JPH02250524A - High frequency switch circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はテレビ受信機のチューナ等において2つの高
周波信号を入力してどちらか1つの信号を出力する高周
波スイッチ回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a high frequency switch circuit that inputs two high frequency signals and outputs one of the signals in a tuner of a television receiver or the like.
「従来の技術」
第5図はテレビ受信機のチューナの構成例を示すブロッ
ク図であり、この図において、1はアンテナ、21およ
び22はそれぞれV HF帯およびUHF帯のテレビジ
ョン信号(以下、TV信号という)を通過させるバンド
パスフィルタ(以下、BPF’という)、31および3
.はそれぞれI3 P l” 21および2.の出力信
号を増幅する高周波増幅器、41および4.はそれぞれ
高周波増幅器31および3、の出力11号を通過させる
BPFである。``Prior Art'' FIG. 5 is a block diagram showing an example of the configuration of a tuner of a television receiver. In this figure, 1 is an antenna, 21 and 22 are television signals in the VHF band and UHF band (hereinafter referred to as bandpass filters (hereinafter referred to as BPF'), 31 and 3, which pass the TV signal);
.. are high frequency amplifiers that amplify the output signals of I3 P l'' 21 and 2, respectively, and 41 and 4 are BPFs that pass output No. 11 of the high frequency amplifiers 31 and 3, respectively.
また、5はV HF帯およびUHF’帯のTV信号をそ
れぞれ中間周波信号に変換して出力する周波数変換用I
Cであり、IC5において、61および6.はそれぞれ
V HF’帯およびU )[F帯の局部発振信号を出力
する局部発振器、71および7.はそれぞれBPF4+
および4.の出力信号をV I−I F帯およびIJ
HF帯の局部発振信号とそれぞれ混合して中間周波信号
に変換する混合器、8は中間周波信号を増幅する中間周
波増幅器である。In addition, 5 is a frequency conversion I that converts the TV signals of the V HF band and UHF' band into intermediate frequency signals and outputs the signals.
C, and in IC5, 61 and 6. 71 and 7. are local oscillators that output local oscillation signals in the V HF' band and U ) [F band, respectively. are each BPF4+
and 4. The output signal of V I-IF band and IJ
A mixer mixes the signals with local oscillation signals in the HF band and converts them into intermediate frequency signals, and reference numeral 8 denotes an intermediate frequency amplifier that amplifies the intermediate frequency signals.
さらに、9はV HF帯およびUHF帯の局部発振信号
をそれぞれ入力してどちらか1つの信号を出力する高周
波スイッチ回路であって、101および10.は入力端
子、■■は出力端子である。Further, reference numeral 9 denotes a high frequency switch circuit which inputs local oscillation signals in the VHF band and the UHF band and outputs either one of the signals, and 101 and 10. is an input terminal, and ■■ is an output terminal.
加えて、I2はPLL回路用のICであり、高周波スイ
ッチ回路9から出力される局部発振信号を入力して選局
されたヂャンネルに応じた選坊制御電圧を局部発振器6
.または6.の制御電圧入力端子に印加して局部発振信
号の周波数を制御する。In addition, I2 is an IC for the PLL circuit, which inputs the local oscillation signal output from the high frequency switch circuit 9 and outputs a selection control voltage according to the selected channel to the local oscillator 6.
.. or 6. is applied to the control voltage input terminal of the oscillator to control the frequency of the local oscillation signal.
次に、第6図に高周波スイッチ回路9の具体的な回路の
一例を示す。この図において、第5図の各部に対応する
部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。第6
図において、131および+3.はエミッタフォロワ回
路を構成するトランジスタ、141および14.は定電
圧源、151および15tはベース抵抗、16.および
16.はコレクタ抵抗である。Next, an example of a specific circuit of the high frequency switch circuit 9 is shown in FIG. In this figure, parts corresponding to those in FIG. 5 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted. 6th
In the figure, 131 and +3. 141 and 14. are transistors forming an emitter follower circuit; is a constant voltage source, 151 and 15t are base resistors, 16. and 16. is the collector resistance.
