JPH02139287A - Recording method - Google Patents

Recording method

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JPH02139287A
JPH02139287A JP1110360A JP11036089A JPH02139287A JP H02139287 A JPH02139287 A JP H02139287A JP 1110360 A JP1110360 A JP 1110360A JP 11036089 A JP11036089 A JP 11036089A JP H02139287 A JPH02139287 A JP H02139287A
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crystal
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恭治 筒井
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小島 明夫
Masabumi Ota
正文 太田
Ryohei Miyake
了平 三宅
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to record information at high speed and in high density and to preserve the recorded information stably for a long time by a method wherein a recording medium having a recording layer comprising optically anisotropic organic thin film crystals is heated to melt the crystals, and the melted crystals are rapidly cooled to cause a partial change in the crystal state, thereby recording. CONSTITUTION:For example, a recording layer (about 0.8mum thick) comprising thin film form crystals of stearic acid with a substantially uniform orientation is provided on a chromium layer, and a protective layer (about 0.6mum thick) comprising a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer is provided thereon to produce a recording medium. While the recording medium is rotated at 900rpm, the medium is irradiated with a semiconductor laser beam of a wavelength of 830 nm condensed to s beam diameter of 1mum, whereby records can be formed in a spiral form. Next, the medium with the records thus formed is scanned with a semiconductor laser beam of a wavelength of 780 nm condensed to a beam diameter of 5mum, which is continuously turned ON to obtain an intensity on the surface of the recording medium of 1.5mW, 2mW and 3mw, at a linear velocity of 50mm/sec and along a straight line so as to overlap with the record parts previously formed. As a result, the recording layer is brought into an erasing temperature range by irradiation at the intensity of 1.5mW, whereby erasing is performed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の分野〕 本発明は、熱エネルギーの印加による情報の記録および
光照射による情報のヒートモード記録に関し、詳しくは
結晶状態の熱による可逆的な変化に基づく情報の可逆的
な記録方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field] The present invention relates to the recording of information by the application of thermal energy and the heat mode recording of information by light irradiation. This invention relates to a reversible recording method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、情報を熱エネルギーの形で印加し、記録材料の形
状変化や物性変化として記録するいわゆるヒートモード
記録システムが実用化されつつある。このようなヒート
モード記録媒体としては、Te、Bi、Ss、 Tb、
Inなどを主成分とする金属材料を用いた無機系の記録
媒体、あるいは、シアニンなどのポリメチン系色素、フ
タロシアニン、ナフタロシアニン、ポルフィリンなどの
大環状アザアヌレン系色素、ナフトキノン、アントラキ
ノン系色素およびジチオール金属錯体系色素などの有機
色素を用いた記録媒体が知られている。これらの記録媒
体は集光したレーザー光の照射などにより熱エネルギー
が加えられると、照射部分の記録層が溶融あるいは蒸発
して孔(ビット)を形成し、情報を記録するものである
。しかし、これらの記録媒体は、記録した情報を消去し
て、再び新しい情報を記録する可逆性を有していない。
In recent years, so-called heat mode recording systems have been put into practical use, in which information is applied in the form of thermal energy and recorded as changes in the shape or physical properties of a recording material. Such heat mode recording media include Te, Bi, Ss, Tb,
Inorganic recording media using metal materials mainly composed of In, polymethine dyes such as cyanine, macrocyclic azaannulene dyes such as phthalocyanine, naphthalocyanine, and porphyrin, naphthoquinone, anthraquinone dyes, and dithiol metal complexes. Recording media using organic dyes such as systematic dyes are known. When thermal energy is applied to these recording media, such as by irradiation with focused laser light, the recording layer in the irradiated area melts or evaporates, forming holes (bits) and recording information. However, these recording media do not have the reversibility of erasing recorded information and recording new information again.

上記のような再生専用、追記型のヒートモード光記録媒
体の発達・とともに、記録、再生、消去が可能な可逆記
録媒体の必要性が高まっている。
With the development of read-only, write-once type heat mode optical recording media as described above, the need for reversible recording media that can be recorded, read, and erased is increasing.

こうした可逆記録媒体として、たとえばGd、 Tb。Examples of such reversible recording media include Gd and Tb.

oyなどの希土類元素とFe、 Ni、Coなどの遷移
金属とからなる合金薄膜を用いた光磁気記録媒体がある
。これは、レーザー光照射による加熱と外部印加磁界を
併用して記録し、磁化の向きによる光の振動面の回転方
向の違いを利用して再生するものである。また、情報の
消去はレーザーによる加熱と記録時とは逆向きの外部磁
界を加えることにより行なわれる。しかし、この光磁気
記録媒体は偏光を利用して再生を行なうが、記録部と非
記録部の差が小さいため再生時の感度が十分でなく S
/N比が悪いこと、また、記録層も酸化などの影響によ
り記録感度の劣化や記録の安定性に問題があるなどの欠
点を有している。
There is a magneto-optical recording medium that uses an alloy thin film made of a rare earth element such as oy and a transition metal such as Fe, Ni, or Co. This uses a combination of heating by laser beam irradiation and an externally applied magnetic field to record, and reproduces data by utilizing the difference in the rotational direction of the light vibration plane depending on the direction of magnetization. Furthermore, information is erased by heating with a laser and by applying an external magnetic field in the opposite direction to that used during recording. However, although this magneto-optical recording medium performs reproduction using polarized light, the sensitivity during reproduction is insufficient because the difference between the recorded and non-recorded areas is small.
The recording layer has disadvantages such as a poor /N ratio and problems such as deterioration of recording sensitivity and recording stability due to the effects of oxidation on the recording layer.

また、可逆記録媒体として、Ge、 Te、 Ss、 
Sb、In、 Snなどの元素を主成分とする無機材料
薄膜からなる記録層の結晶−非晶質間の相転移を利用し
たものがある。この記録媒体はレーザー光の照射のみで
、ヒートモード記録および消去ができ、反射率の差で再
生を行なうものであるが、記録部と非記録部の反射率の
差が小さいため、読み出しの速度や信頼性に問題を残し
ている。
In addition, as reversible recording media, Ge, Te, Ss,
There is one that utilizes the crystal-amorphous phase transition of a recording layer made of a thin film of an inorganic material mainly composed of elements such as Sb, In, and Sn. This recording medium can perform heat mode recording and erasing using only laser light irradiation, and reproduces data based on the difference in reflectance. However, because the difference in reflectance between the recorded and non-recorded areas is small, the readout speed is low. There are still problems with reliability.

一方、特開昭54−119377、同55−15419
8、同63−39378、同63−41186号公報に
は、樹脂マトリックス材と、このマトリックス材中に微
粒子分散状態で存在する有機低分子物質からなる熱記録
材料が開示されている。この記録材料はある温度以上に
加熱し冷却すると、白濁状態(遮光状態)になり、また
ある温度範囲に加熱し冷却すると透明状態となり、この
遮光性の可逆的な変化により記録が行なわれる。しかし
、この遮光性によるコントラストは1通常目視でamで
きる程度の大きさの記録の場合には明瞭であったとして
も、数−程度の小さな部分が変化してできた記録部を顕
微鏡的に拡大してa察する場合には記録として確認でき
ない程度の低いコントラストとなってしまう、記録層中
では有機低分子物質の微粒子のマトリックス中での状態
によって、光の散乱性が変化しているのであるが、記録
部分の大きさが数声程度になってしまうと、記録部分の
大きさに対してこの微粒子の大きさがこのような散乱を
起こすには十分なほどの小ささではなくなってしまうた
めである。これを補なうためには、記録の大きさに比べ
記録層の厚さをはるかに厚くすることが考えられるが、
このように厚い記録層を厚さ方向に全体に均一に加熱し
て小さな記録部を形成することは、実質的に困難である
。したがって、高密度な記録を行なう記録媒体に適用す
ることはできない。
On the other hand, JP-A-54-119377, JP-A-55-15419
No. 8, No. 63-39378, and No. 63-41186 disclose thermal recording materials comprising a resin matrix material and an organic low-molecular substance present in the matrix material in a state of fine particle dispersion. When this recording material is heated above a certain temperature and cooled, it becomes cloudy (light-shielding state), and when heated to a certain temperature range and then cooled, it becomes transparent, and recording is performed by reversible changes in this light-shielding property. However, even if the contrast caused by this light-shielding property is clear in the case of a record that is large enough to be seen with the naked eye, microscopically magnifying a recorded area that is made up of changes in several small areas. However, in the recording layer, the light scattering properties change depending on the state of the matrix of the organic low-molecular-weight particles in the recording layer. This is because when the size of the recording area becomes a few voices, the size of these particles is no longer small enough to cause such scattering compared to the size of the recording area. be. In order to compensate for this, it is possible to make the recording layer much thicker than the recording size.
It is substantially difficult to uniformly heat the entire thick recording layer in the thickness direction to form a small recording portion. Therefore, it cannot be applied to a recording medium that performs high-density recording.

その他に有機材料を用いた消去可能な記録媒体として、
たとえば特開昭−199343には有機金属錯体ビス(
l−ρ−n−アルキルフェニルブタンー1.3−ジオナ
ト)(■)と有機高分子混合物、特開昭63−1579
3には結晶性と非品性の熱可塑性樹脂混合物、特開昭6
3−95993.96748には結晶性芳香族ビニレン
スルフィド重合体、特開昭63−279440には含硫
黄ポリマー、特開昭63−128993にはジアザビシ
クロ(2,2,2)オクタン4級塩、特開昭63−25
9851には延伸配向した高分子や、液晶性高分子の結
晶、非晶転移あるいは配向度の変化を利用した記録方法
が示されている。これらはいずれも記録速度あるいは消
去速度がおそく実用化は困難である。
In addition, as an erasable recording medium using organic materials,
For example, in JP-A-199343, an organometallic complex bis(
l-ρ-n-alkylphenylbutane-1,3-dionato) (■) and organic polymer mixture, JP-A-63-1579
3 is a mixture of crystalline and non-crystalline thermoplastic resins, JP-A No. 6
3-95993.96748, a crystalline aromatic vinylene sulfide polymer, JP-A-63-279440, a sulfur-containing polymer, JP-A-63-128993, a diazabicyclo(2,2,2)octane quaternary salt, esp. Kaisho 63-25
No. 9851 discloses a recording method using stretched or oriented polymers, crystals of liquid crystalline polymers, amorphous transitions, or changes in the degree of orientation. All of these have slow recording speeds or slow erasing speeds, making them difficult to put into practical use.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

このように、従来の記録媒体を用いた記録方法は、記録
の感度、消去速度、記録の安定性、記録部と非記録部の
コントラストなどに種々の問題を残している。また使用
する記録媒体は安全性の而から、毒性のない材料を用い
たものであることが望ましい。
As described above, recording methods using conventional recording media have various problems such as recording sensitivity, erasing speed, recording stability, and contrast between recorded and non-recorded areas. Furthermore, from the standpoint of safety, it is desirable that the recording medium used be one made of non-toxic materials.

