JPH02184800A - Ｘ線撮像装置およびそれを用いたｘ線顕微鏡 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入射Ｘ線像の情報を蓄積し、これを電子ビー
ム走査により読み出して電気信号に変換する蓄積型ＸＡ
ＩＡ撮像装置、およびＸ線顕微鏡に関するものである。

【従来の技術〕

入射Ｘ線の画像情報を蓄積して読み出す蓄積型ｘｍｍ像
装置として知られている代表的なものとしては、大別し
てつぎの２方式がある（「撮像工学」；二宮他編著、コ
ロナ社ｐｐ３２３−３２６　（１９７５））。

第１の方式は、入射Ｘ線を蛍光板やｘｉイメージインテ
ンシファイアなどで受け、それによる−般的には可視光
の２次画像を、イメージオルシコンや通常の光導電型撮
像管などで検出するものである。この方式では、Ｘ線像
を蛍光体によって２次画像に変換してから撮像するため
、高解像度が得にくく、例えば１１００ｎ以下の高い解
像度を得ることはほとんど不可能である。

第２の方式は、光導電型Ｘ線ｍ像管によってＸ線像を直
接検出する方式である。第６図は光導電型Ｘ線撮像管の
基本構成の模式図である。第６図において、基板（ｉｏ
ｌはＸＩＩＡの透過率が高いことが要求されるため、Ｘ
線透過性の電極層６０２を兼ねて金属ベリリウムを用い
る場合が多い、また、光導電体６０３としてはＸ線を吸
収して電子−正孔対を生成し、かつ高抵抗である必要か
ら、酸化鉛や非晶質セレンなどが用いられる。このよう
な構成の光導電ターゲットに所定のターゲット電圧６０
４を印加して電子ビーム６０５による走査を行うと、光
導電体６０３の走査側表面がカソード電極６０６と同電
位に平衡するまで負に帯電し、電極層６０２と走査面の
間の静電容量が充電されて、光導電体６０３中に電界が
生じる。この状態でＸ線６０７が入射すると光導電体６
０３中で電子−正孔対が生成され、上記電界によって正
孔が走査面まで走行して電子と再結合する。このように
して、入射Ｘ線分布に対応した電位分布が形成された走
査面を、再び電子ビーム走査によって再充電してゆく過
程で、負荷抵抗６０＆に流れる電流を検出して入射ｘｖ
Ａ像に対応した電気信号を得る。なお、第６図における
６０９は出力端子である。

上記第２の方式の場合には、上記第１の方式に較べて装
置が小型になり、また、光導電体６０３を薄くすれば比
較的高い解像度が得られるので、高解像度でのＸ線像検
出が必要なＸ線顕微鏡に用いることも提案されている（
特開昭６１−２６７０００号）。

（発明が解決しようとするＩｌｌ　’１１１　）上記従
来例で記した光導電型Ｘ線撮像管で高い解像度を得るた
めには、走行するキャリアの横流れによる電荷パタンの
ぼけを防ぐために、光導電体の膜厚を十分薄くしなけれ
ばならない、しかしこの方式では、光導電体が形成する
静電容量への放電と充電とによって、信号の蓄積および
読み出しを行うので、例えば１ＱＯｎ　ｍ以上の高解像
度を得るような場合には、光導電膜を十分薄くすると、
容量性の残像が非常に大きくなって応答性が悪くなると
いう欠点を有している。また、物質による吸収が特に大
きい、例えば波長１１−１Ｏｎの軟Ｘ線像を検出しよう
とする場合には、基板、かつ／または電極層でのＸ線吸
収が避けられない。

本発明の目的は、高解像度でのＸ線像検出が可能であり
、かつ、電極層を必要としないため、吸収され易い軟Ｘ
ｖＡ像の検出も可能であるような、Ｘ線撮像装置を得、
高解像度のＸ線順ＩＩｌ鏡を得ることにある。

