JPH02206187A - Semiconductor laser drive circuit - Google Patents

Semiconductor laser drive circuit

Info

Publication number
JPH02206187A
JPH02206187A JP1026911A JP2691189A JPH02206187A JP H02206187 A JPH02206187 A JP H02206187A JP 1026911 A JP1026911 A JP 1026911A JP 2691189 A JP2691189 A JP 2691189A JP H02206187 A JPH02206187 A JP H02206187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
current
optical output
voltage
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1026911A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Kubota
真司 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1026911A priority Critical patent/JPH02206187A/en
Publication of JPH02206187A publication Critical patent/JPH02206187A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

PURPOSE:To realize a semiconductor laser drive circuit capable of detecting maximum rating of optical output reliably and causing a semiconductor laser to stop emission of light by providing means which make a reference voltage of a comparator detecting a voltage of the driving state variable such that it always corresponds to driving current with which an optical output is close to the maximum rating, according to a relation between the driving current and the optical output of the laser. CONSTITUTION:An AD converter 20 attached additionally to a conventional laser drive circuit converts a monitor voltage VM 5 as an analog signal into a digital signal VAD 21. A latch 23 holds digital data from a CPU 22 for setting an optical output and DA 1 converts an output from the latch 23 into an analog voltage VD 9. A latch 25 holds digital data from the CPU 22 for setting a predetermined reference voltage that a comparator 16 uses as a reference. A DA 2 converts an output from the latch 25 into an analog voltage. An output of the comparator 16 is inputted into the CPU 22. If the CPU 22 detects any abnormal optical output, the CPU 22 causes a semiconductor laser 1 to stop emission of light.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザの光を絞った微小スポットを用い
て光デイスク上に情報を記録したり、あるいは記録した
光デイスク上の情報を消去・再生する光デイスク装置の
なかで、特に半導体レーザ駆動口、路に関するものであ
る。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention records information on an optical disk using a fine spot focused on the light of a semiconductor laser, or erases and reproduces recorded information on an optical disk. Among optical disk devices, the present invention particularly relates to semiconductor laser drive ports and paths.

従来の技術 第3図に従来の半導体レーザの駆動回路及び異常検出回
路のブロック図を示す。1は半導体レーザで、その光出
力を2のピンダイオードが受は光出力に応じたピン電流
Ipを発生する。3のピン電流Ipは4の電流・電圧変
換器で5のモニター電圧VMに変換される。7は差動ア
ンプでモニター電圧VNと光出力を設定する6の基準電
圧VPLとの差をとって、9の駆動電圧V、を出力する
。8はアナログスイッチで10のアンドゲートの出力が
”HIGH”の時に開いて、7の差動アンプを働かせる
。アンドゲート10の出力が”LOW”の時はアナログ
スイッチは閉じて、7の差動アンプの負入力はグランド
になり出力vllは正の電源電圧になり、半導体レーザ
1の電流が流れない。アンドゲート10の入力は、1つ
は11の発光命令LDONで、もう1つは異常検出する
フリップフロップ(以降FFと呼ぶ)18の出力である
。発光命令LDONは半導体レーザ1を発光させる時に
”HIGH”になる。FF18は半導体レーザ1の光出
力が正常の時は”HIGH”で異常の時に”LOW”に
なる。12は半導体レーザ1に流す電流を与える電流源
のトランジスタで、駆動電圧V、によって電流を制御し
ている。13は負荷抵抗RLl 14は半導体レーザ1
に流れる駆動電流ILである。15は電源電圧Vccで
ある。以降の説明ではVccは具体的に+12ボルト、
RLは30オームとする。16は駆動電圧VDと17の
スライス電圧V s Lとを比較する比較器である。ス
ライス電圧V8【は半導体レーザ1の光出力が定格を越
える付近の駆動電流ILに対応して設定する。比較器1
6の出力はFF18に入り、ラッチされる。
BACKGROUND OF THE INVENTION FIG. 3 shows a block diagram of a conventional semiconductor laser drive circuit and abnormality detection circuit. Reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, and a pin diode 2 receives its optical output, and generates a pin current Ip corresponding to the optical output. The pin current Ip of 3 is converted into the monitor voltage VM of 5 by the current/voltage converter 4. A differential amplifier 7 calculates the difference between the monitor voltage VN and the reference voltage VPL 6 for setting the optical output, and outputs the drive voltage V 9. 8 is an analog switch that opens when the output of the AND gate 10 is "HIGH", and activates the differential amplifier 7. When the output of the AND gate 10 is "LOW", the analog switch is closed, the negative input of the differential amplifier 7 is grounded, the output vll becomes a positive power supply voltage, and no current flows through the semiconductor laser 1. One input to the AND gate 10 is the light emission command LDON 11, and the other is the output of a flip-flop (hereinafter referred to as FF) 18 for detecting an abnormality. The light emission command LDON becomes "HIGH" when causing the semiconductor laser 1 to emit light. The FF 18 becomes "HIGH" when the optical output of the semiconductor laser 1 is normal, and becomes "LOW" when it is abnormal. Reference numeral 12 denotes a current source transistor for supplying a current to the semiconductor laser 1, and the current is controlled by a drive voltage V. 13 is a load resistor RLl 14 is a semiconductor laser 1
This is the drive current IL flowing through. 15 is a power supply voltage Vcc. In the following explanation, Vcc specifically refers to +12 volts,
RL is 30 ohm. A comparator 16 compares the drive voltage VD and the slice voltage V s L of 17. The slice voltage V8 is set in accordance with the driving current IL in the vicinity where the optical output of the semiconductor laser 1 exceeds the rated value. Comparator 1
The output of 6 enters FF18 and is latched.

