JPH0225104A - 表面弾性波装置 - Google Patents
表面弾性波装置Info
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- JPH0225104A JPH0225104A JP17588888A JP17588888A JPH0225104A JP H0225104 A JPH0225104 A JP H0225104A JP 17588888 A JP17588888 A JP 17588888A JP 17588888 A JP17588888 A JP 17588888A JP H0225104 A JPH0225104 A JP H0225104A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 9
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
0)産業上の利用分野
本発明はカラーTV受像機やVTR等に使用される5A
W(表面弾性波)装置1こ関する。
W(表面弾性波)装置1こ関する。
(ロ)従来の技術
第3図はこの種SAW装置の一般的な従来例を示してお
り、(1)は圧電性基板、(2)はアポダイズド型の送
信電極、(3)は正規型の受信電極、(4)はシールド
電極、(5)は上記送信電極(2)と同一ピッチのダミ
ー電極、(68)(6b)は表面波吸収材であり、これ
らは何れも特に説明するまでもなくSAWフィルタとし
て基本構成をなすものである。
り、(1)は圧電性基板、(2)はアポダイズド型の送
信電極、(3)は正規型の受信電極、(4)はシールド
電極、(5)は上記送信電極(2)と同一ピッチのダミ
ー電極、(68)(6b)は表面波吸収材であり、これ
らは何れも特に説明するまでもなくSAWフィルタとし
て基本構成をなすものである。
ここで前記吸収材(6a ) (6b )は基板(1)
の端縁部(Ia)(1b)で反射する不要な表面波を吸
収減衰させるためのものであるが、同図のように単に吸
収材(6a)(6b)を設けるだけでは、反射波の充分
な減衰効果が得られないため、従来はそれに加えて更に
第4図〜第7図のようにしていた。
の端縁部(Ia)(1b)で反射する不要な表面波を吸
収減衰させるためのものであるが、同図のように単に吸
収材(6a)(6b)を設けるだけでは、反射波の充分
な減衰効果が得られないため、従来はそれに加えて更に
第4図〜第7図のようにしていた。
すなわち、第4図の従来例では送信電極(2)の左側に
も右側のダミー電極(5b)と同様のダi −flE極
(5a)を設け、端縁部(1a)での反射によって位相
変移を受けた反射波がこの電極(5a)で更に減衰され
るようにしたり、第5図の例のようにダミー電極に代え
て連続した一体形状の補助電極(7)を設け、この電極
(7)によって端縁部(1a)に向う方向に伝播する表
面波自体を減衰させたり、第6図の例〔特開昭62−5
714号公報(HO3H9/145))のように受信電
極(3)に隣接して音響インピーダンス補償用電極(8
)を設け、この1!極lこよって位相反転された反射波
を通過波と相殺させて減衰させたり、或いは更に第7図
の例〔特公昭61−9769号(HO3H9/25)〕
のように基板(1)の端縁部(la)(N))を緩やか
に傾斜させ、その上に吸収材(6a)(6b)を塗布す
ることによって吸収材の効果を増大させるようにしてい
た。なお、第6図〜第7図に於いて対応する部分には全
て同一図番を付している。
も右側のダミー電極(5b)と同様のダi −flE極
(5a)を設け、端縁部(1a)での反射によって位相
変移を受けた反射波がこの電極(5a)で更に減衰され
るようにしたり、第5図の例のようにダミー電極に代え
て連続した一体形状の補助電極(7)を設け、この電極
(7)によって端縁部(1a)に向う方向に伝播する表
面波自体を減衰させたり、第6図の例〔特開昭62−5
714号公報(HO3H9/145))のように受信電
極(3)に隣接して音響インピーダンス補償用電極(8
)を設け、この1!極lこよって位相反転された反射波
を通過波と相殺させて減衰させたり、或いは更に第7図
の例〔特公昭61−9769号(HO3H9/25)〕
のように基板(1)の端縁部(la)(N))を緩やか
に傾斜させ、その上に吸収材(6a)(6b)を塗布す
ることによって吸収材の効果を増大させるようにしてい
た。なお、第6図〜第7図に於いて対応する部分には全
て同一図番を付している。
?)発明が解決しようとする課題
しかしながら、第4図の従来例では、ダミー電極(5a
) (5b )が送信電極(2)と電気曲番こ繋がっ
ているため、ダミー電極(5a ) (5b )と基板
裏面に接触するSAWフィルタの金属ケース(図示せず
)間に形成される静電容量が上記送信電極(2)1こ接
続されることになり、また、ダミー電極(5a ) (
5b )自体での反射波が生じる等の欠点がある。また