（１１１１１題を解決するための手段〕上記目的は、少
なくともＸ線の入射によって光電子を放出する絶縁性光
電子放出層を有する受光面と、該受光面から放出された
光電子を捕獲するコレクタ電極と、上記受光面を走査す
る電子ビーム系とを具備し、入射Ｘ線量の分布に応じた
光電子が上記受光面から放出されることによって生じる
受光面上の電位分布を、上記電子ビーム走査系によって
読み取り、入射Ｘ線像を電気信号に変換することによっ
て達成される。また、高解像度のＸ線顕微鏡は本発明に
よるＸ線撮像装置と、所定のＸ線源と、該Ｘ線源から照
射されて試料を透過したＸ線が上記Ｘ線撮像装置に入射
するようなＸ線光学系とを少なくとも備え、上記Ｘ線撮
像装置により試料の像を電気信号として検出することに
よって達成される。なお、上記受光面とはＸ線の入射を
受ける面をいい、光電子とは少なくともＸ線の入射によ
って放出される電子をいう。

〔作用〕

本発明によるｘｌ撮像装置の動作原理の要点は、入射Ｘ
線量に応じた光電子が放出されて電位分布が形成された
受光面を、電子ビームで走査して信号を読み出すことで
ある。電子ビーム系の動作方式は、電子ビーム走査によ
って受光面の電位がカソード電位に平衡する低速度電子
ビーム走査方式でも、メツシュ電位に平衡する高速度電
子ビー１１走査方式でもよい。

まず、第４図の原理構成図により、低速度電子ビーム走
査方式の場合における、本発明によるＸ線撮像装置の動
作原理を説明する。第４図において、４０１は入射Ｘ線
４０２によって光電子４０３を放出するような絶縁性光
電子放出層を有する受光面、４０４は放出光電子を捕獲
するコレクタ電極、４０５は走査電子ビーム、４０６は
メツシュ電極、４０７はカソード電位極、４０８は走査
電子ビームの戻りビーム４０９を検出するアノード電極
、４１０は負荷抵抗、４１１は出力端子、４１２は直流
電源、４１３は真空容器である。

受光面４０１は、Ｘ線入射側表面と走査側表面（走査面
）との間に大きな電位差が生じない程度に十分薄く、電
荷の横流れによる解像度劣化が起こらない程度に十分高
抵抗の材料を使用する。また、少なくとも走査面は、低
速度電子ビーム走査が可能である程度に２次電子放出比
が小さい材料、かつ／または構造になっており、走査面
にそのための電子ビームランディング層を設けてもよい
。

第４図に示す枯成の装置で電子ビーム走査を行うと、受
光面４０１に電子ビーム４０５がランディングして負に
帯電してゆくが、受光面４０１の電位がカソード電極４
０７の電位より低くなると、上記電子ビーム４０５は受
光面４０１にランディングせずに戻るため、受光面４０
１の電位はカソード電極４０７の電位に平衡する。この
状態でＸ線４０２が入射すると。

受光面４０１の表面から光電子４０３が放出され、カソ
ード電位より十分高い電位のコレクタ電極４０４に捕獲
される。これにより受光面４０１の電位は、平ｔＩＮ電
位すなわちカソード電位よりも高くなるので、受光面上
に入射Ｘ線の分布に対応した電位分布が形成される。つ
ぎの電子ビーム走査を受けると受光面は再びカソード電
位に平衡してゆくが、この過程でアノード電極４０８に
入射する戻りビーム４０９の量は、上記電位分布に応じ
て変調されるので、負荷抵抗４１０を流れる電流を検出
することによって、入射Ｘ線像を電気信号として検出す
ることができる。この読み出し方式は、従来から知られ
ているイメージオルシコン（「撮像工学」　；二宮他編
著、コロナ社、ｐｐ６９−７１　（１９７５）　）と同
様であるが、イメージオルシコンは入射光によって一定
電位に保持された光電面から放出された光電子を加速し
てターゲットに入射させ、上記ターゲットから２次電子
が放出されることによって生じた、ターゲツト面上の電
位分布を読みとるのに対して、本発明によるＸＩＩＡ撮
像装置では、入射Ｘｍによって電極層を有しない絶縁性
の光電子放出面から光電子が放出されて、生じた電位分
布を直接読み出すものである。

本発明によるＸ線撮像装置においても、イメージオルシ
コンと同様に、戻り電子を２次電子増倍部によって増倍
してからアノード電極に入射させるようにして、高感度
化がはかれることはいうまでもない。

受光面が薄く、Ｘ線の入射によって走査面からも光電子
が放出される場合は、放出光電子が戻り電子ビームの検
出系に入射すると、走査電子ビームの位置によらないバ
ックグラウンドの偽信号電流となる。上記の偽信号成分
が無視できない場合には、Ｘ線の入射を受けて信号の蓄
積を行ったのち、Ｘ線の入射を止めた状態で、電子ビー
ム走査を行って信号を読み出すようにすればよい、また
、走査面側からの光電子放出を有効に使う場合には。

走査面側からＸ線像を入射させてもよい、このとき、電
子ビーム系がＸ線入射の妨げになる場合などには、Ｘ線
像の書込み後に電子ビーム系、あるいは上記受光面を移
動させてから電子ビーム走査を行えばよい、Ｘ線を走査
面側から照射して、受光面の走査側からの光電子放出だ
けを使う場合には、光電子放出層をＸ線が透過しないほ
ど厚い基板で支持することもできる。

つぎに高速度電子ビーム走査方式を用いた場合における
本発明のＸ線撮像装置の動作原理を、第５図に示す構成
図を用いて説明する。高速度電子ビーム走査方式では、
低速度電子ビーム走査方式に較べて電子ビームを絞りや
すいので、より高解像度が得られやすいという利点を有
している。第５図において、５０１は入射Ｘ線５０２に
よって光電子５０３を放出するような絶縁性光電子放出
層よりなる受光面、５０４は放出光電子を捕獲するコレ
クタ電極、５０５は走査電子ビーム、５０６はメツシュ
電極、５０７はカソード電極、５０８は負荷抵抗、５０
９は出力端子、５１Ｏは直流電源、　５１１は真空容器
である。

受光面５０１は、Ｘ線入射側表面と走査側表面（走査面
）との間に大きな電位差を生じない程度に充分薄く、電
荷の横流れによる解像度劣化が起こらない程度に十分高
抵抗の材料を使用する。また、少なくとも走査面は、高
速度電子ビーム走査が可能である程度に２次電子放出比
が大きい材料、かつ／または構造になっており、走査面
にそのための２次電子放出層を設けてもよい。

第５図に示す上記も！成の装置で電子ビーム走査を行う
と、受光面５０１か６２次電子が放出されてメツシュ電
極５０６に入射し、上記受光面５０１は正に帯電してゆ
くが、受光面５０１の電位がメツシュ電極５０６の電位
よりも高くなると、放出された２次電子がメツシュ電極
５０６に入射せずに受光面５０１に戻るため、受光面５
０１の電位はメツシュ電観５０Ｇの電位に平衡する。こ
の状態でＸ線５０２が入射すると、受光面５０１から光
電子５０３が放出されてメツシュ電位よりも十分高い電
位のコレクタ電極５０４に入射し、受光面５０１の電位
は平ｕ位すなわちメツシュ電位よりも高くなるので、受
光面上には入射Ｘ１ｉＡの分布に応じた電位分布が形成
される。つぎの電子ビーム走査を受けると、受光面は再
びメツシュ電位に平衡してゆくが、この過程でメツシュ
電極５０Ｇに入射する電子の量は上記電位分布に応じて
変調されるので、負荷抵抗５０８を流れる電流を検出す
ることによって、入射Ｘ線像を電気信号として検出する
ことができる。

ここではメツシュ電極を用いた場合について記したが、
高速度電子ビーム走査方式で走査面からの放出２次電子
が入射する電極は、必ずしもメツシュ状である必要はな
い、また、高速度電子ビーム走査方式においても、走査
面からの放出２次電子をコレクタ電極近傍に配置した２
次電子増倍部や、蛍光面と光電子増倍管などによって増
倍して高感度化をはかることができる。受光面の膜厚が
薄く、Ｘ線入射で走査面からも光電子が放出される場合
、走査面側から放出された光電子は受光面に戻るため、
電位分布の形成には寄与しない、走査面から放出される
光電子を有効に使うためには、電子ビーム走査によって
受光面をメツシュ電位に平衡させたのち、メツシュ電極
の電位を高くして走査面からの放出光電子がメツシュ電
極に入射するようにすればよく、また、電子ビーム走査
後に電子ビーム系、あるいは上記受光面を移動させて走
査面から放出された光電子が、メツシュ電極より高い電
位の他の電極に入射するようにしてから、Ｘ線照射を行
ってもよい、受光面の走査面側からＸ線像を入射させて
、走査面側からの光電子放出だけを用いる場合には、光
電子放出層をＸ線が透過しないほど厚い基板で支持する
こともできる。