このような観点から本発明は情報の記録、再生および消
去が可能な記録媒体を用い、情報を高速かつ高密度に記
録し、長期間安定に保存できる記録方法を提供するもの
である。
From this point of view, the present invention provides a recording method that uses a recording medium on which information can be recorded, reproduced, and erased, records information at high speed and with high density, and can store information stably for a long period of time.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明者らは、以上のような目的から有機化合物結晶へ
の記録を検討した結果、光学的異方性のある薄膜状結晶
に瞬間的に熱を印加すると、部分的に結晶状態が変化し
、さらに適当な温度に再加熱することにより元の結晶状
態に戻ること、それに伴なって偏光特性が大きく変化す
ることを見い出した。本発明の記録方法はこのような結
晶状態の可逆的な変化に基づいてなされたものである。
As a result of studying recording on organic compound crystals for the above purposes, the present inventors found that when heat is instantaneously applied to a thin film-like crystal with optical anisotropy, the crystal state partially changes. They also discovered that by reheating to an appropriate temperature, the crystalline state returns to its original state, and that the polarization properties change significantly as a result. The recording method of the present invention is based on such a reversible change in the crystal state.

すなわち、本発明の記録方法は、光学的異方性を有する
有機薄膜状結晶からなるか、またはその薄膜状結晶を含
む記録層を有する記録媒体に、熱を印加し、薄膜状結晶
を溶融した後急冷することにより結晶状態を部分的に変
化させて記録することを特徴とするものであり、また、
上記の記録媒体が、記録時に照射された光の一部または
全部を吸収し、熱に変換する光熱変換層と光学的異方性
を有する有機薄膜状結晶からなるか、またはその薄膜状
結晶を含む記録層を有するものであり、光を照射し薄膜
状結晶を溶融した後、急冷することにより結晶状態を部
分的に変化させて記録する記録方法である。
That is, in the recording method of the present invention, heat is applied to a recording medium having a recording layer made of or containing an organic thin film crystal having optical anisotropy to melt the thin film crystal. It is characterized by recording after partially changing the crystal state by rapid cooling, and also,
The above-mentioned recording medium is composed of a light-to-heat conversion layer that absorbs part or all of the light irradiated during recording and converts it into heat, and an organic thin film-like crystal that has optical anisotropy, or This is a recording method in which a thin film crystal is irradiated with light to melt it and then rapidly cooled to partially change the crystal state for recording.

また、本発明は熱の印加または光の照射による上記の結
晶状態の変化が分子の配向方向の変化を含むものである
記録方法であり、また、上記の結晶状態の変化が薄膜状
結晶の部分的な微結晶化を含むものである記録方法であ
る。
Further, the present invention is a recording method in which the above-described change in the crystal state due to heat application or light irradiation includes a change in the orientation direction of molecules, and the above-described change in the crystal state includes a partial change in the thin film-like crystal. This is a recording method that involves microcrystallization.

また、本発明の記録の方法は、上記の光学的異方性を有
する有機薄膜状結晶が脂肪酸または脂肪攬誘導体、安息
香酸誘導体あるいは融点が50℃以上のn−アルカンま
たはその誘導体を主成分とするものである。
Further, in the recording method of the present invention, the organic thin film crystal having optical anisotropy described above contains a fatty acid or a fatty acid derivative, a benzoic acid derivative, or an n-alkane having a melting point of 50°C or higher or a derivative thereof as a main component. It is something to do.

以下に本発明の記録方法について詳細に説明する。The recording method of the present invention will be explained in detail below.

本発明の記録方法に用いる記録媒体は、光学的異方性を
有する有機薄膜状結晶を含む記録層を設けたものである
が、このような記録層を作るための代表的な材料をあげ
ると、たとえば脂肪酸または脂肪酸誘導体、安息香酸誘
導体あるいは、融点が50℃以上のn−アルカンまたは
その誘導体などがある。
The recording medium used in the recording method of the present invention is provided with a recording layer containing an organic thin film crystal having optical anisotropy. Typical materials for making such a recording layer include: Examples include fatty acids or fatty acid derivatives, benzoic acid derivatives, and n-alkanes or derivatives thereof having a melting point of 50°C or higher.

ここで用いる脂肪酸または脂肪酸誘導体とは、詳しくは
、飽和または不飽和のモノまたはジカルボン酸またはこ
れらのエステル、アミド、アニリド、ヒドラジド、ウレ
イド、無水物あるいは、アンモニウム塩または金属塩の
ような脂肪酸塩であり、エステルは、2個以上のヒドロ
キシ基を持つ化合物とのエステルたとえば、モノ、ジま
たはトリグリセリドなどを含む、また、これらのものは
ハロゲン、ヒドロキシ基、アシル基、アシルオキシ基あ
るいは置換または無置換のアリール基により置換されて
いてもよい、これらの飽和または不飽和脂肪酸は直鎖の
ものでも枝分れしたものでもよく、不飽和脂肪酸は二重
結合または三重結合を1個持つものでも、2個以上持つ
ものでもよい。これらの飽和または不飽和脂肪酸の炭素
数は10以上であることが好ましい。
Fatty acids or fatty acid derivatives as used herein are specifically saturated or unsaturated mono- or dicarboxylic acids or their esters, amides, anilides, hydrazides, ureides, anhydrides, or fatty acid salts such as ammonium salts or metal salts. Esters include esters with compounds having two or more hydroxy groups, such as mono-, di- or triglycerides, and these include halogens, hydroxy groups, acyl groups, acyloxy groups, or substituted or unsubstituted These saturated or unsaturated fatty acids, which may be substituted by aryl groups, may be linear or branched; unsaturated fatty acids may have one double or triple bond, or two. You can have more than that. The carbon number of these saturated or unsaturated fatty acids is preferably 10 or more.

飽和脂肪酸の具体例としては、たとえば、ウンデカン酸
、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、バルミ
チン酸、ヘプタデカン飛、ステアリン酸、ナノデカン酸
、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸
、モンタン酸、メリシン酸などがあり、不飽和脂肪酸と
しては、たとえば、オレイン酸、エライジン酸、リノー
ル酸。
Specific examples of saturated fatty acids include undecanoic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecanoic acid, valmitic acid, heptadecanate, stearic acid, nanodecanoic acid, arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, cerotic acid, montanic acid, and melisic acid. Examples of unsaturated fatty acids include oleic acid, elaidic acid, and linoleic acid.

ソルビン酸、ステアロール酸などがある。またエステル
の具体例としては、たとえば、これらの脂肪酸のメチル
エステル、エチルエステル、ヘキシルエステル、オクチ
ルエステル、デシルエステル。
These include sorbic acid and stearolic acid. Specific examples of esters include methyl ester, ethyl ester, hexyl ester, octyl ester, and decyl ester of these fatty acids.

ドデシルエステル、テトラデシルエステル、ステアリル
エステル、エイコシルエステル、トコシルエステルなど
がある。また、金属塩の例としては、たとえば、これら
の脂肪酸のナトリウム、カリウム、マグネシウム、カル
シウム、ニッケル、コバルト、亜鉛、カドミウム、アル
ミニウムなどの金属塩である。
Examples include dodecyl ester, tetradecyl ester, stearyl ester, eicosyl ester, and tocosyl ester. Further, examples of metal salts include metal salts of these fatty acids such as sodium, potassium, magnesium, calcium, nickel, cobalt, zinc, cadmium, and aluminum.

また、ここで言う安息香酸誘導体とは、詳しくは下記一
般式で表わされる安息香酸およびそのエステル、アミド
、アニリドなどが含まれる。また1、この他に置換され
ていてもよいヒドラジド、ウレイドあるいは無水物、金
属塩、アンモニウム塩などの塩類が含まれる。また、エ
ステルは一般式(II)で表わされる化合物以外に、脂
肪族炭化水素化合物の多価アルコールあるいは、複数の
ヒドロキシ基を持つ芳香族炭化水素とのエステルを含む
Further, the benzoic acid derivative referred to herein specifically includes benzoic acid represented by the following general formula, and its esters, amides, anilides, and the like. 1. In addition to these, salts such as optionally substituted hydrazides, ureidos, anhydrides, metal salts, and ammonium salts are included. In addition to the compound represented by the general formula (II), esters include esters of aliphatic hydrocarbon compounds with polyhydric alcohols or aromatic hydrocarbons having a plurality of hydroxy groups.

一般式中のR1,R,、R1、およびその他の安息香酸
誘導体の置換基としては、たとえば、水素、アルキル基
、アルコキシ基またはフェニル基、ビフェニル基、ナフ
チル基、アントラニル基などのアリール基であり、R1
はこれらの他、アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン、
ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシル基お
よびそのエステル、置換されていてもよいカルバモイル
基、スルホ基およびそのエステル、あるいはアルキル基
、フェニル基、置換フェニル基で置換されていてもよい
アミノ基などがある。また、上記のアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基は、R1と同様の置換基で置換され
ていてもよい。また、アルキル基、アルコキシ基は直鎖
状のものでも枝分れしたものでもよく、炭素数2個以上
のものにあっては炭素鎖中に、1個以上の不飽和結合を
含んでいてもよい。
Examples of substituents for R1, R,, R1 and other benzoic acid derivatives in the general formula include hydrogen, an alkyl group, an alkoxy group, or an aryl group such as a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, and an anthranyl group. , R1
In addition to these, acyl group, acyloxy group, halogen,
Nitro group, hydroxy group, cyano group, carboxyl group and its ester, optionally substituted carbamoyl group, sulfo group and its ester, or alkyl group, phenyl group, amino group optionally substituted with substituted phenyl group, etc. There is. Further, the above alkyl group, alkoxy group, and aryl group may be substituted with the same substituent as R1. In addition, alkyl groups and alkoxy groups may be linear or branched, and if they have two or more carbon atoms, they may contain one or more unsaturated bonds in the carbon chain. good.

また、ここで言う、n−アルカンの誘導体とは、炭素鎖
中に1個または複数個の二重結合または三重結合を含む
化合物、水素原子が1個以上ハロゲン原子で置換された
化合物、および末端の炭素原子にアルキル基、アルコキ
シ基で置換されていてもよいベンゼン環が結合した化合
物である。n−アルカンは具体的には、たとえば、テト
ラコサン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ペンタコサン
、オクタコサン、ノナコサン、トリアコンタン、トドリ
アコンタン、テトラリアコンタン、ヘキサトリアコンタ
ン、オクタトリアコンタン、テトラコンタンなどのn−
アルカンまたはこれらを主成分とする混合物、いわゆる
パラフィン、パラフィンろうがある。また誘導体として
は、1−へキサコセン、■−へプタコセン、1−オクタ
コサン、1−トリアコンチン、l−テトラトリアコンチ
ン、■−ヘキサトリアコンチン、■−オクタトリアコン
チン、1−テトラコンチン、トコシルベンゼン、テトラ
コンタンゼン、ヘキサコシルベンゼン、オフタコシルベ
ンゼン、トリアコンチルベンゼン、トリトリアコンチル
ベンゼン、テトラトリアコンチルベンゼン、ヘキサトリ
アコンチルベンゼン、1.18−ジブロムオクタデカン
、l、20−ジブロムエイコサン、1,22−ジブロム
トコサンなどがある。
In addition, the n-alkane derivatives mentioned here include compounds containing one or more double bonds or triple bonds in the carbon chain, compounds in which one or more hydrogen atoms are substituted with halogen atoms, and terminal It is a compound in which a benzene ring which may be substituted with an alkyl group or an alkoxy group is bonded to the carbon atom. Specifically, n-alkanes include n-alkanes such as tetracosane, pentacosane, hexacosane, pentacosane, octacosane, nonacosane, triacontane, todoriacontane, tetraliacontane, hexatriacontane, octatriacontane, and tetracontane.
There are alkanes or mixtures containing these as main components, so-called paraffins and paraffin waxes. Derivatives include 1-hexacosene, ■-heptacocene, 1-octacosane, 1-triacontin, l-tetratriacontin, ■-hexatriacontin, ■-octatriacontin, 1-tetracontin, tocosylbenzene. , tetracontanzene, hexacosylbenzene, ophtacosylbenzene, triacontylbenzene, tritriacontylbenzene, tetratriacontylbenzene, hexatriacontylbenzene, 1,18-dibromooctadecane, l,20-di Examples include bromoeicosane and 1,22-dibromotocosane.

