JPH02203601A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
- Publication number
- JPH02203601A JPH02203601A JP2464589A JP2464589A JPH02203601A JP H02203601 A JPH02203601 A JP H02203601A JP 2464589 A JP2464589 A JP 2464589A JP 2464589 A JP2464589 A JP 2464589A JP H02203601 A JPH02203601 A JP H02203601A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- phase shifter
- hybrid coupler
- pin diode
- insertion loss
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波通信装置等に利用できる移相器に関
する。
する。
従来、ＧａＡｓ （ガリウムひ素）Ｆ’ＥＴを利用した
移相器は知られている（電子通信学会論文誌第Ｊ ６６
−Ｂ巻第１１号 １４３６頁〜１４３７頁 昭和５８年
１１月 豊田幸弘“ＧａＡｓＦＥＴを用いたマイクロ波
移相器“参照）。
移相器は知られている（電子通信学会論文誌第Ｊ ６６
−Ｂ巻第１１号 １４３６頁〜１４３７頁 昭和５８年
１１月 豊田幸弘“ＧａＡｓＦＥＴを用いたマイクロ波
移相器“参照）。
第４図にＧａＡｓＦＥＴを用いた従来の移相器３０を示
す。同移相器３０はＧａＡｓＦＥＴ３１のゲートを入力
側とするとともに、ドレインとソースに固定静電容量３
２とＰＩＮダイオード３３を接続し、これらの他端を共
通接続して出力側としたものである。なお、図中、３４
はコンデンサ、３５．３６．３７はバイアス抵抗を示す
。
す。同移相器３０はＧａＡｓＦＥＴ３１のゲートを入力
側とするとともに、ドレインとソースに固定静電容量３
２とＰＩＮダイオード３３を接続し、これらの他端を共
通接続して出力側としたものである。なお、図中、３４
はコンデンサ、３５．３６．３７はバイアス抵抗を示す
。
ところで、この上うなＰＥＴを用いた従来の移相器３０
は、周波数が高くなるに従ってドレイン−ソース間の位
相差が１８０°以下になるため、位相差をＯ°〜１８０
＠まで可変できる広帯域移相器を得ることが困難であっ
た。また、動作周波数範囲は３．０ＧＨｚ〜４．２ＧＨ
ｚが限界であり、しかも挿入損が３ｄＢ以上と大きくな
る難点があった。
は、周波数が高くなるに従ってドレイン−ソース間の位
相差が１８０°以下になるため、位相差をＯ°〜１８０
＠まで可変できる広帯域移相器を得ることが困難であっ
た。また、動作周波数範囲は３．０ＧＨｚ〜４．２ＧＨ
ｚが限界であり、しかも挿入損が３ｄＢ以上と大きくな
る難点があった。
本発明は、このような従来技術に存在する問題点を解消
した移相器の提供を目的とするものである。
した移相器の提供を目的とするものである。
本発明に係る移相器１は第１図に示すように、ハイブリ
ッド結合器２の０°位相端子２ａを、縦続接続した増幅
器３と可変減衰器４（ＰＩＮダイオード４ａ）を介して
電力分割器５に接続するとともに、ハイブリッド結合器
２の１８０°位相端子２ｂを、縦続接続した増幅器６と
固定静電容量７を介して電力分割器５に接続してなるこ
とを特徴とする。
ッド結合器２の０°位相端子２ａを、縦続接続した増幅
器３と可変減衰器４（ＰＩＮダイオード４ａ）を介して
電力分割器５に接続するとともに、ハイブリッド結合器
２の１８０°位相端子２ｂを、縦続接続した増幅器６と
固定静電容量７を介して電力分割器５に接続してなるこ
とを特徴とする。
次に、本発明の作用について説明する。
本発明に係る移相器１によれば、ハイブリッド結合器２
に入力したマイクロ波は０°位相端子２ａと１８０°位
相端子２ｂにそれぞれ分割出力する。各端子２ａ、２ｂ
から出力するマイクロ波は、増幅器３．６によってハイ
ブリッド結合器２の結合度に基づく減衰量が補償され、
さらにＰＩＮダイオード４ａ、固定静電容量７をそれぞ
れ介して電力分割器５に入力し、再び結合する。この際
、ＰＩＮダイオード４ａに供給する電流を可変すること
により、位相量が対応して変化する。
に入力したマイクロ波は０°位相端子２ａと１８０°位
相端子２ｂにそれぞれ分割出力する。各端子２ａ、２ｂ
から出力するマイクロ波は、増幅器３．６によってハイ
ブリッド結合器２の結合度に基づく減衰量が補償され、
さらにＰＩＮダイオード４ａ、固定静電容量７をそれぞ
れ介して電力分割器５に入力し、再び結合する。この際
、ＰＩＮダイオード４ａに供給する電流を可変すること
により、位相量が対応して変化する。
以下には、本発明に係る好適な実施例を挙げ、図面に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
移相器！のブロック回路図を第１図に示す。２はハイブ
リッド結合器であり、入力端子２ｉにはマイクロ波が入
力する。ハイブリッド結合器２の動作周波数範囲は４Ｇ
Ｈｚ〜８ＧＨｚであり、広い周波数範囲にわたって１８
０”の位相差を保つ超広帯域形を使用する。
リッド結合器であり、入力端子２ｉにはマイクロ波が入
力する。ハイブリッド結合器２の動作周波数範囲は４Ｇ
Ｈｚ〜８ＧＨｚであり、広い周波数範囲にわたって１８
０”の位相差を保つ超広帯域形を使用する。
一方、ハイブリッド結合器２の０°位相端子２ａはＦＥ
Ｔを用いた広帯域増幅器３に接続し、ハイブリッド結合
器２の挿入損（約３ｄＢ）を補償する。広帯域増幅器３
の利得は６．５ｄＢ、周波数帯域は３ＧＨｚ〜２０ＧＨ
ｚである。この広帯域増幅器３の出力側は可変減衰器４
をなすＰＩＮダイオード４ａを介して電力分割器５の一
方の入力側に接続する。
Ｔを用いた広帯域増幅器３に接続し、ハイブリッド結合
器２の挿入損（約３ｄＢ）を補償する。広帯域増幅器３
の利得は６．５ｄＢ、周波数帯域は３ＧＨｚ〜２０ＧＨ
ｚである。この広帯域増幅器３の出力側は可変減衰器４
をなすＰＩＮダイオード４ａを介して電力分割器５の一
方の入力側に接続する。
他方、ハイブリッド結合器２の１８０°入力端子２ｂは
ＰＥＴを用いた広帯域増幅器６に接続し、同じくハイブ
