JPH02235396A - 絶縁性マイクロ波輻射吸収体 - Google Patents
絶縁性マイクロ波輻射吸収体Info
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- JPH02235396A JPH02235396A JP2015928A JP1592890A JPH02235396A JP H02235396 A JPH02235396 A JP H02235396A JP 2015928 A JP2015928 A JP 2015928A JP 1592890 A JP1592890 A JP 1592890A JP H02235396 A JPH02235396 A JP H02235396A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
- H01Q17/005—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems using woven or wound filaments; impregnated nets or clothes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘電竹結合材中に埋め込まれる磁性金属フィラ
メントを含むIf!11輻射吸収体に関する。
メントを含むIf!11輻射吸収体に関する。
IIi磁I@制吸収体は桑型的には誘電性結合材中に分
敗したー・つまたはー・つ以トの種類の分散性粒子の不
導体性複合体である。複合吸収体の吸収性能は主として
個々の粒子の相互、および結合剤との電磁性相互反応に
依存する。例えば米国特許第4.538.151号(c
タケヤマ等)は次の混合物を含む吸収体を間示ずる:高
電導性を有し、0.1am(100ミクロン)から50
jIllまでの長さおよび長さ対直径比(「アスペクト
比」)が10よりも大きい金属または合金繊維二ノエラ
イトまたは強磁性材料:高分子合成樹脂:および、場合
によっては、カーボンプラック。
敗したー・つまたはー・つ以トの種類の分散性粒子の不
導体性複合体である。複合吸収体の吸収性能は主として
個々の粒子の相互、および結合剤との電磁性相互反応に
依存する。例えば米国特許第4.538.151号(c
タケヤマ等)は次の混合物を含む吸収体を間示ずる:高
電導性を有し、0.1am(100ミクロン)から50
jIllまでの長さおよび長さ対直径比(「アスペクト
比」)が10よりも大きい金属または合金繊維二ノエラ
イトまたは強磁性材料:高分子合成樹脂:および、場合
によっては、カーボンプラック。
術fairホイスカー」は単結晶性および多結晶性繊維
に対してとまどいさせるようにしばしば使われる。本発
明に対しては比較的長い繊繍は、もしも構造が単結晶性
であるときは針状(「針に似た]》小イスカー、または
多結晶性であれば針状フィラメントと称される。
に対してとまどいさせるようにしばしば使われる。本発
明に対しては比較的長い繊繍は、もしも構造が単結晶性
であるときは針状(「針に似た]》小イスカー、または
多結晶性であれば針状フィラメントと称される。
複合吸収体の厚さ、重量および適用の容易さは重要な実
際的考慮事項である。従って、吸収性ペイントもまたあ
る種の適用に対して開発された。
際的考慮事項である。従って、吸収性ペイントもまたあ
る種の適用に対して開発された。
ペイントは桑型的には金B/結合剤複合体の分散体であ
る。例えば、米国特許第4,606.848号(Bon
d)はポリウレタン、アル4〜ツド、またはエボキシ結
合材中に不銹鋼、炭素、または黒鉛繊維を含むペイント
を数える。繊維は直径が0.01ミクロンから30ミク
ロンまでの範囲であれば良さは10ミクロンから31(
30.000ミクロン》の範囲であり、従って7スペク
ト比は一定に1000である。
る。例えば、米国特許第4,606.848号(Bon
d)はポリウレタン、アル4〜ツド、またはエボキシ結
合材中に不銹鋼、炭素、または黒鉛繊維を含むペイント
を数える。繊維は直径が0.01ミクロンから30ミク
ロンまでの範囲であれば良さは10ミクロンから31(
30.000ミクロン》の範囲であり、従って7スペク
ト比は一定に1000である。
本発明は平均の長さが約10ミクロンまたはそれよりも
少なく、直径は約0.1ミクロンまたはそれ゛よりも多
く、モしてアスペクト比が10:1と50:1の間であ
る針状磁性金属フィラメントを含む非一専電性マイクロ
波輻射吸収体である。
少なく、直径は約0.1ミクロンまたはそれ゛よりも多
く、モしてアスペクト比が10:1と50:1の間であ
る針状磁性金属フィラメントを含む非一専電性マイクロ
波輻射吸収体である。
フィラメンドは誘電性結合材中に分散される。吸収ペイ
ントは基礎液体中にフィラメント/結合材分敗体を溶解
させるように基礎液体中にフィラメントを分散させて形
成させることができる。吸収体またはペイントは金属箔
、板または線材のような導体に適用させることができる
。
ントは基礎液体中にフィラメント/結合材分敗体を溶解
させるように基礎液体中にフィラメントを分散させて形
成させることができる。吸収体またはペイントは金属箔
、板または線材のような導体に適用させることができる
。
本発明の具体化の一つは少なくとも二つの1要成分を有
する非IIt性複合吸収体である。第一成分は約10ミ
クロンよりも少ない平均長さイ約0.1ミクLlンより
も大きい直径、および10:1と50:1の間の良さ対
直径比(「アスペクト比」》を有する針状磁性金属性多
結晶性フィラメント(または単に[フィラメント4)で
ある。第二成分は誘電性結合体でありその中にフィラメ
ントが分散され、そしてこれは複合吸収体の吸収性能に
奇与づる。
する非IIt性複合吸収体である。第一成分は約10ミ
クロンよりも少ない平均長さイ約0.1ミクLlンより
も大きい直径、および10:1と50:1の間の良さ対
直径比(「アスペクト比」》を有する針状磁性金属性多
結晶性フィラメント(または単に[フィラメント4)で
ある。第二成分は誘電性結合体でありその中にフィラメ
ントが分散され、そしてこれは複合吸収体の吸収性能に
