JPH0224798B2 - - Google Patents
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- JPH0224798B2 JPH0224798B2 JP12471382A JP12471382A JPH0224798B2 JP H0224798 B2 JPH0224798 B2 JP H0224798B2 JP 12471382 A JP12471382 A JP 12471382A JP 12471382 A JP12471382 A JP 12471382A JP H0224798 B2 JPH0224798 B2 JP H0224798B2
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- melt
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- sliding plate
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- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 52
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
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- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に、順次積層された少くとも
２つの層を液相成長させることができる液相エピ
タキシヤル成長用装置及びそれを使用して、基板
上に、順次積層された少くとも２つの層を液相成
長させる液相エピタキシヤル成長法に関し、特に
基板上に順次積層された複数の半導体層を形成し
ている半導体受光素子用ウエフアを形成する場合
に適用して、好適なものである。
２つの層を液相成長させることができる液相エピ
タキシヤル成長用装置及びそれを使用して、基板
上に、順次積層された少くとも２つの層を液相成
長させる液相エピタキシヤル成長法に関し、特に
基板上に順次積層された複数の半導体層を形成し
ている半導体受光素子用ウエフアを形成する場合
に適用して、好適なものである。
基板上に、順次積層された少くとも２つの層を
液相成長させることができる液相エピタキシヤル
成長用装置として、従来、次の構成を有するもの
が提案されている。
液相成長させることができる液相エピタキシヤル
成長用装置として、従来、次の構成を有するもの
が提案されている。
即ち、第１図に示すように、上面に基板載置用
凹所１を形成している基板載置用摺動板２を有す
る。
凹所１を形成している基板載置用摺動板２を有す
る。
また、基板載置用摺動板２上にその上面と接触
して配され、且つ基板載置用摺動板２の上面と共
働して、順次、例えば４つの融液保持用槽Ｂ１，
Ｂ２，Ｂ３及びＢ４をそれぞれ形成している、相
対向する主面間に貫通している貫通孔Ｈ１，Ｈ
２，Ｈ３及びＨ４を有する融液保持用固定板３を
有する。この場合、貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３及び
Ｈ４は、互に同じパターン（形状及び面積が同
じ）を有する。
して配され、且つ基板載置用摺動板２の上面と共
働して、順次、例えば４つの融液保持用槽Ｂ１，
Ｂ２，Ｂ３及びＢ４をそれぞれ形成している、相
対向する主面間に貫通している貫通孔Ｈ１，Ｈ
２，Ｈ３及びＨ４を有する融液保持用固定板３を
有する。この場合、貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３及び
Ｈ４は、互に同じパターン（形状及び面積が同
じ）を有する。
さらに、基板載置用摺動板２を、融液保持用固
定板３に対して摺動させる手段４としての、押杆
５を有する。
定板３に対して摺動させる手段４としての、押杆
５を有する。
尚、第１図においては、６は、基板載置用摺動
板２が融液保持用固定板３に対して摺動し得るよ
うに、それ等を保持している固定保持板である。
板２が融液保持用固定板３に対して摺動し得るよ
うに、それ等を保持している固定保持板である。
以上が、従来提案されている液相エピタキシヤ
ル成長用装置の構成であるが、このような構成を
有する液相エピタキシヤル成長用装置を使用し
て、基板上に、順次積層された少くとも２つの層
を、液相成長させる液相エピタキシヤル成長法と
して、従来次の方法が提案されている。
ル成長用装置の構成であるが、このような構成を