使用する記録層の材料は、好ましくは融点が50〜20
0℃、特に60〜150℃の範囲のものが好ましい。
The recording layer material used preferably has a melting point of 50 to 20
A temperature in the range of 0°C, particularly 60 to 150°C is preferred.

これより低いと記録の保存性に問題があり、また高いと
記録に要するエネルギーが大きくなり記録速度がおそく
なる。
If it is lower than this, there will be a problem with the storage stability of recording, and if it is higher than this, the energy required for recording will be large and the recording speed will be slow.

本発明に用いる記録媒体の記録層には、これらの有機化
合物の1種または2種以上を混合して用いることができ
る。また本発明に用いる記録層は、これらの有機化合物
を主成分とする薄膜状結晶を含むものであるが、これ以
外に層を形成する上で必要に応じ樹脂を用いることがで
きる。樹脂としては、たとえば、ポリ塩化ビニル、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−ビニルアルコール共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−マレイン酸共重合体、塩化ビニル−アクリレート共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン−アクリロ
ニトリル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリア
クリレート、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリウレタン、シリコン樹脂などが挙げられる。記録層
中に樹脂を用いる場合、記録層全体で上記の有機化合物
1に対して、樹脂は重量比で3以下、特に1以下である
ことが好ましい。
In the recording layer of the recording medium used in the present invention, one type or a mixture of two or more of these organic compounds can be used. Further, the recording layer used in the present invention contains thin film-like crystals containing these organic compounds as main components, but resins other than this can be used as necessary to form the layer. Examples of the resin include polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-vinyl alcohol copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic acid copolymer, and vinyl chloride-acrylate copolymer. , polyvinylidene chloride, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyester, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, polycarbonate,
Examples include polyurethane and silicone resin. When a resin is used in the recording layer, the weight ratio of the resin to the organic compound 1 in the entire recording layer is preferably 3 or less, particularly 1 or less.

本発明に用いる記録媒体の基板としては、ガラス板、金
属板、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートな
どのプラスチック板などがある。
Examples of the substrate of the recording medium used in the present invention include glass plates, metal plates, and plastic plates such as polymethyl methacrylate and polycarbonate.

ただし、情報記録後、透過光により記録を読み取る場合
には、その再生光を透過する基板を用いる必要がある。
However, if the information is to be read using transmitted light after recording, it is necessary to use a substrate that transmits the reproducing light.

また反射光により読み取る場合には、必要に応じたとえ
ば、白金、チタン、シリコン、クロム、ニッケル、ゲル
マニウム、アルミニウムなどの金属または半金属の層を
設け、光の一部を反射する反射層とする。
When reading by reflected light, a layer of metal or metalloid such as platinum, titanium, silicon, chromium, nickel, germanium, aluminum or the like is provided as necessary to serve as a reflective layer that reflects a portion of the light.

本発明の記録方法では、記録は、記録媒体の記録層に対
し、記録すべき情報に従って熱エネルギーを印加するこ
とにより行なわれるが、レーザー光などの照射により熱
エネルギーを印加する場合には、照射された光の一部を
吸収して熱に変換する層を設けるか、記録層中に光を吸
収して熱に変換する物質を含有する必要がある。この光
吸収層は、たとえば、前記反射層と同様、白金、チタン
In the recording method of the present invention, recording is performed by applying thermal energy to the recording layer of the recording medium according to the information to be recorded. It is necessary to provide a layer that absorbs a portion of the emitted light and convert it into heat, or to include a substance in the recording layer that absorbs light and converts it into heat. This light-absorbing layer is made of, for example, platinum or titanium, similar to the reflective layer.

シリコン、クロム、ニッケル、ゲルマニウム、アルミニ
ウムなどの金属または半金属の層を設ければよく、この
場合は反射層と兼用することができる。また光吸収層は
、照射した光を吸収する色素。
A layer of metal or semimetal such as silicon, chromium, nickel, germanium, or aluminum may be provided, and in this case, it can also be used as a reflective layer. The light absorption layer is a pigment that absorbs the irradiated light.

たとえばアゾ系色素、シアニン系色素、ナフトキノン系
色素、アントラキノン系色素、スクアリリウム系色素、
フタロシアニン系色素、ナフトキノン系色素、ポルフィ
リン系色素、インジゴ色素、ジチオール錯体系色素、ア
ズレニウム系色素、キノンイミン系色素、キノンジイミ
ン系色素などを含有する層であってもよく、色素は記録
に用いる光の波長により選択する。記録層中に光を吸収
する物質を含有させる場合にもこれらの色素が用いられ
る。
For example, azo dyes, cyanine dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, squarylium dyes,
It may be a layer containing phthalocyanine dyes, naphthoquinone dyes, porphyrin dyes, indigo dyes, dithiol complex dyes, azulenium dyes, quinoneimine dyes, quinonediimine dyes, etc., and the dye has a wavelength of light used for recording. Select by. These dyes are also used when a light-absorbing substance is included in the recording layer.

本発明に用いられる記録媒体は、光学的異方性を有する
有機薄膜状結晶であるか、またはこれを含む記録層を有
するものであり、その構成については特定するものでは
ないが、通常よく用いられる記録媒体の構成例を第1図
から第5図に示す。
The recording medium used in the present invention is an organic thin film crystal having optical anisotropy, or has a recording layer containing the same, and although its composition is not specified, it is commonly used. Examples of configurations of recording media that can be used are shown in FIGS. 1 to 5.

第1図は基板l上に光学的異方性を有する有機薄膜状結
晶であるか、またはこれを含む記録層2を形成した記録
媒体、第2図は基板1上に照射された光の一部を吸収し
熱に変換する光吸収層3(必要に応じ光の一部を反射す
る層)を設け、その上に光学的異方性を有する有機薄膜
状結晶であるか、またはこれを含む記録層2を設けた記
録媒体、第3図は基板1上に記録層2を設け、その上に
光吸収層3を設けた記録媒体、第4図は第2図に示す記
録媒体の光吸収M3と記録層2の間に、たとえば、記録
層の膜質の向上などを目的とする下引き層4を設けた記
録媒体、第5図は第4図の記録媒体の記録層2の上にさ
らに保護層5を設けた記録媒体である。
FIG. 1 shows a recording medium in which a recording layer 2 that is or includes an organic thin film crystal having optical anisotropy is formed on a substrate 1, and FIG. 2 shows a portion of light irradiated onto the substrate 1. A light absorption layer 3 (a layer that reflects part of the light if necessary) is provided, which absorbs some of the light and converts it into heat, and on the light absorption layer 3 is formed an organic thin film-like crystal having optical anisotropy or contains the same. A recording medium with a recording layer 2 provided thereon, FIG. 3 shows a recording medium with a recording layer 2 provided on a substrate 1 and a light absorption layer 3 thereon, and FIG. 4 shows the light absorption of the recording medium shown in FIG. A recording medium in which an undercoat layer 4 is provided between M3 and the recording layer 2 for the purpose of improving the film quality of the recording layer, for example. This is a recording medium provided with a protective layer 5.

下引き層4には、前記の記録層2を形成するときに用い
てもよい樹脂の例のような種々の樹脂を用いることがで
きる。また保護層5も同様にこれらの樹脂を用いるか、
あるいはガラス板を用いてもよい。ガラス板を用いる場
合には、下引き層と同様の目的で表面(記th1層に接
する面)に同様の樹脂層を設けてもよいし、ガラス表面
の性質を改良する表面処理剤、たとえばシラン系または
チタネート系表面処理剤で処理したものであってもよい
For the undercoat layer 4, various resins can be used, such as the resins that may be used when forming the recording layer 2 described above. In addition, these resins may be used for the protective layer 5 as well, or
Alternatively, a glass plate may be used. When using a glass plate, a similar resin layer may be provided on the surface (the surface in contact with the th1 layer) for the same purpose as the undercoat layer, or a surface treatment agent to improve the properties of the glass surface, such as silane. It may be treated with a titanate-based or titanate-based surface treatment agent.

本発明に用いる記録媒体を製造するには、前記の基板】
上に必要に応じ光熱変換層3をたとえば前記のような金
属または半金属を用い、蒸着、スパッタあるいはメツキ
などの手段によって形成し、その上に記録層2を形成す
る。
In order to manufacture the recording medium used in the present invention, the above-mentioned substrate]
If necessary, a photothermal conversion layer 3 is formed thereon using, for example, a metal or a metalloid as described above, by vapor deposition, sputtering, plating, or the like, and the recording layer 2 is formed thereon.

記録層2を形成する方法にはたとえば次のような方法が
ある。まず、光熱変換層3を設けた基板の上に、必要な
記録層の厚さに応じたギャップを保ち保護層5に相当す
るガラス板あるいは樹脂フィルムをかぶせる。ギャップ
を作るために、記録層を形成する部分の周囲にスペーサ
ー層を設けておいてもよいし、あるいは、微小で均一な
径を有するギャップ材たとえばシリカ粒子、ポリスチレ
ンビーズなどをあらかじめ光熱変換層側または保護層側
に付着させておいてもよい。このようにしてギャップを
形成した基板全体を恒温槽中に入れるかホットプレート
上にのせ記録層に用いる材料の融点より高い温度に保ち
、ギャップの端部に溶融した材料を置きギャップ間に浸
み込ませる。得られた融液層を徐冷し結晶化させると光
熱変換層3と保護層5の間に、記録層の薄膜状結晶が形
成できる。このときギャップ間隔を一定に維持するため
結晶化するまでの間1重りなどで加圧しておいてもよい
、また気泡が入らないようにするため減圧下で行なって
もよい、また、別の製造方法としては、たとえば記録層
を形成する材料を適当な有機溶媒、たとえばテトラヒド
ロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、クロロホルム、四塩化炭素などに溶解し、スピンコ
ード法、ブレードコート法、デイツプコート法などによ
り塗布し乾燥するか、または蒸着法により、光熱変換層
3上に均一な厚さの層を形成する。この上に必要に応じ
て、適当な溶媒に溶解した樹脂を塗布する6次に、これ
を恒温槽中に入れるかホットプレート上にのせて、記録
層の材料の融点以上になるように加熱した後、徐冷する
ことにより結晶化させ記録層の薄膜状結晶を形成する。
For example, there are the following methods for forming the recording layer 2. First, a glass plate or resin film corresponding to the protective layer 5 is placed over the substrate provided with the photothermal conversion layer 3, keeping a gap corresponding to the required thickness of the recording layer. To create a gap, a spacer layer may be provided around the area where the recording layer will be formed, or a gap material having a minute and uniform diameter, such as silica particles or polystyrene beads, may be placed in advance on the side of the light-to-heat conversion layer. Alternatively, it may be attached to the protective layer side. The entire substrate with the gap formed in this way is placed in a constant temperature bath or placed on a hot plate and kept at a temperature higher than the melting point of the material used for the recording layer, and the molten material is placed at the end of the gap and soaked between the gaps. let them get involved. When the obtained melt layer is slowly cooled and crystallized, a thin film-like crystal of the recording layer can be formed between the light-to-heat conversion layer 3 and the protective layer 5. At this time, in order to maintain the gap distance constant, pressure may be applied with a single weight until crystallization, or it may be carried out under reduced pressure to prevent air bubbles from entering. For example, the material for forming the recording layer is dissolved in a suitable organic solvent such as tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, chloroform, carbon tetrachloride, etc., and the material is coated by a spin code method, a blade coat method, a dip coat method, etc. A layer of uniform thickness is formed on the photothermal conversion layer 3 by drying or by vapor deposition. If necessary, a resin dissolved in an appropriate solvent is applied onto this. 6 Next, this is placed in a constant temperature bath or placed on a hot plate and heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the material of the recording layer. Thereafter, it is slowly cooled to crystallize and form a thin film crystal of the recording layer.

