JPH02246286A - 超電導トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は超電導素子に係り、特に多値論理素子として用
いることができる超電導トランジスタに関する。 ［従来の技術］ 超電導体と半導体、あるいは常伝導体を組合せた超電導
トランジスタには、（１）超電導電流の値を、制御電極
に印加した電圧により制御する電界効果タイプと、（２
）準粒子を注入して制御する注入タイプとがある。 テ （１）については、チイーディークラーク（Ｔ、Ｄ。 Ｃ１ａｒｋ）によってジャーナルオブアプライドフィジ
クス、５１巻２７３６ページ（１９８０年）に論じられ
ている。超電導電極からなるソース、ドレイン電極とゲ
ート電極からなり、ゲート電極に電圧を印加することに
より半導体中のキャリア濃度を変化させ、ソース、ドレ
イン電極間を半導体を介して流れる超電導電流を変調し
ている。 （２）については、第１８同面体素子材料国際会議（Ｄ
−７−１，１９８６）にて論じられており、その構造は
第１３図（ａ）に示すようにベース電極に超電導体を用
いている。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記（１）の従来の電界効果型トランジスタは、０．５
ｖ以上の電圧を印加しなければ動作しなかった。さらに
スイッチ特性を向上させるためには、デバイス容量特に
ゲート容量を非常に小さくし、半導体中の不純物の分布
を最適化し、素子の寸法を微細化するなどの製造上の技
術課題を有し、大規模な集積回路の構成は困難であった
。 また上記（２）の従来の注入型の超電導トランジスタは
、第１３図（ｂ）に示すように、半導体と超電導体の間
に形成されるショットキバリアを介して電子の注入をし
て動作する。このようなデバイスで利得を向上させるに
は、電子をパリスティックにベース電極を通過させる必
要があり、このためベース電極の厚さを極めて薄くしな
ければならなかった。しかし超電導特性を劣化させずに
超電導体の膜厚を薄くすることは技術的蓼問題があるた
めに利得の高い素子の製造は困難であり。 この場合にも大規模な集積回路の構成は難しかった。 更に１両者のトランジスタは共にいわゆる２値論理の素
子であり、従ってシステムを構成しようとする場合には
、多数の素子で複雑な回路設計を行なう必要があった。 本発明の第１の目的は、集積化が容品でありかつ多値論
理素子である超伝導デバイスを提供することにある。本
発明の第２の目的は、小さい信号で出力信号を変調する
ことができるすなわち利得が大きく、かつ入出力分離に
優れた超伝導デバイスを提供することにある。本発明の
第３′の目的は、高速動作可能の超伝導デバイスを提供
することにある。

【課題を解決するための手段】

上記目的は、二つの障壁の間に離散的なポテンシャルエ
ネルギ準位を持つような量子化された少なくと一つの井
戸型ポテンシャルと、該障壁の一方と接続された超電導
体とを有し、該井戸型ポテンシャルと超電導体の間にバ
イアス電圧を印加することにより達成される。より具体
的には、超電導体と井戸型ポテンシャルの間にバイアス
電圧を印加することによって、超電導体にキャリアを注
入、あるいは超電導体からキャリアの引き出しを行う。 超電導体へのキャリアの注入をより小さいバイアス電圧
で行うために、超電導体のギャップエネルギは量子化さ
れた井戸型ポテンシャルの最小のエネルギレベルよりも
小さい値を持つのが好ましい。従って超電導体の材料、
あるいは半導体の材料や寸法、特に膜厚を選択して用い