奇与づる。
本発明のいま一つの具体化は導電性または絶縁性表向の
伺れかへの直接適用に対する吸収ペイントである。この
興体化はフィラメントそのものを基礎液体中に分散させ
るか、または複合吸収体を含有する顔料を形成しそして
顔料を基礎液中に溶解することによってつくることがで
きる。伺れの揚合に6ペイントは不導体のままでなけれ
ばならない。この理由のために、誘電性結合材は実質的
にフィラメントを取り巻きそしてそれらが相互に電気的
接触を防ぐので、複合吸収体顔料が好ましい。もしも吸
収体が顔料として使われるなら、結合林の選択は基礎液
体の選択によって決まるものではあるが、調製および使
用の容易さのため重合性結合体材料が好ましい。
伺れかへの直接適用に対する吸収ペイントである。この
興体化はフィラメントそのものを基礎液体中に分散させ
るか、または複合吸収体を含有する顔料を形成しそして
顔料を基礎液中に溶解することによってつくることがで
きる。伺れの揚合に6ペイントは不導体のままでなけれ
ばならない。この理由のために、誘電性結合材は実質的
にフィラメントを取り巻きそしてそれらが相互に電気的
接触を防ぐので、複合吸収体顔料が好ましい。もしも吸
収体が顔料として使われるなら、結合林の選択は基礎液
体の選択によって決まるものではあるが、調製および使
用の容易さのため重合性結合体材料が好ましい。
本発明の他の具体化には複合吸収体に隣接する導電体を
含む。導電体は吸収体を遮蔽するように設計させる目的
物であり、またはそれはマイク[1波を促進1る意図の
導電層である。
含む。導電体は吸収体を遮蔽するように設計させる目的
物であり、またはそれはマイク[1波を促進1る意図の
導電層である。
有効な吸収性構造を形成するためには、複含休は吸収さ
れるべき波長の40分の1 (2.5%)よりも大きい
輻射伝播の方向の厚さを有する形であるべきである。本
発明の複合体はおよそ2から200HZまでのマイク1
コ波区域の広い入射周波数範囲にロつで輻射を吸収して
、約0.037501よりも大きい厚さを与える。
れるべき波長の40分の1 (2.5%)よりも大きい
輻射伝播の方向の厚さを有する形であるべきである。本
発明の複合体はおよそ2から200HZまでのマイク1
コ波区域の広い入射周波数範囲にロつで輻射を吸収して
、約0.037501よりも大きい厚さを与える。
また本発明の何れの具体化に対しても入射媒体《通常は
空気》に対する吸収体に整合するインピーダンスが好ま
しいが要求はされない。典型的には整合は入射の表面に
おけるマイクロ波の反射を最少にづる透過率および誘電
率を有する材料によって行なわれる。通常そのようなイ
ンピーダンスに合致する材料の層は吸収体にまたは乾燥
した吸収ペイントに添加され、そして層の寸払、重量、
等は完全な設計中に考慮される。
空気》に対する吸収体に整合するインピーダンスが好ま
しいが要求はされない。典型的には整合は入射の表面に
おけるマイクロ波の反射を最少にづる透過率および誘電
率を有する材料によって行なわれる。通常そのようなイ
ンピーダンスに合致する材料の層は吸収体にまたは乾燥
した吸収ペイントに添加され、そして層の寸払、重量、
等は完全な設計中に考慮される。
総ての具体化は磁性金属性多結晶性フィラメントを用い
る。現在利用できるフィラメントは典型的にはフィラメ
ントの形を保持するために50500ミクロンの長さお
よび0.1から0.5ミクOンの直径範囲であり、アス
ペクト比は一般に500 : 1から1 000 :
1の間に保たれる。これらのフィラメントは本発明に使
用するためにミリングおよび研磨によって短かくするこ
とができる。フィラメントの平均寸沫は走査電子顕微鏡
によって行なわれる個々の測定から決定することができ
る。
る。現在利用できるフィラメントは典型的にはフィラメ
ントの形を保持するために50500ミクロンの長さお
よび0.1から0.5ミクOンの直径範囲であり、アス
ペクト比は一般に500 : 1から1 000 :
1の間に保たれる。これらのフィラメントは本発明に使
用するためにミリングおよび研磨によって短かくするこ
とができる。フィラメントの平均寸沫は走査電子顕微鏡
によって行なわれる個々の測定から決定することができ
る。
磁性金属性フィラメントの良さの減少は埋め込まれてい
る複合体材料の吸収性能を広げる。長いフィラメントは
そのS電性のため僅かに狭′い帯域の吸収応答を生じる
だけである、しかしフィラメントの双極モメントのため
に、例えばこの技術で知られているカーボニル鉄球のそ
れよりも一般に強い。しかし、本発明に使われる短かく
した、低アスペクト比の磁性金属性フィラメントは有効
で、そして多能的吸収体を生じて、広い周波数範囲にn
っで強い吸収強さを示す。この時点においてフィラメン
トの放散性性能は、それらの良さおよびアスペクト比に
加えて、部分的にはフィラメントの磁力的および金属的
性質に起因するものと我我は信じる。
る複合体材料の吸収性能を広げる。長いフィラメントは
そのS電性のため僅かに狭′い帯域の吸収応答を生じる
だけである、しかしフィラメントの双極モメントのため
に、例えばこの技術で知られているカーボニル鉄球のそ
れよりも一般に強い。しかし、本発明に使われる短かく
した、低アスペクト比の磁性金属性フィラメントは有効
で、そして多能的吸収体を生じて、広い周波数範囲にn
っで強い吸収強さを示す。この時点においてフィラメン
トの放散性性能は、それらの良さおよびアスペクト比に
加えて、部分的にはフィラメントの磁力的および金属的
性質に起因するものと我我は信じる。
また、この創意に富んだ吸収体は減少した容積負荷率を
有し(全吸収体容積の%としての吸収粒子WM)、これ
は最終生成物の重艶減少に導く。
有し(全吸収体容積の%としての吸収粒子WM)、これ
は最終生成物の重艶減少に導く。
例えば、カーボニル鉄微小球をベースとする複合体に対
する容積負荷率は典型的には40から65%までの範囲
である。本発明においては容積負荷率は吸収性能の減少
を伴なわずに25から35%まで低いであろう。
する容積負荷率は典型的には40から65%までの範囲
である。本発明においては容積負荷率は吸収性能の減少
