JPH02239168A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH02239168A JPH02239168A JP1057821A JP5782189A JPH02239168A JP H02239168 A JPH02239168 A JP H02239168A JP 1057821 A JP1057821 A JP 1057821A JP 5782189 A JP5782189 A JP 5782189A JP H02239168 A JPH02239168 A JP H02239168A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C11/005—Multi-cellular glass ; Porous or hollow glass or glass particles obtained by leaching after a phase separation step
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- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１１五二五月±ヱ
本発明はエレクトロニクス回路用のガラス−セラミック
ス基板に関するものであり、特にムライトーガラス複合
体基板の誘電率を低下させる方法に関する． 従迷！リ１酉 エレクトロニクス回路の基板材料としては、アルミナ、
フォルステライト、ステアタイト、コージエライト、ム
ライト、ジルコンなどのセラミック材料が古くから利用
されてきた．特にアルミナは、優れた絶縁性、耐食性、
機械的強度等を有しており、代表的なＩＣ用基板材料と
して広く使用されている．しかし、アルミナの問題点の
一つは、焼結温度が１５００〜１７００℃と高温である
ため焼結に多量のエネルギーを必要とし、又多層回路な
どでは導体材料としてタングステンやモリブデンなど比
較的抵抗率の大きい材料を用いて還元雰囲気中で焼結し
なくてはならず、融点の低い金や銀、銅など導電性の優
れた導体と同時焼結ができない．このため、低軟化点の
ガラスを用いて焼結温度を１０００℃付近にまで低下さ
せたアルミナーガラス系複合体、結晶化ガラス、又非ガ
ラス系の低温焼結セラミックス材料としてＢａ Ｏ−Ｓ
ｎ ０２ −Ｂ２０３系、Ｂａ Ｏ−Ｚｒ ０２ −Ｂ
２ ０３系などの新しい材料の研究が進められている． 一方、基板の誘電率は回路の信号の伝播速度に大きく影
響するが、近年コンピュータシステムの高遠化に伴い、
アルミナの高い誘電率（ε押１０）が信号の大きな伝播
遅延の原因となっており、この遅れをできるだけ減らす
ため、アルミナに代わる低誘電率の基板材料が求められ
ている。
ス基板に関するものであり、特にムライトーガラス複合
体基板の誘電率を低下させる方法に関する． 従迷！リ１酉 エレクトロニクス回路の基板材料としては、アルミナ、
フォルステライト、ステアタイト、コージエライト、ム
ライト、ジルコンなどのセラミック材料が古くから利用
されてきた．特にアルミナは、優れた絶縁性、耐食性、
機械的強度等を有しており、代表的なＩＣ用基板材料と
して広く使用されている．しかし、アルミナの問題点の
一つは、焼結温度が１５００〜１７００℃と高温である
ため焼結に多量のエネルギーを必要とし、又多層回路な
どでは導体材料としてタングステンやモリブデンなど比
較的抵抗率の大きい材料を用いて還元雰囲気中で焼結し
なくてはならず、融点の低い金や銀、銅など導電性の優
れた導体と同時焼結ができない．このため、低軟化点の
ガラスを用いて焼結温度を１０００℃付近にまで低下さ
せたアルミナーガラス系複合体、結晶化ガラス、又非ガ
ラス系の低温焼結セラミックス材料としてＢａ Ｏ−Ｓ
ｎ ０２ −Ｂ２０３系、Ｂａ Ｏ−Ｚｒ ０２ −Ｂ
２ ０３系などの新しい材料の研究が進められている． 一方、基板の誘電率は回路の信号の伝播速度に大きく影
響するが、近年コンピュータシステムの高遠化に伴い、
アルミナの高い誘電率（ε押１０）が信号の大きな伝播
遅延の原因となっており、この遅れをできるだけ減らす
ため、アルミナに代わる低誘電率の基板材料が求められ
ている。
アルミナのもう一つの問題点として、熱膨張係数が７．
