JPH02190818A - 光制御装置 - Google Patents

光制御装置

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JPH02190818A
JPH02190818A JP1009959A JP995989A JPH02190818A JP H02190818 A JPH02190818 A JP H02190818A JP 1009959 A JP1009959 A JP 1009959A JP 995989 A JP995989 A JP 995989A JP H02190818 A JPH02190818 A JP H02190818A
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substrate
signal
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Kenji Uchino
内野 研二
Kazuyasu Hikita
和康 疋田
Mikiya Ono
幹也 尾野
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Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、光を用いて、電気的増幅装置等を介さず、直
接他の光を制御する装置に関する。更に、詳しくは、小
型化、軽量化、薄形化のできる光制御装置に関する。
[従来の技術] 従来の光制御装置は、例えば、°87年春季物理学会学
術講演会予稿集の27a−LJ−7(80頁)“全光制
御電気光学素子の試作”に提案きれるように、印加電圧
によって物質の屈折率が変化するという”電気光学効果
”と、圧電性結晶に光(例えば紫色光)を照射すると、
バンドギャップをはるかに超す起電力を生ずる“バルク
光起電力”とを組合わせて、光の照射によって起電力を
通じて光シヤツターを駆動し、光(例えば赤色光)を制
御4゛ることかできる電気回路を持たない全光制御型素
子がある。これは、第1図に示すもので、スライドガラ
スを基板6とし、その上に2個の受光セラミックス素子
1と、1個のセラミックス光シヤツター2が配taれて
いるものである。 その動作原理は、受光素子lに水銀
ランプ3の光が当ると起電力が発生し、その起電力によ
って光シヤツター素子2を駆動するというものである。
2つの駆動素子A%Bは、互いに逆の起電電圧を生ずる
ように、光シヤツター素子に電気的に接続きれ、A、B
に交互に水銀ランプ光を照射すると、光シヤツターを透
過するHe−Neレーザの赤色光は、第2図に示すよう
に、0.2Hzで変調され、S/N比は、約2dBであ
る。その受光素子4の材質は、P L Z T (31
52/4B)、光’、t at ッI−2の材質は、P
 LZT(9/65/35)−t’アロ、 *り、光照
射による光起電力効果をWO3添加のPLZTについて
、調査した結果から、1.5j[千%までは、無添加の
ものに比べ、光起電力が増加している。  [”Eff
ect of 1mpurir、y Dopingon
 Photostriction in Ferroe
lectric Ceramic−by M、Tani
mura  and  K、Uchino、5enso
rs  and Materials  1.46(1
98g>参照] 然し乍ら、この公知の装置では、第1に、受光素子がコ
マの上に賊っており、デバイスの/JX型化、薄層化が
できないこと、第2に、リード線を用いており、デバイ
スとして組立てコストが高くなること、第3に、赤色の
信号光(スイッチングされる光)と、駆動する水銀ラン
プ光が同じ方向からデバイス(入射するため、駆動光が
信号光に混信しないような工夫が必要となること、第4
に、信号光が基板を透過する方向に入射しているため、
信号光が基板の影響を受けることになり、即ち、基板に
不透明な材質が使用できず、また、光透過率の低い基板
では光信号のS/N比が低くなること、基板の材質の選
択に制約を受けることなどの問題があった。
[発明が解決しようとする問題点コ 本発明者らは、」―記のような欠点を解消するため、“
バルク光起電力効果”を有する圧電材料、例えば、P 
L Z T (3152/48 )を受光素子トシ、光
を照射した際に、発生する電圧で、°電気光学効果”を
利用した光変調素子を駆動する、光により光を制御する
装置を提供した(特願昭63−号、昭和63年12月2
6日出願の特許w4)が、基本的には、光変調素子と受
光素子の2種類の機能素子を1個の回路基板上に1i!
