JPH02182406A - 半導体切断面形状制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ 本発明は、半導体インゴ・ントからウェハを切断する場
合の切断面形状制御装置に関する。

［従来の技術ｌ 半導体のインゴットはダイヤモンド砥粒をＮ１電着した
インナーブレードソウによって切断される。インナーブ
レードソウは薄いリング状の板の内周に砥粒を電着した
もので、切断中に撓みを生じインゴットの切断端面が平
面とならない傾向があるに のような切断端面の形状のＩ１１定は、従来の技術にお
いては次のようになされていた。すなわち切断端面形状
は正三角形の１口点に位置する３球座と正三角形の重心
に位置する厚みゲージを持つ３球座式変位計で測定して
いた。この３球座式変位形を用いる３球座法では、３球
座により決定されるウェハ上の平面と三角形の償心位］
ξでのウェハ表面との差を、変位計の三角形のｒ白点を
６０度回転したＸ、Ｙの２方向にて測定する。この技術
では、測定点数が少ないため、端面の反りと、ウェハの
反りとの対応性が悪く、比較が困難である６また、ウェ
ハの反り形状のコントロールにこの測定データを直らに
フィードバックすることが困難である。

また、インゴットからウェハを切断中に、刃物の変位を
渦電流変位計により１ｌｊｌ１足し、刃物の変位が余り
大きいときは刃物を止める制（卸が行われている。

一方、切断されたウェハは、その版厚方向の形状を例え
ば次のようにして評・価している。

（ａ　　）　　Ｔ　”Ｔ’　　Ｖ　　（Ｔｏｔａｌ　　
Ｔｌ＋１ｃｋｎｅｓｓ　　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ　　）ウ
ェハの最大厚みと最小厚みとの差をいう。ラッピングや
エツチングによって修正することが可能である。

（ｂ）反り　（ｌｌａｒｐ） ウェハの厚みの中間部に規準面を想定し、この規準面か
らの厚み方向の変形部上下の距離の和をいう。

また、インゴットからウェハを切出すとき、その切出さ
れるウェハの形状の調整は、刃物のドレッシング、ブレ
ードの回転数の調整、インゴットの切断速度の調整によ
って行なわれる６［発明が解決しようとする課題１ 本発明は、ウェハの切断面の形状をオンラインで計測し
、その形状によって刃物の自動ドレッシングを行うもの
で、ブレードの回転Ｈｋ　；１．＋１　ｌ２ＩＩ、ブレ
ードの送り速度（切断速度）の調整も加味して、切断端
面の形状を適正化する装置を提供することを目的とする
。

〔課題を解決するための手段］ 本発明は半導体インゴットからウェハを切断する装置に
おいて、インゴット側の切断端面に対向し、該対向面に
該切断端面より大きい面積に圧電素子を配列した測定部
と、該測定部分を前記端面に離隔、当接させる搬送部と
、　ｍｑ足部からのｉ＋＋定値を解析するコンピュータ
と、解析された測定値に基づき該切断装置の刃の形状を
整形するドレッシング装置のコントローラと備えたこと
を特徴とする半導体切断面形状制御装置である。

［作用１ 圧電素子をウェハの端面に押し当てると、ウェハ端面の
二次元の凹凸を数州化することが容易にでき、その最大
偏差などを直ちに計測することができる。従って、この
偏差が小さくなるように、ドレッサの調整やドレッシン
グの１体的な操作方法をトライアルアンドエラーで行う
ことにより、この偏差を著しく小さくすることができる
。

［実施例］ 第１図に本発明の実施例の系統図をブロック図で示した
。

円柱状の半導体のインゴット１を切断装置のブレード３
で切断する。測定部２は圧電素子を正方形に平板上に配
列した測定子から成り、これをインゴット１の切断端面
に押しつけることによって、切断端面の変形を即座に精
細に検知することができるに の測定に基づいて、コンピュータ５は測定値の解析およ
びこれに基づくドレッシング装置６のコントロールを行
う、ドレッシング装置６は切断ブレード３の整形を行う
。

以上の測定およびコントロール手段を第２図にフローチ
ャートで示した。

第２図中に記したＸ軸、Ｙ軸は第３図に示すようにイン
ゴットｌに取りつけたカーボンベース７を基準にして切
断方向をＸ軸、Ｘ軸に直交する方向をＹ軸としている。

先ず基準値を設定し、ｎ枚目および（ｎ＋１）枚目のイ
ンゴット端面を測定し、これを解析する。（ｎ＋１）枚
目の端面の測定値が許容平面度内にあることを確かめ、
若し、外れていればｉＭを停止し再調整する。次に（ｎ
＋１）枚目とｎ枚目の変位の差を演算し、これを前記設
定値と比較し、設定値からはずれていれば、切断ブレー
ド３のドレッシングま禿は切断速度の調整を行って設定
値に近似させるように調整して切断を行う。設定値に近
似していれば次々に以上の測定を繰り返しなからｎが予
定枚数に到達するまで、切断を続行する。

本発明装置をシリコンウェハの製造工程に用いた例につ
いて説明する。従来切断ブレード切断中の端面の反りと
生成したウェハの反りとの関係は第４図に示すように非
常にばらついていた。

本発明の測定によって測定したｎ枚目の切断端面と（ｎ
＋１）枚目の端面の測定値から求めたウェハの反りの計
算値と実際のウェハの加工歪層をエツチングにより除去
したあとのウェハの反りとの関係は第５図に示すように
相関性が極めて高くなった。

〔発明の効果１ 本発明によれば （１）ウェハの反りのコントロールの精密化、（２ンウ
エハの反りのウェハ毎の均一化、が達成される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の実施例のブロック図、第２図は本
発明装置の作動を示すフローチャート、第３図はインゴ
ットの斜視図、第４図は従来の反りのばらつきを示すグ
ラフ、第５図は本発明の効果を示すグラフである。 ｌ・・−半導体インゴット、２・・−測定部、３・・・
切断装置ブレード、４・・−搬送部、５・・・コンピュ
タ、６・・・ドレッシング装置

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　半導体インゴットからウェハを切断する装置におい
   て、インゴット側の切断端面に対向し、該対向面に該切
   断端面より大きい面積に圧電素子を配列した測定部と、
   該測定部分を前記切断端面まで前進させて当接させる搬
   送部と、測定部からの測定値を解析するコン ピュータと、解析された測定値に基づき該切断装置の刃
   の形状を整形するドレッシング装置のコントローラとを
   備えたことを特徴とする半導体切断面形状制御装置。