５ｘ１０４／”Ｃと大きく、シリコンの３．５×１０’
／’Ｃと比べて差があるため、シリコンチッグを直接実
装するのが困難なことである．これらの問題点を克服す
るため、最近ムライトーガラス複合材料が注目されてい
る．ムライトは？電率が７．０〜８．０程度であり、ア
ルミナに匹敞する機械的強度のものも得られている．又
熱膨張係数も４■０〜４．５Ｘ １（１−６／’Ｃと、
シリコンに近い．しかしやはり焼結温度が１６５０〜１
７５０℃と高温であるため、硼珪酸ガラスを用いて焼結
温度を低下させた基板材料が知られており、例えば特開
昭６０−２４０１３５号公報には、硼珪酸ガラスとアル
ミナとムライトの焼結体である多層基板が開示されてい
る．又特開昭６３−１０７０９５号公報には、ムライト
５〜７５重量％、硼珪酸ガラス２５〜９５重量％、及び
石英ガラス０〜７０重量％からなるガラス−セラミック
ス焼結体を使用した多層回路基板が記載されており、比
誘電率４．６、熱膨張係数３ｘ１０−６／”Ｃ程度の値
が得られている．しかしながら誘電率がまだ高く、充分
に満足できるものではない． が ゛ しようと る 題 本発明は、従来知られているムライ１・−ガラス系焼結
体基板を特殊な方法で多孔質化することにより、一層の
低誘電率化を図ることを目的とするものである。
５ｘ１０４／”Ｃと大きく、シリコンの３．５×１０’
／’Ｃと比べて差があるため、シリコンチッグを直接実
装するのが困難なことである．これらの問題点を克服す
るため、最近ムライトーガラス複合材料が注目されてい
る．ムライトは？電率が７．０〜８．０程度であり、ア
ルミナに匹敞する機械的強度のものも得られている．又
熱膨張係数も４■０〜４．５Ｘ １（１−６／’Ｃと、
シリコンに近い．しかしやはり焼結温度が１６５０〜１
７５０℃と高温であるため、硼珪酸ガラスを用いて焼結
温度を低下させた基板材料が知られており、例えば特開
昭６０−２４０１３５号公報には、硼珪酸ガラスとアル
ミナとムライトの焼結体である多層基板が開示されてい
る．又特開昭６３−１０７０９５号公報には、ムライト
５〜７５重量％、硼珪酸ガラス２５〜９５重量％、及び
石英ガラス０〜７０重量％からなるガラス−セラミック
ス焼結体を使用した多層回路基板が記載されており、比
誘電率４．６、熱膨張係数３ｘ１０−６／”Ｃ程度の値
が得られている．しかしながら誘電率がまだ高く、充分
に満足できるものではない． が ゛ しようと る 題 本発明は、従来知られているムライ１・−ガラス系焼結
体基板を特殊な方法で多孔質化することにより、一層の
低誘電率化を図ることを目的とするものである。
ー を ゞ るための
本発明は、（ａ）ムライト粉末と、（ｂ）熱処理により
分相を起こす硼珪酸ガラス粉末との混合物からなるグリ
ーンシートを焼結させた後、ガラスが分相を起こす温度
で熱処理してガラスを分相させ、次いで酸処理又は熱水
処理することにより可溶性成分を溶出させて多孔質体と
することを特徴とする、低誘電率ガラス−セラミックス
回路基板の製造方法である。
分相を起こす硼珪酸ガラス粉末との混合物からなるグリ
ーンシートを焼結させた後、ガラスが分相を起こす温度
で熱処理してガラスを分相させ、次いで酸処理又は熱水
処理することにより可溶性成分を溶出させて多孔質体と
することを特徴とする、低誘電率ガラス−セラミックス
回路基板の製造方法である。
熱処理により分相を起こす硼珪酸ガラスとしては、例え
ば重量でＳｉＯ２３０〜８０％、８２ ０３ ８〜５０
％、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物か
らなる群より選ばれた１種又は２種以上の酸化物２〜２
５％、ＡＩ２０３０〜２５％からなる組成を有するガラ
スがあげられる．代表的なアルカリ金属酸化物及びアル
カリ土類金属酸化物は、Ｌ１２０、Ｎａ２０、Ｋ２ ０
，ｃａ ｏ．ＭＱ Ｏなどである． 分相のための熱処理温度は、ガラスの組成によって異な
るが、例えば上記組成のガラスではおよそ６００〜８０
０℃程度の温度が好ましい．分離した相のうち、酸又は
熱水に可溶な成分を含む相、即ちＢ２０３やアルカリ金
属酸化物を多く含有する相を、酸又は熱水に浸漬するこ
とにより溶出させる．酸としては塩酸、硝酸、硫酸など
が使用される． 分相、溶出処理後の焼結体の気孔率は、１０体積％以下
となるようにするのが望ましい．これは、１０体積％を