上記のように本発明のＸ線撮像装置は、外部光電効果（
光電子放出効果）によって形成された電位分布を、電子
ビーム系によって直接読み出すようにした。そのため、
内部光電効果（光導電効果）を利用する装置に較べて暗
電流が極めて小さい、出力電流と入射Ｘ線量との直線性
が良い、応答特性が早い、といった特徴を有している。

また、光電子は光電子放出面の表面から１０ｎｍ程度以
下の非常に薄い範囲から放出されるので、感度を落とす
ことなく受光面を十分薄くすることができ、極めて高い
解像度が得られる。さらに１本発明のＸ線撮像装置は受
光面に電極を必要としないので、物質による吸収が非常
に大きい軟Ｘ線像も検出することができる。なお、本発
明によるＸ線撮像装置では、受光面を蛍光体層と光電子
放出層の２層構造として感度を高めてもよい。

〔実施例〕

つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図は本発明によるＸ線撮像装置の第１実施例を示す
構成図、第２図は上記Ｘ線撮像装置の第２実施例を示す
栂成図、第３図は本発明の第３実施例としてｘｉ顕微鏡
の構成を示す図である。

第１実施例 第１図に示す受光面１０１には厚さ２００ｎ　ｍの電子
伝導性ガラスを用いた。上記受光面１０１および電子ビ
ーム系は真空容器４０２中に保持し、Ｘ線１０３は厚さ
１＋＋＋ｍのベリリウム窓１０４から導入する０本実施
例ではカソード電極１０５を接地した低速度電子ビーム
走査方式を用い、入射Ｘ１ｉ１０３によって放出された
光電子１０６電位２０００　Ｖのコレクタ電極１０７に
捕獲され、受光面１０１上に入射Ｘ線像に対応した電位
分布が形成される。このようにして形成された電位分布
を電子ビーム１０８によって走査し。

電位分布に応じて変調された戻りビーム１０９を電子増
倍部１１０で増倍してアノード電極１１１に入射させ、
負荷抵抗１１２に流れる電流を出力端子１１３から検出
する。アノード電極１１１の電位は２０００Ｖ、メツシ
ュ電極１１４の電位は９００ｖとした１本実施例では電
子増倍部１１０によって戻り電子１０９を１０００倍以
上に増倍するので特に高い感度が得られる。なお、第１
図において、１１５はグリッド電極、１１６は集束電極
、１１７は集束および偏向コイルを示している。

第２実施例 第２図を用いて第２実施例を説明する６本実施例では高
速度電子ビーム走査方式を用い、受光面を移動させて、
Ｘ線と走査電子ビームとを同一面に入射させるようにし
た。受光面はガラス基板２０１上のＭｇＯｉＪｗＡ２０
２よりな６−　上記Ｍｇｏ薄膜２０２は、高周波スパッ
タ装置内の高純度ＭｇＯターゲットに相対して上記ガラ
ス基板２０１を設置し、スパッタ装置内をＩ　Ｘ　１Ｇ
　”　Ｔｏｒｒ以上の真空度まで排気したのち、基板温
度約１００℃でスパッタリングを行って形成し、厚さは
約２０ｎ　ｍにした。このようにして形成した受光面を
装置内に設置し、電子ビーム２０３で走査して走査面の
電位を多層メツシュ電極２０４の電位に平衡させる。つ
ぎに、受光面をＸ線入射部に移動させ、ベリリウム窓２
０５を通してＸ線２０６を入射させる。受光面の電位は
上記移動時に変化して必ずしもメツシュ電位に保たれて
いないが、Ｘ線入射前は−様な電位になっている。した
がって、Ｘ線２０６の入射によって放出された光電子２
０７を、十分高い電位のコレクタｆｆ１ｔｉ２０１１１
で捕獲することにより、入射ＸＩＩＡ像に対応した電位
分布が受光面上に形成される。つぎに受光面を再び電子
ビーム走査部に移動させる。これにより受光面の電位は
上記平衡電位からＸ線による光電子放出が行われたのと
等価な電位分布となる。信号の読みだしは、多層メツシ
ュ電極２０４を用いて、電子ビーム２０３の走査によっ
て放出された２次電子のエネルギー分離を行いながら検
出して行った０本実施例のＸ線撮像装置では、ビーム径
を約１０ｎｍにした高速度電子ビーム走査方式を採用し
、光電子放出面２０２も非常に博＜シたため、特に高い
解像度が得られた。また、多層メツシュ電ｗＡ２０４に
より２次電子のエネルギー分離を行うことによって、Ｓ
Ｎ比が向上できた。第２図において、２０９はカソード
電極、２１０は真空容器を示している。

