JPH02136029A - Current limiter circuit - Google Patents

Current limiter circuit

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Publication number
JPH02136029A
JPH02136029A JP28928088A JP28928088A JPH02136029A JP H02136029 A JPH02136029 A JP H02136029A JP 28928088 A JP28928088 A JP 28928088A JP 28928088 A JP28928088 A JP 28928088A JP H02136029 A JPH02136029 A JP H02136029A
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JP
Japan
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current
load
transistor
resistance value
constant
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Pending
Application number
JP28928088A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Koyano
小矢野 敦
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH02136029A publication Critical patent/JPH02136029A/en
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Abstract

PURPOSE:To limit a current supplied to a load from a transistor by placing a determined constant-current source of the two constant-current sources in an off-condition by decreasing an output current of a current mirror circuit smaller than in the past, when load terminal voltage is decreased to not more than a predetermined value with a load resistance value decreased. CONSTITUTION:When electric potential Vo of an output terminal 3 reaches a point P1 obtaining a relation where Vo=VrefXR7+R8/R8 (where, R7: resistance value of resistor 7, R8: resistance value of resistor 8), a contact opening control output is obtained from a comparator 9, and by this output, a normally- closed contact 5 is switched to an off-condition. Consequently, a current mirror circuit 1 generates only a flow of fine constant current Iidle by the second constant current source CS2, and current supplying capacity to an external load 4 by an NPN transistor Q3 is decreased by that amount. Accordingly, the potential Vo of the output terminal 3 is dropped approaching a zero level, and a load current Io is limited to a microcurrent of Ioff, that is, to an off-current.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、負荷電流を所定範囲内の電流値に制限する
だめの電流制限回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a current limiting circuit for limiting a load current to a current value within a predetermined range.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は、この種の電流制限回路の従来の構成を示す回
路図である。図において、カレントミラー回路1は2つ
の)) N P トランジスタQ1.Q2からなり、一
方のPNPトランジスタQ1はベス・コレクタ間が接続
されてダイオードとして機能するようにしてあり、その
エミッタは電源vC6に接続され、コレクタは定電流■
を流す定電流源O8の一方の端子に接続され、その定電
流源O8の他方の端子は接地されている。上記PNPト
ランジスタQ1のベースはもう一方のPNPt−ランジ
スタQ2のベースに接続され、そのPNPトランジスタ
Q2のエミッタは電源■。0に接続され、コレクタはN
 P N hランジ・スタQ3のベースに接続されてい
る。NPNトランジスタQ3のコレクタは抵抗2を介し
て電源■CCに接続され、エミッタは出力端子3に接続
されている。このNPNトランジスタQ3のコレクタに
はPNPトランジスタQ4のベースが接続され、そのP
NPトランジスタQ4のエミッタは電源VCCに接続さ
れ、コレクタはカレン1−ミラー回路1の2つのP N
 P )−ランジスタQ1.Q2のベースに接続されて
いる。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional configuration of this type of current limiting circuit. In the figure, the current mirror circuit 1 consists of two )) N P transistors Q1. One PNP transistor Q1 has its base and collector connected to function as a diode, its emitter is connected to the power supply vC6, and its collector is connected to a constant current ■
is connected to one terminal of a constant current source O8 that flows, and the other terminal of the constant current source O8 is grounded. The base of the PNP transistor Q1 is connected to the base of the other PNPt-transistor Q2, and the emitter of the PNP transistor Q2 is connected to the power supply ■. 0 and the collector is connected to N
Connected to the base of P N h range star Q3. The collector of the NPN transistor Q3 is connected to the power supply CC through the resistor 2, and the emitter is connected to the output terminal 3. The base of a PNP transistor Q4 is connected to the collector of this NPN transistor Q3, and its P
The emitter of the NP transistor Q4 is connected to the power supply VCC, and the collector is connected to the two P N of the current 1-mirror circuit 1.
P) - transistor Q1. Connected to the base of Q2.

上記出力端子3とグランドの間には外部負荷4が接続さ
れる。
An external load 4 is connected between the output terminal 3 and ground.

