JP2000244052A - Semiconductor laser drive device - Google Patents

Semiconductor laser drive device

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JP2000244052A
JP2000244052A JP11039833A JP3983399A JP2000244052A JP 2000244052 A JP2000244052 A JP 2000244052A JP 11039833 A JP11039833 A JP 11039833A JP 3983399 A JP3983399 A JP 3983399A JP 2000244052 A JP2000244052 A JP 2000244052A
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semiconductor laser
voltage
converter
current
output
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JP11039833A
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Japanese (ja)
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Tomiyuki Numata
富行 沼田
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Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce an unwanted power consumption with no degradation in high speed which is required for switching of outgoing light quantity of a semiconductor laser. SOLUTION: An outgoing light quantity (b) of a semiconductor laser 2 is detected with a photodetector 3, coverted into a voltage signal (d), and calculated with a reference voltage signal by a differential amplifier 5 before fedback to a current source 1. A voltage signal (h) representing a forward voltage (operation voltage) of the semiconductor laser 2 is compared to a reference voltage signal (i) by a comparator 10, and imputed in a DC/DC converter 13. DC/DC converter 13 changes an output voltage to two stages according to an input signal (k). If, for example, the forward voltage is lower than the reference voltage, a voltage which is the lower of the two stages is outputted. The control speed of the control system fedback from the differential amplifier 5 is sufficiently fast even when the DC/DC converter 13 switches an output voltage, so no fluctuation in outgoing light quantity takes place. With this configuration, a reactive voltage at a power source 1 is suppressed low for a low power consumption.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ駆動
装置、より具体的にはミニディスク等の光メモリシステ
ムに組み込まれる半導体レーザ駆動装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor laser drive, and more particularly, to a semiconductor laser drive incorporated in an optical memory system such as a mini disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から大容量の情報記録再生装置とし
て光ディスク装置が知られている。この光ディスク装置
においては、光源として半導体レーザが使用されるが、
一般に半導体レーザは温度ドリフトの影響が大きいた
め、出射光量制御を行う半導体レーザ駆動装置を用いて
光ディスクに照射する光ビームの光量を所定値に保持す
るような制御を行っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an optical disk device has been known as a large-capacity information recording / reproducing device. In this optical disk device, a semiconductor laser is used as a light source.
In general, since a semiconductor laser is largely affected by temperature drift, control is performed by using a semiconductor laser driving device for controlling the amount of emitted light so as to maintain the light amount of a light beam irradiated on an optical disk at a predetermined value.

【0003】図5は、従来の半導体レーザ駆動装置の一
例を説明するための回路図で、図中、1は電流源、2は
半導体レーザ、3は光検出器、4は電流電圧変換器、5
は差動増幅器、6は切り替えスイッチ、7は再生モード
基準電圧源、8は記録モード基準電圧源である。電流源
1から出力した半導体レーザ駆動電流aは半導体レーザ
2に入力し、半導体レーザ2が駆動される。半導体レー
ザ2から出射した光ビームは光情報記録媒体である光デ
ィスク(図示しない)に向かうとともに、その一部が光
検出器3に入射し、これによって半導体レーザ2の出射
光量bが検出される。光検出器3の出力電流cは電流電
圧変換器4で電圧信号dに変換された後、差動増幅器5
の一方の入力端子に入力する。
FIG. 5 is a circuit diagram for explaining an example of a conventional semiconductor laser driving device. In the drawing, reference numeral 1 denotes a current source, 2 denotes a semiconductor laser, 3 denotes a photodetector, 4 denotes a current-voltage converter, 5
Is a differential amplifier, 6 is a changeover switch, 7 is a reproduction mode reference voltage source, and 8 is a recording mode reference voltage source. The semiconductor laser driving current a output from the current source 1 is input to the semiconductor laser 2, and the semiconductor laser 2 is driven. The light beam emitted from the semiconductor laser 2 travels toward an optical disk (not shown) as an optical information recording medium, and a part of the light beam enters the photodetector 3, whereby the emitted light amount b of the semiconductor laser 2 is detected. After the output current c of the photodetector 3 is converted into a voltage signal d by the current / voltage converter 4, the differential amplifier 5
To one of the input terminals.

【0004】差動増幅器5の他方の入力端子には切り替
えスイッチ6を介して、再生モード基準電圧源7あるい
は記録モード基準電圧源8が接続される。電流電圧変換
器4の出力電圧信号dと、再生モードあるいは記録モー
ドに応じた基準電圧信号eとの差が差動増幅器5により
演算増幅された後、電圧信号fとして出力され、電流源
1のトランジスタQ1にフィードバックされる。こうし
て、基準電圧信号eと電流電圧変換器4の出力電圧信号
dとが等しくなるように制御動作が行われ、その結果、
半導体レーザ2からの出射光量bが、再生モード,記録
モードいずれの場合も、所定の値に制御される。このよ
うな方法は、例えば、特開平4−364235号公報に
開示されている。
A reproduction mode reference voltage source 7 or a recording mode reference voltage source 8 is connected to the other input terminal of the differential amplifier 5 via a changeover switch 6. The difference between the output voltage signal d of the current-to-voltage converter 4 and the reference voltage signal e corresponding to the reproduction mode or the recording mode is calculated and amplified by the differential amplifier 5 and then output as a voltage signal f. It is fed back to the transistor Q 1. Thus, the control operation is performed so that the reference voltage signal e and the output voltage signal d of the current-to-voltage converter 4 become equal, and as a result,
The emitted light amount b from the semiconductor laser 2 is controlled to a predetermined value in both the reproduction mode and the recording mode. Such a method is disclosed, for example, in JP-A-4-364235.

