JPH02126627A - Exposure device - Google Patents

Exposure device

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JPH02126627A
JPH02126627A JP63280689A JP28068988A JPH02126627A JP H02126627 A JPH02126627 A JP H02126627A JP 63280689 A JP63280689 A JP 63280689A JP 28068988 A JP28068988 A JP 28068988A JP H02126627 A JPH02126627 A JP H02126627A
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JP
Japan
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recording medium
mark
optical system
exposure
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP63280689A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Mori
鉄也 森
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPH02126627A publication Critical patent/JPH02126627A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase the quantity of light projected to a mark and perform writing in a recording medium having high light exposure as well as rapid writing by making use of auxiliary lighting system at the time of writing to the photoelectric magnetic recording medium of a mark for detecting positions. CONSTITUTION:A photoelectric magnetic recording medium 6 is positioned in the vicinity of an optical axis of a projection optical system 3 by moving a movable state 5. A mark 18 for detecting positions on the face of a reticle 2 is transferred on the photoelectric magnetic recording medium 6 and writing is performed. In such a case, an auxiliary lighting system 110 is moved to a place in the vicinity of the optical axis of the projection optical system 3 and its system allows exposure light from a lighting optical system 1 to be condensed and then a great deal of light is irradiated to the mark 18 by increasing flux density. The light irradiated to the mark 18 is established so that the mark 18 for detecting positions becomes strong enough to be recorded magnetically on the photoelectric magnetic recording medium 6.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は露光装置に関し、特にIC,LSI等の集積回
路の製作においてマスク若しくはレチクル等の第1の物
体面上のパターンを投影光学系によりウェハ等の第2の
物体面一ヒに位置検出系により第1の物体と第2の物体
の位置関係を露光位置とは異なる位置で検出し、投影露
光するようにした露光装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to an exposure apparatus, and particularly in the production of integrated circuits such as ICs and LSIs, a pattern on a first object surface such as a mask or a reticle is projected by a projection optical system. The present invention relates to an exposure apparatus that uses a position detection system to detect the positional relationship between a first object and a second object at a position different from the exposure position on a second object surface such as a wafer, and performs projection exposure. .

(従来の技術) 最近、微細な回路パターンを露光転写する装置として縮
小投影型の露光装置く所謂ステッパー)がICやLSI
等の半導体装置の生産現場に多数使用されている。この
縮小投影型の露光装置ではレチクル(マスク)に描かれ
た回路パターンの像を投影光学系により縮小して繰り返
して半導体ウェハ上のフォトレジスト(感光剤)の層に
露光している。
(Prior Art) Recently, reduction projection type exposure devices (so-called steppers) have been used as devices for exposing and transferring fine circuit patterns to ICs and LSIs.
It is widely used in the production of semiconductor devices such as In this reduction projection type exposure apparatus, an image of a circuit pattern drawn on a reticle (mask) is reduced by a projection optical system and is repeatedly exposed to a photoresist (photosensitive agent) layer on a semiconductor wafer.

このときマスクとウェハの重ね合わせには集積回路の高
精度化に伴い、より高精度なものが要望されている。
At this time, as the precision of integrated circuits increases, there is a demand for higher precision in overlapping the mask and the wafer.

般にマスクとウェハとの相対的位置関係を検出する光学
系としては露光用の投影光学系を介してウニ八面上の位
置合わせ用マークを観察して行うT T L (Thr
ough the Lens)方式と投影光学系の光軸
から一定距離の位置にある顕微鏡等から成る位置検出系
を利用して行うオフアクシス(off−Axis)方式
がある。
In general, the optical system for detecting the relative positional relationship between the mask and the wafer is TTL (Thr
There are two methods: an out-of-the-lens method, and an off-axis method, which uses a position detection system consisting of a microscope or the like located at a certain distance from the optical axis of the projection optical system.

このうちオフアクシス方式は一般に露光光の波長以外の
非露光光を使用する事ができ、かつ検出速度が早いとい
う長所と逆に露光時と位置合わせ検出時との間でウェハ
の位置が異なる為、移動誤差か発生し、かつ投影光学系
と位置合わせ用の顕微鏡との光軸間距離が経時変化する
という短所を有している。
Among these methods, the off-axis method generally has the advantage of being able to use non-exposure light at a wavelength other than the exposure light and has a fast detection speed. However, the disadvantages are that movement errors occur and the distance between the optical axes of the projection optical system and the alignment microscope changes over time.

