JPH02251825A - 光閾値素子 - Google Patents
光閾値素子Info
- Publication number
- JPH02251825A JPH02251825A JP1072428A JP7242889A JPH02251825A JP H02251825 A JPH02251825 A JP H02251825A JP 1072428 A JP1072428 A JP 1072428A JP 7242889 A JP7242889 A JP 7242889A JP H02251825 A JPH02251825 A JP H02251825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- signal line
- electrode
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 2
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 210000000133 brain stem Anatomy 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003933 intellectual function Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 210000000653 nervous system Anatomy 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000946 synaptic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、パターン認識、音声認識９画像処理。
連想記憶、知的処理などの用途に用いられる二ｓ−口・
コンピユータあるいはニューラル・ネットにおいて、基
本素子となる光閾値素子に関するものである。
コンピユータあるいはニューラル・ネットにおいて、基
本素子となる光閾値素子に関するものである。
従来の技術
現在一般に普及しているノイマン型の計算機は、論理演
算と記号操作をもとにして知的機能をアルゴリズムで実
現する、所謂「直列情報処理」型の計算機である。
算と記号操作をもとにして知的機能をアルゴリズムで実
現する、所謂「直列情報処理」型の計算機である。
これに対して、人間の脳のような多数の素子間の同時並
列の相互作用によって知的機能を実現する、「３１Ｉ２
列情報処理」機能をもったニューロ・コンピュータやニ
ューラル・ネットが、近年非常に注目を浴びるとともに
その研究も盛んになっている。
列の相互作用によって知的機能を実現する、「３１Ｉ２
列情報処理」機能をもったニューロ・コンピュータやニ
ューラル・ネットが、近年非常に注目を浴びるとともに
その研究も盛んになっている。
これは後者が、パターン認識、音声認識１画像処理、連
想記憶、知的処理といった、複雑かつ曖昧な状況に柔軟
に対処し、適切な解をすばやく見いだすという高い能力
を有しているためである。
想記憶、知的処理といった、複雑かつ曖昧な状況に柔軟
に対処し、適切な解をすばやく見いだすという高い能力
を有しているためである。
ニューロ・コンピュータやニューラル・ネットは脳や神
経系のアーキテクチャを模倣して設計され、その単位素
子となるプロセシング・エレメントはニューロン（神経
細胞）に相当する。
経系のアーキテクチャを模倣して設計され、その単位素
子となるプロセシング・エレメントはニューロン（神経
細胞）に相当する。
マツ力Ｏ−）チ（ＭｃＣｕ ｌ Ｉ’ｏｃｈ ）とビッ
ツ（ＰｉｔｔＳ） ［：Ｗ。
ツ（ＰｉｔｔＳ） ［：Ｗ。
Ｓ、 ＭｃＣｕｌｌｏｃｈ ａｎｄ Ｗ、 Ｐ
ｌｔｔｓ ： プリテン オブ マｔマテイカル
ハ”イオフィシ゛フクス （Ｂｕｌｌ、 Ｍａｔｈ、
Ｂｉｏｐｈｙｓ、）ｎ５．ｐ、１１５（１９４３）
］は、ニューロンの動作を数学モデルで表現した。この
モデルは第４図に示すような構造をもっており、入力信
号をｘｌ、 シナプス結合の強さをＷｌとしたとき、
ニューロンは、入力の重みつき総和ΣＷｌ ＸＩが、閾
値θを越えるとｚ＝１を、その他の場合には０を出力す
るものである。こうした単純なモデルでもネットワーク
を構成すると、ＡＮＤ、 ＯＲ，ＮＯτなどの論理演
算機能を実現できることが示されている。
ｌｔｔｓ ： プリテン オブ マｔマテイカル
ハ”イオフィシ゛フクス （Ｂｕｌｌ、 Ｍａｔｈ、
Ｂｉｏｐｈｙｓ、）ｎ５．ｐ、１１５（１９４３）
］は、ニューロンの動作を数学モデルで表現した。この
モデルは第４図に示すような構造をもっており、入力信
号をｘｌ、 シナプス結合の強さをＷｌとしたとき、
ニューロンは、入力の重みつき総和ΣＷｌ ＸＩが、閾
値θを越えるとｚ＝１を、その他の場合には０を出力す
るものである。こうした単純なモデルでもネットワーク
を構成すると、ＡＮＤ、 ＯＲ，ＮＯτなどの論理演
算機能を実現できることが示されている。
さてこのようなモデルを実現する上で、光技術を用いる
試みが活発に研究されている。というのは光技術が、■
）本質的に並列処理に適している、２） ＬＳＩでは複
雑にならざるを得ないニューロン間の配線を容易に実現
できる、という特徴を有しているからである。
試みが活発に研究されている。というのは光技術が、■
）本質的に並列処理に適している、２） ＬＳＩでは複
雑にならざるを得ないニューロン間の配線を容易に実現
