JPH0222639A - Ｘ線像形成装置 - Google Patents
Ｘ線像形成装置Info
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- JPH0222639A JPH0222639A JP1113565A JP11356589A JPH0222639A JP H0222639 A JPH0222639 A JP H0222639A JP 1113565 A JP1113565 A JP 1113565A JP 11356589 A JP11356589 A JP 11356589A JP H0222639 A JPH0222639 A JP H0222639A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/26—Measuring radiation intensity with resistance detectors
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘ線を電荷パターンに変換し、Ｘ線露光の前
に帯電され、露光後に電荷パターンを検出するため表面
が走査される光導電体によりＸ線像を形成する装置に関
する。同様な装置は本質的にはＤ Ｅ −ＯＳ ２９４
８６６０より公知である。
に帯電され、露光後に電荷パターンを検出するため表面
が走査される光導電体によりＸ線像を形成する装置に関
する。同様な装置は本質的にはＤ Ｅ −ＯＳ ２９４
８６６０より公知である。
理想的な光導電体は、露光されていない時は絶縁体であ
る。露光中、つまり光線による照射中にのみ導電性とな
り、その導電率は放射強度が強いほど高くなる。従って
、照射領域においては、事前帯電中に形成された電荷密
度は、当該領域が露光される線量の関数として減少する
。このようにして光導電体の表面上に形成され、特にｘ
ｍ線量の空間的分布（「潜像」又は「電荷像」）に略対
応する２次元電荷パターンは、走査装置により電気信号
に変換される。これらの信号は、増幅され、濾波され、
ディジタル化され、記憶される。このようにするとディ
ジタル画像処理に利用しうるようになる。
る。露光中、つまり光線による照射中にのみ導電性とな
り、その導電率は放射強度が強いほど高くなる。従って
、照射領域においては、事前帯電中に形成された電荷密
度は、当該領域が露光される線量の関数として減少する
。このようにして光導電体の表面上に形成され、特にｘ
ｍ線量の空間的分布（「潜像」又は「電荷像」）に略対
応する２次元電荷パターンは、走査装置により電気信号
に変換される。これらの信号は、増幅され、濾波され、
ディジタル化され、記憶される。このようにするとディ
ジタル画像処理に利用しうるようになる。
かかる装置によりＸ１１ｍを形成する場合、別のＸ線像
が短時間以前に形成されていると、形成されたＸ線像に
人為結果（ａｒｔｅｆａｃｔｓ ）が生じやすい。本発
明の目的は、この人為結果の発生がおさえられるように
前記の種類の装置を構成するにある。この目的は、Ｘ線
露光中の光導電体の表面上の電荷密度の低下を所定値ま
でに制限する再帯電装置が設けられた本発明により実現
される。
が短時間以前に形成されていると、形成されたＸ線像に
人為結果（ａｒｔｅｆａｃｔｓ ）が生じやすい。本発
明の目的は、この人為結果の発生がおさえられるように
前記の種類の装置を構成するにある。この目的は、Ｘ線
露光中の光導電体の表面上の電荷密度の低下を所定値ま
でに制限する再帯電装置が設けられた本発明により実現
される。
本発明は、前述の人為結果が、Ｘ線露光に続く光導電体
の再帯電後、以前の露光中にＸ線に特に強く露光された
領域は、暗闇であっても特に急速に放電されることに起
因すること、及びこの効果は光導電体がＸ線露光中当該
領域で特に強く放電されることによるという認識に基く
。露光中の放電が所定値までに制限されるため、かかる
強度の放電は防止されるので光導電体は再帯電後の当該
領域で特に急速に放電することはない。
の再帯電後、以前の露光中にＸ線に特に強く露光された
領域は、暗闇であっても特に急速に放電されることに起
因すること、及びこの効果は光導電体がＸ線露光中当該
領域で特に強く放電されることによるという認識に基く
。露光中の放電が所定値までに制限されるため、かかる
強度の放電は防止されるので光導電体は再帯電後の当該
領域で特に急速に放電することはない。
再帯電装置は原則として、電荷密度が事前設定値以下に
低下すると光導電体の表面が帯電されるように電位が選
定された電荷担体源からなる。かかる再帯電装置の好ま
しい実施例は、コロナ放電装置からなり、前記コロナ放
電装置と光導電体との間には、Ｘ線露光中に露光される
光導電体の領域を覆い光導電体の表面の電位をグリッド
電位に略対応する値に制限するグリッドが配設されるこ
とを特徴とする。
低下すると光導電体の表面が帯電されるように電位が選
定された電荷担体源からなる。かかる再帯電装置の好ま
しい実施例は、コロナ放電装置からなり、前記コロナ放
電装置と光導電体との間には、Ｘ線露光中に露光される
光導電体の領域を覆い光導電体の表面の電位をグリッド
電位に略対応する値に制限するグリッドが配設されるこ
とを特徴とする。
本発明の別の実施例では、コロナ放電装置は、Ｘ１１露
光前に光導電体の帯電を行ない、かかる帯電後にグリッ
ドと光導電体を支持する導電性基体との間の電圧が低い
値まで引き下げられる。
光前に光導電体の帯電を行ない、かかる帯電後にグリッ
ドと光導電体を支持する導電性基体との間の電圧が低い
値まで引き下げられる。
コロナ放電装置は、動作状態で高電圧に接続されてコロ
ナ放電を引き起こす１つ又は複数の平行なワイヤからな
る。これらのワイヤがｘｍ像に写り込むのを防ぐため本
発明の別の実施例では、グリッドと光導電体の表面との
間に相対運動を起こさせる駆動装置が設けられる。
ナ放電を引き起こす１つ又は複数の平行なワイヤからな
る。これらのワイヤがｘｍ像に写り込むのを防ぐため本
発明の別の実施例では、グリッドと光導電体の表面との
間に相対運動を起こさせる駆動装置が設けられる。
例えばアモルファスセレン等の光導電体の表面が、比較
的大きい放射線量（＞１００μＧｙ）に露光される場合
、後続する帯電直後の暗放電速度、つまり非露光光導電
性についての単一時間当たりの表面電位の変化は初め大
きく増大するが、数分経過すると正常値に戻る。第１図
の曲線ａは、１ｍＧｙの線量でのｘＩｉＩＢ光に後続す
る暗放電速度（Ｖ／分で表示）の時間変化の典型例を表
わす。
的大きい放射線量（＞１００μＧｙ）に露光される場合
、後続する帯電直後の暗放電速度、つまり非露光光導電
性についての単一時間当たりの表面電位の変化は初め大
きく増大するが、数分経過すると正常値に戻る。第１図
の曲線ａは、１ｍＧｙの線量でのｘＩｉＩＢ光に後続す
る暗放電速度（Ｖ／分で表示）の時間変化の典型例を表
わす。
ここで時間は分である。比較のため曲線Ｃは、事前露光
がない場合の同一の光導電体の暗放電速度を表わす。
がない場合の同一の光導電体の暗放電速度を表わす。
医療Ｘ線診断では、照射された対象が放射の大部分を部
分的に吸収するので、強度１ｍＧｙの程度の線量が光導
電体の少なくとも一部に入射することがしばしばある。
分的に吸収するので、強度１ｍＧｙの程度の線量が光導
電体の少なくとも一部に入射することがしばしばある。
実際の像の領域では、強度１乃至１０μＧＶ程度のみの
線量が光導電体に入射するが、光導電体の所定領域では
減衰されていない直線放射に露光されるのは避けられな
い。
線量が光導電体に入射するが、光導電体の所定領域では
減衰されていない直線放射に露光されるのは避けられな
い。
毎分１回又はそれ以上の露光頻度では、第１図かられか
るように、前回の露光中直接放射の影響化に強い露光が
なされた光導電体の領域では暗電流速度は時間により大
きく変化する。従って光導電体の表面上の電荷パターン
を影響探針装置で走査される時点では、電荷パターンは
ｘｉ像を正確に表現しておらず、そのため前述の人為結
果が生じる。このことはまた、ドイツ特許出願ｐ ３５
２９１０８に記載されている如き暗放電像の減算による
暗放電効果の補正を相当に困難にする。
るように、前回の露光中直接放射の影響化に強い露光が
なされた光導電体の領域では暗電流速度は時間により大
きく変化する。従って光導電体の表面上の電荷パターン
を影響探針装置で走査される時点では、電荷パターンは
ｘｉ像を正確に表現しておらず、そのため前述の人為結
果が生じる。このことはまた、ドイツ特許出願ｐ ３５
２９１０８に記載されている如き暗放電像の減算による
暗放電効果の補正を相当に困難にする。
前述の暗放電速度の増加は、本発明により相当に低減さ
れる。
れる。
第２図は本発明による装置を表わす。参照番号１は、患
者３に照射され、光導電体装置で電荷パターンに変換さ
れるＸ線ビーム２を発生するＸ線源を示す。光導電体装
置は、０．５％のヒ化物がドーピングされたセレンから
なり、アルミニウム電極４上に設けられた厚さ０．５Ｍ
の層５からなる。
者３に照射され、光導電体装置で電荷パターンに変換さ
れるＸ線ビーム２を発生するＸ線源を示す。光導電体装
置は、０．５％のヒ化物がドーピングされたセレンから
なり、アルミニウム電極４上に設けられた厚さ０．５Ｍ
の層５からなる。
アルミニウム電極は適当な絶縁基体１４上に設けられる
。セレン層５から僅かな距離のところにグリッド制御コ
ロナ放電装置が設けられる。この装置は、Ｘ線を大きく
減衰せしめないしような材料と壁厚のハウジング６から
なり、薄いアルミニウムシート又は一方の側面に薄い層
６が設けられたプラスチックシート製としつる。導電性
のハウジング壁は接地される。ハウジングの寸法は、光
導電体層の寸法に対応する。
。セレン層５から僅かな距離のところにグリッド制御コ
ロナ放電装置が設けられる。この装置は、Ｘ線を大きく
減衰せしめないしような材料と壁厚のハウジング６から
なり、薄いアルミニウムシート又は一方の側面に薄い層
６が設けられたプラスチックシート製としつる。導電性
のハウジング壁は接地される。ハウジングの寸法は、光
導電体層の寸法に対応する。
ハウジング内には互いに平行に、また光導電体５の表面
に平行に延在し、相互に電気接続されたワイヤ７が設け
られる。ハウジングは、光導電体を向く面が電気的制御
可能グリッド８により閉鎖される。グリッドは、光導電
体から僅かな距離（典型的には０，２乃至２．０ｍｓ＋
）にあり、小さいメツシュサイズ（典型的には０．１乃
至０．５履）を有する。
に平行に延在し、相互に電気接続されたワイヤ７が設け
られる。ハウジングは、光導電体を向く面が電気的制御
可能グリッド８により閉鎖される。グリッドは、光導電
体から僅かな距離（典型的には０，２乃至２．０ｍｓ＋
）にあり、小さいメツシュサイズ（典型的には０．１乃
至０．５履）を有する。
Ｘ線露光に先立って光導電体５の表面が帯電される。こ
の目的のため例えば（ハウジング６に対し’） １７５
０Ｖの電圧■０がアルミニウム電極４に印加される。正
の高電圧ＶＳがワイヤに印加される。
の目的のため例えば（ハウジング６に対し’） １７５
０Ｖの電圧■０がアルミニウム電極４に印加される。正
の高電圧ＶＳがワイヤに印加される。
正の電圧の値は、光導電体の表面が１０乃至１００ｍ５
の期間内にグリッドの電位Ｖｇまで帯電されるように選
定される。グリッドの電位は大地の電位（ＯＶ）に対応
するか僅かに負であるため、コロナ放電によりワイヤ７
付近で発生される電荷担体は全てグリッド方向へ加速さ
れる。光導電体の表面電位がグリッドの電位に達すると
、ワイヤ７が発生する電荷担体はグリッドにより捕獲さ
れて光導電体には達しなくなる。従って所望の表面電位
が略正確に表面で得られ、グリッド制御コロナ放電装置
６・・・８の構成による表面電位の変動は０．１Ｖ以下
である。
の期間内にグリッドの電位Ｖｇまで帯電されるように選
定される。グリッドの電位は大地の電位（ＯＶ）に対応
するか僅かに負であるため、コロナ放電によりワイヤ７
付近で発生される電荷担体は全てグリッド方向へ加速さ
れる。光導電体の表面電位がグリッドの電位に達すると
、ワイヤ７が発生する電荷担体はグリッドにより捕獲さ
れて光導電体には達しなくなる。従って所望の表面電位
が略正確に表面で得られ、グリッド制御コロナ放電装置
６・・・８の構成による表面電位の変動は０．１Ｖ以下
である。
帯電後又はＸ線露光開始時にコロナ放電が停止されると
、光導電体５は、後続するＸ線露光中にＸ線線量出力に
略比例する速度で放電される。放電は、Ｘ線管１が前も
ってスイッチが切られないなら光導電体の表面の電荷が
低下して始めて停止する。ｘａｉ光中におけるＸ線線Ｉ
Ｉ（μＧＶで測定）の関係としての表面電位の変化は、
典型的には第３図の曲線ｄにより表わされるように変化
する。
、光導電体５は、後続するＸ線露光中にＸ線線量出力に
略比例する速度で放電される。放電は、Ｘ線管１が前も
ってスイッチが切られないなら光導電体の表面の電荷が
低下して始めて停止する。ｘａｉ光中におけるＸ線線Ｉ
Ｉ（μＧＶで測定）の関係としての表面電位の変化は、
典型的には第３図の曲線ｄにより表わされるように変化
する。
しかし本発明においてはコロナ放電装置は、Ｘ線露光中
停止されず、グリッドの電位と基体の電位との差Ｖａ−
Ｖｏが、例えば−９００ｖの負の電位Ｖｇを制御゛グリ
ッド８に印加することにより減らされるのみで運動され
続ける。従って光導電体の放電は、その表面電位がいず
れかの領域でのグリッド電位の値に達すると即座に停止
される。これは、その際制御グリッドが正の電荷担体に
対し透過性を有するようになり、これらの電荷担体が光
導電体の表面の対応する領域に達して、照射により引き
起こされる放電電流を補償するためである。従って表面
電位は放射線量の関数として第３図の曲線ｅにより表わ
されるように変化する。この曲線は、約１００μＧＶの
限界線１０１までは曲線ｄと一致するが、それ以後は放
射線量に対し略独立する。
停止されず、グリッドの電位と基体の電位との差Ｖａ−
Ｖｏが、例えば−９００ｖの負の電位Ｖｇを制御゛グリ
ッド８に印加することにより減らされるのみで運動され
続ける。従って光導電体の放電は、その表面電位がいず
れかの領域でのグリッド電位の値に達すると即座に停止
される。これは、その際制御グリッドが正の電荷担体に
対し透過性を有するようになり、これらの電荷担体が光
導電体の表面の対応する領域に達して、照射により引き
起こされる放電電流を補償するためである。従って表面
電位は放射線量の関数として第３図の曲線ｅにより表わ
されるように変化する。この曲線は、約１００μＧＶの
限界線１０１までは曲線ｄと一致するが、それ以後は放
射線量に対し略独立する。
第１図の曲線すは、表面の電荷密度又は電位が限界値以
下に低下し、第３図の曲線ｅに従って再帯電されて当該
領域において所定電位又は所定電荷密度が発生する光導
電体の暗放電速度の時間変化を表わす。表面における電
荷密度又は電位のこの制限により、暗放電効果が、前回
露光に対する再帯電がなされない場合の暗放電（曲線ａ
）と比べて大幅に減少する。
下に低下し、第３図の曲線ｅに従って再帯電されて当該
領域において所定電位又は所定電荷密度が発生する光導
電体の暗放電速度の時間変化を表わす。表面における電
荷密度又は電位のこの制限により、暗放電効果が、前回
露光に対する再帯電がなされない場合の暗放電（曲線ａ
）と比べて大幅に減少する。
しかし電荷密度又は表面電位の制限により、光導電体の
ダイナミックレンジが制限され、また再帯電領域に含ま
れる画像情報が失なわれる。第３図の曲線ｅで表わされ
る例では限界線量は約１００μＧＶであるが、必要なら
ば電極電圧ＶＯを高めるか、あるいはＶｇを減らして約
２００μＧＶまで増加させることができる。医療診断の
分野では平均的線ωは１乃至１０μＧＶである。従って
概して吉えばこの露光の上向きの変化に対する適切な余
裕が残っている。
ダイナミックレンジが制限され、また再帯電領域に含ま
れる画像情報が失なわれる。第３図の曲線ｅで表わされ
る例では限界線量は約１００μＧＶであるが、必要なら
ば電極電圧ＶＯを高めるか、あるいはＶｇを減らして約
２００μＧＶまで増加させることができる。医療診断の
分野では平均的線ωは１乃至１０μＧＶである。従って
概して吉えばこの露光の上向きの変化に対する適切な余
裕が残っている。
投影放射線写真法で従来用いられている露光技術光導電
体は平坦で、その最大寸法は４５０Ｘ ４５０１ＩＩ１
２であり、光導電体の全領域が同時に露光される。従っ
て再帯電方法を行なうには全区域を覆うコロナ装置が必
要である。ワイヤ７とグリッド８はＸ線を吸収するから
Ｘ線露光中に像が写りやすい。しかしかかる写り込みは
、（散乱グリッドにおける如＜）Ｘ線露光中に駆動装置
９により適当な周波数および振幅でハウジング６及びそ
の収容する構成要素を往復動せしめてこれらの部分の構
造が像中でぼやけるようにすることで防げる。
体は平坦で、その最大寸法は４５０Ｘ ４５０１ＩＩ１
２であり、光導電体の全領域が同時に露光される。従っ
て再帯電方法を行なうには全区域を覆うコロナ装置が必
要である。ワイヤ７とグリッド８はＸ線を吸収するから
Ｘ線露光中に像が写りやすい。しかしかかる写り込みは
、（散乱グリッドにおける如＜）Ｘ線露光中に駆動装置
９により適当な周波数および振幅でハウジング６及びそ
の収容する構成要素を往復動せしめてこれらの部分の構
造が像中でぼやけるようにすることで防げる。
コロナ装置の構成は、方法が例えばＤＥ−Ｏ３３５３４
７６８から公知のスリット式放射線写真法で用いられる
場合には相当単純となる。第４図はかかる装置を示し、
以後これについて説明する。Ｘ線源から発せられるＸ線
から比較的狭い放射ビーム２が形成され、検査さるべき
対象の一部分のみを参照し、Ｘ線露光中に回転するドラ
ムの表面に設けられた光導電体の一部分のみを露光する
。撮像は、一方では光導電体４．５及び対象３が、また
他方では放射ビーム２が矢印１０及び１１で示される如
く互いに相対的に移動して、対象３全体のＸ線像が光検
出器４．５の円筒形表面に現われるようにして行なわれ
る。この像は、略示されているディジタル処理用影響探
針装置１２により走査される。
７６８から公知のスリット式放射線写真法で用いられる
場合には相当単純となる。第４図はかかる装置を示し、
以後これについて説明する。Ｘ線源から発せられるＸ線
から比較的狭い放射ビーム２が形成され、検査さるべき
対象の一部分のみを参照し、Ｘ線露光中に回転するドラ
ムの表面に設けられた光導電体の一部分のみを露光する
。撮像は、一方では光導電体４．５及び対象３が、また
他方では放射ビーム２が矢印１０及び１１で示される如
く互いに相対的に移動して、対象３全体のＸ線像が光検
出器４．５の円筒形表面に現われるようにして行なわれ
る。この像は、略示されているディジタル処理用影響探
針装置１２により走査される。
この場合コロナ放電装置は、Ｘ線露光中そのつど露光さ
れる光導電体の表面の細片を覆うだけでよい。従って装
置６・・・８の寸法は大幅に小さくできる。光導電体と
露光スリットとの相対的運動により、コロナ放電装置の
構造がｘｓ；ｔｍ中に写り込むのが防がれる。従って（
第２図の装置１９の如き）駆動装置を追加しなくてもよ
い。第２図に示された装置同様再帯電に必要なコロナ放
電装置６，７゜８は、Ｘ線露光に先立つ光導電体４，５
の帯域にも用いられる。この場合ビーム経路の外側にあ
る帯電用コロナ放電装＠１３は省略できる。
れる光導電体の表面の細片を覆うだけでよい。従って装
置６・・・８の寸法は大幅に小さくできる。光導電体と
露光スリットとの相対的運動により、コロナ放電装置の
構造がｘｓ；ｔｍ中に写り込むのが防がれる。従って（
第２図の装置１９の如き）駆動装置を追加しなくてもよ
い。第２図に示された装置同様再帯電に必要なコロナ放
電装置６，７゜８は、Ｘ線露光に先立つ光導電体４，５
の帯域にも用いられる。この場合ビーム経路の外側にあ
る帯電用コロナ放電装＠１３は省略できる。
以上を要約するに本発明は、Ｘ線を電荷パターンに変換
し、Ｘ線露光の前に帯電され、露光後に電荷パターンを
検出するため表面が走査される光導電体によりＸ線像を
形成する装置に関する。光導電体が少なくとも所定領域
で大きい線量を受けたＸ線露光の直後に露光が続く際に
は人為結果がｘｓ中に生じやすい。これらの人為結果は
、Ｘ線露光中の光導電体の表面上の電荷密度の低下を所
定値までに制限する再帯電装置が設けられた本発明によ
り回避される。
し、Ｘ線露光の前に帯電され、露光後に電荷パターンを
検出するため表面が走査される光導電体によりＸ線像を
形成する装置に関する。光導電体が少なくとも所定領域
で大きい線量を受けたＸ線露光の直後に露光が続く際に
は人為結果がｘｓ中に生じやすい。これらの人為結果は
、Ｘ線露光中の光導電体の表面上の電荷密度の低下を所
定値までに制限する再帯電装置が設けられた本発明によ
り回避される。
第１図は異なる露光に対し光導電体の表面電位の変化速
度を時間の関数として表わす図、第２図は本発明による
装置を示す図、第３図は本発明により提案される段階が
ある場合とない場合の表面電位の変化を示す図、第４図
は本発明による別の実施例を示す図である。 １・・・Ｘ線源、２・・・Ｘ線ビーム、３・・・患者、
４・・・アルミニウム電極、５・・・光導電体装置、６
・・・ハウジング、７・・・ワイヤ、８・・・グリッド
、９・・・駆動装置、１２・・・影響探針装置、１３・
・・コロナ放電装置、１４・・・絶縁基体。 ２６７一
度を時間の関数として表わす図、第２図は本発明による
装置を示す図、第３図は本発明により提案される段階が
ある場合とない場合の表面電位の変化を示す図、第４図
は本発明による別の実施例を示す図である。 １・・・Ｘ線源、２・・・Ｘ線ビーム、３・・・患者、
４・・・アルミニウム電極、５・・・光導電体装置、６
・・・ハウジング、７・・・ワイヤ、８・・・グリッド
、９・・・駆動装置、１２・・・影響探針装置、１３・
・・コロナ放電装置、１４・・・絶縁基体。 ２６７一
Claims (4)
- （１）Ｘ線を電荷パターンに変換し、Ｘ線露光の前に帯
電され、露光後に電荷パターンを検出するため表面が走
査される光導電体によりＸ線像を形成する装置であって
、Ｘ線露光中の光導電体（５）の表面上の電荷密度の低
下を所定値までに制限する再帯電装置（６・・・９）が
設けられることを特徴とするＸ線像形成装置。 - （２）再帯電装置は、コロナ放電装置（６、７）からな
り、該コロナ放電装置と光導電体との間には、Ｘ線露光
中に露光される光導電体の領域を覆い光導電体の表面の
電位をグリッド電位に略対応する値に制限するグリッド
（８）が配設されることを特徴とする請求項１記載のＸ
線像形成装置。 - （３）コロナ放電装置は、Ｘ線露光前に光導電体の帯電
を行ない、かかる帯電後にグリッドと光導電体を支持す
る導電性基体との間の電圧が低い値まで引き下げられる
ことを特徴とする請求項２記載のＸ線像形成装置。 - （４）コロナ放電装置と光導電体の表面との間に相対運
動を起こさせる駆動装置（９）が設けられることを特徴
とする請求項２記載のＸ線像形成装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3815458A DE3815458A1 (de) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | Anordnung zur erzeugung von roentgenaufnahmen mittels eines photoleiters |
| DE3815458.7 | 1988-05-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222639A true JPH0222639A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=6353781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1113565A Pending JPH0222639A (ja) | 1988-05-06 | 1989-05-02 | Ｘ線像形成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4998266A (ja) |
| EP (1) | EP0340866B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0222639A (ja) |
| DE (2) | DE3815458A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05100338A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蓄積性蛍光体シートの除電機構 |
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-
1988
- 1988-05-06 DE DE3815458A patent/DE3815458A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-05-01 EP EP89201116A patent/EP0340866B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-01 DE DE58908203T patent/DE58908203D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-02 JP JP1113565A patent/JPH0222639A/ja active Pending
-
1990
- 1990-06-27 US US07/545,672 patent/US4998266A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4998266A (en) | 1991-03-05 |
| DE3815458A1 (de) | 1989-11-16 |
| DE58908203D1 (de) | 1994-09-22 |
| EP0340866A3 (de) | 1991-01-09 |
| EP0340866B1 (de) | 1994-08-17 |
| EP0340866A2 (de) | 1989-11-08 |
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