記録層の形成にはこの他、ラングミュア・プロジェット
法など種々の方法を用いることができる。
In addition to this, various methods such as the Langmuir-Prodgett method can be used to form the recording layer.

記録層中に光熱変換物質を含ませる場合には、たとえば
記録層の材料の溶液の中に前記の色素を同時に溶解する
か、あるいは分散して塗布すればよい。
When a photothermal conversion substance is included in the recording layer, the dye may be simultaneously dissolved in a solution of the material of the recording layer, or dispersed and applied.

記録層の膜厚は、特に限定するものではないが通常10
人〜1014、好ましくは10人〜5−程度である。
The thickness of the recording layer is not particularly limited, but is usually 10
The number of participants is from 10 to 14 people, preferably from 10 to 5.

照射された光の一部を吸収し熱に変換する層の厚さは、
記録に用いた光の波長や強度と用いた材料の種類により
適当な範囲が決まるが、おおむね50人〜511s程度
である。
The thickness of the layer that absorbs part of the irradiated light and converts it into heat is
The appropriate range is determined by the wavelength and intensity of the light used for recording and the type of material used, but it is approximately 50 people to 511 seconds.

本発明の記録方法は光学的異方性を有する有機薄膜状結
晶の部分的、かつ可逆的な結晶状態の変化を利用するも
のである。情報の記録および消去は熱の印加によって行
なわれ、その印加方法には種々の方法が考えられるが、
情報をより高密度に記録するためには、集光したレーザ
ー光の照射による方法が最も好ましい、この場合、記録
媒体には光を吸収し熱に変換する層を設けるか、あるい
は光を吸収して熱に変換する物質を記録層中に加える必
要がある。
The recording method of the present invention utilizes a partial and reversible change in the crystal state of an organic thin film crystal having optical anisotropy. Recording and erasing information is performed by applying heat, and there are various methods of applying heat.
In order to record information at a higher density, the most preferable method is to use focused laser light irradiation. In this case, the recording medium must have a layer that absorbs light and converts it into heat, or a layer that absorbs light and converts it into heat. It is necessary to add a substance to the recording layer that converts heat into heat.

情報の記録は以下のようにして行なわれる。記録層のレ
ーザー光照射部分は、光吸収層または光吸収性物質が光
を吸収して発熱し、光学的異方性を有する有機薄膜状結
晶からなるか、またはこれを含む記録層は瞬時に加熱さ
れ、レーザー光照射が止むと急激に冷却され、記録ピッ
ト (ただし、ここで言うビットとは穴あるいはくぼみとい
う意味ではなく、薄膜状結晶中に結晶状態の変化として
記録された部分を便宜的にピットと呼ぶ)が形成される
Information is recorded as follows. The part of the recording layer irradiated with the laser beam is a light-absorbing layer or a light-absorbing substance that absorbs light and generates heat, and the recording layer that is made of or contains an organic thin film-like crystal with optical anisotropy instantly generates heat. It is heated, and when the laser beam irradiation stops, it is rapidly cooled, and a recording pit (bit here does not mean a hole or a depression, but a part recorded as a change in crystal state in a thin film crystal) is formed. (called pits) are formed.

このとき、記録層中では、薄膜状結晶の一部、すなわち
短時間のレーザー光照射により発熱した光吸収層(物質
)から伝わった熱によって瞬時に加熱された部分は、結
晶が完全に溶融する温度にまで到達する。しかし、レー
ザー光照射が止むと熱は拡散し、この部分は瞬時に冷却
され、同化(結晶化)する。このように瞬時に加熱溶融
→冷却結晶化した部分の結晶状態は、熱が印加されてい
ない部分の状態、すなわち周囲の非記録部の結晶状態と
は異なった状態となる。
At this time, in the recording layer, a part of the thin film crystal, that is, a part that is instantly heated by the heat transmitted from the light absorption layer (substance) generated by short-term laser beam irradiation, completely melts the crystal. reach the temperature. However, when the laser light irradiation stops, the heat diffuses, and this part is instantly cooled and assimilated (crystallized). The crystalline state of the portion where heat melting and cooling crystallization occurs instantaneously in this manner is different from the crystalline state of the portion to which no heat is applied, that is, the crystalline state of the surrounding non-recording portion.

この結晶状態の変化とは、たとえば(1)結晶粒の大き
さ形態の変化、(2)結晶軸の方向の変化、または分子
の配向方向の変化、(3)結晶構造の変化などがある。
This change in crystal state includes, for example, (1) a change in the size and form of crystal grains, (2) a change in the direction of crystal axes or the orientation of molecules, and (3) a change in crystal structure.

記録が行なわれる前の記録層は、全体がほぼ−様な方向
を向いて並んだ、はぼ−様な厚さの薄膜状の結晶となっ
ている。この変化のうち(1)の結晶粒の大きさ形態の
変化とは、たとえば薄膜状結晶の中の記録部が、小さく
分割された結晶の集合となったものである。この状態の
変化は、たとえば走査型電子顕微鏡などで、剥離した記
録層を観察することにより確認できる。また(2)の結
晶軸方向の変化または分子配向方向の変化とは、たとえ
ば結晶構造は基本的には同じであるが、結晶の向いてい
る方向、すなわち結晶軸の方向が異なって結晶化したも
の、あるいは、これほどには明確ではないが、基本的に
は何らかの配向をした分子の集合となっており、その全
体の配向方向が周囲の非記録部とは異なる場合である。
Before recording is performed, the recording layer is composed of thin film-like crystals that are oriented in approximately the same direction as a whole and have a uniform thickness. Among these changes, (1) a change in the size and form of crystal grains is such that, for example, a recording portion in a thin film crystal becomes a collection of small divided crystals. This change in state can be confirmed by observing the peeled recording layer using, for example, a scanning electron microscope. In addition, the change in the crystal axis direction or the molecular orientation direction in (2) means, for example, that the crystal structure is basically the same, but the direction in which the crystal is oriented, that is, the direction of the crystal axis, is crystallized in a different direction. Or, although it is not as clear as this, it is basically a collection of molecules with some kind of orientation, and the overall orientation direction is different from that of the surrounding non-recording area.

また、(3)の結晶構造の変化とは、記録部が周囲の非
記録部とは異なる結晶状態へ結晶化したものであり、こ
の中には分子配列の規則性の乱れが大きく、あるいは規
則性を持つ範囲が非常にせまい、非晶状態1こ変化する
場合も含まれる。
In addition, the change in crystal structure in (3) refers to the crystallization of the recording area to a different crystalline state from the surrounding non-recording area. It also includes cases where the range of properties is very narrow and the amorphous state changes by one degree.

これらの結晶状態の変化は、薄膜状結晶への部分的な短
時間の熱の印加、すなわち短時間の光照射によって起こ
る溶融状態からの急冷に起因するものであるが、その冷
却速度は主に光照射の時間に依存する。集光したレーザ
ー光に照射された微小な部分の温度変化を測定すること
は困難であるため、レーザー光の強度分布、光吸収と熱
伝導を考慮し、各層の厚さ、光吸収特性、熱伝導率、比
熱などの熱特性を表−1に示す値とし、記録層の温度変
化をシュミレーションすると、たとえば、80℃から6
0℃まで冷却されるのに要する時間は、照射時間が10
0μsecでは約1.7μsec、照射時間が0.25
μsecでは約15nsscとなり、その冷却速度の差
は非常に大きい。したがって、短時間の光照射(熱の印
加)によって起こる結晶状態の変化も、照射時間によっ
て変化し一定ではない、たとえば、微結晶化では、冷却
速度が速いほどより微細化する傾向が認められる。また
、分子の配向状態とも関係し、−放に冷却速度が速いほ
ど配向の乱れが大きくなる傾向があり、分子が規則的配
列をとる範囲がせまく、結晶化度の低い状態になる場合
もある。ただし、このような条件でも、少なくとも部分
的には何らかの配向状態が存在し、本発明の記録方法に
おいては、この記録部の配向が、周囲の非記録部の配向
方向と異なることによって特徴づけられる。このような
記録による配向方向の変化はたとえば記録層のXa回折
を測定することによって確認できる。また、記録によっ
て起こる前記(1)、(2)、(3)の結晶状態の変化
は、それぞれ別々に起こるというよりは複合して起こる
ものである。また、レーザー光を照射された記録層中の
溶融した部分の中は、光熱変換層からの距離やビームの
中心からの距離によって、到達温度、冷却速度が大きく
異なり、それぞれの場所で異なる条件で結晶化が起こる
ため、必ずしも−様な状態とはならない。したがって、
(1)、(2)、(3)の結晶状態の変化は、ひとつの
記録部内においても、位置により様々な形で複合されて
起こる。
These changes in the crystal state are caused by the rapid cooling from the molten state caused by the local application of short-term heat to the thin film crystal, that is, by short-term light irradiation, but the cooling rate is mainly due to Depends on the time of light irradiation. Since it is difficult to measure temperature changes in minute areas irradiated with focused laser light, we consider the intensity distribution of the laser light, light absorption and heat conduction, and measure the thickness of each layer, light absorption characteristics, and If the thermal properties such as conductivity and specific heat are shown in Table 1, and the temperature change of the recording layer is simulated, for example, from 80°C to 6°C.
The time required to cool down to 0°C is the irradiation time of 10
At 0 μsec, it is approximately 1.7 μsec, and the irradiation time is 0.25
In μsec, it is about 15 nssc, and the difference in cooling rate is very large. Therefore, changes in the crystalline state caused by short-term light irradiation (heat application) also change depending on the irradiation time and are not constant. For example, in microcrystalization, it is observed that the faster the cooling rate, the more fine the crystalline state becomes. It is also related to the state of molecular orientation; the faster the cooling rate, the more disordered orientation tends to occur, and the range in which the molecules are regularly arranged becomes narrower, resulting in a state of low crystallinity. . However, even under such conditions, some kind of orientation state exists at least partially, and in the recording method of the present invention, the orientation of this recording area is characterized by being different from the orientation direction of the surrounding non-recording area. . Changes in the orientation direction due to such recording can be confirmed, for example, by measuring Xa diffraction of the recording layer. Furthermore, the changes in the crystal state (1), (2), and (3) that occur due to recording occur in combination rather than individually. In addition, the temperature and cooling rate of the melted portion of the recording layer that is irradiated with laser light varies greatly depending on the distance from the photothermal conversion layer and the distance from the center of the beam, and each location has different conditions. Because crystallization occurs, a --like state is not necessarily achieved. therefore,
The changes in the crystalline states (1), (2), and (3) occur in a variety of combinations depending on the position even within one recording section.

