JPH02251961A - Fine pattern forming material and pattern forming method - Google Patents
Fine pattern forming material and pattern forming methodInfo
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Landscapes
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子や集積回路を電子ビームを用いて
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料、ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a fine pattern forming material used in patterning and fabricating semiconductor elements and integrated circuits using electron beams, and a fine pattern forming material using the same material. This relates to a forming method.
従来の技術
従来、IC及びLSI等の製造においては、紫外線を用
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化にともない、ステッパーレンズの
高HA化、短波長光源の使用等がすすめられているが、
それによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。ま
た、LSI素子のパターン寸法の微細化、ムSICの製
造等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられ
るようになってきている。この電子ビームリソグラフィ
ーによる微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは
欠くことのできないものである。その中でポリメチルメ
タクリレート(PMM人)は最も解像性の良いものとし
て知られているが、低感度であることが欠点である。そ
れ故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの
報告が行なわれておシ、例えば、ポリメタクリル酸ブチ
ル。2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of ICs, LSIs, etc., patterns have been formed by photolithography using ultraviolet rays. With the miniaturization of elements, higher HA stepper lenses and the use of short wavelength light sources are being promoted.
This has the disadvantage that the depth of focus becomes shallow. In addition, electron beam lithography has come to be used as the pattern dimensions of LSI devices become finer and munici (Music ICs) are manufactured. A positive electron beam resist is indispensable for forming fine patterns by electron beam lithography. Among them, polymethyl methacrylate (PMM) is known to have the best resolution, but its drawback is low sensitivity. Therefore, in recent years, many reports have been made to improve the sensitivity of positive electron beam resists, such as polybutyl methacrylate.
メタクリル酸メチμとメタクリル酸との共重合体。A copolymer of methacrylic acid methyμ and methacrylic acid.
メタクリル酸とアクリロニトリルとの共重合体。Copolymer of methacrylic acid and acrylonitrile.
メタクリル酸メチルとインブチレンとの共重合体。Copolymer of methyl methacrylate and inbutylene.
ホリプテンー1−スルホン、ポリイソプロペニルケトン
、含フツ素ポリメタクリレート等のポジ型電子線レジス
トが発表されている。これらのレジストはいずれも、側
鎖に電子吸引性基を導入、または、主鎖に分解しやすい
結合を導入することによって、電子ビームによる主鎖切
断が容易におこるようにしたレジストであυ、高感度化
をねらったものであるが、耐ドライエツチ性の悪さ、絶
縁性によるチャージアップの影響等の問題がある。Positive electron beam resists such as phoripten-1-sulfone, polyisopropenyl ketone, and fluorine-containing polymethacrylate have been announced. All of these resists are resists in which the main chain is easily cleaved by an electron beam by introducing an electron-withdrawing group into the side chain or a degradable bond into the main chain. Although it aims to increase sensitivity, it has problems such as poor dry etch resistance and charge-up effects due to insulation.
また、電子ビームリソグラフィーにおいては、電子の前
方散乱、後方散乱のための近接効果によるパターン精度
の劣化等の欠点があシ、これらの欠点をおぎなうために
、レジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた多層レ
ジストプロセスは有効な方法である。第4図は、電子ビ
ームリソグラフィーにおける多層レジストプロセスを説
明する図である。近接効果をおさえるために下層膜41
として高分子有機膜を2〜3μm厚塗市し厚塗間層42
として5102等の無機膜、あるいはSOGを0.2μ
m厚塗市し、上層に電子線レジスト43を0.51tm
厚塗布し、その上にチャージ・アップを防止するために
アルミ層44を約100人蒸着する(第4図(IL)
)。露光後、アルカリ水溶液でアルミ層44を除去し、
その後現像する(第4図(b) )。In addition, electron beam lithography has drawbacks such as deterioration of pattern accuracy due to the proximity effect due to forward scattering and backward scattering of electrons. A multilayer resist process is an effective method. FIG. 4 is a diagram illustrating a multilayer resist process in electron beam lithography. Lower layer film 41 to suppress the proximity effect
A polymeric organic film is coated with a thickness of 2 to 3 μm as a thick intercoating layer 42.
Inorganic film such as 5102 or SOG with 0.2μ
Apply 0.51 tm of electron beam resist 43 on the upper layer.