るとよい。 超電導体からのキャリアの引き出しをより小さいバイア
ス電圧で行い、かつ入出力分離の良好なデバイスを実現
するためには、超電導体のギャップエネルギは量子化さ
れた井戸型ポテンシャルの最小のエネルギレベルよりも
大きく、最大のエネルギレベルより小さい値を持つのが
好ましい。従って超電導体の材料、あるいは半導体の材
料や寸法、特に膜厚を選択して用いるとよい。 井戸型ポテンシャルとしては例えば二つの禁制帯幅を持
つ半導体を組合せて構成すると同様の効果を得ることが
できる。また、縮退するように高濃度に不純物をドープ
したｐ型半導体とｎ型半導体を交互に膜厚を薄く積層す
ることにより。 界面にできる空乏層を障壁層に、各々の半導体を量子化
されたポテンシャルの井戸として用いることもできる。 また膜厚の薄い半導体を対向する二つの薄い絶縁体では
さみ構成することによっても量子化された井戸型ポテン
シャルが構成さ九、同様の効果を得ることができる。具
体的には障壁層にＳｉＯ２を用い、不純物をドープした
Ｓｉを井戸として構成することができる。さらには、線
幅と細線間の距離が１１００ｎ以下の複数の金属或は半
導体によっても量子化された井戸型ポテンシャルを構成
することができる。 さらに、量子化された井戸型ポテンシャルは少なくとも
一つの井戸から構成されるが、複数の井戸を用いても同
様あるいはそれ以上の効果を得ることができる。

【作用】

量子化された井戸型ポテンシャルについては公知である
。ブロッホ波長に近い半導体を積層し、物質内の電子を
井戸型ポテンシャルとなっている層内に閉じ込めること
により、電子の取りうる許容エネルギー準位が量子化さ
れる。このエネルギー準位は材料の種類、不純物濃度１
寸法、特に膜厚をより変化させることができる。複数の
ポテンシャルの井戸の間を電子が共鳴トンネルするため
には（共鳴トンネリング）、それぞれのポテンシャルの
井戸のエネルギ準位が同列に揃ねならなければならない
、そろっていない場合は電流電圧特性に負性抵抗が現れ
る。一方、超電導体は材料固有のギャップエネルギーΔ
を持ちフェルミ準位を中心に上下Δの範囲に渡って（−
Δ＜Ｅ＜Δ）準粒子の励振状態を持たない。このような
超電導体と量子化された井戸型ポテンシャルを扱触させ
るとエネルギバンド図は第１図（ａ）に示すようになる
。同図において３は超電導体、４は井戸型ポテンシャル
、５は金屑あるいは半導体を示し、井戸型ポテンシャル
中で電子の取り得る許容エネルギー準位はＥｌ、Ｅ２．
Ｅ３・・・と量子化されている。エネルギ準位は Ｅｉ　＝　　（ｈ２／２ｍ）　　（ｉπ／Ｌｗ）”（ｉ
　＝１．　　　２，３．、、） で与えられる。ここでＬｗは井戸幅を示す。 超電導体は材料固有のギャップエネルギーΔを持ってお
り、バイアス電圧を印加しない状態では超電導体のフェ
ルミ準位と量子井戸内のエネルギ準位が同列にＷＡｐな
いので、キャリアの移動は起こらない。第１図（ｂ）に
示すようにＥｌのバイアス電圧を印加すると、超電導体
のフェルミ準位と量子井戸内のエネルギ準位が同列に揃
い、超電導体３から量子井戸４内へのキャリアの移動を
生じる。Ｅ２．ｊＥ３・・・のバイアス電圧でキャリア
の移動を生じ、結果として電流値が最大となる。 次に第２（ｉ！を用いてキャリアの注入および引き出し
の動作を説明する。 まず超電導体にキャリアを注入する手段として量子化し
た井戸型ポテンシャルを用いる場合の動作を第２図（ａ
）により説明する。この場合には、ギャップエネルギー
Δが量子化されたポテンシャルエネルギの最小のエネル
ギＥ１よりも小さな値を持つ超電導体を井戸型ポテンシ
