JPH02103851A - イオン注入装置のための補整されたスキャン波形発生器 - Google Patents
イオン注入装置のための補整されたスキャン波形発生器Info
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- JPH02103851A JPH02103851A JP1139404A JP13940489A JPH02103851A JP H02103851 A JPH02103851 A JP H02103851A JP 1139404 A JP1139404 A JP 1139404A JP 13940489 A JP13940489 A JP 13940489A JP H02103851 A JPH02103851 A JP H02103851A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
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- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
-
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野、1
本発明はイオン注入装置において、静電的にスキャンさ
れたイオンビームの制御の分野に関し、特にスヘヤンさ
れたし一1\か原因のドーピンク分布の均一1′1を改
首するス°X−ヤン信号を発生させる/Sめσ]スス−
−へ・ン制御装置に関する。
れたイオンビームの制御の分野に関し、特にスヘヤンさ
れたし一1\か原因のドーピンク分布の均一1′1を改
首するス°X−ヤン信号を発生させる/Sめσ]スス−
−へ・ン制御装置に関する。
[1)゛を来技14:i ]
・イオンビームによるターケラI・金属及び゛IL導体
杓71の照射は、制(^11され)、:迅速な方法てそ
のよらな′内質の1・−ピンクを?−fうプこめのプロ
セスを提供する。このフ” 1mセスを達成する一一一
)の方法はイオン インアランチージョンとして知られ
ており、クーゲットの表面を横切る選択された二次元パ
ターン内で強度の制御されたイオンビームを静電的(こ
ス:”;: )−:ニンク(屈(斤)づ−る、ことを含
む。ターゲットに↓3Bつる結果としてのドーピンク集
中の均一性ζJ、−・般にスキャニング装置の「R要な
[1的である。
杓71の照射は、制(^11され)、:迅速な方法てそ
のよらな′内質の1・−ピンクを?−fうプこめのプロ
セスを提供する。このフ” 1mセスを達成する一一一
)の方法はイオン インアランチージョンとして知られ
ており、クーゲットの表面を横切る選択された二次元パ
ターン内で強度の制御されたイオンビームを静電的(こ
ス:”;: )−:ニンク(屈(斤)づ−る、ことを含
む。ターゲットに↓3Bつる結果としてのドーピンク集
中の均一性ζJ、−・般にスキャニング装置の「R要な
[1的である。
カー・な1・−ピンクを達成り−るために、イオンビー
ムかターゲラl−の平用面と交差する位置か時間ととも
(こ42形(、こ変1ヒする。1:うに、I;11ち、
ターゲラ1−面上の交点のj事度か−・定であるように
、静電的にビーノ\を屈折(スキヘン)することが概し
て望ゴしい。所望の均一・なI・−ピンクを達成するた
めの適L7J ’−Cスキー\−ンゴにりは、一般に三
角波形を11不正(iff整)することに、l:うて発
生させられる。
ムかターゲラl−の平用面と交差する位置か時間ととも
(こ42形(、こ変1ヒする。1:うに、I;11ち、
ターゲラ1−面上の交点のj事度か−・定であるように
、静電的にビーノ\を屈折(スキヘン)することが概し
て望ゴしい。所望の均一・なI・−ピンクを達成するた
めの適L7J ’−Cスキー\−ンゴにりは、一般に三
角波形を11不正(iff整)することに、l:うて発
生させられる。
tTIi整方法及び装置の一つの従来技術が、Turn
e「の米1月特3′[第、!1,283,631号に記
載されており、本発明の88受入に譲渡されている。も
う−一)の補整技術がMC(3uireの米rT!l!
Iテ訂第4.593200号に記載されており、それは
以下により詳しく述I\られている。
e「の米1月特3′[第、!1,283,631号に記
載されており、本発明の88受入に譲渡されている。も
う−一)の補整技術がMC(3uireの米rT!l!
Iテ訂第4.593200号に記載されており、それは
以下により詳しく述I\られている。
[発明の概要]
イオン インプランテーション装置内でイオンビーム\
をスキャニングするための装置が提供されるが、該装置
には三角電圧信号からv (t)= −d/c(t,1
−ぐ)の形状のスキャン電圧を発生させる手段を有する
。ここて、d及び(は定数であり、Cはゼ1コてない定
数である。ス;X・ヤン電圧はビーノ\をターゲット−
ヒてスキャンする一対の闘向電極に供給される。そのよ
うにして発生させられたスキャン電圧はビーノ\を静電
的に偏向させ、閤1スリ装置に関するターゲラ1への方
向を記述する様々なジオメ1−り一内で゛、下用なター
フット面とのイオンビー!、の交点の位置か時間と共に
線形的に変1ヒする。 スニX−\−ニンク装′li′
l°のニー)の実施例ては、スごマー\・ン′1シ圧を
発生させる手段が−に記電圧形状に多、TN近(J′)
をりえている。多係数の大きさを独立して311整する
ための手段か提供される。
をスキャニングするための装置が提供されるが、該装置
には三角電圧信号からv (t)= −d/c(t,1
−ぐ)の形状のスキャン電圧を発生させる手段を有する
。ここて、d及び(は定数であり、Cはゼ1コてない定
数である。ス;X・ヤン電圧はビーノ\をターゲット−
ヒてスキャンする一対の闘向電極に供給される。そのよ
うにして発生させられたスキャン電圧はビーノ\を静電
