JPH02230703A - 電磁的変換器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、所定のパターンに配設された導体を有する電
磁的変換器に関するものであって、更に詳細には、顕著
な湾曲を持った表面上に配設したパターン形成した導体
に関するものである。

従来技術 電磁的信号の正確な変換を行なうために、変換器は正確
に知られた特性を有するものでなければならない。正確
に知られた特性は、二つの異なった方法で得ることが可
能である。最初の方法は、所定の形態とマッチすべく個
々の変換器を製造することであり、この場合には、製造
交差が存在し、それは各変換器の実際の特性を決定し且
つそれが意図した明細を充足するものであるか否かを決
定するために広範なテストを行なうことを必要とする。

２番目の方法は、各変換器が広範なテストから正確に知
られている特性の同一の構成の標準的な変換器に対する
明細とマッチするか又はマッチしないかを確立するため
に簡単なテストを使用することが可能な十分に厳格な交
差で変換器を製造することである。前者の場合、各変換
器の製造コストにかなりのテストコストが付加され、そ
の際にコストを実質的に増加させることとなる。後者の
場合、標準的変換器の広範なテストのコストは初期的な
開発コストの一部であり、それは生産体制における全て
の変換器に振り分けられる。システム間での部品の交換
性があること及び製造コスト及びテストコストを制限す
るという両方の理由から、後者の技術が好適であると一
般に介されている。しかしながら、全ての電磁的変換器
が後者の技術を使用することを可能とするのに必要な厳
格な交差で製造可能なものではない。後者の方法で製造
することが不可能な変換器の一つのタイプは、磁気共鳴
分光において使用されるセンサのピックアップコイルで
ある。

磁気共鳴分光において、強力で一様なＤＣバイアス磁界
が分析されるべきサンプルへ印加される。

この磁界は、そのサンプルを構成する原子の電子の正味
のスピン軸をＤＣバイアス磁界と平行に整合させる。セ
ンサ乃至はピックアップコイルは、二つの半割り部分を
有しており且つこの強力且つ一様な磁界内に位置され、
サンプルがこれら二つの半割り部分内に配置されて調査
される。摂動電流がこのセンサコイルを介して通過され
て、ＤＣバイアス磁界と直交する磁界を形成し、サンプ
ル物質における電子の軌道を再整合させて、それらのス
ピンはもはやＤＣバイアス磁界の方向ではなく、且つ好
適には、ＤＣバイアス磁界と直交させる。次いで、この
摂動電流はセンサコイルから除去され、そのことは摂動
磁界を除去する。次いで、これら電子のスピンは再度、
ＤＣバイアス磁界と平行に方位する。この電子スピンの
再方位によって発生される電磁的信号がピックアップコ
イルによって検知され且つ増幅され且つ磁気共鳴分光装
置の電子的部分によって分析される。該電磁的信号の周
波数は、そのサンプル内に存在する元素及び化合物によ
って決定され、且つそのサンプルの組成を決定するため
に処理することが可能な情報を与える。

該サンプルの物質の分光分析における最大精度のために
、センサコイルは、正確に知られた形態を有するもので
なければならず且つセンサコイルを介しての摂動電流が
主ＤＣバイアス磁界と平行に何ら著しい磁界成分を発生
することなしに主ＤＣバイアス磁界と垂直方向に方位さ
れた磁界を発生するように構成されるものでなければな
らない。

更に、ピックアップコイル自身は、該コイルを介しての
電流がそのＤＣバイアス磁界を変更させないためにバイ
アス磁界を介して何ら正味のターン即ち巻数を有するも
のであってはならない。

一つの従来の磁気共鳴分光ピックアップコイルは、内径
が約３／８インチであり壁厚さが約１／１６インチであ
って且つその外側表面上に配設したセンサコイルを持っ
た中空ガラス管である。このセンサコイルは、二つの直
径方向に対向する「平坦」又はパンケーキコイルを有し
ており、それらのコイルは該管の外部表面と適合してお
り且つ直列接続されている。分析されるべきサンプルが
この管を介して通過され且つそれがセンサコイルの二つ
の半割り部分間の管内に位置される時に分析される。