有する液相エピタキシヤル成長用装置を使用し
て、基板上に、順次積層された少くとも２つの層
を、液相成長させる液相エピタキシヤル成長法と
して、従来次の方法が提案されている。
即ち、第２図に示すように、上述した液相エピ
タキシヤル成長用装置の基板載置用摺動板２を、
その基板載置用凹所１に基板Ａを配した状態で
（第２図Ａ）、その基板Ａが融液保持用槽Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３及びＢ４にそれぞれ予め保持されている
融液Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３及びＭ４と順次接触するよ
うに、押杆５を用いて、融液保持用固定板３に対
して摺動させることによつて（第２図Ｂ，Ｃ，Ｄ
及びＥ）、基板Ａ上に、順次積層された４つの層
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３及びＬ４（図示せず）を液相成
長させ、次で、基板載置用摺動板２を、その基板
載置用凹所１から基板Ａを取出し得る位置まで摺
動させ（第２図Ｆ）、そして基板載置用凹所１か
ら基板Ａを取出し、かくて、第３図に示すよう
に、基板Ａ上に、順次積層された４つの層Ｌ１，
Ｌ２，Ｌ３及びＬ４を有するウエフアＷを得る、
という方法が提案されている。
タキシヤル成長用装置の基板載置用摺動板２を、
その基板載置用凹所１に基板Ａを配した状態で
（第２図Ａ）、その基板Ａが融液保持用槽Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３及びＢ４にそれぞれ予め保持されている
融液Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３及びＭ４と順次接触するよ
うに、押杆５を用いて、融液保持用固定板３に対
して摺動させることによつて（第２図Ｂ，Ｃ，Ｄ
及びＥ）、基板Ａ上に、順次積層された４つの層
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３及びＬ４（図示せず）を液相成
長させ、次で、基板載置用摺動板２を、その基板
載置用凹所１から基板Ａを取出し得る位置まで摺
動させ（第２図Ｆ）、そして基板載置用凹所１か
ら基板Ａを取出し、かくて、第３図に示すよう
に、基板Ａ上に、順次積層された４つの層Ｌ１，
Ｌ２，Ｌ３及びＬ４を有するウエフアＷを得る、
という方法が提案されている。
然しながら、上述した従来の液相エピタキシヤ
ル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシ
ヤル成長法の場合、次の欠点を有していた。
ル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシ
ヤル成長法の場合、次の欠点を有していた。
即ち、上述した従来の液相エピタキシヤル成長
用装置の場合、その融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２，Ｂ
３及びＢ４をそれぞれ形成している融液保持用固
定板３に有する、貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３及びＨ
４が、互に同じパターンを有するので、層Ｌ２
を形成するとき、その層Ｌ２を形成するための融
液Ｍ２が、層Ｌ１の上面全域と層Ｌ１の側縁とに
接触し、層Ｌ３を形成するとき、その層Ｌ３を
形成するための融液Ｍ３が、層Ｌ２の上面全域と
層Ｌ１及びＬ２の側縁とに接触し、層Ｌ４を形
成するとき、その層Ｌ４を形成するための融液Ｍ
４が、層Ｌ３の上面全域と層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３
の側縁とに接触する。
用装置の場合、その融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２，Ｂ
３及びＢ４をそれぞれ形成している融液保持用固
定板３に有する、貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３及びＨ
４が、互に同じパターンを有するので、層Ｌ２
を形成するとき、その層Ｌ２を形成するための融
液Ｍ２が、層Ｌ１の上面全域と層Ｌ１の側縁とに
接触し、層Ｌ３を形成するとき、その層Ｌ３を
形成するための融液Ｍ３が、層Ｌ２の上面全域と
層Ｌ１及びＬ２の側縁とに接触し、層Ｌ４を形
成するとき、その層Ｌ４を形成するための融液Ｍ
