JPH02240556A - Oxygen electrode - Google Patents

Oxygen electrode

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JPH02240556A
JPH02240556A JP1061531A JP6153189A JPH02240556A JP H02240556 A JPH02240556 A JP H02240556A JP 1061531 A JP1061531 A JP 1061531A JP 6153189 A JP6153189 A JP 6153189A JP H02240556 A JPH02240556 A JP H02240556A
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JP
Japan
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electrolyte
electrode
oxygen
oxygen electrode
membrane
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Application number
JP1061531A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumio Takei
文雄 武井
Hiroaki Suzuki
博章 鈴木
Akio Sugama
明夫 菅間
Naomi Kojima
小嶋 尚美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To allow easy and sure production of the oxygen electrode and to greatly improve the yield right after production and the reproducibility of electrode outputs by using a high-polymer electrolyte as an electrolyte. CONSTITUTION:A platinum cathode electrode 2, a silver anode electrode 3, an electrolyte film [poly-(4-vinyl-ethyl pyridinium bromide)] 4, and an oxygen permeable membrane 5 are formed on a glass substrate 1. The internal electrolyte 4 indispensable for the operation of the oxygen electrode is constituted by forming the layer thereof in a dry state in the production stage and the electrolyte 4 layer exists in the uniform dry state as well even at the time of the production of the film 5 in succession thereto; therefore, the solvent is evenly removed from the soln. prepd. by dissolving the membrane 5 material. The formed membrane 5, therefore, has no defects, such as pinholes, and the fraction defective of the oxygen electrode occurring therein is lowered. Since the thickness of the membrane 5 is controlled to a specified value, the specified oxygen electrode output is obtd. and the output reproducibility is improved. The oxygen electrode having excellent quality as the sensor is thus obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、小型酸素電極に関し、酸素電極の電解質及び
酸素透過膜を安定に形成し、歩留まりを向上した酸素電
極を提供することを目的とし、電解質と、該電解質中に
設けられたカソードとアノードとなる2本の電極と、該
電解質を覆う酸素透過膜を有する酸素電極において、上
記電解質として高分子電解質を用いて酸素電極を構成す
る。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a small oxygen electrode, and an object of the present invention is to provide an oxygen electrode in which the electrolyte and oxygen permeable membrane of the oxygen electrode are stably formed and the yield is improved. In an oxygen electrode having two electrodes serving as a cathode and an anode provided in the electrolyte and an oxygen permeable membrane covering the electrolyte, the oxygen electrode is configured using a polymer electrolyte as the electrolyte.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、酸素電極に関し、特にその酸素電極内部に充
填する電解質材料として高分子電解質を用いた酸素電極
に関する。
The present invention relates to an oxygen electrode, and particularly to an oxygen electrode using a polymer electrolyte as an electrolyte material filled inside the oxygen electrode.

本発明に・おける酸素電極は、水溶液中の溶存酸素濃度
を測定するための電極装置のひとつであり環境化学計測
、醸造工業1食品工業、臨床検査等への直接的応用ある
いは5生体物質の高度な選択性を利用したバイオセンサ
の構成要素としての応用が可能である。後者においては
、酸素電極先端部に酵素あるいは微生物を固定化するこ
とにより固定化した酵素あるいは微生物が反応または資
化する物質を選択性良(検出できるセンサが得られる。
The oxygen electrode in the present invention is one of the electrode devices for measuring the dissolved oxygen concentration in an aqueous solution, and can be directly applied to environmental chemical measurement, brewing industry, food industry, clinical testing, etc. It can be applied as a component of a biosensor that takes advantage of its selectivity. In the latter case, by immobilizing enzymes or microorganisms on the tip of an oxygen electrode, a sensor can be obtained that can selectively detect substances that the immobilized enzymes or microorganisms react with or assimilate.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

本発明者等は、小型の酸素電極をホトリソグラフィ法及
び半導体基板の異方性エツチングを利用し形成する方法
を開示している。(特開昭63−238548号等) 上記特開昭63−238548号の酸素電極を第3図及
び第4図に示す。
The present inventors have disclosed a method of forming a small oxygen electrode using photolithography and anisotropic etching of a semiconductor substrate. (JP-A-63-238548, etc.) The oxygen electrode of JP-A-63-238548 is shown in FIGS. 3 and 4.

第4図は第3図の小型酸素電極の■−■線断面図である
0図示の酸素電極は直方体の形状を有していて、感応部
がガス透過性膜38で覆われるとともに、付属のデバイ
スに接続するため、1を極33A、33Bの一部が基板
表面で露出している。
FIG. 4 is a sectional view taken along the line ■-■ of the small oxygen electrode shown in FIG. 3. The oxygen electrode shown in FIG. Parts of poles 33A and 33B are exposed on the substrate surface for connection to a device.

第3図の小型酸素電橋の構造は、そのII−II fi
に沿った断面図である第4図に示される如く、シリコン
基板31は、異方性エンチングにより形成された穴を有
するとともに、その全面にシリコン酸化膜32が絶縁膜
として被着せしめられているさらに基板裏面は破れにく
い疎水性絶縁膜37で覆われている。シリコン基板31
の穴には、カソード33Aおよびアノード33Bが対を
なして被着せしめられている。カソード33Aおよびア
ノード33Bは、第3図で示したように、それぞれの一
部分が溝(穴)の外側のシリコン基板表面にまで延在し
ている。また、シリコン基vi31の穴には電解質含有
多孔性物質、電解質含有ゲル、又は、液状電解質電解質
36が満たされている。
The structure of the small oxygen bridge in Fig. 3 is II-II fi
As shown in FIG. 4, which is a cross-sectional view along Furthermore, the back surface of the substrate is covered with a hydrophobic insulating film 37 that is hard to tear. silicon substrate 31
A cathode 33A and an anode 33B are fitted in pairs in the holes. As shown in FIG. 3, a portion of each of the cathode 33A and the anode 33B extends to the surface of the silicon substrate outside the groove (hole). Further, the holes in the silicon group vi31 are filled with an electrolyte-containing porous material, an electrolyte-containing gel, or a liquid electrolyte electrolyte 36.

