JPH02103927A - Manufacture of carbon film made into semiconductor - Google Patents
Manufacture of carbon film made into semiconductorInfo
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 10
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- AHOUBRCZNHFOSL-YOEHRIQHSA-N (+)-Casbol Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1[C@H]1[C@H](COC=2C=C3OCOC3=CC=2)CNCC1 AHOUBRCZNHFOSL-YOEHRIQHSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 2
- 101100145155 Escherichia phage lambda cIII gene Proteins 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100096650 Mus musculus Srms gene Proteins 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001494106 Stenotomus chrysops Species 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本考案は半導体化炭素薄膜の製造方法に関する。[Detailed description of the invention] A. Industrial application field The present invention relates to a method for manufacturing a semiconducting carbon thin film.
Ｂ 発明の概要
本発明は、スパッタ法により半導体薄膜を製造する方法
において、
グラファイトを第１のターゲットとし、リン化ガリウム
（ＰＧａ）を第２のターゲットとするダブルターゲット
方式を備えた真空室を用いることにより、
水素ガス反応性スパッド法による半導体化アモルファス
炭素薄膜を形成するものである。B. Summary of the Invention The present invention uses a vacuum chamber equipped with a double target system in which graphite is the first target and gallium phosphide (PGa) is the second target in a method for manufacturing semiconductor thin films by sputtering. In this way, a semiconducting amorphous carbon thin film is formed using a hydrogen gas reactive spud method.
Ｃ１従来の技術
近年、ブラダ７ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｕｒ Ｄｅｐ。C1 Conventional technology In recent years, bladder 7 CV D (Chemical Va
Pour Dep.
５ｉｔｉｏｎ）法や反応性スパッタ法などにより、ダン
グリングボンド数が少なく、抵抗の高い炭素薄膜が製造
できるようになった。Carbon thin films with a small number of dangling bonds and high resistance can now be manufactured using the 5tion) method and the reactive sputtering method.
そこで、一般の半導体と同様に、炭素薄膜を真性半導体
膜として、適当な不純物をドーピングして、ワイドギャ
ップ（Ｅｇ＝１．５ｅＶ以上）半導体として用いる事が
考えられる。Therefore, it is conceivable to use a carbon thin film as an intrinsic semiconductor film, doping it with appropriate impurities, and using it as a wide gap (Eg = 1.5 eV or more) semiconductor, as with general semiconductors.
プラズマＣＶＤ法で製造されるアモルファスンリコンの
場合、ジポラン（Ｂｄ−１６）やホスフィン（ＰＩ−１
，）がもちいられるが、主原料となるシラン（ＳｉＨ＋
）も含め、各々毒性の高いガスである。In the case of amorphous silicone manufactured by plasma CVD method, diporan (Bd-16) and phosphine (PI-1) are used.
) is used, but the main raw material silane (SiH+
) are highly toxic gases.
Ｄ０発明が解決しようとする課題
炭素薄膜の製造では、水素ガスやメタンガス、エタン系
が多く用いられており、ドーピングのために、ジボラン
やホスフィンを用いると１．新たに毒性の高いガスを導
入することとなる。また、ガスで導入する場合、ガス中
のドーパントの割合と薄膜中のドーパントの量とは一般
に同じでないという短所があった。D0 Problems to be Solved by the Invention In the production of carbon thin films, hydrogen gas, methane gas, and ethane gas are often used, and when diborane or phosphine is used for doping, 1. A new highly toxic gas will be introduced. Furthermore, when introducing a gas, there is a disadvantage that the proportion of the dopant in the gas and the amount of the dopant in the thin film are generally not the same.
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目
的は炭素源として固体のグラファイトを第１のターゲッ
トとし、必要とするドーパントあるいはこれを含む化合
物を第２のターゲットとしたスパッタ法に早拠する方法
により、ワイドギャップのアモルファス半導体化炭素薄
膜を得ることである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a sputtering method using solid graphite as a carbon source as a first target and a required dopant or a compound containing it as a second target. The objective is to obtain a wide-gap amorphous semiconducting carbon thin film using an advanced method.