ャルに接続するのが好ましい、バイアス電圧を印加しな
い状態では、超電導体のフェルミ準位と量子井戸中のエ
ネルギ準位が同列とならないのでトンネルが生じず電流
が流れない、超電導体と量子井戸間に正のバイアス電圧
Ｅ１を印加して超電導体のフェルミ準位と量子井戸中の
最小のエネルギ準位Ｅ１が同列となると（第２図（ｂ）
）、超電導体中の準粒子が井戸をトンネルして流れる。 このとき井戸４の超電導体３と接続される側と反対の側
に金属あるいは半導体５を設けると、準粒子は金属ある
いは半導体の伝導準位に到達し電流となって検出される
。さらにバイアス電圧を印加していくと準位は揃わなく
なり電流電圧特性に負性抵抗が現れるが（第２図（、）
　）　、超電導体のフェルミ準位と量子井戸中の最小の
エネルギ準位Ｅ２が同列となると再び電流値にピークを
もつ、これはすなわち第３図に示すようにＥｌ、Ｅ２．
Ｅ３．Ｅ４のバイアス電圧で電流値にピークを持つ特性
となる。 一方、負のバイアス電圧を印加していくと、第２図（、
）に示すように金属あるいは半導体５の伝導帯Ｅｃが量
子化したエネルギ準位Ｅ工と同列になった場合にトンネ
ルする。つまり量子化したエネルギ準位Ｅ工とＥｃとの
差の電圧を印加した＜Ｅ、　　Ｅｃより小さいとき、す
なわち量子化されたエネルギ準位とＥｃが同列にならな
い時は電流電圧特性に負性抵抗が現れる。以上の結果よ
り超電導体にキャリアを注入する手段として量子化した
井戸型ポテンシャルを用いる際には注入エネルギをでき
るだけ下げるためには、超電導体のギャップエネルギー
Δが量子化されたポテンシャルエネルギの最小のエネル
ギＥ１よりも小さな値を持つ超電導体を用いるとよいこ
とがわかる。これは超電導材料と量子井戸の寸法と不純
物濃度を最適な状態に組合せることで実現される。エネ
ルギ準位は上述した如く Ｅｉ＝　　（ｈ２／２ｍ）　　（ｉ　π／Ｌｗ）”（ｉ
＝１．２，３．、、） であたえられる、ここでＬｗは井戸幅を示す。具体的に
は超電導材料としてギャップエネルギーΔの値が１．０
ｍＶのＮｂ材料、量子井戸の材料として障壁にＡ　ｌ、
、、Ｇ　ａ、、、Ａ　ｓ、井戸にＧａＡｓを用いた場合
、井戸幅を８０ｎｍキャリア濃度を５ＸｌＯ”ａ−’に
設定すると最小のエネルギＥ１は１．８Ｉｌｖとなり、
わずか０．８＋ａＶのバイアス電圧で共鳴トンネル電流
が起こるようになる。 次に、超電導体からキャリアを引き出す手段として量子
化した井戸型ポテンシャルを用いる際、すなわち井戸に
超電導体から準粒子を注入する場合には、超電導体のギ
ャップエネルギーΔが量子化された最小のポテンシャル
エネルギより大きく、最大のエネルギより小さい値を持
つ超電導体材料を用いることが好ましい。第４図にギャ
ップエネルギーΔが量子化されたポテンシャルエネルギ
Ｅ３よりも小さくＥ２より大きな値を持つ超電導体を井
戸型ポテンシャルに接続した場合のエネルギバンド図を
示す。正のバイアス電圧の特性は第３図で示したものと
同様であり、超電導体のフェルミ準位が井戸中のエネル
ギ準位と一致した電圧においてトンネル電流にピーク値
を持つ。一方、負のバイアス電圧を印加したときは、超
電導体のギャップエネルギーΔより大きい井戸中のポテ
ンシャルエネルギと印加電圧が一致したときはじめてト
ンネル電流が流れようになる。このときの電流電圧特性
を第５図に示す、このように正負非対象の特性を持つ。 超電導体からキャリアを引き出す手段として量子化した
井戸型ポテンシャルを用いる際、すなわち井戸に超電導
体から準粒子を注入する場合には、超電導体のギャップ
エネルギーΔが量子化されたポテンシャルエネルギの最