穴の上部には、基板31の上部の全面(第3図の露出部
を除く)を覆う形で、ガス透過性膜38が被覆されてい
る。
The upper part of the hole is covered with a gas permeable film 38 so as to cover the entire upper part of the substrate 31 (excluding the exposed part in FIG. 3).

近年、各種センサの微小化に伴い、#素電極の微小化が
進んでいる。酸素電極の微小化においては、安定に酸素
透過膜と電極内部1(TH,解質液)を形成することが
重要である。
In recent years, with the miniaturization of various sensors, #element electrodes have been miniaturized. In miniaturizing the oxygen electrode, it is important to stably form the oxygen permeable membrane and the electrode interior 1 (TH, electrolyte).

酸素透過膜が酸素電極の特性に及ぼす影響は特に大きい
。従来の酸素透過膜には 主にフッ素系の樹脂が利用さ
れていたが、フッ素系樹脂は接着性・加工性が悪く、小
型の酸素電極を作製するのは甚だ困難である。
The influence of the oxygen permeable membrane on the characteristics of the oxygen electrode is particularly large. Conventional oxygen permeable membranes mainly use fluorine-based resins, but fluorine-based resins have poor adhesion and processability, making it extremely difficult to fabricate small oxygen electrodes.

このため、酸素透過膜形成材料の樹脂溶液を電解質含有
ゲルもしくは電解質含有多孔性物質あるいは液状の電解
質(溶液状あるいは膠着賞状担体に保持させた電極内部
液)の上に塗布し、溶媒を除去することにより酸素透過
膜が形成されたりした。(特開昭63−238548号
等)〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、−船釣に酸素透通膜材料はf機溶媒に可溶なも
のが多く、内部電解質溶液(主に水溶液)(電解質含有
ゲルもしくは電解質含有多孔性物質あるいは液状の電解
質)が近傍に存在する条件で有機溶媒の除去を行うと、
有機溶媒の蒸発が妨げられたり、不均質な乾燥が進むた
め、形成される酸素透過膜が不完全になりやすい。この
ため膜の破壊による酸素電極の破を貝、あるいは電極出
力の再現性の低Fを招いていた。
For this purpose, a resin solution of an oxygen permeable membrane forming material is applied onto an electrolyte-containing gel, an electrolyte-containing porous material, or a liquid electrolyte (a solution or an electrode internal solution held in a cohesive carrier), and the solvent is removed. As a result, an oxygen permeable film was formed. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 63-238548, etc.) [Problems to be Solved by the Invention] However, - Most of the oxygen permeable membrane materials for boat fishing are soluble in solvents, and internal electrolyte solutions (mainly aqueous solutions) When the organic solvent is removed under conditions where (electrolyte-containing gel, electrolyte-containing porous substance, or liquid electrolyte) is present nearby,
Since evaporation of the organic solvent is hindered or non-uniform drying progresses, the formed oxygen permeable membrane tends to be incomplete. This has led to failure of the oxygen electrode due to membrane destruction or low F reproducibility of electrode output.

また、内部電解質を乾燥状態で形成し7 この上に酸素
透過膜を形成する方法も考えられるが、内部電解質とし
て無機塩類等の低分子電解質を用いると結晶化により不
均質な電解質層が形成されるためやはり電極出力の再現
性の低下を招いていた。
Another possible method is to form an internal electrolyte in a dry state and form an oxygen permeable membrane thereon, but if a low molecular weight electrolyte such as an inorganic salt is used as the internal electrolyte, an inhomogeneous electrolyte layer will be formed due to crystallization. This also led to a decrease in the reproducibility of the electrode output.

本発明は上述の問題を解消する新規な小型酸素電橋を提
供せんとするものである。
The present invention seeks to provide a novel compact oxygen bridge that overcomes the above-mentioned problems.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明者は、前記の問題点を解決するため、安定に層分
離することなく内部電解質層を形成できる材料について
鋭意検討した結果、高分子物質であり、さらに水中でイ
オンに解離して電解質となる。いわゆる高分子電解質材
料が使用可能であることを見出、した。
In order to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention have conducted intensive studies on materials that can form an internal electrolyte layer without stable layer separation, and have found that they are polymeric substances, and that they can further dissociate into ions in water and form an electrolyte. Become. We have discovered that so-called polymer electrolyte materials can be used.

本発明は、電解質と、該電解質中に設けられたカソード
とアノードとなる2本の電極と、該電解質を覆う酸素透
過膜を有する酸素電極において、上記電解質として高分
子電解質を用いた酸素電極により達成される。
The present invention provides an oxygen electrode having an electrolyte, two electrodes provided in the electrolyte serving as a cathode and an anode, and an oxygen permeable membrane covering the electrolyte, which uses a polymer electrolyte as the electrolyte. achieved.