４が、層Ｌ３の上面全域と層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３
の側縁とに接触する。
このため、層Ｌ２を形成するための融液Ｍ２
が、層Ｌ１の材料を溶け込ませない材料であれ
ば、層Ｌ２が所期の組成で形成され、層Ｌ３を
形成するための融液Ｍ３が、層Ｌ１及びＬ２の材
料を溶け込ませない材料であれば、層Ｌ３が所期
の組成で形成され、層Ｌ４を形成するための融
液Ｍ４が、層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３の材料を溶け込
ませない材料であれば、層Ｌ４が所期の組成を有
するものとして形成されるが、層Ｌ４を形成する
ための融液Ｍ４が、例えば層Ｌ１及びＬ３の材料
は溶け込ませないが、層Ｌ２の材料は溶け込ませ
る材料であれば、層Ｌ４を形成するための融液Ｍ
４に、層Ｌ１及びＬ３の材料は溶け込まないが、
層Ｌ２の材料が溶け込み、よつて、層Ｌ４が所期
の組成を有するものとして形成されなくなる、と
いう欠点を有していた。
が、層Ｌ１の材料を溶け込ませない材料であれ
ば、層Ｌ２が所期の組成で形成され、層Ｌ３を
形成するための融液Ｍ３が、層Ｌ１及びＬ２の材
料を溶け込ませない材料であれば、層Ｌ３が所期
の組成で形成され、層Ｌ４を形成するための融
液Ｍ４が、層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３の材料を溶け込
ませない材料であれば、層Ｌ４が所期の組成を有
するものとして形成されるが、層Ｌ４を形成する
ための融液Ｍ４が、例えば層Ｌ１及びＬ３の材料
は溶け込ませないが、層Ｌ２の材料は溶け込ませ
る材料であれば、層Ｌ４を形成するための融液Ｍ
４に、層Ｌ１及びＬ３の材料は溶け込まないが、
層Ｌ２の材料が溶け込み、よつて、層Ｌ４が所期
の組成を有するものとして形成されなくなる、と
いう欠点を有していた。
従つて、例えば、上述したウエフアＷを、その
基板Ａが例えばSnを添加しているN+型のInP基
板、層Ｌ１がＮ型のInPバツフア層、層Ｌ２がN-
型のInGaAs系光吸収層、層Ｌ３がN-型の
InGaAsP系メルトバツク保護層、層Ｌ４がＮ又
はN-型のInP光増倍層である、接合分離形アバラ
ンシエフオトダイオード用半導体ウエフアとして
得る場合（尚、このウエフアを用いた接合分離形
アバランシエフオトダイオードは、そのInP光増
倍層である層Ｌ４の、層Ｌ３側とは反対側に、Ｐ
型不純物の導入によつて、PN接合を形成するよ
うに、Ｐ型領域を形成して、構成される）、層Ｌ
２としてのInGaAs系光吸収層を形成するための
融液Ｍ２は、層Ｌ１としてのInPバツフア層の材
料は溶け込ませない材料であるので、層Ｌ２が所
期のInGaAs系光吸収層として形成される。ま
た、層Ｌ３としてのInGaAsP系メルバツク保護
層を形成するための融液Ｍ３は、層Ｌ１としての
InPバツフア層の材料及び層Ｌ２としての
INGaAs系光吸収層の材料を溶け込ませない材料
であるので、層Ｌ３が所期のInGaAsP系メルバ
ツク保護層で形成される。しかしながら、層Ｌ４
としてのInP系光増倍層を形成するための融液Ｍ
４は、層Ｌ１としてのInPバツフア層の材料及び
層Ｌ３としてのInGaAs系光吸収層の材料を溶け
込ませないが、層Ｌ２としてのInGaAs系光吸収
層の材料を溶け込ませる材料であるので、層Ｌ４
を形成するとき、その層Ｌ４を形成するための融
液Ｍ４に、層Ｌ２としてのInGaAs系光吸収層の
材料であるInGaAs系が溶け込み、よつて、その
融液Ｍ４がInGaAsP系層が形成される融液に変
化し、従つて層Ｌ４がInP系増倍層としてではな
く、InGaAsP系層として形成される。従つてウ
エフアＷを、所期の特性を有する接合分離形アバ
ランシエフオトダイオード用半導体ウエフアとし
て得ることができない、という欠点を有してい
た。
基板Ａが例えばSnを添加しているN+型のInP基
板、層Ｌ１がＮ型のInPバツフア層、層Ｌ２がN-
型のInGaAs系光吸収層、層Ｌ３がN-型の
InGaAsP系メルトバツク保護層、層Ｌ４がＮ又
はN-型のInP光増倍層である、接合分離形アバラ
ンシエフオトダイオード用半導体ウエフアとして
得る場合（尚、このウエフアを用いた接合分離形
アバランシエフオトダイオードは、そのInP光増
倍層である層Ｌ４の、層Ｌ３側とは反対側に、Ｐ
型不純物の導入によつて、PN接合を形成するよ
うに、Ｐ型領域を形成して、構成される）、層Ｌ
２としてのInGaAs系光吸収層を形成するための
融液Ｍ２は、層Ｌ１としてのInPバツフア層の材
料は溶け込ませない材料であるので、層Ｌ２が所
期のInGaAs系光吸収層として形成される。ま
