JPH02237085A - 変位発生素子 - Google Patents
変位発生素子Info
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- JPH02237085A JPH02237085A JP2044406A JP4440690A JPH02237085A JP H02237085 A JPH02237085 A JP H02237085A JP 2044406 A JP2044406 A JP 2044406A JP 4440690 A JP4440690 A JP 4440690A JP H02237085 A JPH02237085 A JP H02237085A
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Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は変位発生素子に関する。
(従来の技術)
近年、機械工作における加工精度の向上は目覚しくミク
ロンオーダーの次元からサブミクロンオーダーの次元に
入りつつあるが、このことは電子デバイスの分野では既
に珍しくない状況である。
ロンオーダーの次元からサブミクロンオーダーの次元に
入りつつあるが、このことは電子デバイスの分野では既
に珍しくない状況である。
また、メカトロニクスの時代を迎えるに及んで、超微細
加工、微小変位制御にかかる問題は上記した電子工学の
分野のみならず機械工学の分野でも重要視されるに到っ
ている。
加工、微小変位制御にかかる問題は上記した電子工学の
分野のみならず機械工学の分野でも重要視されるに到っ
ている。
すなわち、■計測装置、各種の機械装置にあっては温度
変化による各構成部材の変位が不可避であり、例えば、
インバー形合金のような極端に熱膨張の小さい材料を用
いた場合は別にして、通常はtopp−,,””c程度
の変位は常に起り得ること、■各種装置がフレキシブル
な可動部分(例えばジBイント)、回転部分(例えば歯
車、モータ)を備えている場合には部材間の接触の遊び
による誤差を不可避的に必要とすること、■一般に金属
は荷重下の変形に対しては履歴を示すこと、■各種設置
を機械的振動から自由にすることは限度があり、とくに
装置そのものが振動発生源を内蔵している場合、振動及
びそれに起因する距離変動を防止する二とは原理的に不
可能であること、などの問題からして、微小変位制御素
子は必要とされる。
変化による各構成部材の変位が不可避であり、例えば、
インバー形合金のような極端に熱膨張の小さい材料を用
いた場合は別にして、通常はtopp−,,””c程度
の変位は常に起り得ること、■各種装置がフレキシブル
な可動部分(例えばジBイント)、回転部分(例えば歯
車、モータ)を備えている場合には部材間の接触の遊び
による誤差を不可避的に必要とすること、■一般に金属
は荷重下の変形に対しては履歴を示すこと、■各種設置
を機械的振動から自由にすることは限度があり、とくに
装置そのものが振動発生源を内蔵している場合、振動及
びそれに起因する距離変動を防止する二とは原理的に不
可能であること、などの問題からして、微小変位制御素
子は必要とされる。
更には、光情報処理、光記録機器の急速な発達に伴なっ
て、微小変位制御素子の必要性はますます高まりでいる
。
て、微小変位制御素子の必要性はますます高まりでいる
。
従来から、かかる微小変位制御素子としては、変位発生
部の態様によって第1表に示すような形式のものが提案
され実用に供されている。
部の態様によって第1表に示すような形式のものが提案
され実用に供されている。
第1表から明らかなように、従来の素子にはそれぞれ一
長一短があり必ずしも満足のいくものがなかった。
長一短があり必ずしも満足のいくものがなかった。
このうち磁歪型は、磁性体を磁化した場合内部磁気配列