越えると機械的強度が低下する傾向があるためである．
特に気孔率５〜１０体積％の範囲が効果的である． 又、ムライトとガラスの比率は重量比で２０：８０〜８
０：２０程度が実用的である． １月 本発明は、ムライトと硼珪酸ガラスの混合物をまず焼結
させ、更に硼珪酸ガラスが熱処理によってＷＩ＃！ｉガ
ラス成分と珪酸ガラス成分とに相分・離する性質を利用
して、硼酸成分を溶出させて多孔質化することを特徴と
する． 硼珪酸ガラスが、熱処理によって硼酸ガラス成分と珪酸
ガラス成分とに相分離することは公知であり、例えば米
国特許第２１０６７４４号明細書及び同第２２ｉ５０３
９号明細書には、Ｒ２０−８２ ０Ｓ−Ｓｉ ０２ガラ
ス《但しＲはＬｌ、Ｎａ、Ｋの少なくとも１種》を熱処
理して可溶性相と難溶性相の２相に分離させ、一方の相
を溶出させて、微細な気孔を形成することが記載されて
いる．このような分相を起こすガラスは種々知られてお
り、硼珪酸系では他に特公昭６２−２５６１８号公報の
Ｃａ Ｏ−Ｂ２ ０３ −Ｓｉ ０２ −ＡＩ ２ ０
３ガラスや特公昭６３−６６７７７号公報のＮａ２０−
Ｃａ Ｏ−Ｂ２ ０３ −Ｓｉ ０２ −ＡＩ ２ ０
３ガラスなどがある．しかしながらムライトーガラス複
合体を熱処理して分相させ、多孔質体とすることは全く
知られていない． 本発明者等は、ムライトーガラス複合体に上記の方法で
気孔を設けることにより、機械的強度、絶縁特性等基板
としての特性を劣化させることなく、誘電率を低下させ
ることに成功したものである． 即ちムライトーガラス焼結体を熱処理し、ガラス成分を
分相させた後、焼結体を酸に浸漬するか又は熱水に浸漬
することにより、可溶性成分であるＢ２０３を多く含む
相、例えばＢ２０３−アルカリ金属酸化物又はアルカリ
土類金属酸化物相が溶出し、基板全体に均一に微細な気
孔が形成されて多孔質化する．この多孔質化処理により
誘電率が低下するのは、誘電率の低い空気との複合誘電
体となるためと考えられる．従って又、気孔率を制御す
ることによって誘電率を変化させることができる．即ち
、例えば後述する実施例及び第３図に示されるように、
気孔率の比誘電率との間には相関関係があり、気孔率が
大きいほど誘電率が低下する． ガラスの分相のしかたには、熱処理温度の違いにより、
単一相中に最初に生じた微小な組成変動が分相を助長し
、拡散支配により進行するスビノーダル分解機構と、単
一相中に生じた組成変動のうちある限界値以上の組成変
動のみが安定に残つて核となり、その成長によって分相
が進行するパイノーダル分解機構（又は核生成一成長機
構）とがあるが、前者の分相が連続な絡みあった梢遣を
持つため、基板内部の可溶性成分まで溶出することがで
きるのに対して、後者は分離相が独立した球状の形で多
層のマトリックス中に分散した形態をとるので、基板内
部の分離相は酸処理等によって溶解しに＜＜、誘電率を
低下させる効果が減少する．従って分相処理は、なるべ
くスビノーダル領域の温度内で行うのが望ましい． 尚、気孔率と誘電率の関係は、下記に示す複合体の誘電
率に適用した複合材料の物理定数に関するＬ ｉｃｈｔ
ｎｅｃｋｅｒの式（スビノーダル領域）やＭａＸ−ｍｅ
ｌｔの式（パイノーダル領域）などの近似式から算出さ
れる理論値とよく一致する． （１−Ｖｄ） Ｖｄ ｃ ｒａ ’ｄ − − ｔ， ｉｃｆｉｔｒ＋ｅｃｋｅｒの式ε ＝ε
｛ε ÷２ε −２Ｖ （ε 一εｄ）｝ｃｉｄｉ
ｄ ｌ ／ ｛ ε ＋２ε ＋ Ｖ 《 ε
− ε ｄ ）｝ｄ ｌ ｄ Ｉ１ Ｍａｘｗｅｌｌの式 但しε。は複合材料の誘電率 ε はマトリックスの誘電率 ■ ε。は分散相の誘電率 ■，は分散相の体積含有率 本発明の別の利点は、基板焼結後に多孔質化させるので
、焼結そのものは十分緻密に行うことが可能であり、強
度も大きく、組成も均一になることである．又分相は均
一に起こるので構造的な均一性も優れている．更に出発
の誘電体材料の組成を変えずに、温度、時間等の熱処理
条件を変えるだけで気孔率を制御することができるので
、誘電率の制御が簡単に行える利点もある． Ｋ土■ 例１ ムライト粉末４０重量部及び下記組成の硼珪酸ガラス粉
末（軟化点８２５℃）６０重量部とをボールミルを用い
て混合し、１ｇを秤量して直径１８ｍのダイを用いて成
形した後、ｔｏｏｏｌｑｒ／ｄｆの圧力で加圧してベレ
