JPH02223335A - Protective circuit - Google Patents

Protective circuit

Info

Publication number
JPH02223335A
JPH02223335A JP32070189A JP32070189A JPH02223335A JP H02223335 A JPH02223335 A JP H02223335A JP 32070189 A JP32070189 A JP 32070189A JP 32070189 A JP32070189 A JP 32070189A JP H02223335 A JPH02223335 A JP H02223335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
line
protection circuit
semiconductor switch
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32070189A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ronald C S Fox
ロナルド・クリストファー・ショウ・フオックス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent NV
Original Assignee
Alcatel NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alcatel NV filed Critical Alcatel NV
Publication of JPH02223335A publication Critical patent/JPH02223335A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Abstract

PURPOSE: To protect a circuit element connected to a line by conducting a varistor and turning off transistor, when a surge voltage is generated in the line. CONSTITUTION: When voltage surge is generated in a line, a varistor VC1 generates, the forward bias voltage of a diode D3. The bias of a transistor TR2 is reversed, a transistor TR1 is switched accordingly, and the flow of a current into a load is prevented. Thus, the circuit element connected to the line can be prevented against the breakdown, caused by the abnormally excessive high-voltage surge on the line generated by, e.g. a thunderbolt and the fluctuation in the neighboring electric-power transmission lines.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えば落雷や隣接する電力伝送ラインにお
ける変動によって生じたライン上の異常な過渡高電圧サ
ージによる破壊からラインに接続されている回路素子を
保護する保護回路に関するものであり、特に、それに限
定されるものではないが、フックスイッチ機能およびル
ープ電流遮断機能を与える固体ラインスイッチを介して
交換機ラインに接続された電話機のラインに関連する素
子を保護するのに適している回路装置に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] This invention protects circuits connected to a line from being destroyed by abnormal transient high voltage surges on the line caused, for example, by lightning strikes or fluctuations in adjacent power transmission lines. Concerning protection circuits that protect devices, particularly, but not limited to, telephone lines connected to exchange lines via solid state line switches providing hook switch functionality and loop current interrupt functionality. The present invention relates to a circuit device suitable for protecting elements.

[従来の技術] 前記のような種類の電話機用の保護回路は既知であり、
電圧制限回路および電流制限回路より構成されている。
[Prior Art] Protection circuits for telephones of the type described above are known;
It consists of a voltage limiting circuit and a current limiting circuit.

電圧制限回路はライン上の過渡的高電圧サージを実質上
吸収するために電話機のライン端子と並列に接続された
電圧依存性非直線抵抗を備え、電話機回路のライン端子
と関連する電話機中の回路素子を保護する。さらに電圧
制限回路に加えて電流制限回路も設けられている。電流
制限回路はラインスイッチの導電路ライン側と直列の抵
抗装置と、抵抗のライン端とラインスイッチ制御素子と
の間に接続されたダイオード装置とを備えている。抵抗
の値は電流しきい値が超過されたとき、抵抗の両端の電
圧降下がダイオード装置の順方向電圧降下を越えてそれ
によってラインスイッチの導電路を通る電流を制限する
The voltage limiting circuit comprises a voltage dependent non-linear resistor connected in parallel with the line terminals of the telephone to substantially absorb transient high voltage surges on the line, and includes circuitry in the telephone associated with the line terminals of the telephone circuit. Protect the element. Furthermore, in addition to the voltage limiting circuit, a current limiting circuit is also provided. The current limiting circuit includes a resistor device in series with the conductive path line side of the line switch, and a diode device connected between the line end of the resistor and the line switch control element. The value of the resistor is such that when the current threshold is exceeded, the voltage drop across the resistor exceeds the forward voltage drop of the diode device, thereby limiting the current through the conductive path of the line switch.