できる、という特徴を有しているからである。
具体的なデバイスとしては、液晶を用いた光閾値素子が
提案されている。従来の基本的な構造は、光伝導体と液
晶の積層構造である。その例としてここでは、光導電性
を示すＢ１１２ｓ１０２ｓ結晶とＴＮ（ツイストネマテ
ィック）液晶とを組み合わせた双安定型空間光変調器［
滝沢、岡田、菊池、會田：第３５回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集、３０ｐＺＦ−３〜４（１９８８）コ
について説明する。
提案されている。従来の基本的な構造は、光伝導体と液
晶の積層構造である。その例としてここでは、光導電性
を示すＢ１１２ｓ１０２ｓ結晶とＴＮ（ツイストネマテ
ィック）液晶とを組み合わせた双安定型空間光変調器［
滝沢、岡田、菊池、會田：第３５回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集、３０ｐＺＦ−３〜４（１９８８）コ
について説明する。
素子構造を第５図に示′す。
第５図において１４ａ、１４ｂは透明なガラスで、その
対向内面には、液晶１６が挟持される。１８は光導電層
となる旧１２Ｓ１０２ａで、ＰＶＡフィルム１７を介し
てガラス１４ｂと接着される。透明電極１５ａ、１５ｂ
の間には周波数ｆの交流電圧ｖｌＩが印加される。
対向内面には、液晶１６が挟持される。１８は光導電層
となる旧１２Ｓ１０２ａで、ＰＶＡフィルム１７を介し
てガラス１４ｂと接着される。透明電極１５ａ、１５ｂ
の間には周波数ｆの交流電圧ｖｌＩが印加される。
次に概略の動作原理と動作特性について説明する。
第５図において入射光強度Ｐ１が小さい場合、光導電層
であるＢｔ＋２ＳＩＯ２ｓはほとんど電流が流れないの
で単なる誘電体として機能し、外部印加電圧Ｖ、は液晶
層には印加されない。Ｐｌが大きくなると、ＢＩ１２Ｓ
１０２１１に電流が流れてＶＳが液晶に印加されるよう
になる。液晶層は印加電圧によってその透過率を変調す
るので、結局この素子を通過する出力光強度Ｐｏは入射
光強度Ｐ１によって変調されることになる。
であるＢｔ＋２ＳＩＯ２ｓはほとんど電流が流れないの
で単なる誘電体として機能し、外部印加電圧Ｖ、は液晶
層には印加されない。Ｐｌが大きくなると、ＢＩ１２Ｓ
１０２１１に電流が流れてＶＳが液晶に印加されるよう
になる。液晶層は印加電圧によってその透過率を変調す
るので、結局この素子を通過する出力光強度Ｐｏは入射
光強度Ｐ１によって変調されることになる。
その特性を第６図に示す。
第６図かられかるように、この素子は入射光強度Ｐ１に
対し急峻な閾値特性を示し、光演算に適したディジタル
的な機能を有していることがわかる。
対し急峻な閾値特性を示し、光演算に適したディジタル
的な機能を有していることがわかる。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこのような従来構造の光閾値素子において
は、１）素子の分解能が光導電層の膜厚（上記の例では
２１１１ＩＱ厚の結晶を用いている）で制限される、２
）旧１２ＳＩ０１！。は良質な結晶が得にくく高価であ
る、という問題点があった。
は、１）素子の分解能が光導電層の膜厚（上記の例では
２１１１ＩＱ厚の結晶を用いている）で制限される、２
）旧１２ＳＩ０１！。は良質な結晶が得にくく高価であ
る、という問題点があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、分解能が高
くかつ制御性のよい光閾値素子を提供することを目的と
する。
くかつ制御性のよい光閾値素子を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、光閾値素子の構
造を従来のような液晶層と光導電層の積層構造ではなく
、薄膜トランジスタを用いて液晶を駆動するアクティブ
マトリクス型液晶表示素子を基本構造にし、スイッチン
グトランジスタのゲート電極にフォトセンサとなる薄膜
トランジスタを接続し、信号電圧の画素電極への伝達を
入射光強度で制御し、画素電極には反射率の高い金属を
用いることによって外部参照先の反射率すなわち出力光
強度を変調するようにするものである。
造を従来のような液晶層と光導電層の積層構造ではなく
、薄膜トランジスタを用いて液晶を駆動するアクティブ
マトリクス型液晶表示素子を基本構造にし、スイッチン
グトランジスタのゲート電極にフォトセンサとなる薄膜
トランジスタを接続し、信号電圧の画素電極への伝達を
入射光強度で制御し、画素電極には反射率の高い金属を
用いることによって外部参照先の反射率すなわち出力光
強度を変調するようにするものである。
作用
上記の構成によれば、各単位セルは正確にＸ信号線およ
びＹ信号線で区画された領域に存在するので、入力光に
対して閾値処理を行った出カバターンを精度よく表示す
ることができる。さらに分解能は光導電層の膜厚で制限
されるのではなくフォトリソグラフィーの制限を受け、
これを考慮すれば従来の光閾値素子に比べてその分解能
を向上させることができる。
びＹ信号線で区画された領域に存在するので、入力光に
対して閾値処理を行った出カバターンを精度よく表示す
ることができる。さらに分解能は光導電層の膜厚で制限
されるのではなくフォトリソグラフィーの制限を受け、
これを考慮すれば従来の光閾値素子に比べてその分解能
を向上させることができる。
また非晶質シリコンは、Ｐ−ＣＶＤ法などにより比較的