また、17.および17tは定電流源を構成するトラン
ジスタ、+8.および+8.は電流制御(即用抵抗、1
9.および19.は定電圧源、20.および20、は共
通端子Tcがトランジスタ17□および17、のベース
にそれぞれ接続され、端子Taが定電圧源+9.および
19tにそれぞれ接続され、端子Tbかそれぞれ接地さ
れたスイッチ、2+、および21.は直流阻止用コンデ
ンサである。Also, 17. and 17t are transistors forming a constant current source; +8. and +8. is current control (immediate resistance, 1
9. and 19. is a constant voltage source, 20. and 20, the common terminal Tc is connected to the bases of the transistors 17□ and 17, respectively, and the terminal Ta is connected to the constant voltage source +9. and 19t, and switches 2+ and 21. whose terminals Tb are respectively grounded. is a DC blocking capacitor.
このような構成において、V HF帯の′rv信号を受
信するには、スイッチ20.の共通端子’II’ 、を
端子T、に接続し、スイッチ20.の共通端子Tcを端
子T、に接続する。これにより、トランジスタ17.は
、定電圧11tl 9.によってバイアスが供給され、
定電流源になり、トランジスタ13.がエミッタ7オロ
ワとして動作する。一方、トランジスタ17.は、ベー
スが接地され、オフ状態になり、トランジスタ13tも
オフ状態になる。従って、入力端子101から入力され
たV I−I F帯の局部発振信号はトランジスタ13
.および直流阻止用コンデンサ211を経て出力端子1
1から出力される。一方、入力端子10.から入力され
たU11F帯の局部発振信号はトランジスタ13.にお
いて阻止され、出力端子Ifからはほとんど出力されな
い。In such a configuration, in order to receive the 'rv signal in the VHF band, switch 20. The common terminal 'II' of the switch 20. is connected to the terminal T, and the switch 20. The common terminal Tc of is connected to the terminal T,. This causes transistor 17. is a constant voltage of 11tl9. The bias is supplied by
Becomes a constant current source, transistor 13. operates as an emitter 7-lower. On the other hand, transistor 17. has its base grounded and is in an off state, and the transistor 13t is also in an off state. Therefore, the local oscillation signal in the V I-IF band input from the input terminal 101 is transmitted to the transistor 13.
.. and the output terminal 1 via the DC blocking capacitor 211.
Output from 1. On the other hand, input terminal 10. The U11F band local oscillation signal input from transistor 13. The signal is blocked at the output terminal If, and is hardly output from the output terminal If.
また、U HI”帯の’I” V信号を受信するには、
スイッチ20.の共通端子Tcを端子T居こ接続し、ス
イッチ20.の共通端子′rcを端子Tbに接続する。In addition, to receive the 'I'V signal of the UHI' band,
Switch 20. Connect the common terminal Tc of the terminal T to the switch 20. The common terminal 'rc of is connected to the terminal Tb.
後の動作は上述の場合と同様であるので説明を省略する
。The subsequent operations are the same as those described above, so the explanation will be omitted.
尚、第5図のヂューナにおいては、Vl−IF帯の’I
’ V信号受信時には局部発振器6.の発振を、Ut[
F帯のTV信号受信時には局部発振器6.の発振をそれ
ぞれ停止させている。In addition, in the tuner shown in Fig. 5, 'I of the Vl-IF band
' When receiving the V signal, the local oscillator 6. The oscillation of Ut[
When receiving F-band TV signals, local oscillator 6. The oscillations of each are stopped.
[発明が解決しようとする課MJ
ところで、上述した従来のヂューナにおいて、周波数変
換用IC5の高周波スイッチ回路9で(ま、ICのデツ
プ上にコンデンサ21.および21.を形成する必要が
ある。ところが、スイッチ20゜および20.を切り換
える度にトランジスタ13およびI3.のエミッタ電位
が変化するので、これらのコンデンサ21+および21
.には、トランジスタの接合容量を利用したものを使用
することが困難であり、MO8構造によって形成された
ものを使用しなければならないという問題があった。[Problem to be Solved by the Invention MJ] By the way, in the conventional tuner described above, in the high frequency switch circuit 9 of the frequency conversion IC 5 (well, it is necessary to form capacitors 21. and 21. on the depth of the IC. , the emitter potentials of transistors 13 and I3. change each time switches 20° and 20. are switched, so these capacitors 21+ and 21.