大の値を持つエネルギギャップの範囲でできるだけ大き
な値を持つ超電導体材料を用いることが好ましい。これ
は注入側の抵抗が小さく負のバイアス状態で抵抗が大き
くなるため注入に方向性を有するようになり、入出力分
離しやすいデバイスとなるからである。このような状態
は、超電導材料と量子井戸の寸法と不純物濃度を最適な
状態に組合せることで実現される０例えば超電導材料と
して、ギャップエネルギーΔの値が３０ｍＶのＹＢａＣ
ｕＯ材料、量子井戸の材料として、障壁にＡ　１．、、
Ｇ　ａｏｅｔＡ　Ｓ、井戸にＧａＡｓを用いた場合、井
戸幅を８０ｎｍキャリア濃度を５Ｘ１０”１１−１に設
定すると最小のエネルギＥ１は１　、８＋＊Ｖとなり、
順バイアス方向に約１，８ｍＶの電圧を印加すると共鳴
トンネリングが起こり、電流は注入される。一方、逆バ
イアス方向では約３０ｍＶの電圧を印加しないと共鳴ト
ンネリングが起きず、入出力分離に優れたデバイスを提
供することができる。 【実施例１ 【実施例１ 以下本発明を実施例に基づき詳細に説明する。 第６図（ａ）は本発明の第１の実施例である素子の断面
構造図である。第６図（ａ）において、１ｏはコレクタ
電極となる膜厚２００ｎｍの１×１０”ｍ’″３の高濃
度にドープしたｎ−ＧａＡｓ。 １１はコレクタバリアとなるＡｌＧａＡｓ、１２はベー
ス電極となる厚さ１１００ｎのＮｂ、１は膜厚１０ｎｍ
のＡｌＧａＡｓ、２は膜厚８０ｎｍのＧａＡｓであり交
互に積み上げられ量子井戸を構成している。なお量子井
戸に形成される最小のエネルギ準位はベース電極の材料
であるＮｂのギャップエネルギより大きくなるように不
純物のドープ量、膜厚を調整している。１３はエミッタ
電極となる膜厚１１００ｎのＩ　Ｘ　１０”ｍ−の高濃
度にドープしたｎ−ＧａＡｓからなる。この素子のエネ
ルギバンド図は断面構造を示す図の右側に示すようにな
る。井戸中の量子化されたポテンシャルエネルギ準位と
エミッタ電極の伝導帯Ｅｃが同列になった場合にエミッ
タ電極からベース電極に流れるトンネル電流は最大とな
り、結果としてコレクタ電流がその時点で最大値を持つ
。 この素子の製造方法について説明する。半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板の上に分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法によってＳ
ｉをＩ　Ｘ　１０”ｍ−’程度ドープしたＧａＡｓ層を
２００ｎｍエピタキシャル成長させ、その上に膜厚１５
０ｎｍのＡ１０．、Ｇａ、、、ＡｓＭを成長させる０次
に分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法によって超電導体であ
るＮｂを成長させた後。 Ａ　１＠、３Ｇ　ａ、＊、Ａ　ｓ　、　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
、ＡＩ。＠、Ｇ　ａ、、、Ａ　ｓの順に交互に成長させ
量子井戸を形成する。続いてＳｉをＩＸ　１０”ｍ−’
程度ドープしたＧａＡｓ層を成長させてエミッタ電極を
作製する。最後にフォトリソグラフィとドライエツチン
グを用いてそれぞれの電極を露出し電気的なコンタクト
をとることにより本実施例で示した素子を作製すること
ができる。 この素子を４．２にの液体ヘリウム中で動作させた電流
電圧特性を第６図（ｂ）に示す、わずかな電圧によるト
ンネル電子の注入によりコレクタ電流を大きく変化させ
ることができた。また単体の素子で多値論理素子を容易
に構成することができた。この素子を７７にの液体窒素