次に、上記電流制限回路の動作について説明する。Next, the operation of the current limiting circuit will be explained.

カレントミラー回路1のPNPI−ランジスタQ2を流
れるコレクタ電流は、NPNI−ランジスタQ3にベー
ス電流として与えられ、NPNトランジスタQ3に電流
I。が流れる。この電流I。゛は出力端子3から外部負
荷4へと供給される負荷電流となる。いま仮に、抵抗2
やPNPI−ランジスタQ4がない場合を想定すると、
定電流icsを流れる定電流Iと同R1の電流がカレン
トミラー回路1の出力側つまりPNPトランジスタQ2
のコレクタからNPNトランジスタQ3のベースに供給
されるので、このNPNトランジスタQ3の電流増幅率
をhfeとしたとき、NPNトランジスタQ3はIxh
foの負荷電流I。を流す能力を持っことになる。した
がって、外部負荷4の抵抗値R4が極小となったり、或
いは出力端子3が接地されてしまったような場合、負荷
電流■。h<極大の値となり大きな動力が消費されるこ
とになる。特に、この電流制限回路が集積回路に組み込
まれている場合には、集積回路のパッケージがその電力
消費に伴う発熱に耐えられず、集積回路が破壊されてし
まうことになる。ところが実際には、負荷電流■。が一
定値以上になると、抵抗2(その抵抗値をR2とする)
による電圧降下分I。XR2がPNPトランジスタQ4
のベース・エミッタ間電圧vBEよりも大きくなって、
このPNPi−ランジスタQ4がオン動作し始め、この
ためカレントミラー回路1の動作がオフとなって負荷電
流I。
The collector current flowing through the PNPI transistor Q2 of the current mirror circuit 1 is given as a base current to the NPNI transistor Q3, and the current I flows through the NPN transistor Q3. flows. This current I.゛ is the load current supplied from the output terminal 3 to the external load 4. Now, hypothetically, resistance 2
Assuming that there is no PNPI transistor Q4,
The constant current I flowing through the constant current ics and the current R1 are connected to the output side of the current mirror circuit 1, that is, the PNP transistor Q2.
is supplied to the base of NPN transistor Q3 from the collector of
load current I of fo. It will have the ability to flow. Therefore, when the resistance value R4 of the external load 4 becomes extremely small, or when the output terminal 3 is grounded, the load current becomes ■. Since h<the maximum value, a large amount of power will be consumed. Particularly, when this current limiting circuit is incorporated into an integrated circuit, the package of the integrated circuit cannot withstand the heat generated by the power consumption, resulting in destruction of the integrated circuit. However, in reality, the load current■. When becomes more than a certain value, resistance 2 (the resistance value is R2)
Voltage drop due to I. XR2 is PNP transistor Q4
becomes larger than the base-emitter voltage vBE of
This PNPi-transistor Q4 starts to turn on, and as a result, the current mirror circuit 1 turns off and the load current I.

は制限される。is limited.

第4図は、上記外部負荷4の抵抗値R4の変化に伴う出
力端子3の電圧V と負荷電流I。の関係つまり負荷特
性を示す特性図であり、図にd3いて矢印△は外部負荷
4の抵抗値R4が小さくなる方向を示し、矢印Bは外部
負荷4の抵抗[iR4が大きくなる方向を示す。同図に
おいて、外部負荷4の抵抗値R4が小さくなるにつれて
特性曲線は実線で示すO−+Pのように変化して負荷電
流I。
FIG. 4 shows the voltage V at the output terminal 3 and the load current I as the resistance value R4 of the external load 4 changes. This is a characteristic diagram showing the relationship, that is, the load characteristics. In the figure, the arrow △ at d3 indicates the direction in which the resistance value R4 of the external load 4 decreases, and the arrow B indicates the direction in which the resistance value R4 of the external load 4 increases. In the figure, as the resistance value R4 of the external load 4 becomes smaller, the characteristic curve changes as shown by the solid line O-+P, and the load current I changes.

