JPH02195679A - 一体的な光学レンズ系を有する簿膜el端部発光構造体 - Google Patents
一体的な光学レンズ系を有する簿膜el端部発光構造体Info
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- JPH02195679A JPH02195679A JP1318682A JP31868289A JPH02195679A JP H02195679 A JPH02195679 A JP H02195679A JP 1318682 A JP1318682 A JP 1318682A JP 31868289 A JP31868289 A JP 31868289A JP H02195679 A JPH02195679 A JP H02195679A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は個別発光画素の線形アレイを形成するように構
成された薄膜EL端部発光構造体、特に、アレイ中の各
画素の発光面を、該画素内で放射される光エネルギーを
所定の方向に投射すると共に所定のビーム・パターンを
有する光エネルギー・ビームに成形する、前記発光面と
一体の光学レンズを画定するような所定形状に形成しで
ある薄膜端部発光構造体に係わる。
成された薄膜EL端部発光構造体、特に、アレイ中の各
画素の発光面を、該画素内で放射される光エネルギーを
所定の方向に投射すると共に所定のビーム・パターンを
有する光エネルギー・ビームに成形する、前記発光面と
一体の光学レンズを画定するような所定形状に形成しで
ある薄膜端部発光構造体に係わる。
電子制御式高解像度光源を得るためにEL装置を利用で
きることは公知である。
きることは公知である。
(以 下 余 白)
例えば、種々のフラット・パネル表示装置に電界発光装
置を利用することも公知である。この種の用途の1例が
本願発明の譲受人に譲渡された^5ars等の米国特許
第4,110,664号に開示されている。この特許の
フラット・パネル表示装置は薄膜トランジスター・ダイ
ナミック・シフト・レジスターと接続する複数の非連続
的に隣接する個別制御可能なELL示素子を一体的な基
板上に含むEL棒棒グラフ表示システムある。シフト・
レジスターの個々の段は個々の表示素子と接続している
。このようなシステムに使用されるELL示素子はEL
L光体と併用される電極の1つが共通光伝達部材であり
、この共通電極が装置面と隣接して、光がこの電極を通
過しなければならないタイプである。
置を利用することも公知である。この種の用途の1例が
本願発明の譲受人に譲渡された^5ars等の米国特許
第4,110,664号に開示されている。この特許の
フラット・パネル表示装置は薄膜トランジスター・ダイ
ナミック・シフト・レジスターと接続する複数の非連続
的に隣接する個別制御可能なELL示素子を一体的な基
板上に含むEL棒棒グラフ表示システムある。シフト・
レジスターの個々の段は個々の表示素子と接続している
。このようなシステムに使用されるELL示素子はEL
L光体と併用される電極の1つが共通光伝達部材であり
、この共通電極が装置面と隣接して、光がこの電極を通
過しなければならないタイプである。
このような表示パネルの構造は本願発明の譲受人に譲渡
されたLuo等の米国特許第4,006,383号にも
開示されている。 Luo等の特許は有効表示面積を広
くするため個々のEL電極がパネルの広い面積を占める
ように構成したELL示パネル構造を開示している。E
L素子の面が表示面電極である。
されたLuo等の米国特許第4,006,383号にも
開示されている。 Luo等の特許は有効表示面積を広
くするため個々のEL電極がパネルの広い面積を占める
ように構成したELL示パネル構造を開示している。E
L素子の面が表示面電極である。
電子制御される高解像度光源の他の例が本願発明の譲受
人に譲渡されたNun等の米国特許第4.535.34
1号に開示されている。この特許は従来のフラット・パ
ネル表示光源の面発光よりも30乃至40倍明るい端部
発光を可能にする薄膜EL線形アレイ発光構造を開示し
ている。この発明の一実施例では、発光構造が各発光構
造素子と直列の一体的なコンデンサーを含む、この一体
的な薄膜構造の絶縁/蛍光複合層は端部発光装置の発光
層とコンデンサーの絶縁層を兼ねる。
人に譲渡されたNun等の米国特許第4.535.34
1号に開示されている。この特許は従来のフラット・パ
ネル表示光源の面発光よりも30乃至40倍明るい端部
発光を可能にする薄膜EL線形アレイ発光構造を開示し
ている。この発明の一実施例では、発光構造が各発光構
造素子と直列の一体的なコンデンサーを含む、この一体
的な薄膜構造の絶縁/蛍光複合層は端部発光装置の発光
層とコンデンサーの絶縁層を兼ねる。
(以 下 余 白)
上述した薄膜EL装置はいずれも高解像度光源として利
用できるが、いずれも光エネルギーの投射方向及びその
パターンに関しては特に考慮が払われていないから、特
定のビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームを
特定の方向に投射するために上記装置を利用したければ
、別設の結像またはビーム成形光学レンズを採用しなけ
ればならない、別設のレンズ構造を利用することである
程度の成果は得られるが、このレンズを付加すれば各装
置のサイズ及び複雑さが増大することになる。
用できるが、いずれも光エネルギーの投射方向及びその
パターンに関しては特に考慮が払われていないから、特
定のビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームを
特定の方向に投射するために上記装置を利用したければ
、別設の結像またはビーム成形光学レンズを採用しなけ
ればならない、別設のレンズ構造を利用することである
程度の成果は得られるが、このレンズを付加すれば各装
置のサイズ及び複雑さが増大することになる。
従って、光エネルギーを所定方向に投射すると共に投射
光エネルギーを所期のビーム・パターンを有する光エネ
ルギー・ビームに成形する、発光面と一体の光学レンズ
を画定するような所定の形状にそれぞれの発光面が形成
されている複数の発光画素を有する改良型薄膜EL端部
発光構造体の実現が要望される。薄膜端部発光構造体に
おける各画素の発光面と一体の光学レンズを形成すれば
構造体が嵩ばったりさらに複雑になることはなく、薄膜
端部発光構造体と、アレイを構成する各画素の発光面に
近接させた別設の結像レンズとを含む発光集合体よりも
製造コストが低くなる。
光エネルギーを所期のビーム・パターンを有する光エネ
ルギー・ビームに成形する、発光面と一体の光学レンズ
を画定するような所定の形状にそれぞれの発光面が形成
されている複数の発光画素を有する改良型薄膜EL端部
発光構造体の実現が要望される。薄膜端部発光構造体に
おける各画素の発光面と一体の光学レンズを形成すれば
構造体が嵩ばったりさらに複雑になることはなく、薄膜
端部発光構造体と、アレイを構成する各画素の発光面に
近接させた別設の結像レンズとを含む発光集合体よりも
製造コストが低くなる。
本発明は共通電極層及びこれに重ねた第1絶縁層を含む
一体的光学レンズ系を有する薄11[EL端部発光構造
体を提案する。第1絶縁層から間隔を保って第2絶縁層
が配置され、第1と第2の絶縁層の間に蛍光体層が介在
し、第2絶縁層上に複数の制御電極が配列されている。
一体的光学レンズ系を有する薄11[EL端部発光構造
体を提案する。第1絶縁層から間隔を保って第2絶縁層
が配置され、第1と第2の絶縁層の間に蛍光体層が介在
し、第2絶縁層上に複数の制御電極が配列されている。
共通電極層、蛍光体層を挟む第1及び第2絶縁層、及び
複数制御電極が複数の発光画素を画定する。共通電極層
、第1及び第2絶縁層、蛍光体層及び複数制御電極はそ
れぞれ端面を有し、各層及び制御電極の端面は互いにほ
ぼ整列し、複数画素の発光面を形成する。
複数制御電極が複数の発光画素を画定する。共通電極層
、第1及び第2絶縁層、蛍光体層及び複数制御電極はそ
れぞれ端面を有し、各層及び制御電極の端面は互いにほ
ぼ整列し、複数画素の発光面を形成する。
複数の制御電極及び共通電極層は任意の画素に励起信号
を供給する励起装置と接続する0個々の画素に励起信号
が供給されると、この画素と連携する蛍光体層が少なく
とも画素の発光面に向けられた光エネルギーを放射する
0個々の画素の発光面はこれを通過する光エネルギーを
屈折させる、画素と一体の光学レンズを画定する所定の
形状に形成されている。一体的光学レンズの形状に応じ
て、屈折光エネルギーが所定の方向に投射され、所定の
ビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームに成形
される。
を供給する励起装置と接続する0個々の画素に励起信号
が供給されると、この画素と連携する蛍光体層が少なく
とも画素の発光面に向けられた光エネルギーを放射する
0個々の画素の発光面はこれを通過する光エネルギーを
屈折させる、画素と一体の光学レンズを画定する所定の
形状に形成されている。一体的光学レンズの形状に応じ
て、屈折光エネルギーが所定の方向に投射され、所定の
ビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームに成形
される。
本発明はまた、共通電極層及びこれに重ねた第1絶縁層
を含み、一体的光学レンズ系を有し、かつ所定のカラー
画像を発生させることのできる薄膜EL端部発光構造体
を提案する。第1絶縁層から間隔を保って第2絶縁層が
配置され、第1と第2の絶縁層の間に蛍光体層が介在す
る。蛍光体層は複数の蛍光体ゾーンに分割されており、
各ゾーンは所定組成の発光材から成り、第1及び第2絶
縁層間にまたがっている。第2絶縁層上にそれぞれが各
蛍光体ゾーンと整列する複数の制御電極が配列されてい
る。共通電極層、複数の蛍光体ゾーンを挟む第1及び第
2絶縁層、及び複数の制御電極が複数の発光画素を画定
する。共通iiE極層、341及び′s2絶祿層、蛍光
体層中の蛍光体ゾーン及び複数制御電極はそれぞれ端面
を有する。
を含み、一体的光学レンズ系を有し、かつ所定のカラー
画像を発生させることのできる薄膜EL端部発光構造体
を提案する。第1絶縁層から間隔を保って第2絶縁層が
配置され、第1と第2の絶縁層の間に蛍光体層が介在す
る。蛍光体層は複数の蛍光体ゾーンに分割されており、
各ゾーンは所定組成の発光材から成り、第1及び第2絶
縁層間にまたがっている。第2絶縁層上にそれぞれが各
蛍光体ゾーンと整列する複数の制御電極が配列されてい
る。共通電極層、複数の蛍光体ゾーンを挟む第1及び第
2絶縁層、及び複数の制御電極が複数の発光画素を画定
する。共通iiE極層、341及び′s2絶祿層、蛍光
体層中の蛍光体ゾーン及び複数制御電極はそれぞれ端面
を有する。
各層、蛍光体ゾーン及びflilJm電極の端面は互い
にほぼ整列関係にあり、複数画素の発光面を形成する。
にほぼ整列関係にあり、複数画素の発光面を形成する。
複数制御電極及び共通電極層は任意の画素に励起信号を
供給する励起源と接続する0個々の画素に励起信号が供
給されると、この画素と連携する蛍光体ゾーンが少なく
とも画素発光面に向けられた光エネルギーを放射する。
供給する励起源と接続する0個々の画素に励起信号が供
給されると、この画素と連携する蛍光体ゾーンが少なく
とも画素発光面に向けられた光エネルギーを放射する。
放射される光エネルギーのカラーは蛍光体ゾーンを形成
している発光材の組成に応じて異なる0個々の画素の発
光面は通過するカラー光エネルギーを所定の他の画素に
よって投射されるカラー光エネルギーとオーバラップ関
係に投射する、画素と一体的な光学レンズを画定するよ
うな所定の形状に形成されている。
している発光材の組成に応じて異なる0個々の画素の発
光面は通過するカラー光エネルギーを所定の他の画素に
よって投射されるカラー光エネルギーとオーバラップ関
係に投射する、画素と一体的な光学レンズを画定するよ
うな所定の形状に形成されている。
個々の画素及び所定の他の画素によ)てオーバラップ関
係に投射されるカラー光エネルギーはオーバラップ域に
おいてブレンドされて個々の画素及び所定の他の画素に
よって投射される光エネルギーのカラーによって決定さ
れるカラーの光画像を形成する。
係に投射されるカラー光エネルギーはオーバラップ域に
おいてブレンドされて個々の画素及び所定の他の画素に
よって投射される光エネルギーのカラーによって決定さ
れるカラーの光画像を形成する。
本発明はまた、共通電極層及びこれと間隔を保って配列
された複数の制御電極を含む一体的なビーム成形レンズ
系を育する薄膜EL端部発光構造体をも提案する。共通
電極層と複数制御電極の間に絶縁材層が介在し、共通電
極層と複数制御電極の間に端面を有する蛍光体層も共通
電極層と複数制御電極の間に介在する。共通電極層、絶
縁材層、蛍光体層及び複数制御電極はほぼ積層状の構造
を形成し、基板層上に配置される。共通電極層、絶縁材
層、蛍光体層及び複数制御電極はそれぞれが少なくとも
蛍光体層から成る発光面を有する複数の画素を画定する
。
された複数の制御電極を含む一体的なビーム成形レンズ
系を育する薄膜EL端部発光構造体をも提案する。共通
電極層と複数制御電極の間に絶縁材層が介在し、共通電
極層と複数制御電極の間に端面を有する蛍光体層も共通
電極層と複数制御電極の間に介在する。共通電極層、絶
縁材層、蛍光体層及び複数制御電極はほぼ積層状の構造
を形成し、基板層上に配置される。共通電極層、絶縁材
層、蛍光体層及び複数制御電極はそれぞれが少なくとも
蛍光体層から成る発光面を有する複数の画素を画定する
。
複数の制御電極及び共通電極層は任意の画素に励起信号
を供給する励起源と接続する。ある画素に励起信号が供
給されると、この画素はこれと連携する蛍光体層部分内
で少なくとも画素発光面に向けられる光エネルギーを放
射する。画素発光面はこれを通過する光エネルギーを所
定の方向に投射すると共に投射光エネルギーを所定のビ
ーム・パターンを有する光エネルギー・ビームに成形す
る、画素と一体の光学レンズを画定するような所定の形
状に形成されている。
を供給する励起源と接続する。ある画素に励起信号が供
給されると、この画素はこれと連携する蛍光体層部分内
で少なくとも画素発光面に向けられる光エネルギーを放
射する。画素発光面はこれを通過する光エネルギーを所
定の方向に投射すると共に投射光エネルギーを所定のビ
ーム・パターンを有する光エネルギー・ビームに成形す
る、画素と一体の光学レンズを画定するような所定の形
状に形成されている。
本発明の特徴及び長所は添付図面に沿った以下の詳細な
説明から明らかになるのであろう。
説明から明らかになるのであろう。
第1A及び18図にはソリッドステート電子制御高解像
度光源として利用できる公知の薄膜電界発光性(TFE
L)端部発光構造体の1例を示した。この公知TFEL
端部発光構造体の構成及び作用は本発明の譲受人に譲渡
されたKun等の米国特許第4,535,341号に開
示されている。
度光源として利用できる公知の薄膜電界発光性(TFE
L)端部発光構造体の1例を示した。この公知TFEL
端部発光構造体の構成及び作用は本発明の譲受人に譲渡
されたKun等の米国特許第4,535,341号に開
示されている。
第1A図では公知のTFEL端部発光構造体に一括して
参照番号10を付した。TFELi部発光構造体10は
共通電極層12、第1絶縁層14、第2絶縁層16、第
1と第2の絶縁層14.16の間に介在する蛍光体層1
8、及び励起電極層20を含む、共通電極層12、蛍光
体層18を挟む第1及び第2絶縁層14.16、並びに
励起電極層20から成るほぼ積層状の構造を基板層21
上に配置する。励起源22が共通電極層12及び励起電
極層20と接続してEL蛍光層18を励起するのに必要
な信号を提供する。
参照番号10を付した。TFELi部発光構造体10は
共通電極層12、第1絶縁層14、第2絶縁層16、第
1と第2の絶縁層14.16の間に介在する蛍光体層1
8、及び励起電極層20を含む、共通電極層12、蛍光
体層18を挟む第1及び第2絶縁層14.16、並びに
励起電極層20から成るほぼ積層状の構造を基板層21
上に配置する。励起源22が共通電極層12及び励起電
極層20と接続してEL蛍光層18を励起するのに必要
な信号を提供する。
TFEL構造の端面24は発光面または発光源である。
構造の背面、即ち、発光面とは反対側の端面26は適当
な非導電性反射体28で鏡面化されている。なお、第1
及び第2絶縁層14..16を第1A図ではそれぞれ一
体的な層として図示しであるが、各絶縁層を複数の部分
層で構成してもよい、また、この部分層をそれぞれ異な
る絶縁材で構成してもよく、当業者ならば所要の絶縁性
能に応じて利用すべき部分層材料を選択することができ
るであろう。
な非導電性反射体28で鏡面化されている。なお、第1
及び第2絶縁層14..16を第1A図ではそれぞれ一
体的な層として図示しであるが、各絶縁層を複数の部分
層で構成してもよい、また、この部分層をそれぞれ異な
る絶縁材で構成してもよく、当業者ならば所要の絶縁性
能に応じて利用すべき部分層材料を選択することができ
るであろう。
第1A図には具体的に図示しなかったが、電極層の少な
くとも一方、例えば励起電極層20を複数の制御電極に
分割することにより、構造の他の構成成分と共に複数の