【0005】次に低消費電力化のための従来技術につい
て説明する。光ディスク装置の中には、充電式電池や乾
電池を電源に用いた携帯型のものも多く市販されてい
る。この種の装置に使用される半導体レーザ駆動装置で
は、消費電力を少なくして電池の使用寿命を伸ばすこと
が望まれる。
Next, a prior art for reducing power consumption will be described. Many portable optical disk devices using a rechargeable battery or a dry battery as a power supply are commercially available. In a semiconductor laser driving device used in this type of device, it is desired to reduce power consumption and extend the service life of a battery.

【0006】図6は、従来の半導体レーザ駆動装置の他
の例を説明するための回路図で、図中、11は基準電圧
源、15はDC/DCコンバータ、15aは平滑化回路
で、その他、図5と同様な機能を有する部分には図5と
同じ符号が付してある。図6において、平滑化回路15
aにより平滑化され、DC/DCコンバータ15から出
力された出力電圧V15は、保護抵抗R1を介して半導体
レーザ2に供給される。半導体レーザ2には平滑化され
た電圧V15に応じた電流aが流れ、これにより半導体レ
ーザ2が駆動される。半導体レーザ2から出射した光ビ
ームの一部は光検出器3に入射し、これによって半導体
レーザ2の出射光量bが検出される。光検出器3の出力
電流cは電流電圧変換器4で電圧信号dに変換された
後、差動増幅器5の一方の入力端子に入力する。
FIG. 6 is a circuit diagram for explaining another example of a conventional semiconductor laser driving apparatus. In the figure, reference numeral 11 denotes a reference voltage source, 15 denotes a DC / DC converter, 15a denotes a smoothing circuit, and others. 5, parts having the same functions as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals as in FIG. In FIG. 6, the smoothing circuit 15
The output voltage V 15 smoothed by a and output from the DC / DC converter 15 is supplied to the semiconductor laser 2 via the protection resistor R 1 . Semiconductor laser 2 current flows a corresponding to the voltage V 15 which is smoothed, thereby the semiconductor laser 2 is driven. A part of the light beam emitted from the semiconductor laser 2 is incident on the photodetector 3, whereby the emitted light amount b of the semiconductor laser 2 is detected. The output current c of the photodetector 3 is converted into a voltage signal d by the current / voltage converter 4 and then input to one input terminal of the differential amplifier 5.

【0007】差動増幅器5の他方の入力端子には基準電
圧源11が接続され、電流電圧変換器4の出力電圧信号
dと基準電圧信号eとの差が差動増幅器5により演算増
幅された後、電圧信号fとして出力され、DC/DCコ
ンバータ15にフィードバックされる。こうしてDC/
DCコンバータ15からの出力電圧V15が制御され、半
導体レーザ2からの出射光量bが所定の値に制御され
る。この半導体レーザ駆動装置では、図5に示すごとく
の電流源を用いないので、半導体レーザ以外での電力消
費を低くすることが出来る。このような方法は、例え
ば、特開平6−275901号公報に開示されている。
A reference voltage source 11 is connected to the other input terminal of the differential amplifier 5, and the difference between the output voltage signal d of the current-to-voltage converter 4 and the reference voltage signal e is calculated and amplified by the differential amplifier 5. Thereafter, the signal is output as a voltage signal f and fed back to the DC / DC converter 15. Thus DC /
Output voltage V 15 from the DC converter 15 is controlled, the emission light intensity b from the semiconductor laser 2 is controlled to a predetermined value. In this semiconductor laser driving device, since the current source as shown in FIG. 5 is not used, the power consumption other than the semiconductor laser can be reduced. Such a method is disclosed, for example, in JP-A-6-275901.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体レ
ーザ駆動装置では、消費電力が大きいという問題、ある
いは、半導体レーザの出射光量を高速に切り替えること
が出来ないという問題を有している。図5において、電
流源1は保護抵抗R1とトランジスタQ1で構成されてお
り、電流源1に供給される電源電圧V1は、半導体レー
ザ2の順方向電圧(動作電圧)Vopと、トランジスタ
1のエミッタ・コレクタ間電圧Vecと、保護抵抗R1
での電圧降下Vrを足し合わせたものとなる。例えば、
順方向電圧Vopを2.2V、トランジスタQ1の動作に
最低必要なエミッタ・コレクタ間電圧Vecを1V、保
護抵抗R1での電圧降下を0.5V(抵抗を5Ω、駆動電
流を100mA)とすると、電源電圧V1は3.7V以上
必要となる。
The above-described semiconductor laser driving device has a problem that the power consumption is large or a problem that the output light amount of the semiconductor laser cannot be switched at high speed. In FIG. 5, a current source 1 includes a protection resistor R 1 and a transistor Q 1. A power supply voltage V 1 supplied to the current source 1 includes a forward voltage (operating voltage) Vop of the semiconductor laser 2 and a transistor The emitter-collector voltage Vec of Q 1 and the protection resistor R 1
Is the sum of the voltage drops Vr. For example,
The forward voltage Vop is 2.2 V, the minimum emitter-collector voltage Vec required for the operation of the transistor Q 1 is 1 V, and the voltage drop across the protection resistor R 1 is 0.5 V (resistance 5 Ω, drive current 100 mA). Then, the power supply voltage V 1 is required more than 3.7V.