Ｅ１課題を解決するだめの手段
本発明は上記目的を達成するために、真空室内に第１の
ターゲットとして膜の主成分となるグラファイトと第２
のターゲットとしてドーパント用のリン化ガリウムを収
設すると共に、前記真空室内に水素ガスを介在させ、前
記第１のターゲットと第２のターゲットに電力を供給し
て水素ガス反応性スパッタを行う。E1 Means for Solving the Problem In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides graphite, which is the main component of the film, as a first target and a second target in a vacuum chamber.
Gallium phosphide as a dopant is housed as a target, hydrogen gas is interposed in the vacuum chamber, and electric power is supplied to the first target and the second target to perform hydrogen gas reactive sputtering.
Ｆ、実施例
以下に本発明の実施例を第１図〜第５図を参照しながら
説明する。F. EXAMPLES Examples of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.
第１図は本発明の実施例による製造方法に用いる半導体
の薄膜作製装置を示し、Ｉは真空容器で真空室１ａを形
成する。真空容器ｌの一方の端部には独立に制御できる
第１のマグネトロン型ターゲットホルダ電極２ａと第２
のマグネトロン型ターゲットホルダ電極２ｂが真空室Ｉ
ａ内に向けて突設されており、第１のターゲットホルダ
電極２ａには第１のターゲット３ａが配設されていると
共に、第２のターゲットホルダ電極２ｂには第２のター
ゲット３ｂが配設されている。また、真空室ｌａ内の他
方の端部にはヒータ４を備えた基板ホルダー５が配設さ
れ、真空容器ｌの他方の端部には真空室１ａ内に向けて
電極ロッド６か突設されている。電極ロッド６には、第
１のターゲット３ａに対向させて第１の対向電極７ａか
取り付けられていると共に、第２のターゲット２ｂに対
向さＵ・て第２の対向電極７ｂが取り付けられている。FIG. 1 shows a semiconductor thin film manufacturing apparatus used in a manufacturing method according to an embodiment of the present invention, in which I is a vacuum container and forms a vacuum chamber 1a. At one end of the vacuum chamber l, a first magnetron type target holder electrode 2a and a second magnetron type target holder electrode 2a, which can be controlled independently,
The magnetron type target holder electrode 2b is in the vacuum chamber I.
The first target holder electrode 2a is provided with a first target 3a, and the second target holder electrode 2b is provided with a second target 3b. has been done. Further, a substrate holder 5 equipped with a heater 4 is disposed at the other end of the vacuum chamber la, and an electrode rod 6 is provided at the other end of the vacuum chamber l, protruding toward the inside of the vacuum chamber 1a. ing. A first counter electrode 7a is attached to the electrode rod 6 to face the first target 3a, and a second counter electrode 7b is attached to the electrode rod 6 to face the second target 2b. .
また、電極ロッド６には基板ボルダ−５と対向電極７ａ
、７ｂ間に位置させてプラズマ整流板８が取り付けられ
ていると共に、真空容器１の外側にはプラズマ閉じ込み
制御用の第１．第２のソレノイドコイル９ａ、９ｂが巻
装されている。なお、０は基板ボルダ−５に配設された
基板、１１はガス導入口、１２は排気口、１３ａは第１
の高周波電源、＋３ｂは第２の高周波電源である。Further, the electrode rod 6 includes a substrate boulder 5 and a counter electrode 7a.
, 7b, and a plasma rectifying plate 8 is attached to the outside of the vacuum vessel 1 for plasma confinement control. A second solenoid coil 9a, 9b is wound thereon. In addition, 0 is the substrate arranged in the substrate boulder 5, 11 is the gas inlet, 12 is the exhaust port, and 13a is the first
+3b is a second high frequency power source.
」−記構成の薄膜作製装置において、第１の高周波電源
１３ａと第２の高周波電源１３ｂからそれぞれ第１のタ
ーゲット３ａと第２のターゲラ）３ｂに電流を供給する
。しかして、それぞれ独立に制御できる２組のターゲッ
トホルダ電極と対向電極である第１のターゲットポルグ
ミ極２ａ、第２のターゲットホルダ電極２ｂおよび第１
のターゲット３ａ、第２のターゲット３ｂを備え、多成
分系に対応し易いものである。ＣＶＤ法に用いる場合は
第１．第２のターゲットボルダ電極２ａ、２ｂはアノー
ド？ｌ！極となり、第１．第２の対向電極７ａ７ｂはカ
ソード電極となる。基板ホルダー５が対向電極７ａと７
ｂの後方に設置され、電極間にたてられるプラズマに基
板ＩＯがさらされず、この基板１０のプラズマによるダ
メージが減少する。In the thin film manufacturing apparatus having the above configuration, current is supplied from the first high frequency power source 13a and the second high frequency power source 13b to the first target 3a and the second target 3b, respectively. Thus, two sets of target holder electrodes and opposing electrodes, which can be controlled independently, are the first target porgy electrode 2a, the second target holder electrode 2b, and the first target holder electrode.
The target 3a and the second target 3b are provided, and it is easily applicable to a multi-component system. When using the CVD method, the first method is used. Are the second target boulder electrodes 2a and 2b anodes? l! It becomes the pole, and the first. The second opposing electrode 7a7b becomes a cathode electrode. The substrate holder 5 holds opposing electrodes 7a and 7.
The substrate 10 is placed behind the substrate 10 so that the substrate 10 is not exposed to the plasma generated between the electrodes, thereby reducing damage to the substrate 10 caused by the plasma.
プラズマ整流板８は真空容器ｌの軸方向に可動になって
おり、プラズマ流を制御あるいは均質化することか出来
、必要に応じてシャッター、プラズマミックスチャ−、
プラズマ流コントローラとして作動し、プラズマの均質
化と制御を行う。また、プラズマ流を効率良く生じさせ
るために、基板ホルダー５の後方に排気口１０か設置さ
れており、真空室内に流れを生しさせ、成膜速度を向上
させる。さらに、真空室１ａの外側にプラズマ閉じ込め
制御用ソレノイド９ａ、９ｂが設けられているから、真
空室１ａの中心部にプラズマを閉じ込める磁場が生じ、
プラズマ流の密度を上げ成膜速度が向」二すると共に、
プラズマの拡散を抑止するから真空容器１の側壁からの
不純物混入が防止され、膜特性が向上する。The plasma rectifier plate 8 is movable in the axial direction of the vacuum vessel l, and can control or homogenize the plasma flow.
It acts as a plasma flow controller, homogenizing and controlling the plasma. Further, in order to efficiently generate a plasma flow, an exhaust port 10 is installed at the rear of the substrate holder 5 to generate a flow within the vacuum chamber and improve the film forming rate. Furthermore, since the plasma confinement control solenoids 9a and 9b are provided outside the vacuum chamber 1a, a magnetic field that confines the plasma is generated in the center of the vacuum chamber 1a.
Increasing the density of the plasma flow and increasing the deposition rate,
Since diffusion of plasma is suppressed, impurity intrusion from the side wall of the vacuum vessel 1 is prevented, and film characteristics are improved.
本発明は、炭素源として固体のグラファイトを第１のタ
ーゲットとし、必要とするドーパントあるいはこれを含
む化合物を第２のターゲットどし、−船釣なスパッタ法
に準拠する方法で、光学ギャップ１．８ｅＶ以上のワイ
ドギャップ半導体化アモルファス炭素薄膜を製造ケるら
のである。In the present invention, solid graphite is used as a carbon source as a first target, a necessary dopant or a compound containing it is used as a second target, and an optical gap 1. We are producing a wide gap semiconductor amorphous carbon thin film of 8 eV or more.
本発明の方法は、第１図に示すようないわゆるダブルタ
ーゲットの構造を備えた真空槽を持つスパッタ装置を用
いて、２つのターゲットを水素ガス（Ｈ，）により、各
々独立に制御された電力でスパッタし、任意の基板上に
半導体化アモルファス炭素薄膜を形成するものである。The method of the present invention uses a sputtering apparatus having a vacuum chamber with a so-called double target structure as shown in FIG. sputtering to form a semiconducting amorphous carbon thin film on any substrate.
以下に実施例により詳細を説明４−ろ。Details will be explained below with reference to Examples 4-2.