個別発光画素を画定することができる。ただし、励起電
極層を複数の制御電極に分割する場合、励起源を共通電
極層と、個々の制御電極との間に接続して複数画素に励
起信号を供給できるようにしなければならない。
くとも一方、例えば励起電極層20を複数の制御電極に
分割することにより、構造の他の構成成分と共に複数の
個別発光画素を画定することができる。ただし、励起電
極層を複数の制御電極に分割する場合、励起源を共通電
極層と、個々の制御電極との間に接続して複数画素に励
起信号を供給できるようにしなければならない。
第1A及び18図に示したTFEL端部発光構造体10
は平面的な発光面24を有する個別画素30を形成する
。従って、電極12.20間に励起信号が印加されると
同時に蛍光体層18内で発光する光エネルギーはこの平
面的な発光面24において屈折し、自然発生的に放射ビ
ーム・パターンで投射され、第1B図に32で示すよう
な境界で画定され一定の角度で発散する光エネルギー・
ビームを形成する。換言すれば、蛍光体層18の屈折率
は発光面24に隣接する媒質(即ち空気)の屈折率より
も高く、しかも発光面24は平面的な形状を有するから
、蛍光体層18内で発生する光エネルギーは平面的発光
面24において屈折し、空気媒質中を通過して、画素3
0の幅と平行な方向Yに自然発散するビーム・パターン
を形成する。
は平面的な発光面24を有する個別画素30を形成する
。従って、電極12.20間に励起信号が印加されると
同時に蛍光体層18内で発光する光エネルギーはこの平
面的な発光面24において屈折し、自然発生的に放射ビ
ーム・パターンで投射され、第1B図に32で示すよう
な境界で画定され一定の角度で発散する光エネルギー・
ビームを形成する。換言すれば、蛍光体層18の屈折率
は発光面24に隣接する媒質(即ち空気)の屈折率より
も高く、しかも発光面24は平面的な形状を有するから
、蛍光体層18内で発生する光エネルギーは平面的発光
面24において屈折し、空気媒質中を通過して、画素3
0の幅と平行な方向Yに自然発散するビーム・パターン
を形成する。
既に述べた通り、光エネルギーを所定の方向に投射し、
正確に制御された収斂、平行または発散ビーム・パター
ンを有する光エネルギー・ビームを形成するため高解像
度光源を必要とする用途には、高解像度光源として平面
的な発光面を有するTFEL端部発光構造体を使用する
のは望ましくない。
正確に制御された収斂、平行または発散ビーム・パター
ンを有する光エネルギー・ビームを形成するため高解像
度光源を必要とする用途には、高解像度光源として平面
的な発光面を有するTFEL端部発光構造体を使用する
のは望ましくない。
第2図に示す本発明のTFEL端部発光構造体40は放
射光エネルギーを所期の方向に投射し、所定のビーム・
パターンを有する光エネルギー・ビームを形成すること
ができる。第2図から明らかなように、TFEL端部発
光構造体40は基板層44に重ねた共通電極層42を含
み、共通電極層42上に第1絶縁層46が配置され、第
1絶縁層46から間隔を保って第2絶縁層48b(配置
されている。第1と第2の絶縁層46.48の間に蛍光
体層50が介在し、第2絶縁層48上に1対の制御また
は励起電極52を設けである。
射光エネルギーを所期の方向に投射し、所定のビーム・
パターンを有する光エネルギー・ビームを形成すること
ができる。第2図から明らかなように、TFEL端部発
光構造体40は基板層44に重ねた共通電極層42を含
み、共通電極層42上に第1絶縁層46が配置され、第
1絶縁層46から間隔を保って第2絶縁層48b(配置
されている。第1と第2の絶縁層46.48の間に蛍光
体層50が介在し、第2絶縁層48上に1対の制御また
は励起電極52を設けである。
第2図から明らかなように、共通電極層42、蛍光体層
50を挟む第1及び第2絶縁層46.48、並びに1対
の制御電極52が1対の発光画素54を形成し、共通電
極層42と、第1及び第2絶縁層46.48と両絶縁層
間に介在する蛍光体層50は両画素に共通である。従っ
て、1対の制御電極52は構造の他の構成成分と共に、
図示のような1対の画素54を画定する。第2図には発
光画素54を1対だけ示しであるが、TFEL構造40
のようなTFEL構造において形成できる個別発光画素
の個数は構造の全長及び制御電極材層中に形成されてい
る制御電極の総数に応じて異なる。また、第2図には第
1及び第2絶縁層46.48をそれぞれ一体的な層とし
て図示したが、それぞれの層を複数の部分層で構成して
もよい0部分層はそれぞれ異なる絶縁材で形成すればよ
く、当業者ならば所要の絶縁性能に応じて利用すべき部
分層材料を選択できるであろう。
50を挟む第1及び第2絶縁層46.48、並びに1対
の制御電極52が1対の発光画素54を形成し、共通電
極層42と、第1及び第2絶縁層46.48と両絶縁層
間に介在する蛍光体層50は両画素に共通である。従っ
て、1対の制御電極52は構造の他の構成成分と共に、
図示のような1対の画素54を画定する。第2図には発
光画素54を1対だけ示しであるが、TFEL構造40
のようなTFEL構造において形成できる個別発光画素
の個数は構造の全長及び制御電極材層中に形成されてい
る制御電極の総数に応じて異なる。また、第2図には第
1及び第2絶縁層46.48をそれぞれ一体的な層とし
て図示したが、それぞれの層を複数の部分層で構成して
もよい0部分層はそれぞれ異なる絶縁材で形成すればよ
く、当業者ならば所要の絶縁性能に応じて利用すべき部
分層材料を選択できるであろう。
各発光画素54の制御電極52及び1対の画素に共通の
電極層42は励起源56と接続可能である。公知のよう
に、励起源56は共通電極層42及び1対の制御電極5
2と電気的に接続することにより、1対の画素に共通の
EL蛍光体層50を励起するのに必要な励起信号を提供
する。
電極層42は励起源56と接続可能である。公知のよう
に、励起源56は共通電極層42及び1対の制御電極5
2と電気的に接続することにより、1対の画素に共通の
EL蛍光体層50を励起するのに必要な励起信号を提供
する。
個々の画素54の制御電極52及び共通電極層42に励
起信号が供給されると、この個別画素と連携する蛍光体
層50の部分が光エネルギーを発する。公知のTFEL
端部発光構造体10の場合と同様に、各画素54の背面
58には非金属反射コーティング60が施されている0
反射コーティング60の層は個々の画素54の背面58
に現われる光の大部分をほぼ画素の発光端部62にむか
って反射する。
起信号が供給されると、この個別画素と連携する蛍光体
層50の部分が光エネルギーを発する。公知のTFEL
端部発光構造体10の場合と同様に、各画素54の背面
58には非金属反射コーティング60が施されている0
反射コーティング60の層は個々の画素54の背面58
に現われる光の大部分をほぼ画素の発光端部62にむか
って反射する。
各画素54の発光端部62は所定の形状に形成された外
面または発光面64を有する0例えば、第2図に示す各
画素54の発光面64は画素の本体部分66から見て凹
面状に形成されている。
面または発光面64を有する0例えば、第2図に示す各
画素54の発光面64は画素の本体部分66から見て凹
面状に形成されている。
各画素54の発光面64は第1及び第2絶縁層46.4
8の端面68.70、共通及び制御電極42.52の端
面72.73、及び蛍光体層50の端面74から形成さ
れる。蛍光体層50の端面74は第1及び第2絶縁層4
6.48の端面88.70間にまたがっている。詳しく
は後述するように、各画素54の発光面64は画素面か
ら出る光エネルギーを所期の方向に投射し、所定のビー
ム・パターンを有する光エネルギー・ビームに形成する
ための、画素と一体の光学レンズを形成する。
8の端面68.70、共通及び制御電極42.52の端
面72.73、及び蛍光体層50の端面74から形成さ
れる。蛍光体層50の端面74は第1及び第2絶縁層4
6.48の端面88.70間にまたがっている。詳しく
は後述するように、各画素54の発光面64は画素面か
ら出る光エネルギーを所期の方向に投射し、所定のビー
ム・パターンを有する光エネルギー・ビームに形成する
ための、画素と一体の光学レンズを形成する。
既に述べた通り、励起源56から各画素54の蛍光体層
50に励起信号が供給されると、各画素と連携する蛍光
体層が光エネルギーを発する。
50に励起信号が供給されると、各画素と連携する蛍光
体層が光エネルギーを発する。
個々の画素54と連携する蛍光体層50内に発生する光
エネルギーは個々の画素発光面64にむかって蛍光体層
を通過する。蛍光体の屈折率は約2.4であり、発光面
64の外側に存在する媒質、例えば空気の屈折率は1.