第4図を用いて従来例の動作を説明する。まず(a)の
半導体レーザの発光命令LDONが’HIGH”になる
と(C)のアンドゲート10の出力が”HIGH”にな
り、差動アンプ7が動作する。
The operation of the conventional example will be explained using FIG. First, when the light emission command LDON of the semiconductor laser in (a) becomes ``HIGH'', the output of the AND gate 10 in (C) becomes ``HIGH'', and the differential amplifier 7 operates.

すると、差動アンプ7の出力である(e)の駆動電圧V
oが電源電圧12ボルトから9ボルトに下がり、半導体
レーザ1に駆動電流ILが流れ、(f)のように光出力
がO(mW)からPpL(mW)に設定される。この時
の駆動電流ILはトランジスタ12のペースエミッタ間
電圧を0.8ボルトとすれば、(12−9−0,8)/
30=80mAである。
Then, the drive voltage V of (e) which is the output of the differential amplifier 7
The power supply voltage o decreases from 12 volts to 9 volts, a driving current IL flows through the semiconductor laser 1, and the optical output is set from O (mW) to PpL (mW) as shown in (f). The drive current IL at this time is (12-9-0,8)/assuming that the pace-emitter voltage of the transistor 12 is 0.8 volts.
30=80mA.

(b)のFF出力は比較器1Bの出力が”HIGH”か
ら”LOW”に変化しない限り”HIGH”になってい
る。
The FF output in (b) remains "HIGH" unless the output of the comparator 1B changes from "HIGH" to "LOW".

ここで、比較器16のスライス電圧V S Lは、半導
体レーザ1の駆動電流工、を220mAとして検出する
ものとすれば、V8L=12−30*220mA−0.
6=6ボルトに設定する。今、回路に異常が発生して半
導体レーザの駆動電流ILが増加すると、それにつれて
(e)の駆動電圧vIlが下がる。
Here, if the slice voltage VSL of the comparator 16 is detected with the driving current of the semiconductor laser 1 being 220mA, then V8L=12-30*220mA-0.
Set 6=6 volts. Now, if an abnormality occurs in the circuit and the driving current IL of the semiconductor laser increases, the driving voltage vIl in (e) decreases accordingly.

