JPH02172109A - 電子装置用の可撓性支持ケーブル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は処理装置に使用される磁気ヘッドとディスク駆
動機構の間に電気的接続をもたらすケーブルに関する。

詳細にいえば、本発明はディスク駆動機構と、磁気ヘッ
ドに接続される、たとえばセラミック・モジュールを何
する比較的太いフレックス・ケーブルの間の位置のため
の比較的薄い、可撓性支持ケーブルに関する。本発明の
比較的薄い、可撓性ケーブルは、磁気ヘッドをディスク
駆動機構に比較的近接して配置できると同時に、使用時
のディスクの回転によるヘッドに対する損害の可能性を
防止できる。

さらに、本発明は可視性支持ケーブルの製造方法に関す
る。

Ｂ、従来の技術 磁気媒体上におけるデータの記憶及び検索においては、
磁気ヘッドを使用して、処理装置に使用されるディスク
駆動機構との信号の送受信を行なっている。磁気ヘッド
を構造体で支持し、ヘッドと、たとえばセラミック・モ
ジュールを備えた比較的太いフレックス・ケーブルとの
間に電気的接続を行なう。現在、この支持及び接続手段
は、ステンレス・スチールの条片とより線の構成によっ
て与えられている。磁気ヘッドをディスク駆動機構に比
較的近接して配置し、これによって回転時のディスクの
損傷を防止できるようにするには、この構造は太いフレ
ックス・ケーブルに比較して、比較的細くなければなら
ない。

したがって、比較的薄い、可撓性支持ケーブルは比較的
傷つきやすいケーブルであって、アームの大きく内外へ
運動するように接続される比較的太いフレックス・ケー
ブルと異なり、比較的微調節された運動をもたらさなけ
ればならない。

より線を用いる必要があるため、従来の可撓性支持ケー
ブルは比較的かさばるものであり、このことは次いで、
これを用いて作動できる回路の数を制限する。

Ｃ６発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、低コストで、かつ高い信頼性で比較的
大量に製造できる、薄い、可視性の支持ケーブルを提供
することである。

本発明の他の目的は、より線の必要性を排除することで
ある。

００課題を解決するための手段 本発明は低コストで、かつ高い信頼性で比較的大量に製
造できるとともに、より線の必要性を排除する、薄い、
可撓性支持ケーブルに関する。このことは、次いで、ケ
ーブルのかさが大幅に減少するため、従来技術に比較し
て、本発明の可視性ケーブルを用いて制御できる回路を
増やすことを可能とする。

さらに、本発明は従来技術のケーブルに比較して優れた
機械的特性を有する可撓性ケーブルを提供する。

本発明は可撓性支持ケーブルに関するものであり、これ
は比較的細く、両面接着パッドを有しており、力を受け
た場合にたわむが、力を除去すると、平衡状態に戻るに
充分な可視性のものである。

さらに、本発明の可視性支持ケーブルは、電気的及び機
械的アクセスを容易とする。

詳細にいえば、本発明の可撓性支持ケーブルは選択され
た部分に、ポリマーの層を存するスチール・フォイル基
板からなっている。ポリマー層上の所定の位置に、導電
性の回路パッドが設けられる。回路パッド下方のスチー
ル・フォイル基板及びポリマー層にバイアが設けられ、
表面のパッドの各々の底面を露出させ、これらがはんだ
付けによって接続できるようにする。

回路パッドの頂面から、回路線が延びている。

回路線の端部を含む、一部の下方には、スチール・フォ
イル基板のない第１ウィンドウがある。第１ウィンドウ
よりも小さく、スチール・フォイル基板トボリマー層の
ない第２ウィンドウが、回路線の部分の下方に設けられ
る。

本発明は上記の可撓性支持ケーブルの形成方法にも関す
る。この方法はポリマー材料の層を、可視性スチール・
フォイル基板の主要面の少なくとも１つに貼付すること
からなる。導電層を、ポリマー材料の層の頂部に設ける
。パターンを導電層にエッチし、回路パッドの頂面から
延びる回路パッド及び回路線を設ける。パターンをスチ
ール・フォイル基板にエッチし、スチール・フォイル基
板にバイアを設け、回路パッドの底面を露出させる。

パターンをスチール・フォイル基板にエッチし、スチー
ル・フォイルのない第１ウィンドウを、回路線の端部を
含む一部の下方に設ける。パターンをポリマー材料の層
にエッチし、スチール・フォイル基板のバイアと関連し
て、回路パッドの底面を露出させるバイアを層内に設け
る。パターンをポリマー材料の層にエッチし、回路線の
下方に第２ウィンドウを設ける。第２ウィンドウは第１
ウィンドウよりも小さく、これにもスチール−フォイル
基板がないので、回路線の下面が露出する。

Ｅ、実施例 本発明によれば、ステンレス・スチール・フォイルが可
視性支持ケーブルの基板として用いられる。ステンレス
・スチール・フォイルは必要な可視性とバネ作用をもた
らす。これは耐腐食性ももたらす。通常、ステンレス・
スチール・フォイルの厚さは約１１／２ミルないし２ミ
ルである。

ポリマー材料の層を、ステンレス・スチール・フォイル
の主要面の１つの頂部に設ける。ポリマー材料はポリイ
ミドであることが好ましい。層は一般に、厚さが約２ミ
クロンないし約３０ミクロン、好ましくは約５ミクロン
ないし約１０ミクロンであり、スチール・フォイルを以
降に貼付される導電性パッド及び線から電気的に絶縁す
るために設けられる。

所定の箇所にあるポリマー材料の層の頂面には、導電性
回路パッドがある。本発明の好ましい態様において、導
電性回路パッドはクロムの層、銅の層を含んでおり、こ
れにさらにクロムの層が設けられる。クロムはポリマー
層と銅の間の接着を行なうために設けられたものであり
、第２のクロムの層は、加工中の銅の酸化を防止するた
めに一時的に設けられる。第１のクロム層の厚さは通常
、約４００人ないし約８００人であり、銅の厚さは通常
、約５０に人ないし１００に人であり、かつ第２のクロ
ム層の厚さは、これを用いた場合、通常、約４００Ａな
いし約８００人である。

導電性回路パッドの下方には、スチール・フォイル基板
のバイアと、ポリマー材料の層が設けられるので、回路
パッドの底面が露出し、これらをはんだ付けできるよう
になる。

回路線がパッドの頂面から延びており、かつ回路パッド
と同じ金属層から得られる。

ステンレス・スチール−フォイルのない第１ウィンドウ
が、回路線の端部を含む一部の下方に設けられる。第１
ウィンドウよりも小さく、ステンレス・スチール・フォ
イル及びポリマー材料の層の両方がない第２ウィンドウ
が回路線の一部の下方、好ましくは回路線の端部の近傍
に設けられるので、回路線を以降の電気的接続のために
、周囲大気に対して完全に露出させられる。

第１図には、本発明による可視性支持ケーブルの略図が
示されている。詳細にいえば、参照数字（１，２）はス
テンレス・スチール・フォイル及びポリマー材料の複合
体を表す。参照数字（３）は導電性回路パッドを表す。

破線（４）はバイアをもたらすため、回路パッドの下方
から除去される材料を表す。参照数字（５）は導電性回
路線を表す。破線（６）は回路線の下方から除去される
ステンレス・スチール材料の第１ウィンドウを表す。参
照数字（７）は回路線の下方から除去され、第２の小さ
いウィンドウを形成し、回路線の底面を露出させるポリ
マー材料を示す。第１ウィンドウを設けるためにステン
レス・スチール材料を除去するのは、ポリマー絶縁層が
存在していても発生するおそれのある、回路線とステン
レス・スチールの間の通電の可能性を防止するためであ
る。

本発明の可撓性支持ケーブルは、さまざまな方法及び加
ニステップによって製造できるものであって、そのいく
つかを以下で検討する。

ステンレス・スチール・フォイルはスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに接続されるが、こ
れはステンレス・スチール・フォイルの単一のシートか
ら、多数の独立したケーブルを作成するのを容易とする
ために使用される。

チタンは以降で用いられる化学エッチ液に対する耐性を
有している。チタン・フレームの典型的な大きさは、約
４４ｍ鳳である。典型的なステンレス・スチールは厚さ
約０．００１５”ないし０゜００２”の応力除去ステン
レス・スチールである。

次いで、ポリマー・コーティングがスプレィなどによっ
て、ステンレス・スチール−フォイルに塗布される。ポ
リマー・コーティングは好ましくは熱硬化性ポリマー、
もっとも好ましくはポリイミドである。ポリイミドはポ
リイミドの前駆体の溶液、またはＫ　ａ　１）　ｔ　Ｏ
ｎ　（Ｒ）などの化学的に硬化されたポリイミドの溶液
で塗布できる。

本発明によって採用できるポリイミドは非修飾ポリイミ
ド、ならびにポリエステルイミド、ポリアミドイミドエ
ステル、ポリアミドイミド、ポリシロキサンイミドなど
の修飾ポリイミド、ならびにその他の混合ポリイミドを
含む。

これらは従来技術において公知のものであるから、詳細
に説明する必要はない。

一般に、ポリイミドは次の反復単位を含んでいる。

ただし、ｎは通常約１０，０００ないし約１００゜００
０の分子量をもたらす反復単位の数を表す整数である。

Ｒは以下のものからなる群から選択した少なくとも１つ
の四価の有機基である。

Ｒ２は１ないし４個の炭素原子ならびにカルボニル基、
オキシ基、スルホ基、ヘキサフルオロインプロピリデン
基及びスルホニル基を有する脂肪族炭化水素基であり、
Ｒ１は次のものからなる群から選択された少なくとも１
つの二価の基である。

Ｒ３はＲ２Ｎ　シリコ基、及びアミノ基からなる群から
選択された二価の有機基である。２つ以上のＲ基または
Ｒ１基あるいはその両方、特にアミド基を含む複数の系
列のＲ１を含むポリマーを使用できる。

