A JPH0432054 A JP H0432054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- film
- cyclic olefin
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- -1 iron and cobalt Chemical class 0.000 description 80
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 36
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 31
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 25
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 21
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 18
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 8
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 8
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 7
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 5
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 5
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VBICKXHEKHSIBG-UHFFFAOYSA-N 1-monostearoylglycerol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(O)CO VBICKXHEKHSIBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 4
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSEJJKIPRNUIFL-UHFFFAOYSA-N [2,2-bis(hydroxymethyl)-3-octadecanoyloxypropyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(CO)(CO)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FSEJJKIPRNUIFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWCDLNRNBHJDQB-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-octadecanoyloxy-2-(octadecanoyloxymethyl)propyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(CO)(COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FWCDLNRNBHJDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWLPCYBIJSLGQO-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid;propane-1,2,3-triol Chemical compound OCC(O)CO.CCCCCCCCCCCC(O)=O UWLPCYBIJSLGQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N n-alpha-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQDVHJGNIFVBLG-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid;propane-1,2,3-triol Chemical compound OCC(O)CO.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UQDVHJGNIFVBLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000008262 pumice Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZFOQJOYMTZTRH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylbutyl)cyclohexene Chemical compound CCC(C)CC1=CCCCC1 YZFOQJOYMTZTRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106006 1-eicosene Drugs 0.000 description 1
- FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 1-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC=CC(O)=O FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJLHTVIBELQURV-UHFFFAOYSA-N 1-pentadecene Chemical class CCCCCCCCCCCCCC=C PJLHTVIBELQURV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- WZUNUACWCJJERC-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(CC)(CO)CO WZUNUACWCJJERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIMZSOUQXNWHO-UHFFFAOYSA-N 2-tetradecanoylglycerol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(=O)OC(CO)CO TVIMZSOUQXNWHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKDZMSWHDHBHEU-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylcyclohexene Chemical compound CC1CCC=CC1C KKDZMSWHDHBHEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPMYUUITDBHVQZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CCC(O)=O)=CC(C(C)(C)C)=C1O WPMYUUITDBHVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZPWKTCMUADILM-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohexene Chemical compound CC1CCCC=C1 UZPWKTCMUADILM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019580 Cr Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019817 Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGBXSWXZXBQCMR-UHFFFAOYSA-N Glycerol 1-hexadecanoate Chemical compound OCC(O)CO.CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O CGBXSWXZXBQCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010582 Pisum sativum Nutrition 0.000 description 1
- 240000004713 Pisum sativum Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DAIYEXZQVXSNAT-UHFFFAOYSA-N [2-(dodecanoyloxymethyl)-3-hydroxy-2-(hydroxymethyl)propyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCC(CO)(CO)COC(=O)CCCCCCCCCCC DAIYEXZQVXSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJLATTXAOOPYRU-UHFFFAOYSA-N [3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCC(CO)(CO)CO ZJLATTXAOOPYRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L calcium stearate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CJZGTCYPCWQAJB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008116 calcium stearate Substances 0.000 description 1
- 235000013539 calcium stearate Nutrition 0.000 description 1
- GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L calcium sulfite Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])=O GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000010261 calcium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- RXPKHKBYUIHIGL-UHFFFAOYSA-L calcium;12-hydroxyoctadecanoate Chemical compound [Ca+2].CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC([O-])=O RXPKHKBYUIHIGL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- VSZKZIHQDZUZER-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid;propane-1,2,3-triol Chemical compound OCC(O)CO.CCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCC(O)=O VSZKZIHQDZUZER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000654 isopropylidene group Chemical group C(C)(C)=* 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N norbornene Chemical class C1C2CCC1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.1(3,6).0(2,7)]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004736 wide-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
ｉ更立韮五至１
本発明憾 光磁気記録媒体に関し さらに詳しり：戴
記録パワーの線速依存性が小さく、しかも記録感度に
優れるとともに記録パワーのマージンが広い光磁気記録
媒体に関する。[Detailed Description of the Invention] iKaratachi Niagoshi 1 The present invention Regarding magneto-optical recording media Further details: Dai
The present invention relates to a magneto-optical recording medium which has a small linear velocity dependence of recording power, excellent recording sensitivity, and a wide recording power margin.
ｉ貝立孜五負１ｊ
鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔ ｂ）
、カドリニウム（Ｇｄ）なとの希土類元素との合金から
なる光磁気記録膜ＩＬ 膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し 一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化
方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができ
ることが知られている。この反転磁区の有無を「１」、
「０」に対応させることによって、上記のような光磁
気記録膜にデジタル信号を記録させることが可能となる
。i Kai Tatekei Go Negative 1j Transition metals such as iron and cobalt, and terbium (T b)
, a magneto-optical recording film IL made of an alloy of rare earth elements such as cadrinium (Gd).It has an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface, and has a film surface that is entirely magnetized in one direction, opposite to this direction of magnetization. It is known that it is possible to form magnetic domains with small orientation reversals. The presence or absence of this inverted magnetic domain is “1”,
By making it correspond to "0", it becomes possible to record a digital signal on the magneto-optical recording film as described above.
このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜として１転 たとえば特公昭５７−２０６９１号公報
に１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記
録膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を
添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴ
ｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系などの光磁気記録膜も
知られている。As a magneto-optical recording film made of such a transition metal and a rare earth element, for example, a Tb--Fe based magneto-optical recording film containing 15 to 30 at % of Tb is disclosed in Japanese Patent Publication No. 57-20691. Also, a magneto-optical recording film made of Tb-Fe added with a third metal is also used. Further T
Magneto-optical recording films such as those based on b-Co and Tb-Fe-C0 are also known.
このようなＴｂ−Ｆｅ爪 Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中＆ミ この薄膜の耐酸化性を向上させるため番へ
第３の金属を添加する方法が種々試みられている。In order to improve the oxidation resistance of such a Tb--Fe film, various methods have been attempted to add a third metal to the magneto-optical recording film such as Tb--Co.
このような光磁気記録媒体に情報を書込む際に鷹 記録
パワーマージンが広く、しかも記録パワーの線速依存性
が小さいことが望まれている。ここで情報を書込む際の
記録パワーマージンが広いとは、光磁気記録媒体にレー
ザ光などによって情報を書込む際＆−書込み光としての
レーザ光のパワーが多少変化しても正確に光磁気記録媒
体に情報を書込むことができることを意味し 記録パワ
ーの線速依存性がノ」）さいと叫 光磁気記録媒体にレ
ーザ光などによって情報を書込む際＆ミ 記録媒体の内
周部と外周部とで書込み光としてのレーザ光の最適記録
パワーの変化のしかたが小かいことを意味している。When writing information on such a magneto-optical recording medium, it is desired that the recording power margin be wide and that the linear velocity dependence of the recording power be small. A wide recording power margin when writing information means that when information is written to a magneto-optical recording medium using a laser beam, etc. This means that information can be written on a recording medium.When writing information on a magneto-optical recording medium using a laser beam, etc. This means that the optimum recording power of the laser light used as the writing light changes little depending on the outer periphery.
またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体１戴 耐酸化性および記録感度（Ｃ／Ｎ比
）の向上も望まれていた
このように記録パワーマージンが広く、その上記録パワ
ーの線速依存性が小さく、耐酸化性および記録感度が向
上されているような光磁気記録媒体の出現が望まれてい
る。It was also desired to improve the oxidation resistance and recording sensitivity (C/N ratio) of a magneto-optical recording medium formed by laminating such a magneto-optical recording film on a substrate. Furthermore, there is a desire for a magneto-optical recording medium in which the dependence of recording power on linear velocity is small and oxidation resistance and recording sensitivity are improved.
本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上シミ 保護膜と、光磁気記録膜と、ケ
イ素膜と、アルミニウム合金膜とをこの順序で積層して
なる光磁気記録媒体檄 記録パワーの線速依存性が小さ
く、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐酸化性お
よび記録感度に優れていることを見いだして、本発明を
完成するに至った
ｉ里亘１濫
本発明ＩＬ 記録パワーマージンが広く、シかも記録
パワーの線速依存性が小さく、がっＣ／Ｎ比が高く、耐
酸化性にも優れているような光磁気記録媒体を提供する
ことを目的としている。The inventors of the present invention have made extensive studies in light of such conventional technology, and have discovered that a magneto-optical film is produced by laminating a stain protection film on a substrate, a magneto-optical recording film, a silicon film, and an aluminum alloy film in this order. Recording medium description The present invention was completed by discovering that the linear velocity dependence of recording power is small, the recording power margin is wide, and the recording medium is excellent in oxidation resistance and recording sensitivity. Invention IL An object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium that has a wide recording power margin, low linear velocity dependence of recording power, high C/N ratio, and excellent oxidation resistance. There is.
ｉ里立鷹１
本発明に係る光磁気記録媒体＋３ 基板上へ 保護膜
と、光磁気記録膜と、ケイ素膜と、アルミニウム合金膜
とがこの順序で積層されてなることを特徴としている。iSatotaka 1 Magneto-optical recording medium according to the present invention +3 On the substrate The magneto-optical recording medium is characterized in that a protective film, a magneto-optical recording film, a silicon film, and an aluminum alloy film are laminated in this order.
このような本発明に係る光磁気記録媒体は、記録パワー
の線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く
、しかも耐酸化性および記録感度に優れている。The magneto-optical recording medium according to the present invention has a small linear velocity dependence of recording power, a wide recording power margin, and excellent oxidation resistance and recording sensitivity.
日の 口
以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。From now on, the magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically explained.
本発明の光磁気記録媒体１０１戴 たとえば第１図に
示すようシミ 基板１上へ 保護膜２と、光磁気記録膜
３と、ケイ素膜４と、アルミニウム合金膜５とがこの順
序で積層されて形成されている。For example, as shown in FIG. 1, a magneto-optical recording medium 101 of the present invention has a stain on a substrate 1, and a protective film 2, a magneto-optical recording film 3, a silicon film 4, and an aluminum alloy film 5 are laminated in this order. It is formed.
以下、基板１１ 保護膜ｚ１ 光磁気記録膜３、ケ
イ素膜４と、アルミニウム合金膜５について順次説明す
る。Hereinafter, the substrate 11, the protective film z1, the magneto-optical recording film 3, the silicon film 4, and the aluminum alloy film 5 will be explained in order.
蓋−一一板
本発明で鷹 基板１の材質は特に限定されない力Ｃ１基
板１側（矢印Ａ）がらレーザ光が入射する場合に鷹 透
明基板であることが好ましく、具体的にｉＬ ガラス
やアルミニウム等の無機材料の他＆ミ ポリメチルメタ
クリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポ
リスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．
７７８号明細書に開示しであるような環状オレフィンラ
ンダム共重合本 以下に説明するような環状オレフィン
ランダム共重合弧 ポリ４−メチル−１−ペンテン、エ
ポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン
、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることができ
る。この中でｉＬ ポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、米国特許第４．６１４．７７８号明細書
に記載のような共重合体および下記の環状オレフィンラ
ンダム共重合体が好ましい。The material of the substrate 1 is not particularly limited, but it is preferable that it is a transparent substrate when the laser beam is incident from the substrate 1 side (arrow A), and specifically, glass or aluminum. In addition to inorganic materials such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polymer alloys of polycarbonate and polystyrene, US Pat. No. 4.614.