0であるから、個々の画素の蛍光体層50の内部から画
素を囲む外部媒質へ出る光エネルギーは画素発光面64
において屈折する。
エネルギーは個々の画素発光面64にむかって蛍光体層
を通過する。蛍光体の屈折率は約2.4であり、発光面
64の外側に存在する媒質、例えば空気の屈折率は1.
0であるから、個々の画素の蛍光体層50の内部から画
素を囲む外部媒質へ出る光エネルギーは画素発光面64
において屈折する。
各個別画素54の発光面64は所定の形状(第2図では
凹面形状)を呈するから、各発光面は画素と一体の光学
レンズを画定する0個別画素の発光面形状を変えること
により、発光面で屈折する光エネルギーを所期の方向に
投射し、所定のビーム・パターンを有する光エネルギー
・ビームに成形することができる。また、各画素発光面
64、特に各画素蛍光体層50の端面74は蛍光体その
もの、及び共通電極42、制御電極52によって画定さ
れる第1及び第2面に対してほぼ直交関係にある。従っ
て、各画素と一体のレンズによって屈折させられる光エ
ネルギーは1対の画素の幅Yと平行に進む。
凹面形状)を呈するから、各発光面は画素と一体の光学
レンズを画定する0個別画素の発光面形状を変えること
により、発光面で屈折する光エネルギーを所期の方向に
投射し、所定のビーム・パターンを有する光エネルギー
・ビームに成形することができる。また、各画素発光面
64、特に各画素蛍光体層50の端面74は蛍光体その
もの、及び共通電極42、制御電極52によって画定さ
れる第1及び第2面に対してほぼ直交関係にある。従っ
て、各画素と一体のレンズによって屈折させられる光エ
ネルギーは1対の画素の幅Yと平行に進む。
第3乃至6図には第2図に関連して述べた画素対54の
各部の種々の実施態様を示した。第3乃至6図に示す画
素はいずれも画素から投射される光エネルギーの方向及
びビーム・パターンを制御するため所定の形状に形成し
た発光面を含む端部を有する。
各部の種々の実施態様を示した。第3乃至6図に示す画
素はいずれも画素から投射される光エネルギーの方向及
びビーム・パターンを制御するため所定の形状に形成し
た発光面を含む端部を有する。
先ず第3図には、第2図の発光画素対54の各部を頂面
図で示した0画素54のそれぞれは本体部分66を有し
、本体部分66には端部62が形成されている。各画素
の端部62は本体部分66から見て凹面形状を有する一
体的な光学レンズを画定するように形成された外面また
は発光面64を含む0発光面64によって画定される一
体的光学レンズの曲率半径を決定する半径Rは投射した
い光エネルギー・ビームのパターンが収斂か、発散か平
行かに応じて異なる。即ち、半径Rを制御することによ
り、光エネルギー・ビーム・パターンを制御することが
できる。
図で示した0画素54のそれぞれは本体部分66を有し
、本体部分66には端部62が形成されている。各画素
の端部62は本体部分66から見て凹面形状を有する一
体的な光学レンズを画定するように形成された外面また
は発光面64を含む0発光面64によって画定される一
体的光学レンズの曲率半径を決定する半径Rは投射した
い光エネルギー・ビームのパターンが収斂か、発散か平
行かに応じて異なる。即ち、半径Rを制御することによ
り、光エネルギー・ビーム・パターンを制御することが
できる。
従って、用途に合わせてビーム・パターンを成形できる
。第2図に関連して述べた通り、発光面64で屈折する
光エネルギーは発光面64に対してほぼ直角の方向に進
むから、収斂、発散または平行光エネルギー・ビームは
画素対の幅Yと平行に進む。
。第2図に関連して述べた通り、発光面64で屈折する
光エネルギーは発光面64に対してほぼ直角の方向に進
むから、収斂、発散または平行光エネルギー・ビームは
画素対の幅Yと平行に進む。
第4図にはN3図の画素対54を頂面図で示した。第4
図から明らかなように、各画素発光面64の曲率半径を
R′とR″の間で変動させると、各発光面の形状もこれ
に対応して変化する。
図から明らかなように、各画素発光面64の曲率半径を
R′とR″の間で変動させると、各発光面の形状もこれ
に対応して変化する。
即ち、各画素54の発光面64が凹面となるように曲率
半径を選択することにより、発光面において投射される
光エネルギーに任意の収斂率の収斂ビーム・パターン、
任意の発散率の発散ビーム・パターンまたは平行ビーム
・パターンを与えることができる。
半径を選択することにより、発光面において投射される
光エネルギーに任意の収斂率の収斂ビーム・パターン、
任意の発散率の発散ビーム・パターンまたは平行ビーム
・パターンを与えることができる。
第5図には第2図に関連して述べた画素対54を頂面図
で示した。第5図に示した各画素54は第2乃至4図に
示した各画素の端部62とは異なる形状の端部80を有
するが、各端部80の外面または発光面は光エネルギー
を所定の方向に投射し、収斂、発散または平行ビーム・
パターンを有する光エネルギー・ビームを形成するよう
な形状に形成されている。
で示した。第5図に示した各画素54は第2乃至4図に
示した各画素の端部62とは異なる形状の端部80を有
するが、各端部80の外面または発光面は光エネルギー
を所定の方向に投射し、収斂、発散または平行ビーム・
パターンを有する光エネルギー・ビームを形成するよう
な形状に形成されている。
′s5図から明らかなように、各画素54の端部80は
互いに発散関係の1対の側面84から形成された外方に
広がる円錐形の第1部分82を含む、それぞれの側面8
4は画素本体部分66の隣接端部88と一体的に接続す
る端部86を有する。それぞれの側面84はまた端部9
0を含み、−法的光学レンズを形成する発光面92は側
面84の端部90間にまたがってこれと接続する。
互いに発散関係の1対の側面84から形成された外方に
広がる円錐形の第1部分82を含む、それぞれの側面8
4は画素本体部分66の隣接端部88と一体的に接続す
る端部86を有する。それぞれの側面84はまた端部9
0を含み、−法的光学レンズを形成する発光面92は側
面84の端部90間にまたがってこれと接続する。
各発光面92は連携の画素本体部分66から見て凹面の
形状を有する。既に述べたように、各凹面状発光面92
の曲率半径を必要に応じて変化させることにより、光エ
ネルギーを所期の方向に投射し、収斂、発散または平行
ビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームに形成
することができる。
形状を有する。既に述べたように、各凹面状発光面92
の曲率半径を必要に応じて変化させることにより、光エ
ネルギーを所期の方向に投射し、収斂、発散または平行
ビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームに形成
することができる。
第6図には上述した画素対54を頂面図で示した。ただ
し、第6図から明らかなように、個々の画素54は発散
ビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームを投射
することのできる一体的な凸面状発光面96を含む端部
94を有する。
し、第6図から明らかなように、個々の画素54は発散
ビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームを投射
することのできる一体的な凸面状発光面96を含む端部
94を有する。
第6図に示す各画素54は第2乃至5図に示した画素と
同様の積層構造を有するが、第6図に示す各画素54の
発光面96は連携の画素本体部分66から見て凸面形状
を有する。第2乃至5図に示した凹面状発光面の場合と
同様に、各凸面状発光面96の曲率半径Rを変化させる
ことにより、任意の発散率の発散ビーム・パターンを有
する光エネルギー・ビームを投射させることができる。
同様の積層構造を有するが、第6図に示す各画素54の
発光面96は連携の画素本体部分66から見て凸面形状
を有する。第2乃至5図に示した凹面状発光面の場合と
同様に、各凸面状発光面96の曲率半径Rを変化させる
ことにより、任意の発散率の発散ビーム・パターンを有
する光エネルギー・ビームを投射させることができる。
第7図には基板44上に並置された発光画素54のよう
な3つの発光画素を頂面図で示した。
な3つの発光画素を頂面図で示した。
第7図に示した各画素54は第2乃至6図に示した画素
と同様の積層構造を有する。第7図から明らかなように
、個々の画素54は本体部分66を有し、本体部分66
から端部98が突出している。各端部98は本体部分6
6から見て凸面形状を呈する一体的なレンズを画定する
発光面100を有する。1対の外側画素54の凸面状発
光面100を、外側画素端部の内側面を表わ−す破線1
01から所定角度θだけ離すことにより、外側画素54
からの光エネルギー・ビームを中央画素からの光エネル
ギー・ビームとオーバラップするように投射する。換言
すると、第7図に示すように外側画素対54の発光面1
00がそれぞれの本体部分66に対して角度を形成する
ように構成すれば、並置された3つの画素54が平面1
02において互いにオーバラップする3本の光エネルギ
