JPH02239182A - Method and apparatus for producing crystal material - Google Patents
Method and apparatus for producing crystal materialInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
イ.産業上の利用分野
本発明は結晶材料、例えば非線形光学材料の製造方法及
びその装置に関するものである。[Detailed description of the invention] a. INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to a method and apparatus for producing crystalline materials, such as nonlinear optical materials.
口.従来技術
非線形光学効果が1961年に発見されて以来、非線形
光学効果を有する材料、及び非線形光学効果を利用した
デバイスに関する研究が進められてきた。こうしたデバ
イスとしては、例えば光高調波発生装置等に用いられる
波長変換デバイス(特にレーザー光の波長変換に使用)
が知られている。mouth. BACKGROUND OF THE INVENTION Since the nonlinear optical effect was discovered in 1961, research has been conducted on materials that have a nonlinear optical effect and devices that utilize the nonlinear optical effect. Such devices include, for example, wavelength conversion devices used in optical harmonic generators (especially used for wavelength conversion of laser light).
It has been known.
第7図には、その一例としての導波路を示したが、内径
数10μm以下、例えば3μmの中空がガラスファイバ
ー1中に非線形光学(変換)材料2が埋め込まれた形態
を有しており、一端からのレーザー人射光3が光学材料
20中を進行する過程で非線形光学効果によって波長変
換され、4として出射される。こうしたデバイスは位相
整合性変換素子や、チェレンコフ型変換素子等として知
られている。光学材料20としては、LiNbOsやK
DP (KH.PO.)などの無機系材料が知られてい
た。FIG. 7 shows an example of a waveguide, which has a hollow structure with an inner diameter of several tens of μm or less, for example, 3 μm, in which a nonlinear optical (conversion) material 2 is embedded in a glass fiber 1. Laser human radiation 3 from one end is wavelength-converted by a nonlinear optical effect while traveling through optical material 20, and is emitted as light 4. Such devices are known as phase matching conversion elements, Cerenkov type conversion elements, and the like. As the optical material 20, LiNbOs and K
Inorganic materials such as DP (KH.PO.) were known.
近年、これらの無機系材料に較べ、非線形光学定数が大
幅に上回る有機系材料が注目されはじめた。この様な物
質には、例えばMNA (2−メチル−4−ニトロアニ
リン)、mNA(メタニトロアニリン)、POM(3−
メチル−4−ニトロビリジン−1−オキサイド)などが
ある。In recent years, organic materials, which have significantly higher nonlinear optical constants than these inorganic materials, have begun to attract attention. Examples of such substances include MNA (2-methyl-4-nitroaniline), mNA (metanitroaniline), and POM (3-nitroaniline).
methyl-4-nitroviridine-1-oxide).
こうした光学材料、特に有機系材料を製造する方法とし
て、中空ファイバー内に低分子の単結晶有機光学材料を
成長させる、ストックバーガー法が知られている。この
概略を第8図に示したが、下端が閉じられた中空ガラス
ファイバー1内に光学材料融液12を入れ、これを加熱
ゾーン5から冷却ゾーン6へ移しながら、下端から順次
単結晶2を生成させる。図中には、この系で生じる各種
の力を示した(以下の図でも同様)。しかし、この方法
では、単結晶形成界面に十分な材料の補給が行われず、
空隙が多いという問題が生じる。As a method for manufacturing such optical materials, particularly organic materials, the Stockberger method is known, in which a low-molecular single-crystal organic optical material is grown inside a hollow fiber. The outline of this process is shown in FIG. 8. An optical material melt 12 is put into a hollow glass fiber 1 whose lower end is closed, and while it is transferred from a heating zone 5 to a cooling zone 6, a single crystal 2 is sequentially added from the lower end. Generate. The figure shows the various forces that occur in this system (the same applies to the following figures). However, with this method, sufficient material is not supplied to the single crystal forming interface.
A problem arises in that there are many voids.
このストックバーガー法の応用として、インバ一ティッ
ド・ストックバーガー法がある(Journalof
Crystal Growth 68 (1984)
651 〜655 ) .この方法は、第9図に概略回
示するように、ファイバー1内に有機単結晶2を形成す
るに際し、炉の高温部5と低温部6が通常のストックバ
ーガー法と逆の位置に設置されていることを特徴とする
ものであるが、この方法により、空隙(ボイド)のない
単結晶を得ることができるとしている。An application of this Stockburger method is the Inverted Stockburger method (Journalof
Crystal Growth 68 (1984)
651-655). In this method, as schematically illustrated in FIG. 9, when forming an organic single crystal 2 in a fiber 1, a high temperature section 5 and a low temperature section 6 of the furnace are placed in opposite positions to those of the normal Stockberger method. This method is characterized by the fact that it is possible to obtain a single crystal without voids.