リッド結合器２の挿入損を補償する。
ＰＥＴを用いた広帯域増幅器６に接続し、同じくハイブ
リッド結合器２の挿入損を補償する。
この広帯域増幅器６の利得は６．５ｄＢ、周波数帯域は
３ＧＨｚ〜２０ Ｇ Ｈｚである。この広帯域増幅器６
の出力側はｏ、ｔｐｐ’の固定静電容量７を介して電力
分割器５の他方の入力側に接続する。
３ＧＨｚ〜２０ Ｇ Ｈｚである。この広帯域増幅器６
の出力側はｏ、ｔｐｐ’の固定静電容量７を介して電力
分割器５の他方の入力側に接続する。
なお、ＰＩＮダイオード４ａの周波数帯域は４ＧＨｚ
〜２０ Ｇ Ｈｚである。
〜２０ Ｇ Ｈｚである。
よって、電力分割器５は入力側に供給されたマイクロ波
を結合し、出力端子５ｏからは位相量が設定されたマイ
クロ波を出力する。
を結合し、出力端子５ｏからは位相量が設定されたマイ
クロ波を出力する。
このような構成からなる移相器ｌは、ＰＩＮダイオード
４ａに供給する電流を０〜１，２１４ｍＡまで変化させ
れば、第２図に示すように位相量は０°〜１８０°まで
変化し、電流の可変によって、任意の位相量を得れる。
４ａに供給する電流を０〜１，２１４ｍＡまで変化させ
れば、第２図に示すように位相量は０°〜１８０°まで
変化し、電流の可変によって、任意の位相量を得れる。
なお、移相器ｌの動作周波数範囲は４ＧＨｚ〜９ＧＨｚ
となる。また、第３図に示すように、挿入損は最小０．
３ｄＢ。
となる。また、第３図に示すように、挿入損は最小０．
３ｄＢ。
最大０．９ｄＢとなり、位相の０°と１８０°付近では
０．９ｄＢの挿入損があった。
０．９ｄＢの挿入損があった。
以上、実施例について詳細に説明したが、本発明はこの
ような実施例に限定されるものではなく、例示の数値は
設計に応じて任意に変更できる。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で任意に実施できる。
ような実施例に限定されるものではなく、例示の数値は
設計に応じて任意に変更できる。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で任意に実施できる。
このように本発明に係る移相器はハイブリッド結合器及
び増幅器を用いてなるため、動作周波数範囲を広帯域に
できるとともに、挿入損を抑えることができる。特に、
動作周波数範囲が４ＧＨｚ〜９ＧＨｚにおいて位相量を
Ｏ°〜１８０°の範囲で連続可変できるとともに、挿入
損を０．３ｄＢ−０，９ｄＢに抑えることができた。
び増幅器を用いてなるため、動作周波数範囲を広帯域に
できるとともに、挿入損を抑えることができる。特に、
動作周波数範囲が４ＧＨｚ〜９ＧＨｚにおいて位相量を
Ｏ°〜１８０°の範囲で連続可変できるとともに、挿入
損を０．３ｄＢ−０，９ｄＢに抑えることができた。
第１図二本発明に係る移相器のブロック回路図、第２図
：同移相器の周波数対位相量特性図、第３図：同移相器
の周波数対挿入損特性図、第４図：従来技術に係る移相
器の電気回路図。 尚図面中、 ！：移相器 ２：ハイブリッド結合器２ ａ
： Ｏｌ 位相端子 ２ ｂ ： ８０゜ 位相端子 ３゜ ：増幅器 ：可変減衰器 ＩＮダイオード ：電力分割器 ：固定静電容量
：同移相器の周波数対位相量特性図、第３図：同移相器
の周波数対挿入損特性図、第４図：従来技術に係る移相
器の電気回路図。 尚図面中、 ！：移相器 ２：ハイブリッド結合器２ ａ
： Ｏｌ 位相端子 ２ ｂ ： ８０゜ 位相端子 ３゜ ：増幅器 ：可変減衰器 ＩＮダイオード ：電力分割器 ：固定静電容量
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕ハイブリッド結合器の０°位相端子を、縦続接続
した増幅器と可変減衰器を介して電力分割器に接続する
とともに、ハイブリッド結合器の１８０°位相端子を、
縦続接続した増幅器と固定静電容量を介して電力分割器
に接続してなることを特徴とする移相器。 〔２〕可変減衰器はＰＩＮダイオードを用いたことを特
徴とする請求項１記載の移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2464589A JPH02203601A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2464589A JPH02203601A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203601A true JPH02203601A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12143875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2464589A Pending JPH02203601A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02203601A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081912A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-10 | Nec Corp | 可変移相器 |
| JPS61284124A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクテイブ分岐・分配器 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2464589A patent/JPH02203601A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081912A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-10 | Nec Corp | 可変移相器 |
| JPS61284124A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクテイブ分岐・分配器 |
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