JPH02135723A - 露光制御装置並びに露光方法及び装置 - Google Patents

露光制御装置並びに露光方法及び装置

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JPH02135723A
JPH02135723A JP63288977A JP28897788A JPH02135723A JP H02135723 A JPH02135723 A JP H02135723A JP 63288977 A JP63288977 A JP 63288977A JP 28897788 A JP28897788 A JP 28897788A JP H02135723 A JPH02135723 A JP H02135723A
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間 潤治
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一明 鈴木
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、適宜の感応物体に対する照射エネルギー量の
制御、及び照度均一化制御にかかるものであり、例えば
、露光光としてエキシマ等のパルスレーザを使用する露
光装置の露光量制御に関するものである。
[従来の技術] 従来、パルスレーザを光源とした露光装置における露光
量制御は、レーザ光が一般にパルス毎に±1096程度
のばらつきを有している上、短期的、長期的にレーザ密
度の低下現象があることから、各パルス毎の光量を検出
して積算し、この積算結果が所望の値となるまで発光を
行なうという方法で行なわれていた。レーザ密度の低下
現象は、ガスレーザを用いた場合に顕著であり、内部ガ
スの劣化に伴って出力の低下が起こる。通常、内部ガス
が劣化して出力が低下してきた場合には放電印加電圧等
を増加させたり、場合によっては部分的なガス交換を行
って出力の低下を少なくする様な工夫がなされているが
、一定のパルス数で所望の露光量に制御することは困難
であった。
こうした中で、例えは半導体素子製造用の露光装置にお
ける露光制御のように、より高い精度での露光量制御が
要求される場合の制御装置としては、例えば特開昭60
−169136号公報に開示されているものがある。
この装置は、感応体(レジスト付きウェハ等)へ与える
露光エネルギーを、適正露光量よりわずかに少ない露光
エネルギーを与える粗露光と、残りの必要とされる露光
エネルギーを与える修正露光の2段階に分けることによ
り、全体として露光エネルギーのばらつきを制御するよ
うにしたものである。
即ち、複数パルスで1シヨツトの露光を行う場合、エネ
ルギー量を小さくした最終パルスによって露光量を制御
することにより、最適露光量を得るようにしている。
尚、ここで1シヨツトとは一括露光方式の場合は、マス
クを介してウェハ全体に露光エネルギーが照射されるこ
とであり、ステップアンドリピート方式(後述)の場合
は、ウェハ上の部分的な1つの領域に露光エネルギーが
照射されることである。
ところで近年半導体素子製造用の露光装置において採用
されているステップアンドリピート方式では、1枚のウ
ェハを露光するにあたって、露光すべき領域を複数の露
光領域に分割し、各露光領域毎に露光を行ない、1つの
露光領域の露光が終了した段階で次の露光領域に移動し
て再び露光を行うという動作をくり返すことにより最終
的にウェハ全面の露光を行っている。
従って単位時間当たりの半導体素子の生産量を多くする
には、各露光領域の間の移動時間を極力短くするととも
に、各露光領域に於ける露光時間を短くすることが重要
である。このため特開昭60−169136号公報に開
示されている手段により露光を行う場合でも、なるべく
大きなエネルギーで粗露光を行い、修正露光の時間を短
くすることが必要である。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前述の特開昭60−169136号公報
に開示されたような方法では、最小パルスに含まれるエ
ネルギー量の誤差(ばらつき)に対して何等配虜されて
いないため、依然として露光量が適格に制御されず、適
切な露光を行うことができないという不都合がある。
又、最終パルスの設定エネルギーは、適正露光量より粗
露光分を差し引いた値となる為、最終パルスの露光量を
設定する手段のダイナミックレンジを大きく゛とらなけ
ればならず、装置の′a雑化を招く上、高い制御精度が
得られないという問題点がある。
又、特開昭63−81882号公報に開示されているよ
うに修正露光を複数パルスとして適正露光量を得る方法
