JPH02125511A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPH02125511A
JPH02125511A JP27876988A JP27876988A JPH02125511A JP H02125511 A JPH02125511 A JP H02125511A JP 27876988 A JP27876988 A JP 27876988A JP 27876988 A JP27876988 A JP 27876988A JP H02125511 A JPH02125511 A JP H02125511A
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JP
Japan
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conductivity type
acoustic wave
group
surface acoustic
bias
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Application number
JP27876988A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyoshi Sukai
須貝 和義
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Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
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Publication date
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Priority to FR8909641A priority patent/FR2638287A1/fr
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Publication of JPH02125511A publication Critical patent/JPH02125511A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はスペクトラム拡a通信(以下本明JIvにおい
てはSSCと略記する)システムで使用される弾性表面
波(以下本明細書においてはSAWと略記する)装置に
関する。
[発明の概要コ 入力トランスデューサを多数のチャンネルに分け、各チ
ャンネルの電極周期を異ならせることによ)て周波数に
応じて空間的構造を持っているSAW装置である。
[従来の技術] 直接拡散(Direct 5equence)方式のS
SCシステムでの問題点の一つに高レベルのCWジャン
マあるいは干渉によって通信が阻害されることがあると
いった問題点がある。このような高レベルのCWジャン
マあるいは干渉信号を抑圧するような種々のフィルタが
SAWを用いて考案されている0代表例を挙げると、 (i)プログラマブルなトランスバーサルフィルタを用
いて、各タップの重みを適応処理により最適化し、CW
干渉信号成分を抑圧する(C,M。
Panasik、 1982υ1trasonics 
Symp、Proc、p、100−103)。
(ii)拡散信号および高レベル狭帯域信号から成る入
力信号をチャープフィルタで時系列信号としてフーリエ
変換し、高レベル狭帯域信号のみのRFスイッチ制御に
よる抑圧、あるいは切除機能の混合による抑圧を行い、
その後もう一度チャープフィルタで逆フーリエ変換し、
拡散信号を復元する。また逆フーリエ変換以後の信号処
理をSAWコンボルバを用いてシステムの簡略化を図っ
ている(、J、Ccvargiz et al、、19
85LILtrasonics 5ylIIp、Pro
c、p、108−113)。
(iii )入力トランスデューサとしてスランテッド
チャーブトランスデューサを用いて入力信号を周波数に
依存して空間的に分布させ、高レベル狭・1°IF域k
i号成分のSAWが伝播する領域での弾性的な非線形を
利用し、高レベル信号の抑圧を行う (M、F、Lew
is ELIECTRONIC5LETTER521,
p。
573−574.1985)などがある。
[発明が解決しようどする課題] しかし」二連した各従来技術には下記の欠点がある。
(i)では、各タップの重み付けを適応処理により最適
化する必要があるため、装置および適応信号処理回路が
複雑となる。また、このフィルタはタップの重み制御に
よるトランスバーサルノツチフィルタであり、狭帯域な
ノツチ特性を/4)るためのインパルス応答をフィルタ
に与えることは本質的に困難である。そのため高レベル
狭?Il域信号の近傍の可成り広い周波数成分をも抑圧
してしまうと云った欠点を有する。
(ii)では、フーリエ変換および逆フーリエ変換が必
要で、43号処理が複雑と成る。
(iii )では1弾性的な非線形性を利用するため5
人力に極めて大きな電力を要するという欠点を持つ。
[発明の目的コ 本発明の目的は、DS方式のSSC方式の受信システム
で有用な高レベル狭、llF域信すの抑圧を行う上記欠
点を除去したフィルタシステムを提供することであり、
フィルタ特性の高性能化と共に受信システムの簡易化を
図ることである。特に本発明は、新しい適応処理機構に
より大幅にシステムの簡易化を図り、フィルタの高性能
化、小型化、低価格化を図ったものである。
[課題を解決するための手段] 」−記[1的を達成するために、本発明によるSAW装
首は第1導電型の半導体層と、該半導体層J二方に形成
され、弾性表面波の伝播方向に梯子状に設けられた第2
導電型の拡散層から成るダイオードアレイと、上記半導
体層上方に積層された圧電体層と、該圧電体層表面に形
成され、入力信号を空間的に周波数分類し、上記ダイオ
ードアレイの−1一方に複数の弾性表面波伝播路を発生
させる入力トランスデューサと、」二記圧電体E’1表
面に形成され、上記入力トランスデューサとほぼ同じ特
性を有する出力トランスデューサと、」−配圧電体層表
面であって、上記入出力トランスデューサ間の各伝播路
にそれぞれ形成され、バイアス電圧を印加されるグー1
〜電極群と、複数の弾性表面波伝播路に各々設けられた
ダイオードアレイ群と、バイアス用の電源間に設けられ
た各伝播路とは独立の抵抗群を含むことを要旨とする。
[作用] 上述の構造を持つ装置は、アダプティブノツチフィルタ
として動作する。その動作原理はSAWと半導体中のキ
ャリアあるいは電荷の電気−音響相互作用を利用したも
ので、半導体表面の状態でSAWの伝播に伴う減衰量が
大きく変化することを積極的に用いることにある。
[実施例] 以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
本発明の適応ノツチフィルタの概念図を第1図に示す。
入力(8号は広帯域拡散信号に高レベルの狭41p域イ
、i号が混入した信号とする。この人力信号は人力i〜
ランスデューサ1に入力され、(ご号の周波数成分に応
じて]、ch〜nchの各々f□〜fnを中心周波数と
する伝播路トラックに区分される。各伝播路トラックを
チャンネルと表現する。入力トランスデューサはフィル
タバンク(第2図(a)参照)でも良いし、上記適応ノ
ツチフィルタを同一基板上に1チツプ化する場合には斜
め電極指トランスデユーサ(第2図(b)参照)、トン
グレッグ状のトランスデユーサ(第2図(c)参照)。
および中心周波数の異なるトランスデユーサ群(第2図
(d)参照)のいずれから構成される装いずれのトラン
スデユーサ構成においても入力信号をその周波数成分に
応じて空間的に分類する機能を有すると広義に解釈でき
る。上記入力トランスデューサで空間的に周波数分類さ
れた各信号は各チャンネルの伝播路2に導かれる。この
伝播路にはダイオードあるいはダイオードアレイが設け
られ、各々抵抗アレイ4を介してDCバイアス電源でバ
イアスされる。このダイオード列に各チャンネルに導か
れた信号が入力され、その入力レベルに応じてダイオー
ドに非線形電流によるセルフバイアスが発生する。この
セルフバイアスの大きさに応じてこの伝播路の通過特性
を制御することで高レベル信号成分を含むチャンネルの
入力信号成分のみが抑圧される。その後、入力トランス
デューサと同様な特性を持つ出力トランスデューサ3で
各チャンネルの信号成分の和がとられ、最終的に高レベ
ル狭帯域信号が抑圧された拡散信号が出力される。
第1図の適応ノツチフィルタの概念をSAWを用いるこ