は増加し、仮に第3図の回路で抵抗2およびPNPトラ
ンジスタQ4からなる回路部がないものとすると、特性
曲線は点線で示す20Mのように変化して負荷電流1 
はI  に達してしまうことo   max になる。1)かし実際には上記した抵抗2およびPNP
I−ランジスクQ4からなる回路部の働きによって、 となる0荷電流l。が流れようとする瞬間、特性曲線は
実線で示すP→Nのように変化して、結局、負荷電流I
。は■thから微小電流Δ■(オフ電流)に抑えられる
If the circuit shown in Fig. 3 does not include the circuit section consisting of resistor 2 and PNP transistor Q4, the characteristic curve will change as shown by the dotted line 20M, and the load current 1 will increase.
reaches I and becomes o max . 1) However, in reality, the above-mentioned resistor 2 and PNP
Due to the function of the circuit section consisting of I-Landisk Q4, the zero charge current l becomes. At the moment when the load current I is about to flow, the characteristic curve changes as shown by the solid line P → N, and eventually
. is suppressed from ■th to a minute current Δ■ (off current).

(発明が解決しようとする課題〕 上記した従来の電流制限回路では、負荷電流IOが 1oXR2=  V8[−(2) の条件を満たすときが電流制限動作の開始・停止の境界
時点となるようにしているので、抵抗2の抵抗値R2の
精度がそのまま電流制限動作の精度を左右することにな
る。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional current limiting circuit described above, the boundary point between starting and stopping the current limiting operation is set when the load current IO satisfies the condition 1oXR2=V8[-(2). Therefore, the accuracy of the resistance value R2 of the resistor 2 directly influences the accuracy of the current limiting operation.

上記条件を満たす抵抗値R2の値として、実際の回路で
は数10〜100Ω程度の値が用いられるのが通例であ
るが、半導体集積回路では一般にこのような抵抗値を精
度よく実現することは困難であり、このため上記した従
来の電流制限回路を集積回路に組み込む場合、精度の高
い動作を期待できないという問題点を有する。
In actual circuits, a value of several 10 to 100 ohms is usually used as the resistance value R2 that satisfies the above conditions, but it is generally difficult to achieve such a resistance value with high precision in semiconductor integrated circuits. Therefore, when the above-described conventional current limiting circuit is incorporated into an integrated circuit, there is a problem that highly accurate operation cannot be expected.

