JPH02207607A - Differential amplifier equipped with gain switching circuit - Google Patents

Differential amplifier equipped with gain switching circuit

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JPH02207607A
JPH02207607A JP2904489A JP2904489A JPH02207607A JP H02207607 A JPH02207607 A JP H02207607A JP 2904489 A JP2904489 A JP 2904489A JP 2904489 A JP2904489 A JP 2904489A JP H02207607 A JPH02207607 A JP H02207607A
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JP
Japan
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transistor
transistors
collector
emitter
resistors
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Application number
JP2904489A
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Japanese (ja)
Inventor
Minoru Arai
実 新井
Yukihiro Kato
加藤 之博
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Iwatsu Electric Co Ltd
Original Assignee
Iwatsu Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To decrease the fluctuation of an output direct current level by controlling the turning-on and off of 7th and 8th transistors by switching the voltage of a control terminal and switching a gain. CONSTITUTION:When a voltage higher than a control terminal C2 is impressed to a control terminal C1, 7th and 8th transistors Q7 and Q8 are controlled to be turned off and differential signals to flow to transistors Q9 and Q10 are synthesized. Then, a signal component is canceled and only a direct current component is remained. This direct current is distributed by transistors Q13 and Q14 and resistors R7 and R8 and flows to resistors R5 and R6. When the transistors Q7 and Q8 are turned on, a current I2 of a constant current source CS2 is distributed by transistors Q3 and Q4 and flows to the resistors R5 and R6. Thus, the current of the constant current source CS2 is distributed to be half and flows to the resistors R5 and R6 regardless of the turning-on and off of the transistors Q7 and and Q8 and the change of the output direct current level is eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電流加算によるゲイン切換回路を有する差動増
幅器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a differential amplifier having a gain switching circuit using current addition.

し従来の技術] 従来の電流加算によるゲイン切換回路を有する差動増幅
器を第3図に示す。この回路では、トランジスタQ1、
C2の各ベースが入力端子1.2に接続され、各エミッ
タが抵抗R1、R2を介して電流11を有する定電流源
C3Iに接続され、各コレクタが抵抗R5、R6を介し
て定電圧源■CCに接続され、該コレクタ間を出力とす
る差動増幅回路が形成されていると共に、ゲインを切換
えるために、トランジスタQ1、C2の各コレクタにそ
れぞれスイッチS1.32を介してトランジスタQ3 
、C4のコレクタが接続され、該トランジスタQ3、C
4のエミッタに各々抵抗R3、R4を介して、電流I2
を有する第2の定電流源C82が接続され、トランジス
タQ3のベースがトランジスタQ1のベースに接続され
、トランジスタQ4のベースがトランジスタQ2のベー
スに接続されている。
BACKGROUND ART] FIG. 3 shows a differential amplifier having a conventional gain switching circuit using current addition. In this circuit, transistor Q1,
Each base of C2 is connected to the input terminal 1.2, each emitter is connected to a constant current source C3I having a current of 11 through resistors R1 and R2, and each collector is connected to a constant voltage source C3I through resistors R5 and R6. A differential amplifier circuit is formed which is connected to CC and has an output between the collectors thereof, and in order to switch the gain, a transistor Q3 is connected to each collector of transistors Q1 and C2 via a switch S1.
, C4 are connected, and the transistors Q3, C4 are connected to each other.
A current I2 is applied to the emitters of 4 through resistors R3 and R4, respectively.
The base of transistor Q3 is connected to the base of transistor Q1, and the base of transistor Q4 is connected to the base of transistor Q2.

ゲインを切換える時には、スイッチS1 、32を同時
にオン・オフする。この場合、入力差動電圧ΔVinと
出力差動電圧ΔVoutの比である差動ゲインGdは、
各トランジスタQ1〜Q4の内部のエミッタ抵抗をre
とすると、スイッチS1、S2のオン・オフによって次
式に示すように変化する。
When changing the gain, the switches S1 and 32 are turned on and off at the same time. In this case, the differential gain Gd, which is the ratio of the input differential voltage ΔVin and the output differential voltage ΔVout, is
The internal emitter resistance of each transistor Q1 to Q4 is re
Then, it changes as shown in the following equation depending on whether the switches S1 and S2 are turned on or off.

Gd  off=(R5+R6/(R1+R2+2  
re  )・・・・・・ (1) Gd on=  (R5+R6)/(R1+R2+2 
re  )+(R5+R6) /(R3+R4+2 r
e )・・・・・・ (2) 但し、Gd offはスイッチS1、S2のオフ時のゲ
インを示し、Gd0nはスイッチS1、S2のオン時の
ゲインを示す。
Gd off=(R5+R6/(R1+R2+2
re )・・・・・・ (1) Gd on= (R5+R6)/(R1+R2+2
re )+(R5+R6) /(R3+R4+2 r
e)... (2) However, Gd off indicates the gain when the switches S1 and S2 are off, and Gd0n indicates the gain when the switches S1 and S2 are on.