【0009】半導体レーザ2の順方向電圧Vopは個体
差によってばらつきを生じる。例えば波長780nmオ
ーダーの半導体レーザでは、一般に、順方向電圧Vop
は1.6〜2.2V程度の範囲でばらつきがある。この
ように順方向電圧Vopがばらつく半導体レーザを全て
駆動するためには、上記の例では、順方向電圧Vopを
最大値の2.2Vとして電源電圧V1を設定する必要があ
る。しかしながら、このように設定された電源電圧V1
において、順方向電圧Vopが1.6Vの半導体レーザ
を駆動すると、その電圧差0.6VはトランジスタQ1
エミッタ・コレクタ間で無効電圧として消費されること
になる。
The forward voltage Vop of the semiconductor laser 2 varies due to individual differences. For example, a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm order generally has a forward voltage Vop
Varies in a range of about 1.6 to 2.2 V. Thus in order to drive all of the semiconductor laser varies the forward voltage Vop is, in the above example, it is necessary to set the power voltages V 1 a forward voltage Vop as 2.2V maximum. However, the thus set power supply voltage V 1
In, a forward voltage Vop drives the semiconductor laser of 1.6V, the voltage difference 0.6V will be consumed as reactive voltage between the emitter and the collector of the transistor Q 1.

【0010】また、半導体レーザ2を駆動するのに必要
な駆動電流aは、半導体レーザ2の個体差や温度ドリフ
ト、あるいは経時変化によって数十mA変化する。その
ような変化に対応して半導体レーザ2を駆動するために
は、やはり、保護抵抗R1での電圧降下Vrを最大駆動
電流における電圧降下として、電源電圧V1を設定する
必要がある。この場合においても、駆動電流aが小さい
場合には抵抗R1での電圧降下Vrは小さくなり、トラ
ンジスタQ1のエミッタ・コレクタ間での無効電圧が大
きくなる。このように、図5に示したような従来の半導
体レーザ駆動装置では、半導体レーザ2のばらつき等に
よる電流源1での無効電圧によって不必要な電力が消費
されることとなり、そのため、半導体レーザ駆動装置の
消費電力が大きくなるという問題が生じる。
The driving current a required to drive the semiconductor laser 2 changes by several tens mA due to individual differences of the semiconductor laser 2, temperature drift, or aging. In order to drive the semiconductor laser 2 in response to such changes, again, the voltage drop Vr on the protection resistor R 1 as a voltage drop in the maximum drive current, it is necessary to set the power voltage V 1. In this case, the voltage drop Vr on the resistor R 1 when the drive current a is small becomes small, reactive voltage between the emitter and the collector of the transistor Q 1 is increased. As described above, in the conventional semiconductor laser driving device as shown in FIG. 5, unnecessary power is consumed by the invalid voltage in the current source 1 due to the variation of the semiconductor laser 2 and the like. There is a problem that the power consumption of the device increases.

【0011】図6に示す構成においては、図5に示すご
とくの電流源を用いていないので、消費電力が小さいと
いうメリットは有るが、半導体レーザ2の出射光量bを
変化させる場合には、DC/DCコンバータ15の出力
電圧V15を変化させなければならない。一般に、平滑化
回路によって電圧の安定化を図り電源電圧を供給するD
C/DCコンバータの出力を高速で変化させることは難
しく、半導体レーザ2の出射光量bを高速に切り替える
ことは不可能である。よって、差動増幅器5に接続され
た基準電圧源11による基準電圧信号eを切り替えて
も、再生モードと記録モードとの切り替えで要求される
数マイクロ秒の高速性を実現することは出来ないという
問題が生じる。
The configuration shown in FIG. 6 does not use a current source as shown in FIG. 5, and thus has the advantage of low power consumption. However, when the output light amount b of the semiconductor laser 2 is changed, / DC converter 15 must change the output voltage V 15 of the. Generally, a voltage is stabilized by a smoothing circuit to supply a power supply voltage.
It is difficult to change the output of the C / DC converter at high speed, and it is impossible to switch the output light amount b of the semiconductor laser 2 at high speed. Therefore, even if the reference voltage signal e from the reference voltage source 11 connected to the differential amplifier 5 is switched, the high speed of several microseconds required for switching between the reproduction mode and the recording mode cannot be realized. Problems arise.

【0012】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたものであって、半導体レーザの出射光量の切り替え
に必要とされる高速性を損なうことなく、不必要な電力
消費を低減できる半導体レーザ駆動装置を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and is capable of reducing unnecessary power consumption without impairing the high speed required for switching the amount of emitted light of a semiconductor laser. It is an object to provide a driving device.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の半導体
レーザ駆動装置は、半導体レーザの出射光量を制御する
半導体レーザ駆動装置であって、半導体レーザを駆動せ
しめるための半導体レーザ駆動電流を出力する電流源
と、該電流源に電源電圧を供給する出力電圧可変型のD
C/DCコンバータと、前記半導体レーザの出射光量に
基づいて前記半導体レーザ駆動電流を制御する駆動電流
制御手段と、前記半導体レーザの出射光量にかかわりな
く該半導体レーザの動作電圧または前記半導体レーザ駆
動電流に基づいて前記DC/DCコンバータの出力電圧
を制御する電源電圧制御手段を有することを特徴とした
ものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser driving device for controlling a light emission amount of a semiconductor laser, the semiconductor laser driving device outputting a semiconductor laser driving current for driving the semiconductor laser. Current source, and a variable output voltage type D for supplying a power supply voltage to the current source.
A C / DC converter, drive current control means for controlling the semiconductor laser drive current based on the emission light amount of the semiconductor laser, and an operating voltage of the semiconductor laser or the semiconductor laser drive current regardless of the emission light amount of the semiconductor laser And a power supply voltage control means for controlling the output voltage of the DC / DC converter based on the above.