、第5図の例では補助電極(7)が櫛歯状のものでない
から、この電極(7)からの反射はないが、補助電極(
7)と前述の金属ケースとで形成される静電容量は第4
図の場合よりも更に大きくなる。また、第6図の例では
補償用電極(8)を設けろ分だけ基板(1)が大きくな
り、しかも、この電極(8)の形成位置の選定が難しく
、少しでもずれると却って反射波が増大することがある
。更番こ第7図の例では基板端縁部(1a)(1b)を
図示のような形状にすることは製造上問題があり、しか
も、この端縁部(1a)(1b)上にスクリーン印刷に
よって表面波吸収材(6a ) (6b )を塗布でき
ないため生産性が極めて悪いと云う欠点があった。
) (5b )が送信電極(2)と電気曲番こ繋がっ
ているため、ダミー電極(5a ) (5b )と基板
裏面に接触するSAWフィルタの金属ケース(図示せず
)間に形成される静電容量が上記送信電極(2)1こ接
続されることになり、また、ダミー電極(5a ) (
5b )自体での反射波が生じる等の欠点がある。また
、第5図の例では補助電極(7)が櫛歯状のものでない
から、この電極(7)からの反射はないが、補助電極(
7)と前述の金属ケースとで形成される静電容量は第4
図の場合よりも更に大きくなる。また、第6図の例では
補償用電極(8)を設けろ分だけ基板(1)が大きくな
り、しかも、この電極(8)の形成位置の選定が難しく
、少しでもずれると却って反射波が増大することがある
。更番こ第7図の例では基板端縁部(1a)(1b)を
図示のような形状にすることは製造上問題があり、しか
も、この端縁部(1a)(1b)上にスクリーン印刷に
よって表面波吸収材(6a ) (6b )を塗布でき
ないため生産性が極めて悪いと云う欠点があった。
また、第4図及び第5図の従来例では、ダミー電極(5
a)(5b)や補助電極(7)の存在のために基板内部
を通ろバルク波が増大し、それによる周波数特性の帯域
外スプリアスが増加すると云う問題もあった。
a)(5b)や補助電極(7)の存在のために基板内部
を通ろバルク波が増大し、それによる周波数特性の帯域
外スプリアスが増加すると云う問題もあった。
そこで本願は上記各従来例のような欠点を伴なうことな
く基板端面での反射波を充分に除去できろSAW装置を
提供することを目的とする。
く基板端面での反射波を充分に除去できろSAW装置を
提供することを目的とする。
に)課題を解決するための手段
本願の第1の発明では、送信、受信各電極の外側に夫々
位置する圧電性基板の表面波伝播方向の端部表面に連続
した一体形状をなし前記各電極と電気的に非接続の表面
波抑圧用の補助電極を形成してなる。
位置する圧電性基板の表面波伝播方向の端部表面に連続
した一体形状をなし前記各電極と電気的に非接続の表面
波抑圧用の補助電極を形成してなる。
また、第2の発明では、前記基板の端部表面に表面波伝
播方向に対して直交または斜交する溝が夫々形成され、
その各溝内Gこ表面波吸収材が流入するよう塗布されて
なる。
播方向に対して直交または斜交する溝が夫々形成され、
その各溝内Gこ表面波吸収材が流入するよう塗布されて
なる。
更に、第3の発明では、前述の如く前記基板の端面に設
けた補助電極上に表面波伝播方向に対して直交または斜
交する溝がそれぞれ形成され、その各溝内に表面波吸収
材が塗布されてなる。
けた補助電極上に表面波伝播方向に対して直交または斜
交する溝がそれぞれ形成され、その各溝内に表面波吸収
材が塗布されてなる。
(ホ)作 用
上記第1の発明では、前記各電極からそれぞれ外側即ち
基板端縁部に向う表面波及び該端縁部で充分(こ減衰さ
れず一部反射した表面波(反射波)は連続した一体形状
の補助電極の負荷作用によって減衰される。その際、補
助電極は送信、受信各電極と電気的に非接続であるから
、この送、受容電極に不要な静電容量が接続されず、従
って、周波数特性等に悪影響を与えないし、バルク波に
よす る帯域外スブリ、スも減少する。
基板端縁部に向う表面波及び該端縁部で充分(こ減衰さ
れず一部反射した表面波(反射波)は連続した一体形状
の補助電極の負荷作用によって減衰される。その際、補
助電極は送信、受信各電極と電気的に非接続であるから
、この送、受容電極に不要な静電容量が接続されず、従
って、周波数特性等に悪影響を与えないし、バルク波に
よす る帯域外スブリ、スも減少する。
次に第2の発明では、基板表面から表面波の波長の数倍
の深さまでのところを通って送受各電極から端縁部に向
う表面波及びその反射波は基板端部の溝内の吸収材に吸
収されて減衰される。
の深さまでのところを通って送受各電極から端縁部に向
う表面波及びその反射波は基板端部の溝内の吸収材に吸
収されて減衰される。
更に第3の発明では、前記補助電極と表面波吸収材の相
乗作用によって、前述の基板端縁部に向う表面波及びそ
の反射波を周波数特性等に悪影響を与えることなく一段
と効果的に減衰される。