また、負荷電流I。が(2)式の条件を満たすような電
流値付近にある場合、PNPI−ランジスタQ4がオン
動作した瞬間、・、電流制限動作が行われてしまって抵
抗2による電圧降下分が瞬時に零となりPNPトランジ
スタQ4はオフ状態に復帰し、さらにオフ状態に復帰す
ると直ちに次の電流制限動作が始まるというように、負
荷電流I。のオン・オフ状態が繰り返されるR1状態を
呈してしまい、いつまでも微小電流Δ■(オフ電流)に
落ら付かないという重大な問題点を有する。
Also, the load current I. When is near the current value that satisfies the condition of equation (2), the moment the PNPI transistor Q4 turns on, the current limiting operation is performed and the voltage drop due to the resistor 2 instantly becomes zero. PNP transistor Q4 returns to the OFF state, and the next current limiting operation begins immediately after returning to the OFF state. This has a serious problem in that it exhibits the R1 state in which the on/off state is repeated, and the current does not reach a minute current Δ■ (off current) forever.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電流制限動作が正確で電流制限動作時のオフ
電流も安定させることのできる電流制限回路を得ること
を目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a current limiting circuit that can perform accurate current limiting operations and stabilize off-state current during current limiting operations.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係るTi流制限回路は、カレントミラー回路
と、このカレントミラー回路のダイオード側に互いに並
列に接続された2つの定電流源と、上記カレントミラー
回路の出力電流を制御電極に受けて負荷へ電流を供給す
るトランジスタと、負荷の端子間電圧が所定値以下のと
き上記した2つの定電流源のうち定められた一方の定電
流源をオフ状態にする手段とを設けたものである。
The Ti current limiting circuit according to the present invention includes a current mirror circuit, two constant current sources connected in parallel to each other on the diode side of the current mirror circuit, and a control electrode receiving the output current of the current mirror circuit to load the Ti current. The device is provided with a transistor for supplying current to the load, and means for turning off one of the two constant current sources when the voltage between the terminals of the load is below a predetermined value.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、負荷の抵抗値が減少して負荷の端
子間電圧が所定値以下になると、2つの定電流源のうち
定められた一方の定電流源がオフ状態にされる。このた
め、カレントミラー回路の出力電流はそれまでよりも小
さくなり、それに伴ってトランジスタから負荷に供給さ
れる電流が制限される。
In this invention, when the resistance value of the load decreases and the voltage between the terminals of the load becomes equal to or less than a predetermined value, one of the two constant current sources is turned off. Therefore, the output current of the current mirror circuit becomes smaller than before, and accordingly, the current supplied from the transistor to the load is limited.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明による電流制限回路の一実施例を示す
回路図であり、1,3.4.Ql〜Q3゜Vooは上記
従来回路と同一のものである。すなわち、カレンミルミ
ラー回路1は2つのPNPt−ランジスタQ1.Q2か
らなり、一方のPNPトランジスタQ1はベース・]コ
レクタが接続されてダイオードとして機能するようにし
てあり、そのエミッタは電源V に接続され、ベースは
もう一方C のPNPI−ランジスタQ2のベースに接続され、その
PNPt−ランジスタQ2のエミッタは電源vcoに接
続され、コレクタ、はNPNトランジスタQ3のベース
に接続されている。このNPNトランジスタQ3のエミ
ッタは出力端子3に接続されており、この出力端子3と
グランドの間には外部負荷4が接続される。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the current limiting circuit according to the present invention, and 1, 3.4. Ql to Q3°Voo are the same as in the above conventional circuit. That is, the Karen Mill-mirror circuit 1 includes two PNPt-transistors Q1. One PNP transistor Q1 has its base and collector connected to function as a diode, its emitter is connected to the power supply V, and its base is connected to the base of the PNP transistor Q2 of C2. The emitter of the PNPt transistor Q2 is connected to the power supply vco, and the collector is connected to the base of the NPN transistor Q3. The emitter of this NPN transistor Q3 is connected to an output terminal 3, and an external load 4 is connected between this output terminal 3 and ground.

さらに、この電流制限回路の場合、カレンミルミラー回
路1のダイオード側つまりPNPI−ランジスタQ1の
コレクタに対して2つの定電流源C81、C32が互い
に並列に接続されている。すなわら、定電流Iを流づ第
1の定電流源C31はその一方の端子が上記PNPトラ
ンジスタQ1のコレクタに接続され、他方の端子が常開
接点5を介して接地されている。また、上記定電流■に
比べて微小な定電流■  を流す第2の定電流icsd
le 2はその一方の端子が上記PNPトランジスタQ1のコ
レクタに接続され、他方の端子が接地されている。
Further, in the case of this current limiting circuit, two constant current sources C81 and C32 are connected in parallel to the diode side of the Karen Mill mirror circuit 1, that is, the collector of the PNPI transistor Q1. That is, one terminal of the first constant current source C31 through which a constant current I flows is connected to the collector of the PNP transistor Q1, and the other terminal is grounded via the normally open contact 5. In addition, a second constant current ICSD that flows a constant current ■ which is smaller than the constant current ■ mentioned above
One terminal of le2 is connected to the collector of the PNP transistor Q1, and the other terminal is grounded.