の変化に応じて該磁性体の長さが変化するという磁歪現
象を利用したものである。この現象は、従来から磁歪フ
ィルタ、磁歪センサ、超音波遅延線、磁歪振動子などの
デバイスに利用されている。
の変化に応じて該磁性体の長さが変化するという磁歪現
象を利用したものである。この現象は、従来から磁歪フ
ィルタ、磁歪センサ、超音波遅延線、磁歪振動子などの
デバイスに利用されている。
この場合、これらデバイスの磁歪に基づく変位を発生さ
せる部材には、ニッケル基合金、鉄一コバルト合金、フ
エライトなどの磁性合金が用いられている。
せる部材には、ニッケル基合金、鉄一コバルト合金、フ
エライトなどの磁性合金が用いられている。
(発明が解決・しようとする課題)
しかしながら、従来知られている磁性合金を用いた変位
発生素子ではその変位の線形性が十分ではな<、シたが
ってミクロンオーダー又はサブミクロンイオーダーのよ
うな変位を制御する変位発生部材としては満足のいくも
のではなかった。
発生素子ではその変位の線形性が十分ではな<、シたが
ってミクロンオーダー又はサブミクロンイオーダーのよ
うな変位を制御する変位発生部材としては満足のいくも
のではなかった。
本発明は、変位の線形性に優れた磁歪型の変位発生素子
の提供を目的とする。
の提供を目的とする。
[発明の概要]
(3題を解決するための手段及び作用)本発明の変位発
生素子は、希土類磁歪合金からなる変位発生部材と、こ
の変位発生部材に駆動用の磁界を印加する励磁部材とを
備えた変位発生素子において、 該変位発生部材にバイアス磁界を印加するバイアス磁界
発生部を有することを特徴とする。
生素子は、希土類磁歪合金からなる変位発生部材と、こ
の変位発生部材に駆動用の磁界を印加する励磁部材とを
備えた変位発生素子において、 該変位発生部材にバイアス磁界を印加するバイアス磁界
発生部を有することを特徴とする。
まず、本発明の変位発生素子を、好ましい構造例を示し
た第1図に則して説明する。
た第1図に則して説明する。
第1図で1は棒状の変位発生部材(磁歪合金)、2は該
変位発生部を磁化して長さ変位を発生させるための励磁
コイル(励磁部材)である。励磁コイル2は所定径の導
線(例えばホルマル銅線)を必要回数巻回しその内部を
中空にして構成される。
変位発生部を磁化して長さ変位を発生させるための励磁
コイル(励磁部材)である。励磁コイル2は所定径の導
線(例えばホルマル銅線)を必要回数巻回しその内部を
中空にして構成される。
このときのコイルの巻回数は、変位発生部材1に作用さ
せるべき磁界の強さとの関係から決められる。励磁コイ
ル2の中空部には、.所定長さを有する磁性合金の棒材
が同軸的に挿入されて変位発生部材1を構成する。この
ときの該変位発生部材1の長さは、制御すべき変位の大
きさ及び該部材の磁歪の大きさとの関係から決められる
。また、変位発生部材1は、励磁コイル2の中空部の中
では潤滑性に富む例えばボールベアリング、黒鉛材、テ
フロン材のような軸受材3によって支持されていて、軸
方向の変位が生じた場合でも容易に滑動できるようにな
っている。変位発生部材1の変位量は、該部材の端部に
当接して配設される例えば軟磁鉄製のgalの変位伝達
軸4及びつづいて該伝達軸4の端部に当接する例えば非
磁性ステンレススチール製の第2の変位伝達軸5を介し
て系外に伝達される。
せるべき磁界の強さとの関係から決められる。励磁コイ
ル2の中空部には、.所定長さを有する磁性合金の棒材
が同軸的に挿入されて変位発生部材1を構成する。この
ときの該変位発生部材1の長さは、制御すべき変位の大
きさ及び該部材の磁歪の大きさとの関係から決められる
。また、変位発生部材1は、励磁コイル2の中空部の中
では潤滑性に富む例えばボールベアリング、黒鉛材、テ
フロン材のような軸受材3によって支持されていて、軸
方向の変位が生じた場合でも容易に滑動できるようにな