【0014】請求項2に記載の半導体レーザ駆動装置
は、請求項1の発明において、前記半導体レーザの動作
電圧である順方向電圧を検出する電圧検出器と、該電圧
検出器の検出値と予め設定される基準値とを比較する比
較器とを有し、該比較器の比較結果に基づいて、前記D
C/DCコンバータの出力電圧を制御することを特徴と
したものである。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the first aspect, a voltage detector for detecting a forward voltage which is an operating voltage of the semiconductor laser, and a detection value of the voltage detector and And a comparator for comparing with a set reference value, and based on the comparison result of the comparator, the D
It is characterized by controlling the output voltage of a C / DC converter.

【0015】請求項3に記載の半導体レーザ駆動装置
は、請求項1の発明において、前記電流源が出力する駆
動電流を検出する電流検出器と、該電流検出器の検出値
と予め設定される基準値とを比較する比較器とを有し、
該比較器の比較結果に基づいて、前記DC/DCコンバ
ータの出力電圧を制御することを特徴としたものであ
る。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser driving device according to the first aspect of the present invention, a current detector for detecting a driving current output from the current source and a detection value of the current detector are preset. A comparator for comparing with a reference value,
The output voltage of the DC / DC converter is controlled based on the comparison result of the comparator.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】〔実施形態1〕図1は、本発明に
よる半導体レーザ駆動装置の第1の実施形態を説明する
ための回路図で、図中、9はバッファ回路(電圧検出手
段)、10はコンパレータ(比較手段)、12はラッチ
回路、13はDC/DCコンバータで、その他従来例と
同様の機能を有する部分は従来例と同じ符号が付してあ
る。電流源1から出力された半導体レーザ駆動電流aは
半導体レーザ2に入力し、これにより半導体レーザ2が
駆動される。半導体レーザ2から出射した光ビームは光
情報記録媒体である光ディスク(図示しない)に向かう
とともに、その一部が光検出器3に入射し、これによっ
て半導体レーザ2の出射光量bが検出される。
[First Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a first embodiment of a semiconductor laser driving device according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 9 denotes a buffer circuit (voltage detecting means). Numeral 10 is a comparator (comparing means), 12 is a latch circuit, 13 is a DC / DC converter, and other portions having the same functions as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals. The semiconductor laser drive current a output from the current source 1 is input to the semiconductor laser 2, and the semiconductor laser 2 is thereby driven. The light beam emitted from the semiconductor laser 2 travels toward an optical disk (not shown) as an optical information recording medium, and a part of the light beam enters the photodetector 3, whereby the emitted light amount b of the semiconductor laser 2 is detected.

【0017】光検出器3の出力電流cは電流電圧変換器
4で電圧信号dに変換された後、差動増幅器5の一方の
入力端子に入力する。差動増幅器5の他方の入力端子に
は、切り替えスイッチ6を介して再生モード基準電圧源
7あるいは記録モード基準電圧源8が接続される。電流
電圧変換器4の出力電圧信号dと再生モードあるいは記
録モードに応じた基準電圧信号eとの差が差動増幅器5
により演算増幅された後、電圧信号fとして出力され、
電流源1のトランジスタQ1にフィードバックされる。
ここで、電流電圧変換器4,差動増幅器5,スイッチ
6,再生モード基準電圧源7,及び記録モード基準電圧
源8によって、駆動電流制御手段が構成される。
The output current c of the photodetector 3 is converted into a voltage signal d by the current / voltage converter 4 and then input to one input terminal of the differential amplifier 5. The other input terminal of the differential amplifier 5 is connected to a reproduction mode reference voltage source 7 or a recording mode reference voltage source 8 via a changeover switch 6. The difference between the output voltage signal d of the current-voltage converter 4 and the reference voltage signal e corresponding to the reproduction mode or the recording mode is determined by the differential amplifier 5.
Is output as a voltage signal f after being arithmetically amplified by
It is fed back to the transistor to Q 1 current source 1.
Here, the current-voltage converter 4, the differential amplifier 5, the switch 6, the reproduction mode reference voltage source 7, and the recording mode reference voltage source 8 constitute driving current control means.

【0018】また、電流源1は保護抵抗R1とトランジ
スタQ1とで構成されており、差動増幅器5からの出力
電圧信号fと、電流源1から出力される駆動電流aとの
関係は次式で表される。 Ia={V1−(Vf+Vbe)}/R なお上式において、Iaは駆動電流aの電流量、V1
電流源1の電源電圧として供給されるDC/DCコンバ
ータ13の出力電圧、Vfは差動増幅器5の出力電圧信
号fの電圧値、VbeはトランジスタQ1のベース・エ
ミッタ間電圧、Rは保護抵抗R1の抵抗値である。
The current source 1 includes a protection resistor R 1 and a transistor Q 1. The relationship between the output voltage signal f from the differential amplifier 5 and the driving current a output from the current source 1 is as follows. It is expressed by the following equation. Ia = {V 1 − (Vf + Vbe)} / R In the above equation, Ia is the amount of the drive current a, V 1 is the output voltage of the DC / DC converter 13 supplied as the power supply voltage of the current source 1, and Vf is the voltage value of the output voltage signal f of the differential amplifier 5, Vbe is the base-emitter voltage of the transistor Q 1, R is the resistance value of the protective resistor R 1.

