JPH02130824A - レジスト剥離方法 - Google Patents
レジスト剥離方法Info
- Publication number
- JPH02130824A JPH02130824A JP28414988A JP28414988A JPH02130824A JP H02130824 A JPH02130824 A JP H02130824A JP 28414988 A JP28414988 A JP 28414988A JP 28414988 A JP28414988 A JP 28414988A JP H02130824 A JPH02130824 A JP H02130824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- quartz substrate
- spectrum
- oxygen
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 33
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 31
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 31
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 21
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract description 14
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 27
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002089 NOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトレジストの剥離方法に関し、
石英などからなる基板の表面の結晶格子を正常な状態に
保持することを目的とし、 レジストを塗布した基板を酸素プラズマ雰囲気中に設置
して該レジストを灰化するとともに、３００ｎｍ以上の
発光スペクトルが設定値よりも低下した時点で上記酸素
プラズマ雰囲気中に３００ｎｓｉ以上の発光スペクトル
を含む気体を供給すること〔産業上の利用分野〕 本発明は、フォトレジストの剥離方法に関し、より詳し
くは、酸素プラズマを使用して石英層上のレジスト膜を
灰化するフォトレジストの剥離方法に関する。
保持することを目的とし、 レジストを塗布した基板を酸素プラズマ雰囲気中に設置
して該レジストを灰化するとともに、３００ｎｍ以上の
発光スペクトルが設定値よりも低下した時点で上記酸素
プラズマ雰囲気中に３００ｎｓｉ以上の発光スペクトル
を含む気体を供給すること〔産業上の利用分野〕 本発明は、フォトレジストの剥離方法に関し、より詳し
くは、酸素プラズマを使用して石英層上のレジスト膜を
灰化するフォトレジストの剥離方法に関する。
（従来の技術〕
回路形成用のマスクやレチクル、液晶デイスプレー等を
作成する場合には、石英基板上のＷｌ膜をパターニング
する工程を含んでおり、このパターニング処理の際には
有機系のレジストが使用されている。
作成する場合には、石英基板上のＷｌ膜をパターニング
する工程を含んでおり、このパターニング処理の際には
有機系のレジストが使用されている。
このパターニング工程について、回路形成用のマスクを
例にあげて説明すると、第４図（ａ）に見られるように
、石英基板４０表面にクロム及び酸化クロムよりなるク
ロム系薄膜４１を積層し、この上にレジスト膜４２を塗
布した後に、レジスト膜４２を露光、現像してパターン
化する。
例にあげて説明すると、第４図（ａ）に見られるように
、石英基板４０表面にクロム及び酸化クロムよりなるク
ロム系薄膜４１を積層し、この上にレジスト膜４２を塗
布した後に、レジスト膜４２を露光、現像してパターン
化する。
そして、このレジスト膜４２をマスクとして使用してク
ロム系薄膜４１をエツチングした後に、第３図に例示し
たプラズマアッシング装置３０の中に石英基板４０を入
れてその表面に残存したレジストＪ！１４２を灰化する
ようにしている（第４図（ｂ））。
ロム系薄膜４１をエツチングした後に、第３図に例示し
たプラズマアッシング装置３０の中に石英基板４０を入
れてその表面に残存したレジストＪ！１４２を灰化する
ようにしている（第４図（ｂ））。
ところで、プラズマアッシング法によりレジスト膜４２
を剥離する場合には、レジストを酸素プラズマにより叩
き出すとともに、レジスト材に含まれる炭素原子等と酸
素とを結合させることによりレジストを蒸発させるよう
にしている。
を剥離する場合には、レジストを酸素プラズマにより叩
き出すとともに、レジスト材に含まれる炭素原子等と酸
素とを結合させることによりレジストを蒸発させるよう
にしている。
しかし、石英のようなＳｉｎ、系の結晶格子は３００ｎ
ｅ以下の短波長により破壊され易く、しかも、酸素プラ
ズマは３００ｎｍ以下の短波長を発生するため、レジス
トＩ？！４２を灰化する際にクロム＃！！４１から露出
した石英基板４０の表面部分Ａの結晶格子に欠陥が生じ
るといった現象が起き易くなる。
ｅ以下の短波長により破壊され易く、しかも、酸素プラ
ズマは３００ｎｍ以下の短波長を発生するため、レジス
トＩ？！４２を灰化する際にクロム＃！！４１から露出
した石英基板４０の表面部分Ａの結晶格子に欠陥が生じ
るといった現象が起き易くなる。
この結果、石英基板に照射した光が格子欠陥により散乱
、回折し、基板の光透過率が減少するため、マスク、レ
チクル、液晶デイスプレー装置等の歩留りが低下すると
いった問題が発生する。
、回折し、基板の光透過率が減少するため、マスク、レ
チクル、液晶デイスプレー装置等の歩留りが低下すると
いった問題が発生する。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、石英層の表面の結晶格子を正常な状態に保持できる
フォトレジストの剥離方法を堤供することを目的とする
。
て、石英層の表面の結晶格子を正常な状態に保持できる
フォトレジストの剥離方法を堤供することを目的とする
。
〔課題を解決するための手段］
上記した課題は、レジストを塗布した基板を酸素プラズ
マ雰囲気中に設置して該レジストを灰化するとともに、
３００ｎａ＋以上の発光スペクトルが設定値よりも低下
した時点で、上記酸素プラズマ雰囲気中に３００ｎｍ以
上の発光スペクトルを含む気体を供給することを特徴と
するレジストｉ？、ｌ＋ ！方法により解決する。
マ雰囲気中に設置して該レジストを灰化するとともに、
３００ｎａ＋以上の発光スペクトルが設定値よりも低下
した時点で、上記酸素プラズマ雰囲気中に３００ｎｍ以
上の発光スペクトルを含む気体を供給することを特徴と
するレジストｉ？、ｌ＋ ！方法により解決する。
上記した発明において、石英層に塗布したレジストに酸
素プラズマを供給すると、酸素はレジストを叩き出すと
ともに、レジストに含まれる＃ｊ！素元素等と結合して
一酸化炭素（ＣＯ）や二酸化炭素（ＣＯ８）となってレ
ジストを蒸発させ、これに起因した波長のスペクトルが
発せられる。
素プラズマを供給すると、酸素はレジストを叩き出すと
ともに、レジストに含まれる＃ｊ！素元素等と結合して
一酸化炭素（ＣＯ）や二酸化炭素（ＣＯ８）となってレ
ジストを蒸発させ、これに起因した波長のスペクトルが
発せられる。
このスペクトルの波長のうち、−酸化炭素によるものは
２８３．２９７．３１３．３３０．３４９ ［ｎｍｌ、
二酸化炭素によるものは、４５１．４８３．５２０．５
６１，６２６．６６０ ［ｎｓｌであり、３００ ［ｎ
ｍｌ以下の領域波長成分は少ないため、酸素に起因する
３ ００ （ｎｍｌ以下のスペクトルが占める割合が少
なくなり、石英基板の結晶格子破壊は阻止される。
２８３．２９７．３１３．３３０．３４９ ［ｎｍｌ、
二酸化炭素によるものは、４５１．４８３．５２０．５
６１，６２６．６６０ ［ｎｓｌであり、３００ ［ｎ
ｍｌ以下の領域波長成分は少ないため、酸素に起因する
３ ００ （ｎｍｌ以下のスペクトルが占める割合が少
なくなり、石英基板の結晶格子破壊は阻止される。
しかし、レジストの灰化を終える直前においては、酸素
に依存するスペクトルが多くを占めることになるるため
、３ Ｑ Ｏ［ｎｍ１以上のスペクトルが所定の値より
も低下した場合に、−酸化炭素、二酸化炭素、二酸化窒
素のような気体、即ち３００［ｒｖ１以上のスペクトル
を多く含むガスを酸素プラズマ雰囲気中に供給する。
に依存するスペクトルが多くを占めることになるるため
、３ Ｑ Ｏ［ｎｍ１以上のスペクトルが所定の値より
も低下した場合に、−酸化炭素、二酸化炭素、二酸化窒
素のような気体、即ち３００［ｒｖ１以上のスペクトル
を多く含むガスを酸素プラズマ雰囲気中に供給する。
これにより、３ Ｑ Ｏ［ｒｖ＋］以下のスペクトルが
占める割合が減少し、石英層に与えるダメージは大幅に
低減されることになる。
占める割合が減少し、石英層に与えるダメージは大幅に
低減されることになる。
（実施例〕
第１図は、本発明に用いるレジスト剥離装置の一例を示
す概要図であって、図中符号ｌは、有機系レジスト２を
塗布した石英７＆板３を収容する反応室で、この反応室
１の内部には、下部電極４と上部型ＩＶＩ５が５０〜１
００ｓ＋ｍ程度の間隔をおいて対向配設されており、そ
のうちの下部電極４の上には石英基板３を載置するよう
に構成されている６６は、覗き窓１８を通して反応室ｌ
内のスペクトルを吸収する干渉フィルタ（例えばλ−５
２０（ｎｍ１）で、このフィルタ６に入力した光は、光
ファイバ７を介してホトトランジスタ増幅器８に進行す
るように構成されている。また、増幅器７内では入射し
た光を電気信号に変換して増幅するとともに、３００
［ｎｍｌ波長以上の入カスベクトルが予め設定した値よ
りも低下した時点で、二酸化炭素を補給させるための補
給指令信号を後述するス供給調整器９に送信するように
構成されている。
す概要図であって、図中符号ｌは、有機系レジスト２を
塗布した石英７＆板３を収容する反応室で、この反応室
１の内部には、下部電極４と上部型ＩＶＩ５が５０〜１
００ｓ＋ｍ程度の間隔をおいて対向配設されており、そ
のうちの下部電極４の上には石英基板３を載置するよう
に構成されている６６は、覗き窓１８を通して反応室ｌ
内のスペクトルを吸収する干渉フィルタ（例えばλ−５
２０（ｎｍ１）で、このフィルタ６に入力した光は、光
ファイバ７を介してホトトランジスタ増幅器８に進行す
るように構成されている。また、増幅器７内では入射し
た光を電気信号に変換して増幅するとともに、３００
［ｎｍｌ波長以上の入カスベクトルが予め設定した値よ
りも低下した時点で、二酸化炭素を補給させるための補
給指令信号を後述するス供給調整器９に送信するように
構成されている。
上記したガス供給調整器９は、反応室１内に供給するガ
ス供給量を調整するもので、酸素ボンベ１０及び二酸化
炭素ボンベ１１の各排気口と反応室１のガス供給口１２
．１３とを連通ずるガス給送管１４．１５の各々の経路
中に設けたａｍ弁１６．１７に流量調整信号を送り、ガ
ス供給管１４゜１５の流量を変えるように構成されてい
る。
ス供給量を調整するもので、酸素ボンベ１０及び二酸化
炭素ボンベ１１の各排気口と反応室１のガス供給口１２
．１３とを連通ずるガス給送管１４．１５の各々の経路
中に設けたａｍ弁１６．１７に流量調整信号を送り、ガ
ス供給管１４゜１５の流量を変えるように構成されてい
る。
なお、図中符号ＲＦは、上部電極５又は下部電極４のい
ずれか一方に接続する高周波電源、１９は、反応室１に
設けた排気口を示している。
ずれか一方に接続する高周波電源、１９は、反応室１に
設けた排気口を示している。
次に、回路形成用マスクを作成する場合を例にあげ、石
英基板３上のレジスト２を灰化する工程を第２図に基づ
いて説明する。
英基板３上のレジスト２を灰化する工程を第２図に基づ
いて説明する。
最初に、石英基板３の上にクロム及び酸化クロムよりな
るクロム系膜２０を成膜し、この上にレジスト２を塗布
する（第２図（ａ） ）。
るクロム系膜２０を成膜し、この上にレジスト２を塗布
する（第２図（ａ） ）。
そして、レジスト２をプリベークして硬化させた後に、
パターン形成領域２１を除いた部分に紫外光を照射して
露光を行い（第２図（ｂ））、さらにレジスト２を現像
して露光された領域の可溶部分を除去し、これをマスク
とする（第２図（ｅ））。
パターン形成領域２１を除いた部分に紫外光を照射して
露光を行い（第２図（ｂ））、さらにレジスト２を現像
して露光された領域の可溶部分を除去し、これをマスク
とする（第２図（ｅ））。
このような工程を経た石英基板３をプラズマ化した酸素
（０）及び塩素（Ｃ１）を含む減圧雰囲気中に置き、レ
ジスト２から露出したクロム系Ｗｌ１２０を除去する（
第２図（ｄ））。
（０）及び塩素（Ｃ１）を含む減圧雰囲気中に置き、レ
ジスト２から露出したクロム系Ｗｌ１２０を除去する（
第２図（ｄ））。
このクロム系膜２０のエツチングを終えた段階で石英基
板３を反応室１内の下部電極４上に載置し、反応室１の
排気口１９がら空気を抜いて内部を０．１〜０，３［Ｔ
ｏｒｒｌ程度の圧力に保つとともに、ガス供給調整器９
により酸素ボンベｌＯ側の電磁弁１６を開き、１００〜
３００ｃｃ／ｓｉ口の流量で反応室１に酸素を供給して
レジストを灰化する（第２図（ｅ））。
板３を反応室１内の下部電極４上に載置し、反応室１の
排気口１９がら空気を抜いて内部を０．１〜０，３［Ｔ
ｏｒｒｌ程度の圧力に保つとともに、ガス供給調整器９
により酸素ボンベｌＯ側の電磁弁１６を開き、１００〜
３００ｃｃ／ｓｉ口の流量で反応室１に酸素を供給して
レジストを灰化する（第２図（ｅ））。
この状態において酸素はプラズマ化し、レジスト２に含
まれる炭素元素等と結合して一酸化炭素（Ｃｏ）や二酸
化炭素（Ｃｏｗ）となって灰化し、これに起因した光ス
ペクトルが発せられる。このスペクトルの波長は、−酸
化炭素によるものは２８３．２９７．３！３．３３０．
３４９ ［ｎｍｌ、二酸化炭素によるものは、４５１．
４８３．５２０．５６１．６２６．６６０ ［ｎｍｌで
あり、３００ ［ｎｍｌ以下の領域波長成分が少ないた
めに、酸素のスペクトルによる石英基板３の結晶格子破
壊を抑制する。
まれる炭素元素等と結合して一酸化炭素（Ｃｏ）や二酸
化炭素（Ｃｏｗ）となって灰化し、これに起因した光ス
ペクトルが発せられる。このスペクトルの波長は、−酸
化炭素によるものは２８３．２９７．３！３．３３０．
３４９ ［ｎｍｌ、二酸化炭素によるものは、４５１．
４８３．５２０．５６１．６２６．６６０ ［ｎｍｌで
あり、３００ ［ｎｍｌ以下の領域波長成分が少ないた
めに、酸素のスペクトルによる石英基板３の結晶格子破
壊を抑制する。
しかし、レジスト２の灰化を終える直前においては、酸
素に依存するスペクトルが多くを占めることになる。
素に依存するスペクトルが多くを占めることになる。
そこで、干渉フィルタ１８から入射した反応室１内の３
００ ［ｎ＋ｗ１以上のスペクトルが設定値よりも低下
した場合に、ホトトランジスタ増幅器８からガス供給調
整器９に信号を出力して二酸化炭素ボンベ１１例の電磁
弁１７を開かせて、反応室ｌに１０〜１００ ｃｃ／ｍ
ｌｎ程度の量で二酸化炭素を供給する（第２図（ｆ））
。
００ ［ｎ＋ｗ１以上のスペクトルが設定値よりも低下
した場合に、ホトトランジスタ増幅器８からガス供給調
整器９に信号を出力して二酸化炭素ボンベ１１例の電磁
弁１７を開かせて、反応室ｌに１０〜１００ ｃｃ／ｍ
ｌｎ程度の量で二酸化炭素を供給する（第２図（ｆ））
。
これにより、３００ｎｍ以下の波長のスペクトルが占め
る割合が減少し、石英基板３に与えるダメージは大幅に
低減されることになる。
る割合が減少し、石英基板３に与えるダメージは大幅に
低減されることになる。
最後に、レジスト２の剥離を完全に終えた段階で石英基
板２を反応室１から取り出す、これを回路形成用のマス
クとして使用しても半導体回路パターンに欠陥は発見さ
れなかった。
板２を反応室１から取り出す、これを回路形成用のマス
クとして使用しても半導体回路パターンに欠陥は発見さ
れなかった。
なお、上記した実施例は、二酸化炭素（ＣＯｇ）を反応
室１に供給する場合について説明したが、酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、または二酸化窒素（Ｎｏｔ）または亜酸化窒素（
ＮｚＯ）を供給したり、ＣＯｚ、ＮＯｘ、ＣＯ，ＮｚＯ
を選択的に混合したガスを供給して、石英基板４表面の
結晶格子を正常に保つようにすることもできる。
室１に供給する場合について説明したが、酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、または二酸化窒素（Ｎｏｔ）または亜酸化窒素（
ＮｚＯ）を供給したり、ＣＯｚ、ＮＯｘ、ＣＯ，ＮｚＯ
を選択的に混合したガスを供給して、石英基板４表面の
結晶格子を正常に保つようにすることもできる。
また、上記した実施例は回路形成用マスクを作成する場
合における石英基板４上のレジスト２の剥離方法につい
て説明したが、レチクル、液晶デイスプレー、固体逼像
素子用カラーフィルタ等の製造工程において、二酸化シ
リコン系層の上のレジストを灰化する際にも同様に適用
できる。
合における石英基板４上のレジスト２の剥離方法につい
て説明したが、レチクル、液晶デイスプレー、固体逼像
