JPH02148597A - El device and el display using same - Google Patents

El device and el display using same

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JPH02148597A
JPH02148597A JP63301302A JP30130288A JPH02148597A JP H02148597 A JPH02148597 A JP H02148597A JP 63301302 A JP63301302 A JP 63301302A JP 30130288 A JP30130288 A JP 30130288A JP H02148597 A JPH02148597 A JP H02148597A
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JP
Japan
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electrode
layer
light
insulating layer
green
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Pending
Application number
JP63301302A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Kizawa
賢一 鬼沢
Katsu Tamura
田村 克
Yoshio Abe
良夫 阿部
Takahiro Nakayama
隆博 中山
Akira Sato
明 佐藤
Kenichi Hashimoto
健一 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02148597A publication Critical patent/JPH02148597A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain high quality EL device and EL display by providing a compound layer of water repellency between a second insulating layer and a second electrode, whereby deterioration of a luminous layer due to moisture can perfectly be prevented. CONSTITUTION:After a transparent first electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by RF sputtering, a first insulating layer 3 is formed thereon. Then a luminous layer 4 is formed thereon by electron beam vapor deposition, and a second insulating layer 5 is formed on the layer 4. A polymeric compound of water repellency is formed thereon as a compound layer 6 by RF sputtering, and then, metal Al is formed as a second electrode 7 by resistance heating vapor deposition. By forming the compound layer 6 of water repellency on the second insulating layer 5, even though there is a defect such as a pin hall that penetrates the layer 5, moisture does not permeates, and deterioration of the luminous layer 4 due to moisture during the patterning of the electrode 7 can thus be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多色表示が可能で、かつ表示品質に優れたE
L素子および該EL素子を用いたELデイスプレィに関
する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] The present invention provides an electronic device capable of displaying multiple colors and having excellent display quality.
The present invention relates to an L element and an EL display using the EL element.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のEL素子は、ガラス基板上にI n、O,とSn
O,とからなりITOと呼ばれる透明の第一?!!極が
約0.2μm程度の厚さに形成され、この上に金属哉化
物からなる第一絶縁層、ZnS等を母体としMn等の発
光センタを少量含んだ発光層、金属酸化物からなる第二
絶緑層が下からこの順に積層されている。これらの各層
の厚さは第一、第二絶緑層が0.2〜0.5μm、発光
層が0.4〜1.2μm程度である。第二絶緑層の上に
は金属AQから成る第二電極が0.2〜0.3μmの厚
さに形成されている。第一電極と第二電極はそれぞれ直
交するようにストライプ状に形成されている。
Conventional EL elements have In, O, and Sn on a glass substrate.
A transparent first layer called ITO, which consists of O and O? ! ! A pole is formed to a thickness of about 0.2 μm, and on top of this a first insulating layer made of a metal oxide, a light-emitting layer made of a matrix such as ZnS and containing a small amount of light-emitting centers such as Mn, and a second layer made of a metal oxide. The two green layers are stacked in this order from the bottom. The thickness of each of these layers is approximately 0.2 to 0.5 μm for the first and second anti-green layers, and approximately 0.4 to 1.2 μm for the light emitting layer. A second electrode made of metal AQ is formed on the second anti-green layer to a thickness of 0.2 to 0.3 μm. The first electrode and the second electrode are formed in stripes so as to be perpendicular to each other.

従って、一方の電極列に走査パルスを印加しておき、他
方の電極列に信号パルスを印加する方法により、発光し
きい値電圧以上の電圧パルスを任意の電極爪なり部分(
画素)に印加できるので1文字、図形等の表示が可能と
なる。
Therefore, by applying a scanning pulse to one electrode row and applying a signal pulse to the other electrode row, a voltage pulse higher than the light emission threshold voltage can be applied to any part of the electrode claw (
Since the voltage can be applied to each pixel (pixel), it is possible to display a single character, figure, etc.