[発明が解決しようとする課題] ところで、(1)(2)式において、R1=R2=R3
=R4及びR5=R6とし、入力差動電圧ΔVinを0
とすると、負荷抵抗R5、R6に流れる電流はスイッチ
S1、S2がオフの時に11/2、オンの時に(■1+
12)/2となり、オフ及びオン時の出力電圧V1 o
ff 、Vl 0n、 V2off 、 V2 onは
次式になる。
[Problem to be solved by the invention] By the way, in equations (1) and (2), R1=R2=R3
= R4 and R5 = R6, and the input differential voltage ΔVin is 0.
Then, the current flowing through the load resistors R5 and R6 is 11/2 when the switches S1 and S2 are off, and (■1+
12)/2, and the output voltage V1 o when off and on
ff , Vl 0n , V2off , and V2on are expressed as follows.

Vl off =V2 off =Vcc−R5x I
 1 / 2・・・・・・(3) Vl on=V2 on=Vcc−R5x (I 1→
−I2)/2           ・・・・・・(4
)上記により、スイッチS1.32のオン・オフによっ
て直流レベルがR5XI2/2だけ変動することが分る
。このため、多段接続する場合に次段の動作可能範囲を
大きくとっておく必要があり、低電圧での動作が困難で
あった。
Vl off =V2 off =Vcc-R5x I
1/2...(3) Vl on=V2 on=Vcc-R5x (I 1→
-I2)/2 ・・・・・・(4
) From the above, it can be seen that the DC level changes by R5XI2/2 depending on whether the switch S1.32 is turned on or off. For this reason, when connecting in multiple stages, it is necessary to ensure a large operable range for the next stage, making it difficult to operate at low voltages.

また、スイッチS1、S2のオン・オフによってトラン
ジスタQi 、Ql 、Q3 、Q4のコレクタ・エミ
ッタ間電圧VCEが変化するので、高周波特性が変化し
てしまうという欠点があった。
Furthermore, since the collector-emitter voltage VCE of the transistors Qi, Ql, Q3, and Q4 changes depending on whether the switches S1 and S2 are turned on or off, there is a drawback that the high frequency characteristics change.