置しているため、(υ光回路装置の小型化、薄層化につ
いて、基板のサイズから制限を受ける、■受光素子、光
変調素子、回路基板など少なくとも3種類の要素を組合
わせるため、工程の合理化に限界がある、0)従って、
組み立てコストの低減にも限界があるなどの問題点があ
った。
従って、本発明は、(υ光回路装置の小型化、軽蟻化及
び薄層化の困難性、■回路基板を用いることによる製造
工程の繁雑化、O)部品点数の多いことによる高い組み
立てコスト等の問題点を除去し、 (1)小型化、軽暖化及び薄形化を容易にし、■製造−
[程の合理化により、コストパフオーンンスを向上させ
、C3)高い信頼性と高い動作特性を有する、新規な構
造の全制御型光学デバイスを提供することを目的とする
[問題点を解決するための手段] 本発明は、光起電力効果を有する誘電体基板上に受光素
子を設け、同じ基板上に、透明な電気光学効果を有する
講導体よりなる光導波路或いは光変調素子を形成し、上
記の受光素子と光変調素子が素子が電気的に接続して構
成きれており、上記の受光素子に光を照射することによ
り、光変調素子を駆動し、光により光を制御することを
特徴とする光制御装置である。そして、その光変調素子
において、透明な電気光学効果を有する誘電体の信号の
入射面と出射面には、各々の偏光方向が互いに直交し、
また印加電界の方向にt7−いに45゜をなすように2
つの偏光子・が取り付けられており、光起電力効果を有
する誘電体受光素子は、自発分極の方向が揃えられてい
るものが好適である。また、光変調素子を透過する信号
光が、前記の光起′准力を有する誘電体基板面を透過ぜ
す゛に、受光素子を駆動する駆動光が信号光と異なる方
向から入射する構造が好適である。
透明な電気光学効果を有する誘電体に電極を設け、信号
光の入射面と出射面には、各々の偏光方向が互いに直交
し、また、印加電界の方向に互いに45°をなすように
2つの偏光子が取り付けられた光変調素子と;駆動源と
して、自発分極の方向を揃えた、光起電力効果を有する
少なくとも1つの誘−電体受光素子を有し、上記の2種
の素子を電気的に接続して構成される、光により光を制
御rる装置において、前記2種の機能素子のうち、光起
電力効果を有する受光素子を誘電体基板とし、光変調素
子をその誘電体基板の上に形成せしめ、装置の小型化を
容易にせしめ、また、同時に、光変調素子を通過する信
号光が、この受光素子基板面を通過せず、更に受光素子
を駆動する駆動光が信号光と異なる方向から入射するよ
うに配置することが容易にできる光制御装置である。そ
して、光度:J4素子を通過する信号光が、この受光素
子基板面を通過せず、受光素子を駆動する駆動光が信号
光と異なる方向から入射するように配置できるように、
光変調素r−の信号光の入射面及び出射面が、受光素T
−誘電体基板面と垂直であること、且つ受光素子基板の
受光面が、誘電体基板と平行であることが好適である。
或いは光変調素子が、受光素子の反対の基板面に設けら
れていることが好適である。また、受光素子が2個の受
光素T−からなり、それらの自発分極の方向が、直列で
ループ状に接続され、光変調素子の各々の電極が、前記
の各々の受光素子に並列に接続されたものが好適である
。そして、その受光素子が2個の受光素r・からなり、
それらの自発分極方向が、並列でループ状に接続され、
光変調素子の各々の電極が、前記の各々の受光素子に並
列に接続きれたものが好適である。また、光起電力効果
を有する誘電体基板と受光素子・が圧電セラミックスで
、バルク光起電力効果を有するランタン添加チタン階ジ
ル;1ン酸鉛で、Laを3モル%添加した、PLZ T
 (3152/4g)、即ち、P b *、*t L 
a *、hs<Z r e、a4 i *、+m)*、
ee+sOI或いは、これにWOsを0〜2.0原子%
添加したP L Z T (3152/48) テあり
、透明な光変調素子は、ランタン添加チタン酸ジルコン
酸鉛P L Z T (9/65/35 )即ち、P 
b −、*lL a #、##(Z r *、axT 
5 e、ji)s、eyyso sからなるIll或が
好適である。
このような構成の光制御装置について説明すると、光起
電力効果を有する誘電体基板上に受光素子を設け、同じ
誘電体基板上に、透明な電気光学効果を有する誘導体よ