低温でかつ大面積に成膜可能で大量生産に適しているが
、これを薄膜トランジスタの半導体層に用いることによ
って光閾値素子を安価に製造することも可能となる。
低温でかつ大面積に成膜可能で大量生産に適しているが
、これを薄膜トランジスタの半導体層に用いることによ
って光閾値素子を安価に製造することも可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面をもとに説明する。
第１図は本発明の一実施例の光閾値素子単位セルの等価
回路図である。ｒはフォトセンサ、２はスイッチングト
ランジスタで、いずれも薄膜トランジスタを用いて構成
される。３はスイッチングトランジスタ２で駆動される
液晶、４は液晶からなる容量と並列に設けた蓄積容量で
、液晶に印加される信号電圧の保持特性を向上させるも
のである。
回路図である。ｒはフォトセンサ、２はスイッチングト
ランジスタで、いずれも薄膜トランジスタを用いて構成
される。３はスイッチングトランジスタ２で駆動される
液晶、４は液晶からなる容量と並列に設けた蓄積容量で
、液晶に印加される信号電圧の保持特性を向上させるも
のである。
この単位セルはＸＹママトリクス状基板上に配され、Ｘ
信号線（Ｇ１）には単位セルを選択するための走査信号
が、Ｙ信号線（Ｓｌ）には液晶を駆動するための駆動信
号がそれぞれ印加される。このときスイッチングトラン
ジスタ２はフォトセンサｌを介してＸ信号線に接続され
ており、これによって入力光強度が画素電極への信号電
圧の伝達を制御することになる。
信号線（Ｇ１）には単位セルを選択するための走査信号
が、Ｙ信号線（Ｓｌ）には液晶を駆動するための駆動信
号がそれぞれ印加される。このときスイッチングトラン
ジスタ２はフォトセンサｌを介してＸ信号線に接続され
ており、これによって入力光強度が画素電極への信号電
圧の伝達を制御することになる。
画素電極は反射率の高い金属で形成されており、外部参
照先の反射光が出力光となり、これが入力光強度で変調
を受けることがわかる。
照先の反射光が出力光となり、これが入力光強度で変調
を受けることがわかる。
第２図は本発明の一実施例の光閾値素子単位セルの構造
断面図である。
断面図である。
５ａ、 ５ｂはガラス基板、６は透明電極となるＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｌｕｍ Ｔｌｎ ０ｘｉｄｅ）、７は不透光
性の金属で例えばＯｒが用いられる。またこの電極７は
スイッチングトランジスタに対する遮光効果をもつとと
もに蓄積容量４の一方の電極となっている。
Ｏ（Ｉｎｄｌｕｍ Ｔｌｎ ０ｘｉｄｅ）、７は不透光
性の金属で例えばＯｒが用いられる。またこの電極７は
スイッチングトランジスタに対する遮光効果をもつとと
もに蓄積容量４の一方の電極となっている。
８は５１０２．９ａ、 ９ｂ、 ９ｃ、 ９ｄは
ＡＩで、９ｄが画素電極となっている。Ｉ Ｄａ、
１０ ｂは薄膜トランジスタの半導体層と電極との間の
オーミック性を確保するためのｎ”−ａ−Ｓｌ、ｌｌａ
、 Ｉｌｂは半導体層となるＩ−ａ−Ｓｌである。
ＡＩで、９ｄが画素電極となっている。Ｉ Ｄａ、
１０ ｂは薄膜トランジスタの半導体層と電極との間の
オーミック性を確保するためのｎ”−ａ−Ｓｌ、ｌｌａ
、 Ｉｌｂは半導体層となるＩ−ａ−Ｓｌである。
１２ａ、 １２ｂ、 １２ ｃは層間絶縁膜となる
Ｓ Ｉ Ｎｘ１１３ａ。
Ｓ Ｉ Ｎｘ１１３ａ。
１３ｂはＡＩ電極である。
薄膜トランジスタの半導体層には光導電性を示す非晶質
シリコン（ａ−Ｓｌ）を用いているが、フォトセンサ部
の薄膜トランジスタには光が入射するのに対して、スイ
ッチングトランジスタ部の薄膜トランジスタ下部には遮
光層が設けられているため外部から光が入射することは
ない。
シリコン（ａ−Ｓｌ）を用いているが、フォトセンサ部
の薄膜トランジスタには光が入射するのに対して、スイ
ッチングトランジスタ部の薄膜トランジスタ下部には遮
光層が設けられているため外部から光が入射することは
ない。
第３図は本発明の一実施例の光閾値素子の特性図である
。
。
同図かられかるように、入射光強度に対して反射光強度
（出力光強度）は急峻な閾値特性を示しており、光閾値
素子として十分な機能を存していることがわかる。
（出力光強度）は急峻な閾値特性を示しており、光閾値
素子として十分な機能を存していることがわかる。
なお第３図では、入射光強度の閾値は数百〜数千ｌｘと
なっているが、この値は例えば薄膜トランジスタの半導
体層の膜厚や、素子サイズによって任意に設定すること
ができる。
なっているが、この値は例えば薄膜トランジスタの半導
体層の膜厚や、素子サイズによって任意に設定すること
ができる。
以上の説明の構成や使用材料は一例であり、これらが本
発明の適用範囲を制限するものではない。
発明の適用範囲を制限するものではない。
発明の効果
以上述べてきたように本発明によれば、分解能が高く制
御性のよい光閾値素子を提供することができ、実用的に
きわめて有用である。
御性のよい光閾値素子を提供することができ、実用的に
きわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例の光閾値素子単位セルの等価
回路図、第２図は同光閾値素子単位セルの構造断面図、
第３図は同光閾値素子の特性図、第４図はニューロンの
動作を示す数学モデル図、第５図は従来の光閾値素子の
構造断面図、第６図は同光閾値素子の特性図である。 ｌ・・・フォトセンサ、２・・・スイッチングトランジ