このような構造のELi子において、第1電極と第2電
極はフォトエツチングプロセスにより形成される。すな
わち、絶縁層及び発光層の積層部は、エツチング液、有
機溶剤等の水分を含んだ各種薬品に浸される。このため
に、第二絶緑層にピンホール等の膜を貫通する欠陥があ
ると、その部分に薬品、特に水分が浸透し、E L素子
の発光特性あるいは絶蒜特性を劣化させる場合がある。
In the ELi device having such a structure, the first electrode and the second electrode are formed by a photo-etching process. That is, the laminated portion of the insulating layer and the light emitting layer is immersed in various chemicals containing moisture, such as an etching solution and an organic solvent. For this reason, if there is a defect in the second green-proofing layer that penetrates the film, such as a pinhole, chemicals, especially moisture, may penetrate into the defective part, which may deteriorate the light-emitting characteristics or the liquid-proofing properties of the EL element. .

そこで、特開昭58−85295号公報に示されている
ように、第二絶緑層表面が水分になるべく接触しないよ
うに工夫されたりフトオフ法と呼ばれる方法が提案され
ている。
Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-85295, a method called a foot-off method has been proposed to prevent the surface of the second green layer from coming into contact with moisture as much as possible.

また、特公昭54−39716号公報に示されているよ
うに、第二絶緑層を二種構造にして、ピンホール等の膜
を貫通する欠陥の生成を抑える方法も提案されている。
Furthermore, as shown in Japanese Patent Publication No. 54-39716, a method has been proposed in which the second anti-green layer is made into a two-type structure to suppress the formation of defects penetrating the film such as pinholes.

さらに、僅かに浸透した水分に対しては、第2電極形成
後の真空脱気プロセスにより除去する方法が知られてい
る。
Furthermore, a method is known in which a small amount of moisture that has penetrated is removed by a vacuum degassing process after forming the second electrode.

上述した種々の方法に基づいて、発光JWがZnS:M
n(母体ZnS、発光センタM n 、黄橙色発光)で
あるモノクロELデイスプレィは既に実用化されている
。ところが、モノクロELデイスプレィでは表示情報量
に制限があるため、多色ELデイスプレィの実現が強く
望まれている。
Based on the various methods described above, the light-emitting JW is ZnS:M
A monochrome EL display of n (base ZnS, luminescent center M n , yellow-orange luminescence) has already been put into practical use. However, since monochrome EL displays have a limited amount of display information, there is a strong desire to realize multicolor EL displays.

この要求から、発光層材料としてCa S、 S rS
等のアルカリ土類硫化物を母体とし、これに希土類元素
を添加した材料が検討された。その結果、赤色、青色、
白色で高輝度の発光層が見い出された。いずれも色調、
輝度の点でZnSを母体とした発光層では得られない発
光特性を備えている。
Based on this requirement, CaS, SrS
Materials using alkaline earth sulfides as a matrix and adding rare earth elements to them have been studied. As a result, red, blue,
A white, high-luminance emissive layer was found. All colors,
In terms of brightness, it has light-emitting characteristics that cannot be obtained with a light-emitting layer using ZnS as a matrix.

従って、SrS、CaSを母体とする発光層をデバイス
化する必要がある。
Therefore, it is necessary to fabricate a light emitting layer containing SrS or CaS as a device.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、デバイス化するには第2電極をパターニ
ングしなければならないが、前記従来技術ではいかなる
方法を用いても、特に、発光層がアルカリ土類硫化物を
母体とし、かつ希土類元素または希土類元素のハロゲン
化物、硫化物、リン化物を発光センタとして含む場合、
第2電極を健全にパターニングすることはできない。す
なわち。
However, in order to form a device, the second electrode must be patterned, but no matter what method is used in the above-mentioned conventional technology, in particular, the light-emitting layer has an alkaline earth sulfide as a base material and a rare earth element or a rare earth element. When a halide, sulfide, or phosphide is included as a luminescent center,
It is not possible to properly pattern the second electrode. Namely.