っている。変位発生部材1の変位量は、該部材の端部に
当接して配設される例えば軟磁鉄製のgalの変位伝達
軸4及びつづいて該伝達軸4の端部に当接する例えば非
磁性ステンレススチール製の第2の変位伝達軸5を介し
て系外に伝達される。
励磁コイル2の外周には、変位発生部材1に磁界を印加
したときその両端部からの磁束もれを防止するために、
更には、変位発生部材1に生起する反磁界を抑制若しく
は消去して励磁コイル2の作用効率を高めるために、例
えば軟磁鉄で構成したヨークを配設することが好ましい
。
したときその両端部からの磁束もれを防止するために、
更には、変位発生部材1に生起する反磁界を抑制若しく
は消去して励磁コイル2の作用効率を高めるために、例
えば軟磁鉄で構成したヨークを配設することが好ましい
。
更には、励磁コイル2で変位発生部lを磁化するに先立
ち、予め該変位発生部材1をある程度磁化してその線形
性が良好な磁歪特性領域で使用するために、励磁コイル
2の外周にバイアスコイル6を(バイアス磁界発生部)
を配設する。この構成で線形性を改善できる。バイアス
コイルは永久磁石でも良い。また、励磁部材とバイアス
磁界発生部を一つにし、バイアス磁界発生用の電流に変
位制御用の電流を重畳させても良い。
ち、予め該変位発生部材1をある程度磁化してその線形
性が良好な磁歪特性領域で使用するために、励磁コイル
2の外周にバイアスコイル6を(バイアス磁界発生部)
を配設する。この構成で線形性を改善できる。バイアス
コイルは永久磁石でも良い。また、励磁部材とバイアス
磁界発生部を一つにし、バイアス磁界発生用の電流に変
位制御用の電流を重畳させても良い。
本発明の変位発生素子は以上のようにして構成されてい
るが、磁歪合金としてはFe25〜40重量%、M n
0.01〜1 5重量%、Tb0.1 〜25重量%
、残部は実質的にDyから成る磁歪合金を用いることが
好ましい。
るが、磁歪合金としてはFe25〜40重量%、M n
0.01〜1 5重量%、Tb0.1 〜25重量%
、残部は実質的にDyから成る磁歪合金を用いることが
好ましい。
以下に該磁歪合金につき詳細に説明する。
希土類磁歪合金は一般にR T (0.2≦X1
−x x ≦0.95. R:La−Luの希土類元素,T:.F
e,Co,Ni,Mnなどの遷移金属)で示される。特
に磁歪合金は限定しないが、以下に示すT b − D
y − F e − M n系は好適である。
−x x ≦0.95. R:La−Luの希土類元素,T:.F
e,Co,Ni,Mnなどの遷移金属)で示される。特
に磁歪合金は限定しないが、以下に示すT b − D
y − F e − M n系は好適である。
まず、Tb, Dyは極めて大きい結晶異方性を有する
希土類元素であって、磁性合金の磁歪特性を高めるため
に必須な成分である。しかしながら、Tb単体、Dy単
体又はTbとDyのみから成る合金は、いずれも低温領
域では優れた磁歪特性を示すけれども、室温以上の温度
領域では磁歪を示さないという問題点を有する。
希土類元素であって、磁性合金の磁歪特性を高めるため
に必須な成分である。しかしながら、Tb単体、Dy単
体又はTbとDyのみから成る合金は、いずれも低温領
域では優れた磁歪特性を示すけれども、室温以上の温度
領域では磁歪を示さないという問題点を有する。
一方、Tb,DYはFe,Mnなどの遷移金属とラーベ
ス(Labes)型金属間化合物を形成するが、このこ
とによって、Tb, py,’rb−Dy合金の優れ
た磁歪特性を室温まで持ち来たすことができる。これは
、広義の強磁性相がラーベス型金属間化合物に包摂され
る形で室温まで安定化されるためである。例えば、Dy
においてその強磁性相の消失する温度は179@K(’
−94℃)であるが、DyとFeとのラーベス型金属間
化合物DyFexの場合には635” K (358℃
)である。
ス(Labes)型金属間化合物を形成するが、このこ
とによって、Tb, py,’rb−Dy合金の優れ
た磁歪特性を室温まで持ち来たすことができる。これは
、広義の強磁性相がラーベス型金属間化合物に包摂され
る形で室温まで安定化されるためである。例えば、Dy
においてその強磁性相の消失する温度は179@K(’
−94℃)であるが、DyとFeとのラーベス型金属間
化合物DyFexの場合には635” K (358℃
)である。
各種の希土類元素とFeとのラーベス型金属間化合物の
室温(25℃)における飽和磁歪値(λ)は第2表に示
すとおりである。、 第2表から明らかなように、これらラーベス型金属間化
合物の飽和磁歪値は、従来の典型的な磁歪金属であるN
iのそれ(30X10−6)に比べて桁違いに大きい。
室温(25℃)における飽和磁歪値(λ)は第2表に示
すとおりである。、 第2表から明らかなように、これらラーベス型金属間化
合物の飽和磁歪値は、従来の典型的な磁歪金属であるN
iのそれ(30X10−6)に比べて桁違いに大きい。
しかしながら、上記したラーベス型金属間化合物は、そ
れが単相である場合、その機械的特性、とくに加工性、
靭性が極めて劣悪であって実用性の点で間居がある。更
には、第2表に示した飽和磁歪値を得るためには数十k
oeという強磁場を必要とし、例えば1000e/A程
度のソレノイド型マグネットを用いて電気一磁気変換操
作を行った場合、IOOA以上の大電流が必要となって
数十kWの電力消費を不可避とするので、実用性の点で
の障害は大である。
れが単相である場合、その機械的特性、とくに加工性、
靭性が極めて劣悪であって実用性の点で間居がある。更
には、第2表に示した飽和磁歪値を得るためには数十k
oeという強磁場を必要とし、例えば1000e/A程
度のソレノイド型マグネットを用いて電気一磁気変換操
作を行った場合、IOOA以上の大電流が必要となって
数十kWの電力消費を不可避とするので、実用性の点で
の障害は大である。
本発明者らは、Tb, Dy,Tb−D)r合金の磁歪
特性が優れること、そしてこれら元素とFe,Mnとの
ラーベス型金属間化合物は室温での安定な磁歪特性を保
障し得ること、という2点を前提として後述する種々の
検討を加えることにより、微小変位制御素子の変位発生
部材として有用な合金組成を見出すに到った。
特性が優れること、そしてこれら元素とFe,Mnとの
ラーベス型金属間化合物は室温での安定な磁歪特性を保
障し得ること、という2点を前提として後述する種々の
検討を加えることにより、微小変位制御素子の変位発生
部材として有用な合金組成を見出すに到った。
まず、”b”(1−y) )1.33(Fel−,y
Mnx)2 (X,)’はそれぞれMn濃度、Tb濃度
を表わす。)で示される合金につき、そのX.yをそれ
ぞれ変動させたときの磁歪特性を測定した。その結果の
一部を第2図及び第3図に示す。
を表わす。)で示される合金につき、そのX.yをそれ
ぞれ変動させたときの磁歪特性を測定した。その結果の
一部を第2図及び第3図に示す。
図で磁歪特性の次元はxmo,y−Qのものすなわち、
Dy Fe のラーベス型金属間化合物1.33
2 の室温における磁歪特性を10としたときの相対値で示
してある。
Dy Fe のラーベス型金属間化合物1.33
2 の室温における磁歪特性を10としたときの相対値で示
してある。
第2図から明らかなように、Mnの合金化は、室温、低
磁場側(2kOe以下)での磁歪特性において、y−0
.2、すなわちTbl3重量%以下の領域で磁歪特性の
顕著な向上が見られる。
磁場側(2kOe以下)での磁歪特性において、y−0
.2、すなわちTbl3重量%以下の領域で磁歪特性の
顕著な向上が見られる。
とくに、x −0.2 , y =0.2の合金;(
Tb,2D y ) ( F e M
n ) は、現在0.8 1.33 .