しかしながら、このインパーティッド・ストックバーガ
ー法の第一の欠点は、安定に空隙のない単結晶を得るこ
とが実際上難しいことである。また、第2の欠点は、種
々の材料に対し、定まった力関係しか存在しないので、
各々の材料に合った力関係を与えて空隙のない単結晶を
得ることが難しいことである。特に、ファイバー1の上
端が閉じられているため、大気圧によっては内径が数1
0μm以下と極細のファイバー内に材料を完全に充填さ
れないとか、その閉管領域に種結晶を設置できないとい
った問題は、上記した欠点を助長している。However, the first drawback of this separated Stockberger method is that it is practically difficult to stably obtain a void-free single crystal. The second drawback is that only fixed force relationships exist for various materials.
It is difficult to obtain a void-free single crystal by applying a force relationship suitable for each material. In particular, since the upper end of the fiber 1 is closed, the inner diameter may vary by several orders of magnitude depending on the atmospheric pressure.
Problems such as not being able to completely fill the fibers, which are extremely thin (less than 0 μm) with material, and not being able to place seed crystals in the closed tube region, exacerbate the above-mentioned drawbacks.
ハ.発明の目的
本発明の目的は、空隙のない結晶が得られるように結晶
成長が可能で、しかも再現性良く容易に操作できる方法
及びその装置を提供することにある。C. OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus therefor which enable crystal growth to obtain crystals without voids, and which can be easily operated with good reproducibility.
二.発明の構成
即ち、本発明は、少なくとも一端が開口された中空体の
前記一端を結晶材料融液中に浸漬し、この結晶材料融液
に対して前記中空体の他端側へ移動させるような圧力を
作用させ、この状態で前記他端側から前記中空体中の前
記結晶材料融液を冷却する、結晶材料の製造方法に係る
ものである。two. The constitution of the invention, that is, the present invention is such that the one end of a hollow body with at least one end opened is immersed in a crystal material melt, and the hollow body is moved to the other end side with respect to the crystal material melt. The present invention relates to a method for producing a crystalline material, in which the melt of the crystalline material in the hollow body is cooled from the other end side while applying pressure.
また、本発明は、加熱ゾーンと、この加熱ゾーン内に配
置された結晶材料融液収容器と、冷却ゾーンと、少なく
とも一端が開口された中空体の前記一端を前記結晶材料
融液に浸漬する浸漬手段と、この浸漬状態で前記結晶材
料融液を前記中空体の他端側へ移動させるような圧力を
作用させる圧力作用手段と、前記中空体を前記他端側か
ら前記冷却ゾーンへ相対的に移動させる移動手段とを有
する、結晶材料の製造装置も提供するものである。The present invention also provides a heating zone, a crystalline material melt container disposed in the heating zone, a cooling zone, and immersing the one end of the hollow body with at least one end open in the crystalline material melt. immersing means; pressure applying means for applying pressure to move the crystal material melt toward the other end of the hollow body in the immersed state; The present invention also provides an apparatus for manufacturing a crystal material, which includes a moving means for moving the crystal material.
ホ.実施例 以下、本発明の実施例を説明する。Ho. Example Examples of the present invention will be described below.
第1図〜第4図は、本発明を非線形有機光学材料に適用
した実施例を示すものである。1 to 4 show examples in which the present invention is applied to nonlinear organic optical materials.
本実施例に用いる製造装置は、基本的には、単結晶化す
べき低分子有機光学材料を溶融させるための加熱炉20
と、存機光学材料融液を冷却して単結晶化するために加
熱炉20上に配置された上部炉21と、加熱炉20内に
配置されて有機光学材料融液22を収容するための融液
槽23と、この融液槽を支持すると共に融液22中に中
空ガラスファイバー1の下端が浸漬されるように同ファ
イバー1を貫通保持するためのファイバー支持部(若し
くは融液への浸漬手段)24を上板25に設けた固定の
加圧槽26と、この加圧槽26に対して加熱炉20及び
上部炉21を上下方向に移動させるための移動機構27
とによって構成されている。The manufacturing apparatus used in this example basically consists of a heating furnace 20 for melting a low-molecular organic optical material to be single-crystallized.
, an upper furnace 21 disposed above the heating furnace 20 to cool and single-crystallize the existing optical material melt, and an upper furnace 21 disposed within the heating furnace 20 for accommodating the organic optical material melt 22. The melt tank 23 and the fiber support part (or the fiber support part for supporting the melt tank and penetrating and holding the hollow glass fiber 1 so that the lower end of the hollow glass fiber 1 is immersed in the melt 22) Means) A fixed pressurizing tank 26 in which 24 is provided on the upper plate 25, and a moving mechanism 27 for vertically moving the heating furnace 20 and the upper furnace 21 with respect to the pressurizing tank 26.
It is composed of.
加熱炉20は、第4図のように、上部炉21とともに断
熱ねじ2って移動ステージ28に取り付けられ、同時に
移動する。移動ステージ28の移動はステンピングモー
タ30を駆動源とする送りねじ機構36により行われる
。モータ30はコンピュータコントロールされており、
移動ステージ28は0.1 mm/hr〜2000m/
hrの速度でステップ移動する。なお、各炉20、21
は、実際には輻射熱遮断材31を介して移動ステージ2
8にねし止めされており、これによって全体がガイド仮
部35で案内されながら支持台32上に上下動可能に取
り付けられることになる。As shown in FIG. 4, the heating furnace 20 and the upper furnace 21 are attached to a moving stage 28 using heat insulating screws 2, and are moved together. Movement of the moving stage 28 is performed by a feed screw mechanism 36 using a stamping motor 30 as a driving source. The motor 30 is computer controlled,
The moving stage 28 has a speed of 0.1 mm/hr to 2000 m/hr.