Cyclic olefin random copolymerization arc as disclosed in No. 778 Cyclic olefin random copolymerization arc as described below Poly4-methyl-1-pentene, epoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyether Organic materials such as imides can be used. Among these, iL polymethyl methacrylate, polycarbonate, copolymers as described in US Pat. No. 4,614,778, and cyclic olefin random copolymers described below are preferred.
本発明において、基板として特に好ましい材料としてＩ
Ｌ 特に保護膜あるいは記録膜との密着性が良く、複
屈折率が小さいという観点から、エチレンと、下記一般
式［エコまたは［ｒ’ｌで表される環状オレフィンとの
共重合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙
げられる。In the present invention, as a particularly preferable material for the substrate, I
L A cyclic olefin made of a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following general formula [eco or Examples include olefin random copolymers.
一般式［エコ
（式中、ｎはＯまたは１であり、ｍはＯまたは正の整数
であって、
Ｒ１〜Ｒｌ ＊ １４ それぞれ独立ム 水素原子、
ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる
原子もしくは基を表し
ＲＩ ｓ ４ ＲＩ １１４ 互いに結合して単環ま
たは多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環
が二重結合を有していてもよく、
また、 Ｒ１５とＲＩ ＩＩとで、 またはＲ１とＲｌ
ｇとでアルキリデン基を形成していてもよい）。General formula [Eco (in the formula, n is O or 1, m is O or a positive integer, R1 to Rl * 14 each independent hydrogen atom,
Represents an atom or group selected from the group consisting of a halogen atom and a hydrocarbon group RI s 4 RI 114 May be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic ring, and the monocyclic or polycyclic ring has a double bond , or R15 and RI II, or R1 and Rl
may form an alkylidene group with g).
一般式［Ｉ’コ
（式［Ｉ°］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒｌ戴０，１または２であり、Ｒ１〜ＲＩＢはそ
れぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素
基 芳香族炭化水素基 およびアルコキシ基よりなる群
から原子もしくは基を表狐Ｒも（またはＲｅ）とＲｅ（
またはＲｔ）と１転 炭素数１〜３のアルキレン基を介
して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結
合していてもよい。 ）
ただ獣 上記式［ｒ］において、ｎは○または１であり
、好ましくは０である。また、ｍは○または正の整数で
あり、好ましくは０〜３である。General formula [I'co (Formula [I°], p is 0 or an integer of 1 or more, and q
and rl is 0, 1 or 2, and R1 to RIB each independently represent an atom or group from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and an alkoxy group. or Re) and Re(
or Rt) may be bonded via an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, or may be bonded directly to Rt) through an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. ) In the above formula [r], n is ○ or 1, preferably 0. Moreover, m is ◯ or a positive integer, preferably 0 to 3.
また上記式ＣＩ’ｌにおいて、ｐは０または１以上の整
数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。In the above formula CI'l, p is an integer of 0 or 1 or more, preferably an integer of 0 to 3.
そして、 Ｒ１〜Ｒ１８（式［エコ）、 またはＲ１−
Ｒ１６（式［ｒ’］）Ｌ それぞれ独立＆−水素原子
、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群がら選ばれ
る原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子として
（戴 たとえｌｆ、 フッ素原子、塩素原子、臭素原
子およびヨウ素原子を挙げることができる。And R1 to R18 (formula [eco), or R1-
R16 (Formula [r'])L Each independently represents an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, and a hydrocarbon group. Here, examples of the halogen atom include lf, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
また、炭化水素基としては、それぞれ独立に、通常は炭
素原子数１〜６のアルキル基 炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具体的
な例としてＡ メチル基 エチル基 イソプロピル基
イソブチル基 アミル基をあげることができ、シクロア
ルキル基の具体的な例として（戴 シクロへキシル基
シクロプロピル基 シクロブチル基 シクロペンチル基
を挙げることができる。In addition, examples of the hydrocarbon group include, each independently, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples of the alkyl group include A methyl group. Ethyl group Isopropyl group
Examples of cycloalkyl groups include isobutyl and amyl groups.
Cyclopropyl group Cyclobutyl group Cyclopentyl group can be mentioned.
また上記式［１′〕において、Ｒ５（またはＲｅ）とＲ
ｅ（またはＲｔ）と哄 炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。Furthermore, in the above formula [1'], R5 (or Re) and R
e (or Rt) and 哄 may be bonded via an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, or may be bonded directly without any group.
さら＆ミ 上記式［Ｔ］において、ＲＩ ％ Ｍ−ＲＩ
８は互いに結合して（共同して）単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよい。また、Ｒ１１６とＲｔ６とで、また
はＲＩＴとＲｌｇとでアルキリデン基を形成していても
よい。このようなアルキリデン基版 通常は炭素原子数
２〜４のアルキリデン基をあげることができ、その具体
的な例として（戴 エチリデン基 プロピリデン基 イ
ソプロピリデン基およびイソブチリデン基をあげること
ができる。Sara & Mi In the above formula [T], RI % M-RI
8 may be bonded to each other (together) to form a monocyclic or polycyclic ring, and the monocyclic or polycyclic ring may have a double bond. Furthermore, R116 and Rt6 or RIT and Rlg may form an alkylidene group. Such alkylidene bases are usually alkylidene groups having 2 to 4 carbon atoms, and specific examples thereof include ethylidene groups, propylidene groups, isopropylidene groups, and isobutylidene groups.
前記式［エコまたは［ｒ’ｌｌで表される環状オレフィ
ン（戴 シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン
類あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−
反応により縮合させることにより容易に製造することが
できる。Diels-Alder-Alder cyclopentadiene and the corresponding olefins or cyclic olefins are
It can be easily produced by condensation through reaction.
前記式［ＩＩまたは［Ｉ′］で表される環状オレフィン
として屯 具体的には、たとえば下記のような化合物を
挙げることができる。Specific examples of the cyclic olefin represented by the formula [II or I'] include the following compounds.
（以下余白）
ＣＨａ
ＣＨａ
ビシクロ［２，２，１１ヘプ
ン
６−メチルビシクロ［２
７−メチルビシクロ［２
などのようなビシクロ［２，２，１］
ヘプト−２−エン誘
導体；
５．１０−ジメチルテトラ
６−ｎ−ブチルビシクロ
Ｈａ
２．１０−ジメチルテトラ
９−イソブチル−２，７−
９、１１，１２−）リメチル
ン
９−インブチル−１１，１２
−ドデセン
５、８．９．１０−テトラメチ
（以下余白）
・Ｉ Ｉ ］−］３−ドデセ
ン−メチル−９−エチルテ
８−クロロテトラシフ
−３−ドデセン
８−プロモチトラシフ
−３−ドデセン
＋１１］−３−ドデセン
・１・］−］３−ドデセ
ン−メチルテトラシフ
８−エチルテトラシフ
１＠］−３−ドデセン
８−へキシルテトラシ
１７・１＠コー３−ドデセン
＋１−３−ドデセン
−３−ドデセン
・−・］−］３−ドデセ
ン１２
６．１７・ＩＩ］−３−ドデセ
ン
８−エチリデン−９−エチ
ン
８−エチリデン−９−イソ
一ドデセン
、１２・６，１７・１曝］−３−ドデセン
ち、１フ・＋＠］−３−ドデセン
８−ｎ−プロピリデン−９
一ドデセン
８−イソプロピリデン
一ドデセン
、１＠］−３−ドデセン
一ドデセン
などのテトラシクロ［４，４，０，１２Ｓ、１）、ＩＩ
］−３−）’ｆセ
ン誘導体：
（以下余白）
８−ｎ−プロピリデン−９
［４，４，０，１”・１．１７
１］−３
一ドデセン
１・］−］３−ドデセ
ン−ｎ−プロピリデン−９
［４，４，０，１” ・ ６．１７・ １１］−３−ド
デセン
８−イソプロピリデン
１２−メチルへキサシフ
デセン
デセン
ヘプタデセン
１５−エチルオクタシフ
目、０２．マＩＯ＠、Ｉ４］−４−ヘプタデセン
なとのへキサシクロ［６，６，１，１３ｓ、１４ｓ、＋
ｓ、０２．７．□ｅ
などのオクタシクロ［８，８，０，１２＠、 １４．？
、 ＩＩ １
目１＋
・＋ ａ ］−４−へブタデセン誘導体；３・１・、０
３・口、ＯＩ２・ＩＴ］−５−トコセン銹導体；トコセ
ン
２・ｌ］−５−トコセン
などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへブ
タシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体；などのペンタシ
クロ［６，６，１，１３・６．Ｏ２・７．０＠・ｌ ４
］ −］４−ヘキサデセン誘導体
；プタシクロ［８，７，０
などのトリシクロ［４，３，０，１２
５］−３−デセン誘導体：
コセン
１．６−シメチルベンタ
１４．１５−ジメチルベン
などのトリシクロ［４，４，０，１”・５コー３−ウン
デセン誘導体；
などのペンタシクロ［６，５，１，１”・６，０２・〒
、０９目コー４−
ペンタデセン誘導体：
１．３−ジメチル−ペンタ
などのジエン化合物；
メチル置換ベンタシ
、２１． ｌ１３．２＠、Ｑｌ４．＋９１＋ｓ、Ｉ會］
−５−ベンタコセン
などのペンタシクロ
［４，７，Ｑ、１１％、Ｑｌ、＋１．１１１２］−３−
ペンタデセン誘導体；
−５−ベンタコセン
コセン
などのノナシクロ
［９，１０，１，１’
） ＱＳ 、 ＠ 、 Ｑｌ 、 Ｉ ＠ 、 Ｑｌ
ｆｆ１２１．１１１．２＠、Ｑｌ４．＋９，１１６．１
・コー５−ベンタコセン誘導
体等を挙げることができる。(Left below) CHa CHa Bicyclo[2,2,1]hept-2-ene derivatives such as bicyclo[2,2,11 hepne 6-methylbicyclo[2 7-methylbicyclo[2]; 5.10-dimethyl Tetra6-n-butylbicyclo Ha 2.10-dimethyltetra9-isobutyl-2,7-9,11,12-)limethyln9-inbutyl-11,12-dodecene5,8.9.10-tetramethy Margin) ・I I ]-]3-dodecene-methyl-9-ethylte8-chlorotetrashif-3-dodecene8-promotitrashif-3-dodecene+11]-3-dodecene・1.]-]3-dodecene-methyl Tetrasif 8-ethyltetrasif 1@]-3-dodecene 8-hexyltetrasif 17,1@co-3-dodecene+1-3-dodecene-3-dodecene.--]-]3-dodecene12 6.17.II ]-3-dodecene 8-ethylidene-9-ethyne 8-ethylidene-9-iso-dodecene, 12.6,17.1 exposure]-3-dodecene, 1f.+@]-3-dodecene 8-n -propylidene-9-dodecene, 8-isopropylidene-dodecene, 1@]-3-dodecene-dodecene, etc., tetracyclo[4,4,0,12S,1), II
]-3-)'f-sen derivative: (Left below) 8-n-propylidene-9 [4,4,0,1"・1.17 1]-3 1-dodecene 1.]-]3-dodecene-n -Propylidene-9 [4,4,0,1" 6.17 11]-3-dodecene 8-isopropylidene 12-methylhexacyfdesendeceneheptadecene 15-ethyl octase, 02. MaIO@, I4]-4-heptadecene and hexacyclo[6,6,1,13s, 14s, +
s, 02.7. Octacyclo such as □e [8, 8, 0, 12@, 14. ?