【0019】上記の構成により、基準電圧信号eと電流
電圧変換器4の出力電圧信号dとが等しくなるように制
御動作が行われ、その結果、半導体レーザ2からの出射
光量bが、再生モードもしくは記録モードに応じて所定
の値に制御される。電流源1の応答を高速にすることは
比較的容易であり、再生モードと記録モードとの切り替
えにおいて要求される数マイクロ秒の高速性を実現する
ことは十分可能である。
With the above configuration, the control operation is performed so that the reference voltage signal e and the output voltage signal d of the current-to-voltage converter 4 become equal. As a result, the light quantity b emitted from the semiconductor laser 2 is reduced to the reproduction mode. Alternatively, it is controlled to a predetermined value according to the recording mode. It is relatively easy to make the response of the current source 1 high speed, and it is sufficiently possible to realize a high speed of several microseconds required in switching between the reproduction mode and the recording mode.

【0020】半導体レーザ2のアノード端子は、バッフ
ァ回路9を介してコンパレータ10の一方の入力端子に
接続されている。半導体レーザ2のカソード端子はGN
Dに接続されているので、バッファ回路9からの出力電
圧信号hは半導体レーザ2の順方向電圧(動作電圧)を
表す。またコンパレータ10の他方の入力端子には基準
電圧源11が接続されており、基準電圧信号iは、半導
体レーザ2の順方向電圧のばらつき範囲の中央値に設定
されている。バッファ回路9の出力電圧信号h、つまり
半導体レーザ2の順方向電圧が基準電圧信号iよりも大
きい場合には、コンパレータ10の出力信号jは「L」
レベルとなり、一方、半導体レーザ2の順方向電圧が基
準電圧信号iよりも小さい場合には、コンパレータ10
の出力信号jは「H」レベルとなる。
The anode terminal of the semiconductor laser 2 is connected to one input terminal of a comparator 10 via a buffer circuit 9. The cathode terminal of the semiconductor laser 2 is GN
Since it is connected to D, the output voltage signal h from the buffer circuit 9 indicates the forward voltage (operating voltage) of the semiconductor laser 2. A reference voltage source 11 is connected to the other input terminal of the comparator 10, and the reference voltage signal i is set to a median of a range of variation of the forward voltage of the semiconductor laser 2. When the output voltage signal h of the buffer circuit 9, that is, the forward voltage of the semiconductor laser 2 is larger than the reference voltage signal i, the output signal j of the comparator 10 is “L”.
Level, and when the forward voltage of the semiconductor laser 2 is smaller than the reference voltage signal i, the comparator 10
Becomes the "H" level.

【0021】コンパレータ10からの出力信号jは、ラ
ッチ回路12を経て、DC/DCコンバータ13の出力
電圧制御端子に入力信号kとして入力しする。DC/D
Cコンバータ13は、入力信号kに応じて2段階の電圧
を出力し、電流源1に対する電源電圧V1として供給す
る。このようにして基準電圧信号iとバッファ回路9の
出力電圧信号hとが比較され、その結果に応じてDC/
DCコンバータ13の出力電圧が2段階に制御される。
The output signal j from the comparator 10 passes through the latch circuit 12 and is input to the output voltage control terminal of the DC / DC converter 13 as an input signal k. DC / D
The C converter 13 outputs a two-stage voltage according to the input signal k and supplies it as a power supply voltage V 1 to the current source 1. In this manner, the reference voltage signal i is compared with the output voltage signal h of the buffer circuit 9, and according to the result, DC /
The output voltage of DC converter 13 is controlled in two stages.

【0022】図2は、図1に示す構成における制御動作
を説明するための図で、図中(A)は半導体レーザ2の
出射光量、(B)はラッチ回路12のクリア信号m、
(C)はラッチ回路12のクロック信号l、(D)はコ
ンパレータ10の出力信号j、(E)はラッチ回路12
の出力信号k、(F)はDC/DCコンバータ13の出
力電圧V1を示すものである。
FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the control operation in the configuration shown in FIG. 1. FIG. 2A shows the emission light amount of the semiconductor laser 2, FIG. 2B shows the clear signal m of the latch circuit 12, and FIG.
(C) is the clock signal 1 of the latch circuit 12, (D) is the output signal j of the comparator 10, and (E) is the latch circuit 12.
The output signal k, (F) indicates the output voltage V 1 of the DC / DC converter 13.

