JPH0222534A - Particle measuring instrument - Google Patents
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Landscapes
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体製造装置内部における塵埃などのような粒子の発
生状況をインプロセスで観測することができる粒子計測
装置に関し、
プローブビームの面積を広くでき、かつ受光面積も拡大
可能とすることで、排気管内部を通過する塵埃を高い確
率で捕捉し、粒子の個数や大きさを確実に測定可能とす
ることを目的とし、処理装置内部に発生する塵埃粒子を
光散乱を用いてインプロセスで測定するために、投光系
と、散乱光を検知する受光系とを設けて成る排気系設置
型の粒子測定装置において、
レーザの発光パターンを変形させ均一な強度分布のシー
ト状光を照射するシートビーム投光系を設け、かつ複数
個の半導体光検出器を直列に接続することで、受光光学
系を構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a particle measuring device that can observe in-process the generation of particles such as dust inside semiconductor manufacturing equipment, the area of the probe beam can be widened and the light receiving area can also be increased. By making it expandable, we aim to capture dust passing through the exhaust pipe with a high probability and reliably measure the number and size of particles. In order to perform in-process measurements using a laser beam, an exhaust system-installed particle measuring device is equipped with a light emitting system and a light receiving system that detects scattered light. A light receiving optical system is configured by providing a sheet beam projection system that irradiates sheet-like light and connecting a plurality of semiconductor photodetectors in series.
粒子計測装置が要望される。A particle measuring device is required.
本発明は、半導体製造装置内部における塵埃などのよう
な粒子の発生状況をインプロセスで観測することができ
る粒、子計測装置に関する。The present invention relates to a particle and particle measuring device capable of in-process observation of the generation of particles such as dust inside semiconductor manufacturing equipment.
LSI等の半導体装置の製造歩留まりを向上させるため
には、ウェハ上に付着し回路パターンにダメージを与え
る塵埃の発生状況を常に監視する必要がある。しかしな
がら、LSI等を製造する半導体製造装置(例えば、C
VD、スパッタ装置、エツチング装置等)においては、
−Sに、真空室の内部でプロセスが行われるため、外部
から雰囲気ガスをサンプリングして、塵埃の発生状況を
調べることは不可能である。そこで、外部から、内部の
状況を観測する計測装置が必要となっている。In order to improve the manufacturing yield of semiconductor devices such as LSIs, it is necessary to constantly monitor the generation of dust that adheres to wafers and damages circuit patterns. However, semiconductor manufacturing equipment that manufactures LSI etc. (for example, C
(VD, sputtering equipment, etching equipment, etc.),
-S, since the process is carried out inside the vacuum chamber, it is impossible to sample the atmospheric gas from the outside and investigate the state of dust generation. Therefore, a measuring device is needed to observe the internal situation from the outside.
また、LSI等の回路パタン−の微細化に伴って、監視
しなければならない粒子はより小さく、1μm程度以下
のものまで検出する必要があるため、検出効率が高く、
また最小検出粒径の小さい〔従来の技術〕
従来、半導体製造装置内部の粒子発生状況の検出法とし
ては一1製造ロフトの初期にダミーのウェハを装置内に
送り込み、その表面に付着した塵埃数を調査・測定して
、装置内部の塵埃状況を推測している。しかしながら、
粒子測定後に装置内で被処理基板が破損したりした場合
に、粒子が発生したことを即時に検出することができな
いため、破損後に処理された製品はすべて不良品となり
、歩留りが低下する。In addition, as circuit patterns such as LSI become finer, the particles that must be monitored become smaller, and it is necessary to detect particles of about 1 μm or less, which increases detection efficiency.
In addition, the minimum detectable particle size is small [Conventional technology] Conventionally, as a method for detecting particle generation inside semiconductor manufacturing equipment, a dummy wafer is fed into the equipment at the beginning of the manufacturing loft, and the number of dust particles attached to the surface of the dummy wafer is measured. We investigate and measure the dust to estimate the dust situation inside the equipment. however,
If a substrate to be processed is damaged within the apparatus after particle measurement, it is not possible to immediately detect the generation of particles, so all products processed after the breakage become defective, resulting in a decrease in yield.
したがって、処理装置内の粒子発生状況を、常時即時に
監視できるインプロセスの装置が必要となる。近年、装
置内部の塵埃発生状況を観測したいという要望の高まり
と共に、スバーンタやエツチングなどの処理の最中に測
定するインプロセス型の粒子計測装置(旧CROCON
TAMINATION Oct、 1987p30〜3
4によって公知)がHYT社(ハイ・イールド・テクノ
ロジー社)から販売されている。しかし、この装置は、
真空装置内にセンサ部を挿入する形式なため、完全に無
侵襲とはいえず、処理装置内の流れを乱すなどの問題が
生じる。Therefore, there is a need for an in-process device that can constantly and immediately monitor the particle generation status within the processing device. In recent years, with the increasing desire to observe the dust generation inside the equipment, in-process particle measuring equipment (formerly CROCON
TAMINATION Oct, 1987p30-3
4) is sold by HYT (High Yield Technology). However, this device
Since the sensor section is inserted into the vacuum device, it is not completely non-invasive and causes problems such as disrupting the flow within the processing device.
これに対し、本発明の出願人から、特願昭63−907
1号として、第6図〜第8図に示すような装置が提案さ
れている。第6図において、1は半導体製造装置であり
、真空ポンプPで真空状態にすることにより、真空中で
、CVD、スパッタ、エツチング等の処理が行なわれる
。半導体製造装置lと真空ポンプPの吸気側との間の配
管2に、センサ系3が設けられている。4は排気口であ
る。In response, the applicant of the present invention submitted a patent application filed in 1983-907.
As No. 1, a device as shown in FIGS. 6 to 8 has been proposed. In FIG. 6, reference numeral 1 denotes a semiconductor manufacturing apparatus, and by creating a vacuum state with a vacuum pump P, processes such as CVD, sputtering, etching, etc. are performed in a vacuum. A sensor system 3 is provided in a pipe 2 between a semiconductor manufacturing apparatus 1 and an intake side of a vacuum pump P. 4 is an exhaust port.
センサ系3は、第7図のように、半導体レーザLDから
出射するレーザ光を、レンズ5で平行光に変換し、断面
円形のレーザ光6が配管2を横切るようにしたものであ
る。半導体製造装置1中の塵埃などの粒子が、排気管2
を通過して排出されるときに、該粒子7がセンサ系3中
のレーザ光6中を通過すると、光が散乱する。この散乱
光を受光レンズ8を介して、光−電変換装置9で受光す
ると、第8図のような検出信号が得られる。この波形図
において、出力が急峻に高(なっている時点が、粒子が
レーザ光6を通過し、散乱光が発生したことを示してい
る。したがって、急峻な波形の数を計数することで、粒
子の個数を測定でき、波形の高さにより、粒子の大きさ
を測定できる。As shown in FIG. 7, the sensor system 3 converts the laser light emitted from the semiconductor laser LD into parallel light using a lens 5, so that the laser light 6 having a circular cross section crosses the pipe 2. Particles such as dust in the semiconductor manufacturing equipment 1 are removed from the exhaust pipe 2.
When the particles 7 pass through the laser beam 6 in the sensor system 3, the light is scattered. When this scattered light is received by the photoelectric conversion device 9 via the light receiving lens 8, a detection signal as shown in FIG. 8 is obtained. In this waveform diagram, the point at which the output becomes steeply high indicates that the particle passes through the laser beam 6 and scattered light is generated. Therefore, by counting the number of steep waveforms, The number of particles can be measured, and the size of the particles can be determined by the height of the waveform.
この装置は、完全無侵襲でかつ処理の最中に粒子検出で
きる。塵埃粒子によって散乱される光の強度は、散乱点
から検出点までの距離の二乗に反比例するため、受光部
が限定され、かつ受光面積が狭い場合は、任意の点から
の散乱光を精度良く検出することは難しい。そこで、従
来の技術は、前記のように粒子検出用のプローブビーム
を単一の丸型ビーム6とし、計測可能な領域を限定する
ことで計測性能を得ている。しかしながら、配管2中に
おけるレーザ光6の占める面積が小さいため、粒子がレ
ーザ光6と出会う確率が低く、そのために、粒子の検出
効率が低く、信頼性が不十分である。また、計測可能領
域を広(取ることが出来す、装置全体とと7での塵埃の
挙動を知ることが出来ないという問題点を生じていた。The device is completely non-invasive and can detect particles during the process. The intensity of light scattered by dust particles is inversely proportional to the square of the distance from the scattering point to the detection point, so if the light receiving area is limited and the light receiving area is small, it is difficult to accurately detect the scattered light from any point. Difficult to detect. Therefore, in the conventional technology, as described above, the probe beam for detecting particles is made into a single round beam 6, and measurement performance is obtained by limiting the measurable area. However, since the area occupied by the laser beam 6 in the pipe 2 is small, the probability that particles will encounter the laser beam 6 is low, resulting in low particle detection efficiency and insufficient reliability. In addition, although the measurable area can be expanded, the behavior of dust in the entire device and in the device cannot be known, which is a problem.
本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようと
するものであって、プローブビームの面積を広くでき、
かつ受光面積も拡大可能とすることで、排気管内部を通
過する塵埃を高い確率で捕捉し、粒子の個数や大きさを
確実に測定できるようにすることにある。The present invention aims to solve the problems of the prior art, and it is possible to widen the area of the probe beam,
Moreover, by making it possible to expand the light-receiving area, it is possible to capture dust passing through the exhaust pipe with a high probability, thereby making it possible to reliably measure the number and size of particles.
(課題を解決するための手段]
第1図は本発明による粒子測定装置の基本原理を説明す
る図である。2は、半導体製造装置と真空ポンプとの間
を接続する排気管であり、検出用の光に対し透明の材料
からなっている。(Means for Solving the Problems) Fig. 1 is a diagram explaining the basic principle of the particle measuring device according to the present invention. 2 is an exhaust pipe that connects the semiconductor manufacturing equipment and the vacuum pump, and It is made of a material that is transparent to the light used.
この排気管2中に光を入射するための投光系11)を有
し、この投光系10は、薄いシート状の光11を形成す
る機能を有しており、またシート状面が、排気流と垂直
方向となるように配置されている。It has a light projecting system 11) for inputting light into the exhaust pipe 2, and this projecting system 10 has a function of forming a thin sheet-like light 11, and the sheet-like surface is It is arranged perpendicular to the exhaust flow.
排気管2の外周には、半導体光検出器D…が複数個配設
されている。そしてこれらの光検出器D…は、直列に接
続されている。A plurality of semiconductor photodetectors D... are arranged around the outer periphery of the exhaust pipe 2. These photodetectors D... are connected in series.
このように、検出用の光ビームを、薄くて面積の広いシ
ート状にし、排気管2中のより広い面積に光ビームを照
射すれば、排気管2を通過する粒子は、その多くが光ビ
ームを横切ることになる。In this way, if the light beam for detection is made into a thin sheet with a wide area and the light beam is irradiated onto a wider area in the exhaust pipe 2, most of the particles passing through the exhaust pipe 2 will be absorbed by the light beam. will cross.
また、このように強度分布の均一なシート状の光ビーム
11を用いて塵埃粒子の検出を行なった場合、粒子が光
ビームを横切ったときの散乱光強度は、散乱点の位置と
無関係に、塵埃粒子の大きさのみによって決定される。Furthermore, when dust particles are detected using the sheet-shaped light beam 11 with a uniform intensity distribution, the scattered light intensity when the particle crosses the light beam is independent of the position of the scattering point. Determined only by the size of the dust particles.
従って、半導体光検出器D…を多数設け、各位置から全
ての散乱光を検出することにより、ビームを横切って通
過する塵埃粒子を全て確実に捕捉、検知ことか可能にな
る。Therefore, by providing a large number of semiconductor photodetectors D and detecting all the scattered light from each position, it becomes possible to reliably capture and detect all the dust particles passing across the beam.
また、反射鏡12を設け、光を折り返し2計測領域を通
過させることによって、粒子径が波長に比べて大きい場
合に発生する散乱光の強度分布に基づく測定誤差を防止
することも出来る。In addition, by providing the reflecting mirror 12 and passing the light back through the two measurement regions, it is also possible to prevent measurement errors based on the intensity distribution of scattered light that occurs when the particle diameter is larger than the wavelength.
実際には、全ての散乱光を取り込むことは不可能であり
、受光器の受光面積を可能な限り拡大することで対応す
るのが通常の考え方である。しかし、半導体光検出器は
、第9図にその等価回路を示すように、pn接合面積に
比例した接合容量をもっており、受光面積を単に拡大す
ると、応答速度の劣化を招き、粒子からの散乱光波形(
特に波高値)を変化させるため、粒子径の弁別が困難と
なってしまう。In reality, it is impossible to capture all of the scattered light, and the usual approach is to expand the light-receiving area of the light receiver as much as possible. However, as shown in the equivalent circuit shown in Figure 9, a semiconductor photodetector has a junction capacitance proportional to the pn junction area, and simply expanding the light receiving area will result in a decrease in response speed and reduce the amount of light scattered from particles. Waveform(
In particular, since the wave height value changes, it becomes difficult to distinguish the particle size.
そこで、本発明者らは、直列接続したコンデンサの合成
容量は元の値の個数分の1になることに青[」シ、光検
出器りを複数個直列に接続して周波数特性の測定を行っ
たところ、栄−の検出器として動作させた場合と比較し
て、数倍の特性改善を実現できることを確認した。この
手法を用いることにより、検出性能を著しく低コーさせ
ることなしに、受光面積を拡大させることができ、より
多くの散乱光を検出できることは明らかである。Therefore, the inventors realized that the combined capacitance of the capacitors connected in series is one-fold of the original value, and measured the frequency characteristics by connecting multiple photodetectors in series. As a result, we confirmed that the characteristics could be improved several times compared to when operated as a Sakae detector. It is clear that by using this method, the light receiving area can be expanded and more scattered light can be detected without significantly lowering the detection performance.
〔第一実施例]
次に本発明による粒子測定装置が実際上どのように具体
化されるかを実施例で説明する。第2図(a)(b)は
本発明の第一実施例を示す縦断面図と横断面図である。[First Example] Next, how the particle measuring device according to the present invention is actually implemented will be explained using an example. FIGS. 2(a) and 2(b) are a longitudinal sectional view and a transverse sectional view showing a first embodiment of the present invention.
2aは排気管2と同し内径をもつガラス管であり、半導
体製造装置と真空ポンプ間の排気管2に、0リング13
などのシール材を介して、気密接続されている。2a is a glass tube with the same inner diameter as the exhaust pipe 2, and an O-ring 13 is attached to the exhaust pipe 2 between the semiconductor manufacturing equipment and the vacuum pump.
The connection is made airtight through a sealing material such as
ガラス管2aの外側には、投光系10と反射鏡12aが
対向配置されている。投光系10は、半導体レーザLD
からの出射光を、ビームエキスパンダ14でビームスポ
ットを拡大し、次にシリンドリカルレンズ15で幅広の
シート状に整形し、かつ濃度フィルタ16等の手段によ
り、光強度分布を均一化する装置である。この投光系1
0で形成されるシート状ビームとしては、幅20〜30
mm、厚さ0.1〜0.21程度のものが得られる。A light projecting system 10 and a reflecting mirror 12a are arranged facing each other on the outside of the glass tube 2a. The light projection system 10 is a semiconductor laser LD.
This device expands the beam spot of the emitted light with a beam expander 14, then shapes it into a wide sheet with a cylindrical lens 15, and makes the light intensity distribution uniform by means such as a density filter 16. . This lighting system 1
As a sheet-like beam formed by 0, the width is 20 to 30 mm.
A material having a thickness of about 0.1 to 0.21 mm can be obtained.
散乱光を検出するための受光光学系は、ガラス管2aの
外周に、複数個の半導体光検出器D…を配列し、直列に
接続することにより構成されている9半導体光検出器D
…は、1辺が10mm程度のものを用い、ガラス管2a
の外周に等間隔に数個以上配列する。The light receiving optical system for detecting scattered light includes nine semiconductor photodetectors D arranged around the outer periphery of the glass tube 2a and connected in series.
...uses a glass tube 2a with one side of about 10 mm.
Arrange several or more pieces at equal intervals around the outer circumference.
する。do.
そして半導体光検出器D…の出力側に増幅器17を接続
し、電流−電圧変換して、検出出力を得る。Then, an amplifier 17 is connected to the output side of the semiconductor photodetector D to perform current-to-voltage conversion to obtain a detection output.
またこの実施例では、反射鏡として平面鏡12aを用い
、レーザ光を平面反射鏡12aで往復させることにより
、計測領域内での光密度を向上させているため、シート
状ビーム11中を塵埃粒子7が通過したときの、散乱断
面積に応じた光量を、直列接続した半導体光受光系によ
り検出し、粒子径の判別、計数を正確に行なえる。この
場合、前方散乱、後方散乱を均一化することができるた
め、粒径がレーザ光の波長と比較して大きい粒子の測定
に好適である。Furthermore, in this embodiment, a plane mirror 12a is used as a reflecting mirror, and the laser beam is reciprocated by the plane reflecting mirror 12a to improve the light density within the measurement area. When the particles pass, the amount of light corresponding to the scattering cross section is detected by a series-connected semiconductor light receiving system, and particle diameters can be accurately determined and counted. In this case, forward scattering and backward scattering can be made uniform, so it is suitable for measuring particles whose particle size is larger than the wavelength of the laser beam.
第3図は、本発明の第二の実施例を示す横断面図であり
、反射鏡として2個のプリズム121.122を用いて
いる。すなわち、2個のプリズム121.122は、シ
ート状ビーム11の面がプリズム121.122の反射
面と垂直で、かつ45度反射されるように配置されてい
る。そのため、シート状ビームがプリズム121.12
2で反射され、往復することにより、シートビームの幅
が2倍に拡大されるので、粒子の捕捉がより確実となり
、検出効率を一層向上させることが可能となる。またこ
の場合は、粒径がレーザ光の波長と比較して大きい粒子
の測定に好適である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the invention, in which two prisms 121 and 122 are used as reflecting mirrors. That is, the two prisms 121 and 122 are arranged so that the surface of the sheet-like beam 11 is perpendicular to the reflecting surface of the prism 121 and 122 and is reflected at 45 degrees. Therefore, the sheet-like beam becomes prism 121.12
2 and reciprocating, the width of the sheet beam is doubled, making it possible to capture particles more reliably and further improve detection efficiency. Moreover, this case is suitable for measuring particles whose particle size is larger than the wavelength of the laser beam.
この実施例は、第4図に示すように、反射鏡として、凹
面鏡12bを使用することで、シート状ビームが拡大す
るを防止している。また凹面鏡12bは、光トラツプ1
8中に配設されている。In this embodiment, as shown in FIG. 4, a concave mirror 12b is used as a reflecting mirror to prevent the sheet beam from expanding. Further, the concave mirror 12b is connected to the optical trap 1.
It is located in 8.
前記のように、反射鏡でシート状ビーム11を折り返し
、計測領域を通過させることによって、粒子径が波長に
比べて大きい場合に発生する、散乱光の強度分布に基づ
く測定誤差を防止することができる。As described above, by folding the sheet beam 11 with a reflecting mirror and passing it through the measurement area, it is possible to prevent measurement errors based on the intensity distribution of scattered light that occur when the particle diameter is larger than the wavelength. can.
しかしながら、レーザ光は、光密度を上げて粒子検出効
率を向上させるために、測定領域内でシート状ビームの
厚み方向に薄(絞りこんである。However, in order to increase the light density and improve the particle detection efficiency, the laser light is thinned (narrowed down) in the thickness direction of the sheet-like beam within the measurement region.
従って、反射鏡面に到達した時には発散光となっており
、反射光は拡散し迷光となって受光器に入り、かえって
検出効率を低下させることになる。Therefore, when it reaches the reflecting mirror surface, it becomes a diverging light, and the reflected light diffuses and enters the light receiver as stray light, which actually reduces the detection efficiency.
そこで、例えば凹面鏡のように、集光作用のある光学素
子を用いて、再度プローブビームを検出領域に集光させ
れば、粒子に照射されるレーザ光量を倍増させることが
できる。Therefore, if the probe beam is again focused on the detection region using an optical element with a focusing function, such as a concave mirror, the amount of laser light irradiated onto the particles can be doubled.
ただし、装置寸法から凹面鏡の大きさが制限されている
ため、凹面鏡に入射出来ない光が生ずると、やはり迷光
となって検出効率を低下させる。However, since the size of the concave mirror is limited due to the dimensions of the device, if light that cannot enter the concave mirror occurs, it becomes stray light and reduces detection efficiency.
したがって、凹面鏡12bを光トラップ18の内部に設
置している。これにより、凹面鏡12bに入射できない
光は、光トラツプ18側に透過するため、これらの迷光
成分が除去され、検出効率がさらに向上する。Therefore, the concave mirror 12b is installed inside the optical trap 18. As a result, the light that cannot enter the concave mirror 12b is transmitted to the optical trap 18 side, so that these stray light components are removed and the detection efficiency is further improved.
なお、凹面鏡12bの焦点は、ガラス管2aの中央部に
合わせる。Note that the concave mirror 12b is focused on the center of the glass tube 2a.
凹面m12 bに代えて、平面鏡または前記のプリズム
121 、122を光トラツプ18中に配設してもよい
。また投光光学系11)をも、光トラツプ内に設置する
と、−層効果的である。Instead of the concave surface m12b, a plane mirror or the aforementioned prisms 121, 122 may be arranged in the optical trap 18. Moreover, if the light projecting optical system 11) is also installed within the optical trap, it is more effective.
第5図は第四の実施例を示す図であり、投光系10の光
出射部の最終段として、中央部にスリット状開口をもっ
た凹面鏡19を設置することで、プローブビームを多重
回反射往復させる構成となっている。これにより、測定
領域における光密度がさらに上がり、散乱光強度が一層
強くなる。FIG. 5 is a diagram showing a fourth embodiment, in which a concave mirror 19 with a slit-shaped opening in the center is installed as the final stage of the light emitting part of the light projection system 10, so that the probe beam can be multiplexed. It is configured to reflect back and forth. This further increases the light density in the measurement region and further increases the intensity of the scattered light.
〔発明の効果]
以上のように本発明によれば、プローブビームとしてシ
ート状ビームを形成する投光系IOを使用するため、塵
埃などの粒子を高い検出効率で測定できる。また検出部
の排気管の外周に、複数の半導体光検出器D…を配列し
、かつ直列接続しているため、粒子がシート状ビームを
通過する際の散乱光強度から、粒子の個数、大きさを精
度良く測定することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, particles such as dust can be measured with high detection efficiency because the projection system IO that forms a sheet-like beam as a probe beam is used. In addition, since a plurality of semiconductor photodetectors D... are arranged and connected in series around the outer circumference of the exhaust pipe of the detection section, the number and size of particles can be determined from the scattered light intensity when the particles pass through the sheet beam. can be measured with high precision.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による粒子測定装置の基本原理を説明す
る図、第2図〜第5図は本発明の各種実施例を示す図、
第6図は従来の粒子測定装置の全容を示す図、第7図は
従来の粒子測定装置の原理を説明する図、第8図は粒子
測定装置の出力波形を示す図、第9図は半導体光検出器
の等価回路を示す図である。
図において、lは半導体製造装置、Pは真空ポンプ、2
は排気管、2aは排気管の途中に設けたガラス管、7は
粒子、10は投光系、11はシート状ビーム、12は反
射鏡、12aは平面鏡、121.122はプリズム、D
…は半導体光検出器をそれぞれ示す。
特許出願人 富士通株式会社
復代理人 弁理士 福 島 康 文
未発日月の基本−)li里
第1図
第二*権利
第3図
躬口欠権利
第5図
躬三実施例
粒子jシリ定兼直イ2i容
第6図
従来の立子」り定装置
第7図[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a diagram explaining the basic principle of the particle measuring device according to the present invention, FIGS. 2 to 5 are diagrams showing various embodiments of the present invention,
Fig. 6 is a diagram showing the entire structure of a conventional particle measuring device, Fig. 7 is a diagram explaining the principle of a conventional particle measuring device, Fig. 8 is a diagram showing the output waveform of the particle measuring device, and Fig. 9 is a diagram showing the semiconductor FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of a photodetector. In the figure, l is semiconductor manufacturing equipment, P is a vacuum pump, and 2
is an exhaust pipe, 2a is a glass tube provided in the middle of the exhaust pipe, 7 is a particle, 10 is a floodlight system, 11 is a sheet-shaped beam, 12 is a reflecting mirror, 12a is a plane mirror, 121.122 is a prism, D
...indicates a semiconductor photodetector, respectively. Patent Applicant: Fujitsu Limited Sub-Agent Patent Attorney: Yasushi Fukushima Basics of Unreleased Date/Month -) Liri Figure 1 Figure 2 Fig. 6. Conventional stand-up device Fig. 7
Claims (1)
インプロセスで測定するために、投光系と、散乱光を検
知する受光系とを設けて成る排気系設置型の粒子測定装
置において、 レーザの発光パターンを変形させ均一な強度分布のシー
ト状光(11)を照射するシートビーム投光系(10)
を設け、かつ複数個の半導体光検出器(D…)を直列に
接続することで、受光光学系を構成したことを特徴とす
る粒子測定装置。 2、前記光学系において、シートビーム投光系(10)
と対向する位置に、反射鏡(12)を設置することで、
ビームを反射させて折り返すことを特徴とする請求項1
記載の粒子測定装置。 3、前記反射鏡が、プリズムで構成され、かつ入射光軸
と出射光軸の間にずれが起きるように配置されているこ
とを特徴とする請求項1記載の粒子測定装置。 4、前記反射鏡が、凹面鏡で構成され、入射光束を所定
の位置に再度集光するように調整したことを特徴とする
請求項1記載の粒子測定装置。[Claims] 1. Installation of an exhaust system that includes a light projecting system and a light receiving system that detects scattered light in order to measure dust particles generated inside the processing equipment in-process using light scattering. In this type of particle measuring device, a sheet beam projection system (10) that transforms the laser emission pattern and irradiates a sheet of light (11) with a uniform intensity distribution is used.
A particle measuring device characterized in that a light receiving optical system is configured by providing a plurality of semiconductor photodetectors (D...) and connecting a plurality of semiconductor photodetectors (D...) in series. 2. In the optical system, a sheet beam projection system (10)
By installing a reflecting mirror (12) in a position facing the
Claim 1 characterized in that the beam is reflected and folded back.
The particle measuring device described. 3. The particle measuring device according to claim 1, wherein the reflecting mirror is composed of a prism and is arranged so that a deviation occurs between an incident optical axis and an output optical axis. 4. The particle measuring device according to claim 1, wherein the reflecting mirror is composed of a concave mirror and is adjusted to refocus the incident light beam at a predetermined position.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63173174A JPH0222534A (en) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | Particle measuring instrument |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63173174A JPH0222534A (en) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | Particle measuring instrument |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0222534A true JPH0222534A (en) | 1990-01-25 |
Family
ID=15955465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63173174A Pending JPH0222534A (en) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | Particle measuring instrument |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0222534A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH044262U (en) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | ||
JP2006145347A (en) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Topcon Corp | Air particle monitor device and vacuum treatment apparatus |
JP2007507705A (en) * | 2003-10-02 | 2007-03-29 | ユニデータ ヨーロッパ リミテッド | Particle detector |
CN100443241C (en) * | 2001-04-02 | 2008-12-17 | 太阳诱电株式会社 | Method for machining translucent material by laser beam and machined translucent material |
JP2009109638A (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Ntt Docomo Inc | Liquid crystal display, liquid crystal display driving circuit and operating device |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP63173174A patent/JPH0222534A/en active Pending
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