.. However, there is a problem in that it is difficult to use a transistor that utilizes the junction capacitance of a transistor, and a transistor formed of an MO8 structure must be used.
従って、ICのチップ面積が広くなるという欠点かあっ
た。Therefore, there was a drawback that the IC chip area became large.
ところで、トランジスタには接合容量があるため、トラ
ンジスタをオフ状態にして乙、V HF帯やU HF−
帯の信号に対しては完全にオフ状態にならない。従って
、トランジスタ13.および13゜の内、一方がエミッ
タフォロワとして動作している場合に、他方のトランジ
スタが、コンデンサ211および21.を介して、動作
しているトランジスタに悪影響を与えるという問題があ
った。By the way, since transistors have junction capacitance, when the transistor is turned off,
It does not turn off completely for band signals. Therefore, transistor 13. and 13°, when one is operating as an emitter follower, the other transistor is connected to the capacitors 211 and 21 . There was a problem in that it had an adverse effect on the operating transistors.
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、コン
デンサを使用することなく構成することができ、しかも
、アイソレーションの高い高周波スイッチ回路を提供す
ることを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a high-frequency switch circuit that can be constructed without using a capacitor and has high isolation.
「課題を解決するための手段」
この発明は、第1および第2の高周波信号がそれぞれ入
力され、切り換え操作によって第1および第2の高周波
信号のどちらか1つの信号か出力端子から出力される高
周波スイッチ回路において、エミッタに第1の高周波信
号が入力され、コレクタが出力端子に接続された第1の
トランジスタと、エミッタに第2の高周波信号が入力さ
れ、コレクタが出力端子に接続された第2のトランジス
タと、切り換え操作に応じて、第1および第2のトラン
ジスタの内、いずれか一方のトランジスタを導通状態に
し、いずれか他方のトランジスタのコレクタとエミッタ
との間に逆バイアス電圧を加えて非導通状態にするバイ
アス回路とを具備することを特徴としている。"Means for Solving the Problem" In the present invention, first and second high frequency signals are respectively input, and by a switching operation, one of the first and second high frequency signals is output from an output terminal. In a high frequency switch circuit, a first transistor has an emitter input with a first high frequency signal and a collector connected to an output terminal, and a second transistor has an emitter input with a second high frequency signal and a collector connected to an output terminal. Depending on the switching operation, one of the first and second transistors is made conductive, and a reverse bias voltage is applied between the collector and emitter of the other transistor. The device is characterized in that it includes a bias circuit that brings the device into a non-conductive state.
「作用」
この発明によれば、バイアス回路によって第1のトラン
ジスタを導通状態にし、かつ、第2のトランジスタのコ
レクタとエミッタとの間に逆バイアス電圧を加えると、
第1の高周波信号は、第1のトランジスタのエミッタお
よびコレクタを経て出力端子から出力される。一方、第
2の高周波信号は、第2のトランジスタが高インピーダ
ンスであるので、出力端子から出力されない。"Operation" According to the present invention, when the first transistor is made conductive by the bias circuit and a reverse bias voltage is applied between the collector and emitter of the second transistor,
The first high frequency signal is output from the output terminal via the emitter and collector of the first transistor. On the other hand, the second high-frequency signal is not output from the output terminal because the second transistor has high impedance.
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第1図はこの発明の第1の実施例による高周波ス
イッチ回路の構成を示す回路図であり、この図において
、第6図の各部に対応する部分には同一の符号を付け、
その説明を省略する。"Embodiment" Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a high frequency switch circuit according to a first embodiment of the present invention. In this figure, parts corresponding to those in FIG. 6 are given the same reference numerals,
The explanation will be omitted.
第1図において、221および22.はそれぞれエミッ
タが入力端子10.および10.に接続され、コレクタ
が出力端子11に接続されたトランジスタ、23は定電
圧源、241および24.はそれぞれ一端が定電圧源2
3に接続され、他端がトランジスタ221および22.