該センサコイルは、ホトリソグラフィ技術を使用するこ
とにより形成され、該コイルを好適には全《磁性物質を
有することがなく別個の平坦状の銅箔で画定する。該銅
箔はエッチングして、該コイルを残存させ、それを、次
いで、ガラス管の外部表面上へ装着し且つ接着させる。

該管上に該コイルを装着することは労働集約型のプロセ
スであり、それはオペレータが極めて注意深く行なった
としてもかなりの変動を発生するものである。その結果
、このタイプのセンサコイルは、センサコイルとして販
売し且つ使用するために配送することが容認される前に
広範且つ注意深く品質制御のテストを行なわねばならな
い。手動製造プロセス及び広範なテストの両方が必要で
あるということは、この様なセンサコイルのコストを顕
著に上昇させている。基本的な物質のコストは最小であ
るので、製造プロセス及びテストがコストに関しての主
要な要因である。

従って、改良され且つより廉価なコイルの構成及び製造
技術が所望されている。

目　　的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、正確な再現性を有し
ており高価なテストの必要性を解消した磁気共鳴センサ
を製造する方法を提供することである。本発明の別の目
的とするところは、磁気共鳴センサのコストを減少させ
ることを可能とする廉価な磁気共鳴センサ製造技術を提
供することである。本発明の更に別の目的とするところ
は、顕著な湾曲を持った表面上に精密な導体パターンを
製造する技術を提供することである。本発明の更に別の
目的とするところは、円筒状物体の表面上に精密なパタ
ーン形成した導体を製造する技術を提供することである
。本発明の更に別の目的とするところは、透明な場合と
することが可能な中空管の内側表面上に精密なパターン
形成した導体を製造する技術を提供することである。本
発明の更に別の目的とするところは、改良した磁気共鳴
センサを提供することである。本発明の更に別の目的と
するところは、改良した感度及び精度を持った磁気共鳴
センサを提供することである。

本発明の更に別の目的とするところは、ピックアップコ
イルが検査中のサンプル体積の直ぐそばに隣接する磁気
共鳴センサを提供することである。

構成 本発明によれば、上述した目的は、顕著な湾曲を持った
表面上における導体のパターン形成の光反応性制御を介
して行なわれる。本発明の一実施例によれば、光反応性
光波長に対して透明な中空管状部材の内側表面上にパタ
ーン形成した導体を設ける。この反応性光は、管状部材
の壁を介してその壁の内側表面上にフォーカス即ち合焦
され、該光がフォーカスされる内側表面の部分の上の導
電性物質の付着を誘発乃至は助長し、一方付着される導
電性物質に対するソース物質がそのフォーカス即ち合焦
される光の近傍に存在する。該導体のパターンは、フォ
ーカスされる光と該管との間の相対的運動によって決定
される。光化学反応によって付着される物質の上に爾後
に付加的な導電性物質を付着することにより一層厚い導
電層をうろことが可能である。その他のパターン形成技
術を使用することも可能である。

評価期間中にサンプルを閉込め且つその内側表面上に磁
気共鳴センサコイルを配設した中空管状部材の形態をし
た改良型磁気共鳴センサが提供される。これらのコイル
は、従来のコイルよりも一層多くのターン即ち巻数を有
することが可能であり、従ってそれらの感度は向上され
る。