そこで、本発明の目的は、出力直流レベルの変動を少な
くすることができる差動増幅器を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a differential amplifier that can reduce fluctuations in the output DC level.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明は、第1及び第2の入
力端子(1N2)と、ベースが前記第1の入力端子(1
)に接続されている第1のトランジスタ(Q2)と、ベ
ースが前記第2の入力端子(2)に接続されている第2
のトランジスタ(Q2)と、前記第1及び第2のトラン
ジスタ(Ql >  (Ql )のエミッタ間に接続さ
れ且つ互いに直列に接続されている第1及び第2の抵抗
(R1>  (R2)と、前記第1及び第2の抵抗(R
1)  (R2>の接続中点に接続された第1の電流源
(CS1)と、ベースが前記第1の入力端子(1)に接
続されている第3のトランジスタ(Q3)と、ベースが
前記第2の入力端子(2)に接続されている第4のトラ
ンジスタ(Q4)と、前記第3及び第4のトランジスタ
(Q3 )  (Q4 )のエミッタ間に接続され且つ
互いに直列に接続されている第3及び第4の抵抗(R3
)  (R4)と、前記第3及び第4の抵抗(R3) 
 (R4)の接続中点に接続されている第2の電流源(
CS2>と、エミッタが前記第1のトランジスタ(Q2
)のコレクタに接続されている第5のトランジスタ(Q
5)と、エミッタが第2のトランジスタ(Q2)のコレ
クタに接続され、ベースが前記第5のトランジスタ(Q
5)のベースに接続されている第6のトランジスタ(Q
6)と、エミッタが前記第3のトランジスタ(Q3)の
コレクタに接続され、コレクタが前記第5のトランジス
タ(Q5)のコレクタに接続されている第7のトランジ
スタ(Q2)と、エミッタが前記第4のトランジスタ(
Q4)のコレクタに接続され、コレクタが前記第6のト
ランジスタ(Q6)のコレクタに接続され、ベースが前
記第7のトランジスタ(Q2)のベースに接続されてい
る第8のトランジスタ(Q8)と、エミッタが前記第7
のトランジスタ(Q2)のエミッタが接続された第9の
トランジスタ(Q9)と、エミッタが前記第8のトラン
ジスタ(Q8)のエミッタに接続され、ベースが前記第
9のトランジスタ(Q9)のベースに接続され、コレク
タが前記第9のトランジスタ(Q9)のコレクタに接続
されている第10のトランジスタ(Q10)と、前記第
9及び第10のトランジスタ(Q9 ’)  (Q10
)のベースにそれぞれ接続されているコントロール端子
(C1)と、前記第5及び第6のトランジスタ(C5)
(Q6)のベースにバイアスをそれぞれ与えるためのバ
イアス手段(7)と、前記第7及び第8のトランジスタ
(Q? >  (C8)のベースにバイアスをそれぞれ
与えるためのバイアス手段(8)と、エミッタが前記第
5のトランジスタ(C5)のコレクタに接続されている
第11のトランジスタ(Q11)と、エミッタが前記第
6のトランジスタ(C6)のコレクタに接続され、ベー
スが前記第11のトランジスタ(Q11)のベースに接
続されている第12のトランジスタ<C12)と、前記
第11及び第12のトランジスタ(Q11)  (C1
2)のベースにバイアスをそれぞれ与えるためのバイア
ス手段(9)と、前記第11のトランジスタ(Q 11
 )のコレクタと電源端子(5)との間に接続されてい
る第5の抵抗(R5)と、前記第12のトランジスタ(
C12)のコレクタと前記電源端子(5)との間に接続
されている第6の抵抗(R6)と、前記第5の抵抗(C
5)と前記第11のトランジスタ(Q11>のコレクタ
との間に接続ぎれている第1の出力端子(3)と、前記
第6の抵抗(R6)と前記第12のトランジスタ(C1
2)のコレクタとの間に接続されている第2の出力端子
(4)と、エミッタが第7の抵抗(R7)を介して前記
第9及び第10のトランジスタ(Q9 )  (QIO
)のコレクタに接続され、コレクタが前記第11のトラ
ンジスタ(Q11>のコレクタに接続されている第13
のトランジスタ(C13)と、エミッタが第8の抵抗(
R8)を介して前記第9及び第10のトランジスタ(Q
9 )  (Q10)のコレクタに接続され、コレクタ
が前記第12のトランジスタ(C12)のコレクタに接
続され、ベースが前記第13のトランジスタ(C13)
のベースに接続されている第14のl・ランジスタ(C
14)と、前記第13及び第14のトランジスタ(C1
3)  (C14)のベースにバイアスをそれぞれ与え
るバイアス手段(10)とを備え、前記コントロール端
子(C1)の電圧の切換えによって前記第7及び第8の
トランジスタ(Q? )  (C8)がオン・オフ制御
され、ゲインが切換えられるように構成されていること
を特徴とする差動増幅器に係わるものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention for achieving the above object has first and second input terminals (1N2) and a base connected to the first input terminal (1N2).
) and a second transistor (Q2) whose base is connected to said second input terminal (2).
a transistor (Q2), and first and second resistors (R1>(R2)) connected between the emitters of the first and second transistors (Ql>(Ql) and connected in series with each other; The first and second resistors (R
1) A first current source (CS1) connected to the connection midpoint of (R2>), a third transistor (Q3) whose base is connected to the first input terminal (1), and a third transistor (Q3) whose base is connected to the first input terminal (1); a fourth transistor (Q4) connected to the second input terminal (2) and the emitters of the third and fourth transistors (Q3) (Q4) and connected in series with each other; The third and fourth resistors (R3
) (R4) and the third and fourth resistors (R3)
The second current source (R4) is connected to the connection midpoint of (R4)
CS2>, and the emitter is connected to the first transistor (Q2
) is connected to the collector of the fifth transistor (Q
5), the emitter is connected to the collector of the second transistor (Q2), and the base is connected to the fifth transistor (Q2).
5) is connected to the base of the sixth transistor (Q
6), a seventh transistor (Q2) whose emitter is connected to the collector of the third transistor (Q3) and whose collector is connected to the collector of the fifth transistor (Q5); 4 transistors (
an eighth transistor (Q8) whose collector is connected to the collector of the sixth transistor (Q6) and whose base is connected to the base of the seventh transistor (Q2); The emitter is the seventh
a ninth transistor (Q9) to which the emitter of the transistor (Q2) is connected; the emitter is connected to the emitter of the eighth transistor (Q8), and the base is connected to the base of the ninth transistor (Q9). a tenth transistor (Q10) whose collector is connected to the collector of the ninth transistor (Q9), and the ninth and tenth transistors (Q9') (Q10
) and the fifth and sixth transistors (C5) respectively connected to the bases of the control terminals (C1) and the fifth and sixth transistors (C5).
(Q6); and bias means (8) for applying bias to the bases of the seventh and eighth transistors (Q?> (C8). an eleventh transistor (Q11) whose emitter is connected to the collector of the fifth transistor (C5); an eleventh transistor (Q11) whose emitter is connected to the collector of the sixth transistor (C6) and whose base is connected to the collector of the sixth transistor (C6); a twelfth transistor <C12) connected to the base of the transistor Q11) and the eleventh and twelfth transistors (Q11) (C1
2) bias means (9) for applying a bias to the bases of the eleventh transistor (Q 11
) and a fifth resistor (R5) connected between the collector of the transistor (R5) and the power supply terminal (5);
a sixth resistor (R6) connected between the collector of C12) and the power supply terminal (5);
5) and the collector of the eleventh transistor (Q11), the first output terminal (3) is disconnected between the sixth resistor (R6) and the collector of the twelfth transistor (C1
2), and the emitter is connected between the collector of the ninth and tenth transistors (Q9) (QIO) via the seventh resistor (R7).
), the collector of which is connected to the collector of the eleventh transistor (Q11>);
transistor (C13), and the emitter is an eighth resistor (C13).
The ninth and tenth transistors (Q
9) (Q10), the collector is connected to the collector of the twelfth transistor (C12), and the base is connected to the collector of the thirteenth transistor (C13).
The fourteenth L transistor (C
14) and the thirteenth and fourteenth transistors (C1
3) Bias means (10) for applying a bias to the bases of (C14), respectively, and the seventh and eighth transistors (Q?) (C8) are turned on and off by switching the voltage of the control terminal (C1). The present invention relates to a differential amplifier characterized in that it is configured to be turned off and its gain is switched.

[作 用] 本発明の回路においても、第7及び第8のトランジスタ
Q7 、C8をオン・オフ制御することによって第3図
の従来のスイッチ31 、S2をオン・オフしたと等価
な動作になる。
[Function] Also in the circuit of the present invention, by controlling the seventh and eighth transistors Q7 and C8 to turn on and off, the operation becomes equivalent to turning on and off the conventional switches 31 and S2 shown in FIG. .

