JPH02194171A - Magnetron sputtering source - Google Patents
Magnetron sputtering sourceInfo
- Publication number
- JPH02194171A JPH02194171A JP1107289A JP1107289A JPH02194171A JP H02194171 A JPH02194171 A JP H02194171A JP 1107289 A JP1107289 A JP 1107289A JP 1107289 A JP1107289 A JP 1107289A JP H02194171 A JPH02194171 A JP H02194171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- yoke
- protruding
- vertical
- targets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims description 17
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3452—Magnet distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3458—Electromagnets in particular for cathodic sputtering apparatus
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は強磁性体のターゲットの利用効率を向上させ
るマグネトロンスパッタリング源に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) This invention relates to a magnetron sputtering source that improves the utilization efficiency of a ferromagnetic target.
（従来の技術）
従来のマグネトロンスパッタリング源を用いたスパッタ
リング装置は第１３図に示されている。同図において、
真空槽２０にはガス導入口２１とガス排気口２２とが設
けられ、そして真空槽２０の内部には基板２３を取付け
た陽極２４とマグネトロンスパッタリング源２５とが対
向して配設されている。マグネトロンスパッタリング源
２５は陰極を兼ねた強磁性体のターゲット３の背部に電
磁石１が箱型電磁石ケース８内に収納されるように配設
され、電磁石ｌの中央縦ヨーク２ｂがターゲット６の背
部の中央部に位置し、電磁石ｌの周縁縦ヨーク２ｃがタ
ーゲット６の背部の周縁部に沿って環状に位置している
。そのため、電磁石ｌの周縁縦ヨーク２Ｃより出た磁力
線２６はターゲット６より漏洩し、ターゲット６の表面
近傍の空間において湾曲してから電磁石ｌの中央縦ヨー
ク２ｂに入る。第１４図の斜視図は陰極を兼ねたターゲ
ット６の表面近傍の空間において湾曲した磁力線２６の
形成されている状態を示している。なお、第１３図にお
いて、２７はターゲット６に接続されたスパッタ電源、
例えば高周波電源である。(Prior Art) A sputtering apparatus using a conventional magnetron sputtering source is shown in FIG. In the same figure,
The vacuum chamber 20 is provided with a gas inlet 21 and a gas exhaust port 22, and inside the vacuum chamber 20, an anode 24 to which a substrate 23 is attached and a magnetron sputtering source 25 are disposed facing each other. The magnetron sputtering source 25 is arranged such that the electromagnet 1 is housed in a box-shaped electromagnet case 8 on the back of a ferromagnetic target 3 which also serves as a cathode, and the central vertical yoke 2b of the electromagnet 1 is attached to the back of the target 6. Located in the center, a peripheral vertical yoke 2c of the electromagnet 1 is located annularly along the peripheral edge of the back of the target 6. Therefore, the lines of magnetic force 26 emerging from the peripheral vertical yoke 2C of the electromagnet l leak from the target 6, curve in the space near the surface of the target 6, and then enter the central vertical yoke 2b of the electromagnet l. The perspective view of FIG. 14 shows a state in which curved lines of magnetic force 26 are formed in a space near the surface of the target 6, which also serves as a cathode. In addition, in FIG. 13, 27 is a sputtering power supply connected to the target 6;
For example, a high frequency power source.
上記装置において、陽極２４と、陰極を兼ねたターゲッ
ト６との間の放電により発生した電子は、陰極を兼ねた
ターゲット６の表面近傍の空間において形成された湾曲
した磁力線２６の作用を受け、ターゲット６の表面近傍
の空間において、第１５図に示すように、サイクロイド
運動を行いながらガスの分子と衝突し、ガスを励起また
は電離して、そこに高密度のプラズマを発生するように
なる。In the above device, electrons generated by the discharge between the anode 24 and the target 6, which also serves as a cathode, are affected by curved lines of magnetic force 26 formed in the space near the surface of the target 6, which also serves as a cathode. In the space near the surface of 6, as shown in FIG. 15, the gas molecules collide with gas molecules while performing cycloid motion, excite or ionize the gas, and generate high-density plasma there.
そして、このプラズマ中のイオンがターゲット６と衝突
して、それをスパッタリングし、スパッタリングされた
ターゲットの粒子が基板２３の表面に付着して、そこに
薄膜が形成されるようになる。The ions in this plasma collide with the target 6 to sputter it, and the sputtered target particles adhere to the surface of the substrate 23, forming a thin film there.
（発明が解決しようとする課題）
従来のマグネトロンスパッタリング源を用いた装置は陰
極を兼ねたターゲット６の表面近傍の空間においてサイ
クロイド運動を行う電子とガスの分子とが衝突して、プ
ラズマを発生させ、そしてプラズマ中のイオンでターゲ
ット６をスパッタリングし、ターゲット６の粒子を基板
２３の表面に付着させて、基板２３の表面に薄膜を形成
するようにしているが、ターゲット６が強磁性体の場合
、電磁石ｌよの出た磁力線２６はターゲット６に侵り込
んでから、ターゲット６より漏洩するので、ターゲット
６をスパッタリングして行くにつれて、ターゲット６で
は谷状の消耗部分が発生し、そこでの磁気抵抗が高くな
る。したがって、そこでの磁力線が漏洩しやすくなって
、磁界が強くなるため、谷状の消耗部分のスパッタリン
グだけが更に激しく進行し、その部分以外のスパッタリ
ングは進行しなくなる。その結果、ターゲット６の利用
できる領域が少なくなりターゲット６の利用効率が極度
に低下し、経済性が悪くなると共に、ターゲットが消耗
して、次の新しいターゲットに交換する迄の期間が短く
なる等の問題があった。(Problem to be Solved by the Invention) In an apparatus using a conventional magnetron sputtering source, plasma is generated by the collision of electrons moving in a cycloid motion with gas molecules in the space near the surface of the target 6, which also serves as a cathode. Then, the target 6 is sputtered with ions in the plasma, and the particles of the target 6 are attached to the surface of the substrate 23 to form a thin film on the surface of the substrate 23. However, when the target 6 is a ferromagnetic material, The lines of magnetic force 26 from the electromagnet 1 penetrate into the target 6 and then leak from the target 6, so as the target 6 is sputtered, a valley-shaped consumable part is generated in the target 6, and the magnetic field there resistance increases. Therefore, the lines of magnetic force there tend to leak, and the magnetic field becomes stronger, so sputtering only in the valley-shaped consumable part progresses more intensely, and sputtering in other parts stops. As a result, the usable area of the target 6 decreases, and the efficiency of using the target 6 is extremely reduced, resulting in poor economic efficiency, as well as the target being worn out and the time required to replace it with the next new target, etc. There was a problem.