第３実施例 本発明によるＸｍ顕微鏡の第３実施例を第３図を用いて
説明する。Ｘ線源３０１から発生した波長約３ｎｍの軟
Ｘ線をゾーンプレート３０２を用いて試料３０３に集束
させ、上記試料３０３を透過したＸ線像を別のゾーンプ
レート３０４によって拡大し、Ｘ線撮像装置の受光面３
０５上に結像させる。受光面には、結晶Ｓｉの熱酸化と
選択エツチングによって形成した厚さ約５０ｎ　ｍの８
１０□を用いた。走査電子ビーム系３０７の方式は、低
速度電子ビーム走査方式で、第１実施例と同様に、戻り
電子を増倍して検出するようにした６本実施例に用いた
Ｘ線の波長は約３ｎｍと長いので、大気による吸収を避
けるため、試料近傍以外のＸ線通路は真空内に配置され
ている。また、真空室と試料室との隔壁は小さな穴でな
されており、多段の差動排気系を用いて１発生したＸ線
を窓材を透すことなく試料に照射し、同様にして真空中
のＸ線撮像装置に入射させるようにした。

本実施例の装置において、水分を含んだ生体試料を１１
１＊Ｌ、たところ、従来になく高コントラストで、かつ
、約３０ｎｍの高分解能で実時間観察が可能になった。

これは、本実施例で用いたＸ線のように波長約２．３〜
４，４ｎｍの範囲内にある軟Ｘ線は、水と蛋白質に対す
る吸収係数の差が大きいために実現されたものである。

上記Ｘ線の波長が２．３ｎｍより小さいか、あるいは４
．４ｎｍより大きい場合には、蛋白質である生体試料と
水との吸収係数が近くなるために９区別がつかなくなり
分解能が悪くなる。また１本実施例に示したＸ線撮像装
置は、基板や電極を通すことなく、直接光電子放出面に
Ｘ線を入射させるので、上記のような軟Ｘ線の検出に、
適しているばかりでなく、上記のような高分解能ａｍが
可能になった０本発明によるＸ線撮像装置では、入射ｘ
ａによる信号の蓄積時間が長いほどＸ線像の検出感度が
高くなるが、一方、ＸＩＡ像から電気信号への変換に要
する時間が長くなる。

したがって、本実施例のＸ＠顕微鏡では信号の蓄積時間
を可変とし、例えば、比較的蓄積時間を短くして、実時
間的に画像をＷ１祭しながら視野探しを行い、所定の画
面では蓄積時間を長くして、より高感度で撮影を行うこ
とができるようになった。

なお、第３図において、３０６は光電子のコレクタｆｆ
電極である。

本実施例のＸ線光学系は一例を示したものであり、用い
るＸ線の波長がこれに限るものでないことはいうまでも
ない、また、Ｘ線光学素子にゾーンプレートを用いたが
、多層−反射鏡やその他の素子を用いても実現可能であ
る。要は、Ｘ線源から放射されたＸ線を試料に照射し、
透過したＸ線を光学素子によりＸＩＩＡ撮像装置に結像
させる構成のものであれば、本発明の本質を損なうこと
な〈実施できる。

上記のように本発明によるＸＩ＠撮像装置およびｘｇ顕
微鏡の実施例を示したが、受光面の材料、構成および電
子ビームによる電位分布の読み出し方法などが、上記実
施例で用いたものと必ずしも同一でなくてもよいことは
言うまでもない０本発明の本質的要件は、Ｘ線の入射量
に応じて光電子が放出されることにより生じた受光面上
の電位分布を、電子ビームの走査によって読み出し電気
信号に変換するＸ線撮像装置、または該Ｘ線撮像装置を
具備した装置にある。