を伴なわずに25から35%まで低いであろう。
減少した許容できる容積負向率はまた複合吸収体が絶縁
体であることを保証するのに役立ち、即ちそれは個々の
フィラメントの導電率にもかかわらず高い体抵抗率を有
づる。もしも体抵抗率が低く1きると、複合吸収体は実
際上1!電性シートとなり、これはマイクロ波を吸収す
る代りに反射Jる。例えば鉄の固有抵抗は至温において
は約10−5オームーαである。絶縁体は餞聖的に10
12オーム−1またはそれ以上の内部抵抗を1する。2
5%の容積負荷率の鉄フィラメントを有する本発11の
試料は室温においておよそ1.5×1013オーム−1
の内部抵抗が測定され、これは絶縁性を示す。
体であることを保証するのに役立ち、即ちそれは個々の
フィラメントの導電率にもかかわらず高い体抵抗率を有
づる。もしも体抵抗率が低く1きると、複合吸収体は実
際上1!電性シートとなり、これはマイクロ波を吸収す
る代りに反射Jる。例えば鉄の固有抵抗は至温において
は約10−5オームーαである。絶縁体は餞聖的に10
12オーム−1またはそれ以上の内部抵抗を1する。2
5%の容積負荷率の鉄フィラメントを有する本発11の
試料は室温においておよそ1.5×1013オーム−1
の内部抵抗が測定され、これは絶縁性を示す。
本発明ではいくつかの型のフィラメントを使うことがで
きる。鉄、ニッケル、およびコバルトのフィラメントが
好適であり、それらの合金も適している。例えば、鉄−
ニッケル、ニッケルーマンガン゜、および鉄一クUム合
金は、もしもそれらが適した寸法の針状の磁性金属多結
晶性フィラメントを形成するならば受容できる。・一つ
以上のタイプのフィラメントが単一吸収体で使うことが
でき、そして他の吸収材料(例えば、カーボニル鉄)は
個々の適用に対し吸収対周波数特性を適応させるために
複合材料に加えることができる。
きる。鉄、ニッケル、およびコバルトのフィラメントが
好適であり、それらの合金も適している。例えば、鉄−
ニッケル、ニッケルーマンガン゜、および鉄一クUム合
金は、もしもそれらが適した寸法の針状の磁性金属多結
晶性フィラメントを形成するならば受容できる。・一つ
以上のタイプのフィラメントが単一吸収体で使うことが
でき、そして他の吸収材料(例えば、カーボニル鉄)は
個々の適用に対し吸収対周波数特性を適応させるために
複合材料に加えることができる。
誘電性結合剤はセラミック、重合体、またはエラストマ
ーが1能である。高温度にさらす必要がある適用に対し
てはセラミック結合材が好ましく、一方重合体およびエ
ラストマー結合材はそれらの可撓性および軽聞性のため
に好まれる。ポリエチレン、ボリブ0ビレン、ポリメチ
ルメタクリレート、ウレタン、酢酸セル0−ス、エボキ
シ、およびポリデトラフルオロ1チレン(PrFE)を
含めて、多くの重合体結合材が好適である。重合体結合
材は熱硬化性ポリマー、熱+iJ塑性ポリマーまたは最
柊に適用される形状に決めるように形を変える適合性ポ
リマーがリ能である。例えば、熱−収縮性結合祠は、ポ
リエチレン、ボリブ0ビレン、およびポリ塩化ビニルの
ような交叉結合したまたは配向した結晶しつる材料から
;またはシリコーン、ポリアクリレート、およびボリス
チレンのような非品質材料から形成することができる。
ーが1能である。高温度にさらす必要がある適用に対し
てはセラミック結合材が好ましく、一方重合体およびエ
ラストマー結合材はそれらの可撓性および軽聞性のため
に好まれる。ポリエチレン、ボリブ0ビレン、ポリメチ
ルメタクリレート、ウレタン、酢酸セル0−ス、エボキ
シ、およびポリデトラフルオロ1チレン(PrFE)を
含めて、多くの重合体結合材が好適である。重合体結合
材は熱硬化性ポリマー、熱+iJ塑性ポリマーまたは最
柊に適用される形状に決めるように形を変える適合性ポ
リマーがリ能である。例えば、熱−収縮性結合祠は、ポ
リエチレン、ボリブ0ビレン、およびポリ塩化ビニルの
ような交叉結合したまたは配向した結晶しつる材料から
;またはシリコーン、ポリアクリレート、およびボリス
チレンのような非品質材料から形成することができる。
溶剤一収縮性または機械的に引伸ばしつる結合材は天然
ゴムのようなエラストマーまたは反応性ジェン ポリマ
ーのような合成ゴムが可能である:好適な溶剤は芳香族
および脂肪族炭化水素である。
ゴムのようなエラストマーまたは反応性ジェン ポリマ
ーのような合成ゴムが可能である:好適な溶剤は芳香族
および脂肪族炭化水素である。
そのような材料の特別の実例は米国特許第4,814,
546号(whitney等)中に教えラレル。
546号(whitney等)中に教えラレル。
好適なエラストマー性結合材は天然ゴムおよび[ネオプ
レン( NEOPIIENE ) Jの商品名によって
知られるボリクLlロブレンゴムのような合成ゴムであ
る。
レン( NEOPIIENE ) Jの商品名によって
知られるボリクLlロブレンゴムのような合成ゴムであ
る。
結合材は均質な、または米国特許第4,153.661
号( Hoe等》中に教えられるPTFE?トリックス
のような相互にもつれたフイブリルのマトリックスが可
能である。
号( Hoe等》中に教えられるPTFE?トリックス
のような相互にもつれたフイブリルのマトリックスが可
能である。
マイクロ波吸収被覆を有する電導体は複合吸収体を導体
上に押出すことによってつくることができる。多くのポ
リマー性結合材、特にポリ塩化ピニル、ボリアミド、お
よびポリウレタンは押し出しに好適である。電導体はワ
イヤー、ケーブル、または導電性プレートが可能である
。
上に押出すことによってつくることができる。多くのポ
リマー性結合材、特にポリ塩化ピニル、ボリアミド、お
よびポリウレタンは押し出しに好適である。電導体はワ
イヤー、ケーブル、または導電性プレートが可能である
。
結合材の的確な選択は望まれる最終吸収対周波数特性お
よび望まれる物理的適用によって決まる。
よび望まれる物理的適用によって決まる。
結合材の選択はまた複合吸収体、ペイントまたは被覆し
た導電体を集成するための手順および材料を決定する。
た導電体を集成するための手順および材料を決定する。
基礎的手順は下記の実施例によって例解される。
実施例1
A−Dと称される本発明の4試料をつくったが,これら
は生じたフィラメントの良さだけを異にした。各試料に
おいては桑型的に長さ50−200ミクOンおよび直径
0.1から0.5ミクロンまでの市場で入手できる10
0重量部の鉄フィラメントをメチルエチルケトンで醐ら
し、そしてより短かい長さにするために高速度ブレード
ミキサー中で1時囚粉砕した。短かくなったフィラメン
トが沈降した後に、過剰溶剤を傾潟除去した。フィラメ
ントをメチル1チルケトン中r8009の1.3sm+
直径のI4製ボールにより毎分15001弓転でllJ
arashi Kikai Seizo cospan
y Ltd.によって供給されるサンドミル中で再度
粉砕した。各四試料を異にした時間粉砕した。粉砕時問
は:試料Aが15分、試料13が20分、試料Cが60
分、そして試料Dが120分であった。
は生じたフィラメントの良さだけを異にした。各試料に
おいては桑型的に長さ50−200ミクOンおよび直径
0.1から0.5ミクロンまでの市場で入手できる10
0重量部の鉄フィラメントをメチルエチルケトンで醐ら
し、そしてより短かい長さにするために高速度ブレード
ミキサー中で1時囚粉砕した。短かくなったフィラメン
トが沈降した後に、過剰溶剤を傾潟除去した。フィラメ
ントをメチル1チルケトン中r8009の1.3sm+
直径のI4製ボールにより毎分15001弓転でllJ
arashi Kikai Seizo cospan
y Ltd.によって供給されるサンドミル中で再度
粉砕した。各四試料を異にした時間粉砕した。粉砕時問
は:試料Aが15分、試料13が20分、試料Cが60
分、そして試料Dが120分であった。
走査電子顕微m (SEM)によって粉砕した粒子を観
察すると、いくらかの個々のフィラメントは一隷に加圧
ざれてより大きい粒子になっていた。
察すると、いくらかの個々のフィラメントは一隷に加圧
ざれてより大きい粒子になっていた。
この効果は試FIDで最も著しかった。一般に、それら
がより広いフィラメントに一緒に加圧されるのと同程度
にー・体に加圧されることはない。これらの加圧された
フィラメントを分離する試みは行なわれず、そしてそれ
らの良さおよび直径はあたかもそれらが単一フィラメン
トであったように測定された。SEMもまたフィラメン
トが何れの選ばれる方向に6整列しなかったことを裏付
けた。
がより広いフィラメントに一緒に加圧されるのと同程度
にー・体に加圧されることはない。これらの加圧された
フィラメントを分離する試みは行なわれず、そしてそれ
らの良さおよび直径はあたかもそれらが単一フィラメン
トであったように測定された。SEMもまたフィラメン
トが何れの選ばれる方向に6整列しなかったことを裏付
けた。
ミク0ンによるフィラメント長さの分布を各試料に対し
測定し全フィラメントの%として第■表中に示す。%は
丸めるたためにて100にならない。各試料に対して約
150フィラメントを測定した。
測定し全フィラメントの%として第■表中に示す。%は
丸めるたためにて100にならない。各試料に対して約
150フィラメントを測定した。
第I表
試料による全フィラメントの%
ABCD
G−5 60 74 82
99it−15 6 6 5
021−2!) 1 1
1 0101−1!)O O 0
0 0最艮の艮さ、平均長さ、平均直径、
およびアスペクト比を各試料について第■表中に示し、
最初の3試料はミクロンで測定する。平均長さは各寸法
範囲の平均長さを使用し、各寸法範囲中の%分布によっ
て秤量した。
99it−15 6 6 5
021−2!) 1 1
1 0101−1!)O O 0
0 0最艮の艮さ、平均長さ、平均直径、
およびアスペクト比を各試料について第■表中に示し、
最初の3試料はミクロンで測定する。平均長さは各寸法
範囲の平均長さを使用し、各寸法範囲中の%分布によっ
て秤量した。
第■表
試料
ABC(1
最長の長さ 55 60 35
10平均長さ 6.2 5.4 4.7
2.6平均直径 0.25 0.25
0.25 G.2!)アスペクト比 24.8
21.6 18.8 10.4フィラメン
トの直径は粉砕によって本質的には不変であった、即ち
、それらは0.1から0. 5ミクロンまでの範囲であ
った。第■表は試料中の実質的に総てのフィラメントは
10ミクロンまたはそれ以下の良さを示したので、0.
1から0.5ミクロンまでの直径範囲は各試料中のフィ
ラメントが20:1と50:1の間の7スペクト比を有
1ることを意味1る。第■表の平均良さおよび直径値を
用いると、好ましいアスペクト比は10:1から25;
1ま1である。
10平均長さ 6.2 5.4 4.7
2.6平均直径 0.25 0.25
0.25 G.2!)アスペクト比 24.8
21.6 18.8 10.4フィラメン
トの直径は粉砕によって本質的には不変であった、即ち
、それらは0.1から0. 5ミクロンまでの範囲であ
った。第■表は試料中の実質的に総てのフィラメントは
10ミクロンまたはそれ以下の良さを示したので、0.
1から0.5ミクロンまでの直径範囲は各試料中のフィ
ラメントが20:1と50:1の間の7スペクト比を有
1ることを意味1る。第■表の平均良さおよび直径値を
用いると、好ましいアスペクト比は10:1から25;
1ま1である。
各試料に対し2つの主要成分から粉砕したフィラメント
を含有′tるペイントをつくった。第一の成分は(重蟻
で)198.0部のメチルエチルケトン、50.0部の
トルオール、43.6部のポリウレタン(B. F.
Goodrich COIIpanVがら供給されるf
ESTAHEJ型5703) 、および2.5部の好
適な分散剤(6酎COrpOrat ionから供給さ
れるEGAFAC J型RE−610)であった。この
成分はポリウレタンが溶解するまで撹拌した。第二成分
は(市世で)100部の短かくした鉄フィラメント試料
、2.7部のジフ1ニルメタン ジイソシアネート、J
3よび1.8部のプロピレン グリ〕−ル メヂルエー
テル アセテートであった。
を含有′tるペイントをつくった。第一の成分は(重蟻
で)198.0部のメチルエチルケトン、50.0部の
トルオール、43.6部のポリウレタン(B. F.
Goodrich COIIpanVがら供給されるf
ESTAHEJ型5703) 、および2.5部の好
適な分散剤(6酎COrpOrat ionから供給さ
れるEGAFAC J型RE−610)であった。この
成分はポリウレタンが溶解するまで撹拌した。第二成分
は(市世で)100部の短かくした鉄フィラメント試料
、2.7部のジフ1ニルメタン ジイソシアネート、J
3よび1.8部のプロピレン グリ〕−ル メヂルエー
テル アセテートであった。
二つの成分をブレード ミキサー中で混合して均質なペ
イントを形成した。各混合物を脱ガスしそして平らな表
面に流延し、次いで空気中で乾かし゛て揮発性ビヒクル
薬品を除去した。
イントを形成した。各混合物を脱ガスしそして平らな表
面に流延し、次いで空気中で乾かし゛て揮発性ビヒクル
薬品を除去した。
十分乾燥しそして硬化した後(約1−3日)、生じた輻
射吸収体を同軸マイクロ波吸収測定用円形ト0イダル(
toroidal> < rドーナツ形状」)試料に
機械加工した。試料の内側および外側直径はそれぞれ3
.5±0.0076amおよび7.0±0.0076a
mであった。各試料はHewlettPackardモ
デル8510A精密マイクロ波測定システムにつないだ
61艮さの同軸送気管中のよく知られている位置に±0
.1腫に置いlc.使用した基体は2.58の銹電率お
よび1.00の通気性を有していた。
射吸収体を同軸マイクロ波吸収測定用円形ト0イダル(
toroidal> < rドーナツ形状」)試料に
機械加工した。試料の内側および外側直径はそれぞれ3
.5±0.0076amおよび7.0±0.0076a
mであった。各試料はHewlettPackardモ
デル8510A精密マイクロ波測定システムにつないだ
61艮さの同軸送気管中のよく知られている位置に±0
.1腫に置いlc.使用した基体は2.58の銹電率お
よび1.00の通気性を有していた。
各試料について0.1から20.1GHZまでの201
スデップモード測定をした。試料による透過率および反
射率を、第1−4図中に示1ように、入射周波数の関数
としてyh電率および透過率の実および虚部分を計稗す
るために使用した。誘電率および透過率の虚部分の計咋
における誤差は典型的には測定の5%である。第1−4
図はフィラメント良さが誘電率の実および虚部分双方に
強く作用することを示1Ja誘電率の実の部分は虚部分
よりも著しく早く減少し、従って虚部分対実の部分の比
(複合体の吸収能力の尺度)はフィラメント長さの減少
と共に増加り゛る。測定される吸収体透過率に対して変
化するフィラメント良さの効果は一般に弱いが、試料D
における透過率の虚の部分は試料A−Cのものと比べる
と、特に低周波数において著しい減少を示す。この理由
のために、試料のそれぞれは受容できるマイクロ波吸収
体ではあるが、試料C(平均フィラメント長さが5ミク
ロン)が好ましい。
スデップモード測定をした。試料による透過率および反
射率を、第1−4図中に示1ように、入射周波数の関数
としてyh電率および透過率の実および虚部分を計稗す
るために使用した。誘電率および透過率の虚部分の計咋
における誤差は典型的には測定の5%である。第1−4
図はフィラメント良さが誘電率の実および虚部分双方に
強く作用することを示1Ja誘電率の実の部分は虚部分
よりも著しく早く減少し、従って虚部分対実の部分の比
(複合体の吸収能力の尺度)はフィラメント長さの減少
と共に増加り゛る。測定される吸収体透過率に対して変
化するフィラメント良さの効果は一般に弱いが、試料D
における透過率の虚の部分は試料A−Cのものと比べる
と、特に低周波数において著しい減少を示す。この理由
のために、試料のそれぞれは受容できるマイクロ波吸収
体ではあるが、試料C(平均フィラメント長さが5ミク
ロン)が好ましい。
我々のデータおよびより長いフィラメントを使用する吸
収体の既知の性能(例えば、米国特許第4,538.1
51号の100ミクロンよりも長いフィラメント)に基
づけば、本発明の改良された性能は部分的には平均長さ
10ミクロンまたはそれ以下、好ましくは約5ミクロン
、約0.1ミクロンよりも大きい直径、および50:1
と10:1の間、好ましくは25:1と10:1の間の
7スペクト比のフィラメントの使用にあると我々は信ず
る。
収体の既知の性能(例えば、米国特許第4,538.1
51号の100ミクロンよりも長いフィラメント)に基
づけば、本発明の改良された性能は部分的には平均長さ
10ミクロンまたはそれ以下、好ましくは約5ミクロン
、約0.1ミクロンよりも大きい直径、および50:1
と10:1の間、好ましくは25:1と10:1の間の
7スペクト比のフィラメントの使用にあると我々は信ず
る。
実施例2
鉄フィラメントを含む素材処方物を次のようにつくった
。始めに、52.495Fの合成ゴム(E.1. du
Pont de 14emours Cogipan
yによって供給される「ネオプレン]型W)を2本D−
ル ゴムミル上に集めぞして5分間混合して弾性相に達
せしめた。次いで0.52gのペンゾチアジン ジサル
ファイド、13.129のステアリン酸、および2.6
29のホワイト オイルを加え、そしてさらに5分間U
合を続けた。147.389の市販の長さのフィラメン
トを加えた後、フィラメントの長さ約6,5ミクロンお
よび平均直径0.26ミクロン、25:1のアスペクト
比になるまで祿合を続けた。次に0.26gのへキサメ
チレンテトラミン、0.26gのテトラメチルチウラム
ジナルフ/イドおよび0.52gのポリエチレン グ
リコールを含む映化促進剤をつくった。促進剤を鉄フィ
ラメント/結合材混合物中に混合して素材処方物をつく
った。結合材中へのフィラメントの容積負荷率を35%
になるように決めた。早ll]Vj!化を減じるために
素材処方物を30℃以ドに保った。
。始めに、52.495Fの合成ゴム(E.1. du
Pont de 14emours Cogipan
yによって供給される「ネオプレン]型W)を2本D−
ル ゴムミル上に集めぞして5分間混合して弾性相に達
せしめた。次いで0.52gのペンゾチアジン ジサル
ファイド、13.129のステアリン酸、および2.6
29のホワイト オイルを加え、そしてさらに5分間U
合を続けた。147.389の市販の長さのフィラメン
トを加えた後、フィラメントの長さ約6,5ミクロンお
よび平均直径0.26ミクロン、25:1のアスペクト
比になるまで祿合を続けた。次に0.26gのへキサメ
チレンテトラミン、0.26gのテトラメチルチウラム
ジナルフ/イドおよび0.52gのポリエチレン グ
リコールを含む映化促進剤をつくった。促進剤を鉄フィ
ラメント/結合材混合物中に混合して素材処方物をつく
った。結合材中へのフィラメントの容積負荷率を35%
になるように決めた。早ll]Vj!化を減じるために
素材処方物を30℃以ドに保った。
素材処方物の薄い厚さにしたシートを等量の酢酸ブチル
およびトルエンの基1!混合物中に溶解し、続いて2@