ー・ビームを投射する。3本の光エネルギー・ビームは
オーバラップ域でブレンドされて、点104及び106
間の平面102において線形光画像を形成する。
と同様の積層構造を有する。第7図から明らかなように
、個々の画素54は本体部分66を有し、本体部分66
から端部98が突出している。各端部98は本体部分6
6から見て凸面形状を呈する一体的なレンズを画定する
発光面100を有する。1対の外側画素54の凸面状発
光面100を、外側画素端部の内側面を表わ−す破線1
01から所定角度θだけ離すことにより、外側画素54
からの光エネルギー・ビームを中央画素からの光エネル
ギー・ビームとオーバラップするように投射する。換言
すると、第7図に示すように外側画素対54の発光面1
00がそれぞれの本体部分66に対して角度を形成する
ように構成すれば、並置された3つの画素54が平面1
02において互いにオーバラップする3本の光エネルギ
ー・ビームを投射する。3本の光エネルギー・ビームは
オーバラップ域でブレンドされて、点104及び106
間の平面102において線形光画像を形成する。
3つの画素における各画素54の蛍光体層はそれぞれ異
なる所定組成の発光材で形成されている。各画素から放
射される光エネルギーのカラーは蛍光体層を形成する材
料の組成に応じて異なり、従って、特定画素の蛍光体層
を形成する発光材の組成を選択して各画素からの光エネ
ルギーのカラーを制御することは容易である。
なる所定組成の発光材で形成されている。各画素から放
射される光エネルギーのカラーは蛍光体層を形成する材
料の組成に応じて異なり、従って、特定画素の蛍光体層
を形成する発光材の組成を選択して各画素からの光エネ
ルギーのカラーを制御することは容易である。
例えば、3つの画素に共通の蛍光体層を第1組成の発光
材から形成された第1ゾーンと、第2組成の発光材から
形成された第2ゾーンと、第3組成の発光材から形成さ
れた第3ゾーンとに分割し、各ゾーンを個々の画素と連
携させると、第1、第2及び第3のカラーをそれぞれ帯
びる3つの光エネルギー・ビームが平面102において
オーバラップするように投射される。3つのカラー光エ
ネルギー・ビームはオーバラップ域においてブレンドさ
れて第1、第2及び第3光エネルギー・ビームのカラー
に基づくカラーを帯びる線形光画像を形成する。もし第
1ゾーンが赤色蛍光体(zrls:s、) 、第2ゾー
ンが緑色蛍光体(ZnS:Tb)、第3ゾーンが青色蛍
光体(S、S:C,)なら、平面102に形成される線
形画像は赤、υ及び青のブレンドに相当するカラーを呈
することになる。単数または複数画像の制御及び共通電
極間に印加される励起信号の大きさを変えることにより
、画像と連携する蛍光体ゾーンから放射されるカラー光
エネルギーの強さを変化させることができる。
材から形成された第1ゾーンと、第2組成の発光材から
形成された第2ゾーンと、第3組成の発光材から形成さ
れた第3ゾーンとに分割し、各ゾーンを個々の画素と連
携させると、第1、第2及び第3のカラーをそれぞれ帯
びる3つの光エネルギー・ビームが平面102において
オーバラップするように投射される。3つのカラー光エ
ネルギー・ビームはオーバラップ域においてブレンドさ
れて第1、第2及び第3光エネルギー・ビームのカラー
に基づくカラーを帯びる線形光画像を形成する。もし第
1ゾーンが赤色蛍光体(zrls:s、) 、第2ゾー
ンが緑色蛍光体(ZnS:Tb)、第3ゾーンが青色蛍
光体(S、S:C,)なら、平面102に形成される線
形画像は赤、υ及び青のブレンドに相当するカラーを呈
することになる。単数または複数画像の制御及び共通電
極間に印加される励起信号の大きさを変えることにより
、画像と連携する蛍光体ゾーンから放射されるカラー光
エネルギーの強さを変化させることができる。
従って、投射される個々の光エネルギー・ビームの強さ
も変化する。オーバラップ関係に投射される所定の組み
合わせの光エネルギー・ビームの強さを変えることによ
り、所期のカラーを有する光画像を形成することができ
る。 既に述べたように、第2乃至7図に示した種々の
発光画素はいずれも基板層、基板層上に配置された共通
電極層、共通電極層上に配置された第1絶縁層、第1絶
縁層から間隔を保って配置された第2絶縁層、第1と第
2の絶縁層の間に介在する蛍光体層、及び第2絶縁層上
に配置された複数の制御電極を含む、制御電極は絶縁層
、蛍光体層及び共通電極層と共に複数の個別発光画素を
画定する。各画素は一体的な光学レンズを画定する所定
形状の外面または発光面を含む端部を有する。各画素の
蛍光体層はレンズの一部を形成する端面を有するから、
画素の蛍光体層内で発生し、端面にむかって進む光エネ
ルギーは画定されたレンズによって屈折させられる。一
体レンズの形状に応じて、光エネルギー・ビームは発散
、平行または収斂ビーム・パターンで各画素から投射さ
れる。必要に応じて、並置関係の複数画素のそれぞれに
一体的な凸レンズを形成し、複数画素からの光エネルギ
ー・ビームが互いにオーバラップする関係で投射される
ように前記レンズの方向を設定することができる。各画
素蛍光体層を形成する発光材の組成を通正に選択するこ
とにより、各画素から投射される光エネルギー・ビーム
に所期のカラーを与えることができる。複数画素からの
光ビームをオーバラップ関係に投射し、オーバラップ域
においてブレンドすれば、個々のビームのカラーに基づ
くカラーの光画像を発生させることができる。
も変化する。オーバラップ関係に投射される所定の組み
合わせの光エネルギー・ビームの強さを変えることによ
り、所期のカラーを有する光画像を形成することができ
る。 既に述べたように、第2乃至7図に示した種々の
発光画素はいずれも基板層、基板層上に配置された共通
電極層、共通電極層上に配置された第1絶縁層、第1絶
縁層から間隔を保って配置された第2絶縁層、第1と第
2の絶縁層の間に介在する蛍光体層、及び第2絶縁層上
に配置された複数の制御電極を含む、制御電極は絶縁層
、蛍光体層及び共通電極層と共に複数の個別発光画素を
画定する。各画素は一体的な光学レンズを画定する所定
形状の外面または発光面を含む端部を有する。各画素の
蛍光体層はレンズの一部を形成する端面を有するから、
画素の蛍光体層内で発生し、端面にむかって進む光エネ
ルギーは画定されたレンズによって屈折させられる。一
体レンズの形状に応じて、光エネルギー・ビームは発散
、平行または収斂ビーム・パターンで各画素から投射さ
れる。必要に応じて、並置関係の複数画素のそれぞれに
一体的な凸レンズを形成し、複数画素からの光エネルギ
ー・ビームが互いにオーバラップする関係で投射される
ように前記レンズの方向を設定することができる。各画
素蛍光体層を形成する発光材の組成を通正に選択するこ
とにより、各画素から投射される光エネルギー・ビーム
に所期のカラーを与えることができる。複数画素からの
光ビームをオーバラップ関係に投射し、オーバラップ域
においてブレンドすれば、個々のビームのカラーに基づ
くカラーの光画像を発生させることができる。
第8図には本発明のTFEL端部発光構造体の他の実施
例を示した。第8図から明らかなように、TFEL端部
発光構造体110は第2図のTFEL端部発光構造体4
0と同様に構成されており、共通電極層113上に配置
された第1絶縁層112を含む、第1絶縁層112から
間隔を保って第2絶縁層116が配設され、両絶縁層間
に蛍光体層1113が介在する。第2絶縁層11a上に
1対の制御電極120を設けてあり、制御電極120は
第1及び′s2絶縁層!12.116、蛍光体層118
及び共通電極層113と共に、1対の発光画素122を
画定する。
例を示した。第8図から明らかなように、TFEL端部
発光構造体110は第2図のTFEL端部発光構造体4
0と同様に構成されており、共通電極層113上に配置
された第1絶縁層112を含む、第1絶縁層112から
間隔を保って第2絶縁層116が配設され、両絶縁層間
に蛍光体層1113が介在する。第2絶縁層11a上に
1対の制御電極120を設けてあり、制御電極120は
第1及び′s2絶縁層!12.116、蛍光体層118
及び共通電極層113と共に、1対の発光画素122を
画定する。
各画素122の共通及び制御電極は各画素の蛍光体層に
任意の励起信号を供給するための励起源!24と接続可
能である。第2図のTFEL端部発光構造体に関して既
に述べたように、各画素122−の蛍光体層に励起信号
が供給されると、連携の蛍光体層が励起されてこの蛍光
体層内で光エネルギーを全方向に放射する。光エネルギ
ーの一部は各画素122の背面125にむかって進み、
非金属反射コーティング128によって各画素の端部1
28にむかつて反射させられる。特定画素の蛍光体層1
18内で発生し、端部128にむかって進んだ光エネル
ギーは画素の端部128に形成されている発光面130
において屈折する。
任意の励起信号を供給するための励起源!24と接続可
能である。第2図のTFEL端部発光構造体に関して既
に述べたように、各画素122−の蛍光体層に励起信号
が供給されると、連携の蛍光体層が励起されてこの蛍光
体層内で光エネルギーを全方向に放射する。光エネルギ
ーの一部は各画素122の背面125にむかって進み、