Move in steps at a speed of hr. In addition, each furnace 20, 21
Actually, the moving stage 2 is moved through the radiant heat shield 31.
8, and as a result, the entire structure is mounted on the support base 32 so as to be movable up and down while being guided by the temporary guide section 35.
試料設置部分である加圧槽26は例えばCu製であって
、支持台33上に支持アーム34を介して固定されてい
る(厳密には、試料セットのために移動はできる。)。The pressurized tank 26, which is a sample setting part, is made of Cu, for example, and is fixed on a support stand 33 via a support arm 34 (strictly speaking, it can be moved for sample setting).
そして、加熱炉20からの輻射熱により加熱され、材料
が溶融され、中空ファイバー1中に毛細管現象及び加圧
により融液22が充填される。なお、ファイバー1は、
試料設置部26からの熱伝導及び加熱炉20.からの輻
射熱により加熱される。この加圧槽26には、底部から
加圧バイプ37を介して不活性ガス38を導入し、試料
空間39を所定圧(例えば500 kg/cwt以下、
特に100kg/d以下、更には10〜100 kg/
c+Jがよい。)に加圧し、これによって融液22をフ
ァイバー1の上端開口にまで上昇させるようにしている
。第1図では、上板25はボルト43によって固定され
ているが、第4図では図示省略した。Then, the material is heated by radiant heat from the heating furnace 20 and melted, and the hollow fiber 1 is filled with the melt 22 by capillary action and pressurization. Note that fiber 1 is
Heat conduction from sample installation section 26 and heating furnace 20. Heated by radiant heat from. An inert gas 38 is introduced into the pressurized tank 26 from the bottom via a pressurizing pipe 37, and the sample space 39 is maintained at a predetermined pressure (for example, 500 kg/cwt or less,
Especially 100 kg/d or less, and even 10 to 100 kg/d.
c+J is good. ), thereby causing the melt 22 to rise to the upper end opening of the fiber 1. In FIG. 1, the upper plate 25 is fixed by bolts 43, but they are not shown in FIG. 4.
また、46は各熱電対を夫々示している。Further, 46 indicates each thermocouple.
加熱炉20は、第1図では、例えばCu製の円筒体40
の外周面に面加熱ヒータ41を取り付けて室温〜約25
0゜Cに加熱するように構成したが、第4図のように、
円筒体40の外周面にヒーター線42を巻回して加熱す
ることも可能である。ま1ユ
た、加熱炉20の上板部中央位置1は、炉の上下動時に
ファイバー1を挿通するための挿通孔44が設けられて
いる。In FIG. 1, the heating furnace 20 is, for example, a cylindrical body 40 made of Cu.
Attach a surface heater 41 to the outer peripheral surface of the
Although it was configured to be heated to 0°C, as shown in Figure 4,
It is also possible to heat the cylindrical body 40 by winding the heater wire 42 around its outer peripheral surface. Additionally, an insertion hole 44 is provided at the center 1 of the upper plate of the heating furnace 20 for inserting the fiber 1 when the furnace moves up and down.
加熱炉20による加熱ゾーン5の上方には、例えば0.
1〜3IIIII!、特に0.1〜II[lII1の微
少間隙45(実際にはここに断熱材を充填して上下方向
の温度勾配を形成する。)を置いて上部炉21が配置さ
れる。この炉21は、導入管47からのO〜70゜Cの
冷却水48を導出管49から排出することにより、冷却
され、熱電対46によって温度をモニターし、コントロ
ールされる。炉21の形状はドーナッツ型の円柱であっ
てよく、その内部は冷却ゾーン6となり、また中心部は
ファイバー1を挿通できる挿通孔50となっている。Above the heating zone 5 by the heating furnace 20, for example, 0.
1~3IIIIII! The upper furnace 21 is disposed with a micro gap 45 (actually, a heat insulating material is filled in this gap to form a temperature gradient in the vertical direction) of 0.1 to II[lII1]. The furnace 21 is cooled by discharging cooling water 48 at 0 to 70° C. from an inlet pipe 47 through an outlet pipe 49, and the temperature is monitored and controlled by a thermocouple 46. The shape of the furnace 21 may be a donut-shaped cylinder, the inside of which is a cooling zone 6, and the center thereof is an insertion hole 50 through which the fiber 1 can be inserted.