温度で動作させるには超電導体材料に酸化物超電導体を
用いるとよい、エネルギギャップΔの値は超電導転移温
度に比例して大きくなる０例えば９０にの転移温度を示
すＹＢａＣｕＯではΔの値は３０ｍＶとなる。 この場合、量子井戸の不純物のドーズ量と寸法を調整し
て井戸内の最小エネルギが同程度かやや大きい値とする
ことが望ましい、量子井戸の材料として障壁にＡｌ１１
−３Ｇ　ａ、、、、Ａ　８．井戸にＧａＡｓを用いた場
合、井戸幅を１０ｎｍ、キャリア濃度を５Ｘ１０”ｍ−
”に設定すると最小のエネルギＥ１は３２ｍＶとなり、
わずか２．０ｍＶのバイアス電圧で共鳴トンネリングが
起こるようになる。 第７図（ａ）は本発明の第２の実施例である素子の断面
構造図を示す、第７図（ａ）において、１０はコレクタ
電極となる膜厚２００ｎｍの１×１０”ｍ−”の高濃度
にドープしたｎ−ＧａＡｓ。 １１はコレクタバリアとなるＡｌＧａＡｓ、１２はベー
ス電極となる厚さ１１００ｎのドープしたｎ−ＧａＡｓ
、１は膜厚１０ｎｍのＡｌＧａＡｓ、２は膜厚５ｎｍの
Ｇ　ａ　Ａ　ｓであり交互に積み上げられ量子井戸を構
成している。１４はエミッタ電極であり、膜厚１１００
ｎのＮｂからなる。この素子のエネルギバンド図は断面
構造を示す図の右側に示すようになる。井戸中の量子化
されたポテンシャルと超電導体のフェルミ準位が一致し
たときエミッタ電極からベース電極に流れるトンネル電
流は最大となり、結果としてコレクタ電流がその時点で
最大値を持つ。 この素子の製造方法について説明する。半絶縁性Ｇ、　
ａ　Ａ　ｓ基板の上に分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法に
よってＳｉをＩ　Ｘ　１０”ｍ−’程度ドープしたＧ　
ａ　Ａ　ｓ層を２００ｎｍエピタキシャル成長させ、そ
の上に膜厚１５０ｎｍのＡ　ｌ。、、Ｇ　ａｏ、、Ａ　
ｓ層を成長させる。続いてＳｉをＩ　Ｘ　１０”ｍ−’
程度ドープしたＧａＡｓ層を成長させてベース電極を作
製した後、Ａ　１ｇ、３Ｇ　ａ６．ＩＡ　ｓ　、　Ｇ　
ａ　Ａ　ｓ　。 Ａ　ｌ　Ｂ　−３Ｇ　ａ　６−７　Ａ　ｓの順に交互に
成長させ量子井戸を形成する。次に分子線エピタキシ（
ＭＢＥ）法によって超電導体であるＮｂを成長させてエ
ミッタ電極を作製する。最後にフォトリソグラフィとド
ライエツチングを用いてそれぞれの電極を露出し電気的
なコンタクトをとることにより本実施例で示した素子を
作製することができる。 この素子を４．２にの液体ヘリウム中で動作させた電流
電圧特性を第７図（ｂ）に示す。わずかな電圧によるト
ンネル電子の注入によりコレクタ電流を大きく変化させ
ることができた。また単体の素子で多値論理素子を容易
に構成することができた。さらにのエミッターコレクタ
の順方向と逆方向の電流電圧特性異なるため（注入側の
抵抗が小さく負のバイアス状態で抵抗が大きい）、注入
に方向性を有するようになり、信号の入出力分離を行な
い易いデバイスとなる。”この素子を７７にの液体窒素
温度で動作させるには超電導体材料に酸化物超電導体を
用いるとよい。エネルギギャップΔの値は超電導転移温
度に比例して大きくなる。 例えば約９０にの超電導転移温度を示すＹＢａＣｕＯで
はΔの値は３０ｍＶとなる。この場合、量子井戸の不純
物のドーズ量と寸法を調整して井戸内の最大エネルギが
Δよりやや大きい値とすることが望ましい。 第８図（ａ）は本発明の第３の実施例である素子の断面
構造図を示す。第８図（ａ）において、２ｏ、２１はソ
ース、ドレイン電極となる膜厚２００ｎｍの超電導電極
材料Ｎｂからなり、２２はソース、ドレイン間に流れる