, II 1st 1+ ・+ a ]-4-hebutadecene derivative; 3・1・, 0
Pentacyclo[6,6, 1, 13・6. O2・7.0@・l 4
] -]4-hexadecene derivatives; tricyclo[4,3,0,12 5]-3-decene derivatives such as ptacyclo[8,7,0; Pentacyclo [6,5,1,1”, 6,02, 〒
, 09-4-Pentadecene derivatives: 1. Diene compounds such as 3-dimethyl-penta; Methyl-substituted pentacyl, 21. l13.2@, Ql4. +91+s, I meeting] -5-Pentacyclo[4,7,Q, 11%, Ql, +1.1112] -3- such as bentacocene
Pentadecene derivatives; nonacyclo[9,10,1,1') QS, @, Ql, I@, Ql such as -5-bentacosenkocene
ff121.111.2@, Ql4. +9,116.1
- Co-5-bentacocene derivatives, etc. can be mentioned.
（以下余白）
２・１１−４−エイコセン
ナトノヘフ９ シフＯ［７，８，０，１’・’、Ｏ２・
７．１１＠Ｉ”、０１１．１・ｌｌｔ、ｌｌ］−４−エ
イコセン誘導体；そしてさらに１戴
５−フェニル−ビシクロ［
を挙げることができる。(Left below) 2,11-4-eikosennatonohef9 Schiff O[7,8,0,1'・',O2・
7.11@I", 011.1.llt, ll]-4-eicosene derivatives; and further 1-5-phenyl-bicyclo[.
（以下余白）
上記のようなエチレンと、一般式［工］または［工゛］
で表される環状オレフィンとの共重合体として檄１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜
１０ａ ／ ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（以
下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という）が
好ましく用いられる。また所望により、環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ａ］ ＆ミ エチレンと、下記式
［Ｉ］または［工°］で表される環状オレフィンとの共
重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限
粘度［η］が０．０５〜５ａ／ｇの範囲にあり、軟化温
度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ラン
ダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］という）を配合して用いてもよい。(Left below) Ethylene as above and the general formula [E] or [E]
135 as a copolymer with a cyclic olefin represented by
Intrinsic viscosity [V] measured in decalin at ℃ is 0.05~
It is in the range of 10a/g and has a softening temperature (TMA) of 7
A cyclic olefin random copolymer (hereinafter referred to as cyclic olefin random copolymer [A]) having a temperature of 0° C. or higher is preferably used. In addition, if desired, a cyclic olefin-based random copolymer [A] &mi is a copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the following formula [I] or [Process], which is prepared in decalin at 135°C. A cyclic olefin random copolymer (hereinafter referred to as cyclic olefin random copolymer [B]) whose measured intrinsic viscosity [η] is in the range of 0.05 to 5 a/g and whose softening temperature (TMA) is less than 70°C. ) may be used in combination.
上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］ｉＬ エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるカー 該必須の二成分の他に本
発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重
合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意
に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体
的に代たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オク
テン、 １−デセン、１−ドデセン、 １−テトラデセ
ン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコ
センなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンなど
を例示することができる。Cyclic olefin-based random copolymers [A] and [B] iL which are copolymers of cyclic olefins and ethylene as described above; Car which has ethylene and the above-mentioned cyclic olefin as essential components; The essential two components. In addition, other copolymerizable unsaturated monomer components may be contained as necessary within a range that does not impair the object of the present invention. As the unsaturated monomer which may be optionally copolymerized, for example, propylene, 1-butene, 4-methyl- a-olefins having 3 to 20 carbon atoms such as 1-pentene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicosene, etc. I can give an example.
上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
でミ エチレンに由来する繰り返し単位（ａ月＆ ４
０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で
存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返
し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５
０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ） Ｌ ランダムに実質上線状に配列
している。なお、エチレン組成および環状オレフィン組
成は＋３Ｃ−ＮＭＲによって測定した この環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架
橋構造を有していないことｊＬ 該共重合体が１３５
℃のデカリン中に完全に溶解することによって確認でき
る。Cyclic olefin random copolymer [A] as described above
Repeating unit derived from ethylene (a month & 4
The repeating unit (b) derived from the cyclic olefin is present in the range of 0 to 85 mol%, preferably 50 to 75 mol%, and the repeating unit (b) derived from the cyclic olefin is 15 to 60 mol%, preferably 25 to 5 mol%.
The repeating units (a) derived from ethylene and the repeating units (b) L derived from the cyclic olefin are present in a range of 0 mol%, and are arranged randomly and substantially linearly. The ethylene composition and cyclic olefin composition were measured by +3C-NMR. This cyclic olefin random copolymer is substantially linear and does not have a gel-like crosslinked structure.
This can be confirmed by complete dissolution in decalin at °C.
このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［７７］ Ｉ
Ｌ ０．０５〜１０ｄｌｌ ／ｇ、 好ましくは０
．０８〜５ａａ／ｇの範囲にある。Intrinsic viscosity [77] I of such a cyclic olefin random copolymer [A] measured in decalin at 135°C
L 0.05-10dll/g, preferably 0
．． It is in the range of 08 to 5 aa/g.
また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ） ＋３ ７０℃以ム 好ましくは９０〜２５０℃
、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。な
お軟化温度（ＴＭＡ）＋１ デュポン社製Ｔｈｅｒｍ
ｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚
さ１蘭のシートの熱変形挙動により測定した すなわち
シート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／
分で昇温していき、針が０．６３５１侵入した温度をＴ
ＭＡとした また、該環状オレフィン系ランダム共重合
体のガラス転移温度（Ｔｇ）ｌ戴 通常５０〜２３０
℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ま
しい。In addition, the softening temperature (T
MA) +3 70℃ or less, preferably 90-250℃
, more preferably in the range of 100 to 200°C. In addition, softening temperature (TMA) +1 Therm manufactured by DuPont
The thermal deformation behavior of a sheet with a thickness of one layer was measured using an omechanical analyzer. That is, a quartz needle was placed on the sheet, a load of 49 g was applied, and the deformation behavior was measured at 5°C/
The temperature increases in minutes, and the temperature at which the needle penetrates by 0.6351 is T
In addition, the glass transition temperature (Tg) of the cyclic olefin random copolymer is usually 50 to 230.
℃, preferably in the range of 70 to 210℃.
また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度ｉＬＯ〜１０％、
好ましくは０〜７％Ｓ とくに好ましくは０〜５％の範
囲である。In addition, the crystallinity of this cyclic olefin random copolymer [A] measured by X-ray diffraction method iLO ~ 10%,
Preferably it is in the range of 0 to 7% S, particularly preferably in the range of 0 to 5%.
本発明で１戴 また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａコく
エチレンと、上記式［Ｉ］または［ｒ’］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜５（１ｇ
／Ｈの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合し
てなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基
板を形成することが好ましい。In the present invention, a cyclic olefin random copolymer having a softening temperature (TMA) of 70°C or higher as described above [
A copolymer of ethylene and a cyclic olefin represented by the above formula [I] or [r'], which has an intrinsic viscosity [V] of 0.05 to 5 ( 1g
It is preferable to form the substrate from a cyclic olefin random copolymer composition blended with a cyclic olefin random copolymer [B] which is in the range of /H and has a softening temperature (TMA) of less than 70°C. .
上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で１エチレンに由
来する繰り返し単位（ａ） ｉｌ ６０〜９８モル％
、好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、
また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は
２〜４０モル覧 好ましくは５〜４０モル％の範囲で存
在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）お
よび該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）
ｊＬ ランダムに実質上線状に配列している。なお、
エチレン組成および環状オレフィン組成は”Ｃ−ＮＭＲ
によって測定し島 この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有し
ていないこと（戴 該共重合体が１３５℃のデカリン中
に完全に溶解することによって確認できる。Repeating unit derived from 1 ethylene in the cyclic olefin random copolymer [B] having a softening point (TMA) of less than 70°C as described above (a) il 60 to 98 mol%
, preferably in the range of 60 to 98 mol%,
Further, the repeating unit (b) derived from the cyclic olefin is present in a range of 2 to 40 mol%, preferably 5 to 40 mol%, and the repeating unit (a) derived from ethylene and the repeating unit derived from the cyclic olefin Unit (b)
jL Randomly arranged substantially linearly. In addition,
Ethylene composition and cyclic olefin composition are determined by "C-NMR
The cyclic olefin random copolymer [B] is substantially linear and does not have a gel-like crosslinked structure (the copolymer is completely dissolved in decalin at 135°C). It can be confirmed by
このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコミ ０
．０５〜５ａ／ｇ、 好ましくは０．０８〜３ａ／ｇ
の範囲にある。The intrinsic viscosity of such a cyclic olefin random copolymer [B] measured in decalin at 135°C [η Komi 0
．． 05-5a/g, preferably 0.08-3a/g
within the range of
また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ） ｌｊ ７０℃未糞 好ましくは一１０〜６０
℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら
＆ミ 該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）↓戴 通常−３０〜６０℃、好ま
しくは一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。In addition, the softening temperature (T
MA) lj 70℃, un-feces, preferably -10-60
℃, more preferably in the range of 10 to 55℃. Sara & Mi The glass transition temperature (Tg) of the cyclic olefin random copolymer [B] ↓ is usually in the range of -30 to 60°C, preferably in the range of -20 to 50°C.
また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度叫０〜１０％、
好ましくは０〜７％Ｓ とくに好ましくは０〜５％の
範囲である。In addition, the crystallinity of this cyclic olefin random copolymer [B] measured by X-ray diffraction method is 0 to 10%,
Preferably it is in the range of 0 to 7% S, particularly preferably in the range of 0 to 5%.