非金属反射コーティング128によって各画素の端部1
28にむかつて反射させられる。特定画素の蛍光体層1
18内で発生し、端部128にむかって進んだ光エネル
ギーは画素の端部128に形成されている発光面130
において屈折する。
第8図、及び特に第9図から明らかなように、各画素の
発光面130はほぼ鋸歯状を呈する。具体的には、発光
面130は複数の凹部134によって互いに分離された
複数の矩形突出部132で形成されている。第2乃至7
図に示した画素発光面の場合と同様に、各画素122の
発光面130は光エネルギーを所定の方向に投射し、所
定のビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームを
形成する画素と一体の光学レンズを画定する0発光面1
30によって形成される光学レンズは鋸歯形状を呈する
から、鋸歯を形成する複数の突出部132は導波手段と
して作用して画素からの光エネルギーの発散率を制御す
る。
発光面130はほぼ鋸歯状を呈する。具体的には、発光
面130は複数の凹部134によって互いに分離された
複数の矩形突出部132で形成されている。第2乃至7
図に示した画素発光面の場合と同様に、各画素122の
発光面130は光エネルギーを所定の方向に投射し、所
定のビーム・パターンを有する光エネルギー・ビームを
形成する画素と一体の光学レンズを画定する0発光面1
30によって形成される光学レンズは鋸歯形状を呈する
から、鋸歯を形成する複数の突出部132は導波手段と
して作用して画素からの光エネルギーの発散率を制御す
る。
第10図には第2及び3図に関連して述べたTFEL端
部発光構造体40の他の実施例を側面図で示した。第1
0図に示した端部発光構造体40′は絶縁層が1層だけ
であることを除いて第2′ELび3図に関連して述べた
端部構造40と同じであり、1対の絶縁層を含む第2及
び3図に示した構造40と区別するため、絶縁層が1層
だけの端部構造には参照番号40′を付しである。
部発光構造体40の他の実施例を側面図で示した。第1
0図に示した端部発光構造体40′は絶縁層が1層だけ
であることを除いて第2′ELび3図に関連して述べた
端部構造40と同じであり、1対の絶縁層を含む第2及
び3図に示した構造40と区別するため、絶縁層が1層
だけの端部構造には参照番号40′を付しである。
なお、端部発光構造体40′を構造40の変形例として
示したが、第2乃至9図に示した構造も上述のように1
対の絶縁層ではなく単一の絶縁層を含むように形成する
ことができる。
示したが、第2乃至9図に示した構造も上述のように1
対の絶縁層ではなく単一の絶縁層を含むように形成する
ことができる。
第10図から明らかなように、TFEL端部構造40′
は基板層44上に配置された共通電極層42を含む、共
通電極層42上に絶縁層46が配置されている。なお、
構造40′の絶縁層46を第10図では一体的な層とし
て示しであるが、絶縁層を複数の部分層で構成してもよ
い、また、部分層をそれぞれ異なる絶縁層で形成しても
よく、当業者ならば所期の絶縁性能に応じて利用すべき
部分層材料を選択することができるであろう。
は基板層44上に配置された共通電極層42を含む、共
通電極層42上に絶縁層46が配置されている。なお、
構造40′の絶縁層46を第10図では一体的な層とし
て示しであるが、絶縁層を複数の部分層で構成してもよ
い、また、部分層をそれぞれ異なる絶縁層で形成しても
よく、当業者ならば所期の絶縁性能に応じて利用すべき
部分層材料を選択することができるであろう。
絶縁層46上に蛍光体層50が配置され、蛍光体層に重
ねて(図面では1つだけ示しであるが)複数の制御電極
52が配列されている。既に述べたように、共通電極層
42、絶縁層46、蛍光体ji150及び複数の制御電
極52が基板44上にほぼ積層状の構造を形成する。第
10図には具体的に図示しないが、構造40′を形成す
る各層の位置関係は蛍光体層50が共通電極層42の上
に重なるように変更してもよい、この場合、絶縁層46
を蛍光体層と複数制御電極との間に介在させることにな
る。
ねて(図面では1つだけ示しであるが)複数の制御電極
52が配列されている。既に述べたように、共通電極層
42、絶縁層46、蛍光体ji150及び複数の制御電
極52が基板44上にほぼ積層状の構造を形成する。第
10図には具体的に図示しないが、構造40′を形成す
る各層の位置関係は蛍光体層50が共通電極層42の上
に重なるように変更してもよい、この場合、絶縁層46
を蛍光体層と複数制御電極との間に介在させることにな
る。
第2及び3図に示したTFEL端部発光構造体40の場
合と同様に、TFEL構造40′は所定数の個別発光画
素54を画定し、実際の画素数は構造40’の全長及び
制御電極材層を構成する制御電極の総数に応じて異なる
。また、構造40′における各発光画素54の制御電極
52及び共通電極層42は画素のTFEL蛍光体層を励
起して画素と連携する蛍光体層から光エネルギーを放射
させるのに必要な励起信号を提供する励起源と接続可能
である。構造40′における各画素54は非金属コーテ
ィング60を施された背面58を含み、このコーティン
グは個別画素54の背面58に存在する光の大部分をほ
ぼ画素の発光端部62にむかって反射させる。
合と同様に、TFEL構造40′は所定数の個別発光画
素54を画定し、実際の画素数は構造40’の全長及び
制御電極材層を構成する制御電極の総数に応じて異なる
。また、構造40′における各発光画素54の制御電極
52及び共通電極層42は画素のTFEL蛍光体層を励
起して画素と連携する蛍光体層から光エネルギーを放射
させるのに必要な励起信号を提供する励起源と接続可能
である。構造40′における各画素54は非金属コーテ
ィング60を施された背面58を含み、このコーティン
グは個別画素54の背面58に存在する光の大部分をほ
ぼ画素の発光端部62にむかって反射させる。
各画素54の発光端部62は所定形状の外面または発光
面64を有し、各画素54の発光面64は絶縁層46の
端面68、共通及び制御電極42.52の端面72、フ
3、及び蛍光体層50の端面74から成る。蛍光体IW
50の端面74は絶縁層及び制御電極の端面68.73
間にまたがる。第2及び3図に関連して述べたように、
各画素54の発光面64は画素面からの光エネルギーを
所期の方向に投射し、所定のビーム・パターンを有する
光エネルギー・ビームを形成する画素と一体の光学レン
ズを形成する。
面64を有し、各画素54の発光面64は絶縁層46の
端面68、共通及び制御電極42.52の端面72、フ
3、及び蛍光体層50の端面74から成る。蛍光体IW
50の端面74は絶縁層及び制御電極の端面68.73
間にまたがる。第2及び3図に関連して述べたように、
各画素54の発光面64は画素面からの光エネルギーを
所期の方向に投射し、所定のビーム・パターンを有する
光エネルギー・ビームを形成する画素と一体の光学レン
ズを形成する。
以上の説明から明らかなように、第2及び3図に示した
TFEL端部発光構造体40と第10図に示したTFE
L端部発光構造体40’の作用は全く同じであり、両者
の構造上の相違点は構造40′がただ1層の絶縁層を含
むということだけである、また、詳しくは説明しなかっ
たが、第4乃至9図に示したTFEL端部発光構造体も
絶縁層を1層だけ含むように形成することがで咎る。
TFEL端部発光構造体40と第10図に示したTFE
L端部発光構造体40’の作用は全く同じであり、両者
の構造上の相違点は構造40′がただ1層の絶縁層を含
むということだけである、また、詳しくは説明しなかっ
たが、第4乃至9図に示したTFEL端部発光構造体も
絶縁層を1層だけ含むように形成することがで咎る。
本発明の好ましい実施例に基づいて以上に説明したが、
本発明の範囲内で種々の変更を加え得ることは当業者に
明白であろう、従って、頭書した特許請求の範囲にはこ
れらの変更をも包含されるものとする。
本発明の範囲内で種々の変更を加え得ることは当業者に
明白であろう、従って、頭書した特許請求の範囲にはこ
れらの変更をも包含されるものとする。
第1A図は構造の発光面が平面的であることを示す公知
TFEL端部発光構造体の斜視図である。 第1B図は構造が光エネルギー・ビームを投射する際に
形成されるビームの端部を示す第1A図の公知TFEL
噛部発先部発光構造体頂面図である。 第2図は画素と一体の光学レンズを形成する所定形状に
形成された各画素の発光面を示す、本発明の一実施例で
あるTFEL端部発光構造体の斜視図である。 第3図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズの形状
を示す、第2図のTFEL端部発光構造体の部分頂面図
である。 第4図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズの他の
実施例の形状を示す第3図と同様の部分頂面図である。 第5図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズのさら
に他の実施例の形状を示す第3図と同様の部分頂面図で