表−1 このような記録による結晶状態の変化を、より具体的に
説明するために、記録層の材料として代表的な脂肪酸で
あるステアリン酸を用いた場合について示す、前述のよ
うにして形成したステアリン酸薄膜状結晶によりなる記
録層(基板ニガラス。
Table 1 In order to explain in more detail the changes in the crystalline state caused by such recording, we show the case where stearic acid, a typical fatty acid, is used as the recording layer material. Recording layer made of thin film crystals of stearic acid (substrate Nigarasu).

光熱変換層ニクロム蒸着膜、保護M:塩化ビニルー酢酸
ビニル共重合体)の未記録時の結晶状態は、ステアリン
酸のC型結晶であり、そのa軸、b軸を基板とほぼ平行
に配向している。これは、この記録層のX線回折図(第
6図)で、ステアリン酸C型結品の長面間隔(39,8
人)に起因する回折線(ただし5n=:2,3,4,5
,7,8,9,10.12)のみが認められることから
れかる。一方、この記aNに、波長830nm、ビーム
径lμlφの半導体レーザー光を線速3500〜400
0am/ see、媒体面での強度51で連続点灯し、
記録ライン間の間隔をとらず、スパイラル状に全面記録
した後、測定したxg回折図(第7図)では、未記録時
に現われていたステアリン酸C型長面間隔の回折線以外
に、新たに21.6°に明確な回折線が現われる。この
回折線はC型結晶の短面間隔(4,11人)によるもの
であり、このことは、未記録時にはa軸、b軸を基板に
ほぼ平行に配向していたものが、レーザー光の照射後は
結晶の配向方向が変化して、少なくとも部分的には、a
軸を基板に対して平行に配向した構造が形成されたこと
を示している。
The crystal state of the photothermal conversion layer nichrome vapor-deposited film, protection M: vinyl chloride-vinyl acetate copolymer) before recording is a C-type crystal of stearic acid, with its a-axis and b-axis oriented almost parallel to the substrate. ing. This is the X-ray diffraction diagram of this recording layer (Fig. 6), which shows the long distance between stearic acid C type crystals (39, 8
(however, 5n=:2,3,4,5
, 7, 8, 9, 10.12) are recognized. On the other hand, a semiconductor laser beam with a wavelength of 830 nm and a beam diameter of lμlφ was applied to this aN at a linear velocity of 3500 to 400.
0am/see, continuous lighting at an intensity of 51 on the media surface,
In the xg diffraction diagram (Fig. 7) measured after recording the entire surface in a spiral manner without taking any intervals between recording lines, in addition to the diffraction lines of stearic acid C-type long plane spacing that appeared before recording, new A clear diffraction line appears at 21.6°. This diffraction line is due to the short plane spacing (4, 11) of the C-type crystal, which means that the a-axis and b-axis were oriented almost parallel to the substrate when unrecorded, but the laser beam After irradiation, the orientation direction of the crystal changes, at least partially
This shows that a structure was formed with the axis oriented parallel to the substrate.

記録された状態は、たとえば、顕iR鏡、偏光顕微鏡な
どの光学的観察手段により確認することができる。特に
、このような結晶状態の変化は偏光特性の変化を伴なう
場合が多く、偏光顕微鏡を用いクロスニコル下で明暗の
コントラストあるいは色調の差として明瞭に観察できる
場合が多い、したがって、記録された情報の再生(読み
出し)は、記録媒体に集光した偏光を入射させ、その反
射または透過光を入射させた光の振動方向と直交する振
動方向の光を透過するように置かれた偏光子を通して、
光の強度を検知することにより行なうことができる。再
生に用いる光の強度は、記録および消去に用いる光に比
べ十分に弱めて、記録層の温度が消去温度まで上昇しな
い程度とする。
The recorded state can be confirmed using optical observation means such as an iR microscope or a polarizing microscope. In particular, such changes in the crystal state are often accompanied by changes in polarization characteristics, which can often be clearly observed as contrast between light and dark or differences in color under crossed Nicol conditions using a polarizing microscope, and therefore cannot be recorded. To reproduce (read) the information, the focused polarized light is incident on the recording medium, and the reflected or transmitted light is transmitted through a polarizer placed so as to transmit the light in the vibration direction perpendicular to the vibration direction of the incident light. through,
This can be done by detecting the intensity of light. The intensity of the light used for reproduction is made sufficiently weaker than the light used for recording and erasing, so that the temperature of the recording layer does not rise to the erasing temperature.

このように、記録層中の光学的異方性を有する有機薄膜
状結晶の一部に熱を印加し、瞬時に溶融再結晶化させる
ことにより結晶状態の変化として記録された情報は、記
録層が記録時の温度より低い温度であり、記録層が完全
には溶融しない温度であるが、分子が十分に熱運動し得
る温度に加熱することにより、消去することができる。
In this way, information recorded as a change in the crystal state by applying heat to a part of the optically anisotropic organic thin film crystal in the recording layer and instantaneously melting and recrystallizing it is transferred to the recording layer. is lower than the recording temperature, and the recording layer does not completely melt, but it can be erased by heating to a temperature at which the molecules can undergo sufficient thermal movement.

消去が可能な温度範囲は、記録層の材料、純度等により
変化するが、記録層を形成する薄膜状結晶の融点より低
い温度に存在する。この記録が消去される様子は、偏光
顕微鏡でwt察しながら、記録層の温度を上昇させてい
くことにより確認できる。偏光顕微鏡では記録部の状態
は、たとえば明るい非記録部の中に暗いライン状に見え
るが、温度を上昇させていくと、ある温度からそのライ
ンが欠は始め最終的には全体が非記録部と同じ明るい状
態になり、この温度から冷却すれば記録は消去される。
The temperature range in which erasing is possible varies depending on the material, purity, etc. of the recording layer, but exists at a temperature lower than the melting point of the thin film crystal forming the recording layer. The manner in which this record is erased can be confirmed by increasing the temperature of the recording layer while observing it with a polarizing microscope. With a polarizing microscope, the recorded area looks like a dark line inside a bright non-recorded area, but as the temperature is increased, the line starts to disappear at a certain temperature and eventually becomes the entire non-recorded area. The record will be erased if it is cooled from this temperature.

この消去温度では非記録部の明るさの変化はないが、さ
らに温度を上は記録層の融点まで到達すると視野全体が
完全に暗くなる。したがって、薄膜状結晶中に形成され
た結晶状態の変化した微小な記録部の分子が十分に熱運
動し得る状態になると、その周囲の非記録部の分子と同
様な配列をとるようになり、その温度から室温に戻るこ
とにより、全体が−様な薄膜結晶となって消去される。
At this erasing temperature, there is no change in the brightness of the non-recorded area, but if the temperature is raised further up to the melting point of the recording layer, the entire visual field becomes completely dark. Therefore, when the molecules of the minute recording part formed in the thin film-like crystal with a changed crystal state reach a state where they can undergo sufficient thermal movement, they will take on the same arrangement as the molecules of the surrounding non-recording part. When the temperature returns to room temperature, the entire surface becomes a --like thin film crystal and is erased.

記録の消去は、具体的には、記録媒体全体を上記温度範
囲に加熱し冷却して、全体の記録を消去することもでき
るし、記録ピット部分、あるいは、これより少し広い範
囲を局部的に消去温度まで加熱冷却することによって、
記録された情報の一部のみを消去することも可能である
。後者の場合には記録時に照射したレーザー光の強度を
弱めて、記録ピット部分の温度が消去温度範囲に入るよ
うに調節して、重ねて照射すればよい。このとき記録層
の薄膜状結晶の記録ピット部分(結晶状態が変化した部
分)は、いったん消去温度まで加熱され、冷却されると
、その結晶状態が元の状態すなわち周囲の非記録部と同
じ結晶状態に戻り、記録ピットは消去される。この消去
された状態は、記録状態と同様、顕微鏡、偏光顕微鏡な
どの光学的li!l!察手段に上手段認できる。
Specifically, recording can be erased by heating the entire recording medium to the above temperature range and cooling it, or by locally erasing the recorded pit area or a slightly wider area. By heating and cooling to the erasing temperature,
It is also possible to erase only part of the recorded information. In the latter case, the intensity of the laser beam irradiated during recording may be weakened, the temperature of the recorded pit portion may be adjusted to fall within the erasing temperature range, and irradiation may be repeated. At this time, the recording pit part (the part where the crystal state has changed) of the thin film crystal of the recording layer is once heated to the erasing temperature, and when it is cooled, the crystal state becomes the same crystal as the surrounding non-recording part. The state returns and the recorded pits are erased. This erased state, like the recorded state, can be detected by optical li! such as a microscope or a polarizing microscope. l! This can be recognized as a means of detection.

本発明の記録方法は、基本的に熱により記録層に穴をあ
けたり、記録層の表面形状を変化させたりするものでは
なく、記録層を形成する薄膜状結晶または記録層中に含
まれる薄膜状結晶の結晶状態を部分的に変化させ、しか
もその変化が単に結晶から非晶質への変化ではなく、分
子の配向方向の変化や部分的な微結晶化を含む変化とし
て記録し、結晶状態に戻すことによって消去するもので
あって、形成された記録部と非記録部の差を光学的異方
性に基づく偏光特性の差として検出するものである。こ
の点で本発明で用いる記録媒体は従来の記録媒体と大き
く異っている。たとえば、従来技術の項で示した樹脂マ
トリックス中に有機低分子化合物が分散された状態で存
在し、加熱温度により遮光性が変化する記録媒体とは全
く異なる現象に基づくものである。すなわち、この例の
記録媒体は記録層中に有機低分子化合物が微粒子状に存
在し、記録部そのものも多数の微粒子によって形成され
、記録がこの微粒子分散状態による光の散乱に基づく遮
光性の差であるのに対し、本発明の記録方法は有機化合
物が薄膜状結晶として存在し、記録がこの薄膜状結晶の
一部に結晶状態の変化として形成され、その結果として
の光学的性質の差を検出するものである。したがって、
両者の違いは明白である。
The recording method of the present invention basically does not use heat to make holes in the recording layer or change the surface shape of the recording layer, but rather to use the thin film-like crystals forming the recording layer or the thin film contained in the recording layer. The crystalline state of a crystalline crystal is partially changed, and the change is not simply a change from crystalline to amorphous, but is recorded as a change that includes a change in the orientation direction of molecules and partial microcrystalization. The difference between the formed recorded portion and non-recorded portion is detected as a difference in polarization characteristics based on optical anisotropy. In this respect, the recording medium used in the present invention is significantly different from conventional recording media. For example, this is based on a completely different phenomenon from the recording medium described in the prior art section in which an organic low-molecular compound is present in a dispersed state in a resin matrix and the light-shielding property changes depending on the heating temperature. That is, in the recording medium of this example, the organic low-molecular-weight compound exists in the form of fine particles in the recording layer, and the recording section itself is also formed by a large number of fine particles, and the recording is caused by differences in light shielding properties due to the scattering of light due to the dispersed state of the fine particles. In contrast, in the recording method of the present invention, the organic compound exists as a thin film crystal, and the recording is formed as a change in the crystal state in a part of this thin film crystal, and the resulting difference in optical properties is detected. It is something to detect. therefore,
The difference between the two is obvious.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の記録方法は、基本的に記録層を形成する光学的
異方性を有する有機薄膜状結晶を溶融温度以上に加熱す
ることによって行なわれるものであり、消去はそれより
低い温度に加熱することによって行なわれる。したがっ
て、照射するレーザー光の強度の!llj!i5で記録
も消去も高速に行なえるため、消去しながら記録を行な
う、いわゆるオーバーライド(重ね書き)が可能である
。また、この記録と消去は安定して繰り返し行なうこと
ができる。さらに、記録部は非記録部と同様な安定な状
態にあるので、記録された情報は長期間にわたり安定に
保存できる。
The recording method of the present invention is basically carried out by heating the optically anisotropic organic thin film crystal that forms the recording layer to a temperature higher than its melting temperature, and erasing is performed by heating it to a lower temperature. It is done by Therefore, the intensity of the emitted laser light! llj! Since recording and erasing can be performed at high speed with the i5, so-called override (overwriting), in which recording is performed while erasing, is possible. Further, this recording and erasing can be performed repeatedly and stably. Furthermore, since the recording section is in the same stable state as the non-recording section, recorded information can be stored stably for a long period of time.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