もあるが、この場合においても露光時間が長くなるとと
もに、露光量設定手段のダイナミックレンジが大きくな
るという問題点は解消されない。
さらに、上記のような修正露光で露光量を調整する方法
においては、修正露光時の1パルスのエネルギー量及び
露光パルス数が粗露光を完了した時点での積算露光量に
依存する為、各ショット毎に一定とならないという欠点
が有る。即ち、露光エネルギー源がレーザ光源の場合、
レーザ光の持つ可干渉性により露光面においてスペック
ルと呼ばれる照度むらが生じることが有るが、上記の光
量制御方法ではこのスペックルを効果的に低減すること
ができない。この問題について以下(説明する。
スペックルは半導体素子製造のフォ]・リソグラフィー
工程におけるパターン線幅のコントロールに重大な影響
を与えるので、例えば特開昭59−226317号公報
に開示されているようにパルス光の発光毎にスペックル
パターン(又は干渉パターン)を移動させて(レーザ光
を振動させて)スペックルを最終的に平滑化することも
考えられている。しかるにこの特開昭59−22631
7号の方法と特開昭63−81882号の方法を組み合
せ、露光量を最適化しつつもスペックルを低減すること
を行う場合、特開昭59−226317号公報に示され
ている様に投影レンズの100面での光源像(レーザス
ポット)を瞳面内に於てなるべく均一に分布させる必要
が有る。これを実現するには瞳面に於けるレーザスポッ
トの点数を一定とし、その整数倍のパルス数で露光を行
うとともに、露光中はレーザ強度を一定に保つ必要が有
る。ところが、前述の特開昭63−81882号の方法
では、修正露光時に露光強度を変える為、瞳面に於て、
修正露光時に対応する領域のみ他の領域より積算エネル
ギーが低く、結果として充分にスペックルを低減出来な
い。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光
量を要求される精度に応じて制御するどともに、効果的
に照度均一化を行なうことができ、かつ露光時間の短縮
も図ることのてきる露光制御装置を提供することを目的
とするものである。
[課題を解決するための手段] この発明では、発振のたびに所定の範囲内で光量変動を
伴う可干渉性のパルス光の複数の照射によって、第1物
体に形成されたパターンを所定の露光量で感光性の第2
物体に転写する装置の第2物体への露光量を制御する露
光制御装置に、第1物体もしくは第2物体上に生じる干
渉パターンを、パルス光の照射毎に移動させて平滑化す
る為に必要な必要パルス数と、目標とする適正露光量に
応じた値とに基づいて、各パルス光の平均光量値を予め
決定する第1演算手段と;平均光量値のもとでパルス光
を照射した時に第2物体へ与えられるべき目標積算光量
に対応じた目標値を、必要パルス数の各パルス毎に決定
する第2演算手段と; 第2物体へ与えられた実際の積算光量に対応じた実測値
を検出する光量計測手段と; 先行して照射されたパルス光によって得られた実測値と
、それに対応じた目標値との差分を算出する第3演算手
段と; 算出された差分に応じた値だけ、次に照射すべきパルス
光の光量を前記平均光量値から補正して調整する光量調
整手段とを備えたことによって、上記の課題を達成して
いる。
また、前記パルス光が非干渉性である場合、又は可干渉
性であってもパターン転写の際に問題とならない場合、
さらには光以外に例えばX線等のパルスエネルギーを照
射することによりパターンの転写を行なう場合には、 パルスエネルギーのエネルギー変動の範囲と目標とする
適正露光量に対する許容制御精度とによって定められる
必要パルス数と、前記所定の露光量に応じた値とに基づ
いて、必要パルスの照射のたびに前記第2物体に与えら
れるべき目標積算エネルギー量に対応じた目標値を求め
る演算手段と; 先行して照射されたパルスエネルギーによって得られた
実際の積算エネルギー量に対応じた実測値を検出するエ
ネルギー量計測手段と;次のパルスエネルギーのエネル
ギー量を、次のパルスエネルギーの照射に対応して達成
されるべき目標値と、それまでに計測されている実測値
との差分に対応する如く調整するエネルギー量調整手段
とを備えることによって、良好な露光制御を行なうこと
ができる。
[作 用] 本発明に於ては、露光すべき全パルスにわたって露光エ
ネルギーが所定の平均光量値になるように制御するとと
もに、各ショット毎のパルス数をほぼ一定とする構成を
とっている為、スペックルパターンをパルス光の照射に
同期させて移動させることにより、最終的にスペックル
パターンをほぼ完全に平滑化することができる。
また、本発明では従来のように最後の数パルス又はlパ
ルスの光量を低下させて修正露光を行なうことをしない