【0023】半導体レーザ2がオフの場合には、ラッチ
回路12は、コントローラ(図示しない)からのクリア
信号mによって、「L」レベルを出力する。DC/DC
コンバータ13は、「L」レベルが入力されると、予め
設定されている2段階の出力電圧のうちの高電圧V1
を出力する。この高電圧V1hは、順方向電圧がばらつ
く半導体レーザの全ての範囲を駆動することが出来るよ
うに設定されている。そして駆動電流制御手段がオン信
号(図示しない)によって動作し、半導体レーザ2が駆
動される。この時ラッチ回路12のクリア信号mも解除
され、「H」レベルとなる。半導体レーザ2が駆動され
ると、その順方向電圧が基準電圧信号iよりも低い場合
には、コンパレータ10の出力信号jは「H」レベルと
なる。次いでコントローラからのクロック信号lによっ
て、コンパレータ10の出力信号レベルがラッチされ、
ラッチ回路12の出力信号kは「H」レベルとなる。
When the semiconductor laser 2 is off, the latch circuit 12 outputs an "L" level in response to a clear signal m from a controller (not shown). DC / DC
When the “L” level is input, the converter 13 outputs the high voltage V 1 h of the preset two-stage output voltage.
Is output. The high voltage V 1 h is set so as to drive the entire range of the semiconductor laser in which the forward voltage varies. Then, the drive current control means operates according to the ON signal (not shown), and the semiconductor laser 2 is driven. At this time, the clear signal m of the latch circuit 12 is also released and goes to the “H” level. When the semiconductor laser 2 is driven, if the forward voltage is lower than the reference voltage signal i, the output signal j of the comparator 10 becomes “H” level. Next, the output signal level of the comparator 10 is latched by the clock signal 1 from the controller,
Output signal k of latch circuit 12 attains an "H" level.

【0024】DC/DCコンバータ13は、「H」レベ
ルが入力されると、予め設定されている2段階の出力電
圧のうち低電圧V1lを出力する。この低電圧V1lは、
順方向電圧が基準電圧よりも低い半導体レーザを駆動す
ることが出来るように設定されている。この時、DC/
DCコンバータ13の出力電圧V1が低電圧V1lに切り
替わる速度に対して、駆動電流制御手段が半導体レーザ
2の出射光量bを制御する速度の方が十分に速いので、
出射光量bが変動することはない。ここで、半導体レー
ザ2の順方向電圧は、個体差によるばらつきは有るもの
の常に変化するものではない。よってDC/DCコンバ
ータ13の制御は常に行う必要はなく、半導体レーザ2
をオンする毎に実施すれば十分である。
The DC / DC converter 13, the "H" level is inputted, outputs a low voltage V 1 l of the output voltage of the two stages that are set in advance. This low voltage V 11 is
The setting is such that a semiconductor laser whose forward voltage is lower than the reference voltage can be driven. At this time, DC /
Since the speed at which the drive current control means controls the emission light amount b of the semiconductor laser 2 is sufficiently faster than the speed at which the output voltage V 1 of the DC converter 13 switches to the low voltage V 11 ,
The emitted light amount b does not change. Here, the forward voltage of the semiconductor laser 2 does not always change although there are variations due to individual differences. Therefore, the control of the DC / DC converter 13 does not need to be performed at all times.
It is sufficient to carry out every time the switch is turned on.

【0025】図3は、DC/DCコンバータ13の動作
を説明するための図で、DC/DCコンバータ13のさ
らに詳細な構成例を示すものである。DC/DCコンバ
ータ13は、スイッチング動作により出力電圧V1を制
御するチョッパレギュレータ13a、チョークコイルL
1,及び平滑化コンデンサC1を有しており、平滑化され
た出力電圧V1を抵抗R2と、抵抗R3あるいは抵抗R4
で分圧して、電圧V2をチョッパレギュレータ13aに
フィードバックすることにより、一定の電圧を出力する
ものである。
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the DC / DC converter 13 and shows a more detailed configuration example of the DC / DC converter 13. DC / DC converter 13, a chopper regulator 13a for controlling the output voltages V 1 by the switching operation, the choke coil L
1 and a smoothing capacitor C 1. The smoothed output voltage V 1 is divided by the resistor R 2 and the resistor R 3 or R 4, and the voltage V 2 is fed back to the chopper regulator 13 a. By doing so, a constant voltage is output.

【0026】上記のごとくの構成により、ラッチ回路1
2の出力信号kに基づいて切り替えスイッチ13bによ
り抵抗R3と抵抗R4とを切り替え、分圧比を替えること
で、DC/DCコンバータ13の出力電圧V1を制御す
ることが出来る。このようにして電流源1の電源電圧V
1を制御することにより、トランジスタQ1のエミッタ・
コレクタ間における無効電圧を低く押さえることが出来
る。
With the configuration as described above, the latch circuit 1
The selector switch 13b based on the second output signal k switches the the resistor R 3 and resistor R 4, by changing the dividing ratio, it is possible to control the output voltage V 1 of the DC / DC converter 13. Thus, the power supply voltage V of the current source 1
By controlling the 1, the emitter of the transistor Q 1
The reactive voltage between the collectors can be kept low.

【0027】また、ここでは、半導体レーザ2の順方向
電圧と基準電圧とをコンパレータ10を用いて比較し、
DC/DCコンバータ13の出力電圧V1を2段階に制
御したが、例えば、ADコンバータを介して半導体レー
ザ2の順方向電圧を検出し、CPUによって複数の基準
電圧と比較することにより、DC/DCコンバータ13
の出力電圧V1を多段階に制御するように構成しても良
い。
Here, the forward voltage of the semiconductor laser 2 is compared with a reference voltage by using a comparator 10.
Although the output voltage V 1 of the DC / DC converter 13 is controlled in two stages, for example, the forward voltage of the semiconductor laser 2 is detected via an AD converter and compared with a plurality of reference voltages by a CPU, thereby obtaining a DC / DC voltage. DC converter 13
The output voltages V 1 may be configured to control in multiple stages.