リフトオフ法では、レジストを除去する際に使用する有
機溶剤中に含まれる僅かな水分により、発光層が劣化す
る。また、第二絶緑層を二重構造にした方法では、ピン
ホールを皆無にすることは不可能であり、結帰ピンホー
ルから水分が浸透してしまう。さらに、真空脱気する方
法では、いったん水分が発光層にまで浸透すると発光層
は一瞬にして劣化してしまうので、効果が薄い。
In the lift-off method, the light-emitting layer deteriorates due to a small amount of moisture contained in the organic solvent used when removing the resist. Furthermore, in the method in which the second anti-green layer has a double structure, it is impossible to completely eliminate pinholes, and as a result, water permeates through the pinholes. Furthermore, the method of vacuum degassing is less effective because once moisture penetrates into the luminescent layer, the luminescent layer deteriorates in an instant.

本発明の目的は、第二電極をパターニングする際に1発
光層へ水分が浸透することを完全に防止できる構造のE
L素子および該EL素子を用いたELデイスプレィを提
供することである。
An object of the present invention is to create an E with a structure that can completely prevent moisture from penetrating into one light-emitting layer when patterning a second electrode.
An object of the present invention is to provide an L element and an EL display using the EL element.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するために、本発明は、#@縁縁板板上
線状の第一電極が配設され、該第一電極を覆うように第
一絶縁層、発光層、第二絶緑層が下からこの順に積層さ
れ、更に前記第二絶緑層上に線状の第二電極が配設され
たEL素子において、前記第二絶緑層と第二電極との間
に、撥水性の化合物層を具備したものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a first insulating layer, a light emitting layer, and a second insulating layer to cover the first electrode. are laminated in this order from the bottom, and a linear second electrode is further provided on the second anti-green layer, and a water-repellent layer is provided between the second anti-green layer and the second electrode It is equipped with a compound layer.

また、本発明は、絶縁基板上に線状の第一電極が配設さ
れ、該第一電極を覆うように第−絶8層。
Further, in the present invention, a linear first electrode is disposed on an insulating substrate, and an eighth insulating layer is provided so as to cover the first electrode.

発光層、第二絶緑層が下からこの順に積層され、更に前
記第二絶緑層上に線状の第二電極が配設されたEL素子
において、前記第二電極が透明な材料よりなり、前記第
二M縁暦と第二電極との間に撥水性の化合物層を有し、
かつ前記第二電極の上にカラーフィルタを有するもので
ある。
In an EL element in which a light emitting layer and a second constant green layer are laminated in this order from the bottom, and a linear second electrode is further disposed on the second constant green layer, the second electrode is made of a transparent material. , having a water-repellent compound layer between the second M calendar and the second electrode,
Further, a color filter is provided on the second electrode.

さらに、本発明は、多数の画素が任意に選ばれて発光す
ることにより、画面上に文字や図形を表示するELデイ
スプレィにおいて、前記2種類のEL素子の第一電極お
よび第二電極に電圧パルスを印加するための暉動回路を
接25′2シたものである。
Furthermore, the present invention provides an EL display in which characters and figures are displayed on a screen by arbitrarily selecting a large number of pixels to emit light. A perturbation circuit for applying 25'2 is connected.

〔作用〕[Effect]

上記構成によれば、第二絶緑層の上に撥水性の化合物層
を形成しておくと、第二絶緑層中を貫通するピンホール
等の欠陥があっても水分が浸透せず、第二電極をパター
ニングする際に、発光層が水分により劣化するのを防止
できる。
According to the above structure, if a water-repellent compound layer is formed on the second anti-green layer, moisture will not penetrate even if there is a defect such as a pinhole penetrating the second anti-green layer. When patterning the second electrode, it is possible to prevent the light emitting layer from deteriorating due to moisture.