A thick coating is applied, and approximately 100 aluminum layers 44 are deposited on top of it to prevent charge-up (Figure 4 (IL)).
). After exposure, remove the aluminum layer 44 with an alkaline aqueous solution,
Thereafter, it is developed (Fig. 4(b)).
次に、このレジストパターンをマスクとして、中間層4
2のドライエツチングを行ない(第4図(C))、次に
中間層をマスクとして下層膜41のドライエツチングを
行なう(第4図(d))。以上のような多層レジストプ
ロセスを用いることにより、微細なパターンを高アスペ
クト比で形成することができる。しかし、アルミ層を蒸
着する多層レジストでは工程がより複雑となり、また、
コンタミネーション等の問題が紅り、実用的でない。Next, using this resist pattern as a mask, the intermediate layer 4 is
2 (FIG. 4(C)), and then, using the intermediate layer as a mask, the lower layer film 41 is dry etched (FIG. 4(d)). By using the multilayer resist process as described above, fine patterns can be formed with a high aspect ratio. However, the process is more complicated for multilayer resists that involve vapor-depositing aluminum layers, and
Problems such as contamination arise, making it impractical.
発明が解決しようとする課題
上記のように、アルミ層つきの多層レジストプロセスは
有効な方法であるが、複雑な工程、アルミのコンタミネ
ーション等の問題点がある。また、アルミ層をとりのぞ
いた多層レジストプロセスでは、チャージ・アップの問
題がある。チャージ・アップとは入射電子が、絶縁体で
あるレジスト。Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, the multilayer resist process with an aluminum layer is an effective method, but there are problems such as complicated steps and aluminum contamination. Furthermore, a multilayer resist process in which the aluminum layer is removed has the problem of charge-up. Charge up is a resist where incident electrons are an insulator.
中間層または下層にたまる現象である。このチャージ・
アップ効果により、電子ビームリングラフイーにおいて
、フィールド・バッティング、合わせ精度の劣化等大き
な問題が生じる。また、単層レジストでも、このチャー
ジ・アップ現象は見られ、三層レジストと同様に、フィ
ールド・バッティング、合わせ精度の劣化をまねく。This is a phenomenon that accumulates in the middle or lower layer. This charge
The up effect causes major problems in electron beam ring graphing, such as field batting and deterioration of alignment accuracy. Furthermore, this charge-up phenomenon is also observed in single-layer resists, leading to field batting and deterioration of alignment accuracy, as with three-layer resists.
すなわち、電子ビームリソグラフィーにおいて、露光さ
れた電子はレジスト中をエネルギーをうしないながら散
乱して、レジスト表面から1〜1.5μmの深さで止ま
ってしまい、その領域でチャージがたまってしまう。こ
のたまったチャージにより電子ビームが曲げられ、フィ
ールド・バッティング、合わせ精度の劣化をひきおこす
と考えた。That is, in electron beam lithography, exposed electrons scatter through the resist without losing energy and stop at a depth of 1 to 1.5 μm from the resist surface, and charges accumulate in that region. It was thought that this accumulated charge would bend the electron beam, causing deterioration in field batting and alignment accuracy.
本発明者らはこれらの課題を解決するために、電子電導
性高分子を電子線レジストとして使用し、また、それら
を用いた微細パターン形成方法を完成した。In order to solve these problems, the present inventors used electronically conductive polymers as electron beam resists and completed a method for forming fine patterns using them.
課題を解決するための手段
すなわち、本発明は、
一般式:
(ただし、R1+ R2、Rs 、 Raは同−又は異
なったアルキル基、アルコキシ基ヲアラわし、nは正の
整数をあられす。)
で表される、ポリジアセチレン系導電性高分子物質を電
子線レジストとして使用することにより、上記のような
問題点を解消しようというものである。この高分子物質
は主鎖に共役二重結合があり、高い導電率を示すので、
電子によるチャージ・アップを防止することができる。A means for solving the problem, that is, the present invention has the following general formula: (R1+R2, Rs, Ra are the same or different alkyl groups or alkoxy groups, and n is a positive integer.) The above-mentioned problems are attempted to be solved by using the polydiacetylene-based conductive polymer material shown above as an electron beam resist. This polymer material has a conjugated double bond in its main chain and exhibits high electrical conductivity.