本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用し蔦る場合に１＆ 該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレ
フィン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０
．１〜１００／１０、好ましくは１００１０．３〜１０
０／７、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５
の範囲であることが望ましい。 ［Ｂ］酸成分この範囲
で［Ａ］酸成分配合することによって基板自体の優れた
透明性と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反
射膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場
合に比べさらに向上するとし１う効果があり、 ［Ａ］
と［Ｂコとのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィ
ンランダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用
いる反射膜との優れた密着性は高激 高湿条件下放置後
においてさえも変化がないという特性を有している。In the present invention, when the cyclic olefin random copolymer [A] and [B] are used as the substrate, 1 & the cyclic olefin random copolymer [A]/the cyclic olefin random copolymer [B] The weight ratio of is 10010
．． 1 to 100/10, preferably 10010.3 to 10
0/7, particularly preferably 10010.5 to 10015
It is desirable that it be within the range of . [B] Acid component By blending the [A] acid component within this range, the adhesion to the reflective film used in the present invention can be maintained under harsh conditions while maintaining the excellent transparency and surface smoothness of the substrate itself. [A] It has the effect of further improving it compared to the case where only the acid component is used, [A]
If the above-mentioned cyclic olefin random copolymer composition consisting of a blend of It has the characteristic that there is no
本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ１１Ｌ 特開昭６０−１６８
７０８号公私 特開昭６１−１２０８１６号公転 特開
昭６１−１１５９１２号公転 特開昭６１−１１５９１
６号公転 特開昭６２−２５２４０６号公転 特開昭６
２−２５２４０７号公転 特開昭６１−２７１３０８号
公転 特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。The above-mentioned cyclic olefin copolymers [A] and [B11L constituting the substrate in the present invention JP-A-60-168
No. 708 Public/Private Public/Private JP-A-61-120816 Revolution JP-A-61-115912-A JP-A-61-11591
6 revolution JP-A-62-252406 revolution JP-A-6
It can be manufactured by appropriately selecting conditions according to the method proposed by the applicant in JP-A No. 2-252407, JP-A-61-271308, and JP-A-61-272216.
このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［Ｉ°］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎｌまたは
［ｎ ’］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるカー 一部の構成単位（ｂ）が開環重合
によって結合している場合もあり、また必要に応じて水
素添加することも可能である。In such a cyclic olefin random copolymer, the structural unit (b) derived from the cyclic olefin represented by the above formula [I] or [I°] is represented by the following formula [nl or [n']. Some of the structural units (b), which are thought to form the repeating units of the structure, may be bonded together by ring-opening polymerization, and hydrogenation may be performed as necessary.
・・・［ｎｌ
（式［ｎｌ中、ｒｎ、ｎおよびＲ１−Ｒ１−は前記式［
Ｉ］における定義と同様である。）
（式［■°］中、ｐ、 ９％ ｒおよびＲｌ 〜Ｒ
ｌ ６は前記式［工°］における定義と同様である。）
本発明に係る光磁気記録媒体の基板として１戴前述した
とおり、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム
共重合体のほか＆−同種または異種の環状オレフィン単
量体を開環して得られる環状オレフィン開環重合弧 開
環共重合体またはそれらの水素添加物を用いることもで
きる。このような環状オレフィン開環重合爪 開環共重
合体およびこれらの水素添加物について、前記式［１１
で表される環状オレフィンを例にして説明すると、以下
に記載するように反応して開環共重合体およびこれらの
水素添加物を構成していると考えられる。...[nl (In the formula [nl, rn, n and R1-R1- are the above formula [
It is the same as the definition in [I]. ) (In the formula [■°], p, 9% r and Rl ~ R
l 6 is the same as the definition in the above formula [Equation]. )
As described above, as a substrate for the magneto-optical recording medium according to the present invention, in addition to the above-mentioned random copolymer of ethylene and cyclic olefin, a cyclic copolymer obtained by ring-opening the same or different cyclic olefin monomers is used. Olefin ring-opening polymerization arc Ring-opening copolymers or hydrogenated products thereof can also be used. Regarding such cyclic olefin ring-opening polymerized copolymers and hydrogenated products thereof, the formula [11
Taking the cyclic olefin represented by as an example, it is thought that it reacts as described below to form a ring-opened copolymer and a hydrogenated product thereof.
［ｎ’コ
↓水素添加
↓開環
このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合弧 及
びその水素添加物をあげることができる。Examples of such polymers include ring-opening copolymerization arcs of tetracyclododecene and norbornene and their derivatives, and hydrogenated products thereof.
なお、本発明においては上記のような開環重合体 開環
共重合倣 これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
次 上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水執 および不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率檄 通常は５０〜１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物６戴 所望の変性
率になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合し
てグラフト重合させて製造することもできるし 予め高
変性率の変性物を調製し 次いでこの変性物と未変性の
環状オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造
することができる。In addition, in the present invention, a part of the above-mentioned ring-opening polymer, ring-opening copolymer imitator, these hydrogenated substances, and the cyclic olefin random copolymer is modified with an unsaturated carboxylic acid such as maleic anhydride. It's okay. Such modified products can be produced by reacting the above-mentioned cyclic olefin resin with unsaturated carboxylic acids, their anhydrides, and derivatives such as alkyl esters of unsaturated carboxylic acids. In this case, the content of structural units derived from the modifier in the modified cyclic olefin resin is usually 50 to 10 mol%. Such modified cyclic olefin resins can be produced by blending a modifier with the cyclic olefin resin and graft polymerizing it to a desired modification rate, or by preparing a modified product with a high modification rate in advance. It can also be produced by subsequently mixing this modified product with an unmodified cyclic olefin resin.
本発明において、上記の開環重合弧 開環共重合弧 こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物＋Ｌ 単独で、あるいは組み
合わせて使用することができる。In the present invention, the above-mentioned ring-opening polymerization arc, ring-opening copolymerization arc, these hydrogenated products, cyclic olefin random copolymers, and modified products thereof +L can be used alone or in combination.
さらく 本発明において唄 上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［１″］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとしてｉｌ たとえ６戯
シクロブテン、
シクロペンテン、
シクロヘキセン、
３．４−ジメチルシクロヘキセン、
３−メチルシクロヘキセン、
２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、 ７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン、
３ａ、 ５．６．７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよう
な他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて
使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用い
られる。In the present invention, when producing the above-mentioned cyclic olefin random copolymer, the cyclic olefin-based random copolymer represented by the formula [I] or [1''] may be Cyclic olefins other than olefins can also be polymerized. Examples of such cyclic olefins include 6-cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, 3,4-dimethylcyclohexene, 3-methylcyclohexene, 2-(2-methylbutyl)-1- cyclohexene, 2,
3.3a, 7a-tetrahydro-4,7-methano-I
Examples include H-indene, 3a, 5.6.7a-tetrahydro-4,7-methano-IH-indene, and the like. Such other cyclic olefins can be used alone or in combination, and are usually used in an amount of 0 to 50 mol%.
また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に（戴上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他へ 衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定舷 耐候安定剋 帯
電防止前 スリップ舷 アンチブロッキング剋 防曇舷
滑剋 染粍 顔粍天然派 合成法 ワックスなどを配
合することができ、その配合割合は適宜量である。たと
えｃ戴任意成分として配合される安定剤として具体的に
は テトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタン
、β−（３，５−ジー七−プチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオン酸アルキルエステル、２，２°−オキ
ザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）コプロビオネートなどのフェノ
ール系酸化防止舷 ステアリン酸亜銖 ステアリン酸カ
ルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カルシウムな
どの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレート、グリ
セリンモノラウレート、グリセリンジステアレート、ペ
ンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリ
トールジステアレート、ペンタエリスリトールトリステ
アレート等の多価アルコールの脂肪酸エステルなどを挙
げることができる。これらは単独で配合してもよいカー
組み合わせて配合してもよく、たとえ１戯 テトラキ
ス［メチレン−３（３゜５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネートコメタンとステアリン
酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組合せ等
を例示することができる。Further, on the substrate of the magneto-optical recording medium according to the present invention (the above [A
] and [B] Acid components, etc. Rubber components are added to improve impact strength, heat-resistant stability, weather resistance, stability, anti-static, anti-slip, anti-blocking, anti-fog, sliding, dyeing, natural synthesis method. Wax etc. can be blended, and the blending ratio is appropriate. Specifically, stabilizers that may be added as optional ingredients include tetrakis[methylene-3(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate comethane, β-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate comethane, 7-butyl-4-hydroxyphenyl)propionic acid alkyl ester, 2,2°-oxamidobis[ethyl-3(3,5-di-t-butyl-4
Phenolic antioxidants such as -hydroxyphenyl) coprobionate, stearic acid, fatty acid metal salts such as calcium stearate, calcium 12-hydroxystearate, glycerin monostearate, glycerin monolaurate, glycerin distearate, pentaerythritol mono Examples include fatty acid esters of polyhydric alcohols such as stearate, pentaerythritol distearate, and pentaerythritol tristearate. These may be blended alone, or may be blended in combination. Examples include combinations with glycerin monostearate and glycerin monostearate.
本発明では特へ フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。In the present invention, it is particularly preferable to use a phenolic antioxidant and a fatty acid ester of a polyhydric alcohol in combination. Polyhydric alcohol fatty acid esters are preferred.
このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして檄
具体的に鷹 グリセリンモノステアレート、グリセリン
モノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリセ
リンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、グ
リセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル、
ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラウ
レート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリト
ールの脂肪酸エステルが用いられる。Such as fatty acid ester of polyhydric alcohol
Specifically, glycerin fatty acid esters such as glycerin monostearate, glycerin monolaurate, glycerin monomyristate, glycerin monopalmitate, glycerin distearate, and glycerin dilaurate,
Fatty acid esters of pentaerythritol such as pentaerythritol monostearate, pentaerythritol monolaurate, pentaerythritol dilaurate, pentaerythritol distearate, and pentaerythritol tristearate are used.
このようなフェノール系酸化防止剤＋４ 前記［Ａ］
酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して
０〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましく
は０〜２重量部の量で用いら瓢 また多価アルコールの
脂肪酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重
量１００重量部に対して０〜１０重量凱 好ましくは０
〜５重量部の量で用いられる。Such phenolic antioxidant +4 [A]
The fatty acid ester of the polyhydric alcohol is used in an amount of 0 to 10 parts by weight, preferably 0 to 5 parts by weight, and more preferably 0 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total weight of the acid component and [B] acid component. 0 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the total weight of [A] acid component and [B] acid component, preferably 0
Used in an amount of ~5 parts by weight.
本発明に係る光磁気記録媒体の基板に１戴 本発明の目
的を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、
酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン
、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭
酸マグネシウム、 ドロマイト、硫酸カルシウム、チタ
ン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タル
ク、クレーマイカ、アスベスト、ガラス縁縁 ガラスフ
レーク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロ
ナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉
、硫化モリブデン、ボロン繊組炭化’ｒイ素繊糺 ポリ
エチレン縁縁 ポリプロピレン繊紙 ポリエステル繊紙
ポリアミド繊維等の充填剤を配合してもよい。1 on the substrate of the magneto-optical recording medium according to the present invention Silica, diatomaceous earth, alumina,
Titanium oxide, magnesium oxide, pumice powder, pumice balloon, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, basic magnesium carbonate, dolomite, calcium sulfate, potassium titanate, barium sulfate, calcium sulfite, talc, clay mica, asbestos, glass rim glass Flakes, glass peas, calcium silicate, montmorillonite, bentonite, graphite, aluminum powder, molybdenum sulfide, boron fibers, carbonized silicon fibers, polyethylene edges, polypropylene fibers, polyester fibers, polyamide fibers, and other fillers. Good too.