0.8 0.2 2磁歪特性が最大のものとして
知られている、T b D y F e 2の
値を上回り、しがもそ0.3 0.7 の靭性が著しく改善されていることが判明した。
Tb,2D y ) ( F e M
n ) は、現在0.8 1.33 .
0.8 0.2 2磁歪特性が最大のものとして
知られている、T b D y F e 2の
値を上回り、しがもそ0.3 0.7 の靭性が著しく改善されていることが判明した。
また、第3図から明らかなように、Xの大小によらずD
yのTbによる合金化に伴い得られた合金はその磁歪特
性が著しく向上している。とくにx−0.2においてT
b合金化の効果は顕著である。
yのTbによる合金化に伴い得られた合金はその磁歪特
性が著しく向上している。とくにx−0.2においてT
b合金化の効果は顕著である。
本発明にかかる磁性合金は、以上の実験経過を青最に開
発されたTb−Dy−Fe−Mn系のものである。
発されたTb−Dy−Fe−Mn系のものである。
該磁性合金において、Fe,MnはTb, Dyとラー
ベス型金属間化合物を形成してTb, Dy,’rb−
Dy合金の優れた磁歪特性を室温以上の温度領域で安定
化・向上せしめる。そのとき、Feの組成比が25重量
%未満の場合には充分な磁歪特性が得られず、また、4
0重量%を越えると合金の靭性が著しく劣化して脆弱と
なってしまう。
ベス型金属間化合物を形成してTb, Dy,’rb−
Dy合金の優れた磁歪特性を室温以上の温度領域で安定
化・向上せしめる。そのとき、Feの組成比が25重量
%未満の場合には充分な磁歪特性が得られず、また、4
0重量%を越えると合金の靭性が著しく劣化して脆弱と
なってしまう。
Mnはその組成比0,01重量%以上から磁歪特性向上
の効果を発揮するがその組成比が25重量%を超えると
逆に磁歪特性の劣化を招く。
の効果を発揮するがその組成比が25重量%を超えると
逆に磁歪特性の劣化を招く。
TbはDyと合金化することにより、Dy単独の場合よ
りも全体の磁歪特性を高める。組成比が0.1 ifr
量%以上からその効果を発揮するが、25重量%を超え
ると逆に磁性特性の劣化を招いてしまう。
りも全体の磁歪特性を高める。組成比が0.1 ifr
量%以上からその効果を発揮するが、25重量%を超え
ると逆に磁性特性の劣化を招いてしまう。
本発明にかかる磁性合金において、その残部はDyで構
成されるが、合金調整時に不可避的に付随する微量の混
入物(例えば、C,O,N,希土類,Y,La)が存在
しても何らの不都合はない。
成されるが、合金調整時に不可避的に付随する微量の混
入物(例えば、C,O,N,希土類,Y,La)が存在
しても何らの不都合はない。
本発明にかかる変位発生部材は、上記した組成の合金素
材を例えば真空誘導加熱法で溶解した後インゴットにし
、このインゴットを例えばブリッヂマン炉で適宜なG値
(固液界面相での温度勾配)で一方向凝固させ、ついで
得られた素材に所定の切除加工を施して作成することが
できる。また熱間,冷間加工を施したり、更には合金粉
砕後、磁場中プレスし焼結するといった処理を施しても
良い。
材を例えば真空誘導加熱法で溶解した後インゴットにし
、このインゴットを例えばブリッヂマン炉で適宜なG値
(固液界面相での温度勾配)で一方向凝固させ、ついで
得られた素材に所定の切除加工を施して作成することが
できる。また熱間,冷間加工を施したり、更には合金粉
砕後、磁場中プレスし焼結するといった処理を施しても
良い。
この部材を第1図に示したコイル部と組合せることによ
って本発明の変位発生素子が製造される。
って本発明の変位発生素子が製造される。
(実施例)
以下に本発明の実施例を説明する。
第3表に示した組成の、30種類の合金試料を用意し、
これらをそれぞれ真空誘導加熱炉で溶解した、容湯を冷
却してインゴットした後、これを内径12as長さ2
5 0 amのアルミナ管の中に装入し、タンタルヒー
夕を備えた改良ブリッヂマン炉により.、アルゴン雰囲
気中、60u+/hrの低速度で一方向凝固させた。な
お、この速度は10m■/1n〜100al/hr程度
に変化できる。このときの固液界面近傍におけるG値は
約80℃/cmであウた。
これらをそれぞれ真空誘導加熱炉で溶解した、容湯を冷
却してインゴットした後、これを内径12as長さ2
5 0 amのアルミナ管の中に装入し、タンタルヒー
夕を備えた改良ブリッヂマン炉により.、アルゴン雰囲
気中、60u+/hrの低速度で一方向凝固させた。な
お、この速度は10m■/1n〜100al/hr程度
に変化できる。このときの固液界面近傍におけるG値は
約80℃/cmであウた。
得られた一方向凝固材の凝固方位は、それぞれ立方品ラ
ーベス化合物の結晶方位にして略(1 1 17磁化容
易軸であった。結晶配向していた方が磁歪量が大きい。
ーベス化合物の結晶方位にして略(1 1 17磁化容
易軸であった。結晶配向していた方が磁歪量が大きい。
各一方向凝固材に800℃で120時間均一化処理を施
した後、直径8l園長さ100關の丸棒を切削加工して