のエミッタに接続された抵抗、25.および25.はそ
れぞれ一端が定電圧源23に接続され、他端かトランジ
スタ22.および22.のベースに接続された抵抗、2
6は端子1paかトランジスタ22.のエミッタに接続
され、端子T、がトランジスタ22.のエミッタに接続
され、共通端子′rcが抵抗27を介して接地されたス
イッチである。In FIG. 1, 221 and 22. The emitters of each input terminal 10. and 10. 23 is a constant voltage source, 241 and 24 . One end of each is a constant voltage source 2
3, and the other end is connected to transistors 221 and 22.3.
a resistor connected to the emitter of 25. and 25. are connected at one end to the constant voltage source 23, and at the other end to the transistor 22. and 22. resistor connected to the base of , 2
6 is the terminal 1pa or the transistor 22. The terminal T is connected to the emitter of the transistor 22. This is a switch connected to the emitter of , and whose common terminal 'rc is grounded via a resistor 27.
尚、定電圧源23aびに抵抗24い242.25い25
.および27(以下、これらをまとめてバイアス回路と
呼ぶ)の値は、スイッチ26の共通端子T eを端子T
居こ接続した場合に、トランジスタ221をオンさせ、
トランジスタ22.のエミッタからコレクタへ?1XI
Aを流し、スイッチ26の共通端子′【゛ゆを端子II
Iゎに接続した場合に、トランジスタ22.をオンさせ
、トランジスタ221のエミッタからコレクタへ電流を
流すような値に予め設定する。In addition, the constant voltage source 23a and the resistor 24 242.25 25
.. and 27 (hereinafter collectively referred to as a bias circuit), the common terminal T e of the switch 26 is connected to the terminal T
When the connection is made, the transistor 221 is turned on,
Transistor 22. from emitter to collector? 1XI
Flow A, and connect the common terminal of switch 26 to terminal II.
When connected to Iゎ, transistor 22. is set in advance to a value that turns on the transistor 221 and causes a current to flow from the emitter to the collector of the transistor 221.
このような構成において、V HF帯のTV信号を受信
するには、スイッチ26の共通端子Tcを端子′l′6
に接続する。この時、第1図の端子T1および′I゛、
における電位をそれぞれ電位v1およびV、とすると、
上述のバイアス回路の設定により、電位■1とV、との
関係は、次式に示すようになる。In such a configuration, in order to receive a TV signal in the VHF band, the common terminal Tc of the switch 26 is connected to the terminal 'l'6.
Connect to. At this time, the terminals T1 and 'I゛ in FIG.
Let the potentials at be potentials v1 and V, respectively.
By setting the bias circuit as described above, the relationship between the potential (1) and V becomes as shown in the following equation.
V + < V 2・ ・・■
これにより、定電圧源23から抵抗24.を介して流れ
ろ電流は、トランジスタ22.のエミッタから流れ込ん
でトランジスタ22.のエミッタから流れ出ることにな
り、トランジスタ22.および22!の動作点はそれぞ
れ第2図の点ユおよびbになる。従って、トランジスタ
22.がオフになって高周波信号に対して高インピーダ
ンスになる。一方、トランジスタ22.がオンになって
高周波信号に対して低インピーダンスになる。これによ
り、入力端子10.から入力されたV HF帯の局部発
振信号は、トランジスタ221を経て出力端子11から
出力される。一方、入力端子10、から入力されたU
IIF帯の局部発振信号はトランジスタ22.が高周波
信号に対して高インピーダンスであるので、出力端子1
1からはほとんど出力されない。V + < V 2...■ As a result, the constant voltage source 23 is connected to the resistor 24. Current flows through transistor 22. flows from the emitter of transistor 22. will flow out from the emitter of transistor 22. and 22! The operating points of are points U and b in FIG. 2, respectively. Therefore, transistor 22. is turned off and becomes a high impedance to high frequency signals. On the other hand, transistor 22. turns on and becomes a low impedance to high frequency signals. As a result, input terminal 10. A local oscillation signal in the VHF band inputted from the VHF band is outputted from the output terminal 11 via the transistor 221. On the other hand, U input from the input terminal 10
The IIF band local oscillation signal is transmitted through transistor 22. has high impedance to high frequency signals, so output terminal 1
There is almost no output from 1.