りなる光導波路、或いは光変調素子を形成し、前記の2
種類の機能素子、即ち、受光素子と光変調素子が電気的
に接続して構成されており、前記の受光素子に光を照射
することにより、光変調素子を駆動し、光により光を制
御するものである。
そして、透明な電気光学効果を有するait体の信号の
入射面と出射面には、各々の偏光方向が互いに直交し、
また印加電界の方向に互いに45゜をなす゛ように2つ
の偏光子が取り付けられており、光起電力効果を有する
誘電体受光素T−は、自発分極の方向が揃えられている
ことが好適である。
また、光変調素子を透過する信号光が、前記の光起電力
を有する誘電体基板面を透過せずに、受光素子を駆動す
る駆動光が信号光と異なる方向から入射することが好適
であり、更に、光変調素子を透過する信号光が、この光
起電力効果を有する誘電体基板面を透過せず、受光素子
を駆動する駆動光が信号光と異なる方向から入射するた
め、光変調素子の信号光の入射面及び出射面が、この誘
電体基板面と垂直であり、且つ、受光素子の受光面が誘
電体基板と平行であることが望ましい。
そして、受光素子が2個の受光素子からなる、それらの
自発分極方向が、直列でループ状に接続され、光変調素
子の各々の電極が、各々の接続回路に接続されたもの、
或いは、受光素子が2個の受光素子からなり、それらの
自発分極方向が、並I;11でループ状に接続され、光
変調素子の各々の電極が、各々の接続回路に接続された
ものが好適である。
光起電力効果を有する誘電体基板及び受光素子の組成材
料は、圧1セラミックスで、バルク光起電力効果を有す
るランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛で、Laを3jX
子%添加したP L Z T (3152/48)、即
ち、P b *、etL a *、em(Z r e、
s4 i a、am)e、setsom或いは、これに
WO5を0〜2.0JG(子%添加L タP L Z 
T(3152/48)−rあり、透明な光変調素子は、
ランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛P L Z T (
9/65/35 )即ち、P b e、s+ L a 
*、ee(Zr *、aaT i e、m5)s、ey
yiosである構成が好適である。
光起電力効果を有する誘電体基板の受光素子を駆動源と
し、2次光学効果の大きなPLZTを光変調素子として
、誘電体基板」;に、駆動光の方向と信号光の方向が重
ならないように、機能を有する誘電体を基板として、そ
の上に光変調素子を配置して、組合わせることにより、
(υ何らかの増幅回路を用いることなく、駆動光のλ力
により、他の信号光の出力を直接コントロールすること
ができる。■小型化、軽量化、薄形化を存易にすること
ができる。c3)信号光が誘電体基板と平行に入射する
ため基板は、不透明なものでも使用でき、最も好適な材
質を自由に選択することができる。(0最も好適な材質
の基板が選択できるため、制御回路を形成した基板が、
使用できるので、配線の工程を筒略化でき、また、信頼
性の高い光変調装置を、より安価に製造することができ
る等の効果が期待できる。
更に、受光素子に、WO8を添加したPLZTを用いる
ことにより、より大きなバルク光起電力効果を得ること
が可能となった。
本発明は、光により光を制御する装置において、電気的
回路を形成した誘電体基板の一ヒに、1個或いは2個の
バルク光起電力効果を有する受光素子を形成し、互いの
自発分極の方向が、直列、或いは並列に電気回路−Hに
接続し、電気光学効果を有する光スイツチ素子を、その
信号光の透過方向が、基板の面に7行になるように、配
置し、信号光に平行になるように設けられた1対の電極
が誘電体基板内の各々の受光素子の各々の電極に配線接
続されるようにしたものである。
また、受光素子の材料として、従来から用いられている
PLZTの他、バルク光起電力効果が大きくなるように
WOsを2.0原子%まで添加したP L Z T (
3152/4g)ヲ用イタ。
次に、添付図面により本発明を更に説明する。
第4図は、本発明の装置の一例を示す斜視図である。即
ち、本発明の光学装置の例丞の構造図であり、6は、分
極処理によりバルク光起電力効果を示す誘電体基板であ
り、7は基板上に形成された電気回路で、2個のバルク