実例
第１図に示す装置の第１のターゲット３ａにグラファイ
トを、第２のターゲット３ｂにリン化ガリウム（ＧａＰ
）をセットし、基板ホルダー５１ニに基板１０をセット
した後、真空室Ｉａ内を１゜３３ Ｘ １０−’ （１
０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧し、水素ガス（Ｈｚ）を６７
Ｐａ （０，５Ｔｏｒｒ）まで導入する。Practical Example In the apparatus shown in FIG. 1, graphite is used as the first target 3a, and gallium phosphide (GaP
), and after setting the substrate 10 on the substrate holder 51, the inside of the vacuum chamber Ia is spaced 1°33 x 10-' (1
The pressure was reduced to 0-7 Torr) and the hydrogen gas (Hz) was
Introduce up to Pa (0.5 Torr).
槽内圧力（Ｐ＋＋＝）が安定した後、第１のターゲツト
３ａ用高周波（１３，５６ＭＨｚ）電力１を６８Ｗ／ｃ
π２、第２のターゲツト３ｂ用高周波電力２を０．６８
Ｗ／ｃＩＩＩ’に設定し、５時間スパッタした。After the pressure in the tank (P++=) has stabilized, the high frequency (13,56 MHz) power 1 for the first target 3a is increased to 68 W/c.
π2, high frequency power 2 for second target 3b is 0.68
The setting was set to W/cIII', and sputtering was performed for 5 hours.
上記実施例の方法によれば、Ｓｉ基板」二に形成された
膜のＳ Ｉ Ｍ Ｓ （Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ
Ｍａｓｓ ５ｐｅｃｔｒＯ８ｃＯｐＹ：二次イオン質量
分析法）の結果は第２図に示１通りであった。第２図か
ら明らかなように、Ｇａは検出されず、Ｐのみが検出さ
れた。これより、膜中に選択的にＰか取り込まれている
事は明らかである。According to the method of the above embodiment, the secondary ion (SIMS) of the film formed on the Si substrate is
The results of Mass 5pectrO8cOpY (secondary ion mass spectrometry) were as shown in FIG. As is clear from FIG. 2, Ga was not detected and only P was detected. From this, it is clear that P is selectively incorporated into the membrane.
第３図は、第２のターゲット３ｂの電力２を第１のター
ゲット３ａの電力ｌに対する割合として０％〜３００％
を変えた場合の光学バンドギャップＥｇｏと抵抗率ρの
変化を、示したらのである。FIG. 3 shows the ratio of the power 2 of the second target 3b to the power 1 of the first target 3a ranging from 0% to 300%.
We have shown the changes in the optical bandgap Ego and resistivity ρ when changing .
第３図から明らかなように、電力２が５０％以下では、
バンドギャップをほとんど変えずに抵抗率が下がってい
る結果より、Ｐはドナーとして炭素薄膜中に取り込まれ
たと考えられ、この膜はＮ型半導体化膜と言える。As is clear from Figure 3, when power 2 is below 50%,
From the result that the resistivity has decreased with almost no change in the band gap, it is considered that P is incorporated into the carbon thin film as a donor, and this film can be said to be an N-type semiconductor film.
第４図は、この時の膜中に含まれるＰ＠をＳｒＭＳによ
って検出した強度を比較したもので、この結果より電力
の制御によって膜中のＰｉｌがコントロールされ、第３
図に示したような抵抗率ρの変化を生じさせたことは明
らかである。また、第５図は電力２を電力１の１０％と
した場合の槽内圧力Ｐ＋＋ｔを１．３Ｐａから２６７Ｐ
ａまで変えた時の抵抗率ρとバンドギャップＥｇｏの変
化を示すものである。Figure 4 shows a comparison of the intensities detected by SrMS of P@ contained in the film. From this result, the Pil in the film is controlled by controlling the power, and the third
It is clear that the change in resistivity ρ as shown in the figure was caused. In addition, Figure 5 shows the tank pressure P++t from 1.3 Pa to 267 P when power 2 is 10% of power 1.
It shows the change in resistivity ρ and bandgap Ego when changing up to a.
以上のデータより、次のようなことが判明した。From the above data, the following was found.
（ａ）第３図に示すように、第１のターゲット３ａ（グ
ラファイト）に投入する電力Ｉに対するドーパント用の
第２のターゲット３ｂ （ＧａＰ）に投入する電力２の
割合は１％〜２００％が望ましい。(a) As shown in Fig. 3, the ratio of the power 2 input to the second target 3b (GaP) for dopant to the power I input to the first target 3a (graphite) is 1% to 200%. desirable.