とで実現すると第3図および第4図に示すような素子と
なる。
第3図はSAW素子による適応ノツチフィルタの概念図
である。
1はp ” (TI勺〜SL単結晶基板であり、単結晶
基板1上に低不純物密度を有するp(n)型Siエピタ
キシャル層2が形成されろ、3はp(n)型エピタキシ
ャル層2上に設けられた熱酸化膜であり、4は熱酸化膜
3上に形成されたZnO圧電薄膜層である。5,6,7
はZnO薄膜4上に設けられた金属1模で、それぞれ人
カドランスデューサ、出力トランスデューサ、DCバイ
アス印加用ゲート電極である。トランスデユーサは第2
図(d)のフィルタバンク状の中心周波数の異なる1−
ランスデューサ群である。8は熱酸化膜3上に形成され
た多結晶シリコンから成る抵抗である。この多結晶抵抗
は各チャンネル毎に設けられ、エピタキシャル層2内に
設けられたダイオードアレイとDCバイアス電源の間に
挿入され、この多結晶抵抗を通じてダイオードアレイの
バイアスを制御する。
9は入出力トランスデューサ5,6下に設けられたp”
(n”)型拡散領域で入出力トランスデューサの効率を
向上させるために設けられたものである。10はp(n
)型Siエピタキシャル層2に設けられたn型不純物拡
散領域群であり、pnダイオードアレイが形成されてい
る。
第4図は各チャンネルの伝播路部の詳細を示す。
ダイオードアレイ10はZnO圧電薄膜下のエピタキシ
ャル層内に形成されて金属ライン11に接続されている
。金属ライン11は多結晶シリコン抵抗8に接続され、
さらに全チャンネルからラインが一体と成ってDCバイ
アス電源へと接続されている。12はチャンネル間のア
イソレーションの役目を果たすp”(n”)チャンネル
ストップ拡散領域である。
また第4図のようにZnO圧電薄膜4は各チャンネルの
ダイオードアレイ上以外の不要な部分はエツチングで取
り除かれている。
第3図の素子の伝播路は第4図に示した構造が複数列並
んで構成されている。
以下上記実施例の動作を説明する。
上述の構造を持つ装置は、アダプティブ(適応)ノツチ
フィルタとして動作する。この動作原理はSAWと半導
体中のキャリアの相互作用を利用したもので、半導体の
表面状態でSAWの減衰量が変化すること、およびpn
ダイオードの非線形抵抗によるダイオードセルフバイア
スの効果を積極的に用いたものである。
入出力トランスデューサは電極周期(SAWの波長に相
当)の異なるトランスデユーサを並列接続したフィルタ
パンク状のトランスデユーサ(第2ri4Cd)を参照
)から成る。電極周期は22μm〜26μmの21個の
トランスデユーサの並列接続から成る。電極対数は入力
側が200対、出力側が15対であり、入力側のトラン
スデユーサはSAWの電極内反射などの2次効果抑圧の
ため間引き電極構造を採用している。トランスデユーサ
の交叉幅は各々170μmである。
基板は5i(110)カットで、半導体層はp/p0構
造を有し、SAWの伝播放送は[1001方向である。
p型Siエピタキシャル層の膜厚は〜10amで不純物
密度は約5 、 OX 1014cm−’である。
SL熱酸化暎の厚さは約1100n、ZnO圧電薄膜の
厚さは約5.0μmである。p型Siエピタキシャル層
の表面にPでドープしたn型不純物領域を設け、pnダ
イオードを形成し、各チャンネルはBでドープしたp9
拡散領域をチャンネルストップとして設け、各チャンネ
ルを分離している。
Zn0J−のトランスデユーサ、ゲートおよびダイオー
ドバイアス制御ラインはAQで形成した。
また各チャンネル毎に多結晶シリコンによる抵抗〜1に
Ωを設け、各チャンネルのダイオードは多結晶シリコン
抵抗を通してバイアス制御されている。
第5図にこのフィルタの基本的な帯域通過フィルタ特性
を示す。入力トランスデューサは′M極同周期異なるト
ランスデユーサ群で構成されているので、周波数成分1
こよって伝播路は異なっている。
第6図に示すように周波数成分によってチャンネルに分
けられ、あるiチャンネルでのみSAWの伝播に伴う減
哀賦が大きくなったとしても、そのiチャンネルでの周
波数成分子iの信号のみ減衰し、他チャンネルの周波数
成分には影響が現れず、第5図の特性にノツチ特性が加
わる。
本発明のSAW素子の動作原理は伝播路」−に設けられ
たpnダイオード列のバイアス制御によるSAWの伝播
損失の制御および大信号入力時に発生するダイオードセ