ある。 第6図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズの別の
実施例の形状を示す第3図と同様の部分頂面図である。 第7図はそれぞれが光エネルギーを他の画素からの光エ
ネルギーとオーバラップするように投射する所定の形状
に形成された発光面を有する3つの並置発光画素の部分
頂面図である。 第8図はそれぞれが鋸歯状発光面を有する1対の隣接画
素を示す、本発明の他の実施例であるTFEL端部発光
構造体の第2図と同様の斜視図である。 第9図は画素の鋸歯状発光面を通過する光エネルギーに
対する導波効果を示す、第8図の個別画素の部分頂面図
である。 第10図は本発明のさらに他の実施例であるTFEL端
部発光構造体の側面図である。 40.40’ ・・・・薄gEL発光構造体54・・・
・画素 64.92.96.100,130・・・・発光面出願
人: ウエスチンクへウス・エレクトリック・コーポ
レーション代 理 人:加S 紘一部(ばか1名)1(
静態ぐ FIG。 FIG。
TFEL端部発光構造体の斜視図である。 第1B図は構造が光エネルギー・ビームを投射する際に
形成されるビームの端部を示す第1A図の公知TFEL
噛部発先部発光構造体頂面図である。 第2図は画素と一体の光学レンズを形成する所定形状に
形成された各画素の発光面を示す、本発明の一実施例で
あるTFEL端部発光構造体の斜視図である。 第3図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズの形状
を示す、第2図のTFEL端部発光構造体の部分頂面図
である。 第4図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズの他の
実施例の形状を示す第3図と同様の部分頂面図である。 第5図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズのさら
に他の実施例の形状を示す第3図と同様の部分頂面図で
ある。 第6図は各画素と一体の光エネルギー投射レンズの別の
実施例の形状を示す第3図と同様の部分頂面図である。 第7図はそれぞれが光エネルギーを他の画素からの光エ
ネルギーとオーバラップするように投射する所定の形状
に形成された発光面を有する3つの並置発光画素の部分
頂面図である。 第8図はそれぞれが鋸歯状発光面を有する1対の隣接画
素を示す、本発明の他の実施例であるTFEL端部発光
構造体の第2図と同様の斜視図である。 第9図は画素の鋸歯状発光面を通過する光エネルギーに
対する導波効果を示す、第8図の個別画素の部分頂面図
である。 第10図は本発明のさらに他の実施例であるTFEL端
部発光構造体の側面図である。 40.40’ ・・・・薄gEL発光構造体54・・・
・画素 64.92.96.100,130・・・・発光面出願
人: ウエスチンクへウス・エレクトリック・コーポ
レーション代 理 人:加S 紘一部(ばか1名)1(
静態ぐ FIG。 FIG。
Claims (23)
- (1)一体的なビーム成形レンズ系を有する薄膜EL端
部発光構造体であって、共通電極層と;前記共通電極層
上に配置された第1絶縁層と;前記第1絶縁層から間隔
を保つ第2絶縁層と;前記第1と第2絶縁層の間に介在
し、前記第1及び第2絶縁層の間にまたがる端面を有す
る蛍光体層と;前記第2絶縁層上に配置された複数の制
御電極と;前記共通電極層、前記蛍光体層を挟んでいる
第1及び第2絶縁層、及び前記複数の制御電極が複数の
画素を画定し、前記画素のそれぞれが少なくとも前記蛍
光体層端面から形成された発光面を有することと;前記
複数の制御電極及び前記共通電極層が特定画素に励起信
号を供給するための励起手段と接続可能であり、個々の
画素に前記励起信号が供給されると前記画素がこの画素
と連携する前記蛍光体層内で少なくとも前記画素発光面
にむけられる光エネルギーを放射することと;前記画素
の前記発光面を、前記光エネルギーを所定の方向に投射
し、所定のビーム・パターンを有する光エネルギー・ビ
ームに成形するための、前記発光面と一体的な光学レン
ズを画定する所定の形状に形成してあることを特徴とす
る薄膜EL端部発光構造体。 - (2)前記画素のそれぞれが主として前記共通及び制御
電極によってそれぞれ画定される第1及び第2面を有す
ることを特徴とする請求項第(1)項に記載の薄膜EL
端部発光構造体。 - (3)前記発光面を、前記光エネルギー・ビームが前記
第1及び第2面とほぼ平行な平面内にくるように前記第
1及び第2面に対して位置ぎめしたことを特徴とする請
求項第(2)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (4)前記発光面を、該発光面によって画定される前記
光学レンズが前記光エネルギーを屈折させて収斂ビーム
・パターンを有する光エネルギー・ビームを形成するよ
うな所定形状に形成したことを特徴とする請求項第(1
)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (5)前記発光面が凹面形状を有することを特徴とする
請求項第(4)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (6)前記発光面を、該発光面によって画定される前記
光学レンズが前記光エネルギーを屈折させて平行ビーム
・パターンを有する光エネルギー・ビームを形成するよ
うな所定の形状に形成したことを特徴とする請求項第(
1)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (7)前記発光面が凹面形状を有することを特徴とする
請求項第(6)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (8)前記発光面を、該発光面によって画定される前記
光学レンズが前記光エネルギーを屈折させて発散ビーム
・パターンを有する光エネルギー・ビームを形成するよ
うな所定の形状に形成したことを特徴とする請求項第(
1)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (9)前記発光面が凸面形状を有することを特徴とする
請求項第(8)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (10)前記発光面がほぼ鋸歯状の形状を有することを
特徴とする請求項第(8)項に記載の薄膜EL端部発光
構造体。 - (11)前記発光面が凹面形状を有することを特徴とす
る請求項第(8)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (12)前記電極の1つを基板上に配置したことを特徴
とする請求項第(1)項に記載の薄膜EL端部発光構造
体。 - (13)所定のカラー画像を発生させる薄膜EL端部発
光構造体であって、共通電極層と;前記共通電極層上に
配置された第1絶縁層と;前記第1絶縁層から間隔を保
つ第2絶縁層と;前記第1と第2絶縁層の間に介在し、
それぞれが所定の組成の発光材から形成されている複数
のゾーンに分割された蛍光体層と;前記複数ゾーンのそ
れぞれが前記第1及び第2絶縁層間にまたがる端面を有
することと;前記第2絶縁層上に配置され、それぞれが
前記蛍光ゾーンのそれぞれと整列する複数の制御電極と
;前記共通電極層、前記複数の蛍光ゾーンを挟む第1及
び第2絶縁層、及び前記複数の制御電極が複数の画素を
画定し、前記画素のそれぞれが少なくとも前記画素と連
携する前記ゾーンの前記端面から形成された発光面を有
することと;前記複数の制御電極及び前記共通電極層が
特定画素に励起信号を供給するための励起手段と接続可
能であり、個々の画素に前記励起信号が供給されると前
記画素が前記画素と連携する前記蛍光ゾーン内で少なく
とも前記画素発光面にむけられた所定カラーの光エネル
ギーを放射し、前記光エネルギーの前記カラーが前記蛍
光ゾーンを形成している発光材の前記所定組成によって
決定されることと;前記個々の画素の前記発光面を、前
記カラー光エネルギーを前記画素のうちの所定の他の画
素によって投射されるカラー光エネルギーとオーバラッ
プするように投射するための、前記発光面と一体的な光
学レンズを画定するような所定形状に形成したことから
成ることを特徴とする薄膜EL端部発光構造体。 - (14)複数画素によってオーバラップ関係に投射され
る前記カラー光エネルギーが前記オーバラップの領域に
おいてブレンドされて、前記画素のそれぞれによって投
射される前記光エネルギーのカラーに基づくカラーを有
する光画像を形成することを特徴とする請求項第(13
)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (15)前記蛍光体層が第1所定組成の発光材から形成
された第1ゾーン、第2所定組成の発光材から形成され
た第2ゾーン、及び第3所定組成の発光材から形成され
た第3ゾーンを含み;前記第1、第2及び第3蛍光体ゾ
ーンが第1、第2及び第3画素とそれぞれ連携し;前記
第1、第2及び第3画素のそれぞれが光エネルギーをそ
