JPH02188000A - 不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリを内蔵した
マイクロコンピュータに関する。

（従来の技術） 近年、ＥＥＰＲＯＭ等の書き込み可能な不揮発性メモリ
の大容量化が進められている。Ｓき込み可能な不揮発性
メモリは、電源が断たれても記憶内容が消滅しないとい
う特徴を元来有しており、大容量化をきっかけと、して
、様々な分野での利用が検討されている。特に、ワンチ
ップマイクロコンピュータの分野では、書き込み可能な
不揮発性メモリは、内蔵プログラムを書き換えられると
いう利点があるため、非常に有望視されている。

従来より、ＥＥＰＲＯＭの信頼性を高めるために、メモ
リセルの構造や製造プロセスの改良が施されてきており
、またＥ　ＣＣ（Ｅｒｒｏｒ　Ｃｈｅｃｋｉｎｇａｎｄ
　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　）回路の付加による改良等の
努力がなされている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したようなメモリセル構造や製造プ
ロセスの改良、並びにＥＣＣ回路の付加等のメモリ単体
での対策では、未だ十分な信頼性を達成するには至って
おらず、不良品率がかなり高いのが現状である。このた
め、その書き込み手段の特質ともあいまって、ＥＥＰＲ
ＯＭ等の不揮発性メモリは、マイクロコンピュータ等の
高い信頼性及び大容量が要求されるシステムや、書き換
え回数の多いシステムへの導入については信頼性の点で
大きな問題があった。

本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
その目的をするところは、内蔵したＥＥＰＲＯＭ等の不
揮発性メモリに書き込まれるデータの信頼性を高めるこ
とができる不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータを
提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明の不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータは、
不揮発性メモリ、データバッファ、外部から入力された
データを該不揮発性メモリ及び該データバッファに書き
込む手段、該不揮発性メモリに書き込まれたデータと該
データバッファに書き込まれたデータとを比較する手段
、並びに該比較手段による比較の結果、両データが一致
しない場合に該不揮発性メモリの一部の領域を無効とす
る手段を備えており、そのことにより上記目的が達成さ
れる。

（作用〉 該書き込み手段によって該不揮発性メモリに書き込まれ
たデータと該データバッファに書き込まれたデータとが
該比較手段によって比較される。

その比較の結果、両データが一致しない場合には、該不
揮発性メモリに不良がある可能性が検出されたことにな
る。従って、上記比較に於いて不一致が生じたビット、
バイト等を含む不揮発性メモリの一部の領域を無効とす
る。上記一部の領域を無効にする前に、不揮発性メモリ
の同じ領域にデータの書き込みを再び行い、不良の可能
性を再度チエツクすることもできる。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。

第１図に本発明の一実施例の概略ブロック図を示す０本
実施例のマイクロコンピュータ２は不揮発性メモリとし
てＥＥＰＲＯＭ４を内蔵している。

マイクロコンピュータ２は更に、ＣＰＵコア３、ＲＡＭ
等からなるデータバッファ５及びコンパレータ６を備え
ている。ＥＥＰＲＯＭ４及びこれらの構成要素は、デー
タバス、コントロールバス等を含む内部バス７によって
相互に接続されている。

第１図では、ＥＥＰＲＯＭ４へのデータの書き込み時に
ＣＰＵコア３を動作させるためのプログラムを格納した
ＲＯＭ等は図示されていない。

ＥＥＰＲＯＭ４へのデータの書き込み時に於ける本実施
例の動作を第２図及び第３図を参照して説明する。

ステップ５Ｉ ＣＰＵコア３は外部から入力されるデータの内の所定の
ビット数のデータを読み込み、そのデータをＥＥＰＲＯ
Ｍ４に書き込むとともに、同じデータをデータバッファ
５の所定の領域１２（第３図参照）に書き込む、ステッ
プＳ１の１回の実行で読み込まれるデータの量はデータ
バッファ５の全領域から使用済み又は使用予約済みの領
域１１を除いた未使用領域１３に収まる範囲内であれば
よいが、このデータの量が小さいはどＥＥＰＲＯＭ４の
有効領域が増す。

ステップ５２ ＣＰｔＪコア３はステップＳ１で書き込んだデータをＥ
ＥＰＲＯＭ４及びデータバッファ５の領域１２から読み
出し、これらのデータをコンパレータ６に転送する。コ
ンパレータ６ではＥＥＰＲＯＭ４から読み出されたデー
タとデータバッファ５から読み出されたデータとをビッ
ト、バイト等を単位として比較する。