ルフバイアスによる適応制御の二つから成る。以下、各
々を説明する。
(1)ダイオードのバイアスによる伝播路制御本発明の
素子構造のうちの一つのチャンネルにのみ注「1すると
、入出力トランスデューサ間の伝播路上にpnダイオー
ドアレイが設けられた構成になっている。このpnダイ
オードアレイが設けられた伝播路の相対的な減衰定数の
ダイオードバイアス依存性を第7図に示す。
ZnO圧電薄膜上のゲート電極のバイアスはVg=−2
V、周波数を215M1(zとし、SL表面はフラット
バンドかられずかに蓄積状態に設定している。第7図に
示すように、ダイオードバイアスを順方向バイアスから
ゼロバイアスあるいは逆バイアスへと変化させることで
100dB/an以上の減衰量の変化を持たせることが
可能である。
順バイアスではn+型不純物拡散領域からp副領域へ電
子がP゛型不純物拡散領域からp副領域へ正孔が注入さ
れ、p副領域のキャリア濃度が極めて高くなる。そのた
めP壁領域の抵抗率が低くなりSAWのポテンシャルと
キャリアとの相互作用が弱まり、SAWの減衰量が減少
する。
ダイオードアレイの配置は重要で、n型不純物拡散領域
間のギャップは0.5μm〜10μm程度が良い。
またp型Siエピタキシャル層の厚さはより重要で薄い
と順バイアス時のキャリア密度は大きくなるが、逆バイ
アス時の減衰量は小さく。
逆に厚くなると逆バイアス時の減衰量を大きくできるが
、順バイアス時のキャリア密度の増加は少なくなる。最
適な厚さは5μm〜15μmである。
(■)ダイオードセルフバイアスによる伝播路適応制御 上述の説明と同様に一つのチャンネルにのみ注目する。
pnダイオードアレイを多結晶シリコン抵抗〜1にΩを
通じて順方向にバイアスしながら入力信号の電力をあげ
ていくと、ダイオードアレイのバイアスは第8図のよう
になる。
小電力の信号のときは、ダイオードアレイの電位には変
化はないが、大電力の信号が入力されると、ある閾値P
o(dBm)以上で、ダイオードアレイのバイアスが逆
バイアスの方へとシフトしてくる。この現象の機構はp
nダイオードの非線形抵抗によるセルフバイアスの発生
である。
大電力のSAWが伝播路上に存在すると伝播路上に設け
られたpnダイオードの電位をSAWのポテンシャルで
変調する。ダイオードの持つ電流−電圧特性の非線形性
、つまり非線形抵抗のために直流成分が生じ、その直流
成分が抵抗を通じて電源側へ流れるため、ダイオードの
pn接合にかかるバイアスは逆バイアスへとシフトする
これがセルフバイアスの発生機構である。
以上の2項目の説明からアダプティブノツチフィルタの
動作原理が容易に理解できる。
すべてのチャンネルのダイオードアレイを順バイアスに
設定しておくと、閾値レベルPo以下の入力信号は第5
図に示されたような特性を持つ帯域通過フィルタ出力と
して出力される。あるチャンネルiの周波数成分に相当
する高レベルの信号(ジャミングあるいは干渉波に相当
)が入力されると、相当するチャンネルのみ高レベルの
SAWが伝播し、そこに存在するダイオードアレイをセ
ルフバイアスにより逆バイアスへとバイアスシフトさせ
る。このバイアスシフトのため、そのiチャンネルの伝
播路の状態は100dB/an以上伝播損失が増加し、
高レベル信号が抑圧される。
このように本発明のフィルタはアダプティブノツチフィ
ルタとして良好に動作する。実際のシステムでの使用時
には本発明のフィルタの前段にAGC(自動利得制御)
機能を持った増幅器を設け、希望信号レベルを閾値レベ
ルに設定する。
第9図および第10図は本発明による第2の実施例を示
し、それぞれ第3図および第4図に対応する。
第9図中、1はn(p)  si単結晶基板であり、単
結晶基板1上に低不純物密度を有するp(n)型Siエ
ピタキシャル層2が形成される。3はp(n)型Siエ
ピタキシャル層2上に設けられた熱酸化膜であり、4は
熱酸化膜3上に形成されたZn○圧電薄膜層である。5
,6.7はZnO薄膜4上に設けられた金属膜で各々入
力トランスデューサ。
出力トランスデューサ、DCバイアス印加用ゲート電極
である。トランスデユーサは第2図(d)のフィルタバ
ンク状の中心周波数の異なるトランスデユーサ群である
。8は熱酸化膜3上に形成された多結晶シリコンから成
る抵抗である。
9は人出力トランスデューサ5,6下に設けられたp”
