JPH02243593A - 低圧ｍｏｃｖｄを用いたエピタキシャル膜成長法 - Google Patents
低圧ｍｏｃｖｄを用いたエピタキシャル膜成長法Info
- Publication number
- JPH02243593A JPH02243593A JP2012784A JP1278490A JPH02243593A JP H02243593 A JPH02243593 A JP H02243593A JP 2012784 A JP2012784 A JP 2012784A JP 1278490 A JP1278490 A JP 1278490A JP H02243593 A JPH02243593 A JP H02243593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- epitaxial film
- plane
- preparing
- film growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/056—Gallium arsenide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/097—Lattice strain and defects
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/11—Metal-organic CVD, ruehrwein type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、−船釣に、エピタキシャル膜の成長法に関し
、ざらに詳（ツクは、低圧の金属有機化学蒸着法または
気相成長法（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｌｊｉ
Ｃａｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、 ＭＯＣＶＤ
と呼ぶ。）を用いた高品質エピタキシャル膜の成長方法
に関する。
、ざらに詳（ツクは、低圧の金属有機化学蒸着法または
気相成長法（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｌｊｉ
Ｃａｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、 ＭＯＣＶＤ
と呼ぶ。）を用いた高品質エピタキシャル膜の成長方法
に関する。
（従来技術）
エピタキシャル膜面の＠造上の品質は、高性能電子素子
、ならびに■族−Ｖ族および■族−ＶＩ族複合物光電素
子にとって極めて重要である。膜の平滑度は、サブミク
ロン・リソグラフィの品質に影響を与え、ざらにペテロ
境界面で表面構造が粗いと、電子の移動性を低下させる
可能性がある。
、ならびに■族−Ｖ族および■族−ＶＩ族複合物光電素
子にとって極めて重要である。膜の平滑度は、サブミク
ロン・リソグラフィの品質に影響を与え、ざらにペテロ
境界面で表面構造が粗いと、電子の移動性を低下させる
可能性がある。
エピタキシャル膜構造の平滑性は、また境界での再結合
速度、光導波路からの散乱および量子井戸からの放射の
線幅などの領域で光電素子の動作に対して重要な役割を
果たす。
速度、光導波路からの散乱および量子井戸からの放射の
線幅などの領域で光電素子の動作に対して重要な役割を
果たす。
エピタキシャル膜の構造は、基板温度、基板結晶の配向
、周囲圧力および試薬のモル分数のような種々の成長パ
ラメータによって決定される。特異平面から臨界非配向
した基板上にエピタキシャル膜を成長させることは、技
術上周知である。非配向の効果は、液相エピタキシ（Ｌ
ＰＥ）、塩化物搬送気相エピタキシ（ＶＰＥ）および分
子ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）において従来から観察
されてきた。ごく最近になって、大気圧ＭＯＣＶＤが、
臨界非配向基板上にエピタキシャル膜を成長させるため
に用いられている。臨界非配向基板上にエピタキシャル
膜を成長させる上述の方法の場合において、特異平面か
らごく僅かに非配向（３，０度未満）した基板上にのみ
高品質エピタキシャル膜を成長させることができると当
業者に信じられている。しかし、低圧ＭＯＣＶＤによっ
て単結晶の本来の面からごく僅か非配向させた基板上に
エピタキシャル膜を成長させると、特異平面近傍の階段
状の面エネルギを低下させる長い範囲の再整列に起因し
て、粗い面を有するエピタキシャル膜が生じることが示
された。したがって、高品質の電子素子および光電素子
を製造するために、高品質エピタキシャル膜を成長させ
る方法を提供することが望まれている。
、周囲圧力および試薬のモル分数のような種々の成長パ
ラメータによって決定される。特異平面から臨界非配向
した基板上にエピタキシャル膜を成長させることは、技
術上周知である。非配向の効果は、液相エピタキシ（Ｌ
ＰＥ）、塩化物搬送気相エピタキシ（ＶＰＥ）および分
子ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）において従来から観察
されてきた。ごく最近になって、大気圧ＭＯＣＶＤが、
臨界非配向基板上にエピタキシャル膜を成長させるため
に用いられている。臨界非配向基板上にエピタキシャル
膜を成長させる上述の方法の場合において、特異平面か
らごく僅かに非配向（３，０度未満）した基板上にのみ
高品質エピタキシャル膜を成長させることができると当
業者に信じられている。しかし、低圧ＭＯＣＶＤによっ
て単結晶の本来の面からごく僅か非配向させた基板上に
エピタキシャル膜を成長させると、特異平面近傍の階段
状の面エネルギを低下させる長い範囲の再整列に起因し
て、粗い面を有するエピタキシャル膜が生じることが示
された。したがって、高品質の電子素子および光電素子
を製造するために、高品質エピタキシャル膜を成長させ
る方法を提供することが望まれている。
（発明の／Ｒ要）
したがって、本発明の一目的は、低圧ＭＯＣＶＤを用い
た高品質エピタキシャル膜の成長方法を提供することで
ある。
た高品質エピタキシャル膜の成長方法を提供することで
ある。
本発明の他の目的は、優れた面構造を有する高品質エピ
タキシャル膜の成長方法を提供することである。
タキシャル膜の成長方法を提供することである。
ざらに、本発明の他の目的は、優れた光学的特性を与え
る高品質エピタキシャル膜の成長方法を提供することで
おる。
る高品質エピタキシャル膜の成長方法を提供することで
おる。
本発明のざらに他の目的は、基板が清浄または無傷であ
ることを要しない高品質エピタキシャル膜の成長方法を
提供することでおる。
ることを要しない高品質エピタキシャル膜の成長方法を
提供することでおる。
本発明の他の目的は、比較的低い温度で膜を成長させる
ことの可能な高品質エピタキシャル膜の成長方法を提供
することである。
ことの可能な高品質エピタキシャル膜の成長方法を提供
することである。
本発明の他の目的は、従来より少量の試薬を用いる高品
質エピタキシャル膜の成長方法を提供することでおる。
質エピタキシャル膜の成長方法を提供することでおる。
上述および他の目的並びに特徴は、特異平面から臨界角
度以上に非配向された基板を準備する段階；この基板を
０．２気圧未満の全圧力を有するＭＯＣＶＤ反応装置内
に位置する段階：およびこの基板にエピタキシャル膜の
層を成長させる段階をその一部として有する本発明の１
実施例によって実現される。
度以上に非配向された基板を準備する段階；この基板を
０．２気圧未満の全圧力を有するＭＯＣＶＤ反応装置内
に位置する段階：およびこの基板にエピタキシャル膜の
層を成長させる段階をその一部として有する本発明の１
実施例によって実現される。
（実施例）
本明細書で開示するのは、低圧ＭＯＣＶＤを用いいた高
品質エピタキシャル膜の成長方法である。
品質エピタキシャル膜の成長方法である。
最初に、基板を準備しなければらない。ここで述べる特
定の実施例では、ガリウム・ヒ素基板を使用するが、イ
ンジウム・リン化物基板もしくは他の■族−Ｖ族材料基
板または水銀カドミウム・テルル化物のような■族−Ｖ
Ｉ族材料基板を使用することも可能である。準備した基
板を特異平面（ｓｉｎｇｕｌａｒ ｐｌａｎｅ）から臨
界角度以上に非配向しなければならない。特異平面とは
、階段状表面エネルギ（ｓｔｅｐ ５ｕｒｆａｃｅ ｅ
ｎｅｒｇｙ ＞が正確に低指数方向に特異点を有する面
でおる。臨界角度とは、長い範囲の再整列が粗い表面構
造をもたらすのを終了する最小の角度である。ガリウム
・ヒ化物基板を使用した場合、特異平面は（１００）、
（１１１｝Ａおよび（１１１｝Ｂの結晶方向である。
定の実施例では、ガリウム・ヒ素基板を使用するが、イ
ンジウム・リン化物基板もしくは他の■族−Ｖ族材料基
板または水銀カドミウム・テルル化物のような■族−Ｖ
Ｉ族材料基板を使用することも可能である。準備した基
板を特異平面（ｓｉｎｇｕｌａｒ ｐｌａｎｅ）から臨
界角度以上に非配向しなければならない。特異平面とは
、階段状表面エネルギ（ｓｔｅｐ ５ｕｒｆａｃｅ ｅ
ｎｅｒｇｙ ＞が正確に低指数方向に特異点を有する面
でおる。臨界角度とは、長い範囲の再整列が粗い表面構
造をもたらすのを終了する最小の角度である。ガリウム
・ヒ化物基板を使用した場合、特異平面は（１００）、
（１１１｝Ａおよび（１１１｝Ｂの結晶方向である。
高品質エピタキシャル膜の成長可能なガリウム・ヒ化物
基板の特定の非配向として、（１１１｝Ａ面に向かって
（１００）面から３．０ないし８゜５度の非配向、（１
１１） Ｂｍニ向カッチＩＬ１゜Ｏ）面から４．５ない
し１２．５度の非配向、および大体（１１０）面に向が
って（１００）面から少なくとも４．０度の非配向が含
まれる。（１００）面から（１１１） Ａ面に向７’ｌ
’っＴ３，０度未満の非配向、（１１１） ８面に向か
って４．５度未満の非配向、および大体（１１０３面に
向がって４．０度未満の非配向を有するガリウム・ヒ化
物基板上にエピタキシャル膜を成長させると、粗い表面
構造を有するエピタキシャル膜が生じる。
基板の特定の非配向として、（１１１｝Ａ面に向かって
（１００）面から３．０ないし８゜５度の非配向、（１
１１） Ｂｍニ向カッチＩＬ１゜Ｏ）面から４．５ない
し１２．５度の非配向、および大体（１１０）面に向が
って（１００）面から少なくとも４．０度の非配向が含
まれる。（１００）面から（１１１） Ａ面に向７’ｌ
’っＴ３，０度未満の非配向、（１１１） ８面に向か
って４．５度未満の非配向、および大体（１１０３面に
向がって４．０度未満の非配向を有するガリウム・ヒ化