ので、ショット毎の露光時間が最短かつ一定となり得る
さらに、各パルス毎に光量を実測し、各パルス毎に光量
を調整するようにしていることから、従来のように目標
露光量にかなり接近した段階で光量の調整を行なう場合
に比較して、光量を実測する光量調整手段及次のパルス
の光量を調整する光量調整手段のダイナミックレンジが
小さくて済み、露光量の制御精度を向上さ、せることが
できる。
[実施例] 第1図は本発明実施例の構成を示し、ここではレチクル
R(第1物体)のパターンをウェハW(第2物体)へ半
導体製造用投影露光する縮小投影露光装置(ステッパー
)に応用した構成を示す。
第1図において、外部トリガパルスを出力するトリガ制
御部9は、エキシマレーザ光等のパルス光を射出するパ
ルスレーザ光源10の発振を制御する。このパルスレー
ザ光源10は、レーザチューブを挟んで両端に配置され
る2枚の共振ミラーの間の一部にエタロン、分散素子等
で構成される狭帯化波長安定化機構を有し、安定共振器
を持つレーザ光源として構成されている。パルスレーザ
光源10からの射出ビーム LBoは、例えば波長24
8nmのディープUV域であって、そのビーム断面は縦
横比がl/2〜115程度の長方形をしている。レーザ
ビームはシリンドリカルレンズを組み合せたビームエク
スパンダ−12に入射し、エクスパンダ−12はビーム
断面を長方形からほぼ正方形に整形してビームLBI 
として射出する。
高速減光部13は入射したビームLB、のビーム光i(
エネルギー)を、例えば離散的な6段階又は連続的に減
衰させる。この高速減光部13は、レチクルRのパター
ンを投影レンズPLを介してウェハWに露光している間
に高速に減光率を切替えられるように構成さている。−
例としてレーザビームに対して透明な部分と不透明な部
分を有する2枚の明暗a格子を一定の間隔を置いて相対
移動可能に配置したものが採用される。
第2図は高速減光部13の一例を示す構成図であり、高
速減光部13は、2枚の明日11格子16a、16bと
格子駆動部f6cから成っている。明暗格子16a及び
16bは、石英ガラス等の紫外光に対して透過率の良い
材質のガラス板の上にクロム等の蒸着により紫外光に対
して不透明な部分を適当な間隔でスリット上に構成した
もので作られており、2枚の格子f6a、16bは適当
な間隔で平行に並べられている。そして、一方の格子1
6aはレーザビームLtl、に対して固定されており、
他方の格子16bには格子駆動部16Cが結合されてい
て、光量制御部14からの指令により格子のピッチ方向
に微動するようになっている。
第3図に明暗格子の部分拡大図及びその動作を示す。格
子のピッチをGP、不透明部(遮蔽部)の幅をGwとす
る。第3図(a)に於ては2つの格子は全くずれておら
ず、透明部と遮蔽部が一致している場合であり、入射光
LB、に対する減光率はGw/Gpとなる。第3図(b
)は明暗格子16a(固定)と明09格子16b(可1
rIIJ)カ△dタケスれている場合であり、入射光L
B、に対する減光率は(a W+△d )/GPとなる
。但し、△dはGw〉△dの範囲である。
例えばGPを10μm 、 G、を2.571mとする
とこの構成により入射ビームLB+ に対しで出射ビー
ムL8.゛は75tから50零まで減光可能である。こ
の例の場合は△dの最大の移動IはGwで規定される為
、最大2.5μm移動させれば良い。従って格子駆動部
16Cはピエゾ素子等を用いても充分に機能を果たすこ
とが出来、一般的なエキシマレーザ等の場合のくり返し
周波数100Hz〜50011zに対して、各パルス発
光毎に完全に追随して制御可能であり、高速減光が実現
出来る。
第1図の説明に戻って、所定の減衰を受けたほぼ平行な
ビームLB、’は干渉縞を含むスペックルパターンを平
滑化するためスペックル低減部20をAAすることによ
り、微小な角度で一次元(又は二次元)に撮れる振動ビ
ームとなった後、ミラー21で折り返されオプチカルイ
ンチグレーターとしてのフライアイレンズ28に入射す
る。フライアイレンズ28は複数本のロッド状のエレメ
ントレンズを束ねたもので、その射出端にはエレメント
レンズの数だけ2次光源像(ここではビームL8.°の
部分光束の夫々の集光スポット)が形成される。
従ってフライアイレンズ28に入射するビームL[l、
’は、そのフライアイレンズ28の入射面における入射
角が時々刻々変化する。第4図はフライアイレンズ28
の入射ビームと2次元光源像(スポット光)との関係を
示し、特開昭59−226317号公報に開示された原
理に従う模式的な説明図である。フライアイレンズ28
の各ロッドレンズ28aは両端に凸球面が形成された石
英の四角柱である。光軸AXと平行にビームLBb  
(平行光束)がフライアイレンズ28に入射すると、フ
ライアイレンズ28の各ロッドレンズ28aの射出端、
又は射出端から所定量だけ空気中に出た位置には、スポ
ット光SPhが集光する。このスポット光SPbは第4
図では1つのロッドレンズのみについて表わしたが、ビ
ームLBbの照射されるロッドレンズの全ての射出側に
形成され、ビームLBbに対して、各スポット光SP、
はロッドレンズ射出面のほぼ中心に集光される。さらに
光軸^Xに対して右に傾いた平行なビームLBCがフラ
イアイレンズ28に入射すると、各ロッドレンズ28a
の射出面の左側にスポット光SPCとして集光される。
従ってスペックル低減部20内でのビームの一次元の振
動によって、フライアイレンズ28の射出側に生じる複
数のスポット光の全てが、フライアイレンズ28(光軸
AX)に対して一方向に同時に往復移動することになる
こうして、フライアイレンズ28の射出側にできた各ス
ポット光を成す複数のビームは、第1図に示されるよう
にビームスプリッタ29で大部分が透過し、コンデンサ
ーレンズ30に入射し、レチクルR上で、それぞれ重ね
合わされる。これによってレチクルRは、はぼ−様な照
度分布で照明され、レチクルRのパターンは投景三レン
ズPLによってステージ上に載置されたウェハWのレジ
スト層に所定の露光量で転写される。即ち、スペックル
低減部20は、フライアイレンズ28に入射するビーム
を振動することにより、レチクル面又はウェハ面に生じ
る干渉縞(−次元のスペックルパターン)を微小量移動
させて、露光完了時におい−Cは、結果的にレジスト層
に転写された明囲絹を平滑化し、干渉縞のビジビリデイ
を低減させる。(ただし、各スポット光からの光の干渉
による露光ムラは生じる。)像(ウェハ)側テレセント
リックの投影レンズPLのII! (入射瞳)epには
、フライアイレンズ28の射出端にできる複数のスポッ
ト光が再結像され、所謂ケーラー照明系が構成される。
なお、この実施例ではスペックルパターンを平滑化する
にあたって、フライアイレンズ28に入射するレーザ光
を振動させているが、この他に例えば回転拡散板をパル
ス光の発光に同期して回転させる構成としても良い。
次に、ビームスプリッタ−29で分割された一部のビー
ムは集光光学系23によって受光素子24に集光される
。受光素子24はビームLBo  (又はLBI)の各
パルス発光の光量に応じた光電信号を正確に出力するよ
うに、紫外域において十分な感度を有するPINフォト
ダイオード等で構成される。その光電信号は光量モニタ
一部26に人力され、ここで各パルス発光毎の光量が順
次積算される。受光素子24.光量モニタ一部26が本
発明における光量計測手段を構成し、計測された実測値
(実際の光量に対応じた値であれは良く、光量自体であ
る必要はない。以下同様。)は、主制御系8に送られる
。この主制御系8はトリガ制御部9、光量制御部14.
スペックル制御部22にそれぞれ指令信号を送り装置全
体の動作を制御する。
主制御系8に備えられた入出力装置7はオペレータと装
置本体とのマン・マシンインターフェイスてあり、露光
に必要な各種パラメータをオペレータから受器プ付ける
とともに、装置の状態をオペレータに知らせる。
また、メモリ6には入出力装置7から入力された露光動
作及び各f1演算等に必要なパラメータ(定数)やテー
ブル等が記憶されている。本実施例では、ビームが半周
期たけ振動する間に良好にスペックルパターンを平滑化
するのに必要な最小発光パルス数を決定するための情報
がメモリ6に記憶されている。ここでビームの半周期と
は、′fJ4図においてスポット光を5Pa−5l’b
−5Pcの順(又は逆)に移動させるのに、ビームをL
Ba→Lll、−18e(又は逆)の順の揺動角α た
り傾けることに対応している。
主制御系8では、メモリ6に予め記憶されているところ
のスペックルパターンを平滑化するために必要なパルス
数とウェハWに塗布されたレジストの適正露光量に関す
るデータに基づいて、第1演算手段(図示せず)によっ
て各パルス光の平均光量値が決定される。
主制御系8は、さらにこの平均光量値で各パルスを照射
した時にウェハWに与えられるべき目標積算光量に対応
する目標値を第2演算手段(図示せず)によって算出し
、第3演算手段(図示せず)によって、この目標値と前
述した光ヱモニタ一部26から送られてきた実測値との
差分を算出する。そして、この差分に基づいて、完全制
御部14に対して高速減光部13での光量調整のための
指令を出力する。
また、主制御系8はレーザ光源10のパルス発光とスペ
ックル低減部20によるビームの振れ角とが同期するよ
うに、スペックル制御部22に駆動信号を出力する。尚