正常動作時に9ボルトあったvllがスライス電圧V$
L=6ボルトと等しくなると、比較器16が動作して(
d)の比較器出力が”HIG)I”から”LOW”に落
ちる。比較器16の出力をFF18がラッチして(b)
のFF出力がHIGH”から”LOW”になる。FF1
8の出力は1つはアントゲ−) 10、もう1つはシス
テムのほうに導かれる。
vll, which was 9 volts during normal operation, becomes the slice voltage V$
When L equals 6 volts, comparator 16 operates and (
The comparator output of d) falls from "HIG)I" to "LOW". FF18 latches the output of comparator 16 (b)
FF output goes from HIGH to LOW.FF1
One of the outputs of 8 is directed to the anime game), 10, and the other is directed to the system.

(b)のFF出力が”LOWl′になると(c)のAN
D出力が”LOW”になり、差動アンプ7の出力である
駆動電圧Vnが電源電圧になって半導体レーザに駆動電
流ILが流れなくなり半導体レーザ1の発光が停止する
。FF18のシステムへの出力は、システムに異常を知
らせて、発光命令LDONをアクティブ状態の”HIG
H”からノンアクティブの”LOW”に落とす。以上の
ように、半導体レーザ1の駆動電圧Vnが比較器1Bに
設定した固定のスライス電圧V 8 L以下になったの
を検出して、半導体レーザ1の発光を停止している。
When the FF output of (b) becomes “LOWl”, the AN of (c)
The D output becomes "LOW", the drive voltage Vn which is the output of the differential amplifier 7 becomes the power supply voltage, the drive current IL stops flowing to the semiconductor laser, and the semiconductor laser 1 stops emitting light. The output of FF18 to the system is to notify the system of an abnormality and to activate the light emission command LDON.
As described above, when it is detected that the drive voltage Vn of the semiconductor laser 1 has become below the fixed slice voltage V 8 L set in the comparator 1B, the semiconductor laser 1 has stopped emitting light.

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、比較器16のスラ
イス電圧V S Lが固定であるため、半導体レーザ1
を取り替えたりすると駆動電流I’L及び駆動電圧VD
がレーザー毎に大きく異なり、確実な最大光出力の検出
が出来ないという問題点を有していた。第5図を用いて
この問題点を説明する。第5図にLDIとLD2の2つ
の半導体レーザの駆動電流Iと光出力Pの関係を示す。
Problem to be Solved by the Invention However, in the above configuration, since the slice voltage V S L of the comparator 16 is fixed, the semiconductor laser 1
If you replace the drive current I'L and drive voltage VD
The problem was that the maximum optical output could not be reliably detected because it differed greatly from laser to laser. This problem will be explained using FIG. 5. FIG. 5 shows the relationship between drive current I and optical output P of two semiconductor lasers, LDI and LD2.

光出力でPMIIkは最大定格の光出力である。光出力
PPLは正常動作時の光出力である。半導体レーザLD
Iにおいて、光出力PP1時の駆動電流をI IN  
P noxの時の駆動電流をI SLIとする。光出力
の異常を検知する比較器16のスライス電圧vsLは、
駆動電流がl5LIの時の駆動電圧VDに設定されると
する。
PMIIk is the maximum rated optical output. The optical output PPL is the optical output during normal operation. semiconductor laser LD
In I, the drive current when the optical output PP1 is I IN
Let I SLI be the drive current at P nox. The slice voltage vsL of the comparator 16 that detects an abnormality in the optical output is
It is assumed that the drive voltage VD is set when the drive current is 15LI.