スタ、３・・・液晶、４・・・蓄積容量。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１− プオ
トセンブ ２− スイッテンクトランン゛スゲ ３−−− ：／＆晶 入射光強、度 第 ２ 図 ５山、ｓｂ −ｉ”ラス基板 ６−”−ＩＴＯ γ・−Ｏｒ ８−−５ｒ０２ ＱｌＬ、 ９ｂｐ、 ９ｃ、 ９ダ、１３之、１３ｂ−
・−Ａｊ！１０αｒｏｂ ′−１−之−３ｒ ｌｆｃＬ、／／ｂ−ｉ−久−３ｒ ／ＺＬ、 ／Ｚｂ、 ＩＺｃ °−８７〜χ１４ル、
／４ｂ−・−力゛ラス ｔ６ａ、 ｔｓｂ−ＭＬ明電極。 ｔ１３−−− Ｂｉｔｚ Ｓｉ Ｏｚ。 第 図
回路図、第２図は同光閾値素子単位セルの構造断面図、
第３図は同光閾値素子の特性図、第４図はニューロンの
動作を示す数学モデル図、第５図は従来の光閾値素子の
構造断面図、第６図は同光閾値素子の特性図である。 ｌ・・・フォトセンサ、２・・・スイッチングトランジ
スタ、３・・・液晶、４・・・蓄積容量。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１− プオ
トセンブ ２− スイッテンクトランン゛スゲ ３−−− ：／＆晶 入射光強、度 第 ２ 図 ５山、ｓｂ −ｉ”ラス基板 ６−”−ＩＴＯ γ・−Ｏｒ ８−−５ｒ０２ ＱｌＬ、 ９ｂｐ、 ９ｃ、 ９ダ、１３之、１３ｂ−
・−Ａｊ！１０αｒｏｂ ′−１−之−３ｒ ｌｆｃＬ、／／ｂ−ｉ−久−３ｒ ／ＺＬ、 ／Ｚｂ、 ＩＺｃ °−８７〜χ１４ル、
／４ｂ−・−力゛ラス ｔ６ａ、 ｔｓｂ−ＭＬ明電極。 ｔ１３−−− Ｂｉｔｚ Ｓｉ Ｏｚ。 第 図
Claims (2)
- （１）一対の基板の対向内面に液晶が挟持され、前記基
板上には複数本のＸ信号線及びＹ信号線がマトリクス状
に配され、前記Ｘ信号線とＹ信号線で区画される領域が
単位セルに相当し、この単位セルは少なくとも、そのソ
ース電極が前記Ｘ信号線と接続された第１の薄膜トラン
ジスタと、そのソース電極が前記Ｙ信号線に接続された
第２の薄膜トランジスタと、前記第２の薄膜トランジス
タのドレイン電極に接続されるとともに反射率の高い金
属を用いて形成した画素電極とからなり、前記画素電極
は絶縁膜を介して不透光性の導電膜との間で蓄積容量を
形成し、前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極とド
レイン電極および前記第２の薄膜トランジスタのゲート
電極は接続されており、前記第１の薄膜トランジスタは
外部からの入射光強度によってトランスファー特性が制
御され、前記第２の薄膜トランジスタがスイッチングト
ランジスタとして液晶を駆動し外部参照光の反射率の変
調を行うことを特徴とする光閾値素子。 - （２）薄膜トランジスタの半導体層が非晶質シリコンで
あることを特徴とする請求項１記載の光閾値素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072428A JPH02251825A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 光閾値素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072428A JPH02251825A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 光閾値素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251825A true JPH02251825A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13489011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072428A Pending JPH02251825A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 光閾値素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02251825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446564A (en) * | 1992-06-03 | 1995-08-29 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having photosensor at each pixel |
| EP0909976A1 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-21 | THOMSON multimedia | A display device comprising an image generating panel and illumination means on the rear side of the panel |