tlA撹拌した。これで試料Eと称1るペイントをつく
った。16.5n平方のアルミニウム板をペイントの薄
い被覆を反復吹きつけ、各吹き付けの間に15から30
分典型的に乾かした。
およびトルエンの基1!混合物中に溶解し、続いて2@
tlA撹拌した。これで試料Eと称1るペイントをつく
った。16.5n平方のアルミニウム板をペイントの薄
い被覆を反復吹きつけ、各吹き付けの間に15から30
分典型的に乾かした。
ペイントの固形物含晒を約15容障に保つために、同一
の酢酸ブチル/トルエン基礎混合物をペイント中に必要
なだけ加えた。約IJIIIIの最終吹付厚さに達した
ときに、被膜を乾かしそして室温で3日問硬化させた。
の酢酸ブチル/トルエン基礎混合物をペイント中に必要
なだけ加えた。約IJIIIIの最終吹付厚さに達した
ときに、被膜を乾かしそして室温で3日問硬化させた。
被覆したアルミニウム根を普通塗布側に入射するマイク
ロ波輻射を有する測定室中に取りつけた。
ロ波輻射を有する測定室中に取りつけた。
垂直から65°の角度に入射する横の磁気(TM)輻射
に対し入射周波数の関数としてp報ざれる吸収を計算す
るために透過率および反射率の実際の、測定を使用した
。予報される結束は第5図中に作図ざれ、そして6から
19GHZまでの13Gllzにdっで少なくとも10
dBそして10.5から13.5GHzまでの3 6B
@までの範囲に亘り少なくとも20dBの望ましい広く
そして強い吸収応答を示した。
に対し入射周波数の関数としてp報ざれる吸収を計算す
るために透過率および反射率の実際の、測定を使用した
。予報される結束は第5図中に作図ざれ、そして6から
19GHZまでの13Gllzにdっで少なくとも10
dBそして10.5から13.5GHzまでの3 6B
@までの範囲に亘り少なくとも20dBの望ましい広く
そして強い吸収応答を示した。
試料Fと名付けたペイントを下記の成分によって上の試
料Eに対するものと同−手順によってつくった;「ネオ
プレンJW型69.999 :ベンゾチアジン ジサル
ファイド、0.709:ステアリン酸、17.509;
白色鉱油3.50g:鉄フィラメント、196.509
:ヘキサメチレンテトラミン、0.35g:テトラメチ
ルチウラム ジサルファイド、0.359:ボリ1チレ
ングリコール、0.709。鉄フィラメントの容積負荷
率は25%であった。導電性板上に塗布した後、入射周
波数の1@数として、垂直から65°の角度に根上に入
射するTM輻射に対し吸収係数の実際的測定を行った。
料Eに対するものと同−手順によってつくった;「ネオ
プレンJW型69.999 :ベンゾチアジン ジサル
ファイド、0.709:ステアリン酸、17.509;
白色鉱油3.50g:鉄フィラメント、196.509
:ヘキサメチレンテトラミン、0.35g:テトラメチ
ルチウラム ジサルファイド、0.359:ボリ1チレ
ングリコール、0.709。鉄フィラメントの容積負荷
率は25%であった。導電性板上に塗布した後、入射周
波数の1@数として、垂直から65°の角度に根上に入
射するTM輻射に対し吸収係数の実際的測定を行った。
結果はまた第5図中に作図しそして5から16GHzま
で1 1 Gllzに亘って少なくとも10dB19か
ら12.50HZまで3.53.5dB幅ニEi*で少
なくとも20dB、および10.6から1 1 . 6
Gllzまで1dB幅に口ッて少なくとも30dBの望
ましく広いそして強い吸収応答が確証ざれる。
で1 1 Gllzに亘って少なくとも10dB19か
ら12.50HZまで3.53.5dB幅ニEi*で少
なくとも20dB、および10.6から1 1 . 6
Gllzまで1dB幅に口ッて少なくとも30dBの望
ましく広いそして強い吸収応答が確証ざれる。
実施例3
第6図中に略図で示される構造物を次のようにつくった
。鉄フィラメント43を実施例2の試料Eをつくるため
に使った素材処方物からつくった1.2agの厚さの薄
いシ一ト42中に分散させた。
。鉄フィラメント43を実施例2の試料Eをつくるため
に使った素材処方物からつくった1.2agの厚さの薄
いシ一ト42中に分散させた。
ポリ.■ステル支持体シート46の一側向2Eに蒸着さ
せたアルミニウムの導電性層48を、ポリエステル支持
体シート46と素材処方物の問のエチレン アクリルI
ll(FAA)型内部接着剤44によってシ一ト42に
接肴させた。これは輻射吸収体/導電性金n層構造を生
じこれは時たまダレンバツハ( Dallenbach
)構造として知られる。
せたアルミニウムの導電性層48を、ポリエステル支持
体シート46と素材処方物の問のエチレン アクリルI
ll(FAA)型内部接着剤44によってシ一ト42に
接肴させた。これは輻射吸収体/導電性金n層構造を生
じこれは時たまダレンバツハ( Dallenbach
)構造として知られる。
いま一つの試料、アルミニウム箔、
0.0085a厚さ、を導電性層48用に使用し、そし
て同一組成の吸収シートにポリエステル支持体46なし
で直接適用した。蒸着被覆したアルミニウム用のポリエ
ステル支持体46も、また内部接着剤44が導電性11
148および吸収層42の双方に接着するならば必要と
されないであろう。タイルを構成するときの材料の選択
およびそれが適用されるときの条件に応じていくつかの
型の内部接着剤44を使うことができる。何れの導電性
金属も導電性層48に対して適している。
て同一組成の吸収シートにポリエステル支持体46なし
で直接適用した。蒸着被覆したアルミニウム用のポリエ
ステル支持体46も、また内部接着剤44が導電性11
148および吸収層42の双方に接着するならば必要と
されないであろう。タイルを構成するときの材料の選択
およびそれが適用されるときの条件に応じていくつかの
型の内部接着剤44を使うことができる。何れの導電性
金属も導電性層48に対して適している。
事実、いくつかの結合材の選択に対しては、何れの内部
接着剤を全然使わずに吸収複合体を直接導電庖に塗布す
ることができる。例えば、吸収ベイン1・は実施例2の
ように作りそしー(好適な導電層に適用することができ
る。
接着剤を全然使わずに吸収複合体を直接導電庖に塗布す
ることができる。例えば、吸収ベイン1・は実施例2の
ように作りそしー(好適な導電層に適用することができ
る。
この具体化においては本発明の伺れもの具体化における
ように、インピーダンスが整合する廟56が好ましいが
必要なのではない。この層に好適な材料には上記の結合
材材料中に埋め込んだ空気−充填ガラス微小球のような
高容積の空気が詰ったポリマー材料を含む。
ように、インピーダンスが整合する廟56が好ましいが
必要なのではない。この層に好適な材料には上記の結合
材材料中に埋め込んだ空気−充填ガラス微小球のような
高容積の空気が詰ったポリマー材料を含む。
友監亘A
米国特許第4,153,661M(り一等)の方法に従
って相互にもつれ合ったポリテトラフルオ【】エチレン
(PTF[)フィプリルのマトリックス中の鉄フィラメ