一方、NPNトランジスタQ3のコレクタは抵抗6を介
して電源V。0に接続されている。また、このNPNI
−ランジスタQ3のエミッタとグランド間には2つの分
割抵抗7,8が直列に接続され、これら分割抵抗7,8
の分割点Sは比較器9の一方の入力端子に接続され、こ
の比較器9の他方の入力端子には所定の基準電圧Vre
fを発生する基準電圧源10が接続されている。そして
、この比較器9の出力によって上記した常閉接点5をオ
フ動作させるように構成されている。すなわち、基T?
−電圧■、。、は、外部負荷4に供給される負荷電流I
 が所定の電流値I 、のときの分割点Sの0[1m 電位V1と等しくなるように設定されている。
On the other hand, the collector of the NPN transistor Q3 is connected to the power supply V through a resistor 6. Connected to 0. Also, this NPNI
- Two dividing resistors 7, 8 are connected in series between the emitter of transistor Q3 and the ground, and these dividing resistors 7, 8 are connected in series.
The dividing point S is connected to one input terminal of a comparator 9, and the other input terminal of this comparator 9 is connected to a predetermined reference voltage Vre.
A reference voltage source 10 that generates f is connected. The output of the comparator 9 is configured to turn off the normally closed contact 5 described above. That is, base T?
−Voltage■,. , is the load current I supplied to the external load 4
is set to be equal to the 0[1 m potential V1 of the dividing point S when is a predetermined current value I.

第2図は、上記外部負荷4の抵抗値R4の変化に伴う出
力端子3の電圧vOと負荷電流IOの関係を示す特性図
であり、図において矢印Aは外部負荷4の抵抗値R4が
小さくなる方向を示し、矢印Bは外部負荷4の抵抗値R
4が大ぎくなる方向を示す。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the voltage vO of the output terminal 3 and the load current IO as the resistance value R4 of the external load 4 changes. In the figure, arrow A indicates a small resistance value R4 of the external load 4. The arrow B indicates the resistance value R of the external load 4.
4 indicates the direction in which it becomes larger.

次に、第2図の特性図を参照しつつ上記電流制限回路の
動作について説明する。
Next, the operation of the current limiting circuit will be explained with reference to the characteristic diagram shown in FIG.

カレントミラー回路1の出力電流つまりPNPトランジ
スタQ2を流れるコレクタ電流は、NPNI−ランジス
タQ3にべ−・、スミ流として与えられ、NPNトラン
ジスタQ3に電流!。が流れる。この電流I。は出力端
子3から外部負荷4へと供給される負荷電流となる。外
部負荷4の抵抗値R4が十分大きく、出力端子3の電位
(IoxR4)を分割抵抗7.8によって分割した分割
点Sの電位V1が基準電圧Vrofよりも大きいときに
は、比較器9からは接点開放制御出力が取り出されず、
常閉接点5はオン状態に保たれ、2つの定電流源C31
,C82はともにオン状態となる。
The output current of the current mirror circuit 1, that is, the collector current flowing through the PNP transistor Q2, is given to the NPNI transistor Q3 as a current, and the current flows through the NPN transistor Q3. . flows. This current I. is the load current supplied from the output terminal 3 to the external load 4. When the resistance value R4 of the external load 4 is sufficiently large and the potential V1 of the dividing point S obtained by dividing the potential (IoxR4) of the output terminal 3 by the dividing resistor 7.8 is greater than the reference voltage Vrof, the comparator 9 releases the contact. Control output is not taken out,
The normally closed contact 5 is kept in the on state, and the two constant current sources C31
, C82 are both turned on.