Charge-up due to electrons can be prevented.
また、三重結合は電子ビームに対して容易に分解し重合
反応をおこすので、電子ビームに対して高い感度を示す
ネガ型レジストになりうる。Further, since the triple bond is easily decomposed by the electron beam and causes a polymerization reaction, it can be used as a negative resist that exhibits high sensitivity to the electron beam.
また、一般式:
(ただし、Rはアルキル基をあられし、nは正の整数を
あられす。)
で表される、ポリビニルシアン系高分子物質は導電性を
示さないが、熱を加えることによって、以下の反応が進
行し、高い導電率を示すようになる。In addition, the polyvinyl cyanide polymer material represented by the general formula: (where R represents an alkyl group and n represents a positive integer) does not exhibit electrical conductivity, but it can be changed by applying heat. , the following reaction progresses, and it comes to exhibit high electrical conductivity.
NN
↓
5N10\N/”%N10ち/
この高分子物質は主鎖に共役二重結合があり、電子ビー
ムにより、容易に重合反応をおこすので、電子ビームに
対して高い感度を示すネガ型レジストになりうる。NN ↓ 5N10\N/”%N10chi/ This polymer material has a conjugated double bond in its main chain and easily undergoes a polymerization reaction with an electron beam, so it is a negative resist that exhibits high sensitivity to electron beams. It can become.
また、これらの電子電導性高分子物質を多層レジストの
下層膜として用いることにより、多層レジストを容易に
形成でき、チャージ・アップによるパターンずれ、フィ
ールド・パンティング・エラ、アライメントずれのない
正確な微細レジストパターンを形成することができる。In addition, by using these electronically conductive polymer materials as the lower layer film of a multilayer resist, it is possible to easily form a multilayer resist, and it is possible to easily form a multilayer resist with accurate fine patterning without pattern shift due to charge up, field punting error, or alignment shift. A resist pattern can be formed.
作用
本発明は前記した電子電導性電子線レジスト、およびそ
れを用いたレジストプロセスにより、容易にチャージ・
アップのおこらない正確な微細パターンを形成すること
ができる。特に、アルミ層を蒸着する必要がなく、コン
タミネーションの問題もなく、工程を簡略化することが
でき、電子ビーム描画時の電子によるチャージ・アップ
を防止して、正確な微細パターンを形成することができ
る。従って、本発明を用いることによって正確な高解像
度な微細パターン形成に有効に作用する。Function The present invention uses the above-mentioned electronically conductive electron beam resist and resist process using the same to easily charge and release the resist.
Accurate fine patterns that do not cause close-up can be formed. In particular, there is no need to evaporate an aluminum layer, there is no problem of contamination, the process can be simplified, and charge-up due to electrons during electron beam writing can be prevented to form accurate fine patterns. I can do it. Therefore, by using the present invention, it is possible to effectively form accurate, high-resolution fine patterns.
実施例
(実施例1)
一般式:R−C三G−(、:C−R
において、Rがウレタン誘導体基である3−メチル−n
−ブトキシ−カルボニル−メチル−ウレタン(38CM
U)をアセトンに溶解して紫外線を照射することによっ
てポリジアセチレンの重合体を合成した。この重合体を
クロロホルムに溶解し、不溶分をろ別し、レジスト溶液
とした。このレジスト溶液を半導体基板上に塗布し、熱
処理を行い、1.2μm厚のレジスト膜を形成すること
ができた。Examples (Example 1) General formula: R-C3G-(,:C-R, where R is a urethane derivative group, 3-methyl-n
-butoxy-carbonyl-methyl-urethane (38CM
A polydiacetylene polymer was synthesized by dissolving U) in acetone and irradiating it with ultraviolet light. This polymer was dissolved in chloroform, and insoluble matter was filtered off to obtain a resist solution. This resist solution was applied onto a semiconductor substrate and heat treated to form a resist film with a thickness of 1.2 μm.
このレジスト膜に加速電圧20KV、ドーズ量10μc
/cmで電子線露光を行った後、極性溶媒で現像を行
った所、チャージ・アップによるパターン−jTL、フ
ィールド・パッティング・エラーの゛ない正確なネガ型
レジストパターンを得ることができた。This resist film is applied with an acceleration voltage of 20 KV and a dose of 10 μc.