この発明は、上記のような従来の問題を解決して、ター
ゲットの利用効率を向上させて、経済性を良くすると共
に、ターゲットが消耗して、次の新しいターゲットに交
換する迄の期間を長くすることのできるマグネトロンス
パッタリング源を提供することを目的としている。This invention solves the above-mentioned conventional problems, improves target usage efficiency, improves economic efficiency, and lengthens the period until targets are worn out and replaced with the next new target. The objective is to provide a magnetron sputtering source that can
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明のマグネトロンス
パッタリング源は、一定間隔をおいて少なくとも２つ以
上の縦ヨークを有する電磁石と、この電磁石の各縦ヨー
クの上端部にそれぞれ磁気的に結合された、縦ヨークと
同数の突き出しヨークと、この突き出しヨークの上端部
より縦ヨーク方向に長さり、だけ下がった位置の突き出
しヨーク又は縦ヨーク間に溶着された熱良導体よりなる
ターゲット固定用バッキングプレートと、両側で各突き
出しヨーク又は各縦ヨークとそれぞれ隙間をもつように
ターゲット固定用バッキングプレートの表面に固定され
た、上記長さｈｌと同じか又はそれより小さい厚みの強
磁性体よりなるターゲットと、このターゲットの両端部
においてターゲット表面とオーバーラツプするように、
各突き出しヨークの上端部に着脱自在に取付けられ、タ
ーゲット表面上方で所定の間隔をもって対向した少なく
とも２つ以上の磁極片とを備え、ターゲットの表面近傍
の空間において、対向した磁極片の一方より他方に至る
磁力線の一部がターゲットの表面とほぼ平行になる磁界
を形成し、この磁界によってターゲットの表面近傍の空
間に高密度のプラズマを発生させ、このプラズマ中のイ
オンでターゲットをスパッタリングすることを特徴とす
るものである。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the magnetron sputtering source of the present invention includes an electromagnet having at least two vertical yokes spaced apart from each other at regular intervals, and an upper end of each vertical yoke of the electromagnet. protruding yokes of the same number as the vertical yokes, each magnetically coupled to the protruding yokes, and protruding yokes extending in the vertical yoke direction from the upper end of the protruding yokes, and protruding yokes at a position lower than the vertical yokes, or a thermally good conductor welded between the longitudinal yokes. A target fixing backing plate consisting of a target fixing backing plate made of A target made of a ferromagnetic material, and so that it overlaps the target surface at both ends of the target.
At least two or more magnetic pole pieces are detachably attached to the upper end of each protruding yoke and are opposed to each other at a predetermined distance above the target surface. A part of the magnetic field lines leading to . This is a characteristic feature.
（作用）
この発明においては、ターゲットの表面近傍の空間にお
いて、放電により発生した電子がターゲットの表面近傍
の空間の磁界の作用を受けてサイクロイド運動を行いな
がらガスの分子と衝突して、そこに高密度のプラズマを
発生させ、そしてプラズマ中のイオンでターゲットをス
パッタリングし、ターゲットの粒子を基板の表面に付着
させて、基板の表面に薄膜を形成するが、強磁性体より
なるターゲットは、その両側において、各突き出しヨー
ク又は各縦ヨークとそれぞれ隙間をもっているので、タ
ーゲットの中には磁力線が入りづらくなっているので、
ターゲットの消耗度合にかかわらず、常に、ターゲット
の表面とほぼ平行な十分な強さの磁力線が得やすくなる
。したがって、ターゲットの表面は、常に、プラズマ中
のイオンで均等にスパッタリングされるようになる。ま
た、そのとき、各磁極片はターゲットの両端部において
ターゲット表面とオーバーラツプされているので、ター
ゲットの両側の各突き出しヨーク又は各縦ヨークとの隙
間への放電の進入を妨げるようになり、各突き出しヨー
ク又は各縦ヨークをスパッタリングすることがなくなる
。(Function) In this invention, electrons generated by discharge in the space near the surface of the target collide with gas molecules while performing cycloidal motion under the action of the magnetic field in the space near the surface of the target. A high-density plasma is generated, and the ions in the plasma are used to sputter a target, causing the target particles to adhere to the surface of the substrate and forming a thin film on the surface of the substrate. Since there is a gap between each protruding yoke or each vertical yoke on both sides, it is difficult for magnetic lines of force to enter the target.
Regardless of the degree of wear of the target, it is always easier to obtain lines of magnetic force with sufficient strength that are approximately parallel to the surface of the target. Therefore, the surface of the target is always evenly sputtered with ions in the plasma. In addition, since each magnetic pole piece overlaps the target surface at both ends of the target, it prevents discharge from entering the gap between each protruding yoke or each vertical yoke on both sides of the target, and There is no need to sputter the yoke or each vertical yoke.