市販されているポリイミド前駆体（ポリアミン酸）は特
に、デュポン社の、Ｐｙｒａｌｉｎ〈Ｒ）という部品名
で入手できる各種のポリイミド前駆体である。このポリ
イミド前駆体には、デュポン社のＰＩ−２５５５＋”、
ＰＩ−２５４５（Ｒ’、ＰＩ−２５８０（Ｒ）　　　Ｐ
Ｉ−５８７８（Ｒ）　　　ＰＩＨ−６１４５４（Ｒ）、
及びＰＩ−２５４０（Ｒ）という商品名で入手できるＰ
）’ｒａｌｉｎ（Ｒ’ポリイミド前駆体を含む、多くの
グレードがある。これらはすべて、二無水ピロメリト酸
−オキシジアナリン（ＰＭＤＡ−ＯＤＡ）ポリイミド前
駆体である。

市販の化学的に硬化されたポリイミドには、デュポン社
のＮ　Ｈ−Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ’、Ｖ−Ｋａｐｔ。

ｎ（Ｒ）、ＨＮ−Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ）及びＶＮ−Ｋａｐ
ｔＯｎ（Ｒ）を含む、Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ’という商品名
のものがあるが、これらはすべて化学的に硬化されたポ
リイミドである。化学的に硬化されたポリイミドは一般
に、無水酢酸などの無水硬化剤によって硬化される。

ポリイミドをこの時点で、たとえば約９５°Ｃで約１２
分間加熱して、部分的に硬化することができる。

次に、パターンをポリイミドにエッチして、ケーブルの
全体的なプロファイルまたは形状に対応させる。エツチ
ングは周知のフォトレジスト及びフォトリングラフ処理
を用いて行なうことができる。

たとえば、通常厚さが約０．５ミルのネガ・レジストを
スプレィなどによって塗布する。

用いることのできるフォトレジストの例としては、米国
特許第３４８９９８２号、第３５２６５０４号、第３８
８７１５３号及び第３４４８０９８号、ならびに参照す
ることによって本明細書の一部となるヨーロッパ特許出
願公告第００４９５０４号で示唆されているタイプのネ
ガないし光硬化性重合可能化合物が挙げられる。メタク
リル酸メチルのポリマー、アクリル酸グリシジルのポリ
マー、もしくはトリメチロールプロパントリアクリレー
ト及びペンタエリスリトールトリアリレートなどのポリ
アクリル酸のポリマーが、「Ｒ１５ｔｏｎ（Ｒ’Ｊとい
う商品名でデュポン社から市販されている。

本発明にしたがって用いられるネガ・フォトレジストの
例としては、ｒＲｉｓｔｏｎ　　Ｔ−１８９（Ｒ）Ｊ、
及びｒＲｉｓｔｏｎ　　３５１５（Ｒ’Ｊという商品名
でデュポン社が市販しているもののようなポリメチルメ
タクリレートのものが挙げられる。ｒＲｉ　ｓ　ｔｏｎ
　　Ｔ−１８８（Ｒ’Ｊはポリメチルメタクリレートと
、トリメチロールプロパントリアクリレートなどの交差
結合可能モノマー単位のネガ・フォトレジストである。

ポリメチルメタクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート及びトリメチレングリコールジアセテー
トからネガ・フォトレジストを調製することについての
詳細は、米国特許第３８６７１５３号の例１で詳細に論
じられている。ｒＲｉｓｔｏｎ　　３５１５（ＲＪは水
性媒体中で現像可能なネガ・フォトレジスト材料である
。水性現像可能ネガ・フォトレジストの例は、参照する
ことによって本明細書の一部となるヨーロッパ特許出願
公告第００４９５０４号の例２３などで説明されている
。該特許出願公告に記載されている典型的なネガ・フォ
トレジストは、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル
、及びアクリル酸の共重合体、ならびにスチレン及び無
水マレイン酸イソブチルエステルの共重合体によるもの
である。

Ｒ１５ｔｏｎ　　Ｔ−１８８（Ｒ’の未露光部分は通常
、メチルクロロフォルムに溶解することによって、現像
ないし除去される。

入手可能なその他の典型的なネガ・フォトレジストはコ
ダック社のＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）であり、これはメーカ
ーによれば、ポリイソプレン・ゴムの誘導体を含有する
樹脂系に基づくものである［レバイン（Ｌｅｖｉｎｅ）
他、「コダック・フォトレジスト・セミナ論文集（Ｋｏ
ｄａｋ　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　Ｓｅｍ１ｎ、　Ｐｒ
ｏｃ、）ハＶｏ１．１、ｐＩ）、１５−１７．１９６８
年、Ｋｏｄａｋ　　Ｐｕｂｌ、　ｐ、Ｌ９２Ａコ。コダ
ックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ１はスプレィによって塗布され
、次いで、空気加熱機中で約１００−１２０°Ｃで乾燥
される。

コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）フォトレジストの場合、
次いで、タマラック投影露光装置などを使用して、約５
８ないし約６５ミリジユールで紫外線に露光される。

フォトレジストはメチルクロロフォルム・スプレイを用
いて、次いで、水スプレィ・リンスまたはフレオンを使
用してリンスすることによって現像される。

次に、所望の領域のポリイミドをエッチする。

ポリイミドは約０．２３モルの水酸化カリウムを用い、
約４５℃で、約２０ないし約１５ｐｓｉの圧力において
スプレィすることによって、エッチできる。

次に、基板に約１分間、約６ｐｓｉにおいてシュウ酸／
水をスプレィし、その後、脱イオン水で２回リンスする
。

フォトレジストを次いで、約３５容量％のペルクロロエ
チレン、約３５容量％のオルトクロロベンゼン、約１０
容量％のフェノール、及び約２０容量％のアルキルアリ
ールスルホン酸を含有するＪ−１００剥離剤を用いて、
剥離することができる。

基板は次いで、キシレンで３回、その後イソプロピル・
アルコールで１回、さらに脱イオン水で３回リンスする
ことによって、清浄化できる。基板は次いで、たとえば
加熱空気によって乾燥される。

次に、ポリマー層を硬化できる。たとえば、ポリイミド
前駆体の場合、約３００℃ないし約４００°Ｃの高温ま
で、典型的には約１０分間ないし約２０分間用３５０″
Ｃに、典型的には約２０分間加熱することができる。

希望する場合には、基板を次いで、プラズマ・ガスとし
て、約２７容量％の四フッ化炭素、約５容量％のチッ素
、及び約６８容量％の酸素を用いるプラズマ・タイプの
清浄法を、約４００Ｗの電力で、約１０分間ないし約２
０分間用いて清浄化し、望ましくない残留物及び異物を
除去することができる。

次いで、クロム層を真空蒸着などによって設けることが
できる。この層は通常、厚さ約４００人ないし約８００
Åである。

次いで、約ｅｏ、ｏｏｏないし約９０．０００人の胴周
を、真空蒸着などによって設けることができる。

次いで、頂部クロム層を真空蒸着などによって設け、銅
の酸化を防止することができる。この頂部クロム層は通
常、約４００人ないし８００人である。

次いで、フォトレジストを構造体の両面に、たとえばコ
ダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）などのネガ・フォトレジス
トをスプレィして塗布し、その後空気加熱機中において
約１００ないし約２００℃で乾燥し、露光現像し、構造
体の前面に所望の金属パターンのネガを設ける。背面全
体はブランケット露光される。コダックＫＴＦＲ（Ｒ１
ネガ・レジストの場合、タマラック・コンタクト露光投
影装置で、約３ないし約５秒間、約５０ないし約７０ミ
リジユールで露光される。フォトレジストを、メチルク
ロロフォルム・スプレィを用いて現像し、その後フレオ
ン・スプレィによってリンスできる。

次いで、フォトレジストで保護されていないクロム及び
銅の層はそれぞれ、典型的なり９ム及び銅のエツチング
液でエッチされる。たとえば、約８０　ｇ／Ｑの過マン
ガン酸塩と約２０ｇ／αの水酸化ナトリウムを含有する
過マンガン酸カリウム組成を、約１００°Ｆで、約１．
２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でスプレィし、クロ
ムを除去する。次いで、基板を脱イオン水でリンスする
。

比重約１．２８０の塩化第二鉄組成を約３０℃で、約１
分間、約８ｐｓｉの圧力でスプレィし、銅を除去する。

底部のクロム層を上記と同じ手順で除去する。構造体を
７５　ｇ／Ｑのシュウ酸リンスによってリンスし、次い
で、脱イオン水リンスで２回リンスする。

ネガ・フォトレジストをたとえばＪ−１００を用いて除
去できる。

基板をＮｅｕｔｒａ　　Ｃ１ｅａｎ（Ｒ）などの洗浄剤
の溶液中でリンスし、約６５℃に加熱した脱イオン水中
で、約２分ないし約４分間リンスして予備洗浄し、次い
で脱イオン水で３回リンスし、その後加熱空気で乾燥す
る。

次に、コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ’などのフォトレジ
ストの他の層を頂面に貼付し、空気加熱機中にて約１０
０°Ｃないし１２０″Ｃで乾燥し、上記のようにタマラ
ック投影機を使用してブランケット露光し、次いでメチ
ルクロロフォルムをスプレィして現像する。この現像を
予防処置として使用し、前面に付着している可能性のあ
るフォトレジストを除去し、背面に不完全に露光された
コーティングが生じないようにする。背面のレジストに
孔が形成された場合には、付加的なレジストをスプレィ
し、その後乾燥、ブランケット露光、及び現像を行なう
ことができる。

次に、コダックＫＴＦＲ’Ｒ）などのフォトレジストの
他の層を基板の背面に貼付し、空気加熱機中で約１００
℃ないし約１２０°Ｃで乾燥し、上記のようにタマラッ
ク投影機を使用して所定のパターンで露光する。パター
ンはケーブルの所望のスチール・パターンをもたらすの
に必要なものに対応している。