[発明の解決すべき課題] この従来の保護回路の欠点は、過渡電圧サージによって
生成された電流の部分がラインスイッチを通って流れ、
そのためラインスイッチの電力規格はこの過渡電流およ
び選択された電力規格に適応するように十分でなければ
ならないことである。
[Problem to be Solved by the Invention] A drawback of this conventional protection circuit is that a portion of the current generated by the transient voltage surge flows through the line switch;
Therefore, the power rating of the line switch must be sufficient to accommodate this transient current and the selected power rating.

これはラインスイッチに使用されるトランジスタのコス
トに影響する。
This affects the cost of transistors used in line switches.

したがって、この発明の目的は、ライン上の過渡電圧サ
ージによる破壊から固体スイッチを介してラインに接続
された電気装置を保護し、それによってラインスイッチ
に使用されるトランジスタの電力定格を低下させること
を可能にする改良された保護回路を提供することである
It is therefore an object of this invention to protect electrical equipment connected to a line through a solid state switch from destruction due to transient voltage surges on the line, thereby reducing the power rating of the transistors used in the line switch. The purpose of the present invention is to provide an improved protection circuit that enables

[課題の解決のための手段] この発明によれば、過渡的な異常高電圧サージの影響か
らライン端子手段を介してラインに接続された回路要素
を保護し、前記ラインに前記回路要素を選択的に接続す
るために前記ライン端子手段と前記回路要素との間にそ
の導電路が直列に接続された制御可能な半導体スイッチ
を具備している保護回路において、ライン端子手段の1
端子と前記半導体スイッチの導電路との間に直列に接続
された予め定められた値の第1の抵抗手段と、この第1
の抵抗手段および前記半導体スイッチの導電路とその制
御素子の接続部に並列に接続された第1の電圧基準手段
とを具輸している第1の回路と、前記第1の電圧基準手
段と直列に接続された第2の電圧基準手段と、前記第1
の抵抗手段と前記半導体スイッチの導電路との接続部と
前記ライン端子手段の他方の端子との間に接続された予
め定められたしきい値を有する電圧依存性の第2の抵抗
手段を具備する第2の回路とを備え、前記第1と第2の
電圧基準手段の直列接続は前記第1の電圧基準手段と並
列に接続され、前記第1の抵抗手段の抵抗値は正常な大
きさのライン電流による第1の抵抗手段および前記半導
体スイッチの導電路とその制御素子の接合部における電
圧降下が前記第1の電圧基準手段の基準電圧よりも小さ
く、ライン電流の大きさが正常な大きさを越えたとき、
前記電圧降下の和が前記第1の電圧基準手段の基準電圧
に到達するまで増加し、到達すると前記電圧基準手段が
前記第1の抵抗手段の両端の電圧をクランプし、それに
よってそこを流れる電流を制限し、前記電圧依存性の第
2の抵抗手段がそのしきい値電圧を検出したとき前記第
1の抵抗手段の両端の電圧降下が第1および第2の電圧
基準手段の基準電圧の合計に等しくなるまで前記第1の
抵抗手段を通って流れる電流を増加させ、合計に等しく
なったとき前記第1の抵抗手段の両端の電圧がそれによ
ってクランプされ、前記第2の電圧基準手段の基準電圧
によって半導体スイッチ手段が非導通にされるように選
択されている保護回路が提供される。
[Means for Solving the Problems] According to the present invention, a circuit element connected to a line via a line terminal means is protected from the influence of a transient abnormal high voltage surge, and the circuit element is selected for the line. In a protection circuit comprising a controllable semiconductor switch whose conductive path is connected in series between said line terminal means and said circuit element for connecting one of said line terminal means
a first resistance means of a predetermined value connected in series between a terminal and a conductive path of the semiconductor switch;
and a first voltage reference means connected in parallel to the conductive path of the semiconductor switch and the connection of the control element thereof; a second voltage reference means connected in series;
voltage-dependent second resistance means having a predetermined threshold value connected between the connection between the resistance means and the conductive path of the semiconductor switch and the other terminal of the line terminal means; the first and second voltage reference means are connected in parallel to the first voltage reference means, and the resistance value of the first resistance means is a normal value. The voltage drop at the junction of the first resistance means and the conductive path of the semiconductor switch and its control element due to the line current is smaller than the reference voltage of the first voltage reference means, and the line current has a normal magnitude. When you exceed the
The sum of said voltage drops increases until the reference voltage of said first voltage reference means is reached, at which point said voltage reference means clamps the voltage across said first resistive means, thereby causing a current to flow therethrough. and when the voltage-dependent second resistance means detects its threshold voltage, the voltage drop across the first resistance means is the sum of the reference voltages of the first and second voltage reference means. increasing the current flowing through said first resistive means until equal to the sum, when the voltage across said first resistive means is thereby clamped and the reference of said second voltage reference means A protection circuit is provided which is selected such that the voltage renders the semiconductor switch means non-conducting.