（実施例）
以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
スパッタリング装置に用いられるこの発明の第１実施例
のマグネトロンスパッタリング源は第１図及び第２図に
示されている。これらの図において、電磁石ｌはヨーク
２とコイル３とからできているが、そのヨーク２は、底
ヨーク２ａと、この底ヨーク２ａの中央部より上方に突
き出た中央縦ヨーク２ｂと、この中央縦ヨーク２ｂを一
定間隔をおいて環状に囲むように、底ヨーク２ａの周縁
部より上方に突き出た周縁縦ヨーク２ｃとが一体的に形
成されたものであり、また、コイル３は、中央縦ヨーク
２ｂの回りに設けられた中央コイル３ａと、周縁縦ヨー
ク２ｃの内側、即ち中央縦ヨーク２ｂ側に設けられた内
側周縁コイル３ｂと、周縁縦ヨーク２Ｃの外側に設けら
れた外側周縁コイル３ｃとからなるものである。電磁石
ｌの中央縦ヨーク２ｂの上端部には軟磁性体である純鉄
よりなる中央突き出しヨーク４ａの下端部が密着され、
中央縦ヨーク２ｂと中央突き出しヨーク４ａとが磁気的
に結合され、また、周縁縦ヨーク２ｃの上端部にも、一
定間隔をおいて中央突き出しヨーク４ａを環状に囲む軟
磁性体である純鉄よりなる周縁突き出しヨーク４ｂの下
端部が密着され、周縁縦ヨーク２ｃと周縁突き出しヨー
ク４ｂとが磁気的に結合されている。中央突き出しヨー
ク４ａ及び周縁突き出しヨーク４ｂの上端部より中央縦
ヨーク２ｂ及び周縁縦ヨーク２ｃ方向に長さｈだけ下が
った位置における中央突き出しヨーク４ａと周縁突き出
しヨーク４ｂとの間には、熱良導体である銅よりなるタ
ーゲット固定用バッキングプレート５ａが溶着されてい
る。また、周縁突き出しヨーク４ｂの外周にも熱良導体
である銅よりなる周縁用バッキングプレート５ｂが溶着
されている。そして、ターゲット固定用バッキングプレ
ート５ａ及び周縁用バッキングプレート５ｂの各裏面よ
り中央突き出しヨーク４ａと周縁突き出しヨーク４ｂの
下端部までは長さり、となっている。A magnetron sputtering source according to a first embodiment of the present invention used in a sputtering apparatus is shown in FIGS. 1 and 2. In these figures, the electromagnet l is made up of a yoke 2 and a coil 3, and the yoke 2 consists of a bottom yoke 2a, a central vertical yoke 2b projecting upward from the center of the bottom yoke 2a, and a central vertical yoke 2b projecting upward from the center of the bottom yoke 2a. A peripheral vertical yoke 2c protruding upward from the peripheral edge of the bottom yoke 2a is integrally formed so as to annularly surround the vertical yoke 2b at regular intervals. A central coil 3a provided around the yoke 2b, an inner peripheral coil 3b provided inside the peripheral vertical yoke 2c, that is, on the central vertical yoke 2b side, and an outer peripheral coil 3c provided outside the peripheral vertical yoke 2C. It consists of. The lower end of a central protruding yoke 4a made of pure iron, which is a soft magnetic material, is tightly attached to the upper end of the central vertical yoke 2b of the electromagnet l.
The central vertical yoke 2b and the central protruding yoke 4a are magnetically coupled, and the upper end of the peripheral vertical yoke 2c is made of pure iron, which is a soft magnetic material that annularly surrounds the central protruding yoke 4a at regular intervals. The lower ends of the peripheral edge protruding yoke 4b are brought into close contact with each other, and the peripheral edge vertical yoke 2c and the peripheral edge protruding yoke 4b are magnetically coupled. A good thermal conductor is provided between the central protruding yoke 4a and the peripheral protruding yoke 4b at a position lower than the upper ends of the central protruding yoke 4a and the peripheral protruding yoke 4b in the direction of the central vertical yoke 2b and the peripheral vertical yoke 2c. A target fixing backing plate 5a made of a certain copper is welded. Further, a peripheral backing plate 5b made of copper, which is a good thermal conductor, is welded to the outer periphery of the peripheral edge protruding yoke 4b. The length extends from the back surfaces of the target fixing backing plate 5a and the peripheral edge backing plate 5b to the lower ends of the central protruding yoke 4a and the peripheral edge protruding yoke 4b.
ターゲット固定用バッキングプレート５ａの表面には上
記長さり、より小さい厚みの強磁性体よりなるターゲッ
ト６が、その両側において、中央突き出しヨーク４ａ及
び周縁突き出しヨーク４ｂとそれぞれ隙間をもつように
固定されている。中央突き出しヨーク４ａと周縁突き出
しヨーク４ｂとの各上端部にはターゲット６と同材料よ
りなる磁極片？ａ ７ｂが、ターゲット６の端部にお
いて、ターゲット３の表面とオーバーラツプするように
螺子（図示せず）で着脱自在に取付けられ、ターゲット
６表面上方で所定の間隔をおいて相互に対向している。On the surface of the target fixing backing plate 5a, a target 6 made of a ferromagnetic material having the above-mentioned length and smaller thickness is fixed on both sides with a gap between the central protruding yoke 4a and the peripheral protruding yoke 4b, respectively. There is. A magnetic pole piece made of the same material as the target 6 is provided at the upper end of each of the central protruding yoke 4a and the peripheral protruding yoke 4b. a 7b are removably attached to the ends of the target 6 with screws (not shown) so as to overlap the surface of the target 3, and are opposed to each other at a predetermined interval above the surface of the target 6. .