ところで、発光層母体であるアルカリ土類硫化物(Ca
S、SrS、BaS等)は絶縁層と界面をつくり、この
界面の深い準位あるいはアルカリ上類硫化物中のバンド
ギャップ内につくられるトラップ準位から、電界によっ
て電子が発光層母体の伝導帯へ注入され、さらにこの電
子は電界によって加速されホットエレクトロンとなる。
By the way, alkaline earth sulfide (Ca
(S, SrS, BaS, etc.) forms an interface with the insulating layer, and from the deep level of this interface or the trap level created within the band gap in the supra-alkali sulfide, electrons are moved by the electric field to the conduction band of the light-emitting layer matrix. These electrons are further accelerated by the electric field and become hot electrons.

ホットエレクトロンは発光センタを直接衝突励起するか
、あるいは発光層母体をイオン化し、生じた電子−正孔
対が再結合する際にエネルギが発光センタへ伝達され発
光センタを励起する。希土類イオン内の4f電子軌導内
のエネルギ卆位差(Ce”Eu”+の場合は4f−5d
準位間)によって決まる一定の波長のEL発光を示す。
The hot electrons directly impact and excite the luminescent center or ionize the luminescent layer matrix, and when the generated electron-hole pairs recombine, energy is transmitted to the luminescent center and excites the luminescent center. Energy level difference in 4f electron orbit in rare earth ion (4f-5d in case of Ce"Eu"+
It shows EL emission with a constant wavelength determined by the level (between levels).

例えば、CaS:Eu(CaSが母体、Euが発光セン
タ)の場合約650nmにピークを持つ赤色発光、Sr
S:Ceの場合約490nmにピークを持ち450〜6
00nmに広がる青緑色の発光、SrS:Prでは49
0nmと660nmにシャープな2本のピークを持つ白
色(2つのピークが補色関係にあるため)発光を示す。
For example, in the case of CaS:Eu (CaS is the host, Eu is the luminescence center), red luminescence with a peak at about 650 nm, Sr.
In the case of S:Ce, it has a peak at about 490 nm and is 450 to 6
Blue-green emission spread over 00 nm, 49 for SrS:Pr
It emits white light (because the two peaks are complementary colors) with two sharp peaks at 0 nm and 660 nm.

これら発光層は前述したようにZnSを母体とする発光
層では得られない色調と輝度を示すが、第2電極を形成
する際に第二絶緑層を通して浸透する極微量な水に対し
ても劣化現象(輝度低下が主)を生じる。本発明はこの
欠点を改良したものである。
As mentioned above, these light-emitting layers exhibit a color tone and brightness that cannot be obtained with a light-emitting layer based on ZnS, but they are also resistant to extremely small amounts of water that permeate through the second green layer when forming the second electrode. A deterioration phenomenon (mainly a decrease in brightness) occurs. The present invention improves this drawback.

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の詳細な説明する。 The present invention will be explained in detail below.

(実施例1) 種々の物質の水に対する接触角を調べたところ、高分子
化合物系の接触角が大きいことが判明した。
(Example 1) When the contact angles of various substances with water were investigated, it was found that the contact angles of polymer compounds were large.

以下に求めた接触角の例を示す。An example of the contact angle determined is shown below.

比較のために無機化合物であるS i 02. S 1
JN4゜AQ20.、Ta205の薄膜をRFスパッタ
リング法によりガラス板上に形成し、水との接触角を調
べたところ、20〜50度と小さいことが判った。
For comparison, S i 02. is an inorganic compound. S1
JN4゜AQ20. A thin film of Ta205 was formed on a glass plate by RF sputtering, and the contact angle with water was examined, and it was found to be as small as 20 to 50 degrees.