After electron beam exposure at /cm and development with a polar solvent, an accurate negative resist pattern without charge-up pattern -JTL or field putting error could be obtained.
(実施例2)
上記で示された重合体をクロロホルムに溶解させたのち
、不溶分をろ別し、レジスト溶媒とした。(Example 2) After dissolving the polymer shown above in chloroform, the insoluble matter was filtered off and used as a resist solvent.
このレジスト溶液を半導体基板上に滴下し、2ooOr
pmでスピンコードし、20C)C,20分間のベーキ
ングを行い、12μm厚のレジスト膜を形成した。この
レジスト膜に、加速電圧20KV 、ドーズ量10μC
/、−,4で電子線露光を行った後、極性溶媒で現像を
行った所、チャージ・アップによルハターンスレ、フィ
ールド・バッティング・エラーのない正確なネガ型レジ
ストパターンを得ることができた。This resist solution was dropped onto the semiconductor substrate, and 2ooOr
After spin-coding with pm, baking was performed at 20C for 20 minutes to form a resist film with a thickness of 12 μm. This resist film was applied with an acceleration voltage of 20 KV and a dose of 10 μC.
After electron beam exposure at /, -, 4, and development with a polar solvent, it was possible to obtain an accurate negative resist pattern free of charge-up scratches and field batting errors.
(実施例3)
本発明の第3の実施例を第1図に示す。半導体基板1上
に下層膜11として高分子有機膜を2μm厚塗市し、2
20℃、20分間のベーキングを行う。この上に中間層
12としてSOGを0.2μm厚塗布し、200℃、2
0分間のベーキングを行う。この上に電子線レジスト1
3として、実施例1で得られた高分子有機膜を0.5μ
m厚塗布し150C,2Q分間のベーキングを行った(
第1図(lL))。次に加速tBE2oxv、” −ス
l 511C/piで電子線露光を行い、クロロホルム
で現像を行った所、正確な微細ネガ型レジストパターン
が得られた(第1図(′b))。導電性が良いのでチャ
ージ・アップによるパターンずれは全く見られなかった
。(Example 3) A third example of the present invention is shown in FIG. A polymeric organic film is coated with a thickness of 2 μm as a lower layer film 11 on a semiconductor substrate 1.
Bake at 20°C for 20 minutes. On top of this, SOG was applied to a thickness of 0.2 μm as the intermediate layer 12, and
Perform baking for 0 minutes. On top of this, electron beam resist 1
3, the polymeric organic film obtained in Example 1 was
It was applied to a thickness of m and baked at 150C for 2Q minutes (
Figure 1 (1L)). Next, electron beam exposure was performed at an accelerated rate of tBE2oxv, "-sl 511C/pi, and development was performed with chloroform, resulting in an accurate fine negative resist pattern (Fig. 1 ('b)). Conductivity was so good that no pattern shift due to charge-up was observed.
このレジストパターンをマスクとして、中間層13のエ
ツチングを行った(第1図(C))。さらに、中間層を
マスクとして下層膜11のエツチングを行い、正確で垂
直な微細レジストパターンを得ることができた(第1図
(d))。Using this resist pattern as a mask, the intermediate layer 13 was etched (FIG. 1(C)). Furthermore, by etching the lower film 11 using the intermediate layer as a mask, it was possible to obtain an accurate and vertical fine resist pattern (FIG. 1(d)).
以上のように、本実施例によれば、多層レジストの上層
レジストとしてこの導電性高分子物質を用いることによ
って、電子線露光時のチャージ・アップを防ぐことがで
き、正確な微細レジストパターンを形成することができ
る。As described above, according to this example, by using this conductive polymer material as the upper resist layer of the multilayer resist, charge-up during electron beam exposure can be prevented and an accurate fine resist pattern can be formed. can do.
(実施例4)
本発明の第4の実施例を第2図に示す。半導体基板1上
に下層膜21として実施例2で得られた重合体を塗布し
、250C,20分間のベーキングを行い、2μmgの
膜を形成した。この上に中間層22としてSOCを0.