、この同期は、ビームの振れ角を高精度にモニターする
検出器の出力に追従してトリガ制御部9へ発振開始及び
停止の信号を出力するようにしても良い。
ところで、以上の説明では、高速減光部13を2枚の明
暗格子にて構成する場合を示したが、高速減光部13は
これに限定されるものではなく、例えばレーザビームL
Bo (LB、)を直!S偏光とした場合等では、偏光
板を回転させる構成にしてもよい。この場合は偏光板の
回転位置によフてビームの透過率を連続可変することが
できる。
また、高速減光部13としてレーザの波長帯域を狭くす
る為に用いられるエタロンを使用しても良い。一般にエ
タロンは2枚のガラス板(この場合は紫外光に対する透
過率を上げる為に石英ガラスを用いる。)を一定の間隔
をおいて平行に保持したものであり、その間隔に応じて
特定の波長に対して高い透過率を有するものであるる。
このエタロンを用いた時の高速減光部の構成を第5図に
示す。第5図に於ける高速減光部は2枚の石英ガラス板
40.2枚の石英ガラス板40を一定の間隔をおいて平
行に保持する為のスペーサー41.エタロンを保持する
為の保持枠45゜エタロンを支点44のまわりに回転微
動させる為のアクチュエーター42及び保持枠を固定部
46に引きつけておく為のバネ43から構成されている
かかる構成のエタロンにおいては、2枚のガラス板40
の間隔をdとし、光軸に対して垂直な而に対する傾き角
をθとすると 2 d COsθ−Iλ−(1) の関係の成り立つ波長λに最も高い透過率が得られる。
ここでmは整数値であり、−例としてθ−0” 、 d
 =59.984μm 、 λ= 248.380nl
llの条件では、m=483という値で最大透過率を有
する。逆に言えばmが一定の条件に於ては、角度θを可
変にすることにより最大透過率を得る波長λを変えるこ
とが可能となる。
エタロンの波長に対する透過率の代表的な例を第6図に
示す。第6図に示す様にエタロンの波長に対する透過率
特性はいわゆる“くし形”のBand−Passフィル
ター特性となっており、mの次数によりほぼ一定の間隔
で透過率の高い部分が存在する。透過率のピーク間の間
隔Rは一般にフリースベクトルレンジと呼ばれ、(1)
式の関係が成立している場合には 購               −十 1となる。又
、各帯域に於けるフィルターのQ値は、フィネスと呼ば
れる表現が用いられており、R/△Bで表現される。△
Bは第6図に示す様に、フィルターの1つの山の半値幅
を示している。
上記で示したエタロンを高速減光部13として用いる場
合には、レーザ光の波長帯域幅より少し広い弗:域幅を
有するエタロンを用いると都合が良い。通常露光装置に
用いられるレーザの波長帯域幅は5/1000〜3/l
ooOnm程度である為、10/ 1100Qn以上の
帯域を有するエタロンを使用すると良い。
エタロンを使用してレーザ光を減光する場合の原理を第
7図に示す。第7図に於て(a)はパルスレーザ光源1
0より発するレーザの波長に対する強度分布を示してお
り、その帯域幅は3/1000n刊から5/1000n
+++程度である。又、その中心波長はパルスレーザ光
源10内又は外部で安定化され、安定性は!/1100
0n以下に制御されている。一方、高速減光部13とし
て用いられるエタロンの特性は第7図(b) に示され
、くし形のフィルター特性を有している。エタロンを実
際に高速減光部13として用いる場合には、フィルター
の中心波長λ。
は、フィルターの帯域幅△Bに対し、λ。±ΔBの間で
制御される(実際にはλ。+ΔB〜λ。の間で制御を行
うか又はえ。−△B〜λ0の間て制御を行えば良い)。
フィルターの中心波長λ、の制御は先述した様にエタロ
ンの傾き角を変えることで実現可能である。
高速減光部を透過したあとのレーザ強度は第7図(a)
のプロファイルと第7図(b)のプロファイルの積で決
定され、第7図(C) に示す様なパワーのレーザか出
力される。ここでλ。とλ1を完全に一致させておけば
最大の透過率か得られ、実際には90%以上の透過率と
なる。一方、λ。に対してλ、=λ、。−△Bとして設
定すると透過率は10tぐらいの値が得られる。(λ、
−λ。+ΔBとしても同様の効果が得られる。)又、λ
、をλ。
=λ。−△Bの値よりももう少し小さい値に設定すれば
、O1近いレベルの透過率も得られる。
実際の制御に際しては、エタロンの角度に対する光の透
過率をあらかじめ測定しておき、このデータをメモリー
6に格納しておき、所望の透過率に対するエタロンの角
度制御量を求めることによりアクチュエータ42に対し
駆動指令を与えれは良い。
一例としてガラス板の間隔が60μmのエタロンを用い
てλ。= 248.380nllのレーザに対して減光
制御を行う場合には、θ= 6.5262度にてλ。と
λイが一致する。この時mの次数は480である。
1つ晴りの次数 m = 481の時の中心周波数はλ
= 247.864niである為、このエタロンのフリ
ースベクトルレンジは0.516nllとなる。フィネ
スをlOとすれば帯域の半値幅は約0.O5nmとなる
。従って、0.O5nm分の中心波長シフトを行えば透
過率は10%程度になり、この時の角度は6.4246
度となる。故に、約0.loのエタロンの傾斜により9
0零から10%まで透過率の制御が可能なる。エタロン
の回転中心44に刻して半径50sunの位置にて駆動
する場合0.loの傾きを制御するには駆動点にて約9
0μ−移動すれば良い、この程度で制御可能である為、
アクチュエータとしては、ピエゾ素子等を用いれば十分
に高速に駆動することが可能である。
なお、かかる高速減光部13は、図1にて示した位置の
みでなく、パルスレーザ光源!0とエクスパンダ−12
の間、又はパルスレーザ光源10内の共振器ミラーの間
に入れても同様の効果が得られる。さらにスペックル低
減部で、前述したビームを微小角振動させる方式を採ら
ない場合はスペックル低減部20とフライアイレンズ2
8の間に入れても良い。しかし、いづれにしてもこの高
速減光部13は、フライアイレンズ28にレーザ光を入
射する前の段階に入れておく必要が有る。
なんとなればエタロンの透過率はそのGap値にも依存
する為、エタロンの透光部に対し極力均一なGap値に
保つことが好ましいが、製造誤差もある為、全面で全く
同じ透過率に維持することは事実上不可能である。従っ
て、エタロンによる照度均一性の劣化(ビーム断面での
強度分布のむら)をフライアイレンズによって解消する
ためには、フライアイレンズの前段にこのエタロンを挿
入することが望ましい。エタロンを用いた場合の特徴は
、制御田来る減光比が大きくとれること、最大透過率が
高いこと、又、第2図に示した明暗格子による方式に比
較して照明むらや、干渉(格子エツジから発生)が生じ
にくいという利点を有することである。
高速減光部13のさらに別の例としては、第8図に示し
たような透過型二重位相格子がある。かかる位相格子は
、一定のピッチで所定の段差を有する2枚の回折格子を
、一定の間隔おいて平行に保持したものである。回折格
子の段差dは格子の部材(この場合は紫外光に対して透
明な部材を用いる。)の屈折率をnとすると d=λ/2(n−1)  ・・・(3)となる様に作ら
れている。ここでλはこの位相格子を透過する光の波長
である。
第8図のように2つの位相格子を一定量ずらして配置す
ることにより、光の通る道筋(以下バスという)として
は、A(凹−凸)、B(凸−凸)C(凸−凹)4D(凹
−凹)の4種類が°考えられる。この中でAとCは光路
長的には全く同一であるが、Bのパスはへのバスと比較
するとd(n−1)の光路差がある(但し空気の屈折率
を1とした)、従って(3)式よりAとBの光路差はλ
/2となりAの部分とBの部分の光は互いに干渉し合っ
て打ち消し合い、結果としてこの2枚の位相格子による
光の透過率が減少する。この減光の度合は2枚の位相格
子のずれ士(△X)に依存する。上記と同様にBとC7
Cとり、DとAの部分を透過する光がそれぞれお互いに
干渉し合うことにより減光される。本方式の場合も回折
格子の凹凸ピッチはlOμm程度で良く、従って2枚の
回折格子を相対移動させる為のアクチュエーターもピエ
ゾ素子を用いれば十分に高速に駆動することが可能であ
る。
次に、第9図のフローチャート図を用いて実施例の動作
を説明する。
動作開始後、まず最初にステップ101において、予め
メモリ6に格納されているスペックルの低減に必要なパ
ルス数Nm1n、ウェハに塗布されたレジストに見あっ
た最適(目標)総露光量S。
露光量制御の許容精度の各データに基づいて、主制御系
8に備えられた第1演算手段により1パルス当りの平均
光量値を算出する。
ここで、スペックルの低減に必要なパルス数N aki
nは、スペックル(−次元の王渉縞も含む)のビジビリ
ティ−をどこまで低減するかによって決まる値であり、
大きな値とすればそれだけスペックルの影響は少なくな
り照度の均一化が計れるが余り大きな値とすると露光時
間が長くなり、露光装置としてのスループットが低下し
てしまうので、これらを考慮して設定される。
一方、単位パルス当たりの平均露光エネルギー(露光前
に高速減光部13でセットされた初期減光値のもとで)
をPとし、1つの露光域に対する総エネルギー(目標と
する適正露光量)をSとすると、1つの露光域に対する
露光パルス数N EXPはNtxp = i NT (
S/P)となる。ここて1NT(α)は実数値αに0.