また、第13及び14のトランジスタQ13、C14を
負荷抵抗としての第5及び第6の抵抗R5、R6と第9
及び第10のトランジスタQ9 、Q10との間に接続
したので、第7及び第8のトランジスタQ7 、C8の
オン時とオフ時とのいずれにおいても、第2の電流源C
32の電流が負荷抵抗としての第5及び第6の抵抗R5
、R6に流れ、直流レベルの変動が抑えられる。
Further, the thirteenth and fourteenth transistors Q13 and C14 are connected to the fifth and sixth resistors R5 and R6 and the ninth resistor as load resistances.
and the tenth transistors Q9 and Q10, the second current source C
32 current flows through the fifth and sixth resistors R5 as load resistances.
, R6, and fluctuations in the DC level are suppressed.

[実施例] 次に、第1図を参照して本発明の実施例に係わるゲイン
切換回路を有する差動増幅器を説明する。
[Embodiment] Next, a differential amplifier having a gain switching circuit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第1図に示す差動増幅器から第3図の従来回路と等価な
部分を抜き出して示すと、第2図になる。
FIG. 2 shows a portion equivalent to the conventional circuit shown in FIG. 3 extracted from the differential amplifier shown in FIG. 1.

この第2図の回路では、第3図の従来回路におけるスイ
ッチS1、S2による切換えと等価な働きをさせるなめ
にトランジスタQ5〜Q10を設けたものである。即ち
、差動入力ΔVinを与えるための第1及び第2の入力
端子1.2と、第1及び第2の出力端子3.4と、第1
〜第4のトランジスタQ1〜Q4と、第1〜第6の抵抗
R1〜R6と、第1及び第2の定電流源C31、C82
と、定電圧を与えるための電源端子5.6の他に、第5
〜第10のトランジスタQ5〜QIOと第1及び第2の
コントロール端子CI 、C2を設けたものである。
In the circuit shown in FIG. 2, transistors Q5 to Q10 are provided in order to perform an equivalent function to the switching by switches S1 and S2 in the conventional circuit shown in FIG. That is, the first and second input terminals 1.2 for providing the differential input ΔVin, the first and second output terminals 3.4, and the first
~Fourth transistors Q1 to Q4, first to sixth resistors R1 to R6, and first and second constant current sources C31 and C82
In addition to the power supply terminal 5.6 for providing constant voltage, the fifth
~10th transistors Q5~QIO and first and second control terminals CI and C2 are provided.

各部の接続関係を詳しく説明すると、第1及び第2のト
ランジスタQl 、C2のベースが第1及び第2の入力
端子1.2にそれぞれ接続されている。第1及び第2の
抵抗R1、R2は第1及び第2のトランジスタQ1 、
Q2のエミッタ間に接続され且つ互いに直列に接続され
ている。第1の電流11を流すための第1の定電流源C
3Iは第1及び第2の抵抗R1、R2の接続中点とグラ
ンド(共通電源ライン)との間に接続されている。第3
及び第4のトランジスタQ3 、Q4のベースは第1及
び第2の入力端子1.2にそれぞれ接続されている。第
3及び第4の抵抗R3、R4は第3及び第4のトランジ
スタQ3 、Q4のエミッタ間に接続され且つ互いに直
列に接続されている。第2の電流I2を流すための第2
の定電流源C32は第3及び第4の抵抗R3、R4の接
続中点とグランドとの間に接続されている。
To explain in detail the connection relationship between each part, the bases of the first and second transistors Ql and C2 are connected to the first and second input terminals 1.2, respectively. The first and second resistors R1 and R2 are connected to the first and second transistors Q1,
They are connected between the emitters of Q2 and in series with each other. A first constant current source C for flowing the first current 11
3I is connected between the connection midpoint of the first and second resistors R1 and R2 and the ground (common power supply line). Third
The bases of the fourth transistors Q3 and Q4 are connected to the first and second input terminals 1.2, respectively. The third and fourth resistors R3 and R4 are connected between the emitters of the third and fourth transistors Q3 and Q4, and are connected in series with each other. a second current I2 for flowing the second current I2;
A constant current source C32 is connected between the connection midpoint of the third and fourth resistors R3 and R4 and the ground.