本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないカー
ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレートなどを基
板として用いた光磁気記録媒体と比較して、記録感度が
優れている。またこの環状オレフィン系ランダム共重合
体または該共重合体を含む組成物からなる基板と記録層
積層体とは密着性に優れており、したがって記録膜は長
期安定性に優れるとともに記録膜の酸化が効果的に防止
される。したがってこの環状オレフィン系ランダム共重
合体からなる基板上に記録膜を積層してなる光記録媒体
１戴 記録感度に優へ また耐久性および長期安定性に
も優れている。また本発明に係る光記録媒体は反りがな
く割れが生ずることがない。In the present invention, when the above-mentioned cyclic olefin random copolymer or cyclic olefin random copolymer composition is used as a substrate, the cyclic olefin random copolymer composition is
It has superior recording sensitivity compared to magneto-optical recording media that use polycarbonate, poly(meth)acrylate, or the like as a substrate. In addition, the substrate made of this cyclic olefin random copolymer or a composition containing this copolymer and the recording layer laminate have excellent adhesion, and therefore the recording film has excellent long-term stability and is resistant to oxidation. effectively prevented. Therefore, the optical recording medium 1, which has a recording film laminated on a substrate made of this cyclic olefin random copolymer, has excellent recording sensitivity and is also excellent in durability and long-term stability. Furthermore, the optical recording medium according to the present invention is free from warpage and cracks.
このような基板１の厚みは特に限定されないカー好マＬ
＜ｌｉｏ、５〜５．特に好ましくは１〜２−である。The thickness of such a substrate 1 is not particularly limited.
<lio, 5-5. Particularly preferably 1-2-.
保」１勝
本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
１ｆ、ＳｉＮ、、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ。Protective film 2 used in magneto-optical recording medium 10 according to the present invention
1f, SiN, , ZnS, Zn5e, CdS.
Ｓｉ１ ＡｆｆＮなどで示される組成の膜から形成され
ており、このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。It is formed from a film having a composition such as Si1AffN, and among these, SiN film is particularly preferable.
ＳｉＮ、で示される保護膜で＋ＬＯ＜ｘ≦４７３である
ことが好ましく、具体的に１Ｌｓｉ３Ｎ、（四窒化三ケ
イ素）などの窒化ケイ素膜あるいはＯ〈ｘ ＜ ４／３
となるようにＳｉ、Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が特
に好ましく用いられる。このようなＳｉＮ、で示される
保護膜哄 たとえばターゲットとして、 Ｓｔ、Ｎ、ま
たＩ礼 Ｓｉ３Ｎ４とＳｉとを用いて、スパッタリング
法により成膜することができる。このようなＳｉＮｘか
らなる保護ＩＸ２ Ｉｆ、 通常２．０以上の屈折率
を有していることが好ましく、後述する光磁気記録膜３
を酸化などから保護する働き、あるいは光磁気記録膜の
記録特性を高めるエンハンス膜としての働き、あるいは
その両方の働きをしている。またＳ ｉＮＸ Ｃｏ＜ｘ
≦４／３）からなる保護膜哄 特に耐クラツク性に優れ
ている。It is preferable that +LO<x≦473 with a protective film represented by SiN, and specifically a silicon nitride film such as 1Lsi3N (trisilicon tetranitride) or O<x<4/3.
A mixed film in which Si, N, and Si are mixed so that the following is particularly preferably used is used. Such a protective film made of SiN can be formed by sputtering using, for example, St, N, or Si3N4 and Si as targets. It is preferable that the protection IX2 If made of such SiNx has a refractive index of 2.0 or more, and is suitable for the magneto-optical recording film 3 described later.
It functions to protect the magneto-optical recording film from oxidation, or it functions as an enhancement film that improves the recording characteristics of the magneto-optical recording film, or it functions as both. Also, S iNX Co<x
≦4/3) Particularly excellent in crack resistance.
本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００Ａ
、好ましくは８００〜１５００人程度であることが望ま
しい。In the present invention, the thickness of the protective film 2 is 500 to 2000A.
, preferably about 800 to 1,500 people.
本発明においてＧ４ 保護膜の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワ
ーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる
。In the present invention, by setting the thickness of the G4 protective film within the above range, a magneto-optical recording medium having a good C/N ratio and a wide recording power margin can be obtained.
光碧］１艶隨易
光磁気記録膜３Ｌ（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、 （ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなるが、あるいは（ｉ）３ｄ遷移
金属から選ばれる少なくとも１種と、 （ｉｉ）耐腐食
性金属と、 （１ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも
１種の元素とがらなっている。3L (i) at least one element selected from 3d transition metals; and (iii) at least one element selected from rare earths, or (i) 3d transition metals. (ii) a corrosion-resistant metal; and (1ii) at least one element selected from rare earths.
このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、 （ｉｉ）耐腐食性金属と、 （ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。Among these, (i) at least one selected from 3d transition metals;
A magneto-optical recording film comprising at least one element selected from (ii) a corrosion-resistant metal, and (iii) a rare earth element is preferred.
（ｉ）３ｄ遷移金属として１４ Ｆｅ、 Ｃｏ５Ｔ
ｉ、Ｖ、 Ｃｒ、ＭｎＳ Ｎｉ、 ＣｕＳ Ｚｎな
どが用いられる力τ、このうちＦｅまたはＣＯあるいは
この両者であることが好ましい。(i) 14 Fe, Co5T as 3d transition metals
i, V, Cr, MnS Ni, CuS Zn, etc. are used, among which Fe and/or CO are preferred.
この３ｄ遷移金属代 光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０Ｗ、千％、より好ましくは３０〜８５原子％、と
くに好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。This 3d transition metal content is preferably 20% in the magneto-optical recording film.
~90W, present in an amount of 1,000%, more preferably 30-85 atom%, particularly preferably 35-80 atom%.
（ｉｉ）耐腐食性金属法 光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としてＧ３ Ｐｔ％
ＰｄＳ ＴｉＳ Ｚｒ、ＴａＳ Ｎｂなどが用いられ
るカー このうちＰｔ、ＰｄＳ Ｔｉが好ましく、とく
にＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることが好まし
い。(ii) Corrosion-resistant metal method By including it in the magneto-optical recording film, the oxidation resistance of the magneto-optical recording film can be improved. G3 Pt% as such corrosion resistant metal
Cars using PdS TiS Zr, TaS Nb, etc. Among these, Pt and PdS Ti are preferred, and Pt, Pd, or both are particularly preferred.
この耐腐食性金属法 光磁気記録膜中Ｅ、 ３０原子
％以下、好ましくは５〜２５ｆｆ千覧 とくには１０〜
２５原子覧 さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で
存在している。In this corrosion-resistant metal method, E in the magneto-optical recording film is 30 at % or less, preferably 5 to 25 ff, especially 10 to 25 ff.
25 atomic list More preferably present in an amount of 10 to 20 atomic %.
希土類元素として憾 下記のような元素が挙げられる。Examples of rare earth elements include the following elements.
ＧｄＳ Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、 Ｔｍ
、 Ｙｂ。GdS Tb, Dy, Ho, Er, Tm
, Yb.
ＬｕＳ Ｌａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ、 Ｐ
ｍ、 Ｓｍ。LuS La, Ce, Pr, Nd, P
m, Sm.
ｕ
このうちＧｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｎ
ｄ、 Ｓｍ、。u Among these, Gd, Tb, Dy, Ho, N
d, Sm,.
Ｐｒが好ましく用いられる。Pr is preferably used.
上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素屯 光磁気記録膜中く 好ましくは５〜５０原子覧
さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０
〜４０ｙＫ子％の量で存在している。At least one rare earth element selected from the above group, preferably 5 to 50 atoms in the magneto-optical recording film.
More preferably 8 to 45 at%, particularly preferably 10
It is present in an amount of ~40yK%.
本発明では、光磁気記録膜力τ、特へ 下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。In the present invention, it is preferable that the magneto-optical recording film force τ has a composition as described below.
（ｉ）３ｄ遷移元素
本発明に係る光磁気記録膜中にＩＬ（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏ哄４Ｏｆｆ子％
以上８０原子％以下、好ましくは４０原子％以上７５ｙ
！、子％未鳳 さらに好ましくは４０原子％以上５９［
子％以下の量で存在していることが望ましい。(i) 3d transition element The magneto-optical recording film according to the present invention preferably contains Fe and/or Co as the IL(i) 3d transition element, and Fe and/or Co 4 Off-coupled %
80 atomic% or less, preferably 40 atomic% or more 75y
! , child % Wei Feng More preferably 40 atomic % or more 59[
It is desirable that the amount is less than %.
さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ
） 比［ＪＪＦ［子比］が０以上０．３以下、好ましく
は０以上０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０
．２以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在して
いることが望ましい。Furthermore, Fe and/or Co are Co/(Fe+Co
) ratio [JJF [child ratio] is 0 or more and 0.3 or less, preferably 0 or more and 0.2 or less, more preferably 0.01 or more and 0
．． It is desirable that the amount is 2 or less in the magneto-optical recording film.
Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％以上で８０Ｗ
、子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優へかつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。80W when the amount of Fe and/or Co is 40 at% or more
, % or less has the advantage that a magneto-optical recording film with excellent oxidation resistance and an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface can be obtained.
ところで光磁気記録膜中く ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めらへ その
緒ｉＬ Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度
を調整することができ、しかもＣＯの添加により、再生
信号のキャリアレベルを増加することができる。本発明
に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比ノ点
カラＣｏ／ （Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比コは０以上０．
３以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましく
は０．０１以上０．２以下であることが望ましい。By the way, when CO is added to the magneto-optical recording film, (a)
It was observed that the Curie point of the magneto-optical recording film increases and the Kerr rotation angle (θk) increases.In addition, the recording sensitivity of the magneto-optical recording film can be adjusted by changing the amount of iL Co added. Moreover, by adding CO, the carrier level of the reproduced signal can be increased. In the magneto-optical recording film according to the present invention, noise level, C/N ratio and Co/(Fe+Co) ratio [atomic ratio Co is 0 to 0.
It is desirable that it be 3 or less, preferably 0 or more and 0.2 or less, more preferably 0.01 or more and 0.2 or less.
このような本発明に用いる光磁気記録膜檄 記録および
消去を繰り返し行なっても、膜装置が生ずることはない
。たとえば本発明に係るｐ ｔ、、Ｔ ｂ２．Ｆ ｅ、
、Ｃｏ、なる組成を有する光ａ気記録膜檄 １０万回の
記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は
認められない。Even if recording and erasing are repeated in the magneto-optical recording film used in the present invention, no film formation occurs. For example, p t, , T b2. according to the present invention. Fe,
, Co. Even after repeated recording and erasing of 100,000 times, no decrease in the C/N ratio was observed.