変位発生部材とした。試料番号1〜14が本発明にかか
る実施例で他は比較例である。
した後、直径8l園長さ100關の丸棒を切削加工して
変位発生部材とした。試料番号1〜14が本発明にかか
る実施例で他は比較例である。
これら九棒を用いて、第1図に示した構造の微小変位制
御素子を組立て、各素子の特性を調べた。
御素子を組立て、各素子の特性を調べた。
ここでは、軸受材は外径10龍内径8 ms+長さ10
0asのテフロン製の筒、励磁コイルは直径1朋のホル
マル銅線をテフロン筒の外周に2万回/mで巻回し、全
直流抵抗値5Ω、励磁能力2500 e / Aのもの
、その外周に配設されたバイアスコイルは1万回/mの
巻回数で励磁能力1250 e / Aのものであった
。
0asのテフロン製の筒、励磁コイルは直径1朋のホル
マル銅線をテフロン筒の外周に2万回/mで巻回し、全
直流抵抗値5Ω、励磁能力2500 e / Aのもの
、その外周に配設されたバイアスコイルは1万回/mの
巻回数で励磁能力1250 e / Aのものであった
。
変位発生素子の特性評価は、バイアスコイルにIAの電
流を流し−1 2 5 0 eのバイアス磁場下で行っ
た。
流を流し−1 2 5 0 eのバイアス磁場下で行っ
た。
この状態で励磁コイルに0.5 A (入力電力6W)
の駆動電流を流し、このときの棒材の変位量(μm)を
測定した。その結果を第3表に示した。
の駆動電流を流し、このときの棒材の変位量(μm)を
測定した。その結果を第3表に示した。
(以下余白)
実施例9の変位発生部材、比較例29.30の変位発生
部材をそれぞれ組み込んだ微小変位制御素子につき、実
施例1〜14のバイアス磁場下で各種の駆動電流を′流
し、そのときの変位量から歪み値(ε:ΔfJ /fl
’)を算出した。結果を第4図に示した。
部材をそれぞれ組み込んだ微小変位制御素子につき、実
施例1〜14のバイアス磁場下で各種の駆動電流を′流
し、そのときの変位量から歪み値(ε:ΔfJ /fl
’)を算出した。結果を第4図に示した。
図から明らかなように、本発明にかかる磁性合金は、励
磁コイルへの駆動電流ク《大きくなくても(すなわち、
使用電力が小さくても)歪み値が大きい。またその線形
性も優れている。
磁コイルへの駆動電流ク《大きくなくても(すなわち、
使用電力が小さくても)歪み値が大きい。またその線形
性も優れている。
第1図の素子の変位発生部材として
−0.1 P b T t O a (0.9 P
MN−0.I P T)なる組成の電歪材料、ジルコン
酸鉛(PZT−8)の圧電材料を用いてその歪み値を測
定した。その結果を第5図に示した。
MN−0.I P T)なる組成の電歪材料、ジルコン
酸鉛(PZT−8)の圧電材料を用いてその歪み値を測
定した。その結果を第5図に示した。
[発明の効果]
以上の説明で明らかなように、本発明の変位発生素子は
、磁歪吾金を用いた素子として線形性に?れており有効
である。
、磁歪吾金を用いた素子として線形性に?れており有効
である。
また、前記磁歪合金を用いることで、歪み量が大きい。
小さい入力電力で作動することができる。
歪み量が大きいことにより素子全体を小型化することが
できるなどの利点を有しているので、サブミクロンオー
ダーの精密制御を必要とする光情報処理、光記録機器、
精密工作機器の分野での冑用性は極めて大である。
できるなどの利点を有しているので、サブミクロンオー
ダーの精密制御を必要とする光情報処理、光記録機器、
精密工作機器の分野での冑用性は極めて大である。
第1図は本発明の微小変位制御素子の好ましい1例を示
す一部切欠模式図である。第2図、第3図はそれぞれ(
TbyDy(1■) )1.33(Fe Mn)
のx+Vと磁性特性との関1−x x 2 係図である。第4図は駆動電流と歪み量との関係図、第
5図は比較のために示した電歪材料、圧電材料の電界の
大きさと歪み量との関係図である。 1・・・変位発生部材、2・・・励磁コイル、3・・・
軸受材、4,5・・・変位伝達軸、6・・・バイアスコ
イル。
す一部切欠模式図である。第2図、第3図はそれぞれ(
TbyDy(1■) )1.33(Fe Mn)
のx+Vと磁性特性との関1−x x 2 係図である。第4図は駆動電流と歪み量との関係図、第
5図は比較のために示した電歪材料、圧電材料の電界の
大きさと歪み量との関係図である。 1・・・変位発生部材、2・・・励磁コイル、3・・・
軸受材、4,5・・・変位伝達軸、6・・・バイアスコ
イル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 希土類磁歪合金からなる変位発生部材と、この変位発
生部材に駆動用の磁界を印加する励磁部材とを備えた変
位発生素子において、 該変位発生部材にバイアス磁界を印加するバイアス磁界