電流を制御する役割をするゲート電極であり同じく超電
導電極材料Ｎｂからなる。ソース電極２０の下に膜厚１
０ｎｍのＡ　Ｉ。、、Ｇ　ａ、、、、Ａ　ｓ　１と、膜
厚５０ｎｍのＧａＡｓ２、膜厚１０ｎｍのＡ　１．、、
Ｇ　ａ、、、Ａ　ｓ　１とが交互に積み上げられ量子井
戸が接続されている。２６はノンドープのＧａＡｓ基板
、２４はｎ型の高キャリア濃度を有するＡ　Ｉ　Ｇ　ａ
　Ａ　ｓからなる電子供給層であり、これらの界面に二
次元電子ガス層２５が形成されている。なお量子井戸に
形成される最大のエネルギ準位はソース電極の材料であ
るＮｂのギャップエネルギより大きくなるように不純物
のドープ量、膜厚を！ｔｉ！！ｌている。井戸中の量子
化されたポテンシャルと超電導体のフェルミ準位が一致
したときソース電極から二次元電子ガス層２に電子が注
入されソース、ドレイン間に流れる電流は最大となる。 さらにこの特性をゲート電極に印加する電圧で変化させ
ることができる。 この素子を等価回路で示すと第８図（ｂ）に示した回路
となる。従って電流電圧特性は第８図（ｃ）で表される
ように変化する。本実施例によれば微小な電圧で特性を
変調することができる多値論理素子を容易に構成できる
。 第９図は本発明の第４の実施例である素子の断面構造図
を示す。第９図において、２０，２１はソース、ドレイ
ン電極となる膜厚２００ｎｍの超電導電極材料Ｎｂから
なる。２２はＷ（タングステン）からなるゲート電極で
あり、電圧を印加してＧａＡｓの基板２７中に空乏層を
形成してソ−ス、ドレイン間に流れる電流を制御する役
割をする。ソース電極２０の下に膜厚１０ｎｍのＡ　Ｉ
ｇ、３Ｇ　ａｇ、１Ａ　ｓ　１と、膜厚５０ｎｍのＧａ
Ａｓ　２、膜厚１０ｎｍのＡ　１．、、Ｇ　ａａｅｔＡ
ｓｌとが交互に積み上げられ量子井戸が接続されている
。これは、負性抵抗特性を示すダイオードとＭ　Ｅ　Ｓ
　Ｆ　Ｅ　Ｔ　（ＭＥｔａｌ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ　ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｓｉｓｔｏｒ）
とを直列に接続した回路となる。本実施例によれば微小
な電圧で特性を変調することができる多値論理素子を容
易に構成できる。 第１０図は本発明の第５の実施例である素子の断面構造
図を示す。第１０図において、２０゜２１はソース、ド
レイン電極となる膜厚２００ｎｍの超電導電極材料Ｎｂ
からなり、２２はソース、ドレイン間に流れる電流を制
御する役割をするゲート電極であり熱酸化膜２９を介し
た多結晶Ｓｉ材料からなる。ソース電極２ｏの下に膜厚
１０ｎｍのＡ１゜、３Ｇａ、、７Ａｓ　１と、膜厚５０
ｎｍのＧａＡｓ２、膜厚１０ｎｍの Ａ　１．、、Ｇ　ａ、、、Ａ　ｓ　１とが交互に積み上
げられ量子井戸が接続されている。量子井戸は高濃度に
不純物を導入した層２８とオーミック的に接続されてい
る。Ｓｉ基板２７の表面に二つの不純物導入層２８を設
け、ゲート電極に印加する電圧でチャネルをオン、オフ
する。負性抵抗特性を示すダイオードと超電導ＦＥＴを
直列に接続した回路となる。従って、微小な電圧で特性
を変調することができる多値論理素子を容易に構成でき
る。 なお、第１，２．３．４．５の実施例で示した超電導体
への電子の注入あるいは引き出しにより、超電導体のギ
ャップエネルギΔの値を変化させることが可能である。 この現象を用いるとより小信号で動作する利得の大きい
素子を実現することができる。 また、実施例では一つの量子化された井戸を用いたが、