上記において適用可能な光学材料、特に光学的非線形性
を有する有機物質については、例えば「有機非線形光学
材料J (シー・エム・シー社.1985年刊) ,
’Nonlinear Optical Prope
rtiesof Organic Molecules
and Crystal Jvow. 1 . 2
(Academic Press Inc.1987
) , 日本化学会54年〜56年の年会予稿集等に
記載されている。好ましく用いられる光学的非線形性を
有する有機物質として、例えばニトロアニリン誘導体に
代表される電子吸引性基及び電子供与性基で置換された
ベンゼン、ナフタレン等の芳香環、ビリジン、ビリミジ
ン等の複素環、スチルベン、ビリジンーN−オキサイド
及び尿素を挙げることができる。Regarding optical materials applicable to the above, especially organic substances having optical nonlinearity, see, for example, "Organic Nonlinear Optical Materials J (CMC Co., Ltd., published in 1985),"
'Nonlinear Optical Prope
rtiesof Organic Molecules
and Crystal Jvow. 1. 2
(Academic Press Inc. 1987
), described in the proceedings of the 1954-1956 Annual Meetings of the Chemical Society of Japan. Preferably used organic substances having optical nonlinearity include aromatic rings such as benzene and naphthalene substituted with electron-withdrawing groups and electron-donating groups represented by nitroaniline derivatives, heterocycles such as pyridine and pyrimidine, Mention may be made of stilbene, pyridine-N-oxide and urea.
以下に、本発明で用いられる光学的非線形性を有する有
機物質の好ましい例を示す。Preferred examples of the organic substance having optical nonlinearity used in the present invention are shown below.
(以下余白)
Nα18
0I
上記において、単結晶性及び非線形光学効果を考えると
Nα10〜16の化合物が好ましく、さらに好ましいも
のは、No. 10、11、12、16の化合物である
。(The following is a blank space) Nα18 0I In the above, in consideration of single crystallinity and nonlinear optical effect, compounds with Nα10 to 16 are preferable, and more preferable are No. These are compounds No. 10, 11, 12, and 16.
上記した如き構成の装置を用いて、有機光学材料の単結
晶をファイバー1中の中空部に形成するのであるが、そ
の操作方法を次に説明する。A single crystal of an organic optical material is formed in the hollow part of the fiber 1 using the apparatus having the above-mentioned configuration.The operation method will be explained below.
即ち、加熱炉20による加熱温度は、光学材料の融点又
はそれ以上とし、融液22を十二分に形成するものとす
る。そして、この融液22中に内径数ioom以下のフ
ァイバー1の下端開口51を浸漬すると同時に、非酸化
性のガス、例えば不活性ガス38を送り込んで空間39
の圧力を高め、これによって融液22を加圧し、ファイ
バー1の中空部を通してその上端間口52にまで上昇さ
せ、ファイバー上端まで完全に充填させる(第3図参照
)。この加圧によって、融液22の単結晶化時に単結晶
中に空泡等は生じることはない。また、成長する単結晶
に歪みが生じないように加圧する。That is, the heating temperature in the heating furnace 20 is set to the melting point of the optical material or higher, and the melt 22 is sufficiently formed. Then, the lower end opening 51 of the fiber 1 having an inner diameter of several ioom or less is immersed in this melt 22, and at the same time, a non-oxidizing gas, for example, an inert gas 38, is fed into the space 39.
The pressure of the melt 22 is increased, thereby forcing the melt 22 to rise through the hollow part of the fiber 1 to its upper end opening 52, completely filling the upper end of the fiber (see FIG. 3). Due to this pressurization, no air bubbles or the like are generated in the single crystal when the melt 22 is single crystallized. Further, pressure is applied so that the growing single crystal is not distorted.
ファイバー1の上端開口52には、予め種結晶53を配
しておき、単結晶化2を容易化している。この種結晶5
3が存在していても、上述した加圧による効果は十分発
揮され、かつ単結晶化を確実に行なえる。A seed crystal 53 is placed in advance in the upper end opening 52 of the fiber 1 to facilitate single crystallization 2. This seed crystal 5
Even if 3 is present, the effect of the above-mentioned pressurization can be sufficiently exhibited and single crystallization can be performed reliably.
この単結晶化は、第1図の状態から、第2図のように炉
20及び21を徐々に下降させてファイバー1を上端か
ら加熱ゾーン5より冷却ゾーン6へ移すことによって実
現される。This single crystallization is achieved by gradually lowering the furnaces 20 and 21 from the state shown in FIG. 1 as shown in FIG. 2 to move the fiber 1 from the upper end from the heating zone 5 to the cooling zone 6.
以上のように、本例による方法及び装置は、2ゾーンの
いわばハイブレス型・インパーティ・ンド・ストックバ
ーガ一方式であり、次のような優れた利点を有している
。As described above, the method and apparatus according to the present example is a two-zone, so-called high breath type, independent and stock burger type, and has the following excellent advantages.