ットを作製し、これを１１００℃で４時間焼結させた． ［ガラス組成］ （重量基準） ＳｉＯ２ ７８．０％、Ｂ２Ｏ３ １９．ｆ３％Ｋ２
０２．Ｏ％、ＡＩ２ＯＳ ０．３％ＭＩＪＯ０．１％ この焼結体の密度は２．４５ｇ／７であり、比誘電率は
ｌ Ｍ Ｈ Ｚで４．７８であった．尚比誘電率は、厚
さ２．０ｍの焼結体の両面にインジウム電極を塗布して
インピーダンスアナライザーにより電気容量を測定し、
その結果から算出したものである．別個に同様にしてム
ライトー硼珪酸ガラス焼結体を作製し、６５０℃で６４
時間熱処理した後、９０゜Ｃに加温した塩酸中に１時間
浸漬して、可溶性成分を溶出させた，得られた多孔質体
の密度は２．３１ｇ／一、気孔率は９．４％であり、比
誘電率は４．１５と、熱処理しないものと比較して大幅
に低下した．例２ 熱処理温度を５５０℃、ｅｏｏ℃、７００℃と変化させ
る以外は例１と同様にしてムライトー硼珪酸ガラス焼結
体を処理し、密度と比誘電率とを測定しなところ、密度
はそれぞれ２．４４ｇ／ｃｊｉ、２．４０ｇ／ｄ、２．
３３ｇ／ｃＩｉであり、比誘電率はそれぞれ４．６９、
４，６０、４．１７であった．又気孔率はそれぞれ０．
２体積％、３．５体積％、８．１体積％であった．ここ
で、５５０℃熱処理の場合は、熱処理しないものと比べ
て誘電率はやや低下するものの、密度の変化が微少であ
ることから、分相は殆ど起こっていないものと考えられ
る．ス６５０℃処理と ７００℃処理では密度、誘電率
ともに殆ど差がみられないことから、このガラスは７０
０゜Ｃではパイノーダル領域にあり、分相しても内部に
気孔を十分作れなくなるものと考えられる。
ば重量でＳｉＯ２３０〜８０％、８２ ０３ ８〜５０
％、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物か
らなる群より選ばれた１種又は２種以上の酸化物２〜２
５％、ＡＩ２０３０〜２５％からなる組成を有するガラ
スがあげられる．代表的なアルカリ金属酸化物及びアル
カリ土類金属酸化物は、Ｌ１２０、Ｎａ２０、Ｋ２ ０
，ｃａ ｏ．ＭＱ Ｏなどである． 分相のための熱処理温度は、ガラスの組成によって異な
るが、例えば上記組成のガラスではおよそ６００〜８０
０℃程度の温度が好ましい．分離した相のうち、酸又は
熱水に可溶な成分を含む相、即ちＢ２０３やアルカリ金
属酸化物を多く含有する相を、酸又は熱水に浸漬するこ
とにより溶出させる．酸としては塩酸、硝酸、硫酸など
が使用される． 分相、溶出処理後の焼結体の気孔率は、１０体積％以下
となるようにするのが望ましい．これは、１０体積％を
越えると機械的強度が低下する傾向があるためである．
特に気孔率５〜１０体積％の範囲が効果的である． 又、ムライトとガラスの比率は重量比で２０：８０〜８
０：２０程度が実用的である． １月 本発明は、ムライトと硼珪酸ガラスの混合物をまず焼結
させ、更に硼珪酸ガラスが熱処理によってＷＩ＃！ｉガ
ラス成分と珪酸ガラス成分とに相分・離する性質を利用
して、硼酸成分を溶出させて多孔質化することを特徴と
する． 硼珪酸ガラスが、熱処理によって硼酸ガラス成分と珪酸
ガラス成分とに相分離することは公知であり、例えば米
国特許第２１０６７４４号明細書及び同第２２ｉ５０３
９号明細書には、Ｒ２０−８２ ０Ｓ−Ｓｉ ０２ガラ
ス《但しＲはＬｌ、Ｎａ、Ｋの少なくとも１種》を熱処
理して可溶性相と難溶性相の２相に分離させ、一方の相
を溶出させて、微細な気孔を形成することが記載されて
いる．このような分相を起こすガラスは種々知られてお
り、硼珪酸系では他に特公昭６２−２５６１８号公報の
Ｃａ Ｏ−Ｂ２ ０３ −Ｓｉ ０２ −ＡＩ ２ ０
３ガラスや特公昭６３−６６７７７号公報のＮａ２０−
Ｃａ Ｏ−Ｂ２ ０３ −Ｓｉ ０２ −ＡＩ ２ ０
３ガラスなどがある．しかしながらムライトーガラス複
合体を熱処理して分相させ、多孔質体とすることは全く
知られていない． 本発明者等は、ムライトーガラス複合体に上記の方法で
気孔を設けることにより、機械的強度、絶縁特性等基板
としての特性を劣化させることなく、誘電率を低下させ
ることに成功したものである． 即ちムライトーガラス焼結体を熱処理し、ガラス成分を
分相させた後、焼結体を酸に浸漬するか又は熱水に浸漬
することにより、可溶性成分であるＢ２０３を多く含む
相、例えばＢ２０３−アルカリ金属酸化物又はアルカリ