この発明によればさらに第1の電圧基準手段が2(11
の直列接続された半導体ダイオードを具備している保護
回路が提供される。
According to this invention, the first voltage reference means further includes 2 (11
A protection circuit is provided comprising series-connected semiconductor diodes.

この発明の目的および特徴は添付図面を参照にしh以下
の実施例の説明により当業者には明白であろう。
Objects and features of the invention will become apparent to those skilled in the art from the following description of the embodiments, taken in conjunction with the accompanying drawings.

[実施例] 第2図を参照すると、回路は交換機ライン(図示せず)
に接続するためのライン端子LlおよびL2を備えてい
る。端子LlとL2の間には電圧保護バリスタVCIが
接続されている。NPNトランジスタTRIとPNP 
)ランジ゛スタTR2よりなる相補型トランジスタの形
態のラインスイッチはライン端子と電話機送信回路TX
との間に直列に接続されている。ラインスイッチ制御ト
ランジスタTR3のコレクタφエミッタ路はトランジス
タTR2のベースと端子L2との間に接続されている。
[Example] Referring to FIG. 2, the circuit is connected to a switch line (not shown).
It is provided with line terminals Ll and L2 for connection to. A voltage protection varistor VCI is connected between terminals Ll and L2. NPN transistor TRI and PNP
) A line switch in the form of a complementary transistor consisting of transistor TR2 connects the line terminal and the telephone transmission circuit TX.
are connected in series between. The collector φ emitter path of the line switch control transistor TR3 is connected between the base of the transistor TR2 and the terminal L2.

抵抗R2はトランジスタTR2に小さいが十分なベース
電流を与えるようにトランジスタTR2のベースとトラ
ンジスタTR3のコレクタとの間に接続されている。ト
ランジスタTR3のベースは送信回路中のマイクロプロ
セッサ(図示せず)の出力に結合されている。この出力
における信号はよく知られた方法でラインスイッチの機
能を制御する。抵抗R1は端子LlとトランジスタTR
Iのコレクタ・エミッタ路の間に直列に接続され、2個
のダイオードDIとD2の直列接続は端子Llとトラン
ジスタTR2のベースの間に接続されている。抵抗R1
および2個のダイオードD1とD2は保護回路の電流制
限部分を形成している。この既知の電流保護回路の動作
は前記のとおりである。
A resistor R2 is connected between the base of the transistor TR2 and the collector of the transistor TR3 to provide a small but sufficient base current to the transistor TR2. The base of transistor TR3 is coupled to the output of a microprocessor (not shown) in the transmit circuit. The signal at this output controls the function of the line switch in a well known manner. Resistor R1 connects terminal Ll and transistor TR
A series connection of two diodes DI and D2 is connected between the terminal Ll and the base of the transistor TR2. Resistance R1
and two diodes D1 and D2 form the current limiting part of the protection circuit. The operation of this known current protection circuit is as described above.