次に、半導体レーザLD1と特性が異なる半導体レーザ
LD、2を駆動−した場合を考える。正常光出力PP1
時の駆動電流をIQN  Pr+’j)1時の駆動電流
をl5L2とする。図から分かるように半導体レーザL
D2の正常時の駆動電流工2が、半導体レーザしDlの
最大定格出力時の駆動電流I SL+よりも大きい。異
常を検出する比較器16のスライス電圧V$Lは半導体
レーザLDIの駆動電流l5LIに対応しているため、
この状態で半導体レーザLD2を駆動した場合は正常動
作時でも比較器16が働いてしまい、半導体レーザ1の
発光を停止することになる。
Next, consider a case where semiconductor lasers LD and 2 having different characteristics from the semiconductor laser LD1 are driven. Normal light output PP1
The drive current at the time is IQN Pr+'j) The drive current at the time is 15L2. As you can see from the figure, the semiconductor laser L
The drive current 2 when D2 is normal is larger than the drive current ISL+ when the semiconductor laser D1 is at its maximum rated output. Since the slice voltage V$L of the comparator 16 that detects an abnormality corresponds to the drive current l5LI of the semiconductor laser LDI,
If the semiconductor laser LD2 is driven in this state, the comparator 16 will work even during normal operation, and the semiconductor laser 1 will stop emitting light.

逆に、比較器16のスライス電圧V S Lを半導体レ
ーザLD2の最大定格の光出力時の駆動電流■GL2に
対応して設定すると、半導体レーザLDIの光出力が最
大定格の駆動電流I *LIになってもまったく異常が
検出されない。比較器16が異常を検出するのは、半導
体レーザLDIの光出力が最大定格P n+xの数倍に
なった時であり、この時には半導体レーザLDIは既に
破壊されており、異常検出の意味がない。
Conversely, if the slice voltage VSL of the comparator 16 is set corresponding to the driving current GL2 at the maximum rated optical output of the semiconductor laser LD2, the optical output of the semiconductor laser LDI becomes the driving current I*LI at the maximum rated optical output. No abnormalities were detected even after this. The comparator 16 detects an abnormality when the optical output of the semiconductor laser LDI becomes several times the maximum rating Pn+x, and at this time the semiconductor laser LDI has already been destroyed and there is no point in detecting an abnormality. .

以上のように、光出力の異常を検出する比較器16のス
ライス電圧V S Lが固定であると、半導体レーザ1
の駆動電流と光出力の特性が変わった時に、光出力の異
常を確実に検出できないという問題点を有していた。さ
らに最悪の場合は半導体レーザの破壊と共に光デイスク
上の大切な記録データを破壊してしまう。
As described above, if the slice voltage V S L of the comparator 16 that detects an abnormality in the optical output is fixed, the semiconductor laser 1
However, when the characteristics of the drive current and optical output change, abnormalities in the optical output cannot be reliably detected. Furthermore, in the worst case, the semiconductor laser is destroyed and important recorded data on the optical disk is also destroyed.

また、半導体レーザが同一であったとしても温度や経時
変化により駆動電流は2倍はどに大きく変化するため、
最大定格の光出力時の駆動電流を固定のスライス電圧で
確実に検出することは困難である。
In addition, even if the semiconductor laser is the same, the drive current will change by twice as much due to temperature and changes over time.
It is difficult to reliably detect the drive current at the maximum rated optical output using a fixed slice voltage.

本発明はかかる点に鑑み、半導体レーザの光出力が最大
定格を越える異常を確実に検出して、半導体レーザの発
光を停止し、半導体レーザの破壊及び光デイスク上の記
録データの破壊を防ぐ半導体レーザ駆動回路を提供する
ことを目的とする。
In view of this, the present invention provides a semiconductor laser that reliably detects an abnormality in which the optical output of a semiconductor laser exceeds its maximum rating, stops the semiconductor laser from emitting light, and prevents the destruction of the semiconductor laser and the data recorded on the optical disk. The purpose is to provide a laser drive circuit.