(n”)拡散領域で、入出力トランスデューサの効率を
向上させるために設けられたもめである。10はp (
n)型Siエピタキシャル層2に設けられたn型不純物
拡散領域群であり、13はp“(01″)拡散領域であ
り、’10,13によりpnダイオードアレイが構成さ
れている。
第10図に各チャンネルでの伝播路の詳細を示す。
n型拡散領域群10とp0型拡散領域群13はZnO圧
電薄膜層4下のp型Siエピタキシャル層2内に交互に
形成され、各々金属ライン11および14に接続されて
いる。n型拡散領域10に接続している金属ライン11
は多結晶シリコン抵抗8に接続している。金属ライン1
1.14は各々各チャンネルでのラインと一緒に別々の
電源へと通じている。12はチャンネル間のアイソレー
ションの役割を果たす、p”(n”)チャンネルストッ
プ拡散領域である。第10rI!IのようにZnO圧電
薄膜層4は各チャンネルのダイオードアレイ上の伝播部
分に存在し、ダイオードアレイの脇の部分ではZnO圧
電薄膜は取り除かれている。
第9図の素子の伝播路の部分は第10図に示した構造が
複数列並んで構成される。
前記構造を持つ装置は、以下のように動作する。
入出力トランスデューサは電極周期(SAWの波長に相
当)の異なるトランスデユーサを並列接続したフィルタ
バンク状の1〜ランスデユーサ(第2図(d)を参照)
から成る。電極周期は22μm〜26μmの21個のト
ランスデユーサの並列接続から成る。電極対数は入力側
が200対、出力側が15対であり、入力側の1−ラン
スデューサはSAWの電極内反射などの2次効果抑圧の
ため間引き電極構造を採用している。トランスデユーサ
の交叉幅は各々170μmである。
基板Si (110)カットで、p/p+構造を有し、
SAWの伝播方向は[1001方向である。
p型Siエピタキシャル層の膜厚は〜10μmで不純物
密度は約5.0X10140−3である。
Si熱酸化股の厚さは約10nm、ZnO圧電薄膜の厚
さは約〜5,0μmである。p型Siエピタキシャル層
の表面にPでドープしたn型不純物領域およびBで高濃
度にドープしたP4型拡散領域を設け、pnダイオード
を形成し、各チャンネルはBでドープしたp1型拡散領
域をチャンネルス1〜ツブとして設け、各チャンネルを
分離している。ZnO上のトランスデユーサゲートおよ
びダイオードバイアス制御ラインはAQで形成した。
また各チャンネル毎に多結晶シリコンによる抵抗〜IK
Ωを設けた。
ダイオ−1−バイアス制御用金属ラインはn型不純物と
多結晶Si抵抗IKΩを介して接続しているものと1.
+型拡散領域と接続しているものの2系統ある。pnダ
イオードはn型不純物拡散領域とP型S1エピタキシヤ
ル層間のp nダイオードとp型S1エピタキシヤル層
とn型の基板間のp J’lダイオードの二つが形成さ
れている。本発明で用いるpnダイオードは前者のもの
である。
n“型拡散領域とP型エピタキシャル層の間のpnダイ
オードは多結晶Si抵抗を介してバイアスされる。
第9図および第10図に示す装置も定性的には第3図お
よび第4図に示す装置と同様に動作し、ゲートバイアス
を一2Vとしたときの伝播路の相対的な減衰定数のダイ
オードバイアス依存性を第11図に、pn接合電圧と伝
播路のSΔWの電力の関係を第12図に示す。前に示し
た実施例に較べ、本実施例の構造の方が減衰量の変化幅
を大きくとれて、順バイアス時の損失も最小化できる。
本実施例は前実施例を更に改良したもので55AWの減
衰量を大きくとるために、P型の81工ピタキシヤル層
の厚さは独立に厚くできる。順バイアス時のキャリア密
度はシリコン表面に形成したダイオードアレイのp゛お
よびn”不純物拡散領域の間の距離を小さくすれば、エ
ピタキシャル層の厚みとは関連せず大きくすることが可
能となり、性能が向上する。
また、本実施例での81基板はp / n構成であった
が、p型車結晶基板でもよいし、p / p 4J成で
も良い。
[発明の効果コ 以」二説明した通り、本発明によれば、ダイオードのバ
イアス制御でノツチ特性を制御するため応答時間が極め
て速い、セルフバイアスを使った適応動作が可能で、周
辺回路を設けることなく非常に簡単な構成でアダプティ
ブノツチフィルタが実現でき、生産性、再現性に優れて
いる。狭シIF域の高レベル信号の数に制限はなく適応