上記酸素電極は、基板上にカソードとアノードとなる2
本の電極パターンを形成する工程と、上記基板上に少な
くとも該カソードとアノードとなる2本の電極パターン
を覆う高分子電解質の膜を形成する工程と、上記基板上
に該高分子電解質の膜を覆う酸素透過膜を形成する工程
とを有する方法で製造できる。
The above oxygen electrode is placed on the substrate as a cathode and an anode.
a step of forming a regular electrode pattern, a step of forming a polymer electrolyte film covering at least two electrode patterns, which will become the cathode and an anode, on the substrate, and a step of forming the polymer electrolyte film on the substrate. It can be manufactured by a method including a step of forming a covering oxygen permeable membrane.

上記高分子電解質の膜を高分子電解質形成材料の溶液を
塗布・乾燥して形成することができる。
The above polymer electrolyte membrane can be formed by applying and drying a solution of a polymer electrolyte forming material.

上記高分子電解質の溶液として多価アルコールを含んだ
ものを用いることができる。
A solution containing a polyhydric alcohol can be used as the polymer electrolyte solution.

上記酸素透過膜を、上記高分子電解質の膜を形成した基
板上に酸素透過膜形成材料の溶液を塗布・乾燥して形成
することができる。この場合、上記高分子電解質の膜は
酸素透過膜形成材料の溶液或いは溶媒に溶解されないも
のであることが必要である。
The oxygen permeable membrane can be formed by applying and drying a solution of an oxygen permeable membrane forming material onto a substrate on which the polymer electrolyte membrane is formed. In this case, the polymer electrolyte membrane needs to be insoluble in the solution or solvent of the oxygen permeable membrane forming material.

高分子電解質材料は、乾燥状態では一般的に非晶状態、
いわゆるガラス状態で存在するものが多く、均質な成膜
が可能である。このため、均質な高分子電解質溶液層を
形成したのち1十分に乾燥し、この上に酸素透過膜材料
の溶液を塗布して乾燥することにより、酸素透過膜も完
全なものが得られる。よって、酸素電極として、安定に
動作させることが可能になる。内部電解質が有効に機能
するためには、水分の存在が必要であるが9酸素透過膜
材料に適当な酸素透過性および水蒸気透過性の材料を使
用することにより、酸素透過膜が形成された後に、外部
から水蒸気として内部に水分を注入することが可能であ
る。
Polymer electrolyte materials are generally in an amorphous state in a dry state,
Many of them exist in a so-called glass state, making it possible to form a homogeneous film. Therefore, a complete oxygen permeable membrane can be obtained by forming a homogeneous polymer electrolyte solution layer, thoroughly drying it, applying a solution of the oxygen permeable membrane material thereon and drying it. Therefore, it becomes possible to operate stably as an oxygen electrode. In order for the internal electrolyte to function effectively, the presence of moisture is required. , it is possible to inject moisture into the interior as steam from the outside.

高分子電解質としては2合成高分子電解質(ポリアクリ
ル酸およびその塩、ポリメタクリル酸およびその塩、ポ
リスチレンスルホン酸およびその塩、部分ス、ルホン化
ポリスチレン、ポリビニル硫酸塩、ポリ−4(2)ビニ
ルピリジンおよびその塩、イオネンボリマー N−)リ
アルキルアミノメチルポリスチレン、アミノアセタール
化ポリビニルアルコール、ポリ−4(5)ビニルイミタ
ソール、線状ポリエチレンイミン、ポリエチレンイミン
、ポリジアルキルジアリルアンモニウム塩、ジアルキル
ジアリルアンモニウム塩−3O!共重合体、ポリビニル
ベンジルスルホニウム塩、ポリビニルベンジルホスホニ
ウム塩等)’p、アガロース、アルギン酸、ゼラチン、
コラーゲンなどの生体に由来する天然高分子電解質が適
用し得る。
Polymer electrolytes include two synthetic polymer electrolytes (polyacrylic acid and its salts, polymethacrylic acid and its salts, polystyrene sulfonic acid and its salts, polystyrene, sulfonated polystyrene, polyvinyl sulfate, poly-4(2) vinyl Pyridine and its salts, ionene polymers N-) Realkylaminomethyl polystyrene, aminoacetalized polyvinyl alcohol, poly-4(5) vinyl imitasol, linear polyethyleneimine, polyethyleneimine, polydialkyldiallylammonium salt, dialkyldiallylammonium salt -3O! copolymer, polyvinylbenzylsulfonium salt, polyvinylbenzylphosphonium salt, etc.)'p, agarose, alginic acid, gelatin,
Natural polyelectrolytes derived from living organisms such as collagen can be applied.

高分子電解質の溶媒としては、水、エタノールジメチル
スルホキシド(DMSO)、ジメチルホルムアミド(D
MF)等の極性溶媒を適用しうる。
Polyelectrolyte solvents include water, ethanol dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethyl formamide (D
Polar solvents such as MF) can be applied.

高分子電解質の膜を高分子電解質形成材料の溶液を塗布
・乾燥して形成するに際しては、その溶液に多価のアル
コールを混入することにより、より均質で基板に対して
密着性の良い層が得られるまた、グリセリンやエチレン
グリコール等高分子電解質の溶解を妨げないものが適当
である。
When forming a polymer electrolyte film by applying and drying a solution of a polymer electrolyte forming material, mixing a polyhydric alcohol into the solution creates a more homogeneous layer with good adhesion to the substrate. Also suitable are those that do not interfere with the dissolution of the polymer electrolyte, such as glycerin or ethylene glycol.