光起電力効果を有する受光素T−A、B、即ち各々8と
9は、自発分極の向きが直列になるように基板上に形成
きれ、前記の回路に接続されている。
電気光学効果を有する光変調素子10は、信号光11が
基板6の面に平行に透過するように、配PLされ、電極
12は、透過光に垂直方向に、電界を印加するように、
透明な誘電体100両側面に形成され、各々の端子は、
受光素子8.9の各々の端子を結合する回路7に接続さ
れている。
第4図において、更に、光変調素子10では、信号光1
1の入射面と出射面の両面に、偏光子13.14を設け
た。偏光子の偏光方向は、電界の印加方向と45°をな
し、且つまた、2つの偏光子の偏光方向が互いに直交4
゛るように設置した。
駆動光15は、例えば水銀灯等により、基板面に垂直に
照射される。
次に、第5図に示す光制御装置は、本発明の光制御装置
の動作特性を測定し、確認するための測定方法を示す、
16は、信号光11を発生するHe−Neレーザ′jt
源を示し、17は、光検知装置で、18は:lンビュー
タであり、検知きれた光強度等の測定データを記録する
ものである。19は、水銀ランプで、15の駆動光を発
生する。また、駆動光15は、受光素子8.9のどちら
か一方或いはその両方に照射できるものである。
次に第6図は、本発明の光制御装置の他の例であり、光
変調素子10を受光素子8.9の作る回路のループの外
側に配置した例である。2つの受光素子が隣接している
ために、制御光15をあまり振らなくても、光制御装置
を制御できるものである。
次に、第7図は、本発明の光制御装置の他の例であり、
光変調素子10に入射する信号光が、受光素子8.9の
分極方向に直交する方向から入射するように配置構成き
れた例である。
次に、第8図は、本発明の光制御装置の他の例であり、
受光素子8.9の形成された面の反対側の面にも光変調
素子が配置構成された例である。
また、第9図は、2個のバルク起電力効果を有する受光
素子8.9の自発分極の向きが並列になるように配置さ
れ、回路が接続されている。従って、2倍の〒さて制御
できる装置が得られる。
[作用] 本発明の光制御装置の動作原理を第5図の測定装置を示
す図面を取り、説明する。
電界が印加される前の光シヤツターに信号光が入射して
も、偏光子が直交している状態になるため、原理的に出
射光は、得られない。
次に、受光素T−8に、水銀ランプ19により光15を
照射すると、バルク光起電力効果により発生した電圧が
、光変調素子10に印加妨れる。入射側の偏光子13で
直線偏光を受けた信号光11は、電圧が印加された光変
調素子10を通過するが、このとき、電気光学効果のた
め、入射光11のうち、出射光側の偏光子14を通過で
きる成分の光が生じ、出射光が得られる。
始めの信号光11が遮蔽された状態をオフ状態、信号光
11が透過した状態をオン状態とすれば、光による入力
により光の信号が、制御されることになる。
なお、ここでは、偏光子が直交している状態の場合につ
いて説明しているが、他の例として、偏光子が平行な場
合には、電界が印7Il[+される前のシャッターに信
号光が入射すると、出射光が得られ、オン状態になり、
受光素tに水銀ランプ光が照射されると才)状態となり
、反対の制御が行なわれる。
次に、水銀ランプの光15の光路を切り替えて、もう1
つの受光素子9に照射すると、はじめの受光素子8と自
発分極Psの向きが反対なので、はじめに印加した場合
とは、逆の起電力が発生する。従って、オン状態の光シ
ルツタ−素子12は、逆の電圧が印加されることにより
、オフ状態を誘導きれる。このように駆動光15の光路
を切り替えて、照射する受光素子8或いは9に替えるこ
とにより、光の信号11を制御することができる。即ち
、以上のように電気的な駆動回路を用いることなく、光
、例えば、15によって、他の光例えば、11をフント
ロールすることができるものである。
次に、本発明の光制御装置について、次の実施例により
、説明rるが、本発明は、次の実施例に限定されるもの
ではない。
[実施例1] [オン、オフ制御] 第4図の斜視図に示す構成の光制御装置を次のようにし
て作製した。
先ず、2.5X2.5c■の画才法の次の組成物の基板
6を作製した。
即ち、3原T%のLaでpbサイトを置換し、ZrとT
(の比率が52:4Bであるチタン酸ジルコン酸鉛、即