【0028】〔実施形態2〕図4は、本発明による半導
体レーザ駆動装置の第2の実施形態を説明するための回
路図で、図中、14は差動増幅器(電流検出手段)で、
その他図1と同様の機能を有する部分には図1と同じ符
号を付けてある。本実施形態における実施形態1との違
いは、半導体レーザ2の順方向電圧を検出するのではな
く、半導体レーザ2の駆動電流aを検出してDC/DC
コンバータ13の出力電圧V1を制御する事にある。
[Embodiment 2] FIG. 4 is a circuit diagram for explaining a second embodiment of the semiconductor laser driving apparatus according to the present invention. In FIG. 4, reference numeral 14 denotes a differential amplifier (current detecting means).
Other parts having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. The difference between the present embodiment and the first embodiment is that, instead of detecting the forward voltage of the semiconductor laser 2, the drive current a of the semiconductor laser 2 is detected and the DC / DC is detected.
The purpose is to control the output voltage V 1 of the converter 13.

【0029】本実施形態においては、電流源1の保護抵
抗R1の両端電圧が、差動増幅器14を介してコンパレ
ータ10の一方の入力端子に接続される。保護抵抗R1
の両端電圧は駆動電流aに比例するので、駆動電流aの
電流量を検出することになる。またコンパレータ10の
他方の入力端子には基準電圧源11が接続されており、
コンパレータ10に入力する基準電圧信号iは、半導体
レーザ駆動電流aの変動範囲の中央値に対応する値に設
定されている。
In this embodiment, the voltage across the protection resistor R 1 of the current source 1 is connected to one input terminal of the comparator 10 via the differential amplifier 14. Protection resistor R 1
Is proportional to the drive current a, the current amount of the drive current a is detected. A reference voltage source 11 is connected to the other input terminal of the comparator 10,
The reference voltage signal i input to the comparator 10 is set to a value corresponding to the median of the fluctuation range of the semiconductor laser drive current a.

【0030】差動増幅器14の出力電圧信号hが基準電
圧信号iよりも大きい場合には、コンパレータ10が出
力する出力信号jは「L」レベルとなり、一方出力電圧
信号hが基準電圧信号iよりも小さい場合には、コンパ
レータ10の出力信号jは「H」レベルとなる。コンパ
レータ10が出力する出力信号jは、半導体レーザ2を
オンする毎にラッチ回路12でラッチされ、DC/DC
コンバータ13の出力電圧制御端子に入力する。DC/
DCコンバータ13は、入力信号kに応じて2段階の電
圧を出力する。
When the output voltage signal h of the differential amplifier 14 is larger than the reference voltage signal i, the output signal j output from the comparator 10 is at "L" level, while the output voltage signal h is lower than the reference voltage signal i. Is smaller, the output signal j of the comparator 10 becomes the “H” level. The output signal j output from the comparator 10 is latched by the latch circuit 12 every time the semiconductor laser 2 is turned on, and the DC / DC
It is input to the output voltage control terminal of converter 13. DC /
The DC converter 13 outputs a two-stage voltage according to the input signal k.

【0031】DC/DCコンバータ13が出力する電圧
は、半導体レーザ駆動電流の変化に対応して、電流源1
が大きな電流を出力するのに必要な電源電圧V1hと、
電流源1が小さな電流を出力するのに必要な電源電圧V
1lとの2段階に設定されている。この時、電圧V1h,
1lは、それぞれ再生モード,記録モードのどちらに
おいても、半導体レーザ2を駆動可能な電圧値に設定す
る必要がある。上述のようにして、電流源1の電源電圧
1を制御することにより、トランジスタQ1のエミッタ
・コレクタ間での無効電圧を低く押さえることが出来
る。
The voltage output from the DC / DC converter 13 changes according to the change in the semiconductor laser driving current.
Power supply voltage V 1 h required to output a large current,
Power supply voltage V required for current source 1 to output a small current
It is set in two stages of 1 l. At this time, the voltage V 1 h,
V 11 needs to be set to a voltage value at which the semiconductor laser 2 can be driven in both the reproduction mode and the recording mode. As described above, by controlling the power supply voltage V 1 of the current source 1, it is possible to suppress the reactive voltage between the emitter and the collector of the transistor Q 1 low.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明の半導体レーザ駆動装置は、半導
体レーザの出射光量に基づいて半導体レーザ駆動電流を
制御するとともに、半導体レーザの出射光量にかかわら
ず半導体レーザ駆動電流を出力する電流源の電源電圧を
制御するので、半導体レーザの出射光量を切り替える高
速性を損なうこと無く、不必要な電力消費を低減するこ
とができる。
According to the present invention, there is provided a semiconductor laser driving apparatus which controls a semiconductor laser driving current based on a light emission amount of a semiconductor laser and outputs a semiconductor laser driving current regardless of a light emission amount of the semiconductor laser. Since the voltage is controlled, unnecessary power consumption can be reduced without impairing the high-speed switching of the emission light amount of the semiconductor laser.