カスコード増幅器を構成するための第5及び第6のトラ
ンジスタQ5 、Q6のエミッタは第1及び第2のトラ
ンジスタQ1、Q2のコレクタにそれぞれ接続されてい
る。カスコード増幅器を構成するための第7及び第8の
トランジスタQ7 、 Q8のエミッタは第3及び第4
のトランジスタQ3、Q4のコレクタにそれぞれ接続さ
れ、またそれぞれのコレクタは第5及び第6のトランジ
スタQ5、Q6のコレクタに接続されている。第9及び
第10のトランジスタQ9 、Q10のエミッタは第7
及び第8のトランジスタQ7 、Q8のエミッタにそれ
ぞれ接続され、各コレクタは電源端子6にそれぞれ接続
され、各ベースは第1のコントロール端子C1に接続さ
れている。第5及び第6のトランジスタQ5、Q6のベ
ースはバイアス手段としてのライン7を介して第2のコ
ントロール端子c2に接続され、第7及び第8のトラン
ジスタQ7、Q8のベースはバイアス手段としてのライ
ン8を介して第2のコントロール端子C2に接続されて
いる。負荷抵抗としての第5及び第6の抵抗R5、R6
は定電圧Vccを与える電源端子5と第5及び第6のト
ランジスタQ5、Q6のコレクタとの間にそれぞれ接続
され、差動出力Δoutを得るための第1及び第2の出
力端子3.4は第5及び第6の抵抗R5、R6と第5及
び第6のトランジスタQ5 、Q6との間にそれぞれ接
続されている。
The emitters of the fifth and sixth transistors Q5 and Q6 constituting the cascode amplifier are connected to the collectors of the first and second transistors Q1 and Q2, respectively. The emitters of the seventh and eighth transistors Q7 and Q8 for forming the cascode amplifier are the third and fourth transistors.
are connected to the collectors of transistors Q3 and Q4, respectively, and their respective collectors are connected to the collectors of fifth and sixth transistors Q5 and Q6. The emitters of the ninth and tenth transistors Q9 and Q10 are the seventh
and the emitters of the eighth transistors Q7 and Q8, each collector is connected to the power supply terminal 6, and each base is connected to the first control terminal C1. The bases of the fifth and sixth transistors Q5 and Q6 are connected to the second control terminal c2 via the line 7 as bias means, and the bases of the seventh and eighth transistors Q7 and Q8 are connected to the line 7 as bias means. 8 to the second control terminal C2. Fifth and sixth resistors R5 and R6 as load resistors
are connected between the power supply terminal 5 that provides a constant voltage Vcc and the collectors of the fifth and sixth transistors Q5 and Q6, respectively, and the first and second output terminals 3.4 for obtaining the differential output Δout are It is connected between the fifth and sixth resistors R5 and R6 and the fifth and sixth transistors Q5 and Q6, respectively.

なお、この第2図の従来例では、Q1〜Q10はNPN
型トランジスタであり、且つR1=R2、R3=R4、
R5=R6に設定されている。
In the conventional example shown in FIG. 2, Q1 to Q10 are NPN.
type transistor, and R1=R2, R3=R4,
R5=R6 is set.

第2図の回路において、第1のコントロール端子C1の
電圧を第2のコントロール端子02の電圧よりも高く設
定すると、第9及び第10のトランジスタQ9 、Q1
0がオンになり、反対に第7及び第8のトランジスタQ
7 、Q8がオフになり、従来の第3図の回路でスイッ
チ81.32をオフにした場合と同様な状態が得られる
。逆に、第1のコントロール端子C1の電圧を第2のコ
ントロール端子C2の電圧よりも低くすると、第7及び
第8の1−ランジスタQ7、Q8がオンになり、第2の
定電流源C32の電流が負荷抵抗としての第5及び第6
の抵抗rt5 、R6に流れる。これにより、第2図の
回路は第3図の回路と同様に動作する。
In the circuit shown in FIG. 2, when the voltage of the first control terminal C1 is set higher than the voltage of the second control terminal 02, the ninth and tenth transistors Q9 and Q1
0 is turned on, and on the contrary the seventh and eighth transistors Q
7, Q8 is turned off, and a state similar to that obtained when switch 81.32 is turned off in the conventional circuit of FIG. 3 is obtained. Conversely, when the voltage of the first control terminal C1 is lowered than the voltage of the second control terminal C2, the seventh and eighth 1-transistors Q7 and Q8 are turned on, and the voltage of the second constant current source C32 is turned on. 5th and 6th current as load resistance
The current flows through the resistors rt5 and R6. As a result, the circuit of FIG. 2 operates in the same manner as the circuit of FIG. 3.

第1図はゲイン切換に基づく出力直流電圧の変化を少な
くしな差動増幅器を示す、第1図の回路は、第2図の回
路に第11、第12、第13及び第1.4のトランジス
タQ11、Q12、Q13、Q14及び第7及び第8の
抵抗R7、R8を付加したものである。従って、第1図
において第2図と実質的に同一の部分には同一の符号を
付してその説明を省略する。付加された第11及び第1
2のトランジスタQ11、Q12のエミッタは第5及び
第6のトランジスタQ5 、Q6のコレクタにそれぞれ
接続され、コレクタは第5及び第6の抵抗R5、R6に
それぞれ接続されている。第13及び第14のトランジ
スタQ13、Q14のエミッタ間には第7及び第8の抵
抗R7、R8が接続され、これ等の接続中点が第9及び
第10のトランジスタQ9 、Q10のコレクタに接続
されている。第13及び第14のトランジスタQ13、
Q14のコレクタは第5及び第6の抵抗R5、R6に接
続されている。第11及び第12のトランジスタQ11
、Q12のベースはバイアス手段としてのライン9を介
して電源端子5の電圧Vccよりも低いバイアス電圧V
Bを供給するためのバイアス電源端子6aに接続されて
いる。第13及び第14のトランジスタQ13、Q14
のベースはバイアス手段としてのライン10を介してバ
イアス電源端子6aに接続されている。
FIG. 1 shows a differential amplifier that reduces changes in output DC voltage due to gain switching. The circuit of FIG. Transistors Q11, Q12, Q13, Q14 and seventh and eighth resistors R7 and R8 are added. Therefore, the parts in FIG. 1 that are substantially the same as those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. Added 11th and 1st
The emitters of the second transistors Q11 and Q12 are connected to the collectors of the fifth and sixth transistors Q5 and Q6, respectively, and the collectors are connected to the fifth and sixth resistors R5 and R6, respectively. Seventh and eighth resistors R7 and R8 are connected between the emitters of the thirteenth and fourteenth transistors Q13 and Q14, and the midpoint of their connection is connected to the collectors of the ninth and tenth transistors Q9 and Q10. has been done. thirteenth and fourteenth transistors Q13,
The collector of Q14 is connected to fifth and sixth resistors R5 and R6. Eleventh and twelfth transistors Q11
, Q12 is connected to a bias voltage V lower than the voltage Vcc of the power supply terminal 5 via a line 9 as a bias means.
It is connected to a bias power supply terminal 6a for supplying B. Thirteenth and fourteenth transistors Q13, Q14
The base of is connected to a bias power supply terminal 6a via a line 10 as bias means.