2μm厚塗市し、200℃。(Embodiment 4) A fourth embodiment of the present invention is shown in FIG. The polymer obtained in Example 2 was applied as the lower layer film 21 onto the semiconductor substrate 1, and baked at 250C for 20 minutes to form a 2 μmg film. On top of this, an intermediate layer 22 with an SOC of 0.
2μm thick coating and 200℃.
20分間のベーキングを行い、さらに、この上に電子線
レジスト23としてポリメチルメタクリレート(PMM
A)を0.6pm厚塗布し、170℃。After baking for 20 minutes, polymethyl methacrylate (PMM) was applied as an electron beam resist 23 on top of the baking.
A) was applied to a thickness of 0.6 pm at 170°C.
20分間のベーキングを行った(第2図(a))。次に
、加速電圧20K V ドーズ量1o o ttc/
t=4で電子線露光を行い、メチルイソブチルケトン
(MIBK)で現像を行うと、チャージ・アップによる
フィールド・バッティング・エラーのない正確な微細レ
ジストパターンを形成することができた(第2図(b)
)。このレジストパターンをマスクとして中間層のドラ
イエンチングを行い(第2図(C))、さらに中間層を
マスクとして下層膜のエツチングを行った(第2図(d
))。このようにして、正確で垂直な微細レジストパタ
ーンを得ることができた。Baking was performed for 20 minutes (FIG. 2(a)). Next, acceleration voltage 20K V dose amount 1o o ttc/
By performing electron beam exposure at t = 4 and developing with methyl isobutyl ketone (MIBK), it was possible to form an accurate fine resist pattern without field batting errors due to charge up (see Figure 2). b)
). Using this resist pattern as a mask, the intermediate layer was dry-etched (Fig. 2(C)), and the underlying film was further etched using the intermediate layer as a mask (Fig. 2(d)).
)). In this way, an accurate and vertical fine resist pattern could be obtained.
以上のように、本実施例によれば多層レジストの下層膜
として、この導電性高分子物質を用いることによって、
電子線露光時のチャージ・アップを防止することができ
、正確な微細パターンを形成することができる。As described above, according to this example, by using this conductive polymer material as the lower layer film of the multilayer resist,
Charge-up during electron beam exposure can be prevented, and accurate fine patterns can be formed.
(実施例6)
本発明の第6の実施例を第3図に示す。半導体基板1上
に下層膜31として実施例1で得られた重合体を2μm
厚塗市し、250C,2Q分間のベーキングを行った。(Embodiment 6) A sixth embodiment of the present invention is shown in FIG. The polymer obtained in Example 1 was deposited on a semiconductor substrate 1 as a lower layer film 31 with a thickness of 2 μm.
It was coated thickly and baked at 250C for 2Q minutes.
この上に電子線レジスト32としてシリコン含有レジス
トを0.3μm厚塗布し、100℃、20分間のベーキ
ングを行った(第3図(a))。次に、加速電圧20K
V、ドーズ量10μC/ caで電子線露光を行い、イ
ソプロピルアルコ−1v(工Pム)で現像を行った所、
チャージ・アップによるパターンずれのない正確なレジ
ストパターンが得られた(第3図(b))。このレジス
トパターンをマスクとして、下層膜のエツチングを行い
、正確で垂直な微細レジストパターンを得ることができ
た(第3図(C))。A silicon-containing resist was applied thereon to a thickness of 0.3 .mu.m as an electron beam resist 32, and baked at 100.degree. C. for 20 minutes (FIG. 3(a)). Next, acceleration voltage 20K
V, electron beam exposure was performed at a dose of 10 μC/ca, and development was performed with isopropyl alcohol-1v.
An accurate resist pattern without pattern deviation due to charge-up was obtained (FIG. 3(b)). Using this resist pattern as a mask, the underlying film was etched, and an accurate and vertical fine resist pattern could be obtained (FIG. 3(C)).
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、たとえば導電性有
機高分子物質であるポリジアセチレン。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION According to the present invention, for example, a conductive organic polymeric material, polydiacetylene.