そして、磁極片７ａ、７ｂの相互に対向する対向面はタ
ーゲット６の表面に対し垂直になっている。そのため、
磁極片７ｂから磁極片７ａに至る磁力線２６の中にはタ
ーゲット６内を通るものもあるが、ターゲット６の表面
近傍の空間でターゲット６の表面とほぼ平行になる磁界
を形成するものもある。周縁用バッキングプレート５ｂ
の裏面には、内部に電磁石１を収納した有底形状の箱型
電磁石ケース８の開口側上部が螺子（図示せず）で着脱
自在に取付けられている。そして、箱型電磁石ケース８
と周縁縦ヨーク２Ｃとの間の空間には水路９ａが形成さ
れ、また中央縦ヨーク２ｂと周縁縦ヨーク２Ｃとの間の
空間には水路９ｂが形成され、各水路９ａ、９ｂは箱型
電磁石ケース８外のホース（図示せず）で直列に接続さ
れている。各水路９ａ、９ｂを流れる冷却水によって、
中央突き出しヨーク４ａ、周縁突き出しヨーク４ｂ、中
央コイル３ａ、内側周縁コイル３ｂ、外側周縁コイル３
ｃ、ターゲット固定用バッキングプレート５ａ等が冷却
されている。The mutually opposing surfaces of the magnetic pole pieces 7a and 7b are perpendicular to the surface of the target 6. Therefore,
Some of the magnetic lines of force 26 extending from the magnetic pole piece 7b to the magnetic pole piece 7a pass through the target 6, while others form a magnetic field that is approximately parallel to the surface of the target 6 in a space near the surface of the target 6. Peripheral backing plate 5b
The opening-side upper part of a bottomed box-shaped electromagnet case 8 that houses the electromagnet 1 therein is removably attached to the back surface of the electromagnet 1 with screws (not shown). And box-shaped electromagnet case 8
A water channel 9a is formed in the space between the central vertical yoke 2b and the peripheral vertical yoke 2C, and a water channel 9b is formed in the space between the central vertical yoke 2b and the peripheral vertical yoke 2C. They are connected in series through a hose (not shown) outside the case 8. By the cooling water flowing through each water channel 9a, 9b,
Central protruding yoke 4a, peripheral protruding yoke 4b, central coil 3a, inner circumferential coil 3b, outer circumferential coil 3
c. The target fixing backing plate 5a and the like are cooled.
上記実施例では、従来と同様にターゲット６の表面近傍
の空間において、放電により発生した電子がターゲット
６の表面近傍の空間の磁界の作用を受けてサイクロイド
運動を行いながらガスの分子と衝突して、そこに高密度
のプラズマを発生させ、そしてプラズマ中のイオンでタ
ーゲット６をスパッタリングし、ターゲット６の粒子を
基板の表面に付着させて、基板の表面に薄膜を形成する
が、ターゲット６の表面近傍の空間の磁界の磁力線２６
はターゲット６の消耗度合にかかわらず、常に、ターゲ
ット６の表面とほぼ平行になっているため、ターゲット
６の表面はプラズマ中のイオンで常に均等にスパッタリ
ングされるようになる。In the above embodiment, as in the prior art, electrons generated by discharge collide with gas molecules in the space near the surface of the target 6 while performing cycloidal motion under the action of the magnetic field in the space near the surface of the target 6. , a high-density plasma is generated there, and the target 6 is sputtered with the ions in the plasma, and the particles of the target 6 are attached to the surface of the substrate to form a thin film on the surface of the substrate, but the surface of the target 6 is Lines of magnetic force 26 of the magnetic field in the nearby space
is always substantially parallel to the surface of the target 6 regardless of the degree of wear of the target 6, so that the surface of the target 6 is always evenly sputtered with ions in the plasma.
第３図のｘ印は均等にスパッタリングされている領域を
示している。このように、ターゲット６の表面が均等に
スパッタリングされているため、ターゲット６では谷状
の消耗部分が発生しなくなり、ターゲット６の利用でき
る領域が広くなって、ターゲット６の利用効率が向上す
るようになる。更に、そのとき、各磁極片７ａ、７ｂは
ターゲット６の両端部においてターゲット６表面とオー
バーラツプされているので、ターゲット６の両側の各突
き出しヨーク４ａとの隙間への放電の進入が妨げられ、
各突き出しヨーク４ａはスパッタリングされることがな
くなる。The x marks in FIG. 3 indicate areas that are uniformly sputtered. In this way, since the surface of the target 6 is sputtered evenly, no valley-shaped worn parts occur in the target 6, the usable area of the target 6 becomes wider, and the utilization efficiency of the target 6 is improved. become. Furthermore, at this time, since each of the magnetic pole pieces 7a and 7b overlaps the surface of the target 6 at both ends of the target 6, the discharge is prevented from entering the gap between each of the protruding yokes 4a on both sides of the target 6.
Each protruding yoke 4a is no longer sputtered.
次に、第４図はこの発明の第２実施例を示している。同
図によれば、第１実施例とほぼ同様であるが、相互に対
向する磁極片７ａ、７ｂの対向面下部、即ち対向面の下
半分がターゲット６の表面に対し垂直になり、また対向
面上部、即ち対向面の上半分がターゲット６の表面に対
し４５°の傾斜した傾斜面にしている点が第１実施例と
相違している。Next, FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. According to the figure, the lower part of the opposing surfaces of the mutually opposing magnetic pole pieces 7a and 7b, that is, the lower half of the opposing surfaces, is perpendicular to the surface of the target 6, and the opposite This embodiment differs from the first embodiment in that the upper part of the surface, that is, the upper half of the opposing surface, is an inclined surface inclined at 45 degrees with respect to the surface of the target 6.