複数の井戸を用いても同様の効果が得られる。この場合
井戸はフィルタと同様の作用をする。 以上実施例に示した量子化された井戸型ポテンシャルに
は二つのＡ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓではさまれたＧａＡｓ
で構成されたものを用いたが、それに代わり、相異なる
禁制帯幅を持つ半導体を組合せても構成しても同様の効
果を得ることができる。例えば縮退するように高濃度に
不純物をドープしたｐ型半導体３１とｎ型半導体３２を
接続することにより形成される空乏層３０を障壁層に、
両生導体を交互に膜厚を薄く積層することにより、各々
の半導体に量子化されたポテンシャルの井戸を形成する
ことができる。このときのエネルギバンド図を第１１図
に示す。 また膜厚の薄い半導体を対抗する二つの薄い絶縁体では
さみ構成することで量子化された井戸型ポテンシャルが
構成され、同様の効果を得ることができる。具体的には
障壁層にＳ　ｉ　Ｏ，を用い、不純物をドープしたＳｉ
を井戸として構成することができる。 さらに、線幅と細線間の距離が１１００ｎ以下の複数の
金属、或は半導体で量子化された井戸型ポテンシャルを
構成することができる。第１２図に示すように二次元電
子ガス層を有するＦＥＴに線幅と細線間の距離が１１０
０ｎ以下の三電極をゲート電極として用い、それぞれの
電極の下の半導体中に形成されるポテンシャルを電界を
印加することで変化させ井戸のエネルギ準位を変調する
ことができる。 以上実施例に示した超電導材料には転移温度が９．２に
のＮｂを用いたが、これに代えてＮｂＮなどのＮｂの化
合物、ｐｂ金合金ＡＩ、　Ｓｎ。 Ｉｎやこれの合金を用いてもよい、さらには酸化物超電
導体や有機物超電導体を用いてもよいことは言うまでも
ない。例えばＬａ５ｒＣｕ○。 ＹＢａＣｕＯ，Ｂ１５ｒＣａＣｕ○などの組成で表され
る物質に代表される酸化物超電導体を用いることは、素
子の高温超電導動作からも望ましい。 【発明の効果１ 本発明によれば、超電導半導体間の電子の移動を低いバ
イアス電圧で行なうことができるため、小さい信号で出
力信号が大きく変調し、しかも方向性を持った入出力分
離の良好なデバイスとなる。 従って、利得向上、スイッチグ速度の高速化を図ること
かできる、また超電導デバイスの多値論理素子を実現す
ることができるため、回路構成、システム構成が簡略化
し容易になる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし、第１５図は本発明の原理を示す図、第６
図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例における素子
の断面図及び電流電圧特性図、第７図（ａ）、（ｂ）は
本発明の第２の実施例における素子の断面図及び電流電
圧特性図、第８回（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第
３の実施例における素子の断面図１等価回路図および電
流電圧特性図、第９図は本発明の第４の実施例における
素子の断面図、第１０図は本発明の第５の実施例におけ
る素子の断面図、第１１図および第１２図は量子化され
た井戸型ポテンシャルの構成の一例を示す、第１３図（
ａ）、（ｂ）は従来の素子の断面図及びエネルギバンド
図である。 符号の説明 １”ＡｌＧａＡｓ、２−ＧａＡｓ。 ３、・・・超電導体、４・・・量子化された井戸型ポテ
ンシャル、５・・・金属あるいは半導体、１ｏ・・・コ
レクタ電極、１１・・・コレクタバリア、１２・・・ベ
