JPH0220354U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0220354U JPH0220354U JP9874188U JP9874188U JPH0220354U JP H0220354 U JPH0220354 U JP H0220354U JP 9874188 U JP9874188 U JP 9874188U JP 9874188 U JP9874188 U JP 9874188U JP H0220354 U JPH0220354 U JP H0220354U
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- JP
- Japan
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- conductivity type
- diffusion layer
- high concentration
- type
- planar
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例にかかるプレーナ型
ダイアツクの概略断面図、第2図イ,ロ,ハはそ
れぞれ本考案のプレーナ型ダイアツクの製造方法
を示す工程説明図、第3図、第4図はそれぞれ従
来のプレーナ型ダイアツクの概略断面図、第5図
はプレーナ型ダイアツクのV―I特性図である。 1……P−型低濃度基板、2a,2b……P型
拡散層、3a,3b……N+型高濃度拡散層、5
a,5b……電極。
ダイアツクの概略断面図、第2図イ,ロ,ハはそ
れぞれ本考案のプレーナ型ダイアツクの製造方法
を示す工程説明図、第3図、第4図はそれぞれ従
来のプレーナ型ダイアツクの概略断面図、第5図
はプレーナ型ダイアツクのV―I特性図である。 1……P−型低濃度基板、2a,2b……P型
拡散層、3a,3b……N+型高濃度拡散層、5
a,5b……電極。
Claims (1)
- 一導電型の低濃度基板の両面に一導電型の拡散
層を対向させてそれぞれ形成すると共に、該拡散
層の表面内側に他導電型の高濃度拡散層を形成し
、該高濃度拡散層の表面に電極を設けてなるプレ
ーナ型ダイアツク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9874188U JPH0220354U (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9874188U JPH0220354U (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0220354U true JPH0220354U (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=31325270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9874188U Pending JPH0220354U (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0220354U (ja) |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP9874188U patent/JPH0220354U/ja active Pending