次に上記の各物質を用いて第1図に示す構造のEL素子
を作製した。ガラス基板1には34m0のCornin
g 7059を用いた。この上に、RFスパッタリング
法により透明の第一電極2 (ITO)を0.2μmの
厚さに形成した後、フォトエツチングプロセスにより3
本/frnの精細度のス1〜ライブパターンを形成した
。この表面をよく洗浄後。
Next, an EL element having the structure shown in FIG. 1 was manufactured using each of the above materials. Cornin of 34m0 is used for glass substrate 1.
g 7059 was used. On top of this, a transparent first electrode 2 (ITO) was formed to a thickness of 0.2 μm by RF sputtering, and then 3 μm was formed by a photoetching process.
A live pattern was formed with a resolution of 1/frn. After cleaning this surface thoroughly.

RFスパッタリング法により第−絶縁層3としてTa、
05膜を0.4μmの厚さに形成した。次にこの上に電
子ビーム蒸着法を用いて発光M4を形成した。発光層4
の材料としてはSrSを母体とし、これにCeをCeC
Q、の形で0.1moQ%添加したものを用いた。Sr
SにCeCQ、を所定量混合後、圧粉成形してタブレッ
ト状とし、蒸発原料にした。蒸発前に原料を十分脱ガス
し、蒸着槽内の真空度を十分高くした。基板温度を50
0℃として発光層4を1.0μmの厚さに形成した。
Ta,
05 film was formed to a thickness of 0.4 μm. Next, a light emitting layer M4 was formed thereon using an electron beam evaporation method. Luminous layer 4
The material used is SrS as a matrix, and Ce is added to it.
Q, to which 0.1 moQ% was added was used. Sr.
After mixing S and CeCQ in a predetermined amount, the mixture was compacted into a tablet shape and used as a raw material for evaporation. Before evaporation, the raw material was sufficiently degassed, and the degree of vacuum in the evaporation tank was made sufficiently high. Set the board temperature to 50
The light emitting layer 4 was formed to have a thickness of 1.0 μm at 0° C.

この発光層4上にさらに第二絶緑層5としてTa、05
が0.4μm、5in2が0.17zmの厚さの積層膜
を形成した。発光層4側がTa、○、である。この上に
化合物層6として前述した8種類の高分子化合物のうち
の1つをRFスパッタリング法により形成した。比較の
ために高分子化合物を形成しない素子及び5in2の代
りにΔQ20゜を0.1μmの厚さに形成した素子も作
製した。
On this light-emitting layer 4, a second anti-green layer 5 of Ta, 05
A laminated film was formed with a thickness of 0.4 μm and a thickness of 0.17 zm. The light-emitting layer 4 side is Ta, ◯. On this, one of the eight types of polymer compounds described above was formed as the compound layer 6 by RF sputtering. For comparison, an element in which no polymer compound was formed and an element in which ΔQ20° was formed with a thickness of 0.1 μm instead of 5 in 2 were also fabricated.

この後、第二電極7として金属AQを抵抗加熱蒸着法に
より0.2μmの厚さに形成した。このAQ膜をフォト
エツチングプロセスにより3本/薗の精細度のストライ
プ状にITOパターンと直交するように加工した。AR
のエツチング液には酸系の水溶液(容量比で、リン酸:
酢酸:硝酸:水=75:15:5:5)を用いた。
Thereafter, metal AQ was formed as a second electrode 7 to a thickness of 0.2 μm by resistance heating vapor deposition. This AQ film was processed by a photoetching process into a stripe shape with a precision of 3 lines per stripe so as to be orthogonal to the ITO pattern. A.R.
The etching solution is an acidic aqueous solution (by volume, phosphoric acid:
Acetic acid:nitric acid:water=75:15:5:5) was used.