第1及び第2の出力端子3.4は第11及び第12のト
ランジスタQ11、C12のコレクタにそれぞれ接続さ
れている。
The first and second output terminals 3.4 are connected to the collectors of the eleventh and twelfth transistors Q11, C12, respectively.

第1図の回路において、第1のコントロール端子C1に
第2のコントロール端子C2よりも高い電圧を印加した
場合、第2図の回路と同様に第7及び第8のトランジス
タQ7 、C8はオフに制御され、第3図のスイッチS
1.32をオフにした場合と同様なゲインになる。この
時、第9及び第10のトランジスタQ9 、QIOはオ
ンになるが、これ等のコレクタが互いに接続されている
ために、トランジスタQ9 、Q10に流れる差動信号
は合成され、信号成分が打ち消されて直流成分のみとな
る。この直流電流は、第13及び第14のトランジスタ
Q13、C14と第7及び第8の抵抗R7、R8で分配
されて、第5及び第6の抵抗R5、R6に流れる。第7
及び第8の抵抗R7、R8の接続中点に流れ込む電流I
2に基づいて第7及び第8の抵抗R7、R8に流れる電
流即ち第13及び第14のトランジスタQ13、C14
のエミッタ電流を113.114とし、第13及び第1
4のトランジスタQ13、C14のベース・エミッタ間
電圧をV BE13、V BE44とすると、113と
114との比は次式となる。
In the circuit shown in FIG. 1, when a voltage higher than the second control terminal C2 is applied to the first control terminal C1, the seventh and eighth transistors Q7 and C8 are turned off as in the circuit shown in FIG. controlled by the switch S in FIG.
The gain is the same as when 1.32 is turned off. At this time, the ninth and tenth transistors Q9 and QIO are turned on, but since their collectors are connected to each other, the differential signals flowing through the transistors Q9 and Q10 are combined, and the signal components are canceled out. Therefore, there is only a DC component. This DC current is divided between the thirteenth and fourteenth transistors Q13 and C14 and the seventh and eighth resistors R7 and R8, and flows to the fifth and sixth resistors R5 and R6. 7th
and the current I flowing into the connection midpoint of the eighth resistors R7 and R8.
2, the current flowing through the seventh and eighth resistors R7 and R8, that is, the thirteenth and fourteenth transistors Q13 and C14.
The emitter current of the 13th and 1st
If the base-emitter voltages of the transistors Q13 and C14 of No. 4 are V BE13 and V BE44, the ratio between 113 and 114 is given by the following equation.

I 13/ I 14= (VBE14−VBE13)
 / (R13x 114) +R14/R13・・・
・・・(5)ここで、V 8E13= V 8E14、
R13= R14とすると、I 13/ I 14= 
1 となり、113と114は等しくなる。  I 13+
I 14=■2であるから113と114は共にI2/
2となり、I2が1/2に分配される。この電流113
.114は第5及び第6の抵抗R5、Rθにそれぞれ流
れる。
I 13/I 14= (VBE14-VBE13)
/ (R13x 114) +R14/R13...
...(5) Here, V 8E13 = V 8E14,
If R13=R14, I 13/I 14=
1, and 113 and 114 are equal. I 13+
Since I 14 = ■2, 113 and 114 are both I2/
2, and I2 is divided into 1/2. This current 113
.. 114 flows through the fifth and sixth resistors R5 and Rθ, respectively.

第7及び第8のトランジスタQ7 、C8がオンの時に
は、第2の定電流源C32の電流I2が第3及び第4の
トランジスタQ3 、C4でI2/2に分配され、第5
及び第6の抵抗R5、R6に流れる。
When the seventh and eighth transistors Q7 and C8 are on, the current I2 of the second constant current source C32 is divided into I2/2 by the third and fourth transistors Q3 and C4, and
and flows through the sixth resistors R5 and R6.

この結果、第7及び第8のトランジスタQ7、C8のオ
ン・オフに無関係に第2の定電流源cs2の電流I2は
半分に分配されて第5及び第6の抵抗R5、R6に流れ
ることになり、出力直流レベルの変化がなくなる。
As a result, the current I2 of the second constant current source cs2 is divided in half and flows to the fifth and sixth resistors R5 and R6, regardless of whether the seventh and eighth transistors Q7 and C8 are on or off. Therefore, there is no change in the output DC level.