物基板上にエピタキシャル膜を成長させると、粗い表面
構造を有するエピタキシャル膜が生じる。
実施例では（１００）面から（１１１｝Ａ面、（１１１
） ８面、および（１１０）面に向かう非配向を例示し
たが、これらの面の間の非配向でも高品質エピタキシャ
ル膜が成長可能である。これらの特定の非配向は、外挿
法によって決定される。
） ８面、および（１１０）面に向かう非配向を例示し
たが、これらの面の間の非配向でも高品質エピタキシャ
ル膜が成長可能である。これらの特定の非配向は、外挿
法によって決定される。
ざらに、（１００）而から（１１１｝Ａ面および（１１
１｝Ｂ面に向ってそれぞれ８．５度および１２．５度を
超える非配向は、それぞれ粗い表面構造を有するエピタ
キシャル膜の成長をもたらす。
１｝Ｂ面に向ってそれぞれ８．５度および１２．５度を
超える非配向は、それぞれ粗い表面構造を有するエピタ
キシャル膜の成長をもたらす。
特異平面から適当な非配向を有するガリウム・ヒ化物基
板を準備したら、これを０．２気圧未満（好適には０．
０４気圧）の全圧力を有するＭＯＣＶＤ反応装置内に位
置する。最適の膜成長のためには、Ｖ族対■族のソース
・フロー比率は、３０以下のものを使用すべきでおる。
板を準備したら、これを０．２気圧未満（好適には０．
０４気圧）の全圧力を有するＭＯＣＶＤ反応装置内に位
置する。最適の膜成長のためには、Ｖ族対■族のソース
・フロー比率は、３０以下のものを使用すべきでおる。
ガリウム・ヒ化物基板上にアルミニウム・ガリウム・ヒ
化物膜を成長させるためには、反応装置は、６５０℃乃
至７５０℃の範囲の温度とすべきであり、好適には７０
０℃とする。この温度は、高品質のアルミニウム・ガリ
ウム・ヒ化物エピタキシャル膜を成長させるのに通常必
要とされる８ ００ ℃より十分低い温度であることを
当業者は理解すべきである。
化物膜を成長させるためには、反応装置は、６５０℃乃
至７５０℃の範囲の温度とすべきであり、好適には７０
０℃とする。この温度は、高品質のアルミニウム・ガリ
ウム・ヒ化物エピタキシャル膜を成長させるのに通常必
要とされる８ ００ ℃より十分低い温度であることを
当業者は理解すべきである。
このようにして成長するアルミニウム・ガリウム・ヒ化
物エピタキシャル膜は、１０ないし４０パーセントの範
囲のアルミニウムを含む。
物エピタキシャル膜は、１０ないし４０パーセントの範
囲のアルミニウムを含む。
本発明の利点は、こうして準備した非配向基板が、完全
に清浄あるいは無傷であることを必要としない点にある
。ここで述べた方法は、若干欠陥のある基板上に膜を成
長した場合でも、高品質エピタキシャル膜の成長をもた
らすことが分かった。
に清浄あるいは無傷であることを必要としない点にある
。ここで述べた方法は、若干欠陥のある基板上に膜を成
長した場合でも、高品質エピタキシャル膜の成長をもた
らすことが分かった。
このことは、製造する素子の品質を向上させると共に、
歩昭まりを大きく向上させるという多大な効果を奏する
。
歩昭まりを大きく向上させるという多大な効果を奏する
。
Claims (10)
- （１）低圧ＭＯＣＶＤを用いた高品質エピタキシャル膜
成長方法であって： 特異平面から臨界角度以上非配向された基板を準備する
段階； ０．２気圧未満の全圧力を有するＭＯＣＶＤ反応装置内
に前記基板を位置する段階；および前記基板にエピタキ
シャル膜を成長させる段階；から構成されることを特徴
とするエピタキシャル膜成長方法。 - （２）前記の基板を準備する段階が、III− Ｖ族およびII−VI族の材料から成る群から選んだ１つの
材料によつて構成される基板を準備する段階を含むこと
を特徴とする請求項１記載のエピタキシャル膜成長方法
。 - （３）前記の基板を準備する段階が、ガリウム・ヒ素基
板を準備する段階を含み；かつ 前記のエピタキシャル膜を成長させる段階が、アルミニ
ウム・ガリウム・ヒ素エピタキシャル膜を成長させる段
階を含むことを特徴とする請求項１記載のエピタキシャ
ル膜成長方法。 - （４）前記ＭＯＣＶＤ反応装置が６５０乃至７５０℃の
範囲の温度を有することを特徴とする請求項３記載のエ
ピタキシャル膜成長方法。 - （５）前記ＭＯＣＶＤ反応装置が約７００℃の温度を有
することを特徴とする請求項４記載のエピタキシャル膜
成長方法。 - （６）前記の基板を準備する段階が、｛１００｝面から
｛１１１｝Ａ面に向かつて３．０乃至８．５度非配向し
た基板を準備する段階を含むことを特徴とする請求項４
記載のエピタキシャル膜成長方法。 - （７）前記の基板を準備する段階が、｛１００｝から｛
１１１｝Ｂ面に向かって４．５乃至１２．５度非配向し
た基板を準備する段階を含むことを特徴とする請求項４
記載のエピタキシャル膜成長方法。 - （８）前記の基板を準備する段階が、｛１００｝から大
体｛１１０｝面に向かつて少なくとも４．０度非配向し
た基板を準備する段階を含むことを特徴とする請求項４
記載のエピタキシャル膜成長方法。 - （９）前記の基板を準備する段階が、｛１１１｝Ａ面、
｛１１１｝Ｂ面および｛１１０｝面の間の各面に向かっ
て｛１００｝面から非配向した基板を準備する段階を含
むことを特徴とする請求項４記載のエピタキシャル膜成
長方法。 - （１０）前記ＭＯＣＶＤ反応装置が、３０以下のＶ族対
III族のソース・フロー比率を有することを特徴とする