次いで、フォトレジストを約１８１）ｓｉにて、約２分
ないし約３分間塩化メチレンをスプレィすることによっ
てエッチしてから、水をスプレィしてリンスすることが
できる。

次に、スチールを第１の大きなウィンドウを形成する領
域から除去し、パッドの背面を露光する。

このステップを、約５０℃において、約２０１）ｓｉで
、約４分ないし約６分間スプレィすることなどによって
、塩化第二鉄エツチング液を使って露光したスチールを
エツチングして達成することができる。

残余のフォトレジストを、Ｊ−１００などのフォトレジ
ストの溶剤に浸漬することによって除去する。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって所
定の領域から除去し、回路線の背後に、第１ウィンドウ
よりも小さい第２ウィンドウを設け、回路パッドの下方
にバイアを設ける。レーザー・エツチングはレーザーに
面した部品の背面に、約１９３ないし約３５１ナノメー
トル、好ましくは３０８ナノメートルの波長及び約２０
０ないし約１０００ミリジユール／Ｃ■２、典型的には
約５５０ミリジユール／Ｃ■２のフルエンスを用い、塩
化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希
ガスを用いて行なわれる。レーザー・エツチング・シス
テムはコンタクト型または投影型のいずれをも使用でき
るが、投影モードが好ましい。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を、約４
００Ｗの電力で、約１０分ないし約２０分間使用したも
のなどのプラズマ除去によって、異物を除去できる。

パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム浴中などでのエツチングによって除去する。

典型的な浴は約６０ｇ／αの過マンガン酸カリウムと約
２０　ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含む、約１００°Ｆ
において、約１．２分間のものである。

次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ツトルに約７５グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス
及び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガン
などの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去
する。

さらに、この部品をアルコノックス（アルカリ洗浄剤）
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の１５％の硫酸リンス、及び最
終の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。

露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付は可能とする。電解めっきを約２０分ないし約３０
分間行ない、約２０ないし約６０マイクロインチの厚さ
の金の層を設ける。典型的な電解めっき浴はＰｕｒｅ−
ａ−Ｇｏｌｄ　　１２５（Ｒ）という商品名で入手可能
であるが、これはカリウム及び金のシアン塩、クエン酸
、ならびにクエン酸ナトリウムを含有している。

この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。

この部品を次いで、チタン・フレームから分離する。

本発明による支持ケーブルを製造する他の順序において
は、ポリイミドなどのポリマーが、ステンレス・スチー
ル・フォイルのロールをロール拳コーティングすること
によって塗布される。ステンレス・スチールは通常、厚
さ０．００１５インチないし０．００２インチの応力除
去ステンレス・スチールである。

ポリマー・コーティングは熱硬化性ポリマーであること
が好ましく、ポリイミドであることがもっとも好ましい
。ポリイミドはポリアミン酸前駆体の溶液を塗布するか
、あるいはフィルム（たとえば、Ｋａｐｔｏｎ〈Ｒ））
として積層テキル。

ポリイミドをこの時点で、約９５°Ｃで約１．２分間加
熱することなどによって、部分的に硬化することができ
、次いでステンレス・スチールを１０インチ×１５イン
チのパネルに切断する。

次に、パターンをポリイミドにエッチし、ケーブルの全
体的なプロファイルないし形状に対応させる。エツチン
グは周知のフォトレジスト及びフォトリングラフ処理を
用いて行なうことができる。

たとえば、典型的には厚さ約２ミルのネガ・レジストを
、積層などによって貼付できる。典型的なレジストはＲ
１５ｔｏｎ　　Ｔ−１６８（Ｒ）である。

次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約６０ないし約７０ミリジユール
で、紫外線に露光させる。

フォトレジストヲ、メチルクロロフォルム・スプレィを
用いて現像し、その抜水スプレィ・リンスまたはフレオ
ンを使用してリンスする。

次に、所望の領域のポリイミドをエッチする。

ポリイミドは約０．２３モルの水酸化カリウムを約４５
°Ｃにおいて、約２０ないし約１５ｐｓｉでスプレィす
ることによってエッチできる。

次に、基板にシュウ酸／水を約１分間約６ｐｓｉでスプ
レィし、次いで脱イオン水で２回リンスする。

次いで、フォトレジストを約１８ｐｓｉの塩化メチレン
のスプレィを約２分ないし約３分間用いて剥離し、その
後水をスプレィしてリンスすることができる。

次に、ポリイミド層を硬化することができる。

たとえば、ポリイミド前駆体の場合、ＩＲ炉中でチッ素
雰囲気下で、典型的には１２分間、典型的には約４００
℃の高温まで加熱できる。

必要に応じ、構造体を清浄化し、約２７容量％の四フッ
化炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素
を、プラズマ・ガスとして、約４００Ｗの電力で、約１
０分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・タイプのク
リーニングなどによって不必要な残留物及び異物を除去
することができる。

次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約１００人ないし
約２００人である。

約２，０００人ないし約３．０００人の銅層を、真空蒸
着などによって設けることができる。

次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層装
置などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付す
る。典型的なフォトレジストはデュポンＲ１５ｔｏｎ　
　Ｔ−１８８（Ｒ’である。次いで、フォトレジストを
、たとえばタマラック・コンタクト露光装置を、約２秒
ないし約５秒間、約５８ないし約６５ミリジユールで用
いて、ブランケット露光する。

次いで、銅を構造体の前面に、典型的には硫酸溶液に硫
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきする。

電解めっきは１２５Ａで約２３分間行なわれ、銅の総厚
を約９０，０００人とする。

次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積属な
どによって、この部品の回路側に貼付する。典型的なフ
ォトレジストはデュポンＲ１５ｔｏ　ｎ　　Ｔ　−１８
８（Ｒ’である。次いで、フォトレジストは、たとえば
タマラック・コンタクト露光装置を５８ないし６５ミリ
ジユールで用いて、希望するパターンに露光される。

フォトレジストはメチルクロロフォルム・スプレィを用
いて現像され、その後脱イオン水でリンスされる。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を約４０
０Ｗで、約１０分ないし約２０分間使用したものなどの
プラズマ除去によって、異物を除去できる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。約３０°Ｃで、約１分間、約ｇｐ
ｓｉの圧力でスプレィされた、比重的１．２６０の塩化
第二鉄組成を使用して、銅を除去できる。約６０　ｇ／
Ｑの過マンガン酸塩と約２０ｇ／Ｑの水酸化ナトリウム
を含有する過マンガン酸カリウムを、約１００°Ｆで、
約１゜２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でスプレィし
て、クロムを除去する。

次いで、残余のレジストを、たとえば、デュポンＲ１５
ｔｏｎ　　Ｔ−１６８（Ｒ’の場合、塩化メチレンを約
１８１）ｓｉの圧力で、約２ないし約３分間スプレィし
て除去し、その汲水をスプレィしてリンスする。

次いで、部品を脱イオン水に希釈Ｈ（、Ｑ及び界面活性
剤を含有しているＰｏ５ｔ−Ｃ１ｅａｎ洗剤清浄剤など
を約５０″Ｃで使用し、約１０１）ｓｉでスプレィして
清浄化し、その後脱イオン水で３回リンスし、加熱空気
で乾燥する。

次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層に
よって、ステンレス・スチール側及び回路側に貼付する
。典型的なフォトレジストはデュポンＲｉ　ｓ　ｔｏｎ
　　Ｔ−１６８（Ｒ’である。ステンレス・スチールの
頂部ないし回路側のフォトレジストを、タマラック・コ
ンタクト露光装置によってブランケット露光する。背面
を露光し、希望するスチール・エッチ・パターンを設け
る。

フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプレィして
現像する。

次に、スチールをこれらの領域から除去し、第１の層及
び大きなウィンドウを形成し、パッドの背面を露光する
ことができる。

このステップは塩化第二鉄エツチング液を、約５０℃、
約２０１）ｓｉで、約４分ないし約６分間スプレィする
ことなどによって行なうことができる。

残余のフォトレジストを塩化メチレンなどのフォトレジ
ストの溶剤を、約１８１）ｓｉで約２分ないし約３分間
スプレィして除去し、その汲水をスプレィしてリンスす
る。

次いで、ポリイミドを所定の領域から、レーザー・エツ
チングによって除去し、回路線の背後に第１ウィンドウ
よりも小さい第２ウィンドウを設け、回路パッドの下方
にバイアを設ける。レーザー・エツチングはレーザーに
面した部品の背面に、約１９３ないし約３５１ナノメー
トル、好ましくは３０８ナノメートルの波長及び約２０
０ないし約１０００ミリジエール／Ｃ１１２、典型的に
は約５５０ミリジユール／Ｃ鵬２のフルエンスを用い、
塩化キセノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化
希ガスを用いて行なわれる。レーザー・エツチング・シ
ステムはコンタクト型または投影型のいずれをも使用で
きるが、投影型が好ましい。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を、約４
００Ｗの電力で、約１０分ないし約２０分間使用したも
のなどのプラズマ除去によって、異物を除去できる。

パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム洛中などでのエツチングによって除去する。

典型的な浴は約６０　ｇ／Ｑの過マンガン酸カリウムと
約２０　ｇ／４の水酸化ナトリウムを含む、約１００°
Ｆにおいて、約１．２分間のものである。

次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ツトルに約７５グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス
及び他の脱イオン水リンスを行なう。さらに、この部品
をアルコノックスなどの中性洗剤を使用した洗浄により
、次いで脱イオン水リンス２回、約３分間の１５％の硫
酸リンス、及び最終の２分間の脱イオン水リンスによっ
て処理する。

露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付は可能とする。電解めっきを約２０分ないし約３０
分間行ない、約２０ないし約６０マイクロインチの厚さ
の金の層を設ける。典型的な電解金浴はＯＭＩインター
ナシロナル・コーポレーシｅンが販売しているＰｕ　ｒ
　ｅ−ａ−Ｇｏ　１ｄ　　１２５（Ｒ）である。