なお、前述の通り、酸素透過膜を高分子電解質の膜を形
成した基板上に酸素透過膜形成材料の溶液を塗布・乾燥
して形成する場合には、高分子電解質の膜は酸素透過膜
形成材料の溶液または、溶媒に溶解されないものである
ことが必要である。
As mentioned above, when an oxygen permeable membrane is formed by coating and drying a solution of an oxygen permeable membrane forming material on a substrate on which a polymer electrolyte membrane is formed, the polymer electrolyte membrane is formed by forming an oxygen permeable membrane. It is necessary that the material is not dissolved in the solution or solvent.

(作用〕 本発明では、酸素電極の動作に必要不可欠な酸素電極内
部電解質を1作製段階においては乾燥状態でその層を形
成し、続く酸素透過膜の作製時にも、電解質層は均質な
乾燥状態で存在するため。
(Function) In the present invention, the electrolyte layer inside the oxygen electrode, which is essential for the operation of the oxygen electrode, is formed in a dry state in the first production step, and the electrolyte layer is kept in a homogeneous dry state during the subsequent production of the oxygen permeable membrane. To exist in.

酸素透過膜材料を溶解した溶液から、均等に溶媒が除去
できる。このため、形成される酸素透過膜には、ピンホ
ール等の欠陥はなくなり、これに起因する酸素電極の不
良率が低下する。また、酸素透過膜の厚みも一定値に制
御されるため、酸素電極出力も一定になり、出力再現性
が向上してセンサとしての品質は優れたものになる。
The solvent can be evenly removed from the solution containing the oxygen permeable membrane material. Therefore, the formed oxygen permeable film is free from defects such as pinholes, and the defective rate of the oxygen electrode due to this is reduced. Furthermore, since the thickness of the oxygen permeable membrane is also controlled to a constant value, the oxygen electrode output is also constant, the output reproducibility is improved, and the quality of the sensor is excellent.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明について、図面を参照して、詳細に説明する
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

(実施例1) 第1図(A)ニ ガラス基Fi、lの上に白金スパッタリングおよび銀の
真空蒸着法により電極パターンを形成した。
(Example 1) FIG. 1(A) An electrode pattern was formed on the Nigaras group Fi,l by platinum sputtering and silver vacuum evaporation.

白金カソード電極2、及び、銀アノード電極3はそれぞ
れ次の工程を経て形成される。
The platinum cathode electrode 2 and the silver anode electrode 3 are each formed through the following steps.

ガラス基板1を平行平板型のスパッタリング装置の一方
の電極上に載置し、他方の電極側に白金板を載置し、両
電極間に13MHzの高周波を印加してアルゴンガスを
導入し、5XlO−’Torrでプラズマとし、ガラス
基板上に載置したステンレスマスクの孔部を通じて、ガ
ラス基板1の上に白金スパンタリングによる白金層(1
000人)を形成した。
A glass substrate 1 is placed on one electrode of a parallel plate type sputtering device, a platinum plate is placed on the other electrode side, a high frequency of 13 MHz is applied between both electrodes, argon gas is introduced, and 5XlO A platinum layer (1 layer) is formed by platinum sputtering on the glass substrate 1 through the hole of the stainless steel mask placed on the glass substrate 1.
000 people).

上記により、白金カソード電極2が形成される。Through the above steps, platinum cathode electrode 2 is formed.

次いで、白金カソード電極を形成したガラス基板lを真
空蒸着装置に設置し、ガラス基板上に載置したステンレ
スマスクの孔部を通して、ガラス基板上に銀の真空蒸着
を行い、所定パターン形状の恨Ji(3000人)を形
成した。
Next, the glass substrate l on which the platinum cathode electrode has been formed is placed in a vacuum evaporation apparatus, and silver is vacuum evaporated onto the glass substrate through the holes of a stainless steel mask placed on the glass substrate to form a grommet in a predetermined pattern. (3000 people).

上記により、銀アノード電極3が形成される。Through the above steps, the silver anode electrode 3 is formed.

第1図(B)、第1図(C); 次に、 ?fi内部電解質4として、ポリ−(4−ビニ
ル−エチルピリジニウムブロマイド)(重量平均分子I
Mw=5.3 X 10’ 、4級化率82%)の10
%水溶液に、グリセリンを等量加えた溶液をデイツプコ
ート法により、塗布し、80°Cで20分間乾燥した。
Figure 1 (B), Figure 1 (C); Next, ? As fi internal electrolyte 4, poly-(4-vinyl-ethylpyridinium bromide) (weight average molecule I
Mw = 5.3 x 10', quaternization rate 82%)
% aqueous solution to which an equal amount of glycerin was added was applied by dip coating and dried at 80°C for 20 minutes.

形成される乾燥後の電解w4の膜厚は約50μmである
The thickness of the electrolytic film w4 formed after drying is about 50 μm.

第1図(D)、第1図(E): この基板表面に酸素透過膜材料として、2ガ型レジスト
であるOMI’?−83(東京応化@)をデイツプコー
ト法により、塗布し、80°Cで20分間加熱した後、
紫外線を照射して光硬化して、さらに120°Cで20
分間加熱硬化し、酸素透過膜5を形成した。。
Figure 1 (D), Figure 1 (E): OMI'?, which is a 2-ga type resist, is used as an oxygen permeable film material on the surface of this substrate. -83 (Tokyo Ohka@) was applied by dip coating method and heated at 80°C for 20 minutes.
Photocure by irradiating ultraviolet rays and further cure at 120°C for 20
The film was cured by heating for a minute to form an oxygen permeable film 5. .

形成される酸素ii過膜5の膜厚は約20IImである
The thickness of the oxygen II film 5 formed is approximately 20 IIm.