外部負荷4の抵抗値R4が減少してくると、第2図に実
線で示すように特性曲線は01→P1のように変化して
負荷電流■。が増加するとともに、出力端子3の電位■
。は徐々に降下する。そして、出力端子3の電位■。が R7+R8 V0=v゛°fxR8・・・(3) ただし R7:抵抗7の抵抗値 R8:抵抗8の抵抗値 となる第2図におけるPl(このときの負荷電流11、
tl)に達すると、比較器9から接点間OLim 数制御出力が得られ、この出力によって常閉接点5はオ
フ状態に切り換えられる。このため、カレントミラー回
路1には第2の定電流源C82による微小な定電流I 
 しか流れなくなり、NPNdle 1ヘランジスタQ3による外部負荷4への電流供給能力
はそれだけ小さくなる。したがって、特性曲線は第2図
に実線で示すP1→N1のように変化して、出力端子3
の電位V。は零レベル近くまで降下し、負荷電流I。は
■。7.なる微小電流つまリオフ電流に制限されること
になる。
When the resistance value R4 of the external load 4 decreases, the characteristic curve changes from 01 to P1, as shown by the solid line in FIG. 2, and the load current becomes ■. As increases, the potential of output terminal 3 ■
. gradually decreases. And the potential ■ of output terminal 3. is R7+R8 V0=v゛°fxR8...(3) However, R7: resistance value of resistor 7 R8: resistance value of resistor 8 Pl in Fig. 2 (load current 11 at this time,
tl), a contact-to-contact OLim number control output is obtained from the comparator 9, and this output switches the normally closed contact 5 to the OFF state. Therefore, the current mirror circuit 1 is supplied with a minute constant current I from the second constant current source C82.
Therefore, the ability of the NPNdle 1 helang transistor Q3 to supply current to the external load 4 becomes correspondingly smaller. Therefore, the characteristic curve changes as shown by the solid line in FIG. 2 from P1 to N1, and the output terminal 3
potential V. drops to near zero level, and the load current I. ■. 7. Therefore, the current is limited to a very small current, that is, a re-off current.

−旦、電流制限動作に移行した後は、微小な定電流1 
 しか流れなくなるので、元の状態に復dle 帰するためには相当量の外部負荷4の抵抗値R4の増大
が必要となり、このため発振状態を呈することもなく、
安定な電流制限動作となる。また電流制限動作に移行す
る臨界点は、上記(3)式に示すように基準電圧■  
と抵抗比(R7+R8)ef /R8とにより決定され、これらは比較的自由にかつ正
確に設定可能であり、このため比較器9として動作精度
の高い差動アンプ形式のものを適用することにより正確
な電流制限動作が可能となる。
- After transitioning to current limiting operation, the minute constant current 1
Therefore, in order to return to the original state, it is necessary to increase the resistance value R4 of the external load 4 by a considerable amount, and therefore, the oscillation state does not occur.
Stable current limiting operation. In addition, the critical point at which the current limit operation shifts is determined by the reference voltage ■
and the resistance ratio (R7+R8)ef/R8, which can be set relatively freely and accurately. Therefore, by using a differential amplifier type comparator with high operating accuracy as the comparator 9, accuracy can be achieved. This enables efficient current limiting operation.

微小定電流I  により出力端子3の電位V。The potential V of the output terminal 3 due to the minute constant current I.

dle がV、。r X (R7+ R8) / R8となるこ
とができるように定電流源C82を設定しておけば、電
流制限動作の状態から外部負荷4の抵抗IRR4が増大
してくると、特性曲線は第2図に実線で示すようにN1
→P1と変化して、出力端子3の電位voが徐々に上昇
し、再び定電流IC81をオン状態に復帰させるように
比較器9が作動する。
dle is V,. If the constant current source C82 is set so that r As shown by the solid line in the figure, N1
→P1, the potential vo of the output terminal 3 gradually rises, and the comparator 9 operates so as to return the constant current IC 81 to the on state again.

比較器9による制御11機能がない場合には、外部負荷
4の抵抗値R4が増大するにつれて、特性曲線が第2図
に破線で示すように219M1へと変化し、負荷電流■
 は極大の値■  となることOmax は従来の回路で説明したのと同じである。なお、この場
合、カレン1へミラー回路1の出力電流はl−1−I 
 となるので、NPNI−ランジスタQ3のdlc 電流増幅率をり、。とすると、上記負荷電流I。の極大
値I  はh(1+■  )となる。
In the absence of the control 11 function by the comparator 9, as the resistance value R4 of the external load 4 increases, the characteristic curve changes to 219M1 as shown by the broken line in FIG. 2, and the load current
is the maximum value .Omax is the same as explained in the conventional circuit. In this case, the output current of the mirror circuit 1 to the current 1 is l-1-I
Therefore, the dlc current amplification factor of NPNI transistor Q3 is: Then, the above load current I. The maximum value I of is h(1+■).