土類金属酸化物相が溶出し、基板全体に均一に微細な気
孔が形成されて多孔質化する．この多孔質化処理により
誘電率が低下するのは、誘電率の低い空気との複合誘電
体となるためと考えられる．従って又、気孔率を制御す
ることによって誘電率を変化させることができる．即ち
、例えば後述する実施例及び第３図に示されるように、
気孔率の比誘電率との間には相関関係があり、気孔率が
大きいほど誘電率が低下する． ガラスの分相のしかたには、熱処理温度の違いにより、
単一相中に最初に生じた微小な組成変動が分相を助長し
、拡散支配により進行するスビノーダル分解機構と、単
一相中に生じた組成変動のうちある限界値以上の組成変
動のみが安定に残つて核となり、その成長によって分相
が進行するパイノーダル分解機構（又は核生成一成長機
構）とがあるが、前者の分相が連続な絡みあった梢遣を
持つため、基板内部の可溶性成分まで溶出することがで
きるのに対して、後者は分離相が独立した球状の形で多
層のマトリックス中に分散した形態をとるので、基板内
部の分離相は酸処理等によって溶解しに＜＜、誘電率を
低下させる効果が減少する．従って分相処理は、なるべ
くスビノーダル領域の温度内で行うのが望ましい． 尚、気孔率と誘電率の関係は、下記に示す複合体の誘電
率に適用した複合材料の物理定数に関するＬ ｉｃｈｔ
ｎｅｃｋｅｒの式（スビノーダル領域）やＭａＸ−ｍｅ
ｌｔの式（パイノーダル領域）などの近似式から算出さ
れる理論値とよく一致する． （１−Ｖｄ） Ｖｄ ｃ ｒａ ’ｄ − − ｔ， ｉｃｆｉｔｒ＋ｅｃｋｅｒの式ε ＝ε
｛ε ÷２ε −２Ｖ （ε 一εｄ）｝ｃｉｄｉ
ｄ ｌ ／ ｛ ε ＋２ε ＋ Ｖ 《 ε
− ε ｄ ）｝ｄ ｌ ｄ Ｉ１ Ｍａｘｗｅｌｌの式 但しε。は複合材料の誘電率 ε はマトリックスの誘電率 ■ ε。は分散相の誘電率 ■，は分散相の体積含有率 本発明の別の利点は、基板焼結後に多孔質化させるので
、焼結そのものは十分緻密に行うことが可能であり、強
度も大きく、組成も均一になることである．又分相は均
一に起こるので構造的な均一性も優れている．更に出発
の誘電体材料の組成を変えずに、温度、時間等の熱処理
条件を変えるだけで気孔率を制御することができるので
、誘電率の制御が簡単に行える利点もある． Ｋ土■ 例１ ムライト粉末４０重量部及び下記組成の硼珪酸ガラス粉
末（軟化点８２５℃）６０重量部とをボールミルを用い
て混合し、１ｇを秤量して直径１８ｍのダイを用いて成
形した後、ｔｏｏｏｌｑｒ／ｄｆの圧力で加圧してベレ
ットを作製し、これを１１００℃で４時間焼結させた． ［ガラス組成］ （重量基準） ＳｉＯ２ ７８．０％、Ｂ２Ｏ３ １９．ｆ３％Ｋ２
０２．Ｏ％、ＡＩ２ＯＳ ０．３％ＭＩＪＯ０．１％ この焼結体の密度は２．４５ｇ／７であり、比誘電率は
ｌ Ｍ Ｈ Ｚで４．７８であった．尚比誘電率は、厚
さ２．０ｍの焼結体の両面にインジウム電極を塗布して
インピーダンスアナライザーにより電気容量を測定し、
その結果から算出したものである．別個に同様にしてム
ライトー硼珪酸ガラス焼結体を作製し、６５０℃で６４
時間熱処理した後、９０゜Ｃに加温した塩酸中に１時間
浸漬して、可溶性成分を溶出させた，得られた多孔質体
の密度は２．３１ｇ／一、気孔率は９．４％であり、比
誘電率は４．１５と、熱処理しないものと比較して大幅
に低下した．例２ 熱処理温度を５５０℃、ｅｏｏ℃、７００℃と変化させ
る以外は例１と同様にしてムライトー硼珪酸ガラス焼結
体を処理し、密度と比誘電率とを測定しなところ、密度
はそれぞれ２．４４ｇ／ｃｊｉ、２．４０ｇ／ｄ、２．
３３ｇ／ｃＩｉであり、比誘電率はそれぞれ４．６９、
４，６０、４．１７であった．又気孔率はそれぞれ０．
２体積％、３．５体積％、８．１体積％であった．ここ
で、５５０℃熱処理の場合は、熱処理しないものと比べ
て誘電率はやや低下するものの、密度の変化が微少であ
ることから、分相は殆ど起こっていないものと考えられ
る．ス６５０℃処理と ７００℃処理では密度、誘電率
ともに殆ど差がみられないことから、このガラスは７０
０゜Ｃではパイノーダル領域にあり、分相しても内部に
気孔を十分作れなくなるものと考えられる。
例１及び例２の、熱処理温度による誘電率の変化を第１
図に示す． 例３ 例１と同様にして作製したムライトー硼珪酸ガラス焼結
体について、温度６００℃において時間を８、１６、３