この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。

本発明の支持ケーブルを製造する他の順序においては、
ステンレス・スチール・フォイルがスボ。

ト溶接によって、チタンのウィンドウ・フレームに取り
付けられる。チタンのフレームの典型的な大きさは、約
４４ｍｍである。ステンレス・スチールは、厚さ０．０
０１５”−０，００２″の応力除去ステンレス・スチー
ルである。

次いで、ポリマー・コーティングをスプレィまたはロー
ル・コーティングなどによって、ステンレス・スチール
の一方表面に塗布する。ポリマー・コーティングは熱硬
化性ポリマーであることが好ましく、ポリイミドである
ことがもっとも好ましい。ポリイミドはポリアミド酸前
駆体の溶液を塗布するか、あるいはフィルム（たとえば
、Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ’）として積層できる。

ポリイミドをこの時点で、約９５°Ｃで約１２分間加熱
することなどによって、部分的に硬化することができる
。

次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミドの場合、約３００℃ないし約４００
°Ｃの高温に、典型的には約１０分ないし約３０分間、
約３５０℃、典型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約２０
分間加熱する。

必要に応じ、構造体を清浄化し、約２７容量％の四フッ
化炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素
を、プラズマ・ガスとして、約４００Ｗの電力で、約１
０分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・クリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。

次いで、クロム層を蒸着などによって設けることができ
る。この層は通常、厚さ約４００人ないし約８００人で
ある。

約ｓｏ、ｏｏｏ入ないし約９０，０００人の銅層を、真
空蒸着などによって設けることができる。

次いで、頂部クロム層を設け、銅を真空蒸着などによる
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約４００人ないし約８０ＯＡである。

次いで、フォトレジストを、たとえば、コダックＫ　Ｔ
　Ｆ　Ｒ（Ｒ）などのネガ・フォトレジストをスプレィ
することによって、ステンレス・スチールの前面及び背
面の両方に塗布し、その後約１００″Ｃないし約１２０
℃で空気加熱機中で乾燥する。

次いで、フォトレジストを露光現像し、希望する金属パ
ターンのネガを設ける。コダックＫＴＦＲ（Ｒ）の場合
、タマラック・コンタクト露光投影機を、約５０ないし
約７０ミリジユールで約３分ないし約５分間使用して、
フォトレジストをステンレス・スチールの背面でブラン
ケット露光し、回路側で希望する所定のパターンに露光
して、ポリマー・パーソナリティと呼ばれるケーブルの
一般的なプロファイルないし形状を画定する。

次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルムを用い
て現像し、その後フレオン・スプレィのリンスを行なう
ことができる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。たとえば、約８０　ｇＩＱの過マ
ンガン酸塩と約２０ｇ／４２の水酸化ナトリウムを含有
する過マンガン酸カリウムを、約１００°Ｆで、約１．
２分間、約８ｐｓｔのスプレィ圧力でスプレィして、ク
ロムを除去する。次いで、基板を脱イオン水でリンスす
る。比重約１．２８０の塩化第二鉄組成を約３０°Ｃで
、約１分間、約８ｐＳｉの圧力でスプレィし、銅を除去
する。底部のクロム層を上記と同じ手順で除去する。構
造体を７５　ｇＩＱのシュウ酸りンスによってリンスし
、次いで、脱イオン水リンスで２回リンスする。

残余のフォトレジストをＪ−１００を用いて剥離し、そ
の後キシレン・リンス、インプロパツール・リンス、及
び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気
で乾燥する。

基板をＮｅｕｔｒａ　　Ｃ１ｅａｎ（Ｒ’などの洗浄剤
の溶液中でリンスし、約６５°Ｃに加熱した脱イオン水
中で、約２分ないし約４分間リンスして予備洗浄し、次
いで脱イオン水で３回リンスし、その後加熱空気で乾燥
する。

次に、コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）などのフォトレジ
ストの他の層をパネルの頂面側のみに貼付し、空気加熱
機中にて約１００℃−１２０°Ｃで乾燥し、頂面側のフ
ォトレジストを、タマラック投影機を３秒ないし５秒間
、５５−７０ミｌＪジユールで使用してブランケット露
光し、次いでメチルクロロフォルムをスプレィして現像
し、その後フレオン・リンス・スプレィを施す。

次に、コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ＜Ｒ）などのフォトレジ
ストの他の層を基板の背面に貼付し、空気加熱機中で約
１００℃ないし約１２０℃で乾燥する。このフォトレジ
ストの層を、タマラック投影機を３秒ないし５秒間、５
５−７０ミリジユールで使用して所定のパターンで露光
する。パターンはケーブルの所望のスチール・パターン
をもたらすのに必要なものに対応している。

次いで、フォトレジストを塩化メチレンをスプレィして
現像し、その後フレオン・スプレィ・リンスを施す。

次に、スチールを第１の大きなウィンドウを形成する領
域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光する。

このステップを、約５０℃において、約２０ｐｓｉで、
約４分ないし約６分間スプレィすることなどによって、
塩化第二鉄エツチング液を使って露光したスチールをエ
ツチングして達成することができる。

残余のフォトレジストを、Ｊ−１００剥離溶液を用いて
剥離し、その後キシレン・リンス、インプロパツール・
リンス、及び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その
後加熱空気で乾燥する。

基板をＮｅｕｔｒａ　　Ｃ１ｅａｎＣＲ）などの洗浄剤
の溶液中でリンスし、約６５℃に加熱した脱イオン水中
で、約２分ないし約４分間リンスして予備洗浄し、次い
で脱イオン水で３回リンスし、その後加熱空気で乾燥す
る。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって所
定の領域から除去し、ケーブルの一般的なプロファイル
すなわちパーソナリティを設ける。

レーザー・エツチングはレーザーに面した部品の前面に
、約１９３ないし約３５１ナノメートル、好ましくは３
０８ナノメートルの波長及び約２００ないし約１０００
ミリジユール／ｃｌＩ＋２、典型的には約５５０ミリジ
ユール／Ｃ■２のフルエンスを用い、塩化キセノンまた
はフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行
なわれる。

レーザー・エツチング・システムはコンタクト型または
投影型のいずれをも使用できるが、投影モードが好まし
い。

投影モードにおいて、エッチすべきパターンを有するマ
スクが作られる。ポリイミドを残す箇所において、マス
クは不透明であり、ポリイミドを除去する箇所において
、マスクは透明である。好ましいマスクは誘電性コーテ
ィングで作られるものであり、その使用法及び製造につ
いては、参照することによって米国特許第４６８４４３
６号及び１９８６年１０月２９日出願の米国特許願第９
２４４８０号に記載されている。あるいは、石英上のＣ
ｒマスクを使用することができるが、このようなマスク
はレーザーによる損傷を受けやすいものである。トラン
スファ光学系を使用して、マスクのイメージをポリイミ
ドに投影し、エツチングを誘起する。マスク上をレーザ
ーで走査するか、あるいはエツチング対象部品をステッ
プするか、またはこの両方を行ない、部品の新しい領域
でエツチングを繰り返し、ポリイミド全体をエッチする
ことが必要となることもある。この手順の改変形は、ポ
リイミド全体ではなく、下地のステンレス・スチールに
接着されるポリイミドを除去するに充分なポリイミドだ
けをエッチするものである。

レーザーのフルエンスはポリイミドをエッチするに充分
な高さではないので、ビームを集中する必要がある。こ
のようなフルエンスの集中は、誘電性マスクの前に行な
うのが好ましいが、トランスフ１光学系によって行なう
こともできる。石英上のＣｒマスクの場合、フルエンス
の集中をトランスファ光学系で行ない、マスクへの損傷
を防止しなければならない。

コンタクト・モードにおいては、コンタクト・マスクが
モリブデンなどの何らかの耐レーザー物質で構成される
。エツチングを行なった場合、モリブデンが除去され、
レーザー・エッチ生成物を排出するのに妨げのない通路
がもたらされる。コンタクト・マスクは部品と整合され
る。光学系を使用して、エクサイマ・レーザー・ビーム
を形成し、フルエンスを部品に集中させる。完全なエツ
チングがエクサイマ・レーザー・ビームの走査、部品の
走査、及び部品のステッピングの何らかの組合せによっ
て行なわれる。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって、
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さなウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアｔ［ける。レーザ
ー・工Ｊチングはレーザーに面した部品の背面に、約１
９３ないし約３５１ナノメートル、好ましくは３０８ナ
ノメートルの波長及び約２００ないし約１０００ｔリジ
ユール／ｃＩ＋２、典型的には約５５０ミリジユール／
Ｃ鳳２のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化
クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行なわレル
。レーザー・エツチング・システムはコンタクト型また
は投影型のいずれでもよい。ビーム走査、部品のステッ
ピング及び反復の何らかの組合せを使用して、上記のよ
うにして、汎なるポリイミドの領域をエッチすることが
できる。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を、約４
００Ｗの電力で、約１０分ないし約２０分間使用したも
のなどのプラズマ除去によって、異物を除去できる。

パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム洛中などでのエツチングによって除去する。

典型的な浴は約８０　ｇ／Ｑの過マンガン酸カリウムと
約２０　ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含む、約１００°
Ｆにおいて、約１．２分間のものである。

次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ツトルに約７５グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス
及び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガン
などの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去
する。

さらに、この部品をアルコノックス（アルカリ洗浄剤）
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の１５％の硫酸リンス、及び最
終の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。

露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付は可能とする。電解めっきを約２０分ないし約３０
分間行ない、約２０マイクロインチないし約６０マイク
ロインチの厚さの金の層を設ける。

この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。

この部品を次いで、チタン・フレームから分離する。

本発明による支持ケーブルを製造するさらに他の順序に
おいては、ポリイミドがステンレス・スチールのロール
のロール・コーティングによって塗布される。

ポリイミドをこの時点で、約９５℃で約１．２分間加熱
することなどによって、部分的に硬化することができ、
次いでステンレス・スチールを１０″Ｘ１５″のパネル
に切断する。