乗作用によって、前述の基板端縁部に向う表面波及びそ
の反射波を周波数特性等に悪影響を与えることなく一段
と効果的に減衰される。
(へ)実施例
第1図は本願の第1の実施例を示しており、前述の各実
施例と対応する部分には同一図番を付すに留め、特徴部
分のみについて詳述する。即ち、この実施例では圧電性
基板(1)にXカット112°YL 1Ta03基板が
使用され、この基板(1)上の送信電極(2)及び受信
電極(3)のそれぞれ外側の基板表面上には基板端縁部
まで補助電極(9a)(9b)が形成されている。この
補助電極(9a)(9b)は上記送受各電極(2H3)
と同一材料のアルEニウムによって連続的に一体形成さ
れたものであり、送信電極(2)及び受信電極(3)に
同等接続されず、電気的に全く独立したものとなってい
る。前記補助電極(9a)(9b)のうち基板端縁部(
1a)(1b)から200μm程度離れた個所には幅1
20μm深さ100μmの溝(10a)(10b)が表
面波伝播方向に直交する方向即ち基板端縁部(1a)(
lb)に平行な方向に形成されており、且つ、この溝(
10a)(10b)内にも入り込むようにアルキド系樹
脂からなる表面波吸収材(6a)(6b)がスクリーン
印刷によって塗布されている。
施例と対応する部分には同一図番を付すに留め、特徴部
分のみについて詳述する。即ち、この実施例では圧電性
基板(1)にXカット112°YL 1Ta03基板が
使用され、この基板(1)上の送信電極(2)及び受信
電極(3)のそれぞれ外側の基板表面上には基板端縁部
まで補助電極(9a)(9b)が形成されている。この
補助電極(9a)(9b)は上記送受各電極(2H3)
と同一材料のアルEニウムによって連続的に一体形成さ
れたものであり、送信電極(2)及び受信電極(3)に
同等接続されず、電気的に全く独立したものとなってい
る。前記補助電極(9a)(9b)のうち基板端縁部(
1a)(1b)から200μm程度離れた個所には幅1
20μm深さ100μmの溝(10a)(10b)が表
面波伝播方向に直交する方向即ち基板端縁部(1a)(
lb)に平行な方向に形成されており、且つ、この溝(
10a)(10b)内にも入り込むようにアルキド系樹
脂からなる表面波吸収材(6a)(6b)がスクリーン
印刷によって塗布されている。
また、送信電極(2)の右側に形成されたダミー電極α
1)は受信電極(3)に到達する表面波の位相が揃うよ
うにするためのものであるが、このダミー電極(11)
も第4図の従来例のものとは異なり、補助電極(9a)
と同様のH的で送信電極(2)と電気的に非接続となっ
ている。
1)は受信電極(3)に到達する表面波の位相が揃うよ
うにするためのものであるが、このダミー電極(11)
も第4図の従来例のものとは異なり、補助電極(9a)
と同様のH的で送信電極(2)と電気的に非接続となっ
ている。
次に第2図は圧電性基板(1)に袷Φテ+128Yカッ
トXLiNbO3基板を使用した他の実施例を示してい
る。即ち、128°YカツトXLiNbO3基板は電気
機械結合係数が大きく、それだけ反射波の影響が大きく
なるため、送信電極(2)の重み付は方向を傾斜させて
表面波伝播方向での再励起を軽減すると共に、溝(10
a)(:10b)の長さ方向を表面波伝播方向に対して
図示の如く75程度に傾斜させ、それにより送受各電極
(2+(31から端縁部に向う途中で補助電極(9a)
(9b)や吸収材(6a)(6b)によって完全に吸収
されず、端縁部(1a)(1b)で反射した表面波を上
記溝(10a)(10b)の部分で散乱させて表面波伝
播路に戻らないようにしている。
トXLiNbO3基板を使用した他の実施例を示してい
る。即ち、128°YカツトXLiNbO3基板は電気
機械結合係数が大きく、それだけ反射波の影響が大きく
なるため、送信電極(2)の重み付は方向を傾斜させて
表面波伝播方向での再励起を軽減すると共に、溝(10
a)(:10b)の長さ方向を表面波伝播方向に対して
図示の如く75程度に傾斜させ、それにより送受各電極
(2+(31から端縁部に向う途中で補助電極(9a)
(9b)や吸収材(6a)(6b)によって完全に吸収
されず、端縁部(1a)(1b)で反射した表面波を上
記溝(10a)(10b)の部分で散乱させて表面波伝
播路に戻らないようにしている。
(ト)発明の効果
本願の表面弾性波装置に依れば、周波数特性等に悪影響
を与えることなく、基板の端縁部による表面波の反射波
を充分−こ減衰させて、この反射波による周波数特性の
リップルを減少できる。また、それを従来の製造工程を
特番こ変更せずに実現できるので、生産効率の低下やコ
ストアップを招くこともない。
を与えることなく、基板の端縁部による表面波の反射波
を充分−こ減衰させて、この反射波による周波数特性の
リップルを減少できる。また、それを従来の製造工程を
特番こ変更せずに実現できるので、生産効率の低下やコ
ストアップを招くこともない。
第1図及び第2図は本願の表面弾性波装置の異なる二つ