素子用カラーフィルタ等の製造工程において、二酸化シ
リコン系層の上のレジストを灰化する際にも同様に適用
できる。
以上述べたように本発明によれば、３００ｎｍ以上のス
ペクトルが所定の値よりも低下した時点で、３００ｎｓ
以上の波長のスペクトルを含む気体を酸素プラズマ雰囲
気中に供給するようにしたので、レジストを灰化する雰
囲気中において３０００−以下のスペクトルが占める割
合を常に少なくすることができ、石英基板に与えるダメ
ージを大幅に低減することができる。
ペクトルが所定の値よりも低下した時点で、３００ｎｓ
以上の波長のスペクトルを含む気体を酸素プラズマ雰囲
気中に供給するようにしたので、レジストを灰化する雰
囲気中において３０００−以下のスペクトルが占める割
合を常に少なくすることができ、石英基板に与えるダメ
ージを大幅に低減することができる。
第１図は、本発明に用いるレジスト剥離装置の一例を示
す概要図、 第２図は、本発明の一実施例を断面で表した工程図、 第３図は、従来方法に用いるアッシング装置の概要図、 第４図は、従来のレジストア７シングを断面で表した工
程図である。 （符号の説明） １・・・反応室、 ２・・・レジスト、 ３・・・石英基板、 ６・・・干渉フィルタ、 ７・・・光ファイバ、 ８・・・ホトトランジスタ増幅器、 ９・・・ガス供給調整器ミ １０・・・酸素ボンベ、 １１・・・二酸化炭素ボンベ、 １４．１５・・・ガス供給管、 １６．１７・・・電磁弁、 ２０・・・クロム系膜。 代理人弁理士 岡 本 啓 三 υＶ光 Ｕｖ光 （ａ） （Ｃ） （ｄ） 本発明に用いるレジスト剥離装置の一例を示す概要図第
１図 本発明の一実施例を断面で表わした工程図第２図
す概要図、 第２図は、本発明の一実施例を断面で表した工程図、 第３図は、従来方法に用いるアッシング装置の概要図、 第４図は、従来のレジストア７シングを断面で表した工
程図である。 （符号の説明） １・・・反応室、 ２・・・レジスト、 ３・・・石英基板、 ６・・・干渉フィルタ、 ７・・・光ファイバ、 ８・・・ホトトランジスタ増幅器、 ９・・・ガス供給調整器ミ １０・・・酸素ボンベ、 １１・・・二酸化炭素ボンベ、 １４．１５・・・ガス供給管、 １６．１７・・・電磁弁、 ２０・・・クロム系膜。 代理人弁理士 岡 本 啓 三 υＶ光 Ｕｖ光 （ａ） （Ｃ） （ｄ） 本発明に用いるレジスト剥離装置の一例を示す概要図第
１図 本発明の一実施例を断面で表わした工程図第２図
Claims (1)
- レジストを塗布した基板を酸素プラズマ雰囲気中に設置
して該レジストを灰化するとともに、３００ｎｍ以上の
発光スペクトルが設定値よりも低下した時点で、上記酸
素プラズマ雰囲気中に３００ｎｍ以上の発光スペクトル
を含む気体を供給することを特徴とするレジスト剥離方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28414988A JPH02130824A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | レジスト剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28414988A JPH02130824A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | レジスト剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130824A true JPH02130824A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17674809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28414988A Pending JPH02130824A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | レジスト剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7244625B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and plasma processing device |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP28414988A patent/JPH02130824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7244625B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing method and plasma processing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7767365B2 (en) | Methods for forming and cleaning photolithography reticles | |
| KR100849714B1 (ko) | 포토 마스크의 펠리클 구조 및 그 제조 방법 | |
| US6721390B2 (en) | Soft X-ray reduction projection exposure system, soft X-ray reduction projection exposure method and pattern formation method | |
| TW535210B (en) | Phase shift mask and its manufacturing method | |
| JP2005244015A (ja) | 露光装置、露光装置の光学素子の光洗浄方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 | |
| JPH02130824A (ja) | レジスト剥離方法 | |
| JPH04125642A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| US6107002A (en) | Reducing resist shrinkage during device fabrication | |
| EP0197286B1 (en) | A dry development method for a resist film | |
| JP2007094066A (ja) | 近接露光装置、及び近接露光方法。 | |
| TWI825302B (zh) | 自光罩基板移除光阻的方法 | |
| EP1710623B1 (en) | Method of cleaning a substrate surface from a crystal nucleus | |
| US5928814A (en) | Photomask controlling transmissivity by using an impurity-containing film formed on a transparent substrate | |
| JPH07219203A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| KR100526635B1 (ko) | 포토레지스트의 경화장치 | |
| KR20050001093A (ko) | 반도체 소자의 제조를 위한 포토 마스크 | |
| JPH01192116A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05343313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02138486A (ja) | Ｅｃｒプラズマエッチング法 | |
| KR100239433B1 (ko) | 감광막 패터닝 방법 | |
| KR100822296B1 (ko) | 다단 구조를 가지는 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
| KR20000026549A (ko) | 포토레지스터 마스크의 형성방법 및 형성장치 | |
| JPS58196022A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0722128B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6272127A (ja) | パタ−ン形成方法 |