ち、 P b *、ev L a 6.11(Z T *、s
mT i *、4s)*、e*tiOs[以下略しテP
 L Z T (3152/48 )と称する]の組成
焼成板を基板6とし、第4図に示すような回路パターン
7を、銀−パラジウムペーストを印刷し、焼き付けるこ
とにより形成した。ここで受光素子8.9となる部分は
、電極間隔16■、電極寸法5X1■の電極21.22
を2対形成した。
また、9原T−%のLaでPbサイトを置換し、Zrと
Tiの比率が65.35であるチタン酸ジル:Jン酸鉛
、即ち、 P b *、*+ L a 1.@@(Z f *、s
mT i *、5a)s、*ytio s[以下略して
、P L Z T (9/65/35 ) ト称する]
の組成物体の2.5X4X15mの寸法の透明なセラミ
ックスの4 X 15mlの両面に、銀パラジウム電極
12を焼き付け、この1対の電極に直交し、互いに、平
行な2.5X4mの1対の面13.14を、鏡面研摩し
、信号光11の散乱が、起こり難いように、信号光の入
出射面とした。
これ10をP L Z T (3152/48 )基板
6の上に、第4図に示すように設置し、接着謂で接合し
た。
この鏡面研摩した面に、偏光子13.14として、ボラ
[1イド(登録商標)板を接着剤で貼り付けた。ポラロ
イド(登録商標)板は、偏光方向が電界の印加方向と4
5@をなし、また、2つの偏光方向が互いに直交するよ
うに設定した。接着剤は、信号光の光路にかからないよ
うに、塗布、硬化させて、光変調素子とした。
受′X:素子部分8.9は、誘電体基板」二に形成され
た電極21.22に、分極方向が互いに反平行になるよ
うに、2kV/■の電界を印加して、分極処理を施し、
基板」二に形成した。この操作のため、2つの受光索子
8.9は、分極処理が終了するまでは、電気回路的には
、分離しである0分極処理後、受光索子・8.9の自発
分極の方向が直列になるように、第4IyJの19の部
分で、導線をハンダ付けするなどして、電気回路7を形
成し、次に、室温で硬化する銀ペースト或いはハンダを
用いて、光変調素f10と回路パターン7との導通を形
成きせた。
得られた第4図の光制御装置の動作特性を、第5図に示
す方法で測定した。測定用信号光としては、赤色He−
Neレーザ16を用いた。光スィッチを透過した赤色光
の光量は、光検知装置17で測定し、そのデータをコン
ピュータ18で記録した。
P L Z T (3152/48 ) (7)受光素
子AとB、即ち、8.9に、水銀ランプ光を交互に5秒
間ずつ照射しながら、光スイツチ素子の応答特性を測定
した。その結果を第1θ図に示した。
また、駆動光をAに照射すると、オン状態で駆動され、
Bに照射するとオフ状態で駆動され、信号光のS/N比
は、4.5〜5dBであった。
尚、本実施例では、偏光子13.14を、誘電体Fラミ
ックスPLZT(9/65/35)体10に直接貼り付
けたが、誘電体セラミックスから距離をおいて、設置し
ても、所要の特性が得られることが明らかである。
本実施例で明らかなように、基板自体が圧電体であるの
で、受光素子の形成は、電極を形成して分極処理を施す
だけで、所望の特性が得られ、製造工程が簡易化され、
また、基板の小型化が図られる。基板と透明セラミック
ス体の接合は、ガラスペーストで行なうこともでき、同
じPLZT系材料なので、1000〜1300°Cの高
温下で加熱しながら、焼結成いは融着することによって
もできる。この場合には、2種類のPLZT組成物を接
合した後、前記のような回路形成、分極、回路と素子の
電気的結合、偏光子の設置を行なう。
[実施例2] [!3しj1処ヱリ引未コ I−述の実施例1において、受光素子の材質をPLZ 
T (3152/48 ) ニ代、t−c、WO,を0
.5原f%添加したP L Z T (3152/4g
 )を用いた場合の実施例を示す。
受光素子8.9の寸法は、実施例1のものと同様で、5
X1■の電極を1対16−の間隔で設け、第4図の斜視
図に示すような構成のものであり、電極の形状、分極条
件及び光スイツチ回路の構成は、実施例1に準じたもの
である。また、形成された素子回路の動作特性を実施例
1と同様に渭定した。その結果を、第11図に示1゜得
られたS/N比は、G〜7dBであった。
実施例1番こ比べ!、5〜2.5dBの向上が見られた