課題を解決するための手段 本発明は、半導体レーザの光を受けて光出力に応じた電
流を発生する光受光器と、前記光受光器の電流をモニタ
ーして半導体レーザの光出力が所定の値になるよう前記
半導体レーザに電流を流す駆動段を制御する制御回路と
、前記駆動段の電圧あるいは電流と所定の比較電圧ある
いは電流とを比較する比較器と、前記所定の比較電圧あ
るいは電流を可変する可変手段と、前記比較器の出力に
応じて前記半導体レーザの駆動を停止する停止手段とを
備えた半導体レーザ駆動回路である。
Means for Solving the Problems The present invention includes a photodetector that receives light from a semiconductor laser and generates a current according to the optical output, and a photodetector that monitors the current of the photodetector to ensure that the optical output of the semiconductor laser reaches a predetermined level. a control circuit that controls a drive stage that causes a current to flow through the semiconductor laser so that the current is supplied to the semiconductor laser; a comparator that compares the voltage or current of the drive stage with a predetermined comparison voltage or current; The semiconductor laser driving circuit includes a variable means for making a change, and a stopping means for stopping driving of the semiconductor laser according to the output of the comparator.

作用 本発明は前記した構成により、半導体レーザの駆動電流
と光出力の関係に応じて、駆動段の電圧あるいは電流を
検出する比較器の比較電圧あるいは電流を常に光出力が
最大定格近辺になる駆動電流に対応するよう可変するこ
とにより、半導体レーザの光出力が最大定格近辺になっ
たことを確実に検出し、半導体レーザの発光を停止して
、半導体レーザの破壊及び光デイスク上の記録データの
破壊を防ぐ。
Effect of the Invention The present invention has the above-described configuration, so that the comparison voltage or current of the comparator that detects the voltage or current of the drive stage is adjusted so that the optical output is always near the maximum rating, depending on the relationship between the driving current of the semiconductor laser and the optical output. By varying the current to correspond to the current, it is possible to reliably detect when the optical output of the semiconductor laser has reached its maximum rating, and to stop the semiconductor laser from emitting light to prevent damage to the semiconductor laser and data recorded on the optical disk. Prevent destruction.

実施例 第1図は本発明の実施例における半導体レーザ駆動回路
のブロック図を示す。簡単のため、先に説明した従来例
の第3図に追加した部分を説明する。20はAD変換器
でアナログ信号であるモニター電圧VNをAD変換して
21のディジタル信号V^1に変換する。22はCPU
で半導体レーザ駆動回路の全般的な制御を行なう。V^
Dは半導体レーザ1の光出力を設定するためCPU22
に取り込まれる。23はCPU22からの光出力を設定
するディジタルのデータを保持するラッチである。
Embodiment FIG. 1 shows a block diagram of a semiconductor laser drive circuit in an embodiment of the present invention. For the sake of simplicity, only the parts added to FIG. 3 of the prior art example described above will be explained. 20 is an AD converter which performs AD conversion on the monitor voltage VN, which is an analog signal, and converts it into a digital signal V^1 21. 22 is the CPU
performs general control of the semiconductor laser drive circuit. V^
D is a CPU 22 for setting the optical output of the semiconductor laser 1.
be taken in. 23 is a latch that holds digital data for setting the optical output from the CPU 22.

24のDAIはラッチ23の出力をアナログ電圧v11
に変換するDA変換器である。アナログ電圧VDはトラ
ンジスタ12を駆動する駆動電圧で、半導体レーザ1に
流す駆動電流ILを設定する。25はCPU22からの
比較器16の基準となる所定の比較電圧(以下、スライ
ス電圧と記す)Vscを設定するディジタルのデータを
保持するラッチである。26のDA2はラッチ25の出
力をアナログ電圧V S Lに変換するDA変換器であ
る。比較器16の出力は、22のCPUに入り、光出力
の異常を検出したら、CPUが半導体レーザ1の発光を
停止するよう働く。
24 DAI connects the output of latch 23 to analog voltage v11
This is a DA converter that converts The analog voltage VD is a drive voltage that drives the transistor 12 and sets the drive current IL flowing through the semiconductor laser 1. Reference numeral 25 denotes a latch that holds digital data from the CPU 22 that sets a predetermined comparison voltage (hereinafter referred to as slice voltage) Vsc serving as a reference for the comparator 16. DA2 of 26 is a DA converter that converts the output of the latch 25 into an analog voltage VSL. The output of the comparator 16 is input to the CPU 22, and when an abnormality in the optical output is detected, the CPU operates to stop the semiconductor laser 1 from emitting light.

以上のように構成された本実施例の半導体レーザ駆動回
路について、第2図を用いてその動作を説明する。第2
図は本実施例で駆動する半導体レーザの駆動電流と光出
力の関係を示す。
The operation of the semiconductor laser drive circuit of this embodiment configured as described above will be explained using FIG. 2. Second
The figure shows the relationship between the drive current and optical output of the semiconductor laser driven in this example.

本実施例の回路では、半導体レーザの光出力に対する駆
動電流の傾きから2つのテスト電流In+とIn2と、
ピン電流により測定したその時の光出力PMIとPl+
2とをCPUに取り込むことで計算する。具体的には、
テスト電流In+を駆動電流として駆動段に出力する。
In the circuit of this example, two test currents In+ and In2 are set based on the slope of the drive current with respect to the optical output of the semiconductor laser.
Optical output PMI and Pl+ measured by pin current
It is calculated by importing 2 and 2 into the CPU. in particular,
The test current In+ is output to the drive stage as a drive current.

この時の光出力Pn+をピン電流により測定し、AD変
換してCPUに取り込む。次にテスト電流Ii2を駆動
電流として駆動段に出力する。この時の光出力Pnpを
ピン電流により測定し、AD変換してCPU22に取り
込む。
The optical output Pn+ at this time is measured by pin current, AD converted, and taken into the CPU. Next, the test current Ii2 is outputted to the drive stage as a drive current. The optical output Pnp at this time is measured by the pin current, AD converted, and taken into the CPU 22.

以上のデータから、半導体レーザ1の駆動電流に対する
光出力の傾きSLPが SLP=(pH2−PMI) / (Il+2− IN
I)としてCPU22で計算される。
From the above data, the slope SLP of the optical output with respect to the drive current of the semiconductor laser 1 is SLP=(pH2-PMI)/(Il+2-IN
I) is calculated by the CPU 22.

傾きSLPが得られた後、正常動作時の光出力PPLの
駆動電流IPLが =11− IPL=IMl!+ (Ppt  pH2) /SLP
としてCPU22で計算して求まる。駆動電流IPLに
対応する駆動電圧VnのデータがCPU22からラッチ
23に出力される。
After obtaining the slope SLP, the drive current IPL of the optical output PPL during normal operation is =11-IPL=IMl! + (Ppt pH2) /SLP
It is calculated by the CPU 22 as follows. Data on the drive voltage Vn corresponding to the drive current IPL is output from the CPU 22 to the latch 23.

次に、最大定格の光出力PIIIIXの時の駆動電流I
れが同様に計算される。
Next, drive current I at maximum rated optical output PIIIX
is calculated similarly.

I $L= I N2+ (PnOx  pH2) /
 S L P駆動電流ISLに対応する比較器16のス
ライス電圧V @LのデータがCPU22から25のう
・ソチに出力される。
I $L= I N2+ (PnOx pH2) /
The data of the slice voltage V@L of the comparator 16 corresponding to the SLP drive current ISL is outputted from the CPU 22 to the output terminal 25.

以上のように本実施例によれば、半導体レーザ1の光出
力と駆動電流との傾きSLPを測定し、半導体レーザ1
の光出力が最大定格Pr+oxになる駆動電流111L
を計算して、比較器16のスライス電圧V S Lを設
定することにより、半導体レーザ1の光出力が最大定格
を越えたことを確実に検出して、半導体レーザ1の発光
を停止し、半導体レーザ1の破壊及び光デイスク上の記
録データの破壊を防ぐことができる。
As described above, according to this embodiment, the slope SLP between the optical output and the drive current of the semiconductor laser 1 is measured, and the slope SLP of the semiconductor laser 1 is measured.
Drive current 111L at which the optical output reaches the maximum rating Pr+ox
By calculating the slice voltage V S L of the comparator 16, it is possible to reliably detect that the optical output of the semiconductor laser 1 exceeds the maximum rating, stop the emission of the semiconductor laser 1, and Destruction of the laser 1 and the recorded data on the optical disk can be prevented.