次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミド前駆体の場合、ＩＲ炉中でチッ素雰
囲気下で、典型的には１２分間、典型的には約４００℃
の高温まで加熱できる。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を約４０
０Ｗで、約１０分ないし約２０分間使用することなどに
よって、異物を除去できる。

次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約１００人ないし
約２００人である。

約２，０ＯＯＡなイシ約３，０ＯＯＡのｆｆ４層を、真
空蒸着などによって設けることができる。

次いで、ネガ・フォトレジストをポット・ロール積層機
などによって、ステンレス・スチールノ背面に貼付する
。典型的なフォトレジストはデュポンＲ１５ｔｏｎ　　
Ｔ−１８８（Ｒ’である。次いで、フォトレジストを、
たとえばタマラック・コンタクト露光装置を、約２秒な
いし約５秒間、約５８ないし約６５ミリジユールで用い
て、ブランケット露光する。

次いで、銅を構造体の前面に、典型的には硫酸溶液に硫
酸銅を入れた酸電解めっき浴などによってめっきする。

電解めっきは約１２５Ａで約２３分間行なわれ、銅の厚
さを約９０．０００人とする。

典型的には厚さ約２ミルのネガ・レジストを、前面（ク
ロム−胴側）に積層などによって貼付する。典型的なレ
ジストはＲ１５ｔｏｎ　　Ｔ−１６ｔ８（Ｒ）である。

次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約５８ないし約６８ミリジユール
で、約２秒ないし約５秒間、希望するパターンで紫外線
に露光し、希望する回路パターンを設ける。

フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレィを
用いて現像し、その後ウォーター・スプレィ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。

必要に応じ、構造体を処理し、約２７容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素を
、プラズマ・ガスとして、約４００ワツトの電力で、約
１０分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・タイプの
クリーニングなどによって不必要な残留物及び異物を除
去することができる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。約３０℃で、約１分間、約８Ｉ）
ｓｊの圧力でスプレィされた、比重的１．２ＥｉＯの塩
化第二鉄組成を使用して、銅を除去できる。約Ｂｏｇ／
Ｑの過マンガン酸塩と約２０　ｇ／ｆｉの水酸化ナトリ
ウムを含存する過マンガン酸カリウム組成を、約１００
°Ｆで、約１．２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でス
プレィして、クロムを除去する。

パネルを７５　ｇＩＱの溶液などのシュウ酸溶液でリン
スし、その後説イオン水で２回リンスできる。

残余のレジストを、たとえば、デュポンＲ１５ｔｏｎ　
　Ｔ−１６８（Ｒ’の場合、塩化メチレアースプレィを
用いて除去できる。

次いで、部品を約５０℃の脱イオン水中のＰＯ５１−Ｃ
１ｅａｎ清浄剤などを使用し、約１０ｐＳＩでスプレィ
して、清浄化し、その後説イオン水で３回リンスし、加
熱空気で乾燥する。

次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面に
、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的な
フォトレジストはデュポンＲ１５ｔｏｎ　　Ｔ−１８８
”’である。タマラック・コンタクト露光装置を、約２
秒ないし５秒間５８−６０ミリジユールで使用して、回
路側のフォトレジストをブランケット露光し、ステンレ
ス・スチール側を露光する。パターンはケーブルの所望
のスチール・パターンをもたらすのに必要なものに対応
している。

フォトレジストを上記のように、メチルクロロフォルム
をスプレィして現像し、その後水でリンスする。

次に、スチールを第１層及び大きなウィンドウを形成す
る領域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光する
。

このステップを、約５０°Ｃにおいて、約２０ｐｓｉで
、約４分ないし約６分間スプレィすることなどによって
、塩化第二鉄エツチング液を使って露光したスチールを
エツチングして達成することができる。

残余のフォトレジストを塩化メチレンなどのフォトレジ
ストの溶剤を、約１８ｐｓｉで約２分ないし約３分間ス
プレィして除去し、その後水をスプレィしてリンスする
。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって、
所定の領域から除去し、ケーブルの全体的なプロファイ
ルないしパーソナリティを設ける。

レーザー・エツチングはレーザーに面した部品の前面に
、約１９３ないし約３５１ナノメートル、好ましくは３
０８ナノメートルの波長及び約２００ないし約１０００
ミリジユール／ｃＩＩ２、典型的には約５５０ミリジユ
ール／ｃｌＩ２のフルエンスを用い、塩化キセノンまた
はフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガスを用いて行
なわれる。

エツチングはコンタクト型または投影型のいずれでも行
なえるが、投影モードが好ましい。

投影モードにおいて、エッチすべきパターンを有するマ
スクが作られる。ポリイミドを残す箇所において、マス
クは不透明であり、ポリイミドを除去する箇所において
、マスクは透明である。好ましいマスクは誘電性コーテ
ィングで作られるものであり、その使用法及び製造につ
いては、参照することによって本明細書の一部となる、
米国特許第４８８４４３６号及び１９８８年１０月２９
日出願の米国特許願第９２４４８０号に記載されている
。あるいは、石英上のＣｒマスクを使用することができ
るが、このようなマスクはレーザーによる損傷を受けや
すいものである。トランスファ光学系を使用して、マス
クのイメージをポリイミドに投影し、エツチングを誘起
する。マスク上をレーザーで走査するか、あるいはエツ
チング対象部品をステップするか、またはこの両方を行
ない、部品の新しい領域でエツチングを繰り返し、ポリ
イミド全体をエッチすることが必要となることもある。

この手順の改変形は、ポリイミド全体ではなく、下地の
ステンレス・スチールに接着されるポリイミドを除去す
るに充分なポリイミドだけをエッチするものである。レ
ーザーのフルエンスはポリイミドをエッチするに充分な
筋さではないので、ビームを集中する必要がある。この
ようなフルエンスの集中は、誘電性マスクの前に行なう
のが好ましいが、トランスファ光学系によって行なうこ
ともできる。石英上のＣｒマスクの場合、フルエンスの
集中をトランスファ光学系で行ない、マスクへの損傷を
防止しなければならない。

コンタクト・モードにおいては、コンタクト・マスクが
モリブデンなどの何らかの耐レーザー物質で構成される
。エツチングを行なった場合、モリブデンが除去され、
レーザー・エッチ生成物を排出するのに妨げのない通路
がもたらされる。コンタクト・マスクは部品と整合され
る。光学系を使用して、エクサイマ・レーザー・ビーム
を形成し、フルエンスを部品に集中させる。完全なエツ
チングがエクサイマ・レーザー・ビームの走査、部品の
走査、及び部品のステッピングの何らがの組合せによっ
て行なわれる。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって、
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さなウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザ
ー・エツチングはレーザーに面した部品の背面に、約１
９３ないし約３５１ナノメートル、好ましくは３０８ナ
ノメートルの波長及び約２００ないし約１０００ミリジ
ユール／Ｃ■２の間で、コンタクトまたは投影型エッチ
・システムを用いて行なわれる。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及びｏ２のガス混合物を、約４
００Ｗの電力で、約１０分ないし約２０分間使用したも
のなどのプラズマ除去によって、異物を除去できる。

パッド及び回路線上の露出したクロム層を、過マンガン
酸カリウム浴中などでのエツチングによって除去する。

典型的な浴は約６０　ｇ／Ｑの過マンガン酸カリウムと
約２０ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含む、約１００°Ｆ
において、約１．２分間のものである。

次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ツトルに約７５グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス
及び他の脱イオン水リンスを行なって、二酸化マンガン
などの残留物を過マンガン酸カリウム浴を使用して除去
する。

さらに、この部品をアルコノックス（アルカリ洗浄剤）
などの中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン
水リンス２回、約３分間の１５％の硫酸リンス、及び最
終の２分間の脱イオン・リンスによって処理する。

露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付は可能とする。電解めっきを約２０分すいし約３０
分間行ない、約２０マイクロインチないし約６０マイク
ロインチの厚さの金の層を設ける。

この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。

本発明の支持ケーブルを製造するさらにまた他の順序に
おいては、ステンレス・スチール・フォイルがスポット
溶接によって、チタンのウィンドウ・フレームに取り付
けられる。チタンのフレームの典型的な大きさは、約４
４＋＊ａ＋である。ステンレス・スチールは、厚さ０．
００１５”−０゜００２”の応力除去ステンレス・スチ
ールである。

次いで、ポリマー・コーティングをスプレィまたはロー
ル・コーティングなどによって、ステンレス・スチール
・フォイル表面に塗布する。ポリマー・コーティングは
熱硬化性ポリマーであることが好ましく、ポリイミドで
あることがもっとも好ましい。ポリイミドはポリアミド
酸前駆体の溶液を塗布するか、あるいはフィルム（たと
えば、Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ’）として積層できる。

ポリイミドをこの時点で、約９５°Ｃで約１．２分間加
熱することなどによって、部分的に硬化することができ
る。

次に、パターンをポリイミドにエッチし、ケーブルの全
体的なプロファイルないし形状、ならびに回路線の下方
のパッド領域及びウィンドウに対応させる。エツチング
は周知のフォトレジスト及びフォトリングラフ処理を用
いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ約
０．０００５インチのネガ・フォトレジストを、スプレ
ィなどによって塗布する。典型的なレジストはコダック
ＫＴＦＲ（Ｒ’である。次いで、フォトレジストを空気
加熱機中で、約１００−１２０’　で乾燥する。