（１１）耐腐食性金属
本発明に用いる光磁気記録膜中にｊＬ （ｉｉ）耐腐
食性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこ
の両者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰｄ哄 光
磁気記録膜中に５〜３０ｍ子％、好ましくは１０原子％
を超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０Ｊｌ［
子％を超えて２０ｆｆｉ子％未鳳 最も好ましくは１１
原子％以上１９原子％以下の量で存在していることが望
ましい。(11) Corrosion-resistant metal The magneto-optical recording film used in the present invention preferably contains Pt and/or Pd as the (ii) corrosion-resistant metal, and the magneto-optical recording film uses Pt and/or Pd. 5 to 30 atomic %, preferably 10 atomic % in the film
more than 30 atomic %, more preferably 10 Jl [
child% more than 20ffi child% weifeng most preferably 11
It is desirable that the content be in an amount of atomic percent or more and 19 atom % or less.
光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以ム 特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に便法 長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。If the amount of Pt and/or Pd in the magneto-optical recording film is 5 atomic % or more, especially if it exceeds 10 atomic %, it will affect the oxidation resistance of the magneto-optical recording film. Pitting corrosion will occur even after long-term use. It has the advantage that the C/N ratio does not deteriorate.
たとえばＰｔｌ＠Ｔｂ２＠Ｆｅ５ｓＣＯ＠あるいはＰ
ｄ＋ａＴ ｂａ＠Ｆ ｅｉ＊ｃ ｏｖで示される組成を
有する本発明に係る光磁気記録膜檄 相対湿度８５％、
８０℃の環境下に１０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は
全く変化しない。これに対してｐｔまたはＰｄを含まな
いＴ ｔ）ａｓＦ ｅａ＠Ｃ０７で示される組成を有す
る光磁気記録膜中 相対湿度８５％、８０℃の環境下に
１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。For example, Ptl@Tb2@Fe5sCO@ or P
Magneto-optical recording film according to the present invention having a composition represented by d+aT ba@Fei*c ov Relative humidity 85%,
The C/N ratio does not change at all even if it is kept in an environment of 80° C. for 1000 hours. On the other hand, when a magneto-optical recording film containing no pt or Pd and having a composition shown by T t)asF ea@C07 is kept in an environment of 85% relative humidity and 80°C for 1000 hours, the C/N ratio becomes large. descend.
また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際へ 小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、し
かもマグネットからの発熱も押えることができるため、
光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素
化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充分
に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能
な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。In addition, by adding pt and/or Pd to the magneto-optical recording film in an amount within the above range, a small bias magnetic field can be used to record or read information from the magneto-optical recording film. C/N ratio is obtained. If a sufficiently high C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, the magnet for generating the bias magnetic field can be made smaller, and heat generation from the magnet can also be suppressed.
A drive device for an optical disk having a magneto-optical recording film can be simplified. Moreover, since a sufficiently large C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, it becomes easy to design a magnet for magnetic field modulation recording that can be overridden.
（１ｉｉ）希土類元素（ＲＥ）
本発明に係る光磁気記録膜中にミ 希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素とじてｊＬ ＮｄＳ
Ｓｍ、 Ｐｒ、 Ｃｅ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、
Ｔｂ。(1ii) Rare earth element (RE) Rare earth element (RE) in the magneto-optical recording film according to the present invention.
This rare earth element contains jL NdS.
Sm, Pr, Ce, Eu, Gd,
Tb.
ＤｙまたはＨＯが用いられる。Dy or HO is used.
これらの中でＩｔ、 Ｎｄ５Ｐｒ１Ｇｄ、 Ｔｂ。Among these, It, Nd5Pr1Gd, and Tb.
Ｄｙが好ましく用いら瓢 特にＴｂが好ましい。Dy is preferably used, and Tb is particularly preferred.
また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。Further, two or more kinds of rare earth elements may be used in combination, and in this case, it is preferable that Tb is contained in an amount of 50 at % or more of the rare earth elements.
この希土類元素６戴 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
もった光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ十Ｆｅ＋
Ｃｏ）比［原子比］をＸで表わした場合！、 ０．１
５≦Ｉ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４で
あるような量で光磁気記録膜中に存在していることが望
ましい。From the point of view of obtaining opto-magnetism with the axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface, this rare earth element 6
Co) When the ratio [atomic ratio] is expressed as X! , 0.1
It is desirable that it be present in the magneto-optical recording film in an amount such that 5≦I≦0.45, preferably 0.20≦X≦0.4.
本発明において６戴 光磁気記録膜に種々の元素を少量
添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅ
やカー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ること
もできる。これらの元素＋Ｌ 記録膜を構成する全原
子数に対してたとえば１ｏ原子％未溝の割合で用いるこ
とができる。In the present invention, small amounts of various elements are added to the magneto-optical recording film to adjust the Curie temperature, compensation temperature, or coercive force (He).
It is also possible to improve the Kerr rotation angle θ or reduce costs. These elements +L can be used in a proportion of, for example, 10 atom % of the total number of atoms constituting the recording film.
併用できる他の元素の例としてｊＬ 以下のような元
素が挙げられる。Examples of other elements that can be used in combination include the following elements.
（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素
具体的に＋１ Ｓｃ、 Ｔｉ５Ｖ、 Ｃｒ、
Ｍｎ。(1) 3d transition elements other than Fe and Co, specifically +1 Sc, Ti5V, Cr,
Mn.
Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｚｎが用いられる。Ni, Cu, and Zn are used.
これらのうち、Ｔ ｉｓ Ｎ ｓＳＣｕＳＺ ｎなど
が好ましく用いられる。Among these, T is N sSCuSZ n and the like are preferably used.
（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素
具体的に＋Ｌ ＹＳＺｒ、 Ｎｂ、 Ｍｏ、Ｔｃ
。(n) 4d transition elements other than Pd, specifically +L YSZr, Nb, Mo, Tc
.
Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。Ru, Rh, Ag, and Cd are used.
このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。Among these, Zr and Nb are preferably used.
（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素
具体的ニＩＩ Ｈｆ、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｒｅ、
Ｏ５、Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。(m) 5d transition elements other than Pt Specific II Hf, Ta, W, Re,
O5, Ir, Au, and Hg are used.
このうちＴａが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.
（ｒｖ）ｍＢ族元素
具体的に１１ Ｂ、 ＡＱ、 Ｇａ、 Ｉｎ、
ＴＱが用いられる。(rv) mB group elements specifically 11 B, AQ, Ga, In,
TQ is used.
このうちＢ、ＡＱ、Ｇａが好ましく用いられる。Among these, B, AQ, and Ga are preferably used.
（ｖ）ｒｖＢ族元素
具体的に＋Ｉ Ｃ，ＳｔＳ Ｇｅ、ＳｎＳ Ｐｂが用
いられる。(v) rvB group element Specifically, +IC, StS Ge, and SnS Pb are used.
このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いられ
る。Among these, Si, Ge, Sn, and Pb are preferably used.
（Ｖｌ）ＶＢ族元素
具体的に１戴 Ｎ、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｓｂ、
Ｂｉが用ν）られる。(Vl) VB group elements: 1 N, P, As, Sb,
Bi is used ν).
このうちｓｂが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.
（ｗ）ＶＢ族元素 具体的に１ ＳＳ Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用し）られる。(w) VB group element Specifically, 1SS (Se, Te, Po) is used.
このうちＴｅが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.
上記のような組成を有する光磁気記録可能 膜面に垂直
な磁化容易軸を有し 多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となることカー 広角Ｘ線回折などにより確か
められる。Magneto-optical recording is possible with the above composition.The amorphous thin film has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and is capable of perpendicular magnetic and magneto-optical recording, often exhibiting a rectangular loop with good Kerr hysteresis. This can be confirmed by wide-angle X-ray diffraction.
なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと１３ 最大外部磁場におけるカー回
転角である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロに
おけるカー回転角である残留カー回転角（θに２）との
比θに２／θｋｌ が０．８以上であることを意味して
いる。In this specification, if Kerr hysteresis shows a good rectangular loop, 13 the saturated Kerr rotation angle (+ in θ) is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and the residual Kerr rotation angle is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. (θ to 2) means that the ratio θ to 2/θkl is 0.8 or more.
この光磁気記録膜の膜厚は１００〜１０００人、好まし
くは１００〜６００＾、より好ましくは１００〜４００
人、最も好ましくは１５０〜３００人程度である。The thickness of this magneto-optical recording film is 100 to 1000, preferably 100 to 600, more preferably 100 to 400.
The number of participants is preferably about 150 to 300 people.
久不皇１
本発明に係る光磁気記録媒体１０で＋４ 上記のよう
な光磁気記録膜３上＆ミ ケイ素Ｉ［４が設けられてい
る。Kufuo 1 In the magneto-optical recording medium 10 according to the present invention, +4 on the magneto-optical recording film 3 and silicon I[4 as described above is provided.
このケイ素膜４代 たとえばＳｉをターゲットとして用
いてスパッタリング法により形成することができる。This silicon film can be formed by sputtering using Si as a target, for example.
このようなケイ素膜４鷹 通常２．０以上の屈折率を有
しており、光磁気記録膜３を酸化などから保護する働き
、あるいは光磁気記録膜の記録特性を高めるエンハンス
膜としての働き、あるいはその両方の働きをしている。Such a silicon film usually has a refractive index of 2.0 or more, and functions to protect the magneto-optical recording film 3 from oxidation, or as an enhancement film that improves the recording characteristics of the magneto-optical recording film. Or it works as both.
本発明において、ケイ素膜４の膜厚は１００〜８００人
、好ましくは１００〜５００人程度であることが望まし
い。In the present invention, the thickness of the silicon film 4 is preferably about 100 to 800, preferably about 100 to 500.
本発明において憾 ケイ素膜４の膜厚を上記のような範
囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワ
ーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる
。In the present invention, by setting the thickness of the silicon film 4 within the above range, a magneto-optical recording medium having a good C/N ratio and a wide recording power margin can be obtained.
アルミニウム合金
本発明に係る光磁気記録媒体１０で１戴 上記のような
ケイ素膜４上番ミ アルミニウム合金膜５が設けられ
ている。Aluminum alloy In the magneto-optical recording medium 10 according to the present invention, an aluminum alloy film 5 is provided on top of the silicon film 4 as described above.
このアルミニウム合金膜５１＆ アルミニウムと、ア
ルミニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成さ
れている。This aluminum alloy film 51 is composed of aluminum and at least one element other than aluminum.
このようなアルミニウム合金として告 具体的には以下
のようなものが例示できる。Specific examples of such aluminum alloys include the following.