た、層Ｌ３としてのInGaAsP系メルバツク保護
層を形成するための融液Ｍ３は、層Ｌ１としての
InPバツフア層の材料及び層Ｌ２としての
INGaAs系光吸収層の材料を溶け込ませない材料
であるので、層Ｌ３が所期のInGaAsP系メルバ
ツク保護層で形成される。しかしながら、層Ｌ４
としてのInP系光増倍層を形成するための融液Ｍ
４は、層Ｌ１としてのInPバツフア層の材料及び
層Ｌ３としてのInGaAs系光吸収層の材料を溶け
込ませないが、層Ｌ２としてのInGaAs系光吸収
層の材料を溶け込ませる材料であるので、層Ｌ４
を形成するとき、その層Ｌ４を形成するための融
液Ｍ４に、層Ｌ２としてのInGaAs系光吸収層の
材料であるInGaAs系が溶け込み、よつて、その
融液Ｍ４がInGaAsP系層が形成される融液に変
化し、従つて層Ｌ４がInP系増倍層としてではな
く、InGaAsP系層として形成される。従つてウ
エフアＷを、所期の特性を有する接合分離形アバ
ランシエフオトダイオード用半導体ウエフアとし
て得ることができない、という欠点を有してい
た。
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
な液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用
した液相エピタキシヤル成長法を提案せんとする
ものである。
な液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用
した液相エピタキシヤル成長法を提案せんとする
ものである。
第４図は、本発明による液相エピタキシヤル成
長用装置の実施例を示し、第１図との対応部分に
は同一符号を付して詳細説明は省略するが、第１
図の場合と同様に、上面に基板載置用凹所１を形
成している基板載置用摺動板２を有する。
長用装置の実施例を示し、第１図との対応部分に
は同一符号を付して詳細説明は省略するが、第１
図の場合と同様に、上面に基板載置用凹所１を形
成している基板載置用摺動板２を有する。
また、第１図の場合と同様に、基板載置用摺動
板２上に上面と接触して配され、且つ基板載置用
摺動板２の上面と共働して、順次、例えば４つの
融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４（以下そ
れ等を下部融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ
４と称す）をそれぞれ形成している、相対向する
主面間に貫通している貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３及
びＨ４（以下それ等を下部貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ
３及びＨ４と称す）を有する融液保持用固定板３
を有する。但し、この場合、下部貫通孔Ｈ４を除
いた下部貫通孔Ｈ１〜Ｈ３は、互に同じパターン
を有するが、下部貫通孔Ｈ４は、下部貫通孔Ｈ１
〜Ｈ３に比し一周り小さいパターンを有する。
板２上に上面と接触して配され、且つ基板載置用
摺動板２の上面と共働して、順次、例えば４つの
融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４（以下そ
れ等を下部融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ
４と称す）をそれぞれ形成している、相対向する
主面間に貫通している貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３及
びＨ４（以下それ等を下部貫通孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ
３及びＨ４と称す）を有する融液保持用固定板３
を有する。但し、この場合、下部貫通孔Ｈ４を除
いた下部貫通孔Ｈ１〜Ｈ３は、互に同じパターン
を有するが、下部貫通孔Ｈ４は、下部貫通孔Ｈ１
〜Ｈ３に比し一周り小さいパターンを有する。
さらに、融液保持用固定板３上にその上面と接
触して配され、且つ融液保持用固定板３の上面と
共働して、順次、例えば４つの上部融液保持用槽
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ４を形成している、相対
向する主面間に貫通している上部貫通孔Ｊ１，Ｊ
２，Ｊ３及びＪ４を有する融液保持用摺動板１１
を有する。
触して配され、且つ融液保持用固定板３の上面と
共働して、順次、例えば４つの上部融液保持用槽