次いで、フォトレジストはタマラック投影露光装置など
を使用して、約５８ないし約６５ミリジユールで紫外線
に露光される。

フォトレジストはメチルクロロフォルム・スプレィを用
いて、次いで、水スプレィ・リンスまたはフレオンを使
用してリンスすることによって現像される。

次に、パッド領域、及び回路線の下のウィンドウを含め
、所望の領域のポリイミドをエッチする。

ポリイミドは約０．２３モルの水酸化カリウムを用い、
約４５℃で、約２０秒間約１５ｐｓｉでスプレィするこ
とによって、エツチングできる。

次に、基板に約１分間、約８１）ｓｆにおいてシュウ酸
／水をスプレィし、その後、脱イオン爪でリンスする。

次いで、フォトレジストを、Ｊ−１００剥離溶液を用い
て剥離し、その後キシレン・リンス、イソブＯパノール
・リンス、及び脱イオン水リンスを施すことができる。

次に、ポリイミド層を硬化することができる。

たとえば、ポリイミド前駆体の場合、約３００°Ｃない
し約４００℃の高温に、典型的には約１０分ないし約３
０分間、約３５０℃、典型的にはチッ素雰囲気の炉中で
、約２０分間加熱する。

必要に応じ、構造体を処理し、約２７容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素を
、プラズマ・ガスとして、約４００ワツトの電力で、約
１０分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・タイプの
クリーニングなどによって不必要な残留物及び異物を除
去することができる。

次いで、クロム層を真空蒸着法などによって設けること
ができる。この層は通常、約４００人ないし約８００人
である。

次いで、約ｓｏ、ｏｏｏ入ないし約９０．００ＯＡの銅
層を、真空蒸着などによって設けることができる。

次いで、頂部クロム層を設け、銅を真空蒸着などによる
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約４００Ａないし約８０ＯＡである。

次いで、フォトレジストを構造体の両面に、たとえばコ
ダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）などのネガ・フォトレジス
トをスプレィして塗布し、その後空気加熱機中において
約１００ないし約１２０℃で乾燥し、背面及び回路をブ
ランケット露光し、前面を露光し、現像し、構造体の前
面に所望の金属パターンのネガを設ける。コダックＫ　
Ｔ　Ｆ　Ｒ’Ｒ）の場合、レジストはタマラック・コン
タクト露光投影装置で、約３ないし約５秒間、約５０な
いし約７０ミリジユールで露光される。

フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレィを
用いて現像し、その後フレオン・スプレィによってリン
スできる。

次いで、フォトレジストで保護されていないクロム及び
銅の層はそれぞれ、典型的なりロム及び銅のエツチング
液でエツチングされる。たとえば、約６０　ｇ／Ｑの過
マンガン酸塩と約２．０ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含
有する過マンガン酸カリウム組成を、約１００°Ｆで、
約１．２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でスプレィし
、クロムを除去する。次いで、基板を脱イオン水でリン
スする。

比重的１．２８０の塩化第二鉄組成を約３０℃で、約１
分間、約ＥＮ）ｓｉの圧力でスプレィし、銅を除去する
。底部のクロム層を上記と同じ手順で除去する。構造体
を７５ｇ／Ｑのシュウ酸リンスによってリンスし、次い
で、脱イオン水りンスで２回リンスする。

この時点で、ポリイミド・パターン及び回路パターンを
画定する。

次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面に
、コダックＫＴＦＲ（Ｒ）などをスプレィして塗布する
。タマラック投影露光装置を上記のように使用して、回
路側のフォトレジストをブランケット露光し、ステンレ
ス・スチール側を露光する。パターンはケーブルの所望
のスチール・パターンをもたらすのに必要なものに対応
している。

フォトレジストを、メチルクロロフォルム−スプレィを
用いて現像する。部品をフレオンを使用してリンスする
。

次に、スチールを第１の大きなウィンドウを形成する領
域から除去し、パッドの背面を露光する。

このステップを、約５０°Ｃにおいて、約２０ｐｓｉで
、約４分ないし約６分間スプレィすることなどによって
、塩化第二鉄エツチング液を使って露光したスチールを
エツチングして達成することができる。

残余のフォトレジストを、Ｊ−１００などのフォトレジ
ストの溶剤に浸漬することによって除去する。

本発明による支持ケーブルを製造する他の順序において
は、ポリイミドがステンレス・スチールのロールのロー
ル寺コーティングによっテ塗布すれる。ステンレス・ス
チールは通常、厚さ０．００１５インチないし０．００
２インチの応力除去ステンレス拳スチールである。

ポリイミドをこの時点で、約９５°Ｃで約１２分間加熱
することなどによって、部分的に硬化することができ、
次いでステンレス・スチールを１０”Ｘ１５″のパネル
に切断する。

次に、パターンをポリイミドにエッチし、ケーブルの全
体的なプロファイルないし形状、ならびに回路線の下方
のパッド領域及びウィンドウに対応させる。エツチング
は周知のフォトレジスト及びフォトリングラフ処理を用
いて行なうことができる。たとえば、典型的には厚さ約
２ミルのネガ・フォトレジストを、積層などによって貼
付する。

典型的なレジストはＲ１５ｔｏｎ　　Ｔ−ＩＥ３８（Ｒ
’である。

次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約６０ないし約７０ミリジユール
で、紫外線に露光させる。

フォトレジストを、メチルクロロフォルムΦスプレィを
用いて現像し、その後ウォーター・スプレィ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。

次に、パッドの領域及び回路線の下のウィンドウを含む
所望の領域のポリイミドをエツチングする。ポリイミド
は約０．２３モルの水酸化カリウムを用い、約４５°Ｃ
で、約２０秒間、約１５ｐｓｉにおいてスプレィするこ
とによって、エッチできる。

次に、基板に約１分間、約６ｐｓｉにおいてシュウ酸／
水をスプレィし、その後、脱イオン水で２回リンスする
。

次いで、フォトレジストを約Ｌ８ｐｓ　ｔの塩化メチレ
ンのスプレィを約２分ないし約３分間用いて剥離し、そ
の後スプレィ水リンスを２回行なうことができる。

次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミド前駆体の場合、ＩＲ炉中でチッ素雰
囲気下で、典型的には１２分間、典型的には約４００°
Ｃの高温まで加熱できる。

必要に応じ、構造体を処理し、約２７容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素を
、プラズマ・ガスとして、約４００ワツトの電力で、約
１０分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・タイプの
クリーニングなどによって不必要な残留物及び異物を除
去することができる。

次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約１００人ないし
約２００人である。

約２，０００人ないし約３．０ＯＯＡの銅層を、真空蒸
着などによって設けることができる。次いで、典型的に
は硫酸溶液に硫酸銅を入れた酸電解めっき浴によって、
約９０．０００人の厚さまで銅をめっきする。電解めっ
きは１２５Ａで約２３分間行なわれる。

次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層な
どによって、パネルの両面に貼付する。

典型的なフォトレジストはデュポンＲｉ　ｓ　ｔｏｎＴ
−１６８（Ｒ）である。フォトレジストは回路側で、タ
マラック・コンタクト露光投影装置を使用して約２秒な
いし約５秒間、約５８−８５ミリジユールでブランケッ
ト露光され、ステンレス・スチールの側で所定のパター
ンに露光される。

次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルム・スプ
レィを用いて現像し、その後脱イオン水のリンスを行な
うことができる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。たとえば、比重的１．２６０の第
二塩化鉄組成を、約３０″ｃ１約１分間、約８ｐｓｉの
圧力でスプレィし、銅を除去する。

約Ｂｏｇ／Ｑの過マンガン酸塩と約２０ｇ／αの水酸化
ナトリウムを含有する過マンガン酸カリウム組成を、約
１００°Ｆで、約１．２分間、約８ｐｓ１のスプレィ圧
力でスプレィして、クロムを除去する。

残余のフォトレジストを、塩化メチレンを約１８ｐｓｉ
の圧力で、約２ないし約３分間スプレィして除去し、そ
の後水でリンスする。この時点で、ポリイミド・パター
ンと回路パターンが画定される。

次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面に
、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的な
フォトレジストはデュポンＲ１５ｔｏｎ　　Ｔ−１８８
（Ｒ’である。タマラック・コンタクト露光装置を使用
して所定のパターンで、回路側のフォトレジストをブラ
ンケット露光し、ステンレス・スチール側を露光する。

パターンはケーブルの所望のスチール・パターンをもた
らすのに必要なものに対応している。

フォトレジストをメチルクロロフォルム・スプレィを用
いて現像し、その後水でリンスを行なうことができる。

次に、スチールを第１層及び大きなウィンドウを形成す
る領域から除去し、パッドの背面を露光する。

このステップを、スプレィなどによって、塩化第二鉄エ
ツチング液を使って露光したスチールをエツチングして
達成することができる。

残余のフォトレジストを塩化メチレンを、約１８ｐｓｉ
で約２分ないし約３分間スプレィして除去し、その後水
をスプレィしてリンスする。

本発明の支持ケーブルを製造する他の順序においては、
ステンレス・スチール・フォイルがスポット溶接によっ
て、チタンのウィンドウ・フレームに取り付けられる。

チタンのフレームの典型的な大きさは、約４４＋ａｍで
ある。スチールは、厚さ０．００１５″ないし０．００
２″の応力除去ステンレス・スチールである。

次いで、ポリマー・コーティングをスプレィなどによっ
て、ステンレス・スチールの一方表面に塗布する。ポリ
マー・コーティングは熱硬化性ポリマーであることが好
ましく、ポリイミドであることがもっとも好ましい。ポ
リイミドはポリアミド酸前駆体の溶液を塗布するか、あ
るいはフィルム（たとえば、Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ’）とし
て積層できる。

ポリイミドをこの時点で、約９５°Ｃで約１２分間加熱
することなどによって、部分的に硬化することができる
。

次に、ポリイミド層を完全に硬化することができる。た
とえば、ポリイミドの場合、約３００℃ないし約４００
°Ｃの高温に、典型的には約１０分ないし約３０分間、
約３５０°Ｃ１典型的にはチッ素雰囲気の炉中で、約２
０分間加熱する。

必要に応じ、構造体を清浄化し、約２７容量％の四フッ
化炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素
を、プラズマ・ガスとして、約４００Ｗの電力で、約１
０分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・クリーニン
グなどによって不必要な残留物及び異物を除去すること
ができる。