の実施例をそれぞれ示す斜視図、第3図、第4図、第5
図、第6図及び第7図は何れも表面弾性波装置の異なる
従来例をそれぞれ示す平面図である。 (1)・・・基板、(2)・・・送信電極、(3)・・
・受信電極、(66a ) (6b )−・・表面波吸
収材、(9a)(9b)・・・補助電極、(10a)(
10b)・・・溝。
の実施例をそれぞれ示す斜視図、第3図、第4図、第5
図、第6図及び第7図は何れも表面弾性波装置の異なる
従来例をそれぞれ示す平面図である。 (1)・・・基板、(2)・・・送信電極、(3)・・
・受信電極、(66a ) (6b )−・・表面波吸
収材、(9a)(9b)・・・補助電極、(10a)(
10b)・・・溝。
Claims (3)
- (1)圧電性基板上にアポダイズド型の送信電極と正規
型の受信電極とを対向配置してなる表面弾性波装置に於
いて、上記各電極の外側に夫々位置する前記基板の表面
波伝播方向の端部表面に連続した一体形状をなし前記各
電極と電気的に非接続の表面波抑圧用の補助電極を形成
したことを特徴とする表面弾性波装置。 - (2)前記補助電極上には表面波伝播方向に対して直交
又は斜交する溝がそれぞれ形成され、その各溝内に表面
波吸収材が流入するよう塗布されたことを特徴とする請
求項1記載の表面弾性波装置。 - (3)圧電性基板上にアポダイズド型の送信電極と正規
型の受信電極とを対向配置してなる表面弾性波装置に於
いて、上記各電極の外側に夫々位置する前記基板の表面
波伝播方向の端部表面に上記表面波伝播方向に対して直
交又は斜交する溝をそれぞれ形成し、その各溝内に表面
波吸収剤が流入するよう塗布されたことを特徴とする表
面弾性波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17588888A JPH0225104A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 表面弾性波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17588888A JPH0225104A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 表面弾性波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0225104A true JPH0225104A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=16003975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17588888A Pending JPH0225104A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 表面弾性波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0225104A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034081A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5362444A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-03 | Hitachi Ltd | Elastic surface wave unit |
JPS542333B2 (ja) * | 1973-03-15 | 1979-02-06 | ||
JPS5544619B2 (ja) * | 1974-12-23 | 1980-11-13 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP17588888A patent/JPH0225104A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS542333B2 (ja) * | 1973-03-15 | 1979-02-06 | ||
JPS5544619B2 (ja) * | 1974-12-23 | 1980-11-13 | ||
JPS5362444A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-03 | Hitachi Ltd | Elastic surface wave unit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034081A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
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