また、UHF帯のTV信号を受信するには、スイッチ2
6の共通端子Tcを端子Tbに接続する。In addition, to receive UHF band TV signals, switch 2
The common terminal Tc of 6 is connected to the terminal Tb.
後の動作は上述の場合と同様であるので説明を省略する
。The subsequent operations are the same as those described above, so the explanation will be omitted.
次に、この発明の第2の実施例について説明する。第3
図はこの発明の第2の実施例による高周波スイッチ回路
の構成を示す回路図であり、この図において、第6図の
各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を
省略する。この図に示す高周波スイッチ回路においては
、コンデンサ21、および21.に代えて、第1図にお
いて説明したトランジスタ22.および22.、抵抗2
5゜および25.並びに定電圧源28が新たに設けられ
ている。Next, a second embodiment of the invention will be described. Third
This figure is a circuit diagram showing the configuration of a high frequency switch circuit according to a second embodiment of the present invention. In this figure, parts corresponding to those in FIG. 6 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted. In the high frequency switch circuit shown in this figure, capacitors 21 and 21 . In place of the transistor 22. described in FIG. and 22. , resistance 2
5° and 25. Additionally, a constant voltage source 28 is newly provided.
尚、定電圧源143.14!および28の電圧EBl、
EalおよびEaaは、以下に示す関係式を満足するよ
うに予め設定する。In addition, constant voltage source 143.14! and a voltage EBl of 28,
Eal and Eaa are set in advance so as to satisfy the relational expression shown below.
Ea+=E□・・・◆・・■
E aa> E a+、 E am・・・■また、スイ
ッチ201の共通端子Tcを端子T。Ea+=E□...◆...■ E aa> E a+, E am...■ Also, the common terminal Tc of the switch 201 is connected to the terminal T.
に接続し、スイッチ20.の共通端子Tcを端子Tbに
接続した場合に、トランジスタ13+および13、のコ
レクタ電流1c+およびlctが以下に示す関係式を満
足するように、定電圧源19+および192並びに抵抗
16,116..18tおよび18、の値を予め設定す
る。and switch 20. Constant voltage sources 19+ and 192 and resistors 16, 116 . .. The values of 18t and 18 are set in advance.
fct>ICs・・−■
このような構成において、VHF帯のT V +=号を
受信するには、スイッチ20.の共通端子Tcを端子T
6に接続し、スイッチ20.の共通端子Tcを端子T、
に接続する。この時、第3図の端子rr1およびT、に
おける電位をそれぞれ電位v1およびV、とすると、ト
ランジスタ13.および17.は共にオフ状態であるが
、トランジスタ!3.には定電圧源1/Lによって微少
電流がなかれるので、電位V、と電圧E8.との関係は
、次式のようになる。fct>ICs...-■ In such a configuration, in order to receive the VHF band TV += signal, the switch 20. common terminal Tc of terminal T
6 and switch 20. common terminal Tc of terminal T,
Connect to. At this time, assuming that the potentials at terminals rr1 and T in FIG. 3 are potentials v1 and V, respectively, transistor 13. and 17. are both off, but the transistor! 3. Since a minute current is removed by the constant voltage source 1/L, the potential V and the voltage E8. The relationship is as shown in the following equation.
■、舛EB!・ ・ ・■
一方、トランジスタ131および17.は共にオン状態
であるので、抵抗15.における電圧降下およびトラン
ジスタ13.のベース・エミッタ間電圧Veg+より、
電位v1と電圧E alとの関係は、次式のようになる
。■, Masu EB!・ ・ ・■ On the other hand, transistors 131 and 17. Since both are in the on state, resistor 15. The voltage drop at transistor 13. From the base-emitter voltage Veg+ of
The relationship between the potential v1 and the voltage E al is as shown in the following equation.