ントを含む吸収体をつくった。
って相互にもつれ合ったポリテトラフルオ【】エチレン
(PTF[)フィプリルのマトリックス中の鉄フィラメ
ントを含む吸収体をつくった。
鉄フィラメントの水浸しにしたペーストの10.09お
よび4ccの水性PTFE分敗物(5.757gのPT
FE粒子)を約75℃で、二輪カレンダーで約75℃で
よく混合し、そして約75℃で乾かした。フィラメント
の良さは混合およびノjレンダー段階によって1から1
0ミクロンまでの見積った範囲にまで減少した。吸収体
の全容積中のホイスカーの容積負荷率は32.7%であ
ると計算された。透過率の実および虚の部分の測定は実
の部分は的4.0から約1.5まで2GHzから8GH
z範囲まで減じ;虚の部分は2G1−1zから20GI
Izの全範囲を1.0超え、そして5GHZ乃至QGH
Zの範囲で約2.0大きかった。
よび4ccの水性PTFE分敗物(5.757gのPT
FE粒子)を約75℃で、二輪カレンダーで約75℃で
よく混合し、そして約75℃で乾かした。フィラメント
の良さは混合およびノjレンダー段階によって1から1
0ミクロンまでの見積った範囲にまで減少した。吸収体
の全容積中のホイスカーの容積負荷率は32.7%であ
ると計算された。透過率の実および虚の部分の測定は実
の部分は的4.0から約1.5まで2GHzから8GH
z範囲まで減じ;虚の部分は2G1−1zから20GI
Izの全範囲を1.0超え、そして5GHZ乃至QGH
Zの範囲で約2.0大きかった。
本発明を例シ[するためにいくつかの代表的具体化を示
したが、この挾術に通じた人々には明らかであろうよう
に種々の変化および修正が、別項に述べられるその全範
囲から逸脱1ることなく行うことができる。
したが、この挾術に通じた人々には明らかであろうよう
に種々の変化および修正が、別項に述べられるその全範
囲から逸脱1ることなく行うことができる。
発明の4つの具体化例の誘電率および透磁率の実および
虚部分のグラフである。 第5−は入射輻射周波数の関数として本発明の一員体化
の予報した吸収応答、および本発明のいま一つの具体化
の実際の吸収応答の大きさである。 第6図は本発明の別の横断面図であって、同図中に記し
た数字は次のものを表わす: 40:複合吸収体 42:素材処方物43:鉄フィ
ラメント 44:内部接着剤46:ポリエステル支持体
シート 48:導電性層 56:インピーダンス調和層。 O ど 4 ta 8 /l) /ど /
4 /4 /J 20第1図−因係数(cse)
虚部分のグラフである。 第5−は入射輻射周波数の関数として本発明の一員体化
の予報した吸収応答、および本発明のいま一つの具体化
の実際の吸収応答の大きさである。 第6図は本発明の別の横断面図であって、同図中に記し
た数字は次のものを表わす: 40:複合吸収体 42:素材処方物43:鉄フィ
ラメント 44:内部接着剤46:ポリエステル支持体
シート 48:導電性層 56:インピーダンス調和層。 O ど 4 ta 8 /l) /ど /
4 /4 /J 20第1図−因係数(cse)
Claims (26)
- (1)約10ミクロンまたはそれ以下の平均長さ、約0
.1ミクロンまたはそれ以上の直径、および50:1と
10:1の間のアスペクト比を有し、誘電性結合材中に
分散される針状磁性金属フィラメントを含む絶縁性マイ
クロ波輻射吸収体。 - (2)フィラメントが約5ミクロンの平均長さを有する
請求第(1)項の吸収体。 - (3)フィラメントが25:1と10:1の間のアスペ
クト比を有する請求第(1)項の吸収体。 - (4)金属性磁性フィラメントが鉄、ニッケル、コバル
ト、およびそれらの合金から成る群から選ばれる請求第
(1)項の吸収体。 - (5)誘電性結合材がセラミックである請求第(1)項
の吸収体。 - (6)誘電性結合材が重合体である請求第(1)項の吸
収体。 - (7)重合性結合材が熱硬化性ポリマーおよび熱可塑性
ポリマーから成る群から選ばれるポリマーを含む請求第
(6)項の吸収体。 - (8)ポリマー結合材がポリエチレン、ポリプロピレン
、ポリメチルメタクリレート、ウレタン、酢酸セルロー
ス、およびポリテトラフルオロエチレンから成る群から
選ばれるポリマーを含む請求第(6)項の吸収体。 - (9)誘電性結合剤がエラストマーである請求第(1)
項の吸収体。 - (10)フィラメントの容積負荷率が35%またはそれ
以下である請求第(1)項の吸収体。 - (11)請求の範囲第(1)項の吸収体と整合インピー
ダンス材料を組合わせた物。 - (12)(a)請求の範囲第(1)項の吸収体を含む顔
料、および (b)その中に顔料が溶かされる基礎液体 を含む絶縁性マイクロ波輻射吸収ペイント。 - (13)基礎液体が酢酸ブチルおよびトルエンの混合物
である請求第(12)項のペイント。 - (14)請求第(1)項の吸収体で被覆された導電体。
- (15)吸収体および導電体が層になつたシート中に一
緒に接着された請求第(14)項の被覆された導電体。 - (16)インピーダンス整合層をさらに含む請求第(1
5)項のシート。 - (17)12GHzを含みそして少なくとも12GHz
の輻であるバンドにおいて少なくとも10dBの被覆の
後の吸収がある請求第(14)項に記載の被覆された導
電体。 - (18)バンド内のいくつかの周波数において少なくと
も20dBの吸収がある請求第(14)項の被覆される
導電体。 - (19)少なくとも3GHzの輻であるバンドにおいて
少なくとも20dBの吸収がある請求第(18)項の導
電体。 - (20)(a)約10ミクロンまたはそれ以下の平均長
さ、約0.1ミクロンまたはそれ以上の直 径、および50:1と10:1の間のアス ペクト比を有する針状磁性金属フィラメン トを形成すること; (b)段階(a)のフィラメントを誘電性結合材中に分
散させること;の段階を含む絶縁性マイクロ波輻射吸収
体を製造する方法。 - (21)(c)段階(b)で得られたものを基礎液体中
に溶解する段階をさらに含む請求第(20)項の方法。 - (22)(c)段階(b)で得られたものを導電体に適
用する段階をさらに含む請求第(20)項の方法。 - (23)段階(b)で得られたものを導電体に接着する
ために段階(c)が接着剤を使用する請求第(20)項
の方法。 - (24)段階(c)が段階(b)で得られたものを導電
体上に押し出す請求第(20)項の方法。 - (25)段階(b)で得られたものに整合インピーダン
ス材料を加える段階(c)をさらに含む請求第(20)
項の方法。 - (26)重合体結合材が、熱収縮牲ポリマー、溶剤収縮
性ポリマー、および機械的に引き延ばしうるポリマーか
ら成る群から選ばれるポリマーを含む請求第(6)項の
吸収体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30242789A | 1989-01-26 | 1989-01-26 | |