(1).毛細管現象に加えて、空間39を加圧して融液
22がファイバー1の上端方向へ上昇させるようにしな
がら操作しているので、ファイバー1内には融液22が
十二分に充填され、冷却による単結晶化に伴う体積収縮
が生じても、これを埋めるように(即ち、融液を補充す
るように)上記圧力が作用することになる(第3図にお
いて、Fい+F P > F w + F oとなる)
。この結果、得られた単結晶中には空隙(ボイド)が生
じることはなく、高性能の光学材料を再現性良く作製す
ることができる。このことは、ファイバー1の上端が開
口されている(実際には種結晶あり)ために、一層確実
となる。仮に、ファイバー1の下端側に上記圧力を作用
させるのではなく、上端側にも同様の圧力を作用させる
(即ち、空間39を設けずに加熱ゾーン5全体を加圧し
たり、或いは単に大気圧下に置《)と、ファイバーの両
端から圧力が加わるために融液の上昇力が弱くてボイド
を防ぐことができず、また単結晶性も悪くなることがあ
る。(1). In addition to the capillary phenomenon, the operation is performed while pressurizing the space 39 to cause the melt 22 to rise toward the upper end of the fiber 1, so that the fiber 1 is sufficiently filled with the melt 22 and cooled. Even if volume contraction occurs due to single crystallization due to +F o)
. As a result, no voids are generated in the obtained single crystal, and a high-performance optical material can be produced with good reproducibility. This becomes even more certain because the upper end of the fiber 1 is open (in fact, there is a seed crystal). Instead of applying the above pressure to the lower end of the fiber 1, it would be possible to apply the same pressure to the upper end of the fiber 1 (i.e., pressurize the entire heating zone 5 without providing the space 39, or simply pressurize the heating zone 5 under atmospheric pressure). If the fiber is placed at <<), pressure is applied from both ends of the fiber, so the upward force of the melt is weak, making it impossible to prevent voids, and the single crystallinity may also deteriorate.
(2).また、開口されたファイバー上端には、上記の
ように種結晶53を配しておけるので、そこからの単結
晶化が容易に生じる。しかも、上端から単結晶化を進行
させ得るので、単結晶領域のレベルを設定し易い。(2). Furthermore, since the seed crystal 53 can be placed at the upper end of the opened fiber as described above, single crystallization can easily occur from there. Furthermore, since single crystallization can proceed from the upper end, it is easy to set the level of the single crystal region.
(3).更に、炉20及び21を徐々に下降させてファ
イバー1中の融液をその上端から単結晶化しているので
、所望の温度勾配を形成しながら確実に単結晶化を実現
できる。特に、ファイバー1は極細の内径とこれに比べ
て肉厚の壁部とを有しているため、その壁部の保温効果
に加えて炉20−21間の間隙45(比較的広い0.1
〜3nun)の存在によって、炉の下降速度が大きすぎ
ると所望の温度勾配をファイバー長さ方向に形成し難く
なり、単結晶の結晶性が悪くなったり、或いは上端とは
別の箇所で結晶化が生じて純度又は結晶性不十分な単結
晶となり易い。(3). Further, since the furnaces 20 and 21 are gradually lowered to monocrystallize the melt in the fiber 1 from its upper end, single crystallization can be reliably achieved while forming a desired temperature gradient. In particular, since the fiber 1 has an extremely thin inner diameter and a wall that is thicker than this, in addition to the heat retention effect of the wall, the gap 45 between the furnaces 20 and 21 (relatively wide 0.1
~3n), if the descending speed of the furnace is too high, it will be difficult to form the desired temperature gradient in the fiber length direction, resulting in poor crystallinity of the single crystal, or crystallization at a location other than the upper end. This tends to result in a single crystal with insufficient purity or crystallinity.
しかし、炉の下降速度は上述したステッピングモータ3
0によって高精度にコントロールできる(特に0 .
1 〜10 mm / h r )ので、上記温度勾配
を急にし、常に良好な結晶性の単結晶を得ることができ
る。However, the descending speed of the furnace is controlled by the stepping motor 3 mentioned above.
0 can be controlled with high precision (especially 0.
1 to 10 mm/hr), the temperature gradient described above can be made steep and a single crystal with good crystallinity can always be obtained.
第5図は、別の製造装置を示すものである。この装置は
、第1図のものとは異なって、上部炉21を有しておら
ず、加熱炉20上は単に空間からなる冷却ゾーン6とな
っている。その他は、第1図のものと同様である。FIG. 5 shows another manufacturing apparatus. This apparatus differs from the one shown in FIG. 1 in that it does not have an upper furnace 21, and above the heating furnace 20 is simply a cooling zone 6 consisting of space. The other parts are the same as those in FIG.
第6図は、ファイバー1及び炉26を回転式にして上下
動可能にした装置を示すものである。FIG. 6 shows an apparatus in which the fiber 1 and the furnace 26 are rotatable so that they can be moved up and down.
この方式は、中空ファイバー1のコア周辺部分にカップ
リング剤を使用したファイバーを利用した場合や、有機
非線形光学材料に不純物が多く含んでいる場合に特に有
効で、目的とする有機非線形光学材料とその他の物質を
回転により別け、良好な単結晶を得る。This method is particularly effective when using a fiber that uses a coupling agent around the core of the hollow fiber 1 or when the organic nonlinear optical material contains many impurities. Other substances are separated by rotation to obtain a good single crystal.
この装置は、上述した例と同様に、加圧槽26に非酸化
性ガスを送って目的の圧力とした後、接続バイブ37′
を取外せるようにしたものである。Similar to the above-mentioned example, this device sends non-oxidizing gas to the pressurized tank 26 to achieve the desired pressure, and then connects the connecting vibrator 37'.
It is made to be removable.