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ４を形成している、相対
向する主面間に貫通している上部貫通孔Ｊ１，Ｊ
２，Ｊ３及びＪ４を有する融液保持用摺動板１１
を有する。
尚さらに、基板載置用摺動板２と、融液保持用
摺動板１１とを、融液保持用固定板３に対して各
別に摺動させる手段１２としての、延長方向の軸
の周りに回動自在な押杆１３を有する。
摺動板１１とを、融液保持用固定板３に対して各
別に摺動させる手段１２としての、延長方向の軸
の周りに回動自在な押杆１３を有する。
尚、第４図において、１４は、基板載置用摺動
板２と、融液保持用摺動板１１とが、融液保持用
固定板３に対して摺動し得るように、それ等を保
持している固定保持板である。
板２と、融液保持用摺動板１１とが、融液保持用
固定板３に対して摺動し得るように、それ等を保
持している固定保持板である。
以上が、本発明による液相エピタキシヤル成長
用装置の実施例であるが、次にこのような本発明
による液相エピタキシヤル成長用装置を使用し
た、本発明による液相エピタキシヤル成長法の実
施例を述べよう。
用装置の実施例であるが、次にこのような本発明
による液相エピタキシヤル成長用装置を使用し
た、本発明による液相エピタキシヤル成長法の実
施例を述べよう。
第５図に示すように、上述した本発明による液
相エピタキシヤル成長用装置の基板載置用摺動板
２を、その基板載置用凹所１に、第２図Ａで上述
したと同様に、基板Ａを配した状態で（第５図
Ａ）、その基板Ａが、下部融液保持用槽Ｂ４を除
いた下部融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２及びＢ３にそれ
ぞれ予め保持されている融液Ｍ１，Ｍ２及びＭ３
と順次接触させるように、押杆１３を用いて、融
液保持用固定板３に対して摺動させることによつ
て（第５図Ｂ，Ｃ及びＤ）、基板Ａ上に、順次積
層された３つの層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３（図示せ
ず）を液相成長させる。
相エピタキシヤル成長用装置の基板載置用摺動板
２を、その基板載置用凹所１に、第２図Ａで上述
したと同様に、基板Ａを配した状態で（第５図
Ａ）、その基板Ａが、下部融液保持用槽Ｂ４を除
いた下部融液保持用槽Ｂ１，Ｂ２及びＢ３にそれ
ぞれ予め保持されている融液Ｍ１，Ｍ２及びＭ３
と順次接触させるように、押杆１３を用いて、融
液保持用固定板３に対して摺動させることによつ
て（第５図Ｂ，Ｃ及びＤ）、基板Ａ上に、順次積
層された３つの層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３（図示せ
ず）を液相成長させる。
次に、基板載置用摺動板２を、順次積層された
層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３を液相成長させている基板
Ａが融液保持用固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４
下に持ち来たされる位置まで摺動させる（第５図
Ｅ）。
層Ｌ１，Ｌ２及びＬ３を液相成長させている基板
Ａが融液保持用固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４
下に持ち来たされる位置まで摺動させる（第５図
Ｅ）。
次に、融液保持用摺動板１１を、予め融液Ｋ４
を保持している上部融液保持用槽Ｃ４が融液保持
用固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４上に持ち来た
される位置まで摺動させて、融液Ｋ４を融液保持
用固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４に導入させ
（第５図Ｆ）、によつて、融液Ｋ４を上述した層Ｌ
３に接触させることによつて、層Ｌ３上に、層Ｌ
４（図示せず）を液相成長させる。
を保持している上部融液保持用槽Ｃ４が融液保持
用固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４上に持ち来た
される位置まで摺動させて、融液Ｋ４を融液保持
用固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４に導入させ
（第５図Ｆ）、によつて、融液Ｋ４を上述した層Ｌ
３に接触させることによつて、層Ｌ３上に、層Ｌ
４（図示せず）を液相成長させる。
然る後、基板載置用摺動板２を、その基板載置
用凹所１から基板Ａを取出し得る位置まで、上述
したと同じ方向に摺動させ（第５図Ｇ）、基板載
置用凹所１から基板Ａを取出し、かくて、第３図
で上述したと同様に、基板Ａ上に、順次積層され
た４つの層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３及びＬ４を有するウ
エフアＷを得る。
用凹所１から基板Ａを取出し得る位置まで、上述
したと同じ方向に摺動させ（第５図Ｇ）、基板載
置用凹所１から基板Ａを取出し、かくて、第３図
で上述したと同様に、基板Ａ上に、順次積層され
た４つの層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３及びＬ４を有するウ
エフアＷを得る。
以上で、本発明による液相エピタキシヤル成長
用装置の実施例、及び本発明による液相エピタキ
シヤル成長法の実施例が明らかとなつた。
用装置の実施例、及び本発明による液相エピタキ
シヤル成長法の実施例が明らかとなつた。
本発明による上述した液相エピタキシヤル成長
用装置の場合、その下部融液保持用槽Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３及びＢ４をそれぞれ形成している融液保
持用固定板３に有する、下部貫通孔Ｈ１，Ｈ２，
Ｈ３及びＨ４中の下部貫通孔Ｈ４が、他の下部貫
通孔Ｈ１〜Ｈ３に比し、一周り小さいパターンを
有する。
用装置の場合、その下部融液保持用槽Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３及びＢ４をそれぞれ形成している融液保
持用固定板３に有する、下部貫通孔Ｈ１，Ｈ２，
Ｈ３及びＨ４中の下部貫通孔Ｈ４が、他の下部貫
通孔Ｈ１〜Ｈ３に比し、一周り小さいパターンを
有する。
また、本発明による上述した液相エピタキシヤ
ル成長法の場合、基板載置用摺動板２を摺動させ
て、基板Ａ上に層Ｌ１〜Ｌ３を順次積層して形成
して後、基板載置用摺動板２を、基板Ａが下部融
液保持用槽Ｂ４下に持ち来たされる位置まで摺動
させ、そして層Ｌ３に融液保持用摺動板１１側か
らの融液Ｋ４を接触させることによつて、層Ｌ３
上に層Ｌ４を形成する。
ル成長法の場合、基板載置用摺動板２を摺動させ
て、基板Ａ上に層Ｌ１〜Ｌ３を順次積層して形成
して後、基板載置用摺動板２を、基板Ａが下部融
液保持用槽Ｂ４下に持ち来たされる位置まで摺動
させ、そして層Ｌ３に融液保持用摺動板１１側か
らの融液Ｋ４を接触させることによつて、層Ｌ３
上に層Ｌ４を形成する。
このため、本発明による上述した液相エピタキ
シヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタ
キシヤル成長法の場合、層Ｌ４を形成するとき
に、層Ｌ１〜Ｌ３の側縁を、層Ｌ４を形成するた
めの融液Ｋ４に接触することから回避させること
ができる。
シヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタ
キシヤル成長法の場合、層Ｌ４を形成するとき
に、層Ｌ１〜Ｌ３の側縁を、層Ｌ４を形成するた
めの融液Ｋ４に接触することから回避させること
ができる。
従つて、ウエフアＷを、その基板ＡがSnを添
加しているN+型のInP基板、層Ｌ１がＮ型のInP
バツフア層、層Ｌ２がN-型のInGaAs系光吸収
層、層Ｌ３がN-型のInGaAsP系メルトバツク保
護層、層Ｌ４がＮ又はN-型のInP系増倍層であ
る、接合分離形アバランシエフオトダイオード用
半導体ウエフアとして得ても、層Ｌ４を
InGaAsP系層としてではなく、所期のInP光増倍
層として形成することができ、従つて、ウエフア
Ｗを、所期の特性を有する接合分離形アバランシ
エフオトダイオード用半導体ウエフアとして、容
易に得ることができるという大なる特徴を有す
る。
加しているN+型のInP基板、層Ｌ１がＮ型のInP
バツフア層、層Ｌ２がN-型のInGaAs系光吸収
層、層Ｌ３がN-型のInGaAsP系メルトバツク保
護層、層Ｌ４がＮ又はN-型のInP系増倍層であ
る、接合分離形アバランシエフオトダイオード用
半導体ウエフアとして得ても、層Ｌ４を
InGaAsP系層としてではなく、所期のInP光増倍
層として形成することができ、従つて、ウエフア
Ｗを、所期の特性を有する接合分離形アバランシ
エフオトダイオード用半導体ウエフアとして、容
易に得ることができるという大なる特徴を有す
る。
因みに、前述した従来の液相エピタキシヤル成
長用装置を用いた、従来の液相エピタキシヤル成
長法によつて、前述したウエフアＷを、接合分離
形アバランシエフオトダイオード用半導体ウエフ