電力２力’１％以下ではドーパントの効果はなく、３０
０％以上では、Ｅｇｏが１．８ｅＶ以下となって、ワイ
ドギャップ半導体とはなり得ず、好ましくない。There is no effect of the dopant when the power is less than 1%, and 30
If it is 0% or more, Ego will be 1.8 eV or less and it will not be possible to form a wide gap semiconductor, which is not preferable.
（ｂ）第５図に示すように、Ｐｕｔは１．３Ｐａから６
６５Ｐａが望ましい。(b) As shown in Figure 5, Put is 1.3 Pa to 6
65Pa is desirable.
Ｐ ｕｔｌ）’ ｌ 、 ３ Ｐ ａ以下ではＥｇｏが
１．８ｅＶ以下となり、６６５Ｐａ以上ではドーピング
効果がほとんど現れず好ましくない。P utl)' l , 3 Pa or less, Ego is 1.8 eV or less, and 665 Pa or more, the doping effect hardly appears, which is not preferable.
上述の実施例では第１図に示す真空室を持ったスパッタ
装置を用いたが、これに限定されるものではなく、炭素
源としてのグラファイトターゲットおよびドーパント用
ターゲットのダブルターゲット構造を有し各々独立に電
力制御ができるものであればよい。また、電力について
も、１３．５６ Ｍ Ｈｚに限定されるものではなく、
特に限定しない条件についても同様である。In the above embodiment, a sputtering apparatus having a vacuum chamber as shown in FIG. Any device that can control the power will suffice. Furthermore, power is not limited to 13.56 MHz,
The same applies to conditions that are not particularly limited.
Ｇ１発明の効果
本発明の製造方法によれば、炭素源としてグラファイト
を第１のターゲットとし、必要とするドーパントあるい
はこれを含む化合物を第２のターゲットとしたダブルタ
ーゲット方式を備えた真空室を用いた水素ガススパッタ
法によるものであるから、膜中ドーパントの濃度制御が
容易にして、ガス混合法よりも微量でドーピング効果か
あると共に、ホスフィンなどの毒性の高いガスを用いる
ことなくリン（Ｐ）がドーピングされた半導体化炭素薄
膜を得ることが出来る。G1 Effect of the Invention According to the manufacturing method of the present invention, a vacuum chamber equipped with a double target system is used, in which graphite is used as a carbon source as the first target, and a required dopant or a compound containing the same is used as the second target. Because it uses a hydrogen gas sputtering method, it is easy to control the concentration of dopant in the film, and it has a doping effect with a smaller amount than the gas mixing method. A semiconducting carbon thin film doped with can be obtained.
第１図は本発明の実施例による製造方法に用いる半導体
化薄膜作製装置の正面図、第２図はスパッタ時間に対す
る元素含有量の特性図、第３図は供給電力の割合に対す
る抵抗率と光学バンドギャップの特性図、第４図は膜中
Ｐａ度の電力依存性を示す特性図、第５図は真空室内の
圧力に対する抵抗率と光学バンドギャップの特性図であ
る。
１・・・真空容器、１ａ・・・真空室、２ａ・・・第１
のマグネトロン型ターゲットボルダ−電極、２ｂ・・・
第２のマグネトロン型ターゲット電極、３ａ・・・第１
のターゲット、３ｂ・第２のターゲット、５・・基板ホ
ルダー ６・・・電極ロッド、７ａ・・・第１の対向電
極、７ｂ・・・第２の対向電極、８・・プラズマ整流板
、９ａ・・・第１のソレノイド、９１〕・・・第２のソ
レノイド、ＩＯ・・基板、＋１・・ガス導入口、Ｉ２排
気口、１３ａ・・第１の高周波電源、１３ｂ・・・第２
の高周波電源。
外２名
１３ｂ−−−−−−７１Ｏ句′Ｐ１淡１七元第２図
ＳＩＭＳｌ、：よＳ」す灸ブロファ／ル第３図
電力Ａカ１
（＠／、）
第４図
護申Ｐ濃皮」亀用代荘ｌＹＬ
敗ｎ２／能力１
（０ム）
第５図
Ｈ２
（Ｔｏｒｒ ）Fig. 1 is a front view of a semiconductor thin film manufacturing apparatus used in the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, Fig. 2 is a characteristic diagram of element content versus sputtering time, and Fig. 3 is a graph showing resistivity versus optical power supply ratio. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the power dependence of the degree of Pa in the film, and FIG. 5 is a characteristic diagram of the resistivity and optical band gap with respect to the pressure in the vacuum chamber. 1... Vacuum container, 1a... Vacuum chamber, 2a... 1st
magnetron type target boulder electrode, 2b...