第1図を参照すると、保護回路を除いてこの回路は第2
図の回路と同一であるので説明は省略する。第1図に示
した保護回路は端子LlとトランジスタTRIのコレク
タ・エミッタ路の間に直列に接続された抵抗R1と、端
子L1とトランジスタTR2のベースの間に直列に接続
されたダイオードDIおよびD2と、抵抗R1とトラン
ジスタTR2のエミッタの接続部と端子L2との間に接
続されたバリスタvC1と、トランジスタTR2のエミ
ッタとベースとの間に接続された別のダイオードD3と
を具備している。抵抗R1の抵抗値は正常な動作ライン
電流(≦150 mA)におけるその両端の電圧降下が
ダイオードDIの順方向バイアス電圧より小さいように
選択されている。典型的には抵抗R1の抵抗値は約3オ
ームである。
Referring to Figure 1, this circuit, except for the protection circuit,
Since it is the same as the circuit shown in the figure, the explanation will be omitted. The protection circuit shown in FIG. 1 includes a resistor R1 connected in series between the terminal Ll and the collector-emitter path of the transistor TRI, and diodes DI and D2 connected in series between the terminal L1 and the base of the transistor TR2. , a varistor vC1 connected between the connection portion of the resistor R1 and the emitter of the transistor TR2, and a terminal L2, and another diode D3 connected between the emitter and the base of the transistor TR2. The resistance value of resistor R1 is selected such that the voltage drop across it at normal operating line currents (≦150 mA) is less than the forward bias voltage of diode DI. Typically, the resistance of resistor R1 is approximately 3 ohms.

動作において、抵抗R1および飽和されたラインスイッ
チを流れる正常なライン電流により、トランジスタTR
2のベース・エミッタ接合を横切る順方向バイアス電圧
は0.6ボルトであり、抵抗R1の両端の電圧降下は0
.6ボルトより小さい。
In operation, normal line current flowing through resistor R1 and the saturated line switch causes transistor TR
The forward bias voltage across the base-emitter junction of R2 is 0.6 volts and the voltage drop across resistor R1 is 0.
.. Less than 6 volts.

それ故ダイオードDI、D2の電圧降下はトランジスタ
TR2のベース・エミッタ接合を横切る順方向バイアス
電圧と抵抗R1の電圧降下の合計であり、それは正常な
ライン電流が流れるときダイオードDl、D2の順方向
バイアス電圧の和(約1.2ボルト)よりも小さい。
Therefore, the voltage drop across diode DI, D2 is the sum of the forward bias voltage across the base-emitter junction of transistor TR2 and the voltage drop across resistor R1, which is the forward bias across diode DI, D2 when normal line current flows. less than the sum of the voltages (approximately 1.2 volts).

ラインに高いサージ電圧が生じるとき、ライン電流は増
加を開始しそれにより抵抗R1の電圧降下を増加させ、
もちろんトランジスタTR2のベース・エミッタ接合を
横切る電圧は変化しない。
When a high surge voltage occurs on the line, the line current starts to increase, thereby increasing the voltage drop across resistor R1,
Of course, the voltage across the base-emitter junction of transistor TR2 remains unchanged.

抵抗R1の電圧降下とベース・エミッタ接合を横切る電
圧の和がダイオードDI、D2の順方向バイアス電圧の
和を越えるとき、ダイオードD1゜D2は順方向バイア
スになる。順方向バイアスにされたこれらのダイオード
DI、D2は抵抗R1の両端の電圧およびトランジスタ
TR2のベース・エミッタ接合を横切る電圧をクランプ
し、したがってトランジスタTR2のベース駆動電流の
増加を阻止し、それによってトランジスタTRIを流れ
る電流を制限する。
Diodes D1.D2 become forward biased when the sum of the voltage drop across resistor R1 and the voltage across the base-emitter junction exceeds the sum of the forward bias voltages of diodes DI and D2. These forward biased diodes DI, D2 clamp the voltage across the resistor R1 and the voltage across the base-emitter junction of the transistor TR2, thus preventing the base drive current of the transistor TR2 from increasing, thereby Limit the current flowing through TRI.