して各チャンネル毎に独立に制御される、等の利点が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は適応ノツチフィルタの概念図、第2図は入力1
−ランスデューサの構成を示す平面図、第3図は本発明
の第1の実施例によるSAW装置の上面図および断面図
、第4図は第3図に示す装置のiチャンネルの伝播部の
詳細斜視図、第5図はノツチフィルタとしての周波数特
性図、第6図は周波数とチャンネルの関係を示す概念図
、第7図は第3図に示す装置のダイオードDCバイアス
電圧と減衰係数の関係を示すグラフ、第8図は第3図に
示す装置gの伝播路のSAW電力とダイオードアレイの
バイアス電圧の関係を示すグラフ、第9図は本発明の第
2の実施例による5AWyi置の一ヒ面図および断面図
、第10図は第9図に示す装置のiチャンネルの伝播部
の詳細斜視図、第11図は第9図に示す装置のpn接合
電圧と減衰係数の関係を示すグラフ、第12図は第9図
に示す装置の伝播路のSAW電力とpn接合電圧の関係
を示すグラフである。 1・・・・・・・・・ * (、、+ )またはn”(
p”)SL単結晶基板、 2・・・・・・・・ p(n
)型S1エピタキシャル層。 3・・・・・・・・シリコン酸化膜層、 4・・・・・
・・・ Zn○圧電薄膜層、 5・・・・・・・・・入
力トランスデューサ群、6・・・・・・・・・出力1−
ランスデューサ群、 7・・・・・・・・ゲート電極、
 8・・・・・・・・ダイオードバイアス制御用多結晶
S1抵抗1tl’、  9・・・・・・・・p”(n”
)拡散領域、10・・・・・・・・・n(p)型不純物
拡散領域(ダイオードアレイ)、 11.14  ・・
・・・・・ダイオードバイアス用金属ライン、 12・
・・・・・・・・ pゝ(n3)型チャンネルストップ
、 13・・・・・・・・・p0型不純物拡散領域(ダ
イオードアレイ)。 第2図 λ力トランスデz−q 構ボ乞示す上面ω (a) (b) (C) (d) 1;Po(d)型S1車信晶蓋板 4sZnOjEt簿腹1 5;λカトランスデエーサが 6;出カドランスデユーf詳 7;ゲート9糧 10: n(P)9L不摩LヤI家数七わ翫(夕°イ才
一部・了レイ)第4 図 チャンネルの仕櫂餐の詳細#1口 4;Zn○圧電簿WIN 80弛1ySi檻机 10; n(P)!!!下、UUli−JtED%−(
jイ才−)”−7レイ)11; 夕゛イ才一部・ハ′イ
アス用(゛1ライン第7図 D(:+(イ了ス?圧とEA衷14tの関佐伝梅のSA
W電力 1fI9 図 第11図 Pn#4′41圧と滅賃停数の関係 第12図 SAW電力とP6俸合電圧の関係 イ云諸鉗のSAWのQ刀

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) (a)第1導電型の半導体層、 (b)上記半導体層上方に積層された圧電体層、(c)
    該圧電体層表面に形成され、入力信号を空間的に周波数
    分類し、複数の弾性表面波伝播路を発生させる入力トラ
    ンスデューサ。 (d)上記圧電体層表面に形成され、上記入力トランス
    デューサとほぼ同じ特性を有する出力トランスデューサ
    、 (e)上記半導体層上に形成され、複数の弾性表面波伝
    播路上に各々設けられた弾性表面波の伝播路方向に梯子
    あるいは櫛状の第2導電型の拡散層から成るダイオード
    アレイ群、 (f)上記圧電体層表面であって、上記入出力トランス
    デューサ間の各伝播路に各々形成され、バイアス電圧を
    印加されるゲート電極群を含み、複数の弾性表面波の伝
    播路に各々設けられたダイオードアレイ群に、各々独立
    の抵抗群を介してバイアス電圧が印加されることを特徴
    とする弾性表面波装置。
  2. (2)上記第1導電型の半導体層が第1導電型の高不純
    物濃度の半導体基板の上に形成され、上記圧電体層が絶
    縁層を介して上記半導体層の上に設けられ、上記ダイオ
    ードアレイ群のバイアス印加に用いる抵抗が上記絶縁層
    上に形成された多結晶シリコンから成ることを特徴とす
    る請求項(1)に記載された弾性表面波装置。
  3. (3) (a)第1導電型の半導体層、 (b)上記半導体層上方に積層された圧電体層、(c)
    該圧電体層表面に形成され、入力信号を空間的に周波数