加圧槽26は、高速回転ステージ60上に置かれ、公知
の回転ステージ機構61により100〜1000r.p
.m.の回転数で水平回転される。その他の部分は第1
図のものと同様である。The pressurized tank 26 is placed on a high-speed rotation stage 60 and rotated at 100 to 1000 rpm by a known rotation stage mechanism 61. p
.. m. horizontally rotated at a rotation speed of Other parts are first
It is similar to the one shown in the figure.
次に、具体的な例について、本実施例を更に詳細に説明
する。Next, this embodiment will be described in more detail with regard to a specific example.
l体■土
低分子有機材料としてバニリンを用いた。そして、第1
図のごとく、上部炉21、下部炉20を設けた装置にお
いて、上部炉21の温度を20゜Cとし、下部炉20の
温度を(83゜C)とした。Vanillin was used as a low molecular weight organic material. And the first
As shown in the figure, in an apparatus provided with an upper furnace 21 and a lower furnace 20, the temperature of the upper furnace 21 was set to 20°C, and the temperature of the lower furnace 20 was set to (83°C).
両端開口の中空ファイバー1の下端を原料融液槽23の
中に入れ、毛細管現象と極わずかな加圧により、融液2
2を中空ファイバー1中に満たした。この時、融液状態
を保つために、中空ファイバー1は下部炉20によって
熱した。なお、中空ファイバー1の先端に、バニリンの
種結晶53を置き、体熱性エボキシ樹脂等でカバーした
(図示省略)。The lower end of the hollow fiber 1, which is open at both ends, is put into the raw material melt tank 23, and the melt 2 is heated by capillary action and extremely slight pressure.
2 was filled into the hollow fiber 1. At this time, the hollow fiber 1 was heated by the lower furnace 20 in order to maintain the molten state. Incidentally, a vanillin seed crystal 53 was placed at the tip of the hollow fiber 1, and covered with a body-thermal epoxy resin or the like (not shown).
加圧槽26内は40kg/cdのArガスにより加圧し
、種結晶53を除いた中空ファイバー1全体を下部炉2
0にセットし、次に上部炉21を下部炉20と0.5
+11111のところまで引き下げた。このとき、0.
5 11111厚のセラミック系断熱材を両炉間に配し
た。The inside of the pressurized tank 26 is pressurized with 40 kg/cd Ar gas, and the entire hollow fiber 1 except for the seed crystal 53 is transferred to the lower furnace 2.
0, then set the upper furnace 21 to the lower furnace 20 and 0.5
The price was lowered to +11,111. At this time, 0.
A ceramic heat insulating material with a thickness of 5.11111 mm was placed between both furnaces.
次に、炉全体を1.0 s/hrの速度で引き下げ、中
空ファイバー1中に結晶を得た。Next, the entire furnace was lowered at a rate of 1.0 s/hr to obtain crystals in the hollow fiber 1.
且体■又
低分子有機材料として、P−アミノ安患香酸エチルを用
いた。具体例1と同じ装置にて、上部炉21の温度を3
0″Cとし、下部炉20の温度を90゜Cとした。Furthermore, ethyl P-aminobenzoate was used as a low molecular weight organic material. Using the same equipment as in Example 1, the temperature of the upper furnace 21 was set to 3.
The temperature of the lower furnace 20 was 90°C.
一端(下端)のみ開口し、他方(上端)が閉口になって
いる中空ファイバーに原料融液を充填し、充填した状態
で、原料融液槽23に、閉口側を上にしてセットした。A hollow fiber having one end (lower end) open and the other end (upper end) closed was filled with a raw material melt, and in the filled state was set in the raw material melt tank 23 with the closed end facing upward.
中空ファイバー1全体を下部炉20内にセ・ントし、A
rガス38によって100 kg/Clllに加圧した
。Place the entire hollow fiber 1 into the lower furnace 20, and
It was pressurized to 100 kg/Clll with r gas 38.
炉全体を0.5mm/hrの速度で引き下げ、中空ファ
イバー1中に結晶を得た。The entire furnace was lowered at a rate of 0.5 mm/hr to obtain crystals in the hollow fiber 1.
l止例ユ
低分子有機材料として、p−ヒドロキシ安息香酸メチル
を用いた。Example 1 Methyl p-hydroxybenzoate was used as a low molecular weight organic material.
炉は第5図に示す如く1つであり、この炉の温度をp−
ヒドロキシ安息香酸メチルの融点と同じ(132゜C)
とした。There is one furnace as shown in Figure 5, and the temperature of this furnace is set to p-
Same melting point as methyl hydroxybenzoate (132°C)
And so.
中空ファイバー1に原料融液22を具体例1と同じ方法
で充填し、先端に種結晶を置いた。種結晶部分を除いた
中空ファイバー1全体を炉内にセットし、Arガス38
にて20kg/cdに加圧し、速度5s/hrで炉全体
を引き下げた。そして、中空ファイバー1中に結晶を得
た。The hollow fiber 1 was filled with the raw material melt 22 in the same manner as in Example 1, and a seed crystal was placed at the tip. The entire hollow fiber 1 except for the seed crystal part is set in the furnace, and Ar gas 38
The furnace was pressurized to 20 kg/cd and the entire furnace was lowered at a speed of 5 s/hr. Then, crystals were obtained in the hollow fiber 1.