そのため、第１実施例と違って、磁極片７ａ、７ｂの対
向面の上半分がターゲット６の表面に対し４５°の傾斜
した傾斜面になっているので、スパッタリングによって
ターゲット６より飛び出した粒子は、磁極片７ａ、７ｂ
の対向面の上半分と衝突することなく、基板に付着する
ようになる。Therefore, unlike the first embodiment, the upper half of the opposing surfaces of the magnetic pole pieces 7a and 7b are inclined at 45 degrees with respect to the surface of the target 6, so that particles ejected from the target 6 due to sputtering are , magnetic pole pieces 7a, 7b
It comes to adhere to the substrate without colliding with the upper half of the opposing surface.
それゆえ、基板の付着効率がよくなる。なお、第２実施
例は磁極片７ａ、７ｂの対向面の上半分を４５°の傾斜
した傾斜面にしているが、傾斜する角度は４５°に限ら
ず、いかなる角度であってもよい。Therefore, the efficiency of adhesion of the substrate is improved. In the second embodiment, the upper half of the opposing surfaces of the pole pieces 7a and 7b are inclined at 45 degrees, but the angle of inclination is not limited to 45 degrees and may be any angle.
次に、第５図はこの発明の第３実施例を示している。こ
の発明の第３実施例は第１図の第１実施例のマグネトロ
ンスパッタリング源において、ターゲット６の両側の中
央突き出しヨーク４ａと周縁突き出しヨーク４ｂとの隙
間に非磁性体１０ａ、１０ｂを設けたものである。Next, FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention. A third embodiment of the present invention is the magnetron sputtering source of the first embodiment shown in FIG. 1, in which non-magnetic materials 10a and 10b are provided in the gap between the central protruding yoke 4a and the peripheral protruding yoke 4b on both sides of the target 6. It is.
次に、第６図はこの発明の第４実施例を示している。こ
の発明の第４実施例は第４図の第２実施例のマグネトロ
ンスパッタリング源において、ターゲット６の両側の中
央突き出しヨーク４ａと周縁突き出しヨーク４ｂとの隙
間に非磁性体１０ａ。Next, FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention. A fourth embodiment of the present invention is the magnetron sputtering source of the second embodiment shown in FIG. 4, in which a non-magnetic material 10a is provided in the gap between the central protruding yoke 4a and the peripheral protruding yoke 4b on both sides of the target 6.
ｔａｂを設けたものである。A tab is provided.
次に、第７図はこの発明の第５実施例を示している。こ
の発明の第５実施例は第１図の第１実施例のマグネトロ
ンスパッタリング源を改良して、ターゲット６の両側の
中央突き出しヨーク４ａと周縁突き出しヨーク４ｂとの
隙間にターゲット固定用バッキングプレート５ａと一体
的に形成された熱良導体を設け、その熱良導体の端部を
磁極片７ａ、７ｂにそれぞれ当接させたものである。し
たがって、この第５実施例では、熱良導体を介して磁極
片？ａ、７ｂが冷却されるようになる。Next, FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention. A fifth embodiment of the present invention improves the magnetron sputtering source of the first embodiment shown in FIG. An integrally formed good thermal conductor is provided, and the ends of the good thermal conductor are brought into contact with the magnetic pole pieces 7a and 7b, respectively. Therefore, in this fifth embodiment, the magnetic pole pieces are connected to each other through a good thermal conductor. a and 7b are now cooled.
次に、第８図はこの発明の第６実施例を示している。こ
の発明の第６実施例は第４図の第２実施例のマグネトロ
ンスパッタリング源を改良して、中央突き出しヨーク４
ａと周縁突き出しヨーク４ｂとの隙間にターゲット固定
用バッキングプレート５ａと一体的に形成された熱良導
体を設け、その熱良導体の端部を磁極片？ａ、７ｂにそ
れぞれ当接させたものである。したがって、この第６実
施例では、熱良導体を介して磁極片７ａ、７ｂが冷却さ
れるようになる。Next, FIG. 8 shows a sixth embodiment of the present invention. A sixth embodiment of the present invention improves the magnetron sputtering source of the second embodiment shown in FIG.
A good thermal conductor integrally formed with the backing plate 5a for fixing the target is provided in the gap between the protruding yoke 4b and the peripheral protruding yoke 4b, and the end of the good thermal conductor is connected to the magnetic pole piece. a and 7b, respectively. Therefore, in this sixth embodiment, the magnetic pole pieces 7a and 7b are cooled through the good thermal conductor.
次に、第９図はこの発明の第７実施例を示している。こ
の発明の第７実施例は周縁突き出しヨーク４ｂの上端部
に磁極片７ｂと、周縁突き出しヨーク４ｂと同材質の磁
極片固定板１１ｂとを螺子（図示せず）で重なるように
着脱自在に取付け、また、中央突き出しヨーク４ａの上
端部に磁極片７ａと、中央突き出しヨーク４ａと同材質
の磁極片固定板１１ａとを螺子（図示せず）で重なるよ
うに着脱自在に取付けたものである。Next, FIG. 9 shows a seventh embodiment of the present invention. In a seventh embodiment of the present invention, a magnetic pole piece 7b and a magnetic pole piece fixing plate 11b made of the same material as the peripheral protruding yoke 4b are removably attached to the upper end of the peripheral protruding yoke 4b with screws (not shown). Further, a magnetic pole piece 7a and a magnetic pole piece fixing plate 11a made of the same material as the central protruding yoke 4a are removably attached to the upper end of the central protruding yoke 4a so as to overlap with each other using screws (not shown).
次に、第１Ｏ図はこの発明の第８実施例を示している。Next, FIG. 1O shows an eighth embodiment of the present invention.
この発明の第８実施例は周縁用バッキングプレート５ｂ
の構造を変えて、冷却を強化するものである。The eighth embodiment of this invention is a peripheral backing plate 5b.