| JP2005140519A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 保護継電装置 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072428A patent/JPH02251825A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446564A (en) * | 1992-06-03 | 1995-08-29 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having photosensor at each pixel |
| EP0909976A1 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-21 | THOMSON multimedia | A display device comprising an image generating panel and illumination means on the rear side of the panel |
| JP2005140519A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 保護継電装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11373612B2 (en) | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device | |
| US7817231B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating same | |
| US20050266590A1 (en) | Electrophoretic display device | |
| US20060139526A1 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| JPH08190079A (ja) | 像処理用に二次元検出器アレーとディスプレイを組み合わせた像表示／処理装置 | |
| US6900864B2 (en) | Transflective electro-optical device and electronic apparatus | |
| KR20190075954A (ko) | 표시 장치, 표시 모듈, 전자 기기, 및 표시 장치의 제작 방법 | |
| JP2003149664A (ja) | 液晶表示装置 | |
| McKnight et al. | Development of a spatial light modulator: a randomly addressed liquid-crystal-over-nMOS array | |
| US20130286465A1 (en) | Tft array substrate, e-paper display panel and method for manufacturing the same | |
| KR20190130094A (ko) | 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| US11435630B2 (en) | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof, and frameless liquid crystal display device | |
| US20060119772A1 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| US9360702B2 (en) | Array substrate and transflective liquid crystal display panel | |
| US5327268A (en) | Reflective type liquid crystal display with reversely staggered TFT structures | |
| US4884875A (en) | Liquid crystal light valve showing an improved display contrast | |
| US7142770B2 (en) | Electrooptic device and production method therefor | |
| JP2738613B2 (ja) | 液晶演算素子及びこれを用いた画像処理システム | |
| US5168382A (en) | Optically addressed liquid crystal light valve and optical logic device using the same | |
| TW594160B (en) | Reflective electrooptic device and electronic apparatus | |
| JPH02251825A (ja) | 光閾値素子 | |
| JPH0535433B2 (ja) | ||
| KR20070054514A (ko) | 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR20080080772A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| US5212377A (en) | Thin-film neuron network with optical programming |