比較例1、2、3として夫々、具体例1、2、3でAr
ガスによる加圧をしない方法で、中空ファイバー内に結
晶を得た。Comparative Examples 1, 2, and 3 are Ar
Crystals were obtained within the hollow fiber using a method that did not use gas pressure.
なお、上記の各例に用いた中空ファイバーは内径7μm
1外径1胴であり、長さ50闘であった。The hollow fiber used in each of the above examples had an inner diameter of 7 μm.
It had an outer diameter of 1 barrel and a length of 50 mm.
また、具体例2及びそれに対応する比較例2で用いた中
空ファイバーは内径7μm、外径]. mlnの部分が
長さ40薗であり、一端(上端)側のみ、ある傾斜をも
って内径7μmが徐々に閉じられており、ファイバー全
体の長さは50mmであった。Further, the hollow fibers used in Specific Example 2 and Comparative Example 2 corresponding thereto had an inner diameter of 7 μm and an outer diameter]. The length of the mln portion was 40 mm, and the inner diameter of 7 μm was gradually closed at one end (upper end) side with a certain slope, and the entire length of the fiber was 50 mm.
以上の各例で得られた中空ファイバー内の結晶の評価結
果を下記表に示す。評価方法は、中空ファイバーの中央
付近30aunに対して行った。評価内容は、偏向顕微
鏡を用いて消光を調べて単結晶性を調べ、顕微鏡(X2
00 >を用いて空隙の数を調べた。The evaluation results of the crystals within the hollow fibers obtained in each of the above examples are shown in the table below. The evaluation method was performed on 30 aun near the center of the hollow fiber. The evaluation consisted of examining extinction using a polarizing microscope to examine single crystallinity, and using a microscope (X2
00> was used to check the number of voids.
この結果から、本発明に基づいて操作することによって
、空隙のない単結晶性に優れた結晶が得られることが明
らかである。From this result, it is clear that by operating according to the present invention, a void-free crystal with excellent single crystallinity can be obtained.
以上、本発明を例示したが、上述した例は本発明の技術
的思想に基づいて更に変形が可能である。Although the present invention has been illustrated above, the above-described examples can be further modified based on the technical idea of the present invention.
例えば、上述したファイバー1の材質や形状等は種々変
更してよく、中空体としてファイバー以外にもアンプル
形状等も可能である。また、光学材料の種類も種々のも
のが選択できる。その他、加圧槽や、加熱炉、上部炉等
の形状、構造も様々に変形してよく、用いる加圧媒体、
冷却媒体も様々に採用してよい。For example, the material, shape, etc. of the fiber 1 described above may be changed in various ways, and the hollow body may be in the shape of an ampoule or the like in addition to the fiber. Furthermore, various kinds of optical materials can be selected. In addition, the shape and structure of the pressurized tank, heating furnace, upper furnace, etc. may be modified in various ways, and the pressurizing medium used,
Various cooling media may also be employed.
また、上述した例とは逆に、試料側(実際には加圧槽全
体)を上下動させ、炉は固定するようにして、単結晶を
成長させることもできる。また、上述の例では、加圧槽
によってファイバーの下端にある融液を加圧したが、逆
にファイバー上端側の空間(加熱ゾーン内)を減圧、具
体的には真空ボンブで吸引しても、融液をファイバー中
で上昇させて上端にまで充填することができる。この場
合も、加圧の場合と同様に、成長する単結晶に歪みを与
えることのないようにすることが必要である。Moreover, contrary to the above-mentioned example, it is also possible to grow a single crystal by moving the sample side (actually, the entire pressurized tank) up and down while keeping the furnace fixed. In addition, in the above example, the melt at the lower end of the fiber was pressurized by the pressure tank, but it is also possible to reduce the pressure in the space at the upper end of the fiber (inside the heating zone), specifically by suctioning it with a vacuum bomb. , the melt can rise in the fiber and fill it to the top. In this case, as in the case of pressurization, it is necessary to avoid straining the growing single crystal.
なお、本発明は上述したような非線形光学材料のみなら
ず、他の用途にも使用可能な結晶材料やデバイスにも適
用可能である。Note that the present invention is applicable not only to nonlinear optical materials as described above, but also to crystalline materials and devices that can be used for other purposes.
へ9発明の作用効果
本発明は上述したように、融液を中空体の他端側(結晶
成長側)へ移動させるように圧力を作用させているので
、中空体内には融液が十二分に充填され、冷却による単
結晶化に伴う体積収縮が生じても、これを埋めるように
(即ち、融液を補充するように)上記圧力が作用するこ
とになる。この結果、得られた結晶中には空隙(ボイド
)が生じることはなく、高性能の結晶材料を再現性良く
作製することができる。9. Effects of the Invention As described above, in the present invention, pressure is applied to move the melt to the other end side (crystal growth side) of the hollow body. Even if volume shrinkage occurs due to single crystallization due to cooling, the above-mentioned pressure acts to fill the volume (that is, to replenish the melt). As a result, no voids are generated in the obtained crystal, and a high-performance crystal material can be produced with good reproducibility.