実施例1 光学研磨された直径4インチ(101,6am)、厚さ
L 、 2+amのガラスディスク上に、光反射層であ
り、かつ光熱変換層であるクロム層を真空蒸着により設
けた。尾さは約900人であった。このクロム層上に、
塩化ビニル−酢はビニル共重合体(ユニオンカーバイド
社製:VYl(H)の5vt%テトラヒドロフラン溶液
を塗布し、乾燥して厚さ約0.2pmの樹脂層を設けた
1次に、この樹脂層上にステアリン酸(シグマ社製:純
度99%以上)の10wt%テトラヒドロフラン溶液を
塗布し45℃で乾燥した。さらに、その上に前記と同じ
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体の5wt%テトラヒド
ロフラン溶液を塗布し、45℃で乾燥した。このディス
クを90℃で約2分間熱処理した後、徐冷した0以上の
操作により、クロム層上にほぼ−様な配向をしたステア
リン酸の薄膜状結晶よりなる記録層(厚さ約0.8.)
と、その上に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体よりなる
保護71(厚さ約0.6μ場)が形成された。
Example 1 A chromium layer serving as a light reflecting layer and a light-to-heat converting layer was provided by vacuum deposition on an optically polished glass disk having a diameter of 4 inches (101.6 am) and a thickness of L, 2+ am. There were about 900 people. On this chrome layer,
Vinyl chloride-vinegar is a vinyl copolymer (manufactured by Union Carbide Co., Ltd.: VYl (H)) coated with a 5vt% tetrahydrofuran solution and dried to form a resin layer with a thickness of about 0.2 pm. A 10 wt% tetrahydrofuran solution of stearic acid (manufactured by Sigma, purity 99% or higher) was applied on top and dried at 45°C.Furthermore, a 5 wt% tetrahydrofuran solution of the same vinyl chloride-vinyl acetate copolymer as above was applied on top. The disc was coated and dried at 45°C.The disk was heat treated at 90°C for about 2 minutes, and then slowly cooled to form a thin film of stearic acid crystals with almost -like orientation on the chromium layer. Recording layer (thickness approx. 0.8.)
A protection layer 71 (about 0.6 μm in thickness) made of vinyl chloride-vinyl acetate copolymer was formed thereon.

このようにして作成した記録媒体を90ORPMで回転
させながら、直径1−に集光した波長830nmの半導
体レーザー光を下記(1)および(2)の条件で照射し
、スパイラル状の?2録を形成した。このとき、ディス
ク上の記録した部分における記録方向の線速度は約35
00−4000mm/seeである。
While rotating the recording medium thus produced at 90 ORPM, it was irradiated with semiconductor laser light of a wavelength of 830 nm focused on a diameter of 1 - under the following conditions (1) and (2), resulting in a spiral-shaped ? 2 records were formed. At this time, the linear velocity in the recording direction of the recorded portion on the disk is approximately 35
00-4000mm/see.

照射条件(1)点灯条件:周波数200KHz、デユー
ティ比50% 記録媒体面での強度: 5mW 記録ラインの間隔:約3.5.(中心間)(2)点灯条
件:連続点灯 記録媒体面での強度: 5mV 記録ラインの間隔:約lpm(中心間)上記(1)の条
件でレーザー光を照射した記録媒体を反射偏光顕微鏡を
用い直交ニコル状態でwA察すると、記録層のレーザー
光照射部分に補的1μ−のライン状の記録部が形成され
ているのが、明瞭なコントラストで観察できた。ただし
、この記録部は通常の光学顕微鏡wA察では、はとんど
確認できない程度であった。偏光顕微鏡で観察した例を
第8図に写真で示す。
Irradiation conditions (1) Lighting conditions: Frequency 200 KHz, duty ratio 50% Intensity on recording medium surface: 5 mW Recording line spacing: Approximately 3.5. (Center to center) (2) Lighting conditions: Continuous lighting Intensity on recording medium surface: 5 mV Recording line spacing: Approximately lpm (Center to center) The recording medium irradiated with laser light under the conditions of (1) above was examined using a reflective polarizing microscope. When observing wA in the crossed Nicols state, it was observed with clear contrast that a supplementary 1 μm line-shaped recording portion was formed in the laser beam irradiated portion of the recording layer. However, this recorded portion could hardly be confirmed by ordinary optical microscopy. An example observed with a polarizing microscope is shown as a photograph in FIG.

この記録した記録媒体の記録層をクロム層から剥離し、
その表面(クロム層と接していた面)を走査型電子顕微
鏡でa察すると、レーザー光照射部分は小さな板状の結
晶の集合となっていた。
The recording layer of the recorded recording medium is peeled off from the chromium layer,
When the surface (the surface that was in contact with the chromium layer) was observed using a scanning electron microscope, the laser beam irradiated area was a collection of small plate-shaped crystals.

上記(2)の条件でレーザー光を照射した記録媒体を同
様に偏光顕微鏡を用いて11察すると、記録媒体の照射
範囲全面にほとんどすき間なく記録されているのが認め
られた。この全面記録を行なった記録媒体について、記
録を行なう前と記録後の同一部分のX線回折をfl19
定した。記録前のX線回折を第6図、記録後のX線回折
を第7図に示す。第6図より、記録前はステアリン酸の
C型結晶の長面間隔に基づく回折線のみが認められ、a
、b軸を平行に配向した構造になっていた。しかし、第
7図の記録後では、短面間隔に基づく回折線(2θ=2
1.6°)が現われ、記録層の記録部の中にC軸を基板
に平行に配向した構造が形成されたことを示している。
When the recording medium irradiated with the laser beam under the conditions (2) above was similarly observed using a polarizing microscope, it was found that recording was performed over the entire irradiated area of the recording medium with almost no gaps. For the recording medium on which this entire surface recording was performed, X-ray diffraction of the same portion before and after recording was performed at fl19.
Established. The X-ray diffraction before recording is shown in FIG. 6, and the X-ray diffraction after recording is shown in FIG. From Figure 6, before recording, only the diffraction lines based on the long-plane spacing of the C-type crystals of stearic acid were observed, and a
, had a structure in which the b axes were oriented in parallel. However, after recording in Figure 7, the diffraction line (2θ=2
1.6°) appears, indicating that a structure in which the C axis is oriented parallel to the substrate is formed in the recording portion of the recording layer.

次に、(1)の条件で記録した記録媒体について、偏光
顕微鏡でtiftIiAシながら、記録媒体の温度を室
温から1’C/分の速度で昇温しでいった。すると、明
瞭なコントラストで見えていた記録部が、60℃位から
消えはじめ、約68℃では完全に周囲と同じ明るさとな
り、消去された。また、この温度までは周囲の非記録部
の状態には、変化は認められなかった。さらに昇温を続
けると69.4℃で、視野の一端から完全に暗くなり、
すぐに全体に拡がって、この温度で記録層の結晶薄膜が
完全に溶融したことがわかった。
Next, with respect to the recording medium recorded under the conditions (1), the temperature of the recording medium was raised from room temperature at a rate of 1'C/min while performing TiftIiA using a polarizing microscope. Then, the recorded area, which had been visible with clear contrast, began to disappear at around 60 degrees Celsius, and at about 68 degrees Celsius, it became completely as bright as the surrounding area and disappeared. Moreover, no change was observed in the state of the surrounding non-recording area up to this temperature. If the temperature continues to rise further, the temperature will reach 69.4℃, and it will become completely dark from one end of the field of view.
It was found that the crystal thin film of the recording layer was completely melted at this temperature, as it quickly spread throughout the area.

次に、(1)の条件で記録した記録媒体に対して、直径
5μ四に集光した波長780n■の半導体レーザー光を
記録媒体面での強度1 、5mV、2mVおよび3+a
Vとなるように連続点灯し、線速50+am/seeの
速度で、前の記録部分と重なるように直線状に走査した
。この記録媒体を偏光顕微鏡で観察したところ、第9図
の写真に示すように、2IIIvおよび3mvの強度で
重ねて照射した部分は、照射強度が強すぎたため、ビー
ム中央部では、薄膜状結晶が溶融温度以上になり、新し
くライン状の記録が形成された。ただし、このラインの
縁の部分、すなわちビームの周辺部が走査した部分では
、前に1/JIIIφのレーザー光で記録されていた記
録部が消去された。一方。
Next, on the recording medium recorded under the conditions (1), a semiconductor laser beam with a wavelength of 780 nm focused to a diameter of 5 μ4 was applied at intensities of 1, 5 mV, 2 mV, and 3+a on the recording medium surface.
It was turned on continuously so as to be V, and was scanned linearly at a linear velocity of 50+am/see so as to overlap the previous recorded part. When this recording medium was observed with a polarizing microscope, as shown in the photograph in Figure 9, the irradiation intensity was too strong in the area irradiated with 2IIIv and 3mv intensities, so thin film crystals were observed in the center of the beam. The temperature rose above the melting temperature, and a new line-shaped record was formed. However, in the edge portion of this line, that is, in the portion scanned by the peripheral portion of the beam, the recorded portion previously recorded by the 1/JIIIφ laser beam was erased. on the other hand.

1.5+aVの強度で重ねて照射された部分では、前の
1癖φのレーザー光による記録部が約2.574の幅で
帯状に消去されていた。以上の結果より、強度1 、5
mWの照射で記録層が消去温度範囲に入り、消去が行な
われることが確認された。
In the area irradiated with an intensity of 1.5+aV, the area recorded by the previous laser beam of 1 φ was erased in a band shape with a width of about 2.574 mm. From the above results, strength 1, 5
It was confirmed that the recording layer entered the erasing temperature range with mW irradiation and erasing was performed.

実施例2 実施例1で用いたものと同様に、光熱変換層としてクロ
ム層を有するガラスディスクを用意した。
Example 2 A glass disk having a chromium layer as a light-to-heat conversion layer was prepared in the same manner as that used in Example 1.

また、保護層となる厚さ0.1m@のガラス板の片面に
ギャップ材として直径約1−のシリカ粒子を微量付着さ
せた。この両方を100℃の恒温槽中に入れ加熱した後
、同温度でガラスディスクのクロム層上にベヘン酸(シ
グマ社製:純度99%以上)を少量のせ溶融させた0次
に、一方のガラス板をギャップ材の付着した面を下にし
て、ベヘン酸の融液上に一端から静かにかぶせ、融液を
全面に拡げて、はさみ込んだ、さらに、かぶせたガラス
板の上から均一に荷重をかけ、そのまま恒温槽の温度を
ゆっくり下げ、ベヘン酸を結晶化させて、薄膜状の結晶
とした。以上の操作により、クロム層上にほぼ−様な配
向をしたベヘン酸の薄膜状結晶よりなる記録層(厚さ約
0.8.)と、その上に厚さ0.1m■のガラスよりな
る保護層が形成された。
Further, a small amount of silica particles having a diameter of about 1-1 mm was attached as a gap material to one side of a glass plate having a thickness of 0.1 m @ to serve as a protective layer. After heating both of these in a constant temperature bath at 100℃, a small amount of behenic acid (manufactured by Sigma, purity 99% or more) was placed on the chromium layer of the glass disk at the same temperature and melted. Gently place the plate over the behenic acid melt from one end with the side with the gap material facing down, spread the melt over the entire surface, sandwich it, and then apply a uniform load from above the covered glass plate. Then, the temperature of the constant temperature bath was slowly lowered, and the behenic acid was crystallized into a thin film of crystals. By the above operations, a recording layer (about 0.8 mm thick) consisting of thin film-like crystals of behenic acid with an approximately -like orientation is formed on the chromium layer, and a recording layer (about 0.8 mm thick) consisting of glass with a thickness of 0.1 m is formed on the chromium layer. A protective layer has been formed.

このようにして作成した記録媒体を90ORPMで回転
させ、そこに直径1声に集光した波長830nmの半導
体レーザー光を線速3500〜4000+am/see
でスパイラル状に照射した。このときの照射条件は実施
例1の場合と同様、(1)および(2)の二つの条件と
した。ただし、照射強度は(1)では3,4,5,6,
8,10.12m1lとし、(2)テは8Illvトシ
た。
The recording medium created in this way is rotated at 90 ORPM, and a semiconductor laser beam with a wavelength of 830 nm focused to one tone in diameter is applied to it at a linear velocity of 3500 to 4000 + am/see.
It was irradiated in a spiral manner. The irradiation conditions at this time were two conditions (1) and (2) as in Example 1. However, in (1), the irradiation intensity is 3, 4, 5, 6,
8,10.12ml 1l, (2) te was 8Illv toshi.

照射条件(1)で記録したものの記録の状態を反射偏光
顕微鏡を用い直交ニコル状態でIil!察すると。
The state of the recording recorded under irradiation condition (1) was recorded in the crossed Nicols state using a reflective polarizing microscope. When I guess.

記録層のレーザー光照射部分に、強度4mW以上で記録
ができていることが明瞭なコントラストで認められた。
It was confirmed with clear contrast that recording was made at an intensity of 4 mW or more in the laser beam irradiated portion of the recording layer.

また、照射したレーザー光の強度が大きくなるに従い記
録部分、すなわち溶融再結晶化により結晶状態が変化し
た部分の幅が広くなり、4Iでは幅が約0.4.n、1
2mVでは約1.8pmであった。
Furthermore, as the intensity of the irradiated laser beam increases, the width of the recorded portion, that is, the portion where the crystal state has changed due to melt recrystallization, becomes wider, and in 4I, the width is about 0.4. n, 1
At 2 mV, it was about 1.8 pm.

記録部分の偏光顕微鏡による観察において、同一部分を
試料台上で回転してみると、非記録部と記録部の明暗の
コントラストには、逆転が認められた。すなわち、ある
角度で明るい非記録部に対して記録部が暗く見えていた
ものが同じ部分を45°回転すると暗い非記録部の中に
明るい記録部がamされた1強度81で記録した部分の
偏光顕微鏡写真を第10図(a)および(b)に示す。
When observing the recorded area using a polarizing microscope, when the same area was rotated on a sample stage, a reversal of the brightness contrast between the non-recorded area and the recorded area was observed. In other words, if the recorded area appears dark compared to the bright non-recorded area at a certain angle, when the same area is rotated by 45 degrees, the bright recorded area appears in the dark non-recorded area, which is the area recorded at an intensity of 81. Polarized light micrographs are shown in FIGS. 10(a) and (b).

なお、(a)と(b)とは同一部分を45°回転させて
amしたものである。
Note that (a) and (b) are the same part rotated by 45 degrees and am-shaped.

次に、実施例1と同様に、記録部を偏光顕微鏡で観察し
ながら、記録媒体の温度を上げていくと、明瞭なコント
ラストで見えていた記録部が60℃位から消えはじめ、
約77℃で完全に消去された。またこの温度では非記録
部には変化は認められず、79.5℃まで上昇すると結
晶薄膜全体が溶融した。
Next, as in Example 1, when the temperature of the recording medium was raised while observing the recorded area with a polarizing microscope, the recorded area that had been visible with clear contrast began to disappear at around 60°C.
It was completely erased at about 77°C. Further, at this temperature, no change was observed in the non-recording area, and when the temperature rose to 79.5°C, the entire crystal thin film melted.

次に、別の記録媒体に、上記(2)の条件でレーザー光
を照射した。この記録媒体を偏光顕微鏡で観察すると、
記録媒体の照射範囲全面にほとんどすき間なく記録され
ているのが認められた。この全面記録後の記録媒体の保
護層のガラス板をはく離しX@回折を測定した。一方、
同様に作成した記録媒体を記録を行なわず、そのまま保
護層をはく離しX線回折を測定した。さらに、この記録
後の記録媒体を1℃/分の速度で75℃まで昇温した後
Next, another recording medium was irradiated with laser light under the conditions (2) above. When this recording medium is observed with a polarizing microscope,
It was observed that the information was recorded over the entire irradiation range of the recording medium with almost no gaps. After this entire surface recording, the glass plate of the protective layer of the recording medium was peeled off, and the X@ diffraction was measured. on the other hand,
A similarly prepared recording medium was subjected to no recording, the protective layer was peeled off, and X-ray diffraction was measured. Further, the temperature of the recording medium after this recording was raised to 75° C. at a rate of 1° C./min.

室温に戻し、記録でほぼ消去された状態でのX線回折を
測定した。第12図に未記録、第13図に記録後、第1
4図に消去後のX線回折図を示す、これらより、記録後
は一部分子配向が変化し、消去後はほぼ元に戻っている
ことがわかる。
The temperature was returned to room temperature, and X-ray diffraction was measured in a state where the recording was almost erased. Not recorded in Figure 12, recorded in Figure 13, 1st
Figure 4 shows an X-ray diffraction diagram after erasing. It can be seen from these that the molecular orientation partially changes after recording, but almost returns to its original state after erasing.

また、上記(1)の条件でl−φのレーザー光により記
録された記録媒体に、実施例1と同様に5pmφのレー
ザー光をそれぞれ2.5,2,1.5mWとなるように
連続点灯し、線速50■/secの速度で記録部分と重
なるように走査した後、偏光顕微鏡で[)1察すると第
11図の写真のように、 2oWで照射された部分が補
的3/7aの帯状に消去された。また、2 、5+ov
以上では強度が大きすぎたため新しくライン状の記録が
でき、そのラインの縁の部分で消去が認められ、1 、
5mWでは記録部が少し細くなる程度であった。
Furthermore, as in Example 1, 5 pm φ laser beams were continuously lit at 2.5, 2, and 1.5 mW, respectively, on the recording medium recorded with l-φ laser light under the conditions (1) above. Then, after scanning at a linear velocity of 50 cm/sec so as to overlap the recorded area, the area irradiated with 2oW was observed as a supplementary 3/7a as shown in the photograph in Figure 11 using a polarizing microscope. erased in strips. Also, 2,5+ov
In the above case, the intensity was too high, so a new line-shaped record was created, and erasure was observed at the edge of the line.
At 5 mW, the recording portion became slightly thinner.

実施例3 実施例2と全く同様にして、ガラス基板(5cm X 
5c++、厚さ1 、2mm)上に、光熱変換層として
クロム層、その上にベヘン酸、薄膜状結晶の記録層、さ
らにその]二にガラスの保護層よりなる記録媒体を作成
した。ただし、記録層の厚さは約0.6μsであった。
Example 3 A glass substrate (5 cm x
5c++, thickness 1 to 2 mm), a chromium layer as a light-to-heat conversion layer, a recording layer made of behenic acid and a thin film crystal thereon, and a protective layer made of glass on top of the chromium layer. However, the thickness of the recording layer was approximately 0.6 μs.

この記録媒体に直径5趨に集光した波長780nmの半
導体レーザー光を記録媒体面で強度が7.10.14m
Wとなるように連続点灯し線速200m+*/seeで
直線状に走査した。この記録媒体を偏光顕微鏡で観察し
たところ第15図(a)の写真に示すような明瞭な記録
が認められた。また、この部分を試料台を45°回転し
て11察すると、第15図(b)の写真のように非記録
部と記録部の明暗の逆転が認められた。
Semiconductor laser light with a wavelength of 780 nm is focused on this recording medium in five diameter directions, and the intensity is 7.10.14 m on the recording medium surface.
The light was continuously turned on so as to be W, and scanning was performed in a straight line at a linear speed of 200 m++/see. When this recording medium was observed with a polarizing microscope, clear recording was observed as shown in the photograph of FIG. 15(a). Further, when this part was observed by rotating the sample stage by 45 degrees, it was observed that the brightness of the non-recorded part and the recorded part was reversed as shown in the photograph in FIG. 15(b).

同様にして作成した記録媒体について、強度を12m1
lとし上記と同様の条件で、記録媒体全面にほぼすき間
なく照射した。この記録媒体の保護層である厚さ0.1
mmのガラス板を記録層がらはがし、記録層のX、VX
回折を測定した。また、比較のため同様に作成した記録
媒体をレーザー光の照射を行なわず、そのまま保護層の
ガラス板をはがし、X線回折を測定した。記録前(第1
6図)と全面記録後(第17図)のX線回折を比較する
と、いずれもベヘン酸のC型結晶の長面間隔(48,3
人)に基づく回折線が明瞭に認められる。一方、記録に
よる短面間隔の部分の変化は、同様な記録媒体でありな
がら、照射時間の短かい実施例2の場合とは異なってい
る。しかし、偏光顕微鏡による113!察では、非記録
部と記録部のコントラストは明確であることがら、この
照射条件と実施例2の場合では、記録にょる配向方向の
変化の仕方が異なることがわかる(実施例2との照射条
件の差はビーム径と線速度の差に基づく照射時間の差:
実施例2は約0.25μsec、実施例3は約100μ
secである)、。
Regarding the recording medium created in the same way, the strength was set to 12 m1.
The entire surface of the recording medium was irradiated almost without gaps under the same conditions as above. The thickness of the protective layer of this recording medium is 0.1
Peel off the recording layer from the glass plate of mm, and
Diffraction was measured. For comparison, a recording medium prepared in the same manner was not irradiated with laser light, the glass plate of the protective layer was peeled off, and X-ray diffraction was measured. Before recording (first
Comparing the X-ray diffraction after full-surface recording (Fig. 6) and after full-surface recording (Fig.
Diffraction lines based on humans) are clearly recognized. On the other hand, the change in the short surface interval due to recording is different from that in Example 2, which uses a similar recording medium but has a shorter irradiation time. However, 113! In the observation, the contrast between the non-recorded area and the recorded area is clear, so it can be seen that the way the orientation direction changes due to recording is different between this irradiation condition and the case of Example 2. The difference in conditions is the difference in irradiation time based on the difference in beam diameter and linear velocity:
Example 2 is about 0.25μsec, Example 3 is about 100μsec
sec),.

実施例4 実施例1と同様のクロム層を有するガラスディスクを用
意した。このクロム層上にポリイミド樹脂溶液(日本合
成ゴム社製:、n+3−]、)を塗布し、温度150℃
で1時間乾燥して厚さ約0.1μlのポリイミド層を設
けた。一方、保護層となる厚さ0.1mmのガラスの片
面にも同様に厚さ約0.1pmのポリイミド層を設け、
さらにその上にギャップ材として直径約1prsのシリ
カ粒子を微量付着させた。この両方を恒温槽中に入れ、
表−2に示す記録層の材料を溶融させて実施例2と同様
にはさみ込んだ、この時の温度はそれぞれの材料の融点
より10〜20”C高い温度とした。融液を全面に拡げ
た後、保護層のガラス板の上から均一に荷重をかけ、そ
のまま恒温槽の温度をゆっくり下げ、記録層の材料を結
晶化させた。以上の操作により、表−2の各材料の薄膜
状結晶を記録層とする記録媒体を作成した。
Example 4 A glass disk having a chromium layer similar to that in Example 1 was prepared. A polyimide resin solution (manufactured by Nippon Gosei Rubber Co., Ltd.: n+3-]) was applied on this chromium layer at a temperature of 150°C.
After drying for 1 hour, a polyimide layer with a thickness of about 0.1 μl was provided. On the other hand, a polyimide layer with a thickness of about 0.1 pm was similarly provided on one side of the glass with a thickness of 0.1 mm to serve as a protective layer.
Further, a small amount of silica particles having a diameter of about 1 prs was attached thereon as a gap material. Place both in a thermostatic chamber,
The materials for the recording layer shown in Table 2 were melted and sandwiched in the same manner as in Example 2, at a temperature 10 to 20"C higher than the melting point of each material.The melt was spread over the entire surface. After that, a load was applied uniformly from above the glass plate of the protective layer, and the temperature of the constant temperature bath was slowly lowered to crystallize the material of the recording layer. Through the above operations, a thin film of each material shown in Table 2 was formed. A recording medium with a crystal recording layer was created.

このようにして作成した記録媒体に直径1μmに集光し
た半導体レーザー光を実施例2と同様の条件で照射した
。ただし、記録光の強度は表−2に示した通りとした。
The recording medium thus produced was irradiated with semiconductor laser light focused to a diameter of 1 μm under the same conditions as in Example 2. However, the intensity of the recording light was as shown in Table 2.

各記録媒体の偏光顕微鏡で観察したところ、実施例1お
よび2の記録媒体と同様の記録が形成されているのが確
認された。
When each recording medium was observed with a polarizing microscope, it was confirmed that recordings similar to those of the recording media of Examples 1 and 2 were formed.

表−2 実施例5 実施例1と同様のクロム層を有するガラスディスクを用
意した。このクロム層上に塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体(ユニオンカーバイド社11:VV)IH)の5v
t%テトラヒドロフラン溶液を塗布し、乾燥して厚さ約
0.2pの樹脂層を設けた1次にこの上に、ステアリン
酸(シグマ社製:純度99%以上)の1out%テトラ
ヒドロフラン溶液中しこ、ステアリン酸に対して3vt
%のナフタロシアニン系色素(下記構造式)を溶解した
液を塗布し45℃で乾燥した。
Table 2 Example 5 A glass disk having the same chromium layer as in Example 1 was prepared. On this chromium layer, 5v of vinyl chloride-vinyl acetate copolymer (Union Carbide Co. 11: VV) IH) was applied.
A t% tetrahydrofuran solution was applied and dried to form a resin layer with a thickness of about 0.2p. On top of this, stearic acid (manufactured by Sigma, purity 99% or more) was injected in a 1out% tetrahydrofuran solution. , 3vt for stearic acid
% naphthalocyanine dye (the following structural formula) was applied and dried at 45°C.

さらにその上に、前記と同じ塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体の5w、t%テトラヒドロフラン溶液を塗布し4
5℃で乾燥した。このディスクを90℃で約2分間熱処
理した後、徐冷して、クロム層上にほぼ−様な配向をし
たナフタロシアニン系色素を含むステアリン酸の薄膜状
結晶からなる記録層と保護層を形成した。
Furthermore, a 5w, t% tetrahydrofuran solution of the same vinyl chloride-vinyl acetate copolymer as above was applied on top of it.
It was dried at 5°C. This disk was heat-treated at 90°C for about 2 minutes and then slowly cooled to form a recording layer and a protective layer made of thin film-like crystals of stearic acid containing a naphthalocyanine dye with an almost -like orientation on the chromium layer. did.

このようにして作成した記録媒体に、直径17Allに
集光した半導体レーザー光(830nm)を強度が3■
Vである以外は実施例1の照射条件(1)の場合と同様
に照射した。この記録媒体のレーザー光照射部分を偏光
顕微鏡で観察すると、実施例1と同様に記録部が明瞭な
コントラストで観察できた。
A semiconductor laser beam (830 nm) focused to a diameter of 17 All was applied to the recording medium thus created at an intensity of 3 mm.
Irradiation was carried out in the same manner as in the case of irradiation condition (1) of Example 1 except that V was used. When the laser beam irradiated portion of this recording medium was observed with a polarizing microscope, the recorded portion could be observed with clear contrast as in Example 1.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第5図は本発明の記録媒体の断面図であり、図
中1は基板、2は光学的異方性を有する有機薄膜状結晶
の記録層、3は光熱変換層、4は下引き層、5は保護層
を示す。 第6図はステアリン酸の薄膜状結晶を記録層とする記録
媒体の未記録状態のX線回折図、第7図は同じ記録媒体
の記録後のX線回折図である。また。 第8図はこの記録媒体にIIJsφのレーザー光照射に
より記録した部分の偏光顕微鏡写真であり、第9図はこ
の記録部に5声φのレーザー光を重ねて照射し部分的に
消去を行なった記録媒体の偏光顕微鏡写真である。 第10図(a)および(b)はベヘン酸の薄膜状結晶を
記録層とする記録媒体に1趨φのレーザー光を照射して
記録した部分の偏光顕微鏡写真であり、(a)と(b)
は同一部分を45°回転して観察したものである。また
、第11図はこの記録部に5μsφのレーザー光を重ね
て照射し部分的に消去を行なった記録媒体の偏光顕微鏡
写真である。また、第12図、13図、14図はそれぞ
れベヘン酸記録媒体の未記録状態、記録後および消去後
のX線回折図である。 さらに、第15図(a)および(b)はベヘン酸の薄膜
状結晶を記録層とする記録媒体に5.φのレーザー光を
照射して記録した部分の偏光顕微鏡写真であり、(a)
と(b)は同一部分を45°回転して*察したものであ
る。また、第16図と第17図はそれぞれこの記録媒体
の未記録状態および記録後のXIIA@折図である。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第 図 X、10nO 571jIlψCl)光照射 ×旬00 ((6も ) (’bj) 第15図 (zi)
1 to 5 are cross-sectional views of the recording medium of the present invention, in which 1 is a substrate, 2 is a recording layer made of an organic thin film crystal having optical anisotropy, 3 is a photothermal conversion layer, and 4 is a photothermal conversion layer. An undercoat layer and 5 indicate a protective layer. FIG. 6 is an X-ray diffraction diagram of a recording medium having a thin film crystal of stearic acid as a recording layer in an unrecorded state, and FIG. 7 is an X-ray diffraction diagram of the same recording medium after recording. Also. Figure 8 is a polarized light micrograph of a portion recorded on this recording medium by IIJsφ laser beam irradiation, and Figure 9 is a polarized light micrograph of a portion recorded on this recording medium by laser beam irradiation of 5-tone φ, and partial erasure was performed by irradiating this recording portion with a 5-tone φ laser beam. This is a polarized light micrograph of a recording medium. Figures 10 (a) and (b) are polarized light micrographs of a recording medium having a thin film crystal of behenic acid as a recording layer, recorded by irradiating a laser beam with a diameter of 1 axis, and (a) and ( b)
is an observation of the same part rotated by 45 degrees. Further, FIG. 11 is a polarized light micrograph of a recording medium in which the recorded portion was irradiated with laser beams of 5 μsφ to partially erase the recording portion. Further, FIGS. 12, 13, and 14 are X-ray diffraction diagrams of the behenic acid recording medium in an unrecorded state, after recording, and after erasing, respectively. Furthermore, FIGS. 15(a) and 15(b) show that a recording medium having a thin film-like crystal of behenic acid as a recording layer is used. This is a polarized light micrograph of a portion recorded by irradiation with a laser beam of φ, (a)
and (b) are obtained by rotating the same part by 45 degrees. Moreover, FIG. 16 and FIG. 17 respectively show the unrecorded state and the XIIA@ folding diagram of this recording medium after recording. Fig. 1 Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4 Fig. 5 Fig.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光学的異方性を有する有機薄膜状結晶からなるか
、またはその薄膜状結晶を含む記録層を有する記録媒体
に、熱を印加し薄膜状結晶を溶融した後、急冷すること
により結晶状態を部分的に変化させて記録することを特
徴とする記録方法。
(1) A recording medium that is made of an organic thin film crystal having optical anisotropy or has a recording layer containing the thin film crystal is crystallized by applying heat to melt the film crystal and then rapidly cooling it. A recording method characterized by recording a state while partially changing it.
(2)上記の記録媒体が記録時に照射された光の一部ま
たは全部を吸収し、熱に変換する光熱変換層と光学的異
方性を有する有機薄膜状結晶からなるか、またはその薄
膜状結晶を含む記録層を有するものであり、光を照射し
、薄膜状結晶を溶融した後、急冷することにより、結晶
状態を部分的に変化させて記録することを特徴とする記
録方法。
(2) The above-mentioned recording medium is composed of a light-to-heat conversion layer that absorbs part or all of the light irradiated during recording and converts it into heat, and an organic thin-film crystal having optical anisotropy, or A recording method comprising a recording layer containing crystals, which records by irradiating light to melt the thin film crystals and then rapidly cooling them to partially change the crystal state.
(3)熱の印加または光の照射による上記結晶状態の変
化が分子の配向方向の変化を含むものである請求項(1
)または(2)記載の記録方法。
(3) Claim (1) wherein the change in the crystal state due to the application of heat or the irradiation of light includes a change in the orientation direction of the molecules.
) or the recording method described in (2).
(4)熱の印加または光の照射による上記結晶状態の変
化が薄膜状結晶の部分的な微結晶化を含むものである請
求項(1)または(2)記載の記録方法。
(4) The recording method according to claim (1) or (2), wherein the change in the crystal state due to the application of heat or the irradiation of light includes partial microcrystallization of the thin film crystal.
(5)光学的異方性を有する有機薄膜状結晶が、脂肪酸
または脂肪酸誘導体、安息香酸誘導体あるいは融点が5
0℃以上のn−アルカンまたはその誘導体を主成分とす
るものである請求項(1)または(2)の記録方法。
(5) Organic thin film crystals having optical anisotropy are fatty acids or fatty acid derivatives, benzoic acid derivatives, or have a melting point of 5
The recording method according to claim 1 or 2, wherein the main component is n-alkane or a derivative thereof at a temperature of 0°C or higher.
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