なお、実施例において比較器16のスライス電圧V S
 Lを設定するタイミングは明記しなかったが、これは
光デスク装置の電源立ち上げ時、あるいはある所定の周
期毎に設定すればよい。また光デイスク装置が記録ある
いは消去動作に入る時、光出力の設定を行なうので、そ
の際に比較器16のスライス電圧VSLの設定を行なっ
ても良い。
In addition, in the embodiment, the slice voltage V S of the comparator 16
Although the timing for setting L is not specified, it may be set at the time of turning on the power of the optical desk device or at every predetermined cycle. Furthermore, since the optical output is set when the optical disk device starts a recording or erasing operation, the slice voltage VSL of the comparator 16 may be set at that time.

さらに、駆動電圧のかわりに駆動電流を検出し、この検
出した電流と基準となる所定の比較電流とを比較器によ
り比較する構成としてもよいことはいうまでもない。
Furthermore, it goes without saying that a configuration may be adopted in which a drive current is detected instead of the drive voltage, and this detected current is compared with a predetermined reference current using a comparator.

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、半導体レーザの駆
動電流と光出力の関係に応じて、駆動段の電圧あるいは
電流を検出する比較器の比較電圧あるいは電流を光出力
が最大定格近辺になる駆動電流に対応するよう可変する
可変手段を設は不ことにより、半導体レーザの光出力が
最大定格になったことを確実に検出し、半導体レーザの
発光を停止して、半導体レーザの破壊及び光デイスク上
の記録データの破壊を防ぐことがでと、そめ実用的効果
は大きい。
As described in detail, according to the present invention, the comparison voltage or current of the comparator for detecting the voltage or current of the drive stage is adjusted so that the optical output is the maximum, depending on the relationship between the driving current of the semiconductor laser and the optical output. By installing a variable means that varies the drive current to correspond to the drive current that is close to the rated value, it is possible to reliably detect that the optical output of the semiconductor laser has reached its maximum rating, stop the semiconductor laser from emitting light, and turn the semiconductor laser off. This has a great practical effect as it can prevent the destruction of the optical disk and the recorded data on the optical disk.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明における実施例の半導体レーザ駆動回路
のブロック図、第2図は同実施例の半導体レーザーの駆
動電流と光出力の関係を示す曲線図、第3図は従来例の
半導体レーザ駆動回路のブロック図、第4図は同従来例
の動作波形図、第5図は同従来例の問題点を説明するた
めの半導体レーザーの駆動電流と光出力の関係を示す曲
線図である。 1・・・半導体レーザ、  2・・・ピンダイオード、
4・・・電流電圧変換器、  12・・・トランジスタ
、16・・・比較器、  20・・・AD変換器、  
22・・・CPU、   23・・・ラッチ、  24
・・・DA変換器、25・・・ラッチ、  26・・・
DA変換器。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor laser drive circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a curve diagram showing the relationship between drive current and optical output of the semiconductor laser of the same embodiment, and FIG. 3 is a diagram of a conventional semiconductor laser. FIG. 4 is a block diagram of the drive circuit, FIG. 4 is an operating waveform diagram of the conventional example, and FIG. 5 is a curve diagram showing the relationship between the drive current of the semiconductor laser and the optical output to explain the problems of the conventional example. 1... Semiconductor laser, 2... Pin diode,
4... Current voltage converter, 12... Transistor, 16... Comparator, 20... AD converter,
22...CPU, 23...Latch, 24
...DA converter, 25...latch, 26...
DA converter.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体レーザの光を受けて光出力に応じた電流を
発生する光受光器と、前記光受光器の電流をモニターし
て前記半導体レーザの光出力が所定の値になるよう前記
半導体レーザに電流を流す駆動段を制御する制御回路と
、前記駆動段の電圧あるいは電流と所定の比較電圧ある
いは電流とを比較する比較器と、前記所定の比較電圧あ
るいは電流を可変する可変手段と、前記比較器の出力に
応じて前記半導体レーザの駆動を停止する停止手段とを
備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
(1) A photodetector that receives light from a semiconductor laser and generates a current according to the optical output; and a photodetector that monitors the current of the photodetector so that the optical output of the semiconductor laser becomes a predetermined value. a control circuit for controlling a drive stage that causes current to flow through the drive stage; a comparator that compares the voltage or current of the drive stage with a predetermined comparison voltage or current; a variable means that varies the predetermined comparison voltage or current; A semiconductor laser drive circuit comprising: a stop means for stopping driving of the semiconductor laser according to an output of a comparator.
(2)所定の比較電圧あるいは電流は、半導体レーザの
光出力が最大定格近辺になる時の駆動電流に対応させた
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動回路
(2) The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein the predetermined comparison voltage or current corresponds to a drive current when the optical output of the semiconductor laser is close to a maximum rating.
(3)可変手段は、半導体レーザの駆動電流に対する光
出力の傾きを測定して、測定した傾きから所望の光出力
の駆動電流を計算・設定する回路により、光出力の最大
定格近辺の駆動電流から所定の比較電圧あるいは電流を
計算して出力し、比較器の入力とすることを特徴とする
請求項1記載の半導体レーザ駆動回路。
(3) The variable means measures the slope of the optical output with respect to the driving current of the semiconductor laser, and calculates and sets the driving current of the desired optical output from the measured slope. 2. The semiconductor laser drive circuit according to claim 1, wherein a predetermined comparative voltage or current is calculated and outputted from the calculated voltage and outputted as an input to a comparator.
JP1026911A 1989-02-06 1989-02-06 Semiconductor laser drive circuit Pending JPH02206187A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1026911A JPH02206187A (en) 1989-02-06 1989-02-06 Semiconductor laser drive circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1026911A JPH02206187A (en) 1989-02-06 1989-02-06 Semiconductor laser drive circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02206187A true JPH02206187A (en) 1990-08-15