アとして得た場合、第６図ＡのＸ線ロツキング曲
線図に示すように、層Ｌ２が、InGaAs系材料で
なる場合の回折角θの位置をとるものとして得ら
れるとしても、層Ｌ４が、InPでなる場合の回折
角θの位置をとるものとして得られるべきである
にも拘わらず、InGaAsP系材料でなる場合の回
折角θの位置をとるものとして得られた。
長用装置を用いた、従来の液相エピタキシヤル成
長法によつて、前述したウエフアＷを、接合分離
形アバランシエフオトダイオード用半導体ウエフ
アとして得た場合、第６図ＡのＸ線ロツキング曲
線図に示すように、層Ｌ２が、InGaAs系材料で
なる場合の回折角θの位置をとるものとして得ら
れるとしても、層Ｌ４が、InPでなる場合の回折
角θの位置をとるものとして得られるべきである
にも拘わらず、InGaAsP系材料でなる場合の回
折角θの位置をとるものとして得られた。
これに対し、本発明による上述した液相エピタ
キシヤル成長用装置を用いた、本発明による上述
した液相エピタキシヤル成長法によつて、上述し
たウエフアＷを、上述した接合形アバランシエフ
オトダイオード用半導体ウエフアとして得た場
合、第６図ＢのＸ線ロツキング曲線図に示すよう
に、層Ｌ２及びＬ４が、それぞれ所期のInGaAs
系材料及びInPでなる場合の回折角θの位置をと
るものとして得られた。
キシヤル成長用装置を用いた、本発明による上述
した液相エピタキシヤル成長法によつて、上述し
たウエフアＷを、上述した接合形アバランシエフ
オトダイオード用半導体ウエフアとして得た場
合、第６図ＢのＸ線ロツキング曲線図に示すよう
に、層Ｌ２及びＬ４が、それぞれ所期のInGaAs
系材料及びInPでなる場合の回折角θの位置をと
るものとして得られた。
尚、上述においては、本発明による液相エピタ
キシヤル成長用装置及び本発明による液相エピタ
キシヤル成長法のそれぞれにつき、１つの実施例
を示したに留まり、本発明の精神を脱することな
しに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
キシヤル成長用装置及び本発明による液相エピタ
キシヤル成長法のそれぞれにつき、１つの実施例
を示したに留まり、本発明の精神を脱することな
しに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
第１図は、従来の液相エピタキシヤル成長用装
置を示す略線的断面図である。第２図Ａ〜Ｆは、
第１図に示す従来の液相エピタキシヤル成長用装
置を使用した、従来の液相エピタキシヤル成長法
を示す、順次の工程における略線的断面図であ
る。第３図は、従来及び本発明の液相エピタキシ
ヤル成長法によつて得ることができるウエフアの
一例を示す略線的断面図である。第４図は、本発
明による液相エピタキシヤル成長用装置の実施例
を示す略線的断面図である。第５図Ａ〜Ｇは、第
４図に示す本発明による液相エピタキシヤル成長
用装置を使用した、本発明による液相エピタキシ
ヤル成長法の実施例を示す、順次の工程における
略線的断面図である。第６図Ａ及びＢは、それぞ
れ従来、及び本発明による液相エピタキシヤル成
長法によつて得られる、ウエフアのＸ線ロツキン
グ曲線図である。 １…基板載置用凹所、２…基板載置用摺動板、
３…融液保持用固定板、Ｂ１〜Ｂ４…下部融液保
持用槽、Ｈ１〜Ｈ４…下部貫通孔、Ｃ１〜Ｃ４…
上部融液保持用槽、Ｊ１〜Ｊ４…上部貫通孔、１
１…融液保持用摺動板、１２…摺動手段、１３…
押杆、１４…固定保持板、Ａ…基板、Ｍ１〜Ｍ
４，Ｋ４…融液、Ｌ１〜Ｌ４…層、Ｗ…ウエフ
ア。
置を示す略線的断面図である。第２図Ａ〜Ｆは、
第１図に示す従来の液相エピタキシヤル成長用装
置を使用した、従来の液相エピタキシヤル成長法
を示す、順次の工程における略線的断面図であ
る。第３図は、従来及び本発明の液相エピタキシ
ヤル成長法によつて得ることができるウエフアの
一例を示す略線的断面図である。第４図は、本発
明による液相エピタキシヤル成長用装置の実施例
を示す略線的断面図である。第５図Ａ〜Ｇは、第
４図に示す本発明による液相エピタキシヤル成長
用装置を使用した、本発明による液相エピタキシ
ヤル成長法の実施例を示す、順次の工程における
略線的断面図である。第６図Ａ及びＢは、それぞ
れ従来、及び本発明による液相エピタキシヤル成
長法によつて得られる、ウエフアのＸ線ロツキン
グ曲線図である。 １…基板載置用凹所、２…基板載置用摺動板、
３…融液保持用固定板、Ｂ１〜Ｂ４…下部融液保
持用槽、Ｈ１〜Ｈ４…下部貫通孔、Ｃ１〜Ｃ４…
上部融液保持用槽、Ｊ１〜Ｊ４…上部貫通孔、１