なお、上記ポリ−(4−ビニル−エチルピリジニウムブ
ロマイド)の高分子電解質膜4は酸素透過膜5形成に用
いるネガ型レジストOMR−83の溶媒である、トルエ
ン、キシレン等の非極性の溶媒には溶解することはない
The poly-(4-vinyl-ethylpyridinium bromide) polymer electrolyte membrane 4 is not suitable for non-polar solvents such as toluene and xylene, which are the solvents for the negative resist OMR-83 used to form the oxygen permeable membrane 5. It will not dissolve.

上記ガラス基板1上に白金カソード電極2、銀アノード
電極3、電解質膜〔ポリ−(4−ビニル−エチルピリジ
ニウムブロマイド)]4、酸素透過膜5が形成された、
半完成状態の酸素電極を水中に浸漬する、飽和水蒸気雰
囲気に曝す(25°C180分)或いは、オートクレー
ブ処理(120’CI 5分)して、上記電解質膜4に
上記酸素透過膜5を介して、水蒸気を拡散させ、固体状
の電解質から、液体状の電解質にして、完成状態の酸素
完成した酸素電極の歩留りは98%以上であった。また
、酸素で飽和した水中にてその応答特性を調べたところ
、出力の変動は±3%以内であった。
A platinum cathode electrode 2, a silver anode electrode 3, an electrolyte membrane [poly-(4-vinyl-ethylpyridinium bromide)] 4, and an oxygen permeable membrane 5 were formed on the glass substrate 1.
The semi-finished oxygen electrode is immersed in water, exposed to a saturated steam atmosphere (25°C, 180 minutes), or autoclaved (120'CI, 5 minutes) to the electrolyte membrane 4 through the oxygen permeable membrane 5. By diffusing water vapor and converting the solid electrolyte into a liquid electrolyte, the yield of the completed oxygen electrode was over 98%. Furthermore, when the response characteristics were investigated in water saturated with oxygen, the fluctuation in output was within ±3%.

(実施例2) 本発明による他の実施例の小型酸素電極の製法を図面を
参照しながら説明する。
(Example 2) A method for manufacturing a small oxygen electrode according to another example of the present invention will be described with reference to the drawings.

この実施例は、内部電解質として高分子電解質を用いる
ことが、前述の特開昭63−238548号の小型酸素
電極、その製法が異なるものである。
This embodiment differs from the small oxygen electrode disclosed in JP-A-63-238548 mentioned above in that a polymer electrolyte is used as the internal electrolyte, and its manufacturing method is different.

なお、本例の場合2本の電極をポーラ口型としカソード
は金電極で、アノードは銀/臭化恨参照電掻で構成する
例をしめす。
In this example, the two electrodes are of polar type, the cathode is a gold electrode, and the anode is a silver/brominated gold electrode.

シリコン基板31は、異方性エツチングにより形成され
た穴を有するとともに、その全面にシリコン酸化膜32
が絶縁膜として被着せしめられている。さらに基板裏面
は破れにくい疎水性絶縁膜37で覆われている。シリコ
ン基板31の穴には。
The silicon substrate 31 has holes formed by anisotropic etching and a silicon oxide film 32 on the entire surface.
is deposited as an insulating film. Furthermore, the back surface of the substrate is covered with a hydrophobic insulating film 37 that is hard to tear. In the hole of the silicon substrate 31.

カソード33Aおよびアノード33Bが対をなして被着
せしめられている。カソード33Aおよびアノード33
Bは、第3図で示したように、それぞれの一部分が溝(
穴)の外側のシリコン基板表面にまで延在している。ま
た、シリコン基板31の穴には本発明の高分子電解質3
6が満たされている。さらに5大の上部には、基板31
の上部の全面(第3図の露出部を除く)を覆う形で、ガ
ス透過性膜3Bが被覆されている。
A cathode 33A and an anode 33B are deposited as a pair. Cathode 33A and anode 33
B, as shown in Fig. 3, each part has a groove (
The hole extends to the surface of the silicon substrate outside the hole. Further, in the hole of the silicon substrate 31, the polymer electrolyte 3 of the present invention is
6 is fulfilled. Furthermore, the board 31 is placed on the top of the five large
A gas permeable membrane 3B is coated to cover the entire upper surface (excluding the exposed portion in FIG. 3).

この小型酸素電極は9例えば、第2図に順を追って示す
製造プロセスで製造することができる。
This small oxygen electrode can be manufactured, for example, by the manufacturing process shown in sequence in FIG.

なお、第2図(A)に示すカソード電極形成後の本体は
1次のような工程を経て製造することができる。以下の
説明では、1枚のウェハーに1個だけ酸素電極を形成す
る場合について記載するけれども、実際には1枚のウェ
ハーに多数個の小型酸素電極が同時に形成される。なお
、ここでは実施例1と同じ〔ポリ−(4−ビニル−エチ
ルピリジニウムブロマイド)〕を高分子電解賞として用
いる場合について述べる。
Note that the main body after forming the cathode electrode shown in FIG. 2(A) can be manufactured through the following steps. In the following explanation, a case will be described in which only one oxygen electrode is formed on one wafer, but in reality, a large number of small oxygen electrodes are formed on one wafer at the same time. Here, a case will be described in which the same [poly-(4-vinyl-ethylpyridinium bromide)] as in Example 1 is used as the polymer electrolyte.

1、ウェハー洗浄 厚さ350 μmの(100)面2インチシリコンウェ
ハーを用意し、これを過酸化水素とアンモニアの混合溶
液および濃硝酸で洗浄した。
1. Wafer Cleaning A 2-inch (100)-sided silicon wafer with a thickness of 350 μm was prepared and cleaned with a mixed solution of hydrogen peroxide and ammonia and concentrated nitric acid.