次いで、クロム層を蒸着などによって設けることができ
る。この層は通常、厚さ約４００人ないし約８００人で
ある。

次いで、約６０，０００人ないし約９０．０００人の銅
層を、真空蒸着などによって設けることができる。

次いで、頂部クロム層を設け、銅を真空蒸着などによる
酸化から保護することができる。この頂部クロム層は通
常、約４００人ないし約８００人である。

次いで、フォトレジストを、たとえば、コダックＫＴＦ
Ｒ（Ｒ）などのネガ・フォトレジストをスプレィするこ
とによって、ステンレス・スチールの前面及び背面の両
方に塗布し、その後約１００°Ｃないし約１２０℃で空
気加熱機中で乾燥する。

次いで、フォトレジストを露光現像し、希望するポリイ
ミド・パターンのネガを設ける。コダックＫ　Ｔ　Ｆ　
Ｒ’Ｒ）の場合、タマラック・コンタクト露光投影機を
、約５０ないし約７０ミリジユールで約３分ないし約５
分間使用して、フォトレジストをステンレス・スチール
の背面でブランケット露光し、回路側で希望する所定の
パターンに露光して、ポリマー・パーソナリティという
一般的なプロファイルないし形杖を画定する。

次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルム・スプ
レィを用いて現像し、その後フレオン・スプレィのリン
スを行なうことができる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。たとえば、約Ｂｏｇ／（ｌの過マ
ンガン酸塩と約２０　ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含有
する過マンガン酸カリウム組成を、約１００°Ｆで、約
１．２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でスプレィして
、クロムを除去する。次いで、基板を脱イオン水でリン
スする。比重的１．２８０の塩化第二鉄組成を約３０″
Ｃで、約１分間、約８ｐｓｉの圧力でスプレィし、銅を
除去する。底部のクロム層を上記と同じ手順で除去する
。構造体を７５　ｇ／Ｑのシュウ酸リンスによってリン
スし、次いで、脱イオン水で２回リンスする。

残余のフォトレジストを、Ｊ−１００剥離溶液を用いて
剥離し、その後キシレン・リンス、インプロパツール・
リンス、及び３回の加熱脱イオン水リンスを施し、その
後加熱空気で乾爆する。

次いで、クロム−銅−クロムをコンタクト・マスクとし
て使用して、ポリイミドをレーザー・エツチングによっ
て所定の領域から除去し、一般的なプロファイルないし
パーソナリティを設ける。レーザー・エツチングはポリ
イミドの表面に、約１９３ないし約３５１ナノメートル
、好ましくは３゜８ナノメートルの波長及び約５００な
いし約１５００ミリジユール／Ｃ鵬２のフルエンスを用
いて行なわれる。

次いで、フォトレジストをケーブルの両面に、たとえば
コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ’をスプレィして塗布し、
これを空気加熱機中において約１００°Ｃないし約１２
０℃で乾燥する。約３秒ないし約５秒間、約５５ないし
約７０ミリジユールでタマラック投影装置を使用して、
フォトレジストのステンレス・スチール側をブランケッ
ト露光し、前面のクロム−銅−クロム側を所定の回路パ
ターンに露光する。

次いで、フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプ
レィして現像する。部品をその後フレオンでリンスする
。

次いで、フォトレジストによって保護されていない胴囲
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。たとえば、約６０　ｇ／Ｑの過マ
ンガン酸塩と約２０　ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含有
する過マンガン酸カリウムを、約１００°Ｆで、約１６
２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でスプレィして、ク
ロムを除去する。次いで、基板を脱イオン水でリンスす
る。比重約１．２８０の塩化第二鉄組成を約３０°Ｃで
、約１分間、約８ｐｓｉの圧力でスプレィし、銅を除去
する。底部のクロム層を上記と同じ手順で除去する。構
造体を７５　ｇ／Ｑのシュウ酸リンスによってリンスし
、次いで、脱イオン水で２回リンスする。これが回路パ
ターンを画定する。

残余のフォトレジストを、Ｊ−１００などのフォトレジ
ストの溶剤に浸漬することによって除去し、その後キシ
レン・リンス、インプロパツール・リンス、及び３回の
加熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で乾燥す
る。

パネルをＮｅｕｔｒａ−Ｃ１ｅａｎ洗浄剤を使用して、
約６５°Ｃに加熱した脱イオン水中で、約２分ないし約
４分間予備洗浄し、次いで脱イオン水で３回リンスし、
その後加熱空気で乾燥する。

次に、コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）などのネガ・フォ
トレジストをケーブルの回路側にスプレィし、その後空
気加熱機中で約１００℃ないし約１２０　’Ｃで乾燥す
る。頂部回路側のフォトレジストを、タマラック投影装
置を約３秒ないし５秒間、約５５ないし約７０ミリジユ
ールで使用して、ブランケット露光する。

結果をメチルクロロフォルム・スプレィを用いて現像し
、その後フレオン・スプレィのリンスを行なう。

次に、コダックＫ　Ｔ　Ｆ　Ｒ（Ｒ）などのネガ・フォ
トレジストをケーブルのステンレス・スチールの背面側
にスプレィし、その後空気加熱機中で約１００℃ないし
約１２０℃で乾燥する。

タマラック投影装置を約３秒ないし約５秒間、約５５な
いし約７０ミリジユールで使用して、背面を所定のパタ
ーンに露光し、ステンレス・スチールのプロファイルを
画定する。フォトレジストをメチルクロロフォルムをス
プレィして現像し、その後フレオン・スプレィのリンス
を行なう。

次に、スチールを第１層及び大きいウィンドウを形成す
る領域を含む領域から除去し、パッドの背面を露光する
。

このステップを、約５０℃において、約２０ｐｓｉで、
約４分ないし約６分間スプレィすることなどによって、
塩化第二鉄エツチング液を使って露光したスチールをエ
ツチングして達成することができる。

残余のフォトレジストを、Ｊ−１００などのフォトレジ
ストの溶剤に浸漬することによって除去し、その後キシ
レン・リンス、インプロパツール・リンス、及び３回の
加熱脱イオン水リンスを施し、その後加熱空気で乾燥す
る。

次いで、ポリイミドを所定の領域から、レーザー・エツ
チングによって除去し、回路線の背後に小さいウィンド
ウを設け、回路パッドの下方にバイアを設ける。レーザ
ー・エツチングはレーザーに面した部品の背面に、約１
９３ないし約３５１ナノメートル、好ましくは３０８ナ
ノメートルの波長及び約２００ないし約１０００ミリジ
ユール／Ｃ膳２、典型的には約５５０ミリジユール／ｃ
ｒａ２のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化
クリプトンなどのハロゲン化希ガス・レーザーを用いて
行なわれる。エツチング・システムはコンタクト型また
は投影型のいずれをも使用できる。ビーム走査、部品の
ステッピング及び反復の何らかの組合せを使用して、異
なるポリイミドの領域をエッチすることができる。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を、約４
００Ｗの電力で、約１０分ないし約２０分間使用したも
のなどのプラズマ除去によって、異物を除去できる。

パッド上の露出したクロムを、過マンガン酸カリウム洛
中などでのエツチングによって除去する。

典型的な浴は約８０　ｇ／Ｑの過マンガン酸カリウムと
約２０　ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含む、約１００°
Ｆにおいて、約１．２分間のものである。

次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ツトルに約７５グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス
及び他の脱イオン水リンスを行なう。さらに、この部品
を中性洗剤を使用した洗浄により、次いで脱イオン水リ
ンス２回、約３分間の１６％の硫酸リンス、及び最終の
２分間の脱イオン水リンスによって処理する。

露出した銅には次いで、金の電解めっきを行ない、はん
だ付は可能とする。電解めっきを約２０分ないし約３０
分間行ない、約２０ないし約６０マイクロインチの厚さ
の金の層を設ける。

この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。

この部品を次いで、チタン・フレームから分離する。

本発明による支持ケーブルを製造するさらに他の順序に
おいては、ポリイミドがステンレス・スチールのロール
のロール・コーティングによって塗布される。

ポリイミドをこの時点で、約９５℃で約１２分間加熱す
ることなどによって、部分的に硬化することができ、次
いでコーティングされたステンレス・スチールを１０″
Ｘ１５”のパネルに切断する。

次に、ポリマー層を完全に硬化することができる。たと
えば、ポリイミド前駆体の場合、ＩＲ炉中でチッ素雰囲
気下で、典型的には１２分間、典型的には約４００°Ｃ
の高温まで加熱できる。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を約４０
０Ｗで、約１０分ないし約２０分間使用したものなどの
プラズマ除去によって、異物を除去できる。

次いで、クロム層をスパッタリング法などによって設け
ることができる。この層は通常、厚さ約１００人ないし
約２００人である。

約２，０００人ないし約３，０００人の銅層を、真空蒸
着などによって設けることができる。

次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層機
などによって、ステンレス・スチールの背面に貼付する
。典型的なフォトレジストはデュポｙＲｉｓｔｏｎ　　
Ｔ−１８８（Ｒ’である。次いで、フォトレジストを、
たとえばタマラツク・コンタクト露光装置を、約２秒な
いし約５秒間、約５８ないし約６５ミリジユールで用い
て、ブランケット露光する。

次いで、銅を構造体の前面に、典型的には硫酸溶液に硫
酸鋼を入れた酸電解めっき浴などによってめっきし、約
９０．０００人の銅の総厚を設ける。電解めっきは１２
５Ａで約２３分間行なわれる。

典型的には厚さ約２ミルのネガ・レジストを、前面（ク
ロム−画側）に積層などによって貼付する。典型的なレ
ジストはＲ１５ｔｏｎ　　Ｔ−１８８（Ｒ）である。

次いで、フォトレジストをタマラック・コンタクト露光
装置などを使用して、約５８ないし約６５ミリジユール
で、約２秒ないし約５秒間、希望するパターンで紫外線
に露光し、ケーブルの一般的な形状ないしプロファイル
（パーソナリティ）を設ける。