本出願人は例えば先の特願昭62−245244号や特
願昭1i2−278706号等において書込、消去可能
な光磁気記録媒体等の記録媒体を用いて投影光学系と位
置合わせ用の顕微鏡との光軸間距離の経時変化を計測し
、高速でかつ高精度なオフアクシス方式の露光装置を提
案している。第7図はそのときのシーケンスフローチャ
ートの一例である。
For example, in the previous Japanese Patent Application No. 62-245244 and Japanese Patent Application No. 1i2-278706, the applicant used a recording medium such as a writable and erasable magneto-optical recording medium to connect a projection optical system to a microscope for positioning. We are proposing a high-speed and highly accurate off-axis exposure system that measures the change in the distance between the optical axes over time. FIG. 7 is an example of a sequence flowchart at that time.

般に書込、消去可能な記録媒体を露光光によって書込を
実行する場合、記録媒体の感度、化学反応特性等の為、
露光において多大なエネルギーを必要とする場合が多い
Generally, when writing on a writable and erasable recording medium using exposure light, due to the sensitivity of the recording medium, chemical reaction characteristics, etc.
Exposure often requires a large amount of energy.

記録媒体として例えば光磁気記録媒体を用い、露光光源
として、エキシマレーザ−等のパルス全県の露光光を使
用する場合、光磁気記録媒体は光磁気効果によってキュ
リー温度に達した磁区か磁場反転する事により吉込んで
いる。
For example, when a magneto-optical recording medium is used as the recording medium and a pulsed exposure light such as an excimer laser is used as the exposure light source, the magneto-optical recording medium undergoes magnetic field reversal when the magnetic domain reaches the Curie temperature due to the magneto-optical effect. Things are looking good.

しかしながらパルス間隔の時間と比較して熱の拡散が非
常に速い為、エネルギーの時間的な蓄積はあまり行われ
ない。その為ひとつのパルスのエネルギー量をキュリー
温度に達するだけの量に増大させる事が必要であった。
However, since the heat spreads very quickly compared to the time between pulses, energy is not accumulated over time very much. Therefore, it was necessary to increase the amount of energy in one pulse to an amount sufficient to reach the Curie temperature.

(発明か解決しようとする問題点) 本発明は光磁気記録媒体やフォトクロミック等O)記録
媒体を用い、その面にアライメント用の所定のマークを
形成し、該マークを利用してマスクとウェハとの相対的
位置関係を検出する際、光源のパルスのエネルギーをあ
まり増大させなくても被照射面上の単位面積当りのエネ
ルギーを増大させ、これにより容易に所定のマークを記
録媒体上に形成することができる露光装置の提供を目的
とする。
(Problems to be solved by the invention) The present invention uses a recording medium such as a magneto-optical recording medium or a photochromic recording medium, forms a predetermined mark for alignment on its surface, and uses the mark to align a mask and a wafer. When detecting the relative positional relationship between The purpose is to provide an exposure apparatus that can

(問題点を解決するための手段) 第1物体に露光光を照射する照明系と、前記露光光で照
明された前記第1物体のパターンを可動ステージ上に載
置した第2物体上に投影する投影光学系と、該投影光学
系から所定間隔離して設けた観察光学系とを有する装置
において、前記可動ステージ上に書込み・消去可能な記
録媒体を設け、前記第1物体に形成したマークパターン
を前記投影光学系を介して前記記録媒体上に投影し、前
記記録媒体に前記マークパターンの像を記録する時、補
助照明系と前記第1物体の間に集光光学系を挿入し、前
記露光光を前記マークパターン上に集光することである
(Means for solving the problem) An illumination system that irradiates a first object with exposure light, and projects a pattern of the first object illuminated with the exposure light onto a second object placed on a movable stage. and an observation optical system provided at a predetermined distance from the projection optical system, wherein a writable and erasable recording medium is provided on the movable stage, and a mark pattern is formed on the first object. is projected onto the recording medium via the projection optical system to record an image of the mark pattern on the recording medium, a condensing optical system is inserted between the auxiliary illumination system and the first object; The purpose of this method is to focus exposure light on the mark pattern.

(実施例) 第1図は本発明の一実施例に係る露光装置の全体の要部
概略図である。同図において、照明光学系1を発した光
は第1の物体としてのレチクル2を照“射し、そのパタ
ーンを投影光学系3によって第2の物体としてのウェハ
4上に転写する。ウェハ4は定盤10−ヒに配置された
可動ステージ5の上に固定されている。
(Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram of the entire main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, light emitted from an illumination optical system 1 illuminates a reticle 2 as a first object, and the pattern is transferred onto a wafer 4 as a second object by a projection optical system 3.Wafer 4 is fixed on a movable stage 5 placed on a surface plate 10-H.

投影光学系3は不図示の鏡筒に担持されており、場合に
よっては投影光学系3を構成する複数のレンズの所定レ
ンズが移動出来るようにレンズ駆動手段が配設される。
The projection optical system 3 is supported by a lens barrel (not shown), and in some cases, a lens driving means is provided so that a predetermined lens of a plurality of lenses constituting the projection optical system 3 can be moved.

又、レチクル2はレチクルステージに保杓されてあり、
レチクルステージはレチクル駆動手段102によりx、
y、z、θ方向に移動される。
Also, reticle 2 is secured to the reticle stage,
The reticle stage is moved x by the reticle drive means 102.
It is moved in the y, z, and θ directions.

可動ステージ5は駆動系101によってX及びYに移動
できるようになっており、その移動量はそれぞれX及び
Y各方向用のレーザー測長器でモニターされている。又
、この可動ステージ5は矢印X方向に移動可能であり、
可動ステージ5のZ方向の位置も不図示のZ方向用位置
検知手段によりモニターされる。
The movable stage 5 can be moved in the X and Y directions by a drive system 101, and the amount of movement thereof is monitored by a laser length measuring device for each of the X and Y directions. Moreover, this movable stage 5 is movable in the direction of arrow X,
The position of the movable stage 5 in the Z direction is also monitored by a Z direction position detection means (not shown).

第1図においてはX方向用のレーザー測長器8が現われ
ており、Y方向用のレーザー測長器は現われていない。
In FIG. 1, the laser length measuring device 8 for the X direction appears, but the laser length measuring device for the Y direction does not appear.

このレーザー測長器8の光軸の高さはアラへの誤差の排
除のため、ウェハ4の面と同じ高さになっている。
The height of the optical axis of this laser length measuring device 8 is set at the same height as the surface of the wafer 4 in order to eliminate errors in irregularities.

更に、可動ステージ5上のウェハ4の外側に記録媒体と
しての光磁気記録媒体6が配置され、その表面の高さは
ウェハ4の高さと略一致させである。又、必要に応じ、
光磁気記録媒体6の表面の高さとウェハ4の高さとを一
致させるような調整機構を具備している。この光磁気記
録媒体6の下方には磁場付与手段としての電磁石7か埋
め込まれ、投影光学系3の光軸方向の上下任意方向に磁
場をかけられるようになっている。
Further, a magneto-optical recording medium 6 as a recording medium is arranged outside the wafer 4 on the movable stage 5, and the height of its surface is made to substantially match the height of the wafer 4. Also, if necessary,
An adjustment mechanism is provided to match the height of the surface of the magneto-optical recording medium 6 and the height of the wafer 4. An electromagnet 7 as a magnetic field applying means is embedded below the magneto-optical recording medium 6, so that a magnetic field can be applied in any direction above or below the optical axis direction of the projection optical system 3.

更に、電磁石7による磁場が他の部材に悪影習を及ぼさ
ないように磁気シールド22が周囲に設けられている。
Further, a magnetic shield 22 is provided around the electromagnet 7 so that the magnetic field generated by the electromagnet 7 does not adversely affect other members.

又、他の部材から光磁気記録部材6に磁場が及ぶのも防
止している。9は位置検出系で投影光学系3の光軸に平
行で該光軸から離れた位置にあり、ランプ14、光路振
分は用のビームスプリッタ15、対物レンズ16、観察
用のテレビカメラ17等を含む。又、位置検出系は例え
ば非露光波長の光束を用いたり偏光顕微鏡を有している
場合もある。テレビカメラ17による画像はコンピュー
ター100に送られ画像処理されて位置検出及びコント
ラスト検出等が行われる。18はレチクル2上の位置検
出用のマークである。
It also prevents magnetic fields from reaching the magneto-optical recording member 6 from other members. Reference numeral 9 denotes a position detection system which is located parallel to and away from the optical axis of the projection optical system 3, and includes a lamp 14, a beam splitter 15 for optical path distribution, an objective lens 16, a television camera 17 for observation, etc. including. Further, the position detection system may use, for example, a light beam of a non-exposure wavelength or may include a polarizing microscope. The image taken by the television camera 17 is sent to the computer 100 and subjected to image processing to perform position detection, contrast detection, etc. 18 is a mark on the reticle 2 for position detection.

マーク18は例えばレチクル2面上の実素子パターンか
描かれている領域の外側に1つ又は2つ投影光学系3の
有効両面の内側に配置されている。
For example, one or two marks 18 are arranged outside the area where the actual element pattern is drawn on the two surfaces of the reticle, and inside both effective surfaces of the projection optical system 3.

又、本実施例において位置検出用のマーク18は1つ設
ければ投影光学系3と位置検出系9との光軸間距離が求
められ、可動ステージ5にウェハ4を載置したときの可
動ステージ5の送り量を求めることができるが、例えば
2つ設ければレチクル2の回転に関する情報も得ること
ができ、レチクルとウェハの位置合わせ精度の更なる向
上を図ることかできる。
In addition, in this embodiment, if one mark 18 for position detection is provided, the distance between the optical axes of the projection optical system 3 and the position detection system 9 can be determined, and the distance between the optical axes of the projection optical system 3 and the position detection system 9 can be determined. The amount of feed of the stage 5 can be determined, but if two stages are provided, for example, information regarding the rotation of the reticle 2 can also be obtained, and the accuracy of alignment between the reticle and the wafer can be further improved.

110は補助照明系(集光光学系)であり、照明光学系
1とレチクル2との間にマーク18が位置している投影
光学系3の光軸上から露光光を妨げない位置まで移動可
能となるように構成されている。
Reference numeral 110 denotes an auxiliary illumination system (condensing optical system), which can be moved from the optical axis of the projection optical system 3, where the mark 18 is located between the illumination optical system 1 and the reticle 2, to a position where it does not interfere with the exposure light. It is configured so that

尚、本実施例では不図示の駆動系により補助照明系+1
0は位置検出用のマーク18の配置場所に応じてレチク
ル2面の上方任意の位置に移動されるように設定されて
いる。
In this embodiment, the auxiliary lighting system +1 is controlled by the drive system (not shown).
0 is set to be moved to an arbitrary position above the two surfaces of the reticle depending on the location of the position detection mark 18.

本実施例では後述するように可動ステージ5を移動させ
て光磁気記録媒体6を投影光学系3の光軸上近傍に位置
させる。そしてレチクル2面上の位置検出用のマーク1
8を光磁気記録媒体6上に転写し、書込を行なうがこの
とき第2図(A)に示すように補助照明系110を投影
光学系3の光軸近傍に移動させて照明光学系1からの露
光光な集光させて光束密度を高めてマーク18に多くの
光を照射している。
In this embodiment, as will be described later, the movable stage 5 is moved to position the magneto-optical recording medium 6 near the optical axis of the projection optical system 3. And mark 1 for position detection on the 2nd surface of the reticle.
8 onto the magneto-optical recording medium 6 for writing. At this time, as shown in FIG. 2(A), the auxiliary illumination system 110 is moved near the optical axis of the projection optical system 3, The exposure light from the laser beam is focused to increase the luminous flux density and irradiate the mark 18 with a large amount of light.

このときのマーク18への照射光は光磁気記録媒体6上
に位置検出用のマーク18か磁気記録される程度の強さ
となるように設定されている。
The intensity of the light irradiated to the mark 18 at this time is set to be such that the mark 18 for position detection is magnetically recorded on the magneto-optical recording medium 6.

第2図(B)は通常の状態でレチクル2面上のパターン
を照明光学系1により照明する場合であり、このとき補
助照明系!10は露光光を妨げない位置まで退避してい
る。
FIG. 2(B) shows a case where a pattern on two surfaces of the reticle is illuminated by the illumination optical system 1 in a normal state, and at this time, the auxiliary illumination system! 10 is retracted to a position where it does not interfere with the exposure light.

本実施例においては例えば位置合わせ用のマーク18の
必要占有面積をa (c+n2)とし、通常の露光量を
E (mJ/cm2)とするどき(補助照明系110が
光学系入射側の面積b (cm2)に入射する光束を位
置合わせ用のマーク18の占有面積a (cm2)に集
光させるものとする。このときマーク18を照射する単
位面積あたりの露光量はE  ・−(mJ/cm2) 
   (b > a )となり、b / a倍だけ露光
量を増大させる事が可能となる。この増大した露光がで
、位置合わせ用のマーク18は投影光学系3を介して光
磁気記録媒体6へ転写される事になり、磁場反転反応が
容易におこりつるだけの露光量を得ている。
In this embodiment, for example, suppose that the required occupied area of the alignment mark 18 is a (c+n2) and the normal exposure amount is E (mJ/cm2) (the auxiliary illumination system 110 has an area b on the optical system entrance side). (cm2) shall be focused on the occupied area a (cm2) of the alignment mark 18. At this time, the exposure amount per unit area of irradiating the mark 18 is E ・-(mJ/cm2 )
(b > a), and it becomes possible to increase the exposure amount by a factor of b/a. Due to this increased exposure, the alignment mark 18 is transferred to the magneto-optical recording medium 6 via the projection optical system 3, and the amount of exposure is sufficient to easily cause the magnetic field reversal reaction. .

このとき集光される光束の量を決定する補助!!―明系
110の大きさをあられす面積b(cm2)は光磁気記
録媒体6の書込のための最小露光量E ff1ln(m
J/cm2)と通常時の露光量E (mJ/cm2)お
よび位置合わせ用のマーク18の占有面積a (am2
)E l1lin から導かれb>a・   という関係となる。
Assist in determining the amount of luminous flux to be focused at this time! ! - The area b (cm2) representing the size of the bright system 110 is the minimum exposure amount Eff1ln (m2) for writing on the magneto-optical recording medium 6.
J/cm2), the normal exposure amount E (mJ/cm2), and the area occupied by the alignment mark 18 a (am2
)E l1lin, resulting in the relationship b>a・.

この式より補助照明系+10の最適な大きさか求められ
、この条件を満たすよう補助照明系+10を設定してい
る。
From this equation, the optimal size of the auxiliary lighting system +10 is determined, and the auxiliary lighting system +10 is set to satisfy this condition.

通常、本発明の様なフォトリソクラフィの焼付の場合、
照明系のシグマと呼ばれるパラメーターは0.5近辺に
設定される事が多い。その為、本発明による様な補助照
明、¥−110を使用する事によりシグマを1にまで広
げる事かできる。光量の向れる′1(になる。この4倍
という値は単なる4倍ではなく、従来転写不可能であっ
たものを可能にするという劇的効果を持っている。
Normally, in the case of photolithography baking as in the present invention,
A parameter called sigma in the lighting system is often set around 0.5. Therefore, the sigma can be expanded to 1 by using the auxiliary lighting according to the present invention, ¥-110. The amount of light becomes '1 ('1). This value of 4 times is not just 4 times, but has the dramatic effect of making it possible to perform transfers that were previously impossible.

このように書込みか完了した光磁気記録媒体6を利用し
て投影光学系3と位置検出系9との光軸間距離を求め、
このときの値を利用してレチクル2とウェハ4との位置
合わせを高精度に行っている。
Using the magneto-optical recording medium 6 on which writing has been completed in this way, the distance between the optical axes of the projection optical system 3 and the position detection system 9 is determined,
Using this value, the reticle 2 and wafer 4 are aligned with high precision.

第3図はこのときの具体的な一実施例のシーケンスフロ
ーチャート図である。
FIG. 3 is a sequence flowchart of a specific example at this time.

次に本実施例において光磁気記録媒体6上に位置検出用
のマーク18を記録し、該マークを記録した光磁気記録
媒体(以下「媒体」という。)6を利用して投影光学系
3と位置検出系9との光軸間距離を求める一実施例を第
4図〜第6図を用いて説明する。
Next, in this embodiment, a mark 18 for position detection is recorded on the magneto-optical recording medium 6, and the projection optical system 3 is connected using the magneto-optical recording medium (hereinafter referred to as "medium") 6 on which the mark is recorded. An example of determining the distance between the optical axes and the position detection system 9 will be described with reference to FIGS. 4 to 6.

第4図に示すようにまず予め下向きに磁化させておいた
媒体6が投影光学系3の真下でレチクル2上のマーク1
8か結像される位置に可動ステージ5をもってくる。次
に照明光学系lからの露光光を補助照明系110で集光
し、マーク18を露光すると、媒体6上にマーク18の
像か結像する。
As shown in FIG.
8. The movable stage 5 is brought to a position where the image is formed. Next, the exposure light from the illumination optical system 1 is focused by the auxiliary illumination system 110 to expose the mark 18, and an image of the mark 18 is formed on the medium 6.

この際、電磁石7によって上向きに磁場をかけておくと
、媒体6中で光の当たった部分だけが光を吸収し、それ
による熱でキュリー点に達して磁化の方向か反転する。
At this time, when an upward magnetic field is applied by the electromagnet 7, only the portion of the medium 6 that is hit by the light absorbs the light, and the resulting heat reaches the Curie point, reversing the direction of magnetization.

これによりマーク1日の形に磁化の反転した部分ができ
る。媒体6の分解能は磁場の大きさで決まり、約0.0
2μmと本実施例の目的には十分である。又、通常半導
体露光に使用される紫外線は媒体6での吸収率も高く光
子エネルギーの高いので有効である。マーク18の露光
が終ったら照明光学系1からの照射を停止する。
This creates a part with reversed magnetization in the shape of the mark day. The resolution of the medium 6 is determined by the magnitude of the magnetic field and is approximately 0.0
The thickness is 2 μm, which is sufficient for the purpose of this embodiment. Furthermore, ultraviolet light, which is normally used for semiconductor exposure, has a high absorption rate in the medium 6 and a high photon energy, so it is effective. When the exposure of the mark 18 is completed, the illumination from the illumination optical system 1 is stopped.

次に第5図に示すように投影光学系3によるマーク18
の露光位置から位置検出系9の光軸までのベクトルとほ
ぼ同じベクトルbだけ可動ステージ5を移動させて媒体
6が位置検出系の対物レンズ16のほぼ真下にくるよう
にする。
Next, as shown in FIG.
The movable stage 5 is moved by a vector b that is approximately the same as the vector from the exposure position to the optical axis of the position detection system 9, so that the medium 6 is located almost directly below the objective lens 16 of the position detection system.

そして媒体6上のマークの磁化像を位置検出系9を用い
て観察し、磁化の違いによって生じる媒体6からの光の
偏光状態の差によって、テレビ力メメラ17にマークの
像が形成される。そしてこのときの媒体6上に形成され
ているマークの所定位置からのずれ量と可動ステージ5
の送り量等から投影光学系3と位置検出、f−9との光
軸間距離を求めている。
Then, the magnetized image of the mark on the medium 6 is observed using the position detection system 9, and the image of the mark is formed on the television force memella 17 due to the difference in the polarization state of the light from the medium 6 caused by the difference in magnetization. At this time, the amount of deviation of the mark formed on the medium 6 from the predetermined position and the movable stage 5
The distance between the optical axes of the projection optical system 3, position detection, and f-9 is determined from the feed amount and the like.

その後第6図に示すように可動ステージ5の任意の位置
で電磁石7によって媒体6に下向きの強力磁場をかけ、
これにより媒体6は全面下向きに磁化されてマークを消
去し、再使用可能としている。
Thereafter, as shown in FIG. 6, a strong downward magnetic field is applied to the medium 6 by an electromagnet 7 at an arbitrary position on the movable stage 5.
As a result, the entire surface of the medium 6 is magnetized downward, erasing the marks, and making it reusable.

尚、本実施例において光磁気記録媒体の代わりにフォト
クロミック材を用いても本発明の目的を同様に達成する
ことができる。フォトクロミック材の場合、電磁石7、
他は不用となる。
In this embodiment, the object of the present invention can be similarly achieved even if a photochromic material is used instead of the magneto-optical recording medium. In the case of photochromic material, electromagnet 7,
Others are no longer needed.

(発明の効果) 本発明によれば前述の如く位置検出用のマークの記録媒
体への書込みの際に補助照明系を利用することにより、
マークへの照射光量を増大させ露光量の高い記録媒体へ
の書込み及び迅速なる書込みを可能とし、かつ装置全体
の複雑化を防止した露光装置を達成することができる。
(Effects of the Invention) According to the present invention, as described above, by using the auxiliary illumination system when writing marks for position detection on a recording medium,
It is possible to achieve an exposure apparatus that increases the amount of light irradiated to a mark, enables writing on a recording medium with a high exposure amount and speedy writing, and prevents the overall complexity of the apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の要部概略図、第2図(A)
 、 (B)は第1図の一部分の説明図、第3図は本発
明の一実施例のシーケンスフローチャート図、′fJ7
図はオフアクシス方式の露光装置におけるシーケンスフ
ローチャート図、第4図〜第6図は本発明に係る光磁気
記録媒体へのマークの書込及び消去の一実施例の概略図
である。 図中、1は照明光学系、2はレチクル、3は投影光学系
、4はウェハ、5は可動ステージ、6は光磁気記録部材
、7は電磁石、9は位置検出系、10は定盤、18は位
置検出用のマーク、110は補助照明系、101は駆動
系である。 特許出願人  キャノン株式会社 第 図 第 (A) (B) 阜 図
Figure 1 is a schematic diagram of the main parts of an embodiment of the present invention, Figure 2 (A)
, (B) is an explanatory diagram of a part of FIG. 1, FIG. 3 is a sequence flowchart of an embodiment of the present invention, 'fJ7
The figure is a sequence flowchart in an off-axis type exposure apparatus, and FIGS. 4 to 6 are schematic diagrams of an embodiment of writing and erasing marks on a magneto-optical recording medium according to the present invention. In the figure, 1 is an illumination optical system, 2 is a reticle, 3 is a projection optical system, 4 is a wafer, 5 is a movable stage, 6 is a magneto-optical recording member, 7 is an electromagnet, 9 is a position detection system, 10 is a surface plate, 18 is a mark for position detection, 110 is an auxiliary illumination system, and 101 is a drive system. Patent applicant: Canon Co., Ltd. Figures (A) (B)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1物体に露光光を照射する照明系と、前記露光
光で照明された前記第1物体のパターンを可動ステージ
上に載置した第2物体上に投影する投影光学系と、該投
影光学系から所定間隔離して設けた観察光学系とを有す
る装置において、前記可動ステージ上に書込み・消去可
能な記録媒体を設け、前記第1物体に形成したマークパ
ターンを前記投影光学系を介して前記記録媒体上に投影
し、前記記録媒体に前記マークパターンの像を記録する
時、補助照明系と前記第1物体の間に集光光学系を挿入
し、前記露光光を前記マークパターン上に集光すること
を特徴とする露光装置。
(1) an illumination system that irradiates a first object with exposure light; a projection optical system that projects a pattern of the first object illuminated with the exposure light onto a second object placed on a movable stage; In an apparatus having an observation optical system provided at a predetermined distance from a projection optical system, a writable/erasable recording medium is provided on the movable stage, and a mark pattern formed on the first object is transmitted through the projection optical system. When recording an image of the mark pattern on the recording medium by projecting it onto the recording medium, a condensing optical system is inserted between the auxiliary illumination system and the first object, and the exposure light is directed onto the mark pattern. An exposure device characterized by focusing light on.
(2)前記記録媒体を光磁気記録媒体若しくはフォトク
ロミック材より構成したことを特徴とする請求項1記載
の露光装置。
(2) The exposure apparatus according to claim 1, wherein the recording medium is made of a magneto-optical recording medium or a photochromic material.
(3)前記第2物体はフォトレジストを塗布したウェハ
であり、前記記録媒体は該フォトレジストの代りに該ウ
ェハ上に塗布されていることを特徴とする請求項1記載
の露光装置。
(3) The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second object is a wafer coated with a photoresist, and the recording medium is coated on the wafer instead of the photoresist.
JP63280689A 1988-11-07 1988-11-07 Exposure device Pending JPH02126627A (en)

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