Ａｎ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
９−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＩ
＋−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原千％）、Ａｎ
−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ１１
−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｇ−
Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原千％）、Ａ１１−Ｔ
ｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｓ −Ｔ
１−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５ｙ！、子％、Ｎ
ｂ含有量０．１〜５原子％）、
ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｈｆ合
金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子覧 Ｈｆ含有量０．１〜
１０厘子％）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．
１〜５原子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０遼千％）、Ａｎ
−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量ｏ、 ｉ 〜ｓ Ｍ子％
Ｓ Ｚｒ含有量０．１〜１０ｆｆｉ子％）、Ａｌ１−Ｔ
ｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子％％ Ｎｂ含
有量０．１〜５原千％）、ＡＱ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量
０．１〜１０厘子％）、ＡＭ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０
．１〜１０７９子％）、Ａｌ１−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ
含有量０．１〜１０ｉ子覧 Ｔｉ含有量０．１〜１０厘
子％）、Ａｇ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１
０Ｊｌ［子覧 Ｃｒ含有量０．１〜１０厘子％）、Ａｎ
−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０．１〜ＩＯ原子％Ｓ
Ｈｆ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ −３ｅ合金（
Ｓｅ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｚｒ合金（Ｚ
ｒ含有量０．１〜１ＯＮ子％）、Ａｆｆ−Ｔａ合金（Ｔ
ａ含有量０．１〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｔａ−Ｈｆ合金
（Ｔａ含有量０．１〜１０厘子％Ｓ Ｈｆ含有量０．１
〜１０厘子％）、ＡＱ−Ｓｉ合金（Ｓｉ含有量０．１〜
１０厘子％）、ＡＱ−Ａｇ合金（Ａｇ含有量０．１〜１
０厘子％）、Ａｎ −Ｐ ｄ合金（Ｐｄ含有量０．１〜
１０Ｊｌｌ［子％）、Ａｌ１−Ｐ を合金（Ｐ ｔｆ有
量０．１〜１０ｆｆ子％）。An-Cr alloy (Cr content 0.1 to 10 at%), A
9-Cu alloy (Cu content 0.1-10 at%), AI
+-Mn alloy (Mn content 0.1-10,000%), An
-Hf alloy (Hf content 0.1-10 at%), A11
-Nb alloy (Nb content 0.1 to 10 at%), Ag-
B alloy (B content 0.1-10,000%), A11-T
i alloy (Ti content 0.1 to 10 at%), As -T
1-Nb alloy (Ti content 0.1~5y!, %, N
b content 0.1 to 5 at%), AQ-Ti-Hf alloy (Ti content 0.1 to 5 at%,
Hf content 0.1-10%), AQ-Cr-Hf alloy (Cr content 0.1-5 atomic list, Hf content 0.1-10%)
10%), AQ-Cr-Ti alloy (Cr content 0.
1 to 5 atomic%, Ti content 0.1 to 10,000%), An
-Cr-Zr alloy (Cr content o, i ~s M%
S Zr content 0.1-10ffi%), Al1-T
i-Nb alloy (Ti content 0.1-5 atomic%, Nb content 0.1-5 atomic%), AQ-Ni alloy (Ni content 0.1-10 atomic%), AM-Mg Alloy (Mg content 0
．． 1-1079%), Al1-Mg-Ti alloy (Mg
Ti content 0.1-10%), Ag-Mg-Cr alloy (Mg content 0.1-1%)
0Jl [Cr content 0.1-10%), An
-Mg-Hf alloy (Mg content 0.1~IO atomic%S
Hf content 0.1-10%), AQ-3e alloy (
Se content 0.1-10%), AQ-Zr alloy (Z
r content 0.1-1ON%), Aff-Ta alloy (T
AQ-Ta-Hf alloy (Ta content 0.1-10% S Hf content 0.1
~10%), AQ-Si alloy (Si content 0.1~
10%), AQ-Ag alloy (Ag content 0.1~1
0%), An-Pd alloy (Pd content 0.1~
10Jll [%), alloyed with Al1-P (Ptf content 0.1-10ff%).
アルミニウム合金として＋Ｌ 特に以下のようなもの
カー 情報記録媒体の線速依存性、耐腐食性の面が優れ
ているので好ましい。As aluminum alloys, the following are particularly preferable because they are excellent in linear velocity dependence and corrosion resistance of information recording media.
ハフニウム０．１〜１０厘子％を含むアルミニウム合金
、
ニオブ０．１〜１０厘子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０．５〜５原子％とハフニウム０．５〜５ｙＫ子％
を合本 チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５
原子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５原子
％とチタン０．１〜９． Ｓｉ子％を含駅 クロムとチ
タンの合計含有量が１０原子％以下であるアルミニウム
合金、
クロム０．１〜５原子％とチタン０．１〜９．５Ｊｌｌ
ｆ（子％とハフニウム０．１〜９．５Ｎ子％とを合本
クロムとチタンとハフニウムの合計含有量が１０原子％
以下であるアルミニウム合金、
マグネシウム０．１〜１０厘子％とクロム０．１〜１０
厘子％を含へ マグネシウムとクロムの合計含有量が１
５ＪＪＸ子％以下であるアルミニウム合金、クロム０．
１〜５原子％とハフニウム０．１〜９．５ＪＪＫ 子％
ヲ含ヘ クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子
％以下であるアルミニウム合金、
マグネシウム０．１〜１０Ｗ、子％とハフニウム０．１
〜１０厘子％を合本 マグネシウムとハフニウムの合計
含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、クロ
ム０．１〜５原子％とジルコニウム０．１〜９．５原子
％を合本 クロムとジルコニウムの合計含有量が１ＯＮ
、子％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１〜
１０厘子％とハフニウム０．１〜１０厘子％とを含駅
タンタルとハフニウムの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合金、チタン０．５〜５原子％とニオ
ブ０．５〜５原千％を合本 チタンとニオブの合計含有
量が１〜５．５１子％であるアルミニウム合金、
マグネシウム０．１〜１ｏ原子％とチタン０．１〜１０
Ｊｌ［千％を含へ マグネシウムとチタンの合計含有量
が１５原子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウ
ム０．１〜１０Ｗ子％とチタン０．１〜１ｏ原子％とを
含へ がつマグネシウムとチタンの合計含有量が１５Ｎ
子％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム０．１
〜１ｏ原子％とハフニウム０．１〜１０厘子％とチタン
０．１〜１０Ｗ子％とを含へ かつマグネシウムとハフ
ニウムとチタンの合計含有量が１５原子％以下であるア
ルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１ｏ原子％とハ
フニウム０．１〜１０厘子％とクロム１ｏ原子％以下と
を合本 がっマグネシウムとハフニウムとクロムとの合
計含有量が１５原子％以下であるアルミニウム合金、マ
グネシウム０．１〜１０厘子％とチタン０．１〜１ｏ原
子％とクロム１０原子％以下とを含べ がっマグネシウ
ムとチタンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下で
あるアルミニウム合金、
マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％とチタン０．１〜１０原子％とクロム１０原
子％以下とを含へ かつマグネシウムとハフニウムとチ
タンとクロムとの合計含有量が１５原子％以下であるア
ルミニウム合飢
また上記のようなアルミニウム合金膜哄 それぞれのア
ルミニウム合金膜を構成する金属以外に下記のような金
属（元素）を１種または２種以上含ませることもできる
。このような金属として１４たとえ！戴 チタン（Ｔｉ
）、クロム（Ｃｒ）、シ＋Ｊ＝ｒン（Ｓｉ）、タンタル
（Ｔａ）、鋼（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ
）、バナジウム（Ｖ）などが挙げら瓢 このような他の
金属は通常５ＥＫ子％以下好ましくは２原子％以下の量
で含まれる。 （ただし アルミニウム合金膜に檄上記
に例示するような金属（元素）のうち、既にアルミニウ
ム合金膜に含まれている金属（元素）をさらに上記の量
で重ねて含ませることはないものとする。たとえＥ
アルミニウム合金膜を構成するアルミニウム合金が、上
記したＡｉ＋−Ｔｉ合金、ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合金等であ
る場合に檄 上記の金属（元素）のうちでチタン（Ｔｉ
）がさらに上記のような量で上記アルミニウム合金中に
含まれることはない。）
このようなアルミニウム合金膜５の膜厚哄１００〜５ｏ
ｏｏ人好ましくは５００〜３０００人さらに好ましくは
７００〜２０００八程度であることが望ましい。Aluminum alloy containing 0.1-10 mol% hafnium, aluminum alloy containing 0.1-10 mol% niobium, 0.5-5 atomic% titanium and 0.5-5 yK % hafnium.
The total content of titanium and hafnium is 1 to 5.5.
Aluminum alloy with 0.1-5 atomic % chromium and 0.1-9 atomic % titanium. Aluminum alloy with a total content of chromium and titanium of 10 at% or less, containing 0.1 to 5 at% of chromium and 0.1 to 9.5 at.% of titanium.
f (combination of child% and hafnium 0.1-9.5N child%)
Total content of chromium, titanium and hafnium is 10 at%
Aluminum alloy, which is less than 0.1-10% magnesium and 0.1-10% chromium
The total content of magnesium and chromium is 1%.
Aluminum alloy with less than 5JJX%, chromium 0.
1-5 atomic% and hafnium 0.1-9.5JJK%
Aluminum alloy with a total content of chromium and hafnium of 10 atomic % or less, magnesium 0.1 to 10 W, and hafnium 0.1 atomic %.
~10 t% combined Aluminum alloy with a total content of magnesium and hafnium of 15 atomic % or less, chromium 0.1 to 5 atomic % and zirconium 0.1 to 9.5 atomic % combined Chromium and zirconium The total content of is 1ON
, an aluminum alloy with a tantalum content of less than 0.1%
Contains 10% hafnium and 0.1-10% hafnium.