実施例 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。

スペクト口スコビイ即ち分光において使用する従来の磁
気共鳴センサの構成を第１図に示してある。このセンサ
１０は、中空ガラス管１２を有しており、それは外部表
面１４と内部表面１６とを有している。磁気共鳴分光の
場合、この管は、典型的には、１インチ未満の直径であ
り且つ約３／８インチの内径を有することが可能である
。導体パターン２０が管１２の外部表面１４上に配設さ
れている。パターン２０は、二つの「平坦」なコイル２
２を有しており、それらは、直列に接続されており且つ
該導体の対向端部へ接続した外部リード２４及び２６を
有している。従来の製造技術によれば、この導体パター
ンは、銅箔をホトリソグラフィ処理することによって初
期的に形成されて、第２図に示した如く平坦なコイル形
態での導体２０を与える。組立て期間中、コイル片をそ
れらの所望の相対的位置に保持するために、ブリッジ接
続体２８が該銅箔のエッチングしたパターン内に包含さ
れている。該コイル２２は、直径方向に対向する位置に
おいて管１２上で組立てられ、第１図のセンサ１０を形
成する。一つの組立てプロセスは、コイルを位置させる
べき管の外部表面ヘエボキシ層を付与し、該コイルを所
定位置に位置させそのエボキシを硬化させることを可能
とすることを包含する。その後に、第２図に示した銅タ
ブ乃至はブリッジ２８を切断し且つ除去して、第１図に
示したガラス管上に所望のコイル形状を残存させる。こ
のプロセスは労働集約的であり、小さな部分を処理する
のに熟練を必要とし、且つコイル間の形状及び配置にお
ける変動の結果、センサ間の変動が発生する。センサが
使用のために容認されうる前に、与えられたセンサ１０
が明細を充足することを確保するためにかなりのテスト
を行なうことが必要である。磁気共鳴分光によって回折
されるべきサンプルを管１２を介して通過させ且つ回折
期間中既知の速度で移動させるか又は静止状態に保持す
る。該サンプルは、ピックアップコイルの二つの半割り
部分間に位置されている時に分析される。

本発明に基づいて構成された磁気共鳴センサ１００を第
３図に示してある。センサ１００は、外側表面１１４及
び内側表面１１６を持ったガラス管１１２を有している
。導電性パターン１２０が管１１２の内側表面１１６上
に配設されている。

パターン１２０は直列接続された二つのコイル１２２か
ら構成されており、該コイルの各々は複数個の長円状の
ターン即ぢ巻線部を有しており、それらの長い側部はガ
ラス管の長手軸と平行であり、且つこれらのコイルは互
いに直径方向に対向して位置されている。導体１２０は
、第一及び第二外部リード１２４及び１２６を有してい
る。リード１２４及び１２６は、好適には、ガラス管の
外側表面１１４へ取付けられており、且つガラス管壁内
の穴１１８を介してガラス管の内部へ延在している。こ
れらの穴１１８は、レーザで穿設するが又はその他の方
法で形成することが可能である。

内側表面１１６上の巻線１２２から外部リード１２４及
び１２６への接続は、穴１１８上の貫通メッキを介して
、又は該穴内に挿入したアイレットを介して、又はその
他の適宜の手段によって形成することが可能である。

以後に説明する製造方法においては、センサ１００は、
正確に再現性を持って製造され、与えられたセンサ１０
０が所定の明細を充足することを確保するために必要と
されるテストは最小である。

特に、巻線の隣接するターン即ち巻線部の間の形状及び
間隔における方位ずれ及び変動の問題は、本製造方法に
よって除去されており、その結果、センサ１００及びそ
の導電性パターン１２０に対する許容可能な形態が決定
され且つ形成されると、コイル位置、間隔及び方位にお
けるセンサ毎の変動に関する懸念は取り除かれている。

その結果、該センサが所定の明細を充足することを検証
するためには簡単なテストで十分である。

導電性パターン１２０について説明し且つガラス管１１
２の内側表面１１６上に配設するものとして示してあり
、それが好適なものではあるが、パターン形成した導体
は、所望により外側表面１１４上に形成することも可能
であることを理解すべきである。この様に外部に配置す
ることは、サンプルとコイルとの間の間隔を増加させ、
そのことは感度を減少させ、従って内側に配置する場合
よりも好適なものではないと考えられる。しかしながら
、感度における差異が許容可能なものと考えられる場合
には、外部に配置することも可能である。このコイルを
外部に配置することは、従来のセンサ１０と比較して顕
著な改良を提供する。

なぜならば、本発明コイルにおいては増加した数のター
ン即ち巻数を与えることが可能であり、且つ本発明コイ
ルを製造する場合に精度が増加されるからである。この
精度は、センサが所定の明細を充足することを検証する
のに必要なテスト量を最小とし、且つ所定の明細を充足
するものではないとして完成した製品を拒否する問題を
実質的に除去しており、その際に歩留りを向上すると共
にコストを低下することを可能としている。

本発明方法は、その表面に対して顕著な湾曲を持った管
又はその他の構成体の表面上に多くの異なった導体パタ
ーンを発生するために使用することが可能である。この
様な一つの別のパターンを第４図に示してあり、その場
合、変換器２００は、外側表面２１４及び内側表面２１
６を持った管２１２を有している。パターン形成した導
体２２０が管２１２の内側表面２１６工に配設されてい
る。

この導体２２０は、一端に接続されている第一外部リー
ド２２４及びその他方の端部に接続されている第二外部
リード２２６を持った単一のヘリカルスパイラル２２２
の形態である。リード２２４及び２２６は、好適には、
管壁内の穴を介して導体２２０へ接続されている。変換
器２００は、管２１２の軸方向に走る磁界を発生し又は
磁界に応答するのに適している。

導体パターンに関する多くの変形例が可能である。これ
らは、特に限定するものではないが、複数個の平行な導
体を有し、それらは例えばヘリカル形状とすることが可
能であり、又は一端部又は両端部で共通接続した複数個
の導体などとすることが可能である。本発明によれば、
画定すべき第二導体が付着された第一導体によってシャ
ドウ即ち覆われることがない限り、ほとんどいかなる導
電性パターンを形成することも可能である。このシャド
ウ問題は、シャドウが発生しない管壁を介して且つ該管
内のガスを介してレーザ光を投影しシャドウが発生する
管壁土にフォーカスさせることにより解消することが可
能である。当然、交差する導体が互いに絶縁され且つ同
一の壁表面上に配設される場合には、第二導体を付着す
る前に絶縁層を付与せねばならない。

センサ１００は、好適には、第５図に概略示した装置を
使用して第６図に示した方法によって製造する。

本プロセスにおける第一ステップは、管１１２内に、光
化学的反応性即ちアクチニック光がフォーカスされ゜る
管の壁上に導体を付着する物質を供給する。例えば、約
１００トールの圧力で水素ガスを混合した６弗化タング
ステン（ＷＦ６）をこの物質として使用して管壁上にタ
ングステンを付着させる。しかしながら、その他の多く
の物質を使用することも可能である。該管の端部は、好
適には、プラグで閉塞し、所望のガスを閉込め且つ不所
望のガスを排出する。本明細書においては、光反応性光
、反応性光、光化学的反応性光及びアクチニック光は交
換可能な用語として使用されており、それに露光された
場合に物質に物理的効果乃至は変化を発生する広い意味
において使用されている。このことは、状況によっては
、化学的変化、蒸発、昇華、層離脱又はその他の何れか
の物理的変化を包含することが可能である。

第二ステップは、管を長手軸１１３の周りに回転し且つ
その長手軸と平行に管を並進させることが可能な差動乃
至は駆動装置７２を具備する付着システム７０内に管１
１２を装着することである。

第三ステップは、レーザを管１１２上に指向させるため
の好適には連続波（ＣＷ）レーザであるレーザ７４を位
置決めし且つフォーカス（合焦）させることである。フ
ォーカッシング用対物レンズ７６を調節して、レーザビ
ームをレーザ源に最も近い管の内側表面上にフォーカス
させる。そのレーザビームを遮断するためにシャツタ７
８を使用することが可能である。このシステム全体は、
制御装置８０の制御下で動作し、手動的に動作させるこ
とも可能である。光化学的に活性であるエミッションス
ペクトルを持ったレーザが、使用される付着プロセスに
従って選択される。レーザのフォー力ッシングは、管を
位置決めする前に実施することが可能であり、一方導電
性パターンの所望の位置から離隔された管１１２の一部
にレーザを指向させている間に行なうことも可能であり
、又、導電性パターンを設ける区域の部分にレーザを指
向させている間に行なうことも可能である。

４番目に、レーザをターンオンし且つ駆動装置７２が管
１１２を、図示した実施例においてはタングステンを有
する導電層１２０の所望のパターンを管の内側表面１１
６上をフォーカスしたレーザビームがトレースするよう
なパターンで回転させ且つ並進させる。このレーザ光は
シャッタ７８によって又はレーザパワーをターンオフさ
せることによって、導電性トレースを付着させることな
しにある一点から別の点ヘスキップすることが所望され
る時に遮断させることが可能である。並進速度が最大で
毎秒１ｍｍであり５０ｍＷのパワーレベルで動作するス
ペクトラフィジックス社によって製造されているアルゴ
ンレーザモデル２０２５−０５の場合、特定したガスソ
ース物質で連続的な導電性トレースを発生することか判
明した。

その他のソース物質圧力及びその他のソース物質は、異
なったトレース速度を可能とするか又は必要とする場合
がある。最小導電性トレース幅は、レーザのフォーカス
によって決定される。従って、この例においては、レー
ザが約３０ミクロンの直径のスポットでフォーカスされ
る場合、約２０ミクロン幅のトレースが得られた。この
レーザを約１００ミクロンのスポット寸法にデエフォー
カスした場合、約６０ミクロン幅を持った連続的なトレ
ースが得られた。

第五に、パターンに対して高い導電度が所望される導電
性パターンの場合、例えば無電解メッキ又は電着などに
よって初期的なレーザによって誘発された付着物の上に
付加的な導電性物質を付着させることが可能であり、そ
れにより初期的な付着物を一層厚くさせ、それをより導
電度が高いものとし且つより多くの電流を担持すること
を可能とする。この様なメッキは、又、巻線の抵抗を著
しく減少させることが可能である。このことは、初期的
に付着した導電性物質が、タングステンよりも実質的に
高い導電度を持った例えば電着した銅などのような物質
とすることが可能な爾後に付着される物質と比較して比
較的高い抵抗を有するものである場合には特に有効であ
る。

６番目に、外部リードを該コイルの端部に取付ける。一
方、レーザ付着の前又は厚さ増加付着の前にこれらの外
部リードを取付けることも可能である。

前述したプロセスにおけるソース物質は、露光時におけ
るガスの代わりに液体又は固体とすることも可能である
。例えば、クロロホルム内の酢酸パラジウムの溶液を調
製し且つ管を該溶液中に浸漬することによって該管の内
部をその溶液でコーティングさせた。このコーティング
を空気中で乾燥させ、次いて前述したアクチニック照射
へ露光させ、所望の導電性パターンでパラジウムを付着
させた。次いで、該管をクロロホルム内においてリンス
することにより、露光されなかった酢酸パラジウム及び
露光した酢酸パラジウムからの残留物を除去した。次い
で、パラジウムが銅の付着を助長する無電解銅付着プロ
セスを使用してパラジウム上に銅を付着させた。

この同一のプロセスを、パラジウムの液体源としてクロ
ロホルム溶液中における酢酸パラジウムを使用して行な
うことも可能であり、その場合、該管をその溶液で充填
し、次いて該管を上述した如く所望のパターンで照明す
ることによって行なうことが可能である。該管を液体源
で充填する場合、爾後にレーザビームによってその液体
を加熱する場合に該管が爆発し該管、装置又はオペレー
タに損傷を与えることがないことを確保するために圧力
解放機構を設けるべきである。

有用なソース物質は、これらに限定するものではないが
、例えば、タングステン、亜鉛、アルミニウム、モリブ
デン、プラチナ、パラジウム、銅、金及びシリコンなど
の元素のカルボニル、アルキル、ハライド及び水素化合
物を包含している。光によって付着を誘発することが可
能な金属元素を有する任意の化合物をソース物質として
使用することが可能である。本発明に基づいてコイルを
製造するためにその他の多くの異なった方法を使用する
ことも可能である。例えば、管の内部表面上に連続的な
導電性膜を付着形成し、且つ管壁を介して導電層とガラ
スとの間の界面上にレーザをフォーカスさせて十分なパ
ワーを付与し、その導電層を昇華させ、蒸発又はそうで
なければ該表面から所定のパターンで分離させて、所定
のパターンに対応する位置においてのみ導体を残存させ
ることが可能である。

別の実施例においては、例えばアームストロングワール
ドインダストリーズインコーポレイテッドから入手する
ことが可能なファントンＦａｎｔｏｎ（商標）ホトレジ
ストなどのようなホトレジスト層を管の内側表面上に付
着形成し、管壁を介してトレースするレーザに露光させ
、次いで現像して所望の導体パターンのネガティブにお
いて該管の内側表面上にホトレジストを残存させる。こ
のトレース動作は、上述した如くガスから導電性物質を
直接付着するために使用されたものと同一の装置（第５
図）を使用して行なうことが可能である。Ｆａｎｔｏｎ
ホトレジストは、現在のところ、本発明においてこの様
に使用するのに好適である。なぜならば、その露光は、
その他のホトレジストよりもその厚さに対する感受性が
より少ないからである。次いで、該導体を該ホトレジス
ト上に付着形成し且つ該ホトレジストを除去して、該導
体が管表面上に直接的に付着されている部分を除いて該
導体をリフトオフすることが可能である。

更に別の実施例としては、該管の内部表面上に連続的な
導電性膜を形成し、且つその導電性膜上にＦａｎｔｏｎ
レジストを付着形成させることが可能である。次いで、
このレジストを、該管の内部からホトレジスト上に指向
されたレーザ光を使用して露光する。このレーザ光を指
向するために多様な手段を使用することが可能であるが
、オブチカルファイバは直径が小さく且つ表面上のスポ
ットのトレース動作に従ってホトレジストを露光するた
めに十分な光強度を担持することが可能であるので好適
である。その後に、そのホトレジストを現像し、該付着
した導体をエッチングするか、又はそうでなければ、該
ホトレジストを除去した箇所から除去し、次いで該ホト
レジストの残存する即ち保護部分を除去して管表面の内
部表面上に所望の導電性パターンを残存させる。この導
電性パターンも、無電解メッキ又は電着又はその他の付
着方法により厚くさせることが可能である。

上の説明においては、ガラス管の内側表面上に導電性パ
ターンを設ける場合についてのものであるが、同様の導
体パターンをガラス管の外側表面上に設けることも可能
であり、その場合に、導体パターンを内側表面上に配置
する場合に関して説明したのと同一の精度及び再現可能
性の利点を外側表面上に設ける場合にも得ることが可能
である。

以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
ではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種
々の変形が可能であることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気共鳴センサを示した概略図、第２図
は管へ適用する前の従来のセンサコイルを示した概略平
面図、第３図は本発明に基づいて構成された磁気共鳴セ
ンサを示した一部切断概略斜視図、第４図は中空管状部
材の内側表面上に配設した導体に対する別のパターンを
示した概略斜視図、第５図は本発明に基づいて変換器を
製造するための装置を示した概略図、第６図は本発明に
基づいて変換器を製造するプロセスを示した説明図、で
ある。 （符号の説明） １００　： １　１２　： １　１４　： １１６　： １２０　： １２２　： １２４， 磁気共鳴センサ ガラス管 外側表面 内側表面 導電性パターン コイル ：外部リード

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. １．管状軸及びその管状軸と平行な長さ及び内側表面を
   持った管状部材、前記内側表面上に配設したコイルを具
   備するパターン形成した導体を有することを特徴とする
   装置。
2. ２．特許請求の範囲第１項において、前記管状部材が１
   インチ未満の内側直径を有することを特徴とする装置。
3. ３．特許請求の範囲第１項において、前記管状部材が電
   気的に絶縁物質から構成されていることを特徴とする装
   置。
4. ４．特許請求の範囲第１項において、前記管状部材が部
   分的に導電性物質から構成されており且つ少なくとも前
   記パターン形成した導体が配設される部分における前記
   管状部材の内側表面を具備する電気的に絶縁性物質を有
   することを特徴とする装置。
5. ５．特許請求の範囲第１項において、前記管状部材が少
   なくとも幾つかのアクチニック光波長に対して本質的に
   透明である物質から構成されていることを特徴とする装
   置。
6. ６．特許請求の範囲第１項において、前記管状部材が非
   磁性部材から構成されていることを特徴とする装置。
7. ７．特許請求の範囲第１項において、前記コイルがヘリ
   カル形状であり、そのコイル軸が前記管状軸と平行であ
   ることを特徴とする装置。
8. ８．特許請求の範囲第７項において、前記コイルが前記
   管状軸と実質的に垂直なコイル軸を有することを特徴と
   する装置。
9. ９．特許請求の範囲第１項において、前記パターン形成
   した導体が、前記管状部材の前記内側表面によって包囲
   される体積の対向側部上にそれぞれの中心を有する２個
   のコイルを有することを特徴とする装置。
10. １０．特許請求の範囲第９項において、前記二つのコイ
    ルが、前記管状軸と交差する共通コイル軸上に配設され
    ていることを特徴とする装置。
11. １１．特許請求の範囲第９項において、前記二つのコイ
    ルが直列接続されていることを特徴とする装置。
12. １２．特許請求の範囲第１項において、前記パターン形
    成した導体が、前記内側表面に隣接し且つ前記内側表面
    から離隔する異なった組成を有することを特徴とする装
    置。
13. １３．特許請求の範囲第１２項において、前記パターン
    形成した導体が、前記管の前記内側表面上に配設したタ
    ングステン、亜鉛、アルミニウム、モリブデン、プラチ
    ナ、パラジウム、銅、金及びシリコンから構成されるグ
    ループから選択される物質で構成される初期層を有する
    ことを特徴とする装置。
14. １４．特許請求の範囲第１３項において、前記パターン
    形成した導体が、前記初期層と密接し且つその上に配設
    された銅及び金からなるグループから選択された導電性
    物質の別の層を有することを特徴とする装置。
15. １５．内側表面と外側表面と管状軸に平行な長さを持っ
    た管状部材、前記外側表面上に配設したパターン形成し
    た導体、を有しており、前記パターン形成した導体が前
    記管状部材の前記外側表面に隣接し且つ離隔して異なっ
    た組成を有していることを特徴とする装置。
16. １６．特許請求の範囲第１５項において、前記パターン
    形成した導体がコイルを有することを特徴とする装置。
17. １７．特許請求の範囲第１５項において、前記パターン
    形成した導体が、前記管状部材の対向側部上に配設した
    中心を持った二つのコイルを有していることを特徴とす
    る装置。
18. １８．特許請求の範囲第１７項において、前記二つのコ
    イルが前記管状軸に実質的に垂直な共通コイル軸を共用
    することを特徴とする装置。
19. １９．中空管状部材の内側表面上に所望の導体パターン
    を形成する方法において、前記中空管状部材を設け、前
    記中空管状部材内に前記管状部材の前記内側表面上に付
    着されるべき導体物質源を設け、前記物質源から前記管
    状部材の前記内側表面上に前記導電物質を付着させるこ
    とが可能な波長を持った光化学的に活性な光の供給源を
    設け、前記光を前記所望の導体パターンに対応するパタ
    ーンで前記内側表面上に指向させて前記光が前記内側表
    面に当たる前記内側表面上に前記物質源から前記導電性
    物質の付着を発生させることを特徴とする方法。
20. ２０．特許請求の範囲第１９項において、前記物質源を
    供給するステップが、流体源物質を供給することを特徴
    とする方法。
21. ２１．特許請求の範囲第２０項において、前記流体源物
    質が金属元素化合物を有することを特徴とする方法。
22. ２２．特許請求の範囲第２１項において、前記金属元素
    が、タングステン、亜鉛、アルミニウム、モリブデン、
    プラチナ、パラジウム、銅、金及びシリコンから構成さ
    れるグループから選択されるものであることを特徴とす
    る方法。
23. ２３．特許請求の範囲第１９項において、前記物質源を
    供給するステップが、気体源物質を供給することを特徴
    とする方法。
24. ２４．特許請求の範囲第２０項において、前記指向する
    ステップの後に、前記パターン形成した導体上に付加的
    な導電性物質を付着させることにより前記パターン形成
    した導体の厚さを増加させることを特徴とする方法。
25. ２５．中空管状部材の内側表面上にパターン形成した導
    体を形成する方法において、前記中空管状部材を供給し
    、前記中空管状部材の前記内側表面の少なくとも一部上
    に導電性物質からなる連続層を形成し、前記管状部材の
    前記内側表面から前記導電性物質からなる連続層の一部
    を選択的に除去して前記管状部材の前記内側表面上に所
    定パターンの導電性物質を残存させることを特徴とする
    方法。
26. ２６．特許請求の範囲第２５項において、前記除去する
    ステップが、光の源を供給し、前記光によって照明され
    た導電性物質を前記管状部材の前記内側表面から及び前
    記光に露光されなかった前記導電層の部分から分離させ
    るのに十分な強度及び時間で除去することが所望される
    前記導電性物質からなる連続層の部分上に前記源からの
    光を指向させることを特徴とする方法。
27. ２７．特許請求の範囲第２５項において、前記源からの
    光が小さなスポットの形で前記層上へ指向され、且つ前
    記方法が、更に、前記スポットを導電性物質が除去され
    る区域を追従するパターンで前記管状部材と相対的に移
    動させることを特徴とする方法。
28. ２８．特許請求の範囲第２６項において、前記管状部材
    が前記光に対して透明であり、且つ前記光が前記管状部
    材の壁の厚さを介して前記壁と接触する前記導電層の表
    面上へ指向されることを特徴とする方法。
29. ２９．特許請求の範囲第２８項において、前記光が前記
    中空管状部材の中空内部内から前記導電層上へ指向され
    ることを特徴とする方法。
30. ３０．特許請求の範囲第２８項において、前記指向ステ
    ップが、前記光を、前記管状部材の中空内部内へ延在す
    る光学的透過系を介して通過させることを特徴とする方
    法。
31. ３１．特許請求の範囲第３０項において、前記光を光学
    的透過系を介して通過させるステップが、前記光をオプ
    チカルファイバ透過系を介して通過させることを特徴と
    する方法。
32. ３２．特許請求の範囲第２６項において、前記光の源を
    供給するステップが、前記選択的除去ステップを実施す
    るのに適した波長を持ったレーザを供給することを特徴
    とする方法。
33. ３３．特許請求の範囲第２５項において、前記選択的に
    除去するステップが、前記中空管状部材の内部内の前記
    導電層上にホトレジスト層を付着し、前記ホトレジスト
    を前記所望の導体パターンに対応するパターンで露光し
    且つ現像し、前記ホトレジストによって保護されていな
    い前記導電層の部分を除去することを特徴とする方法。
34. ３４．特許請求の範囲第３３項において、更に、前記保
    護されていない導電物質を除去するステップの後に、前
    記導電層の残存部分から前記ホトレジスト層の残存部分
    を除去することを特徴とする方法。
35. ３５．特許請求の範囲第３４項において、更に、前記ホ
    トレジスト層の前記残存部分を除去するステップの後に
    、前記導電層の残存部分上に付加的な導電性物質を付着
    することにより前記導電パターンの厚さを増加させるこ
    とを特徴とする方法。
36. ３６．特許請求の範囲第３２項において、前記ホトレジ
    スト層を付着するステップが、ファントン（Ｆａｎｔｏ
    ｎ）ホトレジストの層を付着させることを特徴とする方
    法。