V I< E a+−・ ・■ 従って、弐〇、■および■より、以下の関係になる。V I<E a+-・・■ Therefore, from 2〇, ■, and ■, the following relationship is obtained.
EBe>Eat、Eaz勺V t> V r ’ ”
”■以上のことにより、トランジスタ13.のエミ
ッタ電流は、トランジスタ22□のエミッタから流れ込
んでトランジスタ22.のエミッタから流れ出ることに
なり、トランジスタ22.および22゜の動作点は、第
1の実施例と同様、それぞれ第2図の点aおよびbにな
る。従って、トランジスタ22、かオフになって高周波
信号に対して高インピーダンスになる。一方、トランジ
スタ221がオンになって高周波信号に対して低インピ
ーダンスとなる。これにより、入力端子10.から入力
されたV HF帯の局部発振信号は、トランジスタ13
、および22.を経て出力端子IIから出力される。一
方、入力端子10.から入力されたU HF帯の局部発
振信号はトランジスタ13.において十分に減衰され、
出力端子11からはほとんど出力されない。EBe>Eat, Eaz勺V t>V r'”
``■ As a result of the above, the emitter current of transistor 13. flows into the emitter of transistor 22□ and flows out from the emitter of transistor 22., and the operating points of transistors 22. and 22° are the same as in the first embodiment. , respectively, resulting in points a and b in FIG. As a result, the local oscillation signal in the VHF band input from the input terminal 10 is transmitted to the transistor 13.
, and 22. The signal is then output from output terminal II. On the other hand, input terminal 10. The UHF band local oscillation signal input from transistor 13. is sufficiently attenuated at
There is almost no output from the output terminal 11.
また、U HF帯の′r■信号を受信するには、スイッ
チ20.の共通端子Tcを端子T、に接続し、スイッチ
20+の共通端子Tcを端子T、に接続する。後の動作
は上述の場合と同様であるので説明を省略する。In addition, in order to receive the 'r■ signal in the UHF band, switch 20. The common terminal Tc of the switch 20+ is connected to the terminal T, and the common terminal Tc of the switch 20+ is connected to the terminal T. The subsequent operations are the same as those described above, so the explanation will be omitted.
次に、この発明の第3の実施例について説明する。第4
図はこの発明の第3の実施例による高周波スイッチ回路
の構成を示す回路図であり、この図において、第3図の
各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を
省略する。この図に示す高周波スイッチ回路においては
、トランジスタ13.および!39、定電圧源14.お
よび14゜並びにベース抵抗15.および15.が取り
除かれ、入力端子10Iおよび10t、抵抗161およ
び16、の一端並びにトランジスタ221および22゜
のエミッタがそれぞれ一点で接続されている。Next, a third embodiment of the invention will be described. Fourth
This figure is a circuit diagram showing the configuration of a high frequency switch circuit according to a third embodiment of the present invention. In this figure, parts corresponding to those in FIG. 3 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted. In the high frequency switch circuit shown in this figure, transistor 13. and! 39. Constant voltage source 14. and 14° and base resistance 15. and 15. are removed, and input terminals 10I and 10t, one ends of resistors 161 and 16, and the emitters of transistors 221 and 22° are connected at one point, respectively.
尚、動作については第2の実施例とほぼ同様であるので
説明を省略する。Note that the operation is almost the same as that of the second embodiment, so a description thereof will be omitted.
以上説明したように、VHF帯およびU I(P帯のT
V信号の内、一方の信号を受信する場合にスイッチ26
(第2および第3の実施例ではスイッチ20.および2
0t)を切り換えると、トランジスタ22.および22
.の内、受信されない側が高インピーダンスになり、ア
イソレーションが高くなるので、受信された信号がもう
一方の信号によって悪影響を受けることはない。As explained above, VHF band and U I (P band T
Switch 26 when receiving one of the V signals
(In the second and third embodiments, switches 20 and 2
0t), transistor 22. and 22
.. The side that is not received has a high impedance and high isolation, so the received signal will not be adversely affected by the other signal.