なお、必要に応じて第5及び第6の抵抗R5、R6と第
11及び第12のトランジスタQ11、C12との間、
及び第5及び第6の抵抗R5、R6と第13及び第14
のトランジスタQ13、C14との間に増幅器を追加し
てもよい、また、第11及び第12のトランジスタQ1
1、C12のベースに加えるバイアス電圧と第13及び
第14のトランジスタQ13、C14のベースに加える
バイアス電圧とを異なる値にしてもよい、また、第5及
び第6のトランジスタQ5、C6のベースバイアス電圧
と第7及び第8のトランジスタQ7 、C8のベースバ
イアス電圧とを異なる値にしてもよい、また、第1及び
第2の定電流源C81、C82を負の電源に接続しても
よい。
Note that, if necessary, between the fifth and sixth resistors R5 and R6 and the eleventh and twelfth transistors Q11 and C12,
and the fifth and sixth resistors R5 and R6 and the thirteenth and fourteenth resistors
An amplifier may be added between the transistors Q13 and C14, and the eleventh and twelfth transistors Q1
1. The bias voltage applied to the base of C12 and the bias voltage applied to the bases of the 13th and 14th transistors Q13 and C14 may be set to different values, and the base bias of the 5th and 6th transistors Q5 and C6 may be set to different values. The voltage and the base bias voltages of the seventh and eighth transistors Q7 and C8 may be set to different values, and the first and second constant current sources C81 and C82 may be connected to a negative power supply.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ゲイン切換時に
出力直流レベルの変化が少なくなる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, changes in the output DC level are reduced when switching the gain.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例に係わる差動増幅器を示す回路
図、 第2図は第1図の回路における第3図と実質的に同一な
部分を示す回路図、 第3図は従来のゲイン切換回路を有する差動増幅器を示
す回路図である。 1.2・・・入力端子、3.4・・・出力端子、5・・
・電源端子、6a・・・バイアス電源端子、Q1〜Q1
4・・・トランジスタ、C8I・・・第1の定電流源、
C32・・・第2の定電流源、R1−R8・・・抵抗、
C1・・・第1のコントロール端子、C2・・・第2の
コントロール端子。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a differential amplifier according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing substantially the same part as FIG. 3 in the circuit of FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing a differential amplifier having a gain switching circuit. 1.2...Input terminal, 3.4...Output terminal, 5...
・Power supply terminal, 6a...bias power supply terminal, Q1~Q1
4...Transistor, C8I...First constant current source,
C32...Second constant current source, R1-R8...Resistor,
C1...first control terminal, C2...second control terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 第1及び第2の入力端子(1)(2)と、 ベースが前記第1の入力端子(1)に接続されている第
1のトランジスタ(Q1)と、 ベースが前記第2の入力端子(2)に接続されている第
2のトランジスタ(Q2)と、 前記第1及び第2のトランジスタ(Q1)(Q2)のエ
ミッタ間に接続され且つ互いに直列に接続されている第
1及び第2の抵抗(R1)(R2)と、 前記第1及び第2の抵抗(R1)(R2)の接続中点に
接続された第1の電流源(CS1)と、ベースが前記第
1の入力端子(1)に接続されている第3のトランジス
タ(Q3)と、 ベースが前記第2の入力端子(2)に接続されている第
4のトランジスタ(Q4)と、 前記第3及び第4のトランジスタ(Q3)(Q4)のエ
ミッタ間に接続され且つ互いに直列に接続されている第
3及び第4の抵抗(R3)(R4)と、 前記第3及び第4の抵抗(R3)(R4)の接続中点に
接続されている第2の電流源(CS2)と、 エミッタが前記第1のトランジスタ(Q1)のコレクタ
に接続されている第5のトランジスタ(Q5)と、 エミッタが第2のトランジスタ(Q2)のコレクタに接
続され、ベースが前記第5のトランジスタ(Q5)のベ
ースに接続されている第6のトランジスタ(Q6)と、 エミッタが前記第3のトランジスタ(Q3)のコレクタ
に接続され、コレクタが前記第5のトランジスタ(Q5
)のコレクタに接続されている第7のトランジスタ(Q
7)と、 エミッタが前記第4のトランジスタ(Q4)のコレクタ
に接続され、コレクタが前記第6のトランジスタ(Q6
)のコレクタに接続され、ベースが前記第7のトランジ
スタ(Q7)のベースに接続されている第8のトランジ
スタ(Q8)と、エミッタが前記第7のトランジスタ(
Q7)のエミッタが接続された第9のトランジスタ(Q
9)と、 エミッタが前記第8のトランジスタ(Q8)のエミッタ
に接続され、ベースが前記第9のトランジスタ(Q9)
のベースに接続され、コレクタが前記第9のトランジス
タ(Q9)のコレクタに接続されている第10のトラン
ジスタ(Q10)と、前記第9及び第10のトランジス
タ(Q9)(Q10)のベースにそれぞれ接続されてい
るコントロール端子(C1)と、 前記第5及び第6のトランジスタ(Q5)(Q6)のベ
ースにバイアスをそれぞれ与えるためのバイアス手段(
7)と、 前記第7及び第8のトランジスタ(Q7)(Q8)のベ
ースにバイアスをそれぞれ与えるためのバイアス手段(
8)と、 エミッタが前記第5のトランジスタ(Q5)のコレクタ
に接続されている第11のトランジスタ(Q11)と、 エミッタが前記第6のトランジスタ(Q6)のコレクタ
に接続され、ベースが前記第11のトランジスタ(Q1
1)のベースに接続されている第12のトランジスタ(
Q12)と、 前記第11及び第12のトランジスタ(Q11)(Q1
2)のベースにバイアスをそれぞれ与えるためのバイア
ス手段(9)と、 前記第11のトランジスタ(Q11)のコレクタと電源
端子(5)との間に接続されている第5の抵抗(R5)
と、 前記第12のトランジスタ(Q12)のコレクタと前記
電源端子(5)との間に接続されている第6の抵抗(R
6)と、 前記第5の抵抗(Q5)と前記第11のトランジスタ(
Q11)のコレクタとの間に接続されている第1の出力
端子(3)と、 前記第6の抵抗(R6)と前記第12のトランジスタ(
Q12)のコレクタとの間に接続されている第2の出力
端子(4)と、 エミッタが第7の抵抗(R7)を介して前記第9及び第
10のトランジスタ(Q9)(Q10)のコレクタに接
続され、コレクタが前記第11のトランジスタ(Q11
)のコレクタに接続されている第13のトランジスタ(
Q13)と、 エミッタが第8の抵抗(R8)を介して前記第9及び第
10のトランジスタ(Q9)(Q10)のコレクタに接
続され、コレクタが前記第12のトランジスタ(Q12
)のコレクタに接続され、ベースが前記第13のトラン
ジスタ(Q13)のベースに接続されている第14のト
ランジスタ(Q14)と、 前記第13及び第14のトランジスタ(Q13)(Q1
4)のベースにバイアスをそれぞれ与えるバイアス手段
(10)と を備え、前記コントロール端子(C1)の電圧の切換え
によつて前記第7及び第8のトランジスタ(Q7)(Q
8)がオン・オフ制御され、ゲインが切換えられるよう
に構成されていることを特徴とする差動増幅器。