ステップＳ３ ＥＥＰＲＯＭ４及びデータバッファ５から読み出された
データに一致しない部分がある場合には、ＣＰＵコア３
内のエラーフラッグが立ち、次のデータの書き込みが中
止され、ステップＳ４へ進む。

データの一致がみられた場合にはステップＳ１へ戻る。

ステップＳ１では、次のデータブロックが読み込まれ、
読み込まれたデータはＥＥＰＲＯＭ４の今までに書き込
みが行われていない領域に書き込まれる。ステップ８１
へ８３が繰り返される度に、ＥＥＰＲＯＭ４の新たな領
域に書き込みが行われる。尚、ステップＳ１で読み込む
べきデータがなくなったならば、処理が終了する。

ステップＳ４ 変数ｉにＯを設定する。変数ｉは後述するＥＥＰＲＯＭ
４への再書き込みの回数を示すものである。ＥＥＰＲＯ
Ｍでは一度書き込みに失敗しても、書き込みを繰り返し
行ううちに成功する場合がある。このことを考慮して、
ステップＳ３に於いてデータが一致しない場合にＥＥＰ
ＲＯＭ４の同じ領域に再書き込みを行うことができる。

ステップＳ５ 変数１が予め定められた再書き込みの回数の上限よりも
小さければ、ステップＳ６へ進んでＥＥＰＲＯＭ４への
再書き込みを行う。そうでなければステップＳ１０へ進
む。例えば上限値が０であれば、再書き込みは一度も行
われることがない。

上記上限はＥＥＰＲＯＭ４の特性に応じて定められる。

ステップＳ６ ＥＥＰＲＯＭ４の直前に書き込みが行われた領域に同じ
データを再度書き込む、このデータはデータバッファ５
の領域１２から得られる。

ステップ８７〜Ｓ９ ステップＳ２と同様に、ＥＥＰＲＯＭＪ内のデータとデ
ータバッファ５の領域１２内のデータとを比較し、両者
が一致した場合にはステップＳ１に戻って次のデータの
書き込みを行う、一致しない部分がある場合には変数ｉ
に１を加えてステップＳ５へ戻る。

ステップＳ１０ データの書き込みが行われているＥＥＰＲＯＭ４の領域
全体又はその領域の内の不良のビットを含む一部の領域
を無効領域とし、即ちその領域を使用しないものとし、
ＥＥＰＲＯＭ４の別の領域に書き込みを行いステップＳ
２に戻る。本ステップでＥＥＰＲＯＭ４に書き込まれる
データもデータバッファ５の領域１２から得られる。

以上に説明した手順でＥＥＰＲＯＭ４の不良ビットの使
用を防止することができる。第３図は、ＥＥＰＲＯＭ４
の領域１４．１５及び１６＆、：’！１込みを行ったと
ころ、領域１６に不良があったため領域１６を捨て去っ
て領域１７に書き込みを行った状態を示している。

（発明の効果） 本発明の不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータでは
、不揮発性メモリへのデータの書き込み時に不揮発性メ
モリの不良部分の使用を回避することができる。従って
、実使用段階において不揮発性メモリに確実に誤りなく
データを書き込むことができ、外部手段を用いることな
く不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータの信頼性が
飛躍的に高められる。

４・′　の、ｔ＠Ｂ 第１図は本発明の一実施例の概略ブロック図、第２図は
その実施例に於けるＥＥＰＲＯＭへの書き込み処理の手
順を示すフローチャート、第３図は書き込み処理の途中
に於けるＥ　Ｅ　Ｐ　ＲＯＭの内容等を模式的に示す図
である。

２・・・不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ、３
・・・ＣＰＵコア、４・・・ＥＥＰＲＯＭ、５・・・デ
ータバッファ。

比願人　シャープ株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、不揮発性メモリ、 データバッファ、 外部から入力されたデータを該不揮発性メモリ及び該デ
   ータバッファに書き込む手段、 該不揮発性メモリに書き込まれたデータと該データバッ
   ファに書き込まれたデータとを比較する手段、並びに 該比較手段による比較の結果、両データが一致しない場
   合に該不揮発性メモリの一部の領域を無効とする手段 を備えた不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ。