JPH02128128A - 力覚センサ及びその製造方法 - Google Patents

力覚センサ及びその製造方法

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JPH02128128A
JPH02128128A JP28191688A JP28191688A JPH02128128A JP H02128128 A JPH02128128 A JP H02128128A JP 28191688 A JP28191688 A JP 28191688A JP 28191688 A JP28191688 A JP 28191688A JP H02128128 A JPH02128128 A JP H02128128A
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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセンサ素子部に圧子を介して外部荷重を与えて
外部荷重を検出する力覚センサ、及びその製造方法に関
し、特に圧子に加圧される単結晶基板のダイアフラム部
の機械的変位を電気信号に変換することにより、圧子に
与えた外部荷重を検出する力覚センサ、及びその製造方
法に関する。
〔従来の技術〕
従来の力覚センサを第5図、及び第6図の断面図によっ
て説明する。
第5図は従来の一例を示す力覚センサの断面図、第6図
は第5図の加圧棒5の端面を加工する場合を示す加圧棒
を含む筒の断面図である。シリコンダイアフラム型セン
サ素子く以下センサ素子と略す)1は、第5図に示すよ
うに、第2に接合され、センサ素子1と第2は線材3に
よって結線されている6台2は受は台4に圧入されてお
り、筒6の内部で加圧棒5がスライドし、スプリング7
により加圧棒5からセンサ素子1に伝わる衝撃を緩和す
る構造になっている。
センサ素子1はダイアフラム構造であり、大きな力が加
わった場合にはダイアフラム部のたわみ限界を越え、破
損が生じる。そこで、センサ素子1に接触する加圧棒5
がダイアフラム部のたわみ限界を越えてセンサ素子1を
加圧しないよめするために、加圧棒5の移動量を制限す
る必要がある。従来の力覚センサでは、外部荷重を与え
る接触部(図示せず)が加圧棒5の端面の外径より大き
いという前提のもとに、筒6の端面からダイアフラム部
破損限度内の寸法で加圧棒5の先端を僅か突き出させて
いた。このように加圧棒5の先端を僅か突き出させるこ
とによって、筒6の端面が接触子のストッパとなってい
た。
次に、力覚センサの製作作業工程を説明すると、第6図
に示すように、まず、加圧棒5の先端が筒6の端面より
突き出る寸法と同等の厚みを有する加工用スペーサ8.
及び加圧棒5を順次筒6に挿入し、加圧用締め付けねじ
9を用いて加圧棒5、及び加工用スペーサ8を固定する
。次に、その状態で加圧棒5の先端の端面と筒6の端面
が同一面になるまで、機械加工により加圧棒5及び筒6
の端面を切削による二次加工を行う。最終的に実装する
際には、加圧用締め付けねじ9を緩め、加工用スペーサ
8を除去し、再組立して、筒6の端面から加圧棒5が僅
かに突き出るようにしていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、筒6の端面からの加圧棒5の突き出し量
は、10μmと非常に微少な寸法にする必要があり、筒
6と加圧棒5の材質が異なるために切削による二次加工
では、材料自身の加工特性等により完全な均一面を得る
ことは難しい。
また、加圧棒5.及び筒6の部品単体の加工精度が悪い
場合、二次加工で均一面が得られても加工用スペーサ8
を除去して、再組立したとき、適切な突き出し量が得ら
れず、再現性が悪く信頼性に欠けるという欠点があった
また、外部から加圧棒5に力を与える接触部の大きさが
、筒6の端面から僅が突き出た加圧棒5の直径より大き
い場合は、筒6の端面がストッパーとなり、加圧棒5の
移動量は制限されてセンサ素子1の破損防止は可能であ
る。しかし、接触部の大きさが加圧棒5の直径より小さ
い場合には、筒6の端面がストッパーにならないため、
センサ素子1の破損防止ができないという欠点があった
本発明の目的は、センサ素子の破壊を防止し、出力感度
が高く、加圧棒と筒との二次加工を不要とし、構造の剛
性が高く組立て性が容易な力覚センサとその製造方法を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
1、本発明の力覚センサは、表面に複数個の拡散抵抗を
有するとともに裏面に窪みが形成されたダイアフラム形
状の単結晶基板と、この窪みに挿入されるとともに前記
窪みの深さ寸法より僅かに低い凸型形状部を有する台座
と、前記単結晶基板表面の中央部を加圧する圧子と、こ
の圧子と一体化しているケースと、このケース及び前記
台座を支持する支持台とを備えて構成される。
2、本発明の力覚センサの製造方法は、前記単結晶基板
の裏面から異方性エツチングにより前記ダイアフラム部
の窪みを形成する工程と、前記台座をエツチングまたは
ブラスト加工等により凸型形状部に加工する工程と、前
記単結晶基板と前記台座を重ね合わせて静電接合してセ
ンサ素子部を形成する工程と、これを前記支持台に接合
しこの支持台と前記ケースを接合して一体化する工程と
を含んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例を示す力覚センサの断面図、
第2図は力覚センサの素子部の動作時の断面部分拡大図
、第3図、及び第4図は他の実施例を示す力覚センサの
断面図である。
第1図において、単結晶基板12は、−導電型半導体基
板表面に逆導電型の複数個の拡散抵抗11を形成してブ
リッジ回路を形成し、その基板裏面は異方性エツチング
を用いて窪みが形成されたダイアクラム部になっている
。台座13には、エツチングなどの特殊加工により上面
に凸型形状部を形成され、その先端部は単結晶基板12
のダイアフラム部の窪みの底面より僅かに低く位置する
ように窪みのエツチング加工深さより僅かに低い高さで
形成されている。また、この台座13は熱膨張率が単結
晶基板12と同等のガラス材料等から製作されている。
更に、単結晶基板12と台座13は、静電接合により支
持台16に位置決め精度よく接合されている。
単結晶基板12の入出力端子と支持台16の入出力端子
は、ワイヤボンディング等により接合され、結線されて
いる。
圧子14は中央部が円筒状であり、一端が針先形状を成
し、他端は球面状の端面を有するフランジ部を有してい
る。
ケース15は、一端を薄板化してばね性をもたせた筒で
あり、圧子14と支持台16がそれぞれケース15に拡
散接合、電子ビーム、及びレーザ溶接等による溶接によ
り一体化されている。この一体化された状態では、通常
圧子14の先端と単結晶基板12が接触した構造になっ
ている。
ここで、例えば、このダイアフラム部に大きな力が加わ
り、たわみ限界を越えた場合は、第2図に示すように、
ダイアフラム部にクラックが発生して破損が生じる。そ
こで、単結晶基板12のダイアフラム部の破損防止をす
るなめに、たわみ量を制限するストッパー構造が必要で
ある。本発明では台座13に上面の凸型形状部を設け、
ダイアフラム部のたわみ量を制限するためのストッパと
したことである。
また、単結晶基板12のダイアフラム部のたわみ限界は
、通常は、10数ミクロンであり、それ以上のたわみ量
ではダイアフラム部に破損が生じることになる。従って
、外力により生じる圧子14の最大ストロークは、安全
性を考慮して10ミクロンに制限する必要がある。そこ
で、本実施例では実際に単結晶基板12のダイアフラム
部の窪みの底面と台座13の凸型形状部の先端面との間
を、10ミクロンの隙間にしたことである。
次に、第2図をもとに、力覚センサの動作状態を説明す
る。通常、単結晶基板12と圧子14が接触しており、
単結晶基板12に定電圧を供給した場合、拡散抵抗11
のブリッジ回路は平衡が保たれている。しかし、圧子1
4に外力が加わると、単結晶基板12のダイアフラム部
にはたわみが生じ、拡散抵抗11の平衡が崩れ出力電圧
が変化する。さらに外力が増加すると、単結晶基板12
のダイアフラム部のたわみ量も増加し、ついには台座1
3の上面に接触して最高出力が得られる。以上が外力の
増加時であり、減少時は上記の逆となる6本発明は、以
上説明した構造に限定されるものではなく、例えば、第
3図に示すように、第1図の台座13を分割した例であ
る。すなわち、台座17と固定台18が接着剤19によ
り固定され、前記の方法で一体化されている。
また、他の例として、第4図に示すように、第1図のケ
ース15を分割した構造であり、上板20とケース21
が拡散接合などにより接合され、前記と同様に一体化さ
れている。
次に、第1図を参照して力覚センサの製造方法について
説明する。
まず、通常の集積回路の製造プロセスによって拡散抵抗
11が形成された単結晶基板12を異方性エツチングに
より窪みを加工しダイアフラム部を形成する。台座13
の凸型形状部は、単結晶基板12のダイアフラム部の内
部に収まるように化学エツチングや、サンドブラスト加
工などにより部分的に加工する。
次に、加工された単結晶基板12と台座13を重ね合わ
せて静電接合により一体化し、その後、適切な形状に分
割してチップ化する。
次に、チップ化された単結晶基板12と台座13は、支
持台16に接合し、その後ワイヤボンディングにより結
線し、力覚センサとしての素子部を形成する。
一方、寸法精度良く機械加工された圧子14とケース1
5は、拡散接合により接合する。ケース15の内径と支
持台16の外径は、はめあい状態に製作され、素子化さ
れた支持台16をケース15に挿入して電子ビーム、ま
たはレーザ溶接により一体化すれば力覚センサが完成し
、力覚センサの製造プロセスは完了する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、単結晶基板のダイ
アフラムの下部に台座を設置することにより、この台座
の凸型形状部がダイアフラム部のストッパになるので、
ダイアフラム部の破損が防止でき、センサとしての信頼
性が向上する。また、外力が伝達される圧子の先端は半
球形状であるため、外部から圧子に作用する接触子の形
状に左右されないという利点がある。さらに、圧子がな
えず単結晶基板のダイアフラム上面に接触しているので
、摩擦による出力損失がなく、出力特性が向上する。一
方、従来のような衝撃緩和用のスプリングが不要になり
、センサとしての構造がシンプルになり、小型化が可能
である。また、ケース上部の圧子が接合される部分の厚
さを変化させることにより、微少荷重用、あるいは高荷
重用など広範囲な用途に使用が可能であるなどの効果が
ある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示す力覚センサの断面図、
第2図は力覚センサの素子部の動作時の断面部分拡大図
、第3図及び第4図は他の実施例を示す力覚センサの断
面図、第5図は従来の一例を示す力覚センサの断面図、
第6図は第5図の加圧棒5の端面を加工する場合を示す
加圧棒を含む断面図である。 1・・・センサ素子、2・・・台、3・・・線材、4・
・・受は台、5・・・加圧棒、6・・・筒、7・・・ス
プリング、8・・・加工用スペーサ、9・・・加工用締
め付けねじ、11・・・加算抵抗、12・・・単結晶基
板、13.17・・・台座、14・・・圧子、15.2
1・・・ケース、16・・・支持台、 8・・・固定台、 9・・・接着剤、 0・・・上 板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、表面に複数個の拡散抵抗を有するとともに裏面に窪
    みが形成されたダイアフラム形状の単結晶基板と、この
    窪みに挿入されるとともに前記窪みの深さ寸法より僅か
    に低い凸型形状部を有する台座と、前記単結晶基板表面
    の中央部を加圧する圧子と、この圧子と一体化している
    ケースと、このケース及び前記台座を支持する支持台と
    を備えることを特徴とする力覚センサ。 2、前記単結晶基板の裏面から異方性エッチングにより
    前記ダイアフラム部の窪みを形成する工程と、前記台座
    をエッチングまたはブラスト加工等により凸型形状部に
    加工する工程と、前記単結晶基板と前記台座を重ね合わ
    せて静電接合してセンサ素子部を形成する工程と、これ
    を前記支持台に接合しこの支持台と前記ケースを接合し
    て一体化する工程とを含むことを特徴とする請求項1記
    載の力覚センサの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020514729A (ja) * 2017-02-13 2020-05-21 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. マイクロメートル機械的力インターフェース
CN111855069A (zh) * 2019-04-26 2020-10-30 株式会社鹭宫制作所 压力传感器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020514729A (ja) * 2017-02-13 2020-05-21 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. マイクロメートル機械的力インターフェース
CN111855069A (zh) * 2019-04-26 2020-10-30 株式会社鹭宫制作所 压力传感器
CN111855069B (zh) * 2019-04-26 2022-03-22 株式会社鹭宫制作所 压力传感器

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