[Claims] First and second input terminals (1) (2); a first transistor (Q1) whose base is connected to said first input terminal (1); and whose base is connected to said first input terminal (1); A second transistor (Q2) connected to the second input terminal (2) and the emitters of the first and second transistors (Q1) (Q2) and connected in series with each other. a first and second resistor (R1) (R2); a first current source (CS1) connected to a midpoint between the first and second resistors (R1) and (R2); a third transistor (Q3) connected to the first input terminal (1); a fourth transistor (Q4) whose base is connected to the second input terminal (2); and third and fourth resistors (R3) (R4) connected between the emitters of the fourth transistors (Q3) (Q4) and connected in series with each other; and the third and fourth resistors (R3). ) (R4); a fifth transistor (Q5) whose emitter is connected to the collector of the first transistor (Q1); a sixth transistor (Q6) whose base is connected to the collector of the second transistor (Q2) and whose base is connected to the base of the fifth transistor (Q5); and whose emitter is connected to the third transistor (Q3). is connected to the collector of the fifth transistor (Q5), and the collector is connected to the collector of the fifth transistor (Q5).
) is connected to the collector of the seventh transistor (Q
7), the emitter is connected to the collector of the fourth transistor (Q4), and the collector is connected to the collector of the sixth transistor (Q6).
an eighth transistor (Q8) whose base is connected to the collector of the seventh transistor (Q7) and whose emitter is connected to the collector of the seventh transistor (Q7);
The emitter of the ninth transistor (Q7) is connected to the emitter of the ninth transistor (Q7).
9), the emitter of which is connected to the emitter of the eighth transistor (Q8), and the base of which is connected to the emitter of the ninth transistor (Q9).
a tenth transistor (Q10) whose collector is connected to the base of the ninth transistor (Q9) and the bases of the ninth and tenth transistors (Q9) (Q10), respectively. bias means (for applying bias to the connected control terminal (C1) and the bases of the fifth and sixth transistors (Q5) and (Q6), respectively;
7) and bias means (for applying bias to the bases of the seventh and eighth transistors (Q7) and (Q8), respectively);
8); an eleventh transistor (Q11) whose emitter is connected to the collector of the fifth transistor (Q5); an eleventh transistor (Q11) whose emitter is connected to the collector of the sixth transistor (Q6) and whose base is connected to the collector of the sixth transistor (Q6); 11 transistors (Q1
1) connected to the base of the twelfth transistor (
Q12) and the eleventh and twelfth transistors (Q11) (Q1
2) bias means (9) for applying a bias to the bases of the transistors 1 and 2), and a fifth resistor (R5) connected between the collector of the eleventh transistor (Q11) and the power supply terminal (5).
and a sixth resistor (R) connected between the collector of the twelfth transistor (Q12) and the power supply terminal (5).
6), the fifth resistor (Q5) and the eleventh transistor (
the first output terminal (3) connected between the collector of the transistor (Q11), the sixth resistor (R6) and the twelfth transistor (
A second output terminal (4) connected between the collector of the transistor Q12) and the collector of the ninth and tenth transistors (Q9) (Q10) whose emitters are connected through a seventh resistor (R7). , and the collector is connected to the eleventh transistor (Q11
) is connected to the collector of the thirteenth transistor (
Q13), the emitter of which is connected to the collectors of the ninth and tenth transistors (Q9) (Q10) via an eighth resistor (R8), and the collector of which is connected to the collector of the twelfth transistor (Q12).
) and whose base is connected to the base of the thirteenth transistor (Q13); and the thirteenth and fourteenth transistors (Q13) (Q1
bias means (10) for applying a bias to the bases of the seventh and eighth transistors (Q7) (Q) by switching the voltage of the control terminal (C1).
8) A differential amplifier characterized in that the differential amplifier is configured such that the amplifier is controlled on and off and the gain is switched.
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