。これは、P L Z T (3152/4g )に、
WOsを添加した効果である。尚、WOlを各々1゜0
.1.5.2.0.2.5i子%に増加させ下、添加し
た材料で受光素子を形成許せたところ、1.0原f%及
び1.5原f%の場合では、S/N比が、無添加のPL
、ZTを用いた場合のS/N比よりも大きく、また、2
.0原f%添加のPLZTで、無添加のPLZTを用い
た場合のS/N比と同じで、2.5原f%添加のPLZ
Tでほやや劣っていた。
従って、W Osの0〜2.0原f・%添加晴の範囲が
、最もS/N比の向上効果が見られた。
[実施例3] [スイッチ 子を受 素子回路の外側に設置]第6図に
示すように、光スイツチ素子10を、2個の受光素子8
.9を構成するループ状回路の外側に配置した構造の光
−光スイツチ素子を作製した。
この構造の利点は、受光素子8.9が隣接しているので
、駆動光のビームの切り替え幅を小柊くできるという点
である。
また、受光素子の材質は、実施例2と同じようにW O
s添加の材料を使用したところ、S/N比は、実施例2
と同様に、6dBであった。
[実施例4] [駆  が 号 と なる  から入射する構成]これ
は、実施例1の変形であり、第7図に示すものである。
信号光11は、受光素子8.9の分極方向(点線矢印で
示す)に直交する方向から入出射するもので、これに対
して、実施例1では、信号光11は受光素子8.90分
極方向に、平行な方向から入出射する。他は、実施例1
の第4図と同じものを月いた。
[実施例5] [光 調素子が6光素子の反 面に設置された例1本実
施例は、第8図に示される。第8図の上の図は、受光素
子を形成した誘電体基板面から見たものであり、下の図
は、その反対側から見たもので、光変調素子形成した面
から見たものである。
基板6の寸法は、15X20■で、厚さ0.5−であり
、5×1mの電極21.22を2対形成し、電極間隔1
6閣で、また、反対面に光変調子10のための回路7を
予め形成し、互いに反平行に分極したもので、反対面に
、光変調子10を形成したものである。
P L Z T (9/65/35 ’)組jiE(7
)anJI セラミツ’) ス体lOの寸法2.5X4
X10111mの両面に4×10−の電極12を形成し
、基板6に接着し、各々の電極12をハンダ或いは導電
ペーストで接続し、受光素7・8.9は自発分極が直列
に接読される。
光変調素子10は、自発分極が直列に接続諮れる。光度
調素子10は、各々の受光素子8.9に並列に接続され
る。
受光素子8.9に、水銀ランプ光を照射して、光起電力
を発生せしめる。
信号光11は、自発分極に直交する方向から入出射され
、駆動光が信号光11と基板6の反対面に照射されるた
め、光学的混信の心配が極めて少ない。
また、基板の両面を使用できるので、コンパクトな構造
にすることができる。
[実施例6] [平行分極の受光素子構成] 本実施例では、第9図に示す配置のものを使用し、図示
のように受光素子8.90分極方向が互いにV行になる
ように並列に接続した。
その動作特性を、第5図に示す方法で測定した、即ら、
2個の受光素子8.9に同時に駆動光15を照射4−る
ことにより測定した。
受光素fであり、誘電体基板であるもの6の材質は、実
施例2のものと同じで、wo、o、s原子%添加(7)
 P L Z T (3152/4g )テある。
駆動光オフ状態から光照射を始めて、透過光1!の強度
が6dBになるまでの時間は、2〜2゜5秒間であり、
これは、実施例2の場合のように、一方の駆動素子に駆
動光を照射した場合に比べて、約1/2の時間である。
このように、光の照射を検出するためには、2個の受光
素子の自発分極の向きを並列にした構造を用いることに
より、より早い光シャッタの開状態を実現できることが
確認きれた。
第10図は、逆方向に分極した2つの受光素子A、Hに
交互に光を照射したときの本発明の光制御装置の光応答
特性を示すグラフである。
fpJ11図は、0.5重量%W Oa添加の材質を用
いたときの同様な本発明の光1I7I制御装置の光応答
特性を示4グラソである。
[発明の効果] 本発明によると、光起電力効果を有する誘電体を基板と
し、その基板に受光素子を直接設は駆動源とし、同じ基
板にに透明な電気光学効果を有する誘電体よりなる光導
波路及び光変調素子を形成し、1−記の2種類の機能素
子、即ち、受光素子と光変調素子が電気的に接続してい
るため、(1)何らかの増幅回路を用いることなく、駆
動光の人力により、他の信号光の出力を直接フントロー
ルすることができる。
(211小型化、軽量化及び薄形化を容易にすることが
できる。
0)製f+[程の合成化により、コストパフォーマンス
を向−Ftせることができる。
(旬高い信頼性と速い動作特性を実現できる等の効果が
期待できる。
更に、光起電力効果を有する誘電体基板或いは受光素子
に、Laを3モル%添加し、更にWolを2原f%まで
添加したランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛P L Z
 T (3152/4gを用いることにより、より大き
なバルク光起電力効果を得ることができて、SlN比の
向ヒ及び従来の光制御装置に比べて高速の動作が可能に
なった。
更に、光度:Ji素子及び光導波路が基板と同じ組成系
のランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛PLZT (9/
65/35 )であるため、一体形成、一体焼成などの
製造工程の合理化と、それによるコストパフォーマンス
の向上の効果が期待できる。
また、本発明によると、光起電力効果を有する誘電体自
体を回路基板とした場合にも、光変調素子を透過する信
号光が、この光起電力効果を有する誘電体基板面を透過
せず、受光素子を駆動する駆動光が信号光と異なる方向
から入射するよう樟、例えば、光変調素子の受光面が誘
電体基板と平行な構造をとることにより、S/N比の高
い光i制御装置を製作することができる。また、駆動光
の受光面と光変調素子とを基板の合い異なる面に配置す
ることにより、以トに説明した技術的効果が得られると
同時に、基板面積の有効利用することにより、作用素子
を更に小型化できるという利点がある。
更に、本発明の光制御装置は、 (1)lによる光のセンシングができること、■光演算
装置の基礎ユニット等に応用することができ、また、そ
れに有効である装置を提供することができたものである
4.11車な図面の説明 第1図は、従来の光制御装置の構造を模式的に示す斜視
図である。
第2図は、従来の全光制御型電気光学素子で得られた動
作特性を示す、レーザー出力変化と経過時間でプロット
したグラフである。
第3図は、本発明者らによる先の出願にかかる発明によ
る光制御装置の構成を示す平面図である。
第4図は、本発明による光制御装置の構成を示す1例を
示す斜視図である。
第5図は、本発明の光制御装置の特性を測定するための
構成を示す概念図である。
第6図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
す模式図である。
第7図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
す模式図である。
第8図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
す模式図である。
第9図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
す模式図である。
第10図は、本発明による光制御装置で測定された特性
を示すグラフである。
第11図は、本発明の光制御装置による測定光応答特性
を示すグラフである。
特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人 弁理士
  倉 持  裕 第1図 第2図 第9図 手続補正書 平成1年4月13日 特許庁長官 Ii[41文 毅 殿 1、事件の表示 平成1年特許願第9959号 2、発明の名称 光制御装置 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 東京都千代F口区丸の内−T目5番1号名称 三
菱鉱業七メント株式会社 代表者 藤 村 iE  哉 4、代理人 住所〒101東京都千代FH区神1B須田町1丁目2番
地日邦・四国ビル3F 5、補正命令の日付 自  発 6、補正の対象

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光起電力効果を有する誘電体を基板として用い、