Family

ID=12206400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1026911A Pending JPH02206187A (en) 1989-02-06 1989-02-06 Semiconductor laser drive circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02206187A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008545224A (en) * 2005-07-07 2008-12-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Predicting the maximum available write power of an optical recording drive

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008545224A (en) * 2005-07-07 2008-12-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Predicting the maximum available write power of an optical recording drive

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100142336A1 (en) Semiconductor laser driving circuit, and optical disc device and integrated circuit provided with semiconductor laser driving circuit
US4713819A (en) Semiconductor laser driver
JP2005191036A (en) Light emitting element driving circuit, digital-to-analog converter and current driving circuit
US5170389A (en) Semiconductor laser driving circuit with control circuit power voltage monitor for preventing inadvertent recording
JP4715198B2 (en) Laser drive device
US20030099178A1 (en) Optical disc drive and laser beam drive power supply voltage control method
JPH02206187A (en) Semiconductor laser drive circuit
US6792013B2 (en) Auto power control circuit for laser diode
JP2000244052A (en) Semiconductor laser drive device
US7164700B2 (en) Laser driving circuit
JP4109815B2 (en) Laser diode driving apparatus and laser diode driving method
JPH07273388A (en) Light transmitter
JP4367777B2 (en) Power supply circuit and control device
JPH0751802Y2 (en) LD bias alarm circuit
WO2023136095A1 (en) Electronic device
JPH0567833A (en) Control device for semiconductor laser
JP2001194242A (en) Multivalued optical pulse train analyzer/controller
JP2605375B2 (en) Semiconductor laser control circuit
JPH0722562U (en) Semiconductor laser control circuit
JP2566758B2 (en) Test signal generation circuit in IC tester
JPH08292236A (en) Set value current feed circuit
JP2975845B2 (en) Power-on reset circuit of photodetector
JPH02119193A (en) Laser driver circuit
JPH0451580A (en) Control circuit of semiconductor laser
JPH10190118A (en) Light emitting element driving circuit