また、中空体の他端側には種結晶を配しておけるので、
そこからの結晶化が容易に生じ、かつ上記他端側から冷
却ゾーンへ移動させることによりその他端側で所望の温
度勾配を形成しながら確実に結晶化を実現できる。Also, since a seed crystal can be placed on the other end of the hollow body,
Crystallization easily occurs from there, and by moving from the other end to the cooling zone, crystallization can be reliably achieved while forming a desired temperature gradient at the other end.
第1図〜第6図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図は非線形有機光学材料の単結晶を製造する装置の
断面斜視図、
第2図は同装置において炉を引き下げた状態の断面図、
゛第3図は中空ファイバー付近の力の作用状況を示す概
略断面図、
第4図は同装置の駆動系を含めた全体の概略一部断面正
面図、
第5図、第6図は他の例による製造装置の断面斜視図又
は断面図
である。
第7図〜第9図は従来例を示すものであって、第7図は
波長変換デバイスの概略斜視図、第8図、第9図は非線
形光学材料の単結晶の製造方法を示す各概略断面図
である。
なお、図面に示す符号において、
1・・・・・・・・・中空ファイバー
2・・・・・・・・・単結晶
5・・・・・・・・・加熱ゾーン
6・・・・・・・・・冷却ゾーン
12、22・・・・・・・・・融液
20・・・・・・・・・加熱炉
21・・・・・・・・・上部炉
23・・・・・・・・・融液槽
24・・・・・・・・・ファイバー支持部、26・・・
・・・・・・加圧槽
28・・・・・・・・・移動ステージ
29・・・・・・・・・断熱ねじ
30・・・・・・・・・ステッピングモータ38・・・
・・・・・・Ar(加圧)ガス39・・・・・・・・・
加圧空間
4L 42・・・・・・・・・ヒーター44、50・・
・・・・・・・挿通孔
45・・・・・・・・・間隙
48・・・・・・・・・冷却水
51、52・・・・・・・・・開口
53・・・・・・・・・種結晶
である。1 to 6 show embodiments of the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of an apparatus for manufacturing a single crystal of a nonlinear organic optical material, and FIG. Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing the state of force acting near the hollow fiber, Figure 4 is a schematic partial cross-sectional front view of the entire device including the drive system, Figure 5 FIG. 6 is a cross-sectional perspective view or sectional view of a manufacturing apparatus according to another example. 7 to 9 show conventional examples, in which FIG. 7 is a schematic perspective view of a wavelength conversion device, and FIGS. 8 and 9 are schematic diagrams showing a method for manufacturing a single crystal of a nonlinear optical material. FIG. In addition, in the symbols shown in the drawings, 1...Hollow fiber 2...Single crystal 5...Heating zone 6... ......Cooling zones 12, 22...Melt 20...Heating furnace 21...Upper furnace 23... ...Melt tank 24...Fiber support section, 26...
..... Pressurized tank 28 ..... Movement stage 29 ..... Insulation screw 30 ..... Stepping motor 38 ...
...Ar (pressurized) gas 39...
Pressurized space 4L 42... Heater 44, 50...
......Through hole 45...Gap 48...Cooling water 51, 52...Opening 53... ...It is a seed crystal.
Claims (1)
晶材料融液中に浸漬し、この結晶材料融液に対して前記
中空体の他端側へ移動させるような圧力を作用させ、こ
の状態で前記他端側から前記中空体中の前記結晶材料融
液を冷却する、結晶材料の製造方法。 2、加熱ゾーンと、この加熱ゾーン内に配置された結晶
材料融液収容器と、冷却ゾーンと、少なくとも一端が開
口された中空体の前記一端を前記結晶材料融液に浸漬す
る浸漬手段と、この浸漬状態で前記結晶材料融液を前記
中空体の他端側へ移動させるような圧力を作用させる圧
力作用手段と、前記中空体を前記他端側から前記冷却ゾ
ーンへ相対的に移動させる移動手段とを有する、結晶材
料の製造装置。[Claims] 1. The one end of a hollow body with at least one end open is immersed in a crystal material melt, and the pressure is applied to move the crystal material melt toward the other end of the hollow body. A method for producing a crystal material, wherein the crystal material melt in the hollow body is cooled from the other end side in this state. 2. a heating zone, a crystalline material melt container disposed within the heating zone, a cooling zone, and an immersion means for immersing the one end of the hollow body having at least one open end in the crystalline material melt; Pressure applying means for applying pressure to move the crystal material melt toward the other end of the hollow body in this immersed state; and a pressure applying means for relatively moving the hollow body from the other end to the cooling zone. An apparatus for manufacturing a crystal material, comprising means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1059191A JPH02239182A (en) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Method and apparatus for producing crystal material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1059191A JPH02239182A (en) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Method and apparatus for producing crystal material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02239182A true JPH02239182A (en) | 1990-09-21 |
Family
ID=13106279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1059191A Pending JPH02239182A (en) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Method and apparatus for producing crystal material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02239182A (en) |
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JPS5819019U (en) * | 1981-07-30 | 1983-02-05 | ツルガスパンクリ−ト株式会社 | Cavity PC concrete panel |
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1989
- 1989-03-10 JP JP1059191A patent/JPH02239182A/en active Pending
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