れぞれ第1、第2及び第3所定カラーでオーバラップ関
係に投射するような所定の形状に形成された発光面を有
し、前記第1、第2及び第3所定カラーが前記オーバー
ラップの領域においてブレンドされて前記第1、第2及
び第3所定カラーによって決定されるカラーの線形光画
像を形成することを特徴とする特許請求の範囲第(13
)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (16)前記第1、第2及び第3カラーを赤色、青色及
び緑色から成る群から選択したことを特徴とする請求項
第(15)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (17)前記画素のうちの前記特定画素から放射される
前記カラー光エネルギーの強さを変化させるため前記複
数画素のうちの前記特定画素に供給される前記励起信号
の大きさを変える手段を含むことを特徴とする請求項第
(13)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (18)前記複数画素のそれぞれの前記発光面がこれと
一体の凸光学レンズを画定する凸面形状を有することを
特徴とする請求項第(13)項に記載の薄膜EL端部発
光構造体。 - (19)一体的なビーム成形レンズ系を有する薄膜EL
端部発光構造体であって、共通電極層と;前記共通電極
層から間隔を保つ複数の制御電極と;前記共通電極層と
前記複数の制御電極の間に介在する絶縁材層と;前記共
通極層と前記複数の制御電極の間に介在して前記共通電
極層と前記複数の制御電極の間にまたがる端面を有する
蛍光体層と;前記共通電極層、絶縁材層、蛍光体層及び
前記複数制御電極をほぼ積層状に配列して基板層上に配
置したことと;前記共通電極層、絶縁層、蛍光体層及び
複数制御電極が複数の画素を画定し、それぞれの画素が
少なくとも前記蛍光体層端面から形成された発光面を有
することと;前記複数制御電極及び前記共通電極層が特
定画素に励起信号を供給するための励起手段と接続可能
であり、特定画素に前記励起信号が供給されると前記画
素が前記画素と連携する前記蛍光体層部分内で少なくと
も前記画素発光面にむけられる光エネルギーを放射する
ことと;前記画素発光面を、前記光エネルギーを所定の
方向へ投射すると共に所定ビーム・パターンの光エネル
ギー・ビームに成形する、前記発光面と一体的な光学レ
ンズを画定するような所定形状に形成したことを特徴と
する薄膜EL端部発光構造体。 - (20)前記絶縁材層を前記蛍光体層上に配置し;前記
複数制御電極を前記絶縁材層上に配置したことを特徴と
する請求項第(19)項に記載の薄膜EL端部発光構造
体。 - (21)前記絶縁材層を、それぞれが所定の絶縁材から
成る複数の絶縁部分層で形成したことを特徴とする請求
項第(21)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。 - (22)前記蛍光体層を前記絶縁材層上に配置し;前記
複数制御電極を前記蛍光体層上に配置したことを特徴と
する請求項第(19)項に記載の薄膜EL端部発光構造
体。 - (23)前記絶縁材層を、それぞれが所定の絶縁材から
成る複数の絶縁部分層で形成したことを特徴とする請求
項第(22)項に記載の薄膜EL端部発光構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28090988A | 1988-12-07 | 1988-12-07 | |
US280,909 | 1988-12-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02195679A true JPH02195679A (ja) | 1990-08-02 |
Family
ID=23075124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1318682A Pending JPH02195679A (ja) | 1988-12-07 | 1989-12-07 | 一体的な光学レンズ系を有する簿膜el端部発光構造体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0372942B1 (ja) |
JP (1) | JPH02195679A (ja) |
DE (1) | DE68918564T2 (ja) |
FI (1) | FI895852A0 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100409247B1 (ko) * | 2001-02-03 | 2003-12-11 | (주) 아이템뱅크 | 전계분할 발광포스터 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5043715A (en) * | 1988-12-07 | 1991-08-27 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter structure with optical lens and multi-color light emission systems |
US5138347A (en) * | 1988-09-23 | 1992-08-11 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter structure with optical lens and multi-color light emission systems |
US5101137A (en) * | 1989-07-10 | 1992-03-31 | Westinghouse Electric Corp. | Integrated tfel flat panel face and edge emitter structure producing multiple light sources |
US5598067A (en) * | 1995-06-07 | 1997-01-28 | Vincent; Kent | Electroluminescent device as a source for a scanner |
DE19842905A1 (de) | 1998-09-18 | 2000-03-23 | Basf Ag | Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung eines cyclischen Lactams und eines cyclischen Amins |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4535341A (en) * | 1983-08-19 | 1985-08-13 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent line array emitter and printer |
US4885448A (en) * | 1988-10-06 | 1989-12-05 | Westinghouse Electric Corp. | Process for defining an array of pixels in a thin film electroluminescent edge emitter structure |
-
1989
- 1989-12-07 EP EP19890312740 patent/EP0372942B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-07 FI FI895852A patent/FI895852A0/fi not_active Application Discontinuation
- 1989-12-07 DE DE1989618564 patent/DE68918564T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-07 JP JP1318682A patent/JPH02195679A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100409247B1 (ko) * | 2001-02-03 | 2003-12-11 | (주) 아이템뱅크 | 전계분할 발광포스터 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68918564D1 (de) | 1994-11-03 |
EP0372942B1 (en) | 1994-09-28 |
FI895852A0 (fi) | 1989-12-07 |
EP0372942A2 (en) | 1990-06-13 |
EP0372942A3 (en) | 1991-01-09 |
DE68918564T2 (de) | 1995-08-24 |
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