ース電極、１３・・・エミッタ電極。 ２０・・・ソース電極、２１・・・ドレイン電極、２２
・・・ゲート電極、２４・・・電子供給層、２５・・・
二次元電子層、２６・・・低キヤリア層、２７・・・基
板、２８・・・ゲート絶縁膜、２９・・・層間絶縁膜 ３１・・・ｐ型半導体、３２・・・ｎ型半導体。 ３０・・・空乏層、３３・・・金属細線第２目 （Ａ） り Ｃｂ） １−１−ｍ−′し一−Ｙ−−−ノ（−ｍ−Ｊ１　　　　
　　　　ダ　　　　　　　ｒ（ｅ） Ｖｃｒ： 第４目 第夕目 Ｃｂ） Ｅ、＜４＜ｒ−３ Ａ４− ｅＨ 第を図 （す 第１１国 第 デ 図 ＄７ρ目

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、二つの障壁の間に離散的なポテンシャルエネルギ準
   位を持つ量子化された少なくと一つの井戸型ポテンシャ
   ルと、該障壁の一方と接続された超電導体とを有し、該
   井戸型ポテンシャルと超電導体との間にバイアス電圧を
   印加することを特徴とする超電導トランジスタ。 ２、上記バイアス電圧を印加することにより、上記超電
   導体にキャリアを注入することを特徴とする請求項１記
   載の超電導トランジスタ。 ３、上記超電導体のギャップエネルギが量子化された井
   戸型ポテンシャルの最小のエネルギレベルより小さい値
   を持つように、該超電導体の材料、該半導体の材料およ
   びこれらの寸法の少なくとも一つを選択することを特徴
   とする請求項２記載の超電導トランジスタ。 ４、上記バイアス電圧を印加することにより、上記超電
   導体からキャリアを引き出すことを特徴とする請求項１
   記載の超電導トランジスタ。 ５、上記超電導体のギャップエネルギが量子化された井
   戸型ポテンシャルの最小のエネルギレベルよりも大きく
   、最大のエネルギレベルより小さい値を持つように、該
   超電導体の材料、あるいは該半導体の材料およびこれら
   の寸法の少なくとも一つを選択することを特徴とする請
   求項４記載の超電導トランジスタ。 ６、上記超電導体中の準粒子の数を変化させることによ
   り、該超電導体のギャップエネルギの値を制御すること
   を特徴とする請求項１ないし５の一に記載の超電導トラ
   ンジスタ。 ７、上記量子化された井戸型ポテンシャルの一方の障壁
   層が第一の超電導体と接続され、他方が半導体を介して
   第二の超電導体と接続されていることを特徴とする請求
   項１記載の超電導トランジスタ。 ８、上記量子化された井戸型ポテンシャルは、二つのＡ
   ｌＧａＡｓではさまれたＧａＡｓで構成されることを特
   徴とする請求項１ないし７の一に記載の超電導トランジ
   スタ。 ９、上記量子化された井戸型ポテンシャルは、二つのＳ
   ｉＯ＿２ではさまれたＳｉで構成されることを特徴とす
   る請求項１ないし７記載の超電導トランジスタ。 １０、上記量子化された井戸型ポテンシャルは、縮退し
   た二つのｐ型Ｓｉ層にはさまれた縮退したｎ型Ｓｉ層で
   構成されることを特徴とする請求項１ないし７の一に記
   載の超電導トランジスタ。 １１、上記量子化された井戸型ポテンシャルは、縮退し
   た二つのｎ型Ｓｉ層にはさまれた縮退したｐ型Ｓｉ層で
   構成されることを特徴とする請求項１ないし７の一に記
   載の超電導トランジスタ。 １２、上記量子化された井戸型ポテンシャルは、線幅と
   細線間の距離が１００ｎｍ以下の複数の金属、あるいは
   半導体から構成されることを特徴とする請求項１ないし
   ７の一に記載の超電導トランジスタ。