２時間と変化させて熱処理を行い、次いで酸処理して得
られた多孔質体についてそれぞれ比誘電率を測定し、例
１（熱処理時間＝０及び６４時間）の結果と併せて第２
図に示した．例４ 例１と同様にして作製したムライト−Ｓ珪酸ガラス焼結
体について、温度６５０℃において時間を８、１６、３
２時間と変化させて熱処理を行い、次いで酸処理して得
られた多孔質体についてそれぞれ比誘電率を測定し、例
１の結果と併せて第２図に示した． 例５ 例１と同様にして作製したムライトー硼珪酸ガラス焼結
体について、温度７００℃において時間を８、１６、３
２時間と変化させて熱処理を行い、次いで酸処理して得
られた多孔質体についてそれぞれ比誘電率を測定し、例
１の結果と併せて第２図に示した． 第２図から明らかなように、いずれの処理温度において
も処理時間が長くなるにつれて比誘電率も減少していく
が、数十時間を越えると変化がわずかになってくる． 第３図に例１〜５で得られた多孔質体の、気孔率と比誘
電率との関係を示す．この図から、気孔率が大きいほど
誘電率が低下していることがわかる． 王」廊Ｌ丸生 本発明は熱膨張係数がシリコンに近く、低温での焼結が
可能なムライトーガラス系低誘電率基板材料を焼結させ
た後、ガラス成分を分相させて多孔質化することにより
、基板としての特性を損うことなく、より一層低誘電率
化することができたものであり、エレクトロニクス回路
の信号伝送の高速化が可能な実装基板やバッゲージ材料
を提供する有用な方法である．
図に示す． 例３ 例１と同様にして作製したムライトー硼珪酸ガラス焼結
体について、温度６００℃において時間を８、１６、３
２時間と変化させて熱処理を行い、次いで酸処理して得
られた多孔質体についてそれぞれ比誘電率を測定し、例
１（熱処理時間＝０及び６４時間）の結果と併せて第２
図に示した．例４ 例１と同様にして作製したムライト−Ｓ珪酸ガラス焼結
体について、温度６５０℃において時間を８、１６、３
２時間と変化させて熱処理を行い、次いで酸処理して得
られた多孔質体についてそれぞれ比誘電率を測定し、例
１の結果と併せて第２図に示した． 例５ 例１と同様にして作製したムライトー硼珪酸ガラス焼結
体について、温度７００℃において時間を８、１６、３
２時間と変化させて熱処理を行い、次いで酸処理して得
られた多孔質体についてそれぞれ比誘電率を測定し、例
１の結果と併せて第２図に示した． 第２図から明らかなように、いずれの処理温度において
も処理時間が長くなるにつれて比誘電率も減少していく
が、数十時間を越えると変化がわずかになってくる． 第３図に例１〜５で得られた多孔質体の、気孔率と比誘
電率との関係を示す．この図から、気孔率が大きいほど
誘電率が低下していることがわかる． 王」廊Ｌ丸生 本発明は熱膨張係数がシリコンに近く、低温での焼結が
可能なムライトーガラス系低誘電率基板材料を焼結させ
た後、ガラス成分を分相させて多孔質化することにより
、基板としての特性を損うことなく、より一層低誘電率
化することができたものであり、エレクトロニクス回路
の信号伝送の高速化が可能な実装基板やバッゲージ材料
を提供する有用な方法である．
第１図は、熱処理温度による比誘電率の変化を示すグラ
フであり、第２図は、熱処理温度を一定にしたときの処
理時間と比誘電率の関係を示すグラフである．又第３図
は本発明の方法で製造された多孔質体の、気孔率と比誘
電率との関係を示したものである． 比誘電率 ｇｅｔτ 比誘電率
フであり、第２図は、熱処理温度を一定にしたときの処
理時間と比誘電率の関係を示すグラフである．又第３図
は本発明の方法で製造された多孔質体の、気孔率と比誘
電率との関係を示したものである． 比誘電率 ｇｅｔτ 比誘電率
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （ａ）ムライト粉末と、（ｂ）熱処理により分相を
起こす硼珪酸ガラス粉末との混合物からなるグリーンシ
ートを焼結させた後、ガラスが分相を起こす温度で熱処
理してガラスを分相させ、次いで酸処理又は熱水処理す
ることにより可溶性成分を溶出させて多孔質体とするこ
とを特徴とする、低誘電率ガラス−セラミックス回路基
板の製造方法。 ２ 硼珪酸ガラスが、重量でＳｉＯ＿２ ３０〜８０％
、Ｂ＿２Ｏ＿３ ８〜５０％、アルカリ金属酸化物及び