US302427 | 1989-01-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02235396A true JPH02235396A (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=23167694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015928A Pending JPH02235396A (ja) | 1989-01-26 | 1990-01-25 | 絶縁性マイクロ波輻射吸収体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0380267B1 (ja) |
JP (1) | JPH02235396A (ja) |
AU (1) | AU615817B2 (ja) |
CA (1) | CA2005198A1 (ja) |
DE (1) | DE69004109T2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5275880A (en) * | 1989-05-17 | 1994-01-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Microwave absorber for direct surface application |
IT1230281B (it) * | 1989-06-15 | 1991-10-18 | Sits Soc It Telecom Siemens | Procedimento per la realizzazione di assorbitori per campi elettromagnetici. |
US4972058A (en) * | 1989-12-07 | 1990-11-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Surface heating food wrap with variable microwave transmission |
JPH0935927A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Tokin Corp | 複合磁性体及びそれを用いた電磁干渉抑制体 |
DE19756620A1 (de) | 1997-12-19 | 1999-06-24 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Absorbermaterials |
ES2274674B1 (es) * | 2004-12-24 | 2008-04-16 | Micromag 2000, S.L. | Absorbedor de radiacion electromagnetica basado en microhilos magneticos. |
DE102007011590B4 (de) * | 2007-03-08 | 2008-12-04 | Genesis Adaptive Systeme Deutschland Gmbh | Materialverbund für die EMV-Abschirmung |
CN105670370B (zh) * | 2016-01-04 | 2017-11-03 | 北京环境特性研究所 | 一种毛条型宽频隐身材料 |
CN110854545B (zh) * | 2019-10-29 | 2021-03-16 | 南京邮电大学 | 一种基于水银热胀冷缩调控的频带转移吸波器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4538151A (en) * | 1982-03-31 | 1985-08-27 | Nippon Electric Co., Ltd. | Electro-magnetic wave absorbing material |
US4507224A (en) * | 1982-12-03 | 1985-03-26 | Agency Of Industrial Science & Technology | Ceramics containing fibers of silicon carbide |
WO1985002265A1 (en) * | 1983-11-07 | 1985-05-23 | The Dow Chemical Company | Low density, electromagnetic radiation absorption composition |
US4606848A (en) * | 1984-08-14 | 1986-08-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Radar attenuating paint |
EP0278458A3 (de) * | 1987-02-10 | 1989-12-06 | Buchtal Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Plattenförmiges, Elektrisch leitendes unglasiertes keramisches Element |
-
1989
- 1989-12-12 CA CA 2005198 patent/CA2005198A1/en not_active Abandoned
- 1989-12-21 AU AU47088/89A patent/AU615817B2/en not_active Ceased
-
1990
- 1990-01-22 EP EP19900300632 patent/EP0380267B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-22 DE DE1990604109 patent/DE69004109T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-25 JP JP2015928A patent/JPH02235396A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU4708889A (en) | 1990-08-02 |
AU615817B2 (en) | 1991-10-10 |
CA2005198A1 (en) | 1990-07-26 |
DE69004109T2 (de) | 1994-05-11 |
DE69004109D1 (de) | 1993-12-02 |
EP0380267A1 (en) | 1990-08-01 |
EP0380267B1 (en) | 1993-10-27 |
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