〔発明の効果〕

上記のように本発明によるＸ線撮像装置およびそれを用
いたＸ線顕微鏡は、Ｘ線の入射によって光電子を放出す
る絶縁性光電子放出層を有する受光面と、該受光面から
放出された光電子を捕獲するコレクタ電極と、上記受光
面上を走査する電子ビーム系とを、少なくとも具備し、
入射Ｘ線量の分布に応じた光電子が上記受光面から放出
されることにより上記受光面上に生じた電位分布を、上
記電子ビーム走査系で読み取り入射Ｘ線像を電気信号に
変換する手段を有することにより、吸収されやすい軟Ｘ
ｉｔ高解像度で検出でき、暗電流が小さく、出力電流と
入射Ｘ線量との直線性がよく。

かつ、実時間性を有するＸ線撮像装置およびｘｌ顕微鏡
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＸ線撮像装置の第１実施例を示す
構成図、第２図は上記Ｘ線撮像装置の第２実施例を示す
構成図、第３図は本発明の第３実施例としてＸ線顕微鏡
の構成を示す図、第４図は低速度電子ビーム走査方式に
よるＸ線撮像装置の原理栂成図、第５図は高速度電子ビ
ーム走査方式によるＸ線撮像装置の原理構成図、第６図
は従来のＸ線撮像管の原理構成図である。 １０１、２０１．３０５・・・受光面 １０３、２０６・・・入射Ｘ線 １０６、２０７・・・受光面から放出された光電子１０
７、２０８．３０６・・・コレクタ電極代理人弁理士　
　中　村　純之助 第３ 図 第４ 図 第２ 第５ 第６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線の入射によって光電子を放出する絶縁性光電子
   放出層を有する受光面と、該受光面から放出された光電
   子を捕獲するコレクタ電極と、上記受光面上を走査する
   電子ビーム系とを、少なくとも具備し、入射Ｘ線量の分
   布に応じた光電子が上記受光面から放出されることによ
   り上記受光面上に生じた電位分布を、上記電子ビーム走
   査系で読み取り入射Ｘ線像を電気信号に変換する手段を
   有するＸ線撮像装置。 ２、上記電子ビーム走査方式は、低速度電子ビーム走査
   方式であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載したＸ線撮像装置。 ３、上記電子ビーム走査方式は、高速度電子ビーム走査
   方式であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載したＸ線撮像装置。 ４、上記受光面は、該受光面を上記電子ビーム走査系に
   よって走査中に、Ｘ線が照射しないことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載した
   Ｘ線撮像装置。 ５、上記電子ビーム走査方式は、高速度電子ビーム走査
   方式であり、上記ビーム走査によって、上記受光面上の
   電位をコレクタ電極の電位に平衡させる過程と、入射Ｘ
   線により上記受光面上に信号電位を蓄積する過程との間
   に、上記コレクタ電極の電位を上げる過程を、少なくと
   も有することを特徴とする特許請求の範囲第１項または
   第３項または第４項に記載したＸ線撮像装置。 ６、上記電子ビーム走査方式は、高速度電子ビーム走査
   方式であり、多層メッシュ電極を有し、上記受光面から
   放出される２次電子のエネルギー分析を行いながら、信
   号の読み出しを行うことを特徴とする特許請求の範囲第
   １項または第３項ないし第５項のいずれかに記載したＸ
   線撮像装置。 ７、上記受光面は、少なくとも蛍光体層と光電子放出層
   との積層構造からなることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項ないし第６項のいずれかに記載したＸ線撮像装置
   。 ８、Ｘ線の入射によって光電子を放出する絶縁性光電子
   放出層を有する受光面と、該受光面から放出された光電
   子を捕獲するコレクタ電極と、上記受光面上を走査する
   電子ビーム系とを、少なくとも具備し、入射Ｘ線量の分
   布に応じた光電子が上記受光面から放出されることによ
   り上記受光面上に生じた電位分布を、上記電子ビーム走
   査系で読み取り入射Ｘ線像を電気信号に変換する手段を
   有するＸ線撮像装置と、所定のＸ線源と、該Ｘ線源から
   照射され試料を透過したＸ線が上記Ｘ線撮像装置に入射
   するようなＸ線光学系とを備えたＸ線顕微鏡。 ９、上記Ｘ線源は、２．３ｎｍ以上４．４ｎｍ以下の波
   長成分を有するＸ線を照射することを特徴とする特許請
   求の範囲第８項に記載したＸ線顕微鏡。