請求項４記載のエピタキシャル膜成長方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/306,600 US4994408A (en) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | Epitaxial film growth using low pressure MOCVD |
| US306,600 | 1989-02-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02243593A true JPH02243593A (ja) | 1990-09-27 |
| JP2870084B2 JP2870084B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=23186026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012784A Expired - Fee Related JP2870084B2 (ja) | 1989-02-06 | 1990-01-24 | 低圧ｍｏｃｖｄを用いたエピタキシャル膜成長法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4994408A (ja) |
| EP (1) | EP0382036B1 (ja) |
| JP (1) | JP2870084B2 (ja) |
| DE (1) | DE69005323T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010518600A (ja) * | 2007-02-02 | 2010-05-27 | ネクストリーム・サーマル・ソリューションズ，インコーポレイテッド | クラックおよび／または表面欠陥密度が減少したエピタキシャル熱電膜を堆積させる方法および関連する装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264389A (en) * | 1988-09-29 | 1993-11-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor laser device |
| EP0495301A1 (en) * | 1990-12-14 | 1992-07-22 | AT&T Corp. | Method for making a semiconductor laser |
| KR940006711B1 (ko) * | 1991-09-12 | 1994-07-25 | 포항종합제철 주식회사 | 델타도핑 양자 우물전계 효과 트랜지스터의 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3698944A (en) * | 1970-06-15 | 1972-10-17 | Texas Instruments Inc | Method of obtaining phased growth of epitaxial layers |
| US4707216A (en) * | 1986-01-24 | 1987-11-17 | University Of Illinois | Semiconductor deposition method and device |
-
1989
- 1989-02-06 US US07/306,600 patent/US4994408A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2012784A patent/JP2870084B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-29 EP EP90101687A patent/EP0382036B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-29 DE DE90101687T patent/DE69005323T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010518600A (ja) * | 2007-02-02 | 2010-05-27 | ネクストリーム・サーマル・ソリューションズ，インコーポレイテッド | クラックおよび／または表面欠陥密度が減少したエピタキシャル熱電膜を堆積させる方法および関連する装置 |
| KR101537359B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2015-07-16 | 넥스트림 써멀 솔루션즈, 인크. | 감소된 크랙 및／또는 표면 결함 밀도들을 가지는 에피택셜 열전기막들의 증착 방법 및 관련된 소자들 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69005323D1 (de) | 1994-02-03 |
| EP0382036B1 (en) | 1993-12-22 |
| JP2870084B2 (ja) | 1999-03-10 |
| DE69005323T2 (de) | 1994-04-28 |
| US4994408A (en) | 1991-02-19 |
| EP0382036A3 (en) | 1991-01-23 |
| EP0382036A2 (en) | 1990-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1299068C (en) | Semiconductor deposition method and device | |
| US6232138B1 (en) | Relaxed InxGa(1-x)as buffers | |
| Kuznia et al. | Influence of buffer layers on the deposition of high quality single crystal GaN over sapphire substrates | |
| US7253499B2 (en) | III-V group nitride system semiconductor self-standing substrate, method of making the same and III-V group nitride system semiconductor wafer | |
| KR100319300B1 (ko) | 이종접합구조의 양자점 버퍼층을 가지는 반도체 소자 | |
| JP2008531458A (ja) | 格子不整合基板のための単一工程の高温核生成方法 | |
| JP2009500862A (ja) | ミスカット基板上のレーザダイオード配向 | |
| TW201515068A (zh) | 非極性三族氮化物膜、使用其製造之裝置及生長其之方法 | |
| US5843227A (en) | Crystal growth method for gallium nitride films | |
| Guha et al. | Microstructure and pseudomorphism in molecular beam epitaxially grown ZnCdS on GaAs (001) | |
| US4050964A (en) | Growing smooth epitaxial layers on misoriented substrates | |
| JP3094965B2 (ja) | 窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法 | |
| EP1038056B1 (en) | A method of growing a buffer layer using molecular beam epitaxy | |
| JPH02243593A (ja) | 低圧ｍｏｃｖｄを用いたエピタキシャル膜成長法 | |
| GB2295830A (en) | Two-dimensional epitaxial growth of III-V compound semiconductors | |
| US6589335B2 (en) | Relaxed InxGa1-xAs layers integrated with Si | |
| Kobayashi et al. | Epitaxial Growth of Thick Polar and Semipolar InN Films on Yttria‐Stabilized Zirconia Using Pulsed Sputtering Deposition | |
| Hartmann | Vapour phase epitaxy of II–VI compounds: A review | |
| Maigne et al. | X-ray diffraction of relaxed InGaAs heterostructures grown on misoriented (100) GaAs substrates | |
| JP2002053398A (ja) | 結晶基板 | |
| Yan et al. | High-quality InGaP and InGaP/InAlP multiple quantum well grown by gas-source molecular beam epitaxy | |
| JP3403844B2 (ja) | 化合物半導体基板の作製方法 | |
| JPH09162122A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハおよびその製造方法 | |
| Kusakabe et al. | Characterization of lattice mosaic of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by metalorganic vapor-phase epitaxy | |
| Gustafson | Single crystal wurtzite GaN on (111) GaAs with AlN buffer layers grown by reactive magnetron sputter deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |