JPH02106746A - Mask blank - Google Patents
Mask blankInfo
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- JPH02106746A JPH02106746A JP63259547A JP25954788A JPH02106746A JP H02106746 A JPH02106746 A JP H02106746A JP 63259547 A JP63259547 A JP 63259547A JP 25954788 A JP25954788 A JP 25954788A JP H02106746 A JPH02106746 A JP H02106746A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半4体集積回路の製造に用いられるフォ1−マ
スクの材料であるマスクブランクスに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a mask blank that is a material for a photo mask used in the manufacture of semi-quad integrated circuits.
(従来の技術)
従来からフォ1〜マスク(以下、マスクと略す)の材料
として、石英や低膨張ガラス等の基板上にクロムやモリ
ブデンシリサイドなどの遮光膜を形成したマスクブラン
クスが用いられている。この遮光膜は基板全面に形成さ
れている。このマスクブランクスの所定部以外の遮光膜
を除去することによりパターンが形成される。パターン
形成済みのマスク・レチクルは使用前に外観検査、パタ
ーン欠陥検査、素子寸法検査、パターン重ね合わせ検査
などの検査が行われ、合格したものだけが使用される。(Prior art) Mask blanks, in which a light-shielding film such as chromium or molybdenum silicide is formed on a substrate such as quartz or low-expansion glass, have traditionally been used as materials for photomasks (hereinafter abbreviated as masks). . This light shielding film is formed over the entire surface of the substrate. A pattern is formed by removing the light-shielding film from areas other than predetermined portions of the mask blank. Before use, patterned masks and reticles are subjected to inspections such as appearance inspection, pattern defect inspection, element dimension inspection, and pattern overlay inspection, and only those that pass are used.
上記検査は普通マスクをマスクホルダーに装着した後、
検査装置の移動ステージに搭載して行われる。ステージ
はX、Y方向に移動でき、かつ、マスクホルダーは回転
テーブル」−で回転できる構造になっている。」−記検
査を行う場合にはまず、マスクパターンのX方向のライ
ンとステジのX移動方向が一致するよう回転テーブルを
回転させて傾き(以下、0という)を調整する。The above inspection is performed after attaching the normal mask to the mask holder.
It is carried out by being mounted on the moving stage of the inspection device. The stage can be moved in the X and Y directions, and the mask holder can be rotated on a rotary table. When performing the above inspection, first, the rotary table is rotated to adjust the inclination (hereinafter referred to as 0) so that the X-direction line of the mask pattern and the X-movement direction of the stage match.
従来、上記0の調整はマスクパターンを用いて以下のよ
うに行っていた。スクライブライン又はX方向に長いラ
イン状のパターンが存在するマスクでは、まず顕微鏡の
視野中央の十字マークにスクライブラインを一致させる
。次にステージを右又は左に移動させ、パターンのずれ
る方向から回転方向を決め回転テーブルを回転させる。Conventionally, the above-mentioned 0 adjustment was performed using a mask pattern as follows. For a mask with a scribe line or a long linear pattern in the X direction, first align the scribe line with the cross mark at the center of the field of view of the microscope. Next, the stage is moved to the right or left, and the rotation direction is determined based on the direction in which the pattern shifts, and the rotary table is rotated.
再度、ステージを右又は左に移動させ、回転テーブルを
回転させてOを調整する。−ト記操作を繰り返しながら
パターンのずれがなくなるまでθを調整して、マスクパ
ターンのX方向のラインとステージの移動方向を正確に
一致させる。Move the stage to the right or left again and rotate the rotary table to adjust O. - While repeating the above operations, adjust θ until there is no pattern deviation, so that the line in the X direction of the mask pattern and the moving direction of the stage accurately match.
スクライブライン等の適当なパターンが存在しないマス
クでは、スクライブラインの代りにX座標は異なるがY
座標が同じ二つのパターンを用いて」1記と同様の操作
を行う。For masks that do not have a suitable pattern such as a scribe line, a Y coordinate is used instead of a scribe line, although the X coordinate is different.
Perform the same operation as in 1. using two patterns with the same coordinates.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、」−記従来のマスクブランクスはマスク
装着時のO方向のずれが大きい場合には、一方のパター
ンを顕微鏡の視野中央に一致させた後ステージを他方の
パターンの位置まで移動させようとしても、他方のパタ
ーンは顕微鏡の視野外に出てしまうので他方のパターン
を捜すことが難しく、0調整に時間がかかるという問題
点を有していた。(Problem to be Solved by the Invention) However, in conventional mask blanks, if there is a large deviation in the O direction when the mask is attached, after aligning one pattern with the center of the field of view of the microscope, the stage is moved to the other. Even if an attempt is made to move the pattern to the position of the other pattern, the other pattern will be out of the field of view of the microscope, making it difficult to search for the other pattern, resulting in the problem that zero adjustment takes time.
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、θ調
整を容易に行うことができるマスクブランクスを提供す
ることを目的とするものである。。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to provide a mask blank in which θ adjustment can be easily performed. .
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明のマスクブランクスは
ガラス基板」―に遮光膜が形成されていない領域を複数
個備えたものである、。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the mask blank of the present invention includes a glass substrate with a plurality of regions in which no light shielding film is formed.
(作 用)
したがって、本発明のマスクブランクスを用いて製作さ
れたマスク・レチクルでは、前記遮光膜が形成されてい
ない領域をO粗調用のパターンとして用いることにより
、0調整に適したマスクパターンが存在しない場合でも
、0調整の時間を短縮できるとともに同領域を乾板内の
位置座標のl」盛りとして用いることができる。(Function) Therefore, in the mask reticle manufactured using the mask blank of the present invention, by using the area where the light shielding film is not formed as a pattern for O coarse adjustment, a mask pattern suitable for O adjustment can be obtained. Even if it does not exist, the time for zero adjustment can be shortened and the same area can be used as a 1'' scale for the position coordinates in the dry plate.
(実施例)
第1図は本発明の一実施例のマスクブランクスの平面図
である。第1図において、1ないし4は各辺の中心に位
置し遮光膜が形成されていない領域であり、各々、長辺
の長さa、短辺の長さbの;3
長方形からなるパターンである。第2図は上記実施例の
O粗調整の方法を示す図、第3図はθ微調整の方法を示
す図である。第2図において、工ないし4は第1図の1
ないし4に対応しており、5および6はO粗調整時のマ
スク位置である。また第3図の7および8はO微調整に
用いるパターンである。(Example) FIG. 1 is a plan view of a mask blank according to an example of the present invention. In Fig. 1, 1 to 4 are areas located at the center of each side where no light shielding film is formed, and each is a pattern consisting of a rectangle with a long side length a and a short side length b. be. FIG. 2 is a diagram showing a method of coarse O adjustment in the above embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing a method of fine adjustment of θ. In Figure 2, 1 to 4 are 1 in Figure 1.
4 to 4, and 5 and 6 are mask positions at the time of O rough adjustment. Further, 7 and 8 in FIG. 3 are patterns used for O fine adjustment.
次に第1図に示したパターンを有するマスクブランクス
を用いて製作したマスクについて、θ粗調整および微調
整の方法について説明する。第2図において、まずステ
ージをマスク5の位置に移動して顕vIl鏡の視野中央
に左辺の長方形1の中心を一致させる。この位置はマス
ク乾板の左辺中央であるから容易に見出すことができる
。次にステージをX方向にマスク6の位置まで移動して
右辺の長方形の真下を視野中央にもってくる。この位置
はマスク乾板の右端であるから容易に見出すことができ
る。このとき長方形2は視野中央からhの高さにある。Next, methods for coarse and fine adjustment of θ will be described for a mask manufactured using a mask blank having the pattern shown in FIG. In FIG. 2, the stage is first moved to the position of the mask 5, and the center of the rectangle 1 on the left side is aligned with the center of the visual field of the microscope. This position can be easily found because it is in the center of the left side of the mask plate. Next, move the stage in the X direction to the position of the mask 6 to bring the area directly below the rectangle on the right side to the center of the field of view. This position can be easily found because it is at the right edge of the mask plate. At this time, the rectangle 2 is at a height h from the center of the field of view.
ここで、回転テーブルの回転中心がマスク中心にある場
合、回転テーブルをαだけ回転し長方形2をh/2の高
さに一致させれば粗調整は終了する。また、回転テーブ
ルの回転中心が左辺中央(長方形1の位置)にある場合
1回転テーブルをαだけ回転し長方形2の視野中央に一
致させれば粗調整は終了する。その後、第3図において
、θ微調整に用いるパターン7および8のようなY座標
が同じパターンを、前記従来の技術で説明したY座標が
同じ二つのパターンとみなし従来と同様な方法により微
調整を行う。Here, when the rotation center of the rotary table is at the center of the mask, the coarse adjustment is completed by rotating the rotary table by α and making the rectangle 2 match the height of h/2. Further, when the rotation center of the rotary table is at the center of the left side (the position of rectangle 1), the rough adjustment is completed by rotating the rotary table by α once and aligning it with the center of the field of view of rectangle 2. After that, in FIG. 3, patterns with the same Y coordinate such as patterns 7 and 8 used for θ fine adjustment are regarded as the two patterns with the same Y coordinate described in the prior art, and fine adjustments are made using the same method as in the prior art. I do.