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、高周波スイッ
チ回路をコンデンサを使用することなく構成することか
できるという効果がある。従って、Icのチップ面積を
小さくすることができ、ICの歩留まりを向上させるこ
とかできるという効果がある。また、アイソレーション
が高いという効果がある。従って、一方の信号が出力さ
れている時に他方の信号が悪影響を与えないという効果
がある。"Effects of the Invention" As explained above, according to the present invention, there is an effect that a high frequency switch circuit can be configured without using a capacitor. Therefore, the chip area of Ic can be reduced and the yield of IC can be improved. Additionally, there is an effect of high isolation. Therefore, there is an effect that when one signal is being output, the other signal does not have an adverse effect.
第1図はこの発明の第1の実施例による高周波スイッチ
回路の構成を示す回路図、第2図はトランジスタ22.
および22.の特性の一例を示す図、第3図および第4
図はそれぞれこの発明の第2および第3の実施例による
高周波スイッチ回路の構成を示す回路図、第5図はテレ
ビ受信機のチューナの構成例を示すブロック図、第6図
は従来の高周波スイッチ回路の構成例を示す回路図であ
る。
4!、 19+119g、 23、28・・・・・6
い 16 、、 皇 8 い 182、 242
53.27・・・・・・抵抗、17..122、・・・
・・・トランジスタ、20い 2・・・スイッチ。
14、、 l
定電圧源、1
24、.2511
72.22..
02.26・FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a high frequency switch circuit according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
and 22. Figures 3 and 4 show examples of the characteristics of
The figures are circuit diagrams showing the configurations of high-frequency switch circuits according to second and third embodiments of the present invention, FIG. 5 is a block diagram showing an example of the configuration of a tuner for a television receiver, and FIG. 6 is a conventional high-frequency switch. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration. 4! , 19+119g, 23, 28...6
I 16,, Emperor 8 I 182, 242
53.27...Resistance, 17. .. 122,...
...transistor, 20 2...switch. 14,, l Constant voltage source, 1 24, . 2511 72.22. .. 02.26・
Claims (1)
換え操作によって前記第1および第2の高周波信号のど
ちらか1つの信号が出力端子から出力される高周波スイ
ッチ回路において、エミッタに前記第1の高周波信号が
入力され、コレクタが前記出力端子に接続された第1の
トランジスタと、エミッタに前記第2の高周波信号が入
力され、コレクタが前記出力端子に接続された第2のト
ランジスタと、前記切り換え操作に応じて、前記第1お
よび第2のトランジスタの内、いずれか一方のトランジ
スタを導通状態にし、いずれか他方のトランジスタのコ
レクタとエミッタとの間に逆バイアス電圧を加えて非導
通状態にするバイアス回路とを具備することを特徴とす
る高周波スイッチ回路。A high frequency switch circuit in which first and second high frequency signals are respectively input and one of the first and second high frequency signals is outputted from an output terminal by a switching operation, wherein the first high frequency signal is input to an emitter. a first transistor to which a signal is input and whose collector is connected to the output terminal; a second transistor to which the emitter receives the second high-frequency signal and whose collector is connected to the output terminal; and the switching operation. A bias that makes one of the first and second transistors conductive and applies a reverse bias voltage between the collector and emitter of the other transistor to make it non-conductive in response to A high frequency switch circuit comprising a circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1072382A JP2796115B2 (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | High frequency switch circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1072382A JP2796115B2 (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | High frequency switch circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02250524A true JPH02250524A (en) | 1990-10-08 |
JP2796115B2 JP2796115B2 (en) | 1998-09-10 |
Family
ID=13487684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1072382A Expired - Lifetime JP2796115B2 (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | High frequency switch circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2796115B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1053539C (en) * | 1994-05-03 | 2000-06-14 | 台扬科技股份有限公司 | High-frequency singlepole multi-throw switch with gain function |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5115852U (en) * | 1974-07-22 | 1976-02-05 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072382A patent/JP2796115B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5115852U (en) * | 1974-07-22 | 1976-02-05 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1053539C (en) * | 1994-05-03 | 2000-06-14 | 台扬科技股份有限公司 | High-frequency singlepole multi-throw switch with gain function |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2796115B2 (en) | 1998-09-10 |
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