2、SiJ膜の形成 シリコンウェハーをウェット熱酸化し、その全面に膜厚
0.8 μmのSi0g膜を形成した。
2. Formation of SiJ film A silicon wafer was subjected to wet thermal oxidation to form a SiOg film with a thickness of 0.8 μm on the entire surface.

3、エツチング用パターンの形成 ネガ型フォトレジスト(東京応化型 01fl?−83
゜粘度60 cP)を使用して、ウェハー上にエツチン
グ用レジストパターンを形成した。
3. Formation of etching pattern using negative photoresist (TOKYO OHKA 01fl?-83)
An etching resist pattern was formed on the wafer using a resist film having a viscosity of 60 cP.

4、ウェハー裏面保護用レジスト塗布 ウェハーの裏面にも上記工程で使用したものと同じネガ
型フォトレジストを塗布し9130℃で30分間に渡っ
てベータした。
4. Application of resist for protection of backside of wafer The same negative photoresist as used in the above step was applied to the backside of the wafer and beta-coated at 9130°C for 30 minutes.

5、SiJ膜のエツチング 50%フッ化水素酸:40%フッ化アンモニウム=l:
6水溶・液にウェハーを浸漬し、フォトレジストが被覆
されていない露出部分の5iotをエツチングにより除
去した。引き続いて硫酸:過酸化水素水(2:1)溶液
によりレジストを除去した。
5. Etching of SiJ film 50% hydrofluoric acid: 40% ammonium fluoride = l:
The wafer was immersed in 6 aqueous solution, and the exposed portion 5iot not covered with photoresist was removed by etching. Subsequently, the resist was removed using a sulfuric acid:hydrogen peroxide solution (2:1).

6、Siの異方性エツチング 80°Cの35%水酸化カリウム水溶液中にてシリコン
の異方性エツチングを行った。エツチング深さ300 
μ―、エツチング完了完了後玉ウェハー水で洗浄した。
6. Anisotropic etching of Si Anisotropic etching of silicon was performed in a 35% potassium hydroxide aqueous solution at 80°C. Etching depth 300
After completion of etching, the wafer was washed with water.

この異方性エツチングの完了後、エツチング時に使用し
たs+o*wAを除去した。これは、5と同様に50%
フッ化水素酸:40%フッ化アンモニウム−1;6水溶
液中で行った。
After completing this anisotropic etching, s+o*wA used during etching was removed. This is 50% like 5
Hydrofluoric acid: carried out in a 40% ammonium fluoride-1:6 aqueous solution.

7.3iOtWAの形成 シリコンウェハー表面に5ins膜を成長させるため、
1.の洗浄工程に引き続いて、ウェハーをウェット熱酸
化した。膜r¥−0,8μmの膜が形成された。
7.3 Formation of iOtWA To grow a 5ins film on the silicon wafer surface,
1. Following the cleaning step, the wafer was wet thermally oxidized. A film with a thickness of 0.8 μm was formed.

8、クロムおよび金薄膜の形成 りロム薄III(400人、金と基板の密着用)に引き
続き、金薄膜(4000人)を真空蒸着により形成した
8. Formation of Chromium and Gold Thin Films Following ROM Thin III (400 people, adhesion of gold and substrate), a gold thin film (4000 people) was formed by vacuum evaporation.

9、カソード電極形成用レジストパターンの形成ネガ型
フォトレジスト(東京応化型 OMR−83゜粘度60
 cP)を使用して、ウェハーのSiJ上にカソード電
極形成用レジストパターンを形成した。
9. Formation of resist pattern for cathode electrode formation Negative photoresist (Tokyo Ohka type OMR-83° viscosity 60
cP) to form a resist pattern for forming a cathode electrode on the SiJ wafer.

10、金およびクロムのエツチング レジストパターンが形成された基板を以下の■■の金お
よびクロム用エツチング液にこの順に浸漬し、露出した
金およびクロムの部分をエツチングにより除去する。さ
らに、純水にて洗浄後、硫酸:過酸化水素水(2:1)
溶液によりレジストを除去した(第2図(A))。
10. Gold and chromium etching The substrate on which the resist pattern has been formed is immersed in the following gold and chromium etching solutions in this order, and the exposed gold and chromium parts are removed by etching. Furthermore, after washing with pure water, sulfuric acid: hydrogen peroxide solution (2:1)
The resist was removed using a solution (FIG. 2(A)).

■金エツチング液:4gKI  およびt g rzを
40 ml の水に溶かしたもの ■クロムエツチング液: 0.5 g Na011  
および1g KsFe(CN)aを4鋤1の水に溶かし
たもの11、 クロムおよび!!薄膜の形成 りロム薄膜(400人、!!と基板の密着用)に引き続
き、銀薄膜(4000人)を真空蒸着により形成した(
第2・図(B))。
■Gold etching solution: 4g KI and TGRZ dissolved in 40ml of water ■Chrome etching solution: 0.5g Na011
And 1 g KsFe (CN) a dissolved in 4 1 volume of water 11, chromium and! ! Formation of thin film Following the ROM thin film (400 people!! and adhesion of the substrate), a silver thin film (4000 people) was formed by vacuum evaporation (
Figure 2 (B)).