5を加え四捨五入により整数値に変換することを示して
いる。
ところで、この露光パルス砂N r、xpはスペックル
低減の為には前述したN minの整数倍でなりねばな
らない。従って NEXP  =  ()=yyI N1.  ・14)
P β となる。ここでmは1以上の整数値、βは1以下、0以
上の係数であり、平均減光率と称する。
又、各パルス毎の光強度のバラツキを△Pとすると、各
パルス毎に光量を制御する場合にあっては、最終的な積
算露光量の誤差は最終パルスの強度バラツキ△E=△P
・βとなるから、これが露光量制御の許容誤差に入る様
にずれは良い。
即ち、露光量制御制度をAとすれば △P ・ β □−く  A・・・(5) 、゛、  β<A −S/ΔP 又、(4)式より P’1lIN+ein 又、βは1以下である為、 よって、(6) 、 (7)式を満足する整数値mを求
め、露光パルス数を決定するとともに平均減光率β(即
ち平均光量値Pβ)を決定すれば良い。
−例として、1パルスの平均エネルギーPが21iJ/
cm2. d玉露光量が153mJ/cm2.  N 
minを50パルスとすると、適正露光量,11御のみ
の場合に必要なパルス数は77バルスとなるが、m−8
1,が50の整数倍でなければならないことから、m=
2、即ち100パルスで露光を行う様になる。この時の
平均減光率βは0.765となる。又、1パルスの露光
エネルギーのバラツキを±IO零とすれば、△Pは±0
.2mJ/cm2 となりβ・△P=±0.153mJ
/cn+2となる。
続いて、ステップ102で高速減光部13の減光率をβ
に設定し、ステップ103でパルスカウンターn及び光
量モニタ部26の積算光景に対応する値S、を、それぞ
れN (IXI+及びTに設定する。
そして、次のステップ+04でパルスカウンタの値が雫
であるか否か判断し、雫でなければ、ステップ105に
進んで、トリガ制御部9からトリガ信号を光源10に送
って1パルスを発光させるとともに、受光素子24で発
光したパルスの実際の光量に対応する値Paを検出する
。続く、ステップ106では光量モニタ部26における
fA算光量の設定をs、+paとするとともに、パルス
カウンタの設定をn−1とする。
次に、ステップ107で、(8)式に従って第2演算手
段で先のステップ101で決定した平均光fc(iPβ
によって与えられるべき目標積算光量を求めるとともに
、第3演算手段で目標積算光量と実測した積算光量の差
分りを求める。
D=(No、−n) ・P・β−S a−(a)そして
、この差分りに基づいて次のパルスにおける減光率をβ
。を(9)式によって決定する。
P・β+D β。=      ・・・(9) 但し、各パルス光の露光エネルギーのバラツキをa%と
した時に、β、>1−a/100である場合には、β。
=I−a/100(最大透過率)とする。
次に、ステップ109において、光量制御部14によっ
て高速減光部13の減光率を前のステップ108で決定
したβ。に設定し、ステップ104に戻る。このステッ
プ104で前述したと同様にパルスカウンターの値がτ
であるか否か判断し、零でなければステップ105に進
んで前述したと同様の動作を行なって再びステップ10
4に戻り、零であれば露光動作を終了する。
次に、第10図のパルス数と積算露光量の関係を示すグ
ラフを用いて本実施例における露光量制御の状態を説明
する。第10図は8パルスで露光が終了する場合を示し
ており、横軸がパルス数、縦軸が積算露光量である。
図において、二点鎖線で示した直線はステップ101で
決定した平均光量値のパルス光によフて与えられるべき
積算光量の目標値を示しており、本発明ではこの目標値
に添って露光が行なわれるように各パルス光毎に光量を
制御する。
第1発註のパルス光がPI という露光量を目標として
発光され、発光後の実際に検出された露光量がP’lで
あったとすると、第2発註は目tM Q7.光量2P、
とP′1の差(2P+  P)=P2の光量に設定され
て発光が行なわれることになる。
同様に、2発目の光量の実測値かP°2であったとする
と第3発註は3Pl −P、’−P2’に設定された光
量で発光を行う。これをくり返してゆくことにより二点
鎖線の目標ラインからのずれが少ない状態で8パルス目
で露光が完了する。最終的な制御精度(適正露光量に対
する誤差)は8パルス目の光量誤差となる。
なお、上記の例では次のパルス光を設定する場合に、次
のパルス光が発光したあとの積算露光量の目標値と過去
の積算光量の差から次のパルスの光量を設定したが、パ
ルス毎のばらつき方に何らかの傾向がある場合には、単
位パルス毎の目標値と単位パルス毎の実測値の比を過去
の複数パルスに対して平均し、目標値をこの比の平均値
で除算したもので新jSな目標値を設定しても良い。
また、上記の実施例では、光源から発振されるパルスエ
ネルギーが可干渉性のし・−ザ光である場合について述
べたが、露光装置の光源が非干渉性のパルス光を射出す
る場合や、例えはX線等の光以外のパルスエネルギーを
射出する場合には、スペックルの低減ということについ
ては考慮する必要がないので、パルスエネルギーの変動
範囲と許容制御精度に基づいて必要パルス数を定め、こ
の必要パルス数と最適露光量の値から各パルス毎の目標
値を設定すれば良い。即ち、最終的な適正露光量に対す
る誤差は最終パルスの誤差によって訣まるわけであるか
ら、1パルスのばらつきが許容誤差内に入るように1パ
ルスのエネルギー量を設定すれば良い。
[発明の効果] 以上のように、本発明においてはlショットの露光中に
射出されるパルス数が予め設定された定の値となってい