上記のように、本実施例によればマスクブランクス自体
に形成したパターンをO調整に用いることにより、スク
ライブラインのようなO調整に適したパターンが存在し
ない場合でも、O調整を容易に行うことができ調整に要
する時間を短縮することができる。As described above, according to this embodiment, by using the pattern formed on the mask blank itself for O adjustment, it is possible to easily perform O adjustment even when a pattern suitable for O adjustment such as a scribe line does not exist. This can shorten the time required for adjustment.
また、上辺および下辺の遮光膜が形成されていない領域
(長方形パターン)3,4は、マスク乾板内の位置座標
の目盛りとして用いるものであるが、本発明の目的には
無くてもさしつかえない。Furthermore, the regions (rectangular patterns) 3 and 4 on the upper and lower sides where no light-shielding film is formed are used as scales for positional coordinates within the mask dry plate, but may be omitted for the purpose of the present invention.
なお、遮光膜が形成されていない領域1ないし4以外に
目盛りとして用いるため更に多数の遮光膜が形成されて
いない領域(長方形パターン)を形成してもよい。遮光
膜が形成されていない領域1ないし4のaおよびbの大
きさは、マスク乾板」−のパターン形成領域、検査装置
の顕微鏡の倍率、マスクホルダーの構造とマスク装着方
法などを考慮して決める。In addition, in addition to the regions 1 to 4 where no light shielding film is formed, many more regions (rectangular patterns) where no light shielding film is formed may be formed for use as scales. The sizes of a and b in areas 1 to 4 where the light-shielding film is not formed are determined by taking into consideration the pattern formation area of the mask dry plate, the magnification of the microscope of the inspection device, the structure of the mask holder, and the method of attaching the mask. .
(発明の効果)
ト記実施例より明らかなように、本発明のマスクブラン
クスはガラス基板]−に遮光膜が形成されない領域を有
し、当該領域を検査装置等のO粗調用パターンとして用
いることにより、O調整を容易に行うことができ調整時
間を短縮できるという効果を有する。また、マスク製作
時にθ調整用のパターン詮特別に形成する必要がないた
めマスク製作工数が増加しない効果を有する。(Effects of the Invention) As is clear from the Examples described above, the mask blank of the present invention has a region on the glass substrate where no light-shielding film is formed, and this region can be used as an O rough adjustment pattern for an inspection device, etc. This has the effect that the O adjustment can be easily performed and the adjustment time can be shortened. Furthermore, since there is no need to specially form a pattern for θ adjustment during mask production, there is an effect that the number of mask production steps does not increase.
なお、j−1,1,該領域をマスク・レチクル内のパタ
ーンに関する位置座標の目盛りとして利用できる。Note that the area j-1,1 can be used as a scale for position coordinates regarding the pattern within the mask reticle.
第1図は本発明の一実施例におけるマスクブランクスの
平面図、第2図は0粗調整の方法を示す図、第3図はO
微調整の方法を示す図である。
1.2,3.4 ・・遮光膜が形成されていない領域
(長方形パターン)、 5,6・・ O粗調整時のマス
クの位置、 7,8・・ θ微調整に用いるパターン。
特許出願人 松下電子工業株式会社FIG. 1 is a plan view of a mask blank according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a method for coarse zero adjustment, and FIG.
It is a figure which shows the method of fine adjustment. 1.2, 3.4...Region where no light shielding film is formed (rectangular pattern), 5,6... Mask position during O rough adjustment, 7,8... Pattern used for θ fine adjustment. Patent applicant Matsushita Electronics Co., Ltd.
Claims (2)
複数個有していることを特徴とするマスクブランクス。(1) A mask blank characterized by having a plurality of regions on a glass substrate where no light shielding film is formed.
数個の辺の中心に位置する長方形からなることを特徴と
する請求項(1)記載のマスクブランクス。(2) The mask blank according to claim (1), wherein the region where the light shielding film is not formed is a rectangle located at the center of the plurality of sides of the glass substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63259547A JPH02106746A (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Mask blank |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63259547A JPH02106746A (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Mask blank |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02106746A true JPH02106746A (en) | 1990-04-18 |
Family
ID=17335628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63259547A Pending JPH02106746A (en) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | Mask blank |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02106746A (en) |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63259547A patent/JPH02106746A/en active Pending
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