12.7ノード電極形成用レジストパターンの形成ポジ
型フォトレジスト(東京応化型0FPR−800゜粘度
20 cP)を滴下、ウェハー上にまんべんなくゆきわ
たらせる。レジストの量は、ちょうどウェハー周囲まで
ゆきわたる程度が好ましい。スピンコーティングは不可
、 80″Cで30分間ボストベークを行う。
12.7 Formation of resist pattern for forming node electrodes A positive photoresist (Tokyo Ohka 0FPR-800°, viscosity 20 cP) is dropped and spread evenly over the wafer. Preferably, the amount of resist is just enough to cover the wafer. Do not spin coat. Bost bake at 80"C for 30 minutes.

アライナ−にてパターンを合わせ、露光を行った後、現
像を行い、水でリンスし、乾燥する。この例のように、
ポジ型フォトレジストが厚く塗布されている場合には、
−度では感光せず、ある深さまで露光部分が除去される
と、それ以上現像が進まなくなる。そこで、アライナ−
にて前述の現像途中のレジストパターンにフォトマスク
パターンを合わせ1n光を行った後、再び現像・リンス
・乾燥を行う。
After aligning the patterns with an aligner and performing exposure, development is performed, rinsed with water, and dried. As in this example,
If the positive photoresist is applied thickly,
- It is not exposed to light, and once the exposed area is removed to a certain depth, development will no longer proceed. Therefore, the aligner
After aligning the photomask pattern with the resist pattern in the middle of development and applying 1n light, development, rinsing, and drying are performed again.

基板表面まで完全に現像が完了したら次の過程に進む、
まだ、露光不完全ならば、n光→現像→リンス→乾燥を
繰り返す、最終的に銀パターンを形成するところにのみ
、ポジ型レジストパターンが残る(第2図(C))。
Once the substrate surface has been completely developed, proceed to the next step.
If the exposure is still incomplete, the process of n-light → development → rinsing → drying is repeated, and a positive resist pattern remains only where the final silver pattern will be formed (FIG. 2(C)).

13.8艮およびクロムのエツチング レジストパターンが形成された基板を以下の■■の銀お
よびクロム用エツチング液にこの順に浸漬し、f@出し
た恨およびクロムの部分をエツチングにより除去する(
第2図(D))、さらに、純水にて洗浄後、アセトン中
に浸漬してレジストを除去する(第2図(E))。
13.8 Etching of silver and chromium The substrate on which the resist pattern has been formed is immersed in the following etching solution for silver and chromium in this order, and the exposed resist and chromium parts are removed by etching (
After cleaning with pure water, the resist is removed by immersion in acetone (FIG. 2(E)).

■銀エツチング液:29χアンモニア水:31χ過酸化
水素水;水・l F l : 20溶液。
■Silver etching solution: 29x ammonia water: 31x hydrogen peroxide water; water/l F l: 20 solution.

■クロムエツチング液: 0.5 g Na01l  
および1茗にsFa(CM)iを4 mlの水に溶かし
たものカソード・アノードの完成した状態を第2図(E
)に示す。
■Chrome etching liquid: 0.5 g Na01l
Figure 2 (E) shows the completed state of the cathode and anode.
).

14、基板裏面に疎水性絶縁膜形成 基板裏面に疎水性絶縁膜(信越シリコーン製KR−28
2) 37を一様に塗布し、250°Cでベーキングを
施す。
14. Forming a hydrophobic insulating film on the back side of the substrate A hydrophobic insulating film (KR-28 made by Shin-Etsu Silicone) was formed on the back side of the substrate.
2) Apply 37 evenly and bake at 250°C.

15、高分子電解質充填用レジストパターン形成(第2
図(F、)) 本体表面で、穴35と、電気的コンタクトを取るバンド
部分以外のところをネガ型フォトレジスト(東京応化製
 OMR−83、粘度60 cP) 34で被覆した。
15. Formation of resist pattern for filling polymer electrolyte (second
Figure (F, )) The surface of the main body except for the hole 35 and the band portion for making electrical contact was covered with a negative photoresist (OMR-83 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., viscosity 60 cP) 34.

これは、ウェハーの表面にフォトレジストを塗布し、プ
リベータ後に露光及び現像を行うことによって実施した
This was done by applying a photoresist to the surface of the wafer, exposing and developing after pre-beta.

16、穴の中を親水性にする 基板を1M水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬する。この
結果、レジストで被われていないところが親水性になっ
た。
16. Make the inside of the hole hydrophilic. Immerse the substrate in a 1M aqueous sodium hydroxide solution. As a result, the areas not covered with resist became hydrophilic.

17、高分子電解質の充填(第2図(G))次に、電極
内部電解質として、ポリ−(4−ビニル−エチルピリジ
ニウムブロマイド)(重量平均分子量Mw−5,3X1
0’ 、4級化率82%)の10%水溶液に、グリセリ
ンを等量刑えた溶液をデイツプコート法により、塗布し
、80″Cで20分間乾燥した。
17. Filling of polymer electrolyte (Fig. 2 (G)) Next, as an electrolyte inside the electrode, poly-(4-vinyl-ethylpyridinium bromide) (weight average molecular weight Mw-5,3X1
A solution prepared by adding an equal amount of glycerin to a 10% aqueous solution of 0', quaternization rate of 82%) was applied by dip coating and dried at 80'C for 20 minutes.

穴35内に高分子電解質36が充填された。The holes 35 were filled with a polymer electrolyte 36 .