同時にバリスタVC1の両端の電圧が上昇し、バリスタ
vC1の動作電圧、典型的には180〜250ボルトに
到達すると、抵抗R1を流れる電流は抵抗R1の電圧降
下とトランジスタTR2のベース・エミッタ接合を横切
る電圧の和がダイオードDI、D2.D3の順方向バイ
アス電圧の和を越えるまで増加する。ライン端子Llか
ら、ダイオードDl、D2.D3、バリスタVCtを通
ってライン端子L2に至る電流路が設定される。ダイオ
ードD3の順方向バイアス電圧はトランジスタTR2を
逆バイアスしてそれをターン・オフし、それによってト
ランジスタTRIをターン−オフし、電圧サージの残り
の期間中にラインスイッチを通る電流を実質的に阻止す
る。
At the same time, the voltage across varistor VC1 increases and when it reaches the operating voltage of varistor vC1, typically 180-250 volts, the current flowing through resistor R1 crosses the voltage drop across resistor R1 and the base-emitter junction of transistor TR2. The sum of the voltages is the voltage across the diodes DI, D2. It increases until it exceeds the sum of the forward bias voltages of D3. From line terminal Ll, diodes Dl, D2 . A current path is set through D3 and varistor VCt to line terminal L2. The forward bias voltage of diode D3 reverse biases transistor TR2, turning it off, thereby turning off transistor TRI and substantially blocking current flow through the line switch during the remainder of the voltage surge. do.

極性保護回路(図示せず)がライン端子とラインスイッ
チとの間に挿入され、電圧サージの極性が正確に保護回
路のダイオードに与えられることを保証することが好ま
しい。
Preferably, a polarity protection circuit (not shown) is inserted between the line terminal and the line switch to ensure that the polarity of the voltage surge is accurately presented to the protection circuit's diodes.

第3図を参照すると、ACCシカスイッチング回路、入
力に接続されたライン(図示せず)上の異常電力サージ
の場合に全波保護を行うために、この発明による保護回
路をそれぞれ伴った1対の固体スイッチング回路を介し
て負荷RLに結合されたAC入力(〜)を具備している
。この回路においてはバリスタVC1は両方の保護回路
に共通である。スイッチ接点S1およびS2は付勢され
たときトランジスタTR3とT R23を付勢し、それ
はラインスイッチトランジスタTRI 、TR2および
TR・21.  T R22をオンに切替える。
Referring to FIG. 3, the ACC deer switching circuit, a pair each with a protection circuit according to the present invention, for providing full wave protection in case of abnormal power surges on the line (not shown) connected to the input. It has an AC input (~) coupled to a load RL via a solid state switching circuit. In this circuit, varistor VC1 is common to both protection circuits. Switch contacts S1 and S2, when energized, energize transistors TR3 and TR23, which in turn energize line switch transistors TRI, TR2 and TR.21. Turn on TR22.

動作において、第1の半サイクル中、正常なライン電流
に対する電流路は、抵抗R1、トランジスタTRIのコ
レクタ・エミッタ路、負荷RL。
In operation, during the first half cycle, the current path for normal line current is through resistor R1, the collector-emitter path of transistor TRI, and load RL.

ダイオードD24を経てラインに戻る。保護回路の素子
は第1図のものと同じである。もしも電圧サージが発生
すると、バリスタVCIは導通してダイオードD3の順
方向バイアス電圧を生じてトランジスタTR2のバイア
スを反転してそれをオフに切替え、したがってトランジ
スタTRIをオフに切替えて負荷に電流が流れるのを阻
止する。
It returns to the line via diode D24. The elements of the protection circuit are the same as those in FIG. If a voltage surge occurs, varistor VCI conducts and creates a forward bias voltage on diode D3, which inverts the bias of transistor TR2 and switches it off, thus switching off transistor TRI and allowing current to flow to the load. to prevent

第2の半サイクル中、正常なライン電流に対する電流路
は、抵抗R21、トランジスタTR21のコレクタ・エ
ミッタ路、負荷RL、ダイオードD4を経てラインに戻
る。バリスタVCIの両端の電圧がそのしきい値を越え
ると導通が開始してダイオードD23の順方向バイアス
電圧を生じてトランジスタTR22のバイアスを反転し
てそれをオフに切替え、したがってトランジスタTR2
1をオフに切替える。ダイオードD5 、  DO、D
25.  D2Bは負荷RLから電流を側路させる。
During the second half-cycle, the current path for normal line current is through resistor R21, the collector-emitter path of transistor TR21, load RL, and diode D4 back to the line. When the voltage across varistor VCI exceeds its threshold, it begins to conduct and creates a forward bias voltage on diode D23, reversing the bias on transistor TR22 and switching it off, thus turning off transistor TR2.
Switch 1 off. Diode D5, DO, D
25. D2B shunts current from load RL.

以上この発明は特定のものについて記載されたが、この
発明の技術的範囲を逸脱することなく等価な置換が容易
に可能であることを理解すべきである。
Although this invention has been specifically described above, it should be understood that equivalent substitutions can be easily made without departing from the technical scope of this invention.

この発明は、特に電話機装置に適用すると有効である。This invention is particularly effective when applied to telephone devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の1実施例の保護回路を具備する電話
機ライン回路の一部を示す。 第2図は従来の保護回路を具備する電話機ライン回路の
一部を示す。 第3図はこの発明の保護回路を具備するACCシカスイ
ッチング装置回路を示す。 R1,R2・・・抵抗、VCl・・・バリスタ、TX・
・・電話機送信回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
FIG. 1 shows a portion of a telephone line circuit including a protection circuit according to one embodiment of the invention. FIG. 2 shows a portion of a telephone line circuit with conventional protection circuitry. FIG. 3 shows an ACC deer switching device circuit incorporating the protection circuit of the present invention. R1, R2...Resistor, VCl...Varistor, TX...
...Telephone transmitter circuit. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)過渡的な異常高電圧サージの影響からライン端子
手段を介してラインに接続された回路要素を保護し、前
記ラインに前記回路要素を選択的に接続するために前記
ライン端子手段と前記回路要素との間にその導電路が直
列に接続された制御可能な半導体スイッチを具備してい
る保護回路において、 前記ライン端子手段の1端子と前記半導体スイッチの導
電路との間に直列に接続された予め定められた値の第1
の抵抗手段と、この第1の抵抗手段および前記半導体ス
イッチの導電路とその制御素子の接続部に並列に接続さ
れた第1の電圧基準手段とを具備している第1の回路と
、 前記第1の電圧基準手段と直列に接続された第2の電圧
基準手段と、前記第1の抵抗手段と前記半導体スイッチ
の導電路との接続部と前記ライン端子手段の他方の端子
との間に接続された予め定められたしきい値を有する電
圧依存性の第2の抵抗手段を具備する第2の回路とを備
え、 前記第1と第2の電圧基準手段の直列接続は前記第1の
電圧基準手段と並列に接続され、前記第1の抵抗手段の
抵抗値は正常な大きさのライン電流による第1の抵抗手
段および前記半導体スイッチの導電路とその制御素子の
接合部における電圧降下が前記第1の電圧基準手段の基
準電圧よりも小さく、ライン電流の大きさが正常な大き
さを越えたとき前記電圧降下の和が前記第1の電圧基準
手段の基準電圧に到達するまで増加し、到達すると前記
電圧基準手段が前記第1の抵抗手段の両端の電圧をクラ
ンプし、それによってそこを流れる電流を制限し、前記
電圧依存性の第2の抵抗手段がそのしきい値電圧を検出
したとき前記第1の抵抗手段の両端の電圧降下が第1お
よび第2の電圧基準手段の基準電圧の合計に等しくなる
まで前記第1の抵抗手段を通って流れる電流を増加させ
、合計に等しくなったとき前記第1の抵抗手段の両端の
電圧がそれによってクランプされ、前記第2の電圧基準
手段の基準電圧によって半導体スイッチ手段が非導通に
されるように選択されている保護回路。
(1) The line terminal means and the A protection circuit comprising a controllable semiconductor switch whose conductive path is connected in series with a circuit element, comprising: a controllable semiconductor switch connected in series between one terminal of said line terminal means and the conductive path of said semiconductor switch; The first of the predetermined values
a first voltage reference means connected in parallel to the first resistance means and the connection of the conductive path of the semiconductor switch and its control element; a second voltage reference means connected in series with the first voltage reference means; and a connection between the first resistance means and the conductive path of the semiconductor switch and the other terminal of the line terminal means; a second circuit comprising voltage-dependent second resistance means connected thereto and having a predetermined threshold, the series connection of said first and second voltage reference means being connected to said first The resistance value of the first resistor means is connected in parallel with the voltage reference means such that the voltage drop at the junction of the first resistor means and the conductive path of the semiconductor switch and its control element due to a line current of normal magnitude is is smaller than the reference voltage of the first voltage reference means, and increases until the sum of the voltage drops reaches the reference voltage of the first voltage reference means when the magnitude of the line current exceeds a normal magnitude. , upon which said voltage reference means clamps the voltage across said first resistor means, thereby limiting the current flowing therethrough, and said voltage dependent second resistor means detects its threshold voltage. then increasing the current flowing through the first resistive means until the voltage drop across the first resistive means is equal to the sum of the reference voltages of the first and second voltage reference means; the protection circuit being selected such that the voltage across the first resistor means is thereby clamped and the semiconductor switch means is made non-conducting by the reference voltage of the second voltage reference means when .
(2)前記第1の電圧基準手段は2個の直列接続された
半導体ダイオードを具備している特許請求の範囲第1項
記載の保護回路。
(2) The protection circuit according to claim 1, wherein the first voltage reference means includes two semiconductor diodes connected in series.
(3)前記第2の電圧基準手段は半導体ダイオードを具
備している特許請求の範囲第1項または第2項記載の保
護回路。
(3) The protection circuit according to claim 1 or 2, wherein the second voltage reference means includes a semiconductor diode.
(4)前記電圧依存性の第2の抵抗手段はバリスタを具
備している特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか
1項記載の保護回路。
(4) The protection circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the voltage-dependent second resistance means includes a varistor.
(5)前記制御可能な半導体スイッチは1個以上のバイ
ポーラトランジスタを具備し、そのコレクタ・エミッタ
路は前記導電路を形成しそのベースは制御手段に結合さ
れている特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれか1
項記載の保護回路。
5. The controllable semiconductor switch comprises one or more bipolar transistors, the collector-emitter path of which forms the conductive path and the base of which is coupled to the control means. Any 1 of paragraph 4
Protection circuit described in section.
(6)前記ベースは別のトランジスタの導電路に結合さ
れ、この別のトランジスタのベースは制御手段に結合さ
れている特許請求の範囲第5項記載の保護回路。
(6) A protection circuit according to claim 5, wherein the base is coupled to a conductive path of another transistor, and the base of this other transistor is coupled to control means.
(7)前記半導体スイッチは相補型のNPNおよびPN
Pトランジスタを具備し、NPNトランジスタのコレク
タ・エミッタ路は前記導電路を形成し、前記第1の電圧
基準手段は前記PNPトランジスタのベス・エミッタ接
合と並列に接続されている特許請求の範囲第5項または
第6項記載の保護回路。
(7) The semiconductor switch is of complementary type NPN and PN.
Claim 5: comprising a P-transistor, the collector-emitter path of the NPN transistor forming the conductive path, and the first voltage reference means being connected in parallel with the best-emitter junction of the PNP transistor. The protection circuit described in item 6 or item 6.
(8)前記半導体スイッチは高電圧バイポーラ装置で構
成されている特許請求の範囲第7項記載の保護回路。
(8) The protection circuit according to claim 7, wherein the semiconductor switch is constituted by a high voltage bipolar device.
(9)前記ライン端子手段は、AC入力手段が前記ライ
ンに接続されている極性保護手段により一定極性のDC
出力手段に接続されている特許請求の範囲第1項乃至第
8項記載の保護回路。
(9) The line terminal means is connected to the DC input means with a constant polarity by the polarity protection means connected to the line.
A protection circuit according to any one of claims 1 to 8, which is connected to an output means.
(10)前記制御可能な半導体スイッチは電話機ライン
スイッチであり、その制御素子は電話機のループ電流回
路を制御して切替えるために電話機回路と共同する制御
手段に結合されている特許請求の範囲第1項乃至第9項
のいずれか1項記載の保護回路。
(10) The controllable semiconductor switch is a telephone line switch, the control element of which is coupled to control means cooperating with the telephone circuit for controlling and switching the loop current circuit of the telephone. The protection circuit according to any one of items 9 to 9.
(11)1対のライン端子手段と、1対の負荷端子とを
具備し、ライン端子手段の1端子は前記特許請求の範囲
第1項乃至第9項のいずれか1項記載記載の保護回路の
前記第1の抵抗および半導体スイッチの導電路を介して
前記負荷端子の1端子に結合され、ライン端子手段の他
端子は前記特許請求の範囲第1項乃至第9項のいずれか
1項記載記載の別の保護回路の前記第1の抵抗および半
導体スイッチの導電路を介して前記負荷端子の他方の端
子に結合されている負荷にAC電力ラインを接続するA
C電力スイッチ装置。
(11) A pair of line terminal means and a pair of load terminals are provided, and one terminal of the line terminal means is the protection circuit according to any one of claims 1 to 9. is coupled to one terminal of the load terminal via the conductive path of the first resistor and the semiconductor switch, and the other terminal of the line terminal means is according to any one of claims 1 to 9. A connecting an AC power line to a load coupled to the other terminal of the load terminals via a conductive path of the first resistor and the semiconductor switch of another protection circuit as described.
C power switch device.
JP32070189A 1988-12-12 1989-12-12 Protective circuit Pending JPH02223335A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU188488 1988-12-12
AU1884 1988-12-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02223335A true JPH02223335A (en) 1990-09-05

Family

ID=3692385

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51162089A Pending JPH04502248A (en) 1988-12-12 1989-11-17 protection circuit
JP32070189A Pending JPH02223335A (en) 1988-12-12 1989-12-12 Protective circuit

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51162089A Pending JPH04502248A (en) 1988-12-12 1989-11-17 protection circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JPH04502248A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04304096A (en) * 1990-12-31 1992-10-27 Electron & Telecommun Res Inst Subscriber-circuit protecting module apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04304096A (en) * 1990-12-31 1992-10-27 Electron & Telecommun Res Inst Subscriber-circuit protecting module apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04502248A (en) 1992-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5625519A (en) Circuit protection arrangement
US4178619A (en) Protective integrated circuit network, particularly for connection to an inductive load
US5381296A (en) Short circuit limiting protector
US4186418A (en) Overvoltage protected integrated circuit network, to control current flow through resistive or inductive loads
US4533970A (en) Series current limiter
US4408248A (en) Protection circuit
US4905119A (en) Solid state overvoltage protection circuit
JP3313726B2 (en) Protection of active telephone line interface circuits
EP0566594B1 (en) Overcurrent protection device
CA2377456A1 (en) Line protector for a communications circuit
WO1990013960A1 (en) Automatically resetting protection arrangement for a telephone subscriber line interface circuit
JPH061941B2 (en) Telephone subscriber loop overvoltage protection circuit
US5513060A (en) Series protection circuit
EP0783787B1 (en) Power cut-off device
US5208718A (en) Protection circuit
JP3829400B2 (en) Protection against overvoltage on telephone line interface
EP0593588B1 (en) Circuit protection arrangement
JP2007288819A (en) Overvoltage/overcurrent protective circuit
US20020075619A1 (en) Overvoltage protection circuit`
JPH02223335A (en) Protective circuit
US6169425B1 (en) Voltage sensing current foldback switch circuit
US20020075623A1 (en) Modem protection circuit
JP2765943B2 (en) Phone protection circuit
US6850400B2 (en) Circuit for protection against heating of a protection element of equipment
CN218549488U (en) OPP protection circuit