１…融液保持用摺動板、１２…摺動手段、１３…
押杆、１４…固定保持板、Ａ…基板、Ｍ１〜Ｍ
４，Ｋ４…融液、Ｌ１〜Ｌ４…層、Ｗ…ウエフ
ア。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上面に基板載置用凹所を形成している基板載
置用摺動板と、 上記基板載置用摺動板上にその上面と接触して
配され、且つ上記基板載置用摺動板の上面と共働
して、少くとも第１の下部融液保持用槽と、第２
の下部融液保持用槽とをそれぞれ形成している、
相対向する主面間に貫通している第１の下部貫通
孔と、該第１の下部貫通孔に比し一周り小さいパ
ターンを有する第２の下部貫通孔とを有する融液
保持用固定板と、 上記融液保持用固定板上にその上面と接触して
配され、且つ上記融液保持用固定板の上面と共働
して、少くとも１つの上部融液保持用槽を形成し
ている、相対向する主面間に貫通している上部貫
通孔を有する融液保持用摺動板と、 上記基板載置用摺動板と、上記融液保持用摺動
板とを、上記融液保持用固定板に対して各別に摺
動させる手段とを具備することを特徴とする液相
エピタキシヤル成長用装置。 ２ 上面に基板載置用凹所を形成している基板載
置用摺動板と、 基板載置用摺動板上にその上面と接触して配さ
れ、且つ上記基板載置用摺動板の上面と共働し
て、少くとも第１の下部融液保持用槽と、第２の
下部融液保持用槽とをそれぞれ形成している、相
対向する主面間に貫通している第１の下部貫通孔
と、該第１の下部貫通孔に比し一周り小さいパタ
ーンを有する第２の下部貫通孔とを有する融液保
持用固定板と、 上記融液保持用固定板上にその上面と接触して
配され、且つ上記融液保持用固定板の上面と共働
して、少くとも１つの上部融液保持用槽を形成し
ている、相対向する主面間に貫通している上部貫
通孔を有する融液保持用摺動板と、 上記基板載置用摺動板と、上記融液保持用摺動
板とを、上記融液保持用固定板に対して各別に摺
動させる手段とを具備する液相エピタキシヤル成
長用装置を用い、 上記基板載置用摺動板を、その基板載置用凹所
に基板を配した状態で、その基板が上記第１の下
部融液保持用槽に予め保持されている第１の融液
と接触するように摺動させることによつて、上記
基板上に、第１の層を液相成長させ、 次に、上記基板載置用摺動板を、上記第１の層
を液相成長させている基板が上記第２の融液保持
用槽下に持ち来たされる位置まで摺動させ、 次に、上記融液保持用摺動板を、予め第２の融
液を保持している上部融液保持用槽が上記第２の
下部融液保持用槽上に持ち来たされる位置まで摺
動させて、上記第２の融液を上記第２の下部融液
保持用槽に導入させ、よつて、上記第２の融液を
上記第１の層に接触させることによつて、上記第
１の層上に、第２の層を液相成長させる工程を含
むことを特徴とする液相エピタキシヤル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12471382A JPS5918193A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12471382A JPS5918193A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918193A JPS5918193A (ja) | 1984-01-30 |
| JPH0224798B2 true JPH0224798B2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=14892260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12471382A Granted JPS5918193A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918193A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950006313B1 (ko) * | 1991-05-16 | 1995-06-13 | 삼성전자주식회사 | 액상 에피택시장치 및 에피택셜층의 성장방법 |
-
1982
- 1982-07-17 JP JP12471382A patent/JPS5918193A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5918193A (ja) | 1984-01-30 |
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