This is to strengthen cooling by changing the structure of the
次に、第１１図はこの発明の第９実施例を示している。Next, FIG. 11 shows a ninth embodiment of the present invention.
この発明の第９実施例は第１図の第１実施例を改造して
、中央縦ヨーク２ｂの上端部と中央突き出しヨーク４ａ
の下端部との密着位置、及び周縁縦ヨーク２ｃの上端部
と周縁突き出しヨーク４ｂの下端部との密着位置をそれ
ぞれターゲット固定用バッキングプレート５ａの裏面に
したものである。なお、密着位置をターゲット固定用バ
ッキングプレート５ａの裏面にすることは、第９実施例
だけに限らず、上記第２実施例から第８実施例において
も可能であることは言うまでもない。A ninth embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment shown in FIG.
The position of close contact with the lower end and the position of close contact between the upper end of the peripheral vertical yoke 2c and the lower end of the peripheral protruding yoke 4b are respectively on the back surface of the target fixing backing plate 5a. It goes without saying that setting the close contact position to the back surface of the target fixing backing plate 5a is possible not only in the ninth embodiment but also in the second to eighth embodiments.
次に、第１２図はこの発明の第１Ｏ実施例を示している
。この発明の第１０実施例は第１図の第１実施例を改造
して、中央縦ヨーク２ｂの上端部と中央突き出しヨーク
４ａの下端部との密着位置、及び周縁縦ヨーク２ｃの上
端部と周縁突き出しヨーク４ｂの下端部との密着位置を
それぞれターゲット固定用バッキングプレート５ａ表面
と裏面との間にしたものである。なお、密着位置をター
ゲット固定用バッキングプレート５ａ表面と裏面との間
にすることは、第１０実施例だけに限らず、上記第２実
施例から第８実施例においても可能であることは言うま
でもない。Next, FIG. 12 shows a first embodiment of the present invention. A tenth embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment shown in FIG. The lower end portion of the peripheral protruding yoke 4b is brought into close contact with the target fixing backing plate 5a between the front and back surfaces of each target fixing backing plate 5a. It goes without saying that the close contact position between the front and back surfaces of the backing plate 5a for fixing the target is possible not only in the tenth embodiment but also in the second to eighth embodiments. .
次に、上記第１実施例から第１Ｏ実施例までは縦ヨーク
が中央縦ヨーク２ｂと周縁縦ヨーク２Ｃとの２つである
が、縦ヨークの数はそれ以上の数、例えば、３つあるい
は４つ等であってもよい。また、中央縦ヨーク２ｂと周
縁縦ヨーク２ｃとの間は、第２図に示されるようにトラ
ック形状の断面をしているが、これに限らず、例えば、
長方形等の多角形をしていてもよい。更に、中央縦ヨー
ク２ｂの上端部と中央突き出しヨーク４ａの下端部との
密着位置、及び周縁縦ヨーク２ｃの上端部と周縁突き出
しヨーク４ｂの下端部との密着位置をそれぞれターゲッ
ト固定用バッキングプレート５ａ表面より上方にしても
よい。Next, in the first embodiment to the first O embodiment, there are two vertical yokes, the central vertical yoke 2b and the peripheral vertical yoke 2C, but the number of vertical yokes is greater than that, for example, three or It may be four, etc. Furthermore, the section between the central vertical yoke 2b and the peripheral vertical yoke 2c has a track-shaped cross section as shown in FIG.
It may have a polygonal shape such as a rectangle. Furthermore, the position where the upper end of the central vertical yoke 2b and the lower end of the central protruding yoke 4a are in close contact with each other, and the position where the upper end of the peripheral vertical yoke 2c and the lower end of the peripheral protruding yoke 4b are in close contact with each other are determined by the target fixing backing plate 5a. It may be placed above the surface.
（発明の効果） この発明によれば、次の効果が奏されるようになる。(Effect of the invention) According to this invention, the following effects can be achieved.
（１）対向した磁極片の一方より他方に至る磁力線の一
部がターゲットの表面近傍においてターゲットの表面は
ぼ平行になる磁界を形成するため、夕一ゲットの表面は
プラズマ中のイオンで均等にスパッタリングされ、ター
ゲットの利用効率が向上して、経済性が良くなると共に
、ターゲットが消耗して、次の新しいターゲットに交換
するまでの期間が長くなる。(1) A part of the magnetic field lines extending from one side of the opposing magnetic pole pieces to the other form a magnetic field in which the target surface is almost parallel to the target surface near the target surface, so the surface of the Yuichi target is evenly distributed with ions in the plasma. Sputtering improves the utilization efficiency of the target, making it more economical, and increasing the time it takes to wear out the target and replace it with a new target.
（２）各磁極片がターゲットの両端部においてオーバー
ラツプされているので、ターゲットの両側の各突き出し
ヨーク又は各縦ヨークとの隙間への放電の進入が妨げら
れ、各突き出しヨーク又は各縦ヨークがスパッタリング
されることがなくなる。(2) Since each magnetic pole piece overlaps at both ends of the target, discharge is prevented from entering the gap between each protruding yoke or each vertical yoke on both sides of the target, and each protruding yoke or each vertical yoke is prevented from sputtering. You will no longer be exposed to it.