発生部を有することを特徴とする変位発生素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2044406A JPH0654817B2 (ja) | 1983-03-01 | 1990-02-27 | 変位発生素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58031792A JPS59158574A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 磁歪合金 |
JP2044406A JPH0654817B2 (ja) | 1983-03-01 | 1990-02-27 | 変位発生素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58031792A Division JPS59158574A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 磁歪合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02237085A true JPH02237085A (ja) | 1990-09-19 |
JPH0654817B2 JPH0654817B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=26370308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2044406A Expired - Lifetime JPH0654817B2 (ja) | 1983-03-01 | 1990-02-27 | 変位発生素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0654817B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7339291B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-03-04 | Tdk Corporation | Ultrasonic transducer and ultrasonic vibration device using the same |
US20110156501A1 (en) * | 2007-12-11 | 2011-06-30 | Industrial Technology Research Institute | Reciprocating power generating module |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5364798A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-09 | Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan | Electric magntostrictive convertor |
JPS59158574A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 磁歪合金 |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2044406A patent/JPH0654817B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5364798A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-09 | Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan | Electric magntostrictive convertor |
JPS59158574A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 磁歪合金 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7339291B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-03-04 | Tdk Corporation | Ultrasonic transducer and ultrasonic vibration device using the same |
US20110156501A1 (en) * | 2007-12-11 | 2011-06-30 | Industrial Technology Research Institute | Reciprocating power generating module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0654817B2 (ja) | 1994-07-20 |
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