アルカリ土類金属酸化物からなる群より選ばれた１種又
は２種以上の酸化物２〜２５％、Ａｌ＿２Ｏ＿３ ０〜
２５％からなる組成を有するものである、請求項１に記
載された低誘電率ガラス−セラミックス回路基板の製造
方法。 ３ 多孔質体の気孔率が１０体積％以下（但し０を含ま
ない）である、請求項１又は２に記載された低誘電率ガ
ラス−セラミックス回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057821A JPH02239168A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057821A JPH02239168A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239168A true JPH02239168A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=13066586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057821A Pending JPH02239168A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02239168A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006282474A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた配線基板 |
| JP2009239113A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージ |
| WO2011111378A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | セラミック電子部品とその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240135A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置実装用多層基板 |
| JPS63103877A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | 長崎県 | ムライト質多孔体の製造方法 |
| JPS63107095A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 富士通株式会社 | 多層セラミツク回路基板 |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1057821A patent/JPH02239168A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240135A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置実装用多層基板 |
| JPS63103877A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | 長崎県 | ムライト質多孔体の製造方法 |
| JPS63107095A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 富士通株式会社 | 多層セラミツク回路基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006282474A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた配線基板 |
| JP2009239113A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージ |
| WO2011111378A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | セラミック電子部品とその製造方法 |
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