フォトレジストを、メチルクロロフォルム・スプレィを
用いて現像し、その後ウォーター・スプレィ・リンスま
たはフレオンを使用してリンスする。

必要に応じ、構造体を処理し、約２７容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素を
、プラズマ・ガスとして、約４００Ｗの電力で、約１０
分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・タイプのクリ
ーニングなどによって不必要な残留物及び異物を除去す
ることができる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。約３０℃で、約１分間、約８１）
ｓｉの圧力でスプレィされた、比重的１．２８０の塩化
第二鉄組成を使用して、銅を除去できる。約８０　ｇ／
Ｑの過マンガン酸塩と約２０ｇ／ｕの水酸化ナトリウム
を含有する過マンガン酸カリウムを、約１００°Ｆで、
約１゜２分間、約８ｐｓｉのスプレィ圧力でスプレィし
て、クロムを除去する。

次いで、残余のレジストを、たとえば、デュポンＲ１５
ｔｏｎ　　Ｔ−１６８（Ｒ’の場合、塩化メチレンを約
１８ｐｓｉの圧力で、約２ないし約３分間スプレィして
除去し、その汲水をスプレィしてリンスする。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって、
所定の領域から除去し、全体的なポリイミドのプロファ
イルを設ける。レーザー・エツチングはレーザーに面し
た部品の前面に、約１９３ないし約３５１ナノメートル
、好ましくは３０８ナノメートルの波長及び約５００な
いし約１５００ミリジユール／Ｃ鵬２、典型的には約５
５０ミリジユール／Ｃ■２のフルエンスを用い、塩化キ
セノンまたはフッ化クリプトンなどのハロゲン化希ガス
を用いて行なわれる。

エツチングを部品をビームで走査し、すなわちビームの
下の部品を走査して行ない、ポリマーをエッチする。パ
ネルをステップさせ、除去すべきポリマーの次の部分を
露光する。希望するポリマーがすべて除去されるまで、
走査とステッピングを繰り返す。クロム−銅はコンタク
ト・マスクとして働く。

次いで、ネガ・フォトレジストをホット・ロール積層装
置などによって、ステンレス・スチールの背面及び回路
側に貼付する。典型的なフォトレジストはデュボ７Ｒｉ
ｓｔｏｎ　　Ｔ−１６８（Ｒ’でアル。クマラック・コ
ンタクト露光装置を、約２秒ないし５秒間５８−６５ミ
リジユールで使用して、ステンレス・スチールの背面側
のフォトレジストをブランケット露光し、前面のクロム
−銅被覆側を露光して、希望する回路パターンを与える
。

フォトレジストは上記のようにメチルクロロフォルム・
スプレィを用いて現像され、その後脱イオン水でスプレ
ィする。

必要に応じ、構造体を処理し、約２７容量％の四フッ化
炭素、約５容量％のチッ素、及び約６８容量％の酸素を
、プラズマ・ガスとして、約４００Ｗの電力で、約１０
分ないし約２０分間の開用いるプラズマ・タイプのクリ
ーニングなどによって不必要な残留物及び異物を除去す
ることができる。

次いで、フォトレジストによって保護されていない銅層
とクロム層のそれぞれを、典型的な銅とクロムのエツチ
ング液でエッチする。たとえば、比重的１．２８０の第
二塩化鉄組成を、約３０°Ｃ１約１分間、約８ｐｓｉの
圧力でスプレィし、銅を除去する。

約Ｅ３０　ｇ／Ｑの過マンガン酸塩と約２０　ｇ／Ｈの
水酸化ナトリウムを含有する過マンガン酸カリウム組成
を、約１００’Ｆで、約１．２分間、約８ｐＳｉのスプ
レィ圧力でスプレィして、クロムを除去する。これが回
路パターンを画定する。

残余のフォトレジストを塩化メチレンヲ、約１８ｐｓｉ
で約２分ないし約３分間スプレィして除去し、その後水
でリンスする。

次いで、部品を約５０℃の脱イオン水中のＰＯ５１−Ｃ
１ｅａｎ清浄剤などを使用し、約１０ｐｓｉでスプレィ
して、清浄化し、その後脱イオン水で３回リンスし、加
熱空気で乾燥する。

次に、フォトレジストをステンレス・スチールの両面に
、ホット・ロール積層などによって貼付する。典型的な
フォトレジストはデュポンＲ１５ｔｏｎ　　Ｔ−１８８
”’である。タマラック・コンタクト露光装置を、約２
秒ないし５秒間５８−６０ミリジユールで使用して、回
路側のフォトレジストを所定のパターンでブランケット
露光し、ステンレス・スチール側を露光する。パターン
はケーブルの所望のスチール・パターンをもたらすのに
必要なものに対応している。

フォトレジストをメチルクロロフォルムをスプレィして
現像し、その後水でリンスする。

次に、スチールを第１層及び大きなウィンドウを形成す
るための領域から除去し、パッドの背面を露光する。

このステ、プを、約５０℃において、約２０ｐｓｉで、
約４分ないし約６分間スプレィすることなどによって、
塩化第二鉄エツチング液（比重１゜３６０）を使って露
光したスチールをエツチングして達成することができる
。

残余のフォトレジストを塩化メチレンを、約１８１）ｓ
ｉで約２分ないし約３分間スプレィして除去し、その後
水でリンスする。

次いで、ポリイミドをレーザー・エツチングによって、
所定の領域から除去し、回路線の背後に小さいウィンド
ウを設け、回路パッドの下にバイアを設ける。レーザー
・工、チングはレーザーに面した部品の背面に、約１９
３ないし約３５１ナノメートル、好ましくは３０８ナノ
メートルの波長及び約２００ないし約１０００ミリジユ
ール／ｃ１１２、典型的には約５５０ミリジユール／ａ
ｍ２のフルエンスを用い、塩化キセノンまたはフッ化ク
リプトンなどのハロゲン化希ガス・レーザーを用いて行
なわれる。レーザー・エツチング・システムはコンタク
ト型または投影型のいずれでも行なえる。ビーム走査、
部品のステッピング及び反復の何らかの組合せを使用し
て、異なるポリイミドの領域をエッチすることができる
。

この後、ＣＦ４、Ｎ２、及び０２のガス混合物を、約４
００Ｗの電力で、約１０分ないし約２０分間使用するな
どのプラズマ除去によって、異物を除去できる。

パッド上の露出したクロムを、過マンガン酸カリウム浴
中などでのエツチングによって除去する。

典型的な浴は約６０　ｇ／１１の過マンガン酸カリウム
と約２０ｇ／Ｑの水酸化ナトリウムを含む、約１００°
Ｆにおいて、約１．２分間のものである。

次に、この部品を脱イオン水中でリンスし、次いで１リ
ツトルに約７５グラムのシュウ酸を含むシュウ酸リンス
を行ない、次いで他の脱イオン水リンスを行なう。さら
に、この部品を中性洗剤を使用した洗浄により、次いで
脱イオン水リンス２回、約３分間の１５％の硫酸リンス
、及び最終の２分間の脱イオン・リンスによって処理す
る。

露出した銅には次いで、金で電解めっきし、はんだ付は
可能とする。電解めっきを約２０分ないし約３０分間行
ない、約２０マイクロインチないし約６０マイクロイン
チの厚さの金の層を設ける。

この部品を次いで、約５分間脱イオン水中でリンスし、
空気乾燥する。

任意選択で、任意の手順において、かつ必要に応じ、接
触が行なわれないか、あるいははんだ付けされない回路
を、ポリイミド保護コーティングで被覆することができ
る。

Ｆ０発明の効果 上記のように、本発明は低コストで、かつ高い信頼性で
比較的大量に製造できるとともに、より線の必要のない
、薄い、可視性の支持ケーブルを提供する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による可撓性支持ケーブルの略図であ
る。 １．２・・・・ステンレス・スチール・フォイル−ポリ
マー材料複合体、３・・・・導電性回路パッド、４・・
・・回路パッドの下方から除去される材料、５・・・・
導電性回路線、６・・・・第１ウィンドウ、７・・・・
ポリマー材料。 出願人　　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーボレーシロン 代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名） 第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ステンレス・スチール・フォイル基板と、前記基
   板の選択された部分のポリマーの層と、ポリマーの前記
   層上の選択された位置にある回路パッドであって、バイ
   アが前記のスチール・フォイル基板、及び前記パッドの
   下のポリマー層に設けられ、前記パッドの底面を露出さ
   せる回路パッドと、 前記パッドの頂面から延びている回路線であって、スチ
   ールのない第１ウィンドウが前記回路線の両端を含む一
   部の下に設けられる回路線とからなり、 前記第１ウィンドウよりも小さく、前記スチールと前記
   ポリマー層のない第２ウィンドウが前記回路線の一部の
   下に設けられている、 電子装置用の可撓性支持ケーブル。
2. （２）（ａ）ポリマー材料の層を、可撓性のステンレス
   ・スチール・フォイル基板の主要面の少なくとも１つに
   貼付し、 （ｂ）ポリマー材料の前記層の頂面に電気接続層を設け
   、 （ｃ）導電層に希望するパターンをエッチングし、回路
   パッドと、該パッドの頂面から延びる回路線を設け、 （ｄ）前記スチール・フォイル基板にパターンをエッチ
   ングして、前記スチール・フォイル基板にバイアを設け
   て、前記パッドの底面を露出させ、（ｅ）前記スチール
   ・フォイル基板にパターンをエッチングして、前記回路
   線の両端を含む一部の下に、スチール・フォイルのない
   第１ウィンドウを設け、 （ｆ）ポリマー材料の前記層にパターンをエッチングし
   て、スチール・フォイル基板のバイアと関連して、前記
   パッドの底面を露出させるバイアをポリマー材料の前記
   層に設け、 （ｇ）ポリマー材料の前記層にパターンをエッチングし
   て、前記回路線の下に第２ウィンドウを設けることから
   なり、該第２ウィンドウが前記第１ウィンドウよりも小
   さく、かつ前記スチール・フォイルのない、 電子装置用の可撓性支持ケーブルを形成する方法。