    その一部に受光素子を設け、 同じ基板上に、透明な電気光学効果を有する誘導体より
    なる光導波路或いは光変調素子(以下、これらについて
    、代表させて光変調素子とする)を形成し、前記の2つ
    の機能素子、即ち、受光素子と光変調素子が電気的に接
    続して構成されており、 前記の受光素子に光を照射することにより、前記光変調
    素子を駆動し、光により光を制御することを特徴とする
    光制御装置。
  2. (2)前記の光変調素子において、前記の、透明な電気
    光学効果を有する誘電体に対する、信号の入射面と出射
    面には、各々の偏光方向が互いに直交し、また印加電界
    の方向に互いに45°をなすように2つの偏光子が取り
    付けられており、前記の誘電体基板内に形成された受光
    素子は自発分極の方向が揃えられていることを特徴とす
    る請求項第1項記載の光制御装置。
  3. (3)前記光変調素子を透過する信号光が、前記の光起
    電力を有する誘電体基板面を透過せずに、前記受光素子
    を駆動する駆動光が該信号光と異なる方向から入射する
    ことを特徴とする請求項第1項記載の光制御装置。
  4. (4)前記光変調素子を透過する信号光が、前記の光起
    電力効果を有する誘電体基板面を透過せず、前記受光素
    子を駆動する駆動光が、該信号光と異なる方向から入射
    するようにするため、該光変調素子の信号光の入射面及
    び出射面が、この誘電体基板と垂直であり、且つ、該受
    光素子の受光面が、前記誘電体基板と平行であることを
    特徴とする請求項第3項記載の光制御装置。
  5. (5)該光変調素子が、該受光素子と反対側の基板面に
    設けられていることを特徴とする請求項第4項記載の光
    制御装置。
  6. (6)前記の受光素子が2個の受光素子からなり、それ
    らの自発分極の方向が、直列でループ状に接続され、該
    光変調素子の各々の電極が、前記の各々の受光素子に並
    列に接続されたことを特徴とする請求項第1項記載の光
    制御装置。
  7. (7)前記の受光素子が2個の受光素子からなり、それ
    らの自発分極の方向が、並列でループ状に接続され、該
    光変調素子の各々の電極が、前記の各々の受光素子に並
    列に接続されたことを特徴とする請求項第1項記載の光
    制御装置。
  8. (8)前記の光起電力効果を有する誘電体基板が、圧電
    セラミックス体で、各々バルク光起電力効果を有するラ
    ンタン添加チタン酸ジルコン酸鉛で、Laを3モル%添
    加したPLZT(3/52/48)、即ち、▲数式、化
    学式、表等があります▼ 及びこれにWO_3を0〜2.0原子 %添加したPLZT(3/52/48)であり、前記の
    透明な光変調素子が、ランタン添加チタン酸ジルコン酸
    鉛PLZT(9/65/35)即ち、▲数式、化学式、
    表等があります▼である ことを特徴とする請求項第1項記載の光制御装置。
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US07/456,970 US5050969A (en) 1988-12-26 1989-12-26 Photo-driven switching apparatus
DE3943041A DE3943041A1 (de) 1988-12-26 1989-12-27 Durch licht betriebene schaltvorrichtung
GB8929205A GB2229543B (en) 1988-12-26 1989-12-27 Photo-driven switching or modulating device

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JP2006073669A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology センサ、センサアレイ、電流測定装置
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