るとともに、各パルス毎に露光量制御が行なわれるので
、干渉パターンをパルス毎に移動させて平滑化する一L
で好都合であり、かつ、必要最低限のパルス数で露光が
行われるのて生産性の向上を図ることかできる。又、露
光量制御が1パルス毎に行なわれることから、従来に比
較してより正確に光量(エネルギー量)の制御かできる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による露光装置の構成を示す図
、第2図は高速減光部の一例を示す構成図、第3図は第
2図の構成により減光を行う場合の説明図、第4図はオ
プチカルインチグレーターとしてのフライアイレンズと
入射ビームの関係を模式的に示す図、第5図は高速減光
部の別の例を示す構成図、第6図及び第7図は第5図の
構成により減光を行なう場合の説明図、第8図はさらに
別の高速減光部の例を示す構成図、第9図は第1図に示
された実施例の動作を示すフローチャート図、第10図
は第1図に示された実施例における露光量制御の様子を
示すグラフである。 [主要部分の符号の説明] R・・・レヂクル W・・・ウェハ pt、・・・投影レンズ 8・・・主制御系 10・・・光源 13・・・高速減光部 14・・・光量制御部 20・・・スペックル低減部 22・・・スペックル制御部 26・・・光量モニタ部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発振のたびに所定の範囲内で光量変動を伴う可干
    渉性のパルス光を射出する光源と、該パルス光を第1物
    体に照射する照射光学系とを備え、複数のパルス光の照
    射によって前記第1物体に形成されたパターンを所定の
    露光量で感光性の第2物体に転写する装置にあって、前
    記第2物体への露光量を前記所定の露光量に制御する露
    光制御装置において、 前記第1物体もしくは第2物体上に生じる干渉パターン
    を、前記パルス光の照射毎に移動させて平滑化する為に
    必要な必要パルス数と、前記所定の露光量に応じた値と
    に基づいて、各パルス光の平均光量値を予め決定する第
    1演算手段と;該平均光量値のもとで前記パルス光を照
    射した時に前記第2物体へ与えられるべき目標積算光量
    に対応した目標値を、前記必要パルス数の各パルス毎に
    決定する第2演算手段と; 前記第2物体へ与えられた実際の積算光量に対応した実
    測値を検出する光量計測手段と; 先行して照射されたパルス光によって得られた前記実測
    値と、それに対応した前記目標値との差分を算出する第
    3演算手段と; 該算出された差分に応じた値だけ、次に照射すべきパル
    ス光の光量を前記平均光量値から補正して調整する光量
    調整手段とを備えたことを特徴とする露光制御装置。
  2. (2)発振のたびに所定の範囲内でエネルギー変動を伴
    うパルスエネルギーを射出するエネルギー源と、該パル
    スエネルギーを第1物体に照射する照射系とを備え、複
    数のパルスエネルギーの照射によって前記第1物体に形
    成されたパターンを所定の露光量で感応性の第2物体に
    転写する装置にあって、前記第2物体への露光量を前記
    所定の露光量に制御する露光制御装置において、 前記パルスエネルギーのエネルギー変動の範囲と前記所
    定の露光量に対する許容制御精度とによって定められる
    必要パルス数と、前記所定の露光量に応じた値とに基づ
    いて、前記必要パルスの照射のたびに前記第2物体に与
    えられるべき目標積算エネルギー量に対応した目標値を
    求める演算手段と; 先行して照射されたパルスエネルギーによって得られた
    実際の積算エネルギー量に対応した実測値を検出するエ
    ネルギー量計測手段と; 次のパルスエネルギーのエネルギー量を、次のパルスエ
    ネルギーの照射に対応して達成されるべき前記目標値と
    、それまでに計測されている前記実測値との差分に対応
    する如く調整するエネルギー量調整手段とを備えたこと
    を特徴とする露光制御装置。
  3. (3)前記エネルギー量調整手段として、前記パルスエ
    ネルギーを透過する透過部と前記パルスエネルギーを遮
    蔽する遮蔽部が所定のピッチで連設された2枚の明暗格
    子を、前記実測値と前記目標値の差分に対応して前記ピ
    ッチ方向に相対移動するように配置したことを特徴とす
    る請求項2記載の露光制御装置。
  4. (4)前記エネルギー源として、所定の波長成分を含む
    パルス光を発振する光源を備え、前記エネルギー量調整
    手段として、2枚の平板を所定の間隔をおいて平行に保
    持したエタロンを、前記実測値と目標値の差分に対応し
    て、前記パルス光の光軸に対する角度が変化するように
    配置したことを特徴とする請求項2記載の露光制御装置
  5. (5)前記エネルギー源として、所定の波長成分を含む
    パルス光を発振する光源を備え、前記エネルギー量調整
    手段として、所定のピッチで凹凸が形成された2枚の回
    折格子を平行に保持した透過型位相格子であって、前記
    パルス光の部分毎に位相差を与える透過型位相格子を、
    前記実測値と目標値の差分に対応して2枚の回折格子が
    ピッチ方向に相対移動するように配置したことを特徴と
    する請求項2記載の露光制御装置。
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