上述した方法により作製したEL素子を次に光学顕微鏡
を用いて発光WJ4の状態を1g1察した。第二絶緑層
5あるいは第二絶緑層5と化合物層6との積層膜を通し
てエツチング液が浸透し発光層4へ到達した場合には、
顕微鏡では主に黒い班点としてml FXされる。なお
、化合物層6を形成しない素子、すなわち、第二絶緑層
5がSiO2/Ta2O、及びA Q Z O3/ T
 a 20.であり、この表面がエツチング液と直接接
触する構造の素子では、顕微R観測するまでもなく目視
でも発光層4がアタックされ劣化したことがわかった。
Next, the state of the light emitting WJ4 of the EL element produced by the above-described method was observed using an optical microscope. When the etching solution penetrates through the second green-proofing layer 5 or the laminated film of the second green-proofing layer 5 and the compound layer 6 and reaches the light-emitting layer 4,
Under a microscope, ml FX is mainly seen as black spots. Note that the element in which the compound layer 6 is not formed, that is, the second anti-green layer 5 is made of SiO2/Ta2O and AQZO3/T
a20. In an element having a structure in which the surface is in direct contact with the etching solution, it was found that the light-emitting layer 4 was attacked and deteriorated by visual observation, not to mention microscopic R observation.

顕微MK 察結果を以下にまとめる。発光WJ4に劣化
によって生じた欠陥すなわち黒い班点が全く認められな
かったものに0印を、一部認めらだものにΔ印を、多数
認めらだものにX印をそれぞれ記して評価した。
The microscopic MK observation results are summarized below. The luminescent WJ4 was evaluated by marking 0 on those in which no defects caused by deterioration, that is, black spots were observed, Δ on those on which some spots were observed, and X on those on which a large number of spots were observed.

O印評価のものについては次に電圧印加により発光特性
を調べた。その結果、いずれの素子でも良好な発光特性
(Q1度、スペクトル)が得られた7すなわち、第二電
極7をフォトエツチングプロセスを用いずに形成(抵抗
加熱マスク蒸着)した素子と何ら変わらない特性であっ
た。
For those evaluated as O, the luminescence characteristics were examined by applying a voltage. As a result, good light emitting characteristics (Q1 degree, spectrum) were obtained for all devices.7 In other words, the characteristics are no different from those of devices in which the second electrode 7 was formed without using a photoetching process (resistance heating mask evaporation). Met.

(実施例2) 次に本発明の他の実施例を第2図に示す。本実施例が前
述した第1図のものと異なる点は、第一電極2と第二電
極7を共に透明電極ITOにしたことと、SrS母体に
PrとCeとをそれぞれ塩化物の形で0 、 IIII
o Q%ずつ添加して白色の発光F!J4を形成したこ
とと、第二?I!極7の上に三原色のカラーフィルタを
形成したことである。SrS:Pr、Ceは白色に発光
するので、カラーフィルタを用いることによりマルチカ
ラー表示ができる。
(Example 2) Next, another example of the present invention is shown in FIG. The difference between this embodiment and the one shown in FIG. , III
o Add Q% each to emit white light F! Forming J4 and the second? I! This is because color filters of three primary colors are formed on the pole 7. Since SrS:Pr and Ce emit white light, multicolor display is possible by using a color filter.

作製方法は実施例1とほぼ同一なので簡単に説明する。The manufacturing method is almost the same as in Example 1, so it will be briefly explained.

ITOを形成した50an0のガラス基板1を用いた。A 50 an 0 glass substrate 1 on which ITO was formed was used.

第一電極2′としてITOを8本/mの精細度(電極幅
100μm、電極間隔25μm)にバターニングした。
As the first electrode 2', ITO was patterned to a precision of 8 lines/m (electrode width 100 μm, electrode spacing 25 μm).

この上に第−絶縁層3としてT a 、 OSを1発光
層4′としてSrS:Pr、Ceを、第二絶緑層5とし
てSiO2とTa2O,との積層膜をそれぞれ形成した
。S I Oz +Ta、O,はRFスパッタリング法
により、SrS:Pr、Ceは電子ビーム蒸着法により
形成した。
On this layer, a laminated film of Ta was formed as the first insulating layer 3, SrS:Pr and Ce was formed as the light emitting layer 4', and a laminated film of SiO2 and Ta2O was formed as the second anti-green layer 5, respectively. S I Oz +Ta, O, was formed by RF sputtering method, and SrS:Pr, Ce was formed by electron beam evaporation method.