Aluminum alloy with a total content of tantalum and hafnium of 15 at % or less, a combination of 0.5 to 5 at % titanium and 0.5 to 5 1,000 % niobium. Aluminum alloy which is 51 atomic%, magnesium 0.1~1o atomic% and titanium 0.1~10 atomic%
Jl [including 1,000%] Aluminum alloy with a total content of magnesium and titanium of 15 atomic % or less, containing 0.1 to 10 atomic % of magnesium and 0.1 to 1 atomic % of titanium The total content of is 15N
Aluminum alloy, magnesium 0.1% or less
An aluminum alloy containing ~10 atomic percent, 0.1 to 10 atomic percent hafnium, and 0.1 to 10 atomic percent titanium, and in which the total content of magnesium, hafnium, and titanium is 15 atomic percent or less; An aluminum alloy containing 1 to 1 atomic percent of hafnium, 0.1 to 10 atomic percent of hafnium, and 10 atomic percent or less of chromium, and a magnesium alloy with a total content of 15 atomic percent or less of magnesium, hafnium, and chromium. An aluminum alloy containing 1 to 10 atomic % of titanium, 0.1 to 10 atomic % of titanium, and 10 atomic % or less of chromium, in which the total content of magnesium, titanium, and chromium is 15 atomic % or less; 1-10 atomic% and hafnium 0.1-
10 at% of titanium, 0.1 to 10 at% of titanium, and 10 at% or less of chromium, and the total content of magnesium, hafnium, titanium, and chromium is not more than 15 at%; Aluminum Alloy Film In addition to the metals constituting each aluminum alloy film, one or more of the following metals (elements) may be included. 14 analogies for such metals! Dai Titanium (Ti)
), chromium (Cr), silicon (Si), tantalum (Ta), steel (Cu), tungsten (W), zirconium (Zr), manganese (Mn), magnesium (Mg
), vanadium (V), etc. Such other metals are usually contained in an amount of 5 atomic % or less, preferably 2 atomic % or less. (However, among the metals (elements) exemplified above, the metals (elements) already contained in the aluminum alloy film are not added in the above amount. Parable E
When the aluminum alloy constituting the aluminum alloy film is the above-mentioned Ai+-Ti alloy, AQ-Ti-Hf alloy, etc., titanium (Ti
) is not further contained in the above-mentioned aluminum alloy in the above-mentioned amount. ) The film thickness of such an aluminum alloy film 5 is 100 to 50
The number of people is preferably 500 to 3,000, more preferably 700 to 2,000.
このアルミニウム合金膜５１戴 熱良伝導体層として
の機能を果たしており、このアルミニウム合金膜が存在
することによって光磁気記録層が記録レーザ光によって
過度に高温になることが防止さ瓢 その給気 記録パワ
ーの線速依存性が小さくなると考えられる。This aluminum alloy film 51 functions as a good thermal conductor layer, and the presence of this aluminum alloy film prevents the magneto-optical recording layer from becoming excessively hot due to the recording laser beam. It is thought that the dependence of power on linear velocity becomes smaller.
また本発明におけるアルミニウム合金膜ＩＬ 耐腐食
性に優れているため、長期間使用した後においても、記
録媒体の線速依存性が小さいという特徴を有しており、
記録層に対する保護作用にも優れている。In addition, since the aluminum alloy film IL in the present invention has excellent corrosion resistance, it has the characteristic that the linear velocity dependence of the recording medium is small even after long-term use.
It also has an excellent protective effect on the recording layer.
本発明に係る光磁気記録媒体１０代 基板上く保護膜
光磁気記録層 ケイ素乳 アルミニウム合金膜な、た
とえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子ビー
ム蒸着法などの成膜法を採用して成膜することによって
製造することができる。Magneto-optical recording medium according to the present invention Protective film on substrate Magneto-optical recording layer Silicon milk Aluminum alloy film, formed by a film-forming method such as vacuum evaporation, sputtering or electron beam evaporation. It can be manufactured by
ｉ里二匁１
本発明に係る光磁気記録媒体代 記録パワーの線速依存
性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐
酸化性および記録感度に優れてＩ／）る。The magneto-optical recording medium according to the present invention has a small linear velocity dependence of recording power, a wide recording power margin, and excellent oxidation resistance and recording sensitivity.
［実施例］
以下本発明を実施例によって説明するカζ 本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。[Examples] The present invention will be described below with reference to Examples.The present invention is not limited to these Examples.
ｚｌｊｌ。zljl.
エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４ａ、 ５．８゜下ＤＭＯＮと略記する）の非品性の
共重合体（ＩＩＣ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量
５９モル覧ＤＭＯＮ含量４１モル％５１３５℃デカリン
中で測定した極限粘度［η］が０．４２ｄｌ／ ｇ、
軟化温度（ＴＭＡ）１５４℃）からなる基板上へ 厚
さ１０００人のＳ ｉ３Ｎ、からなる保護膜と、厚さ３
００人のＰｔ、。Ｔｂ２゜Ｆｅｅ。Ｃｏ２からなる光磁
気記録膜とを順次スパッタリング法により積層し この
記録膜上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法に
よって、厚さ２５０人のケイ素層を積層し九 さらく
このケイ素層上にアルミニウムーチタン−ハフニウムの
複合ターゲットを用いてスパッタリング法によって、厚
さ１３００人のＡ ２ ＠６Ｔ ｉ２Ｈｆｔ（Ａｓ含量
９６原子％、Ｔｉ含量２原子％、Ｈｆ含量２原子％）か
らなるアルミニウム合金層を積層したこの光磁気記録媒
体は線速５．７ｍ ／ ｓｅｃにおける最適記録パワー
が５．２ｍＷであり、線速１１．３ｍ ／ｓｅｅにおけ
る最適記録パワーが７．３ｍ Ｗであったまた、 ｆ
＝ ３．７Ｍｋ ｄｕｔｙ３３．３９＆、 線速＝
５．７ｍ ／ｓｅｅにおいて、パワーマージン（Ｐｍ
）は４．２ｍ Ｗであり、Ｃ／Ｎ比は４７．５ｄＢであ
ったなお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ
＝ ＩＭｋ ｄｕｔｙ５０％の書込み信号に対して、
再生信号の２次高調波が最小となる記録パワーのことを
表わｔ−線速による最適記録パワーの差が小さい程線速
依存性が小さい。Ethylene and 1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4
, 4a, 5.8° (hereinafter abbreviated as DMON) (ethylene content measured by IIC-NMR analysis: 59 mol; DMON content: 41 mol%; 5135°C; intrinsic viscosity measured in decalin [η ] is 0.42 dl/g,
A protective film made of Si3N with a thickness of 1000 nm and a thickness of 3
00 Pts,. Tb2°Fee. A magneto-optical recording film made of Co2 is sequentially laminated by a sputtering method, and a silicon layer with a thickness of 250 mm is laminated on this recording film by a sputtering method using a Si target.
By sputtering using an aluminum-titanium-hafnium composite target on this silicon layer, a thickness of 1,300 A 2 @6T i2Hft (As content 96 at%, Ti content 2 at%, Hf content 2 at%) was deposited. This magneto-optical recording medium with laminated aluminum alloy layers had an optimum recording power of 5.2 mW at a linear velocity of 5.7 m/sec, and an optimum recording power of 7.3 mW at a linear velocity of 11.3 m/sec. Also, f
= 3.7Mk duty33.39&, line speed =
At 5.7m/see, the power margin (Pm
) was 4.2 mW, and the C/N ratio was 47.5 dB. In this specification, the optimum recording power is f.
= For a write signal with IMk duty of 50%,
It represents the recording power at which the second harmonic of the reproduced signal is minimum. The smaller the difference in the optimum recording power based on t-linear velocity, the smaller the linear velocity dependence.
また、パワーマージンとＬ Ｃ／ Ｎ Ｍａｘ ３ｄ
Ｂ以上が得られる記録パワーの範囲のことである。Also, power margin and L C/N Max 3d
This is the range of recording power in which B or more can be obtained.
寒差漬」
実施例１と同様の基板上１ 厚さ１０００人の５１１Ｎ
ｊからなる保護膜と、厚さ２６０人のＰ ｔ Ｉ＠Ｔ
ｂ２＠Ｆ ｅｅ＠ＣＯ２からなる光磁気記録膜とを順次
スパッタリング法により積層狐 この記録膜上にＳｉタ
ーゲットを用いてスパッタリング法によって、厚さ１５
０人のケイ素膜を積層しｆ、 さら番ミ このケイ
素層上にアルミニウムーチタン−ハフニウムの複合ター
ゲットを用いてスパッタリング法によって、厚さ１００
０人のＡ ｇ 、、Ｔ ｉ２Ｈｆ。511N on the same substrate as in Example 1, thickness 1000
A protective film consisting of J and a thickness of 260 people P t I@T
A magneto-optical recording film made of b2@Fee@CO2 is sequentially laminated by a sputtering method.
A silicon film with a thickness of 100 mm was deposited on this silicon layer by sputtering using a composite target of aluminum-titanium-hafnium.
0 A g ,, T i2Hf.
（ＡＱ含量９６原子％、Ｔｉ含量２ｙ！、子％、Ｈｆ含
量２原子％）からなるアルミニウム合金層を積層したこ
の光磁気記録媒体は線速５．７ｍ ／ ｓｅｃにおける
最適記録パワーが４．７ｍＷであり、線速１１．３ｍ／
ｓｅｃにおける最適記録パワーが６．６ｍ Ｗであった
また、 ｆ ＝ ３．７ＭＨｚ、 ｄｕｔｙ３３．３
％、線速＝ ５．７ｍ ／ｓｅｃにおいて、パワーマー
ジン（Ｐｍ）は３．５ｍ Ｗであり、Ｃ／Ｎ比は４７．
３ｄＢであうｔ４(AQ content: 96 at.%, Ti content: 2y!, Ti content: 2y!, Hf content: 2 at.%) This magneto-optical recording medium has an optimum recording power of 4.7 mW at a linear velocity of 5.7 m/sec. , and the linear speed is 11.3 m/
The optimal recording power in sec was 6.6 mW, and f = 3.7 MHz, duty 33.3
%, linear velocity = 5.7 m/sec, power margin (Pm) is 3.5 m W, and C/N ratio is 47.
t4 with 3dB
第１図＋３ 本発明の光磁気記録媒体の断面図である
。
１・・・基板 ２・・・保護膜３・・・光磁気
記録膜 ４・・・ケイ素膜５・・・アルミニウム合金膜
１０・・・光磁気記録媒体FIG. 1+3 is a sectional view of the magneto-optical recording medium of the present invention. 1... Substrate 2... Protective film 3... Magneto-optical recording film 4... Silicon film 5... Aluminum alloy film 10... Magneto-optical recording medium
Claims (1)
と、アルミニウム合金膜とがこの順序で積層されてなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。(1) A magneto-optical recording medium characterized in that a protective film, a magneto-optical recording film, a silicon film, and an aluminum alloy film are laminated in this order on a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13905490A JPH0432054A (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13905490A JPH0432054A (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Magneto-optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432054A true JPH0432054A (en) | 1992-02-04 |
Family
ID=15236407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13905490A Pending JPH0432054A (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432054A (en) |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13905490A patent/JPH0432054A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0331737B1 (en) | Photomagnetic recording medium | |
| KR920005480B1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0432054A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH05274726A (en) | Magneto-optical recording medium and its production | |
| JPH0490154A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| KR920007320B1 (en) | Magneto-optical recording media | |
| JPH0440650A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JP2915964B2 (en) | Information recording medium | |
| JP2682710B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0498634A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0490155A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| KR930007160B1 (en) | Optical recording material | |
| JP2682709B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0386945A (en) | Information recording medium | |
| JPH04134652A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH046646A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH05238148A (en) | Photomagnetic recording medium and its manufacture | |
| JPH05242539A (en) | Magneto-optical recording medium and production thereof | |
| JPH05101463A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH046644A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH05101460A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH04328345A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0373445A (en) | Information recording medium | |
| JPH05101462A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH046645A (en) | Magneto-optical recording medium |