Second magnetron type target electrode, 3a...first
target, 3b, second target, 5...substrate holder, 6... electrode rod, 7a... first counter electrode, 7b... second counter electrode, 8... plasma rectifier plate, 9a ...first solenoid, 91]...second solenoid, IO...board, +1...gas inlet, I2 exhaust port, 13a...first high frequency power supply, 13b...second
high frequency power supply. Other 2 people 13b---71O clause' P1 Dan 1 Seventh element 2nd figure SIMSl, :yo S' moxibustion bropher/le 3rd electric power Aka 1 (@/,) 4th figure Goshin P Dark skin” Kameyodaisou lYL Defeat n2/Ability 1 (0mu) Figure 5 H2 (Torr)
Claims (5)
なるグラファイトと第２のターゲットとしてドーパント
用のリン化ガリウムを収設すると共に、前記真空室内に
水素ガスを介在させ、前記第１のターゲットと第２のタ
ーゲットに電力を供給して水素ガス反応性スパッタを行
うことを特徴とする半導体化炭素薄膜の製造方法。(1) Graphite, which is the main component of the film, is placed in a vacuum chamber as a first target, and gallium phosphide, which is a dopant, is placed in a second target, and hydrogen gas is interposed in the vacuum chamber. A method for producing a semiconducting carbon thin film, comprising performing hydrogen gas reactive sputtering by supplying power to a target and a second target.
記第２のターゲットに供給する第２の電力をそれぞれ独
立に制御することを特徴とする請求項第１項の半導体化
炭素薄膜の製造方法。(2) The semiconductor-ized carbon thin film according to claim 1, wherein the first power supplied to the first target and the second power supplied to the second target are each independently controlled. Production method.
する前記第２のターゲットに供給する電力の割合を変え
て膜中ドーパント量を制御することを特徴とする請求項
第２項の半導体化炭素薄膜の製造方法。(3) The semiconductor according to claim 2, characterized in that the amount of dopant in the film is controlled by changing the ratio of the power supplied to the second target to the first power supplied to the first target. Method for manufacturing carbon thin film.
〜２００％である請求項第３項の半導体化炭素薄膜の製
造方法。(4) The ratio of the second power to the first power is 1%
4. The method for producing a semiconducting carbon thin film according to claim 3, wherein the oxidation rate is 200%.
とすることを特徴とする請求項第１項ないし第４項の半
導体化炭素薄膜の製造方法。(5) The pressure in the vacuum chamber is 1.33 Pa to 665 Pa.
5. A method for producing a semiconducting carbon thin film according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25822088A JPH02103927A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Manufacture of carbon film made into semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25822088A JPH02103927A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Manufacture of carbon film made into semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103927A true JPH02103927A (en) | 1990-04-17 |
Family
ID=17317184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25822088A Pending JPH02103927A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Manufacture of carbon film made into semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103927A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731480B2 (en) | 2000-11-24 | 2004-05-04 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Protection circuit for field effect transistor |
| JP2007010563A (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Denso Corp | Abnormality detection device of inductive load |
| CN110777344A (en) * | 2019-11-11 | 2020-02-11 | 纳能镀膜丹阳有限公司 | Integrated preparation device for high-flux magnetron sputtering nano thin film device |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25822088A patent/JPH02103927A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731480B2 (en) | 2000-11-24 | 2004-05-04 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Protection circuit for field effect transistor |
| JP2007010563A (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Denso Corp | Abnormality detection device of inductive load |
| CN110777344A (en) * | 2019-11-11 | 2020-02-11 | 纳能镀膜丹阳有限公司 | Integrated preparation device for high-flux magnetron sputtering nano thin film device |
| CN110777344B (en) * | 2019-11-11 | 2021-07-06 | 纳能镀膜丹阳有限公司 | Integrated preparation device for high-flux magnetron sputtering nano thin film device |
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