第１図はこの発明の第１実施例の断面図、第２図は第１
図のＩ−Ｉ線より切断した断面図、第３図は第１実施例
のターゲットが均等にスパッタリングされる領域を示す
説明図、第４図はこの発明の第２実施例の断面図、第５
図はこの発明の第３実施例の断面図、第６図はこの発明
の第４実施例の断面図、第７図はこの発明の第５実施例
の断面図、第８図はこの発明の第６実施例の断面図、第
９図はこの発明の第７実施例の断面図、第１Ｏ図はこの
発明の第８実施例の断面図、第１１図はこの発明の第９
実施例の断面図、第１２図はこの発明の第１Ｏ実施例の
断面図である。第１３図は従来のスパッタリング源を用
いたスパッタリング装置の説明図、第１４図は陰極を兼
ねたターゲットの表面近傍の空間において湾曲して磁力
線の形成されている状態を示す斜視図、第１５図は陰極
を兼ねたターゲットの表面近傍の空間において電子がサ
イクロイド運動をする状態を示す斜視図である。
図中、
１・
ｂ−
２Ｃ・
・・・・・電磁石
・・・・・中央縦ヨーク
・・・・・周縁縦ヨーク
・・・・・中央突き出しヨーク
・・・・・周縁突き出しヨーク
・・・・・ターゲット固定用バッキングプレート
・・・・・ターゲット
・・・・・磁極片
４＆・
４ｂ・
５ａ・
６ ・
７ａ・
７ｂ・
０ａ
０ｂ
２６・
・磁極片
・非磁性体
・非磁性体
・磁力線
なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示している
。
特許出願人 日本真空技術株式会社
第２図
２ａ
弓
ｒ）
第１Ａ図
第１３図FIG. 1 is a sectional view of the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the first embodiment of the invention.
3 is an explanatory diagram showing the area where the target of the first embodiment is evenly sputtered. FIG. 4 is a sectional diagram of the second embodiment of the present invention. 5
6 is a sectional view of a fourth embodiment of the invention, FIG. 7 is a sectional view of a fifth embodiment of the invention, and FIG. 8 is a sectional view of a fifth embodiment of the invention. FIG. 9 is a sectional view of the seventh embodiment of the present invention, FIG. 10 is a sectional view of the eighth embodiment of the invention, and FIG.
Embodiment FIG. 12 is a sectional view of the first embodiment of the present invention. FIG. 13 is an explanatory diagram of a sputtering apparatus using a conventional sputtering source, FIG. 14 is a perspective view showing a state in which lines of magnetic force are curved in the space near the surface of a target that also serves as a cathode, and FIG. 15 1 is a perspective view showing a state in which electrons move in a cycloid in a space near the surface of a target that also serves as a cathode. In the figure, 1. b-2C... Electromagnet... Central vertical yoke... Peripheral vertical yoke... Center protruding yoke... Peripheral protruding yoke... ...Backing plate for fixing the target...Target...Magnetic pole pieces 4&... 4b, 5a, 6, 7a, 7b, 0a 0b 26...Magnetic pole pieces, non-magnetic materials, non-magnetic materials, lines of magnetic force , in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts. Patent applicant: Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Figure 2 2a Bow r) Figure 1A Figure 13
Claims (1)
有する電磁石と、この電磁石の各縦ヨークの上端部にそ
れぞれ磁気的に結合された、縦ヨークと同数の突き出し
ヨークと、この突き出しヨークの上端部より縦ヨーク方
向に長さｈ＿１だけ下がった位置の突き出しヨーク又は
縦ヨーク間に溶着された熱良導体よりなるターゲット固
定用バッキングプレートと、両側で各突き出しヨーク又
は各縦ヨークとそれぞれ隙間をもつようにターゲット固
定用バッキングプレートの表面に固定された、上記長さ
ｈ＿１と同じか又はそれより小さい厚みの強磁性体より
なるターゲットと、このターゲットの両端部においてタ
ーゲット表面とオーバーラップするように、各突き出し
ヨークの上端部に着脱自在に取付けられ、ターゲット表
面上方で所定の間隔をもって対向した少なくとも２つ以
上の磁極片とを備え、ターゲットの表面近傍の空間にお
いて、対向した磁極片の一方より他方に至る磁力線の一
部がターゲットの表面とほぼ平行になる磁界を形成し、
この磁界によってターゲットの表面近傍の空間に高密度
のプラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンでター
ゲットをスパッタリングすることを特徴とするマグネト
ロンスパッタリング源。 ２、対向した磁極片の対向面下部をターゲット表面に対
し垂直な垂直面にし、対向面上部をターゲット表面に対
し傾斜した傾斜面にしたことを特徴とする請求項１記載
のマグネトロンスパッタリング源。 ３、ターゲットの両側の各突き出しヨーク又は各縦ヨー
クとの隙間に非磁性体をそれぞれ設けたことを特徴とす
る請求項１又は２記載のマグネトロンスパッタリング源
。 ４、ターゲットの両側の各突き出しヨーク又は各縦ヨー
クとの隙間にターゲット固定用バッキングプレートと一
体的に形成された熱良導体をそれぞれ設け、その熱良導
体の端部を磁極片に当接させたことを特徴とする請求項
１又は２記載のマグネトロンスパッタリング源。[Claims] 1. An electromagnet having at least two or more vertical yokes spaced apart from each other at regular intervals; and an electromagnet having the same number of protruding yokes as the vertical yokes, each magnetically coupled to the upper end of each vertical yoke of the electromagnet. and a target fixing backing plate made of a good thermal conductor welded between the protruding yoke or the vertical yokes at a position lowered by a length h_1 in the vertical yoke direction from the upper end of the protruding yoke, and each protruding yoke or each vertical yoke on both sides. A target made of a ferromagnetic material with a thickness equal to or smaller than the above length h_1 fixed to the surface of the backing plate for fixing the target so as to have a gap with the yoke, and a target surface at both ends of this target. At least two or more magnetic pole pieces are detachably attached to the upper end of each protruding yoke so as to overlap, and are opposed to each other at a predetermined distance above the target surface, and are arranged in a space near the surface of the target. A portion of the magnetic field lines from one side of the magnetic pole piece to the other form a magnetic field that is almost parallel to the target surface,
This magnetron sputtering source is characterized by generating high-density plasma in the space near the surface of the target using this magnetic field, and sputtering the target with ions in this plasma. 2. The magnetron sputtering source according to claim 1, wherein the lower portions of the opposing surfaces of the opposing magnetic pole pieces are formed into vertical surfaces perpendicular to the target surface, and the upper portions of the opposing surfaces are formed into inclined surfaces inclined with respect to the target surface. 3. The magnetron sputtering source according to claim 1 or 2, wherein a non-magnetic material is provided in a gap between each protruding yoke or each vertical yoke on both sides of the target. 4. A good thermal conductor integrally formed with the backing plate for fixing the target is provided in the gap between each protruding yoke or each vertical yoke on both sides of the target, and the end of the good thermal conductor is brought into contact with the magnetic pole piece. A magnetron sputtering source according to claim 1 or 2, characterized in that:
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107289A JPH02194171A (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Magnetron sputtering source |
| DE19904000941 DE4000941C2 (en) | 1989-01-20 | 1990-01-15 | Magnetron atomization source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107289A JPH02194171A (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Magnetron sputtering source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194171A true JPH02194171A (en) | 1990-07-31 |
Family
ID=11767777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107289A Pending JPH02194171A (en) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | Magnetron sputtering source |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194171A (en) |
| DE (1) | DE4000941C2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03115659U (en) * | 1990-03-05 | 1991-11-29 | ||
| WO2018101444A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Magnetron sputtering device and magnetic field forming device |
| CN111996504A (en) * | 2020-07-10 | 2020-11-27 | 包头稀土研究院 | Ferromagnetic target magnetron sputtering device |
| WO2023282150A1 (en) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | 日新電機株式会社 | Sputtering device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02243761A (en) * | 1989-03-15 | 1990-09-27 | Ulvac Corp | Method for controlling electromagnet for magnetron sputtering source |
| DE4135939A1 (en) * | 1991-10-31 | 1993-05-06 | Leybold Ag, 6450 Hanau, De | SPRAYING CATHODE |
| DE4329155A1 (en) * | 1993-08-30 | 1995-03-02 | Bloesch W Ag | Magnetic field cathode |
| DE19506513C2 (en) * | 1995-02-24 | 1996-12-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Reactive coating device |
| GB0126721D0 (en) * | 2001-11-07 | 2002-01-02 | Bellido Gonzalez V | Ferromagnetic magnetron |
| DE10358505B4 (en) * | 2003-12-13 | 2007-10-11 | Roth & Rau Ag | Plasma source for generating an inductively coupled plasma |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3480245D1 (en) * | 1983-12-05 | 1989-11-23 | Leybold Ag | Magnetron-cathodes for the sputtering of ferromagnetic targets |
| US4606802A (en) * | 1983-12-21 | 1986-08-19 | Hitachi, Ltd. | Planar magnetron sputtering with modified field configuration |
| FR2596920A1 (en) * | 1986-04-03 | 1987-10-09 | Saint Roch Sa Glaceries | SPRAY CATHODE |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1107289A patent/JPH02194171A/en active Pending
-
1990
- 1990-01-15 DE DE19904000941 patent/DE4000941C2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03115659U (en) * | 1990-03-05 | 1991-11-29 | ||
| WO2018101444A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Magnetron sputtering device and magnetic field forming device |
| JPWO2018101444A1 (en) * | 2016-11-30 | 2019-10-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Magnetron sputtering apparatus and magnetic field forming apparatus |
| CN111996504A (en) * | 2020-07-10 | 2020-11-27 | 包头稀土研究院 | Ferromagnetic target magnetron sputtering device |
| WO2023282150A1 (en) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | 日新電機株式会社 | Sputtering device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4000941C2 (en) | 1995-04-27 |
| DE4000941A1 (en) | 1990-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4865708A (en) | Magnetron sputtering cathode | |
| US4892633A (en) | Magnetron sputtering cathode | |
| JP4253385B2 (en) | Equipment for sputtering or arc evaporation | |
| KR100396456B1 (en) | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target | |
| US5174880A (en) | Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field | |
| US7531071B2 (en) | Magnet arrangement for a planar magnetron | |
| JPS59229481A (en) | Cathode assembly of electromagnetic tube sputtering device | |
| JPH02194171A (en) | Magnetron sputtering source | |
| JP3919266B2 (en) | Magnetron cathode electrode of sputtering equipment | |
| US6432285B1 (en) | Planar magnetron sputtering apparatus | |
| GB2051877A (en) | Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method | |
| JP3798039B2 (en) | Magnetron cathode electrode of sputtering equipment | |
| WO2012165385A1 (en) | Racetrack-shape magnetic field generator for magnetron sputtering | |
| JPH02243761A (en) | Method for controlling electromagnet for magnetron sputtering source | |
| JP3749178B2 (en) | High target utilization magnetic configuration for frustoconical sputtering targets | |
| JP3411312B2 (en) | Magnetron sputter cathode and method of adjusting film thickness distribution | |
| JPH0525625A (en) | Magnetron sputtering cathode | |
| JPS6217175A (en) | Sputtering device | |
| JPH03257159A (en) | Sputtering device formed by using dipole ring type magnetic circuit | |
| JP2604442B2 (en) | Magnetron sputtering equipment | |
| JPS61204371A (en) | Magnetic circuit device for cathode sputtering | |
| JP2002069637A (en) | Magnetron sputtering device | |
| JPH076061B2 (en) | Magnetron sputtering equipment | |
| JPH0329250A (en) | Fence for correcting magnetic field of electron gun | |
| JP3211915B2 (en) | Magnetron sputtering cathode |