ポリビニルシアン系を電子線レジストとして使用すると
、高感度で高解像度のネガ型レジストパターンを形成す
ることができる。これらのレジストを使用することによ
って、入射電子によるチャージ・アップの影響はなくな
り、フィーμド・バッティング、合わせ精度を向上させ
ることができる。When polyvinyl cyanide is used as an electron beam resist, a negative resist pattern with high sensitivity and high resolution can be formed. By using these resists, the influence of charge-up due to incident electrons is eliminated, and feed batting and alignment accuracy can be improved.
また、多層レジストの下層膜として使用することにより
、容易にチャージ・アップを防止することができ、正確
で垂直な微細レジストパターンを形成することができ、
超高密度集積回路の製造に大きく寄与することができる
。In addition, by using it as a lower layer film of a multilayer resist, charge-up can be easily prevented and accurate and vertical fine resist patterns can be formed.
It can greatly contribute to the production of ultra-high density integrated circuits.
第1図は本発明における一実施例の工程断面図、第2図
は同曲の実施例の工程断面図、第3図は回能の実施例の
工程断面図、第4図は従来の多層レジスト法の工程断面
図である。
1・・・・・半導体基板、11.21・・・重下層膜、
12.22・・・山中間層、ff 3 、23・・・・
・・レジスト。
代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はが1名2t
−J)J肢
3f−一一下層月走
32−一しラ又ト
33− 変)球
J4−−−レジ得りO−ンFig. 1 is a process sectional view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a process sectional view of an embodiment of the same song, Fig. 3 is a process sectional view of an embodiment of the invention, and Fig. 4 is a conventional multilayer It is a process sectional view of the resist method. 1... Semiconductor substrate, 11.21... Heavy lower layer film,
12.22...Mountain middle layer, ff 3, 23...
...Resist. Name of agent: Patent attorney Shigetaka Awano 1 person, 2 tons
-J) J limb 3f - 11th lower moon running 32 - 1st Ramata 33 - odd) ball J4---Register O-n
Claims (4)
異なったアルキル基、アルコキシ基をあ らわし、nは正の整数をあらわす。) で表される、ポリジアセチレン系の重合体よりなること
を特徴とする微細パターン形成材料。(1) General formula: ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (However, R_1, R_2, R_3, R_4 represent the same or different alkyl groups or alkoxy groups, and n represents a positive integer.) A fine pattern forming material characterized by being made of a polydiacetylene polymer.
を特徴とする微細パターン形成材料。(2) General formula: ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (However, R represents an alkyl group, and n represents a positive integer.) Characteristic fine pattern forming material.
る工程と、上記高分子有機膜上に無機膜を塗布し熱処理
する工程と、上記無機膜上にポリジアセチレン系重合体
、または、ポリビニルシアン系重合体を塗布し熱処理す
る工程と、パターン描画後、現像し、レジストパターン
をマスクとして、無機膜、および高分子有機膜をエッチ
ングする工程とからなることを特徴とするパターン形成
方法。(3) a step of applying a polymeric organic film on the semiconductor substrate and heat-treating it; a step of applying an inorganic film on the polymeric organic film and heat-treating it; and a step of applying a polydiacetylene-based polymer on the inorganic film, or A pattern forming method comprising the steps of applying and heat-treating a polyvinyl cyanide polymer, and etching an inorganic film and a high-molecular organic film using a resist pattern as a mask.
たはポリビニルシアン系重合体を塗布し熱処理する工程
と、上記重合体膜上に無機膜を塗布し熱処理する工程と
、上記無機膜上にレジストを塗布し熱処理する工程と、
パターン描画後、現像し、レジストパターンをマスクと
して、無機膜、および重合体膜をエッチングする工程と
からなることを特徴とするパターン形成方 法。(4) A step of applying a polydiacetylene polymer or a polyvinyl cyanide polymer on a semiconductor substrate and heat-treating it, a step of applying an inorganic film on the polymer film and heat-treating it, and a step of applying a resist on the inorganic film. The process of applying and heat-treating the
A pattern forming method comprising the steps of drawing a pattern, developing it, and etching an inorganic film and a polymer film using the resist pattern as a mask.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7531889A JPH02251961A (en) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Fine pattern forming material and pattern forming method |
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JPH02251961A true JPH02251961A (en) | 1990-10-09 |
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JP (1) | JPH02251961A (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1989
- 1989-03-27 JP JP7531889A patent/JPH02251961A/en active Pending
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