この上に化合物層6としてポリテトラフルオロエチレン
をRFスパッタリング法により形成した。
Polytetrafluoroethylene was formed thereon as a compound layer 6 by RF sputtering.

さらにこの上に第二電極7′としてITOをRFスパッ
タリング法により形成した。次にこのITOをフォトエ
ツチングプロセスを用いて3本/nnの精細度にパター
ニングした。ITOのエツチング液としては臭化水素m
(HBr)水溶液を用いた。以上のようにして作限した
EL素子に、カラーフィルタ8を8本/rrmの精細度
に赤、緑、青のストライプパターンに形成したガラス基
板1′を設こし、第一電極2′のパターンと位置合せを
した後、ガラス基板1′の周囲を乾燥したN277囲気
中で樹脂を用いて接看した。これによりE L素子内へ
の水分の侵入を防止し、駆動中のEL素子の劣化を抑制
する。
Furthermore, ITO was formed as a second electrode 7' on this by RF sputtering. Next, this ITO was patterned to a precision of 3 lines/nn using a photoetching process. Hydrogen bromide is used as an etching solution for ITO.
(HBr) aqueous solution was used. A glass substrate 1' on which color filters 8 are formed in a red, green, and blue stripe pattern with a resolution of 8 filters/rrm is provided on the EL element manufactured as described above, and a pattern of the first electrode 2' is formed. After alignment, the periphery of the glass substrate 1' was covered with resin in a dry N277 atmosphere. This prevents moisture from entering the EL element and suppresses deterioration of the EL element during driving.

第一電極2′及び第二電極7′から端子を引き出し、駆
動回路と接続してELデイスプレィとしての特性を調べ
た。その結果、カラーCRTにかなり近い色再現範囲の
マルチカラー表示ができることを確認した。第3図に得
られた三原色の色調をCIE色度図を用いて示す。、は
カラーCRTの三原色を示す。なお、三原色の0N−O
FFによる8色表示及び文字表示も確認できた。
Terminals were drawn out from the first electrode 2' and the second electrode 7' and connected to a drive circuit to examine the characteristics as an EL display. As a result, it was confirmed that multi-color display with a color reproduction range quite close to that of a color CRT was possible. FIG. 3 shows the obtained three primary color tones using a CIE chromaticity diagram. , indicates the three primary colors of a color CRT. In addition, the three primary colors 0N-O
Eight-color display and text display using FF were also confirmed.