【0033】また、半導体レーザの順方向電圧に基づい
て、半導体レーザ駆動電流を出力する電流源の電源電圧
を制御することにより、半導体レーザの順方向電圧のば
らつきによる電流源での無効電圧の発生を低減でき、半
導体レーザ駆動装置の低消費電力化が実現できる。
Further, by controlling the power supply voltage of a current source for outputting a semiconductor laser driving current based on the forward voltage of the semiconductor laser, generation of an invalid voltage in the current source due to variation in the forward voltage of the semiconductor laser. And the power consumption of the semiconductor laser driving device can be reduced.

【0034】また、半導体レーザの駆動電流量に基づい
て、半導体レーザ駆動電流を出力する電流源の電源電圧
を制御することにより、駆動電流量の変化による電流源
での無効電圧の発生を低減でき、半導体レーザ駆動装置
の低消費電力化が実現できる。
Further, by controlling the power supply voltage of the current source that outputs the semiconductor laser driving current based on the driving current amount of the semiconductor laser, it is possible to reduce the generation of the invalid voltage in the current source due to the change in the driving current amount. Thus, low power consumption of the semiconductor laser driving device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体レーザ駆動装置の第1の実
施形態を説明するための回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram for explaining a first embodiment of a semiconductor laser driving device according to the present invention.

【図2】図1に示す構成における制御動作を説明するた
めの図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a control operation in the configuration shown in FIG.

【図3】DC/DCコンバータ13の動作を説明するた
めの図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the DC / DC converter 13.

【図4】本発明による半導体レーザ駆動装置の第2の実
施形態を説明するための回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a second embodiment of the semiconductor laser driving device according to the present invention.

【図5】従来の半導体レーザ駆動装置の一例を説明する
ための回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a conventional semiconductor laser driving device.

【図6】従来の半導体レーザ駆動装置の他の例を説明す
るための回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram for explaining another example of a conventional semiconductor laser driving device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電流源、2…半導体レーザ、3…光検出器、4…電
流電圧変換器、5…差動増幅器、6…切り替えスイッ
チ、7…再生モード基準電圧源、8…記録モード基準電
圧源、9…バッファ回路、10…コンパレータ、11…
基準電圧源、12…ラッチ回路、13…DC/DCコン
バータ、13a…チョッパレギュレータ、13b…切り
替えスイッチ、14…差動増幅器、15…DC/DCコ
ンバータ、15a…平滑化回路、R1,R2,R3,R4
抵抗、Q1…トランジスタ、C1…平滑化コンデンサ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Current source, 2 ... Semiconductor laser, 3 ... Photodetector, 4 ... Current-voltage converter, 5 ... Differential amplifier, 6 ... Changeover switch, 7 ... Reproduction mode reference voltage source, 8 ... Recording mode reference voltage source, 9 ... buffer circuit, 10 ... comparator, 11 ...
Reference voltage source, 12 latch circuit, 13 DC / DC converter, 13a chopper regulator, 13b changeover switch, 14 differential amplifier, 15 DC / DC converter, 15a smoothing circuit, R 1 , R 2 , R 3 , R 4
Resistance, Q 1 : transistor, C 1 : smoothing capacitor.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザの出射光量を制御する半導
体レーザ駆動装置であって、半導体レーザを駆動せしめ
るための半導体レーザ駆動電流を出力する電流源と、該
電流源に電源電圧を供給する出力電圧可変型のDC/D
Cコンバータと、前記半導体レーザの出射光量に基づい
て前記半導体レーザ駆動電流を制御する駆動電流制御手
段と、前記半導体レーザの出射光量にかかわりなく該半
導体レーザの動作電圧または前記半導体レーザ駆動電流
に基づいて前記DC/DCコンバータの出力電圧を制御
する電源電圧制御手段を有することを特徴とする半導体
レーザ駆動装置。
1. A semiconductor laser driving device for controlling a light emission amount of a semiconductor laser, comprising: a current source for outputting a semiconductor laser driving current for driving the semiconductor laser; and an output voltage for supplying a power supply voltage to the current source. Variable DC / D
A C converter, drive current control means for controlling the semiconductor laser drive current based on the amount of light emitted by the semiconductor laser, and a drive current control means for controlling the semiconductor laser drive current or the semiconductor laser drive current regardless of the amount of light emitted by the semiconductor laser. And a power supply voltage control means for controlling an output voltage of the DC / DC converter.
【請求項2】 前記電源電圧制御手段は、前記半導体レ
ーザの動作電圧である順方向電圧を検出する電圧検出器
と、該電圧検出器の検出値と予め設定される基準値とを
比較する比較器とを有し、該比較器の比較結果に基づい
て、前記DC/DCコンバータの出力電圧を制御するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
2. The power supply voltage control means includes: a voltage detector that detects a forward voltage that is an operation voltage of the semiconductor laser; and a comparison unit that compares a detection value of the voltage detector with a preset reference value. 2. The semiconductor laser drive device according to claim 1, further comprising a comparator, and controlling an output voltage of the DC / DC converter based on a comparison result of the comparator.
【請求項3】 前記電源電圧制御手段は、前記電流源が
出力する駆動電流を検出する電流検出器と、該電流検出
器の検出値と予め設定される基準値とを比較する比較器
とを有し、該比較器の比較結果に基づいて、前記DC/
DCコンバータの出力電圧を制御することを特徴とする
請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
3. The power supply voltage control means includes: a current detector for detecting a drive current output from the current source; and a comparator for comparing a detection value of the current detector with a preset reference value. And based on the comparison result of the comparator,
2. The semiconductor laser driving device according to claim 1, wherein an output voltage of the DC converter is controlled.
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