maxfc     1dle なお、上記実f扇例においL、カレントミラー回路1の
各P N P hランジスタQ1.Q2にエミッタ抵抗
を挿入して、カレントミラー比を任意に変更してもよい
。この場合には、2つの定電流源C81,C32の定電
流I、  I   の値を設定するdle さいの自由度が増すので、負荷電流I。の各値1   
、r   、1   をいろいろ変えて設定でmax 
  Iim   off き、電流制限回路の幅広い利用が可能となる。
maxfc 1dle Note that in the above actual f fan example, each P N Ph transistor Q1 .L of the current mirror circuit 1. An emitter resistor may be inserted into Q2 to arbitrarily change the current mirror ratio. In this case, the degree of freedom in setting the values of the constant currents I and I of the two constant current sources C81 and C32 increases, so the load current I. each value 1
, r , 1 are changed and set to max.
Iim off , the current limiting circuit can be widely used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば、負荷の抵抗値が減少
していってその端子間電圧が所定値以下になると、2つ
の定電流源のうちの一方がオフ状態になり、それによっ
てカレントミラーの出力電流を小さくし、負荷電流を制
限するように構成したので、電流制限動作が正確になり
電流制限動作時のオフ電流も安定する効果がある。
As described above, according to the present invention, when the resistance value of the load decreases and the voltage between its terminals becomes less than a predetermined value, one of the two constant current sources is turned off, thereby causing the current Since the output current of the mirror is made small and the load current is limited, the current limiting operation becomes accurate and the off-state current during the current limiting operation is stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明による電流制限回路の一実施例を示す
回路図、第2図はその回路による負荷特性を示す特性図
、第3図は従来の電流制限回路を示す回路図、第4図は
その回路による負荷特性を示す特性図である。 図において、1はカレントミラー回路、3は出力端子、
4は外部負荷、5は常閉接点、7,8は分割抵抗、9は
比較器、10は基F¥電圧源、C81、C82は定電流
源、Q3はN P N トランジスタである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人   大  岩  増  雄 第 図 カレントミラー回路 ヱfJ立晶) クト靜 真 で @1撞免 NPN)ランシスク ’Lim Imax=hfe(1+[;d+e) 頁厨電浅■。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the current limiting circuit according to the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the load characteristics of the circuit, FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional current limiting circuit, and FIG. is a characteristic diagram showing the load characteristics of the circuit. In the figure, 1 is a current mirror circuit, 3 is an output terminal,
4 is an external load, 5 is a normally closed contact, 7 and 8 are dividing resistors, 9 is a comparator, 10 is a base F\voltage source, C81 and C82 are constant current sources, and Q3 is an N P N transistor. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent Masu Oiwa Diagram Current Mirror Circuit ヱ fJ Tachiaki) Kuto Makoto @ 1 Disclaimer NPN) Ransisk'Lim Imax=hfe(1+[;d+e) Page Chuden Asa■.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)カレントミラー回路と、このカレントミラー回路
のダイオード側に互いに並列に接続された2つの定電流
源と、前記カレントミラー回路の出力電流を制御電極に
受けて負荷へ電流を供給するトランジスタと、前記負荷
の端子間電圧が所定値以下のとき前記2つの定電流源の
うち定められた一方の定電流源をオフ状態にする手段と
を備える電流制限回路。
(1) A current mirror circuit, two constant current sources connected in parallel to each other on the diode side of the current mirror circuit, and a transistor that receives the output current of the current mirror circuit at its control electrode and supplies the current to the load. , means for turning off a predetermined one of the two constant current sources when the voltage across the terminals of the load is below a predetermined value.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6407537B2 (en) 1999-12-21 2002-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Voltage regulator provided with a current limiter
US6737856B2 (en) * 2000-08-30 2004-05-18 Infineon Technologies Ag Circuit configuration for detecting the current in a load transistor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6407537B2 (en) 1999-12-21 2002-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Voltage regulator provided with a current limiter
US6737856B2 (en) * 2000-08-30 2004-05-18 Infineon Technologies Ag Circuit configuration for detecting the current in a load transistor

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