18、ガス透過性膜の被覆(第2図(H))この基板表
面に酸素透過膜材料として、ネガ型レジストであるOM
R−83(東京応化II)をデイツプコート法により、
塗布し、80°Cで20分間加熱した後、チップを切り
出す、スクライブラインがマスクされる、マスクを用い
、紫外線を照射して露光現像を行い、スクライブライン
上のガス透過性膜を除去する。さらに120 ’Cで2
0分間加熱硬化し、酸素透過膜38を形成した。
18. Coating with gas permeable film (Figure 2 (H)) OM, which is a negative resist, is applied to the surface of this substrate as an oxygen permeable film material.
R-83 (Tokyo Ohka II) was coated with dip coat method.
After coating and heating at 80° C. for 20 minutes, the chip is cut out. The scribe line is masked. Using the mask, exposure and development is performed by irradiating ultraviolet rays, and the gas permeable film on the scribe line is removed. 2 more at 120'C
The oxygen permeable film 38 was formed by heating and curing for 0 minutes.

なお、形成される酸素透過膜38の膜厚は約20μmで
ある。
Note that the thickness of the oxygen permeable film 38 formed is approximately 20 μm.

19、基板の切り出し 基板上に多数形成された酸素電極をスクライブラインで
切り出しチップ状に分割した。
19. Cutting out the substrate A large number of oxygen electrodes formed on the substrate were cut out along scribe lines and divided into chips.

20、上記基板の穴上に金力ソード電極33A、銀アノ
ード電極33B、が形成され、高分子電解質(ポリ−(
4−ビニルーエチルピリジニウムプロマイド)〕36が
穴に充填され、酸素透過l!38が形成された、半完成
状態の酸素電極を水中に浸漬する、飽和水蒸気雰囲気に
曝す(25°C180分)或いは、オートクレーブ処理
(120°C15分)して1.上記高分子電解質36に
上記酸素透過M3Bを介して、水蒸気を拡散させ、固体
状の電解質から、液体状の電解質にして、完成状態の酸
素電極とする。
20. A metal sword electrode 33A and a silver anode electrode 33B are formed on the hole of the substrate, and a polymer electrolyte (poly(
4-vinyl-ethylpyridinium bromide)] 36 was filled in the hole, and oxygen permeation l! The semi-finished oxygen electrode with 38 formed thereon is immersed in water, exposed to a saturated steam atmosphere (25°C, 180 minutes), or autoclaved (120°C, 15 minutes). Water vapor is diffused into the polymer electrolyte 36 through the oxygen permeable M3B to change the solid electrolyte to a liquid electrolyte to form a completed oxygen electrode.

完成した酸素電極の歩留りは98%以上であった。また
、酸素で飽和した水中にてその応答特性を調べたところ
、出力の変動は±3%以内であった。
The yield of the completed oxygen electrode was 98% or more. Furthermore, when the response characteristics were investigated in water saturated with oxygen, the fluctuation in output was within ±3%.

【発明の効果〕【Effect of the invention〕

以上示したように9本発明は従来に比して、簡便かつ確
実に酸素電極を作製することが可能である。特に製造直
後の歩留りにおいては、従来法が30%程度どまりであ
ったものが、大幅に向上し98%以上という確実さを得
ることができた。また、電極出力の再現性も、従来±3
0%程度あったちのが、±3%程度となり、大きく向上
する。
As shown above, the present invention makes it possible to manufacture an oxygen electrode more easily and reliably than in the past. In particular, the yield immediately after manufacturing was only about 30% in the conventional method, but it was significantly improved to more than 98%. In addition, the reproducibility of electrode output is ±3
It was about 0%, but now it is about ±3%, which is a big improvement.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の酸素電極製造工程を示す工
程断面図、 第2図は本発明の他の実施例の酸素電極製造工程を示す
工程断面図、 第3図は従来の酸素電極、及び、本発明の他の実施例の
酸素電極を説明するだめの斜視図、第4図は第3図の電
極の線分■−Hに沿った断面図である。 lはガラス基板、2は白金カソード、3は銀アノード、
4は内部電解質、5は酸素透過膜、31は基板、32は
絶縁膜、33Aはカソード電極、33Bはアノード電極
、34はフォトレジスト膜、35は穴、36は高分子電
解質、37は疎水性絶縁膜、38は酸素透過膜である。 小型酢オ電極/1型遺7°Uセ人 芽2図 木茫明の一家f杆1s示マL科図 早1図 小型!ttVJ!/l1it 7’UセX茅2図
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the process of manufacturing an oxygen electrode according to an embodiment of the present invention, FIG. FIG. 4 is a perspective view for explaining an electrode and an oxygen electrode according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the electrode in FIG. 3 taken along line 2-H. l is a glass substrate, 2 is a platinum cathode, 3 is a silver anode,
4 is an internal electrolyte, 5 is an oxygen permeable membrane, 31 is a substrate, 32 is an insulating film, 33A is a cathode electrode, 33B is an anode electrode, 34 is a photoresist film, 35 is a hole, 36 is a polymer electrolyte, and 37 is a hydrophobic The insulating film 38 is an oxygen permeable film. Small Vinegar Electrode / Type 1 7° U Se Human bud 2 Diagrams of the family F rod 1s Indication L Family Diagram Haya 1 Diagram Small size! ttVJ! /l1it 7'Use

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電解質と、該電解質中に設けられたカソードとアノード
となる2本の電極と、該電解質を覆う酸素透過膜を有す
る酸素電極において、上記電解質として高分子電解質を
用いたことを特徴とする酸素電極。
An oxygen electrode comprising an electrolyte, two electrodes serving as a cathode and an anode provided in the electrolyte, and an oxygen permeable membrane covering the electrolyte, characterized in that a polymer electrolyte is used as the electrolyte. .
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