なお、実施例1および実施例2では、発光層を電子ビー
ム蒸着法で形成したが、RFスパッタリング法あるいは
CVD法により形成することもできる。さらに、化合物
層を引上げ法あるいはスピンコード法により塗布した後
、乾燥固化する方法によっても形成できる。
Note that in Examples 1 and 2, the light emitting layer was formed by electron beam evaporation, but it can also be formed by RF sputtering or CVD. Furthermore, it can also be formed by applying a compound layer by a pulling method or a spin code method and then drying and solidifying it.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、水分により発光
層が劣化するのを完全に防止できるため、高品質のEL
素子およびELデイスプレィを得ることができる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to completely prevent the luminescent layer from deteriorating due to moisture, so that high-quality EL
elements and EL displays can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係るEL素子の断面図、第2図は他の
実施例でのEL素子の断面図、第3図は本発明のELデ
イスプレィによる三原色の色調を示すCIE色度図であ
る。 1.1′・・・ガラス基板、2,2′・・・第一電極。 3・・・第一絶縁層、4.4’・・発光層、5・・第二
絶緑層、6・・・化合物層、7,7′・・・第二電極、
8・・・カラーフィルタ。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an EL device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of an EL device in another embodiment, and FIG. 3 is a CIE chromaticity diagram showing the color tones of the three primary colors in the EL display of the present invention. be. 1.1'...Glass substrate, 2,2'...First electrode. 3... First insulating layer, 4.4'... Light emitting layer, 5... Second constant green layer, 6... Compound layer, 7,7'... Second electrode,
8...Color filter.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims]  1.絶縁基板上に線状の第一電極が配設され、該第一
電極を覆うように第一絶縁層、発光層、第二絶緑層が下
からこの順に積層され、更に前記第二絶縁層上に線状の
第二電極が配設されたEL素子において、前記第二絶緑
層と第二電極との間に、撥水性の化合物層を具備したこ
とを特徴とするEL素子。
1. A linear first electrode is disposed on an insulating substrate, a first insulating layer, a light-emitting layer, and a second anti-green layer are laminated in this order from below so as to cover the first electrode, and further the second insulating layer An EL element having a linear second electrode disposed thereon, further comprising a water-repellent compound layer between the second anti-green layer and the second electrode.
 2.請求項1記載のEL素子において、前記化合物層
は、水との接触角が80度以上の高分子材料よりなるこ
とを特徴とするEL素子。
2. 2. The EL device according to claim 1, wherein the compound layer is made of a polymeric material having a contact angle with water of 80 degrees or more.
 3.請求項1又は2記載のEL素子において、前記化
合物層はポリテトラフルオロエチレンであることを特徴
とするEL素子。
3. 3. The EL device according to claim 1, wherein the compound layer is polytetrafluoroethylene.
 4.請求項1記載のEL素子において、前記発光層は
、アルカリ土類硫化物を母体とし、かつ希土類元素また
は希土類元素のハロゲン化物、硫化物、リン化物を発光
センタとして含むことを特徴とするEL素子。
4. 2. The EL device according to claim 1, wherein the light emitting layer has an alkaline earth sulfide as a matrix and contains a rare earth element or a halide, sulfide, or phosphide of a rare earth element as a light emitting center. .
 5.請求項4記載のEL素子において、前記アルカリ
土類硫化物は、SrS、CaS、BaSのいずれか1つ
、またはこれらの2種以上の固溶体であることを特徴と
するEL素子。
5. 5. The EL device according to claim 4, wherein the alkaline earth sulfide is any one of SrS, CaS, and BaS, or a solid solution of two or more of these.
 6.請求項4記載のEL素子において、前記希土類元
素は、Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、E
r、Tmのうちの少なくとも1種であることを特徴とす
るEL素子。
6. 5. The EL device according to claim 4, wherein the rare earth elements include Ce, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, and E.
An EL device characterized by being at least one of r and Tm.
 7.絶縁基板上に線状の第一電極が配設され、該第一
電極を覆うように第一絶縁層、発光層、第二絶緑層が下
からこの順に積層され、更に前記第二絶縁層上に線状の
第二電極が配設されたEL素子において、前記第二電極
が透明な材料よりなり、前記第二絶縁層と第二電極との
間に撥水性の化合物層を有し、前記第二電極の上にカラ
ーフイルタを有することを特徴とするEL素子。
7. A linear first electrode is disposed on an insulating substrate, a first insulating layer, a light-emitting layer, and a second anti-green layer are laminated in this order from below so as to cover the first electrode, and further the second insulating layer In an EL element having a linear second electrode disposed thereon, the second electrode is made of a transparent material, and has a water-repellent compound layer between the second insulating layer and the second electrode, An EL element comprising a color filter on the second electrode.
 8.多数の画素が任意に選ばれて発光することにより
、画面上に文字や図形を表示するELディスプレイにお
いて、請求項1又は7記載のEL素子の第一電極および
第二電極に電圧パルスを印加するための駆動回路を接続
したことを特徴とするELディスプレイ。
8. In an EL display that displays characters or figures on a screen by arbitrarily selecting a large number of pixels to emit light, a voltage pulse is applied to the first electrode and the second electrode of the EL element according to claim 1 or 7. An EL display characterized by having a drive circuit connected thereto.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4990850A (en) * 1987-07-17 1991-02-05 Fonar Corporation Metal detector with two magnetic field transducers connected in opposing relationship and their sensing directions orthogonal to the magnetic field

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