    分類し、複数の弾性表面波伝播路を発生させる入力トラ
    ンスデューサ。 (d)上記圧電体層表面に形成され、上記入力トランス
    デューサとほぼ同じ特性を有する出力トランスデューサ
    、 (e)上記半導体層表面の複数の弾性表面波伝播路上に
    各々形成され所定ピッチで形成された第2導電型不純物
    拡散領域群、 (f)該第2導電型不純物拡散領域群に挟さまれた上記
    半導体層表面の複数の弾性表面波伝播路上に各々設けら
    れ、上記ピッチとほぼ同ピッチで形成された第1導電型
    不純物拡散領域群。 (g)上記圧電体層表面であって、上記入出力トランス
    デューサ間の各伝播路に各々形成され。 バイアス電圧を印加されるゲート電極群 を含むことを特徴とする弾性表面波装置。
  4. (4) (a)第1導電型の半導体層、 (b)上記半導体層上方に積層された圧電体層、(c)
    該圧電体層表面に形成され、入力信号を空間的に周波数
    分類し、複数の弾性表面波伝播路を発生させる入力トラ
    ンスデューサ、 (d)上記圧電体層表面に形成され、上記入力トランス
    デューサとほぼ同じ特性を有する出力トランスデューサ
    、 (e)上記半導体層表面の複数の弾性表面波伝播路上に
    各々形成され、所定ピッチで形成された第2導電型不純
    物拡散領域群、 (f)該第2導電型不純物拡散領域群に挟さまれた上記
    半導体表面の複数の弾性表面波伝播路上に各々設けられ
    、上記ピッチとほぼ同ピッチで形成された第1導電型高
    濃度不純物拡散領域群。 (g)上記圧電体層表面であって、上記入出力トランス
    デューサ間の各伝播路に各々形成され、バイアス電圧を
    印加されるゲート電極群、 (h)複数の弾性表面波伝播路に各々設けられた上記第
    1導電型高濃度不純物拡散領域群の端部を各々接続し、
    ある基準電位に保つための制御ライン、 (i)複数の弾性表面波伝播路上に各々設けられた上記
    第2導電型高濃度不純物拡散領域群の端部を各々接続し
    、各伝播路に独立に設けられた抵抗を介して電源に接続
    するための抵抗群と制御ライン群 を含むことを特徴とする弾性表面波装置。
  5. (5)上記第1導電型の半導体層が第1導電型あるいは
    第2導電型の半導体基板の上に形成され、上記圧電体層
    が絶縁層を介して、上記半導体層上に設けられ、ダイオ
    ードアレイ群のバイアス印加に用いる抵抗群が上記絶縁
    層上に形成された多結晶シリコンから構成されているこ
    とを特徴とする請求項(3)又は(4)項記載の弾性表
    面波装置。
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GB8916172A GB2221588B (en) 1988-07-19 1989-07-14 Surface-acoustic-wave device
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010057163A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp 電圧制御調整可能周波数応答を持つマルチチャネル表面弾性波フィルタ素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229108A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置およびノッチフィルタ装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229108A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置およびノッチフィルタ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010057163A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp 電圧制御調整可能周波数応答を持つマルチチャネル表面弾性波フィルタ素子

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