的に偏向させ、閤1スリ装置に関するターゲラ1への方
向を記述する様々なジオメ1−り一内で゛、下用なター
フット面とのイオンビー!、の交点の位置か時間と共に
線形的に変1ヒする。 スニX−\−ニンク装′li′
l°のニー)の実施例ては、スごマー\・ン′1シ圧を
発生させる手段が−に記電圧形状に多、TN近(J′)
をりえている。多係数の大きさを独立して311整する
ための手段か提供される。
本発明のスAA・ン装置ts: iJ: を既して第1
の列になつノこスニV、vニンク仮と第2の対にな−)
プこスキャニング板を有する2次元スキャニング装置に
用いられ、その対になった板によ−)で発生さU゛られ
た電場は直交している。本発明のスキャニング装置はス
キャニング装置によってスーVヤンされるターゲラ1〜
の方向に(!(存するいずれかの又(Jいずれの対にな
った(H向電峰と共に用いられても、にい。
の列になつノこスニV、vニンク仮と第2の対にな−)
プこスキャニング板を有する2次元スキャニング装置に
用いられ、その対になった板によ−)で発生さU゛られ
た電場は直交している。本発明のスキャニング装置はス
キャニング装置によってスーVヤンされるターゲラ1〜
の方向に(!(存するいずれかの又(Jいずれの対にな
った(H向電峰と共に用いられても、にい。
第1次近似に対1〜て、1.記スAヤニンク装置はスA
X−ンされたイオンし−ノ\のターゲットの平坦面との
交点の速度を一定にする。イオンソース、をスキャニン
グするための方法は既に記載したとおり、E角波形を有
する電圧信号を発生させるステップ及び三ft+電圧1
.τ号からv (t)= −cl −/ e (j −
1−()の形成のスキャン電J干を弓1き出すステラッ
パ(に二て、cl及び(は定数てあり、eはゼロでない
定数である。)を有□′山、更に、イオンソース\を銅
面するために一対の電極にそのスキャン電圧を供給する
ステップを有する。本発明のこれらの利点及びその他の
利点はり下に続く記載と図面とから明らかになるであろ
う。
X−ンされたイオンし−ノ\のターゲットの平坦面との
交点の速度を一定にする。イオンソース、をスキャニン
グするための方法は既に記載したとおり、E角波形を有
する電圧信号を発生させるステップ及び三ft+電圧1
.τ号からv (t)= −cl −/ e (j −
1−()の形成のスキャン電J干を弓1き出すステラッ
パ(に二て、cl及び(は定数てあり、eはゼロでない
定数である。)を有□′山、更に、イオンソース\を銅
面するために一対の電極にそのスキャン電圧を供給する
ステップを有する。本発明のこれらの利点及びその他の
利点はり下に続く記載と図面とから明らかになるであろ
う。
[実施例]
第1図ζJイオン・インブランデージョン装;〃1と関
連した本発明のスキャニング装置43を示している。イ
オン・イン1ランデ−ジョン装置1は高電圧ターミナル
2を有しており、それは’Rff!iにおいて高電圧電
源4によって大地に対して高い電位に保たれている。タ
ーミナル2は所望の種のイオンのビーl\を形成するの
に必要な装置を収容している。通常の実施では所望の秤
のガスフィートス1〜ツタが用いられる。ガス取り扱い
装置6から作られたソースガスがイオンソースに向けら
れる。
連した本発明のスキャニング装置43を示している。イ
オン・イン1ランデ−ジョン装置1は高電圧ターミナル
2を有しており、それは’Rff!iにおいて高電圧電
源4によって大地に対して高い電位に保たれている。タ
ーミナル2は所望の種のイオンのビーl\を形成するの
に必要な装置を収容している。通常の実施では所望の秤
のガスフィートス1〜ツタが用いられる。ガス取り扱い
装置6から作られたソースガスがイオンソースに向けら
れる。
典型的なイオンソースはイオン化放出を持続するために
電源10を必要とし、放出領域にわたって軸方向磁場を
インボースするために電源12を必要とし、良く限定さ
れた高電流イオンソース\の除人のノこめソースのアバ
ニチャの所に電場を形成するノごめに、上クストラクシ
:Yン電源14及びエクスI・ラタシ:々電極と1#、
l司するハーニニヤ(vcrnicr)1・1を・ビ
・“5yと止る。本発明にち−)と様/lなイオンソー
スとjl、に用いられても良い。例えは1.、、Vul
yの 11ΔLoan and ion 5ou
rce” Wiley刊nLt)rscienC(・
1978を参照されlごい。
電源10を必要とし、放出領域にわたって軸方向磁場を
インボースするために電源12を必要とし、良く限定さ
れた高電流イオンソース\の除人のノこめソースのアバ
ニチャの所に電場を形成するノごめに、上クストラクシ
:Yン電源14及びエクスI・ラタシ:々電極と1#、
l司するハーニニヤ(vcrnicr)1・1を・ビ
・“5yと止る。本発明にち−)と様/lなイオンソー
スとjl、に用いられても良い。例えは1.、、Vul
yの 11ΔLoan and ion 5ou
rce” Wiley刊nLt)rscienC(・
1978を参照されlごい。
・イオンソース8から’e fi!!リーるヒ一)\1
8はアナライリ′−・マクイ・ツ1へ20に、し−)て
運動星分伍される。電源22かマクネy+〜20を(X
J勢する。分子+iされたし−)\はアナライザー出[
」スリット24を通過し、次に加速器竹2Gを通過する
。ビーノ1はそこで高電圧ターミナル2から大地電位ま
でi:1意深く形成された電場”iJ配に出あう。当業
者には明らかなように、所望の画(象平面に空間エネル
キーfχ−点を作るために、力■・ラボール・トリブレ
ットした制御IIl装置34のような光学要素が用いら
れても良い。スキャニング電j■・は二組の静電偏向板
40及び/1 2 :I と4 2 t.+ にl(
給される。それらはそれぞれ作意にy及−びXと名けり
られ、ビームを画f象平面の所望の領域に向ける役目を
する。偏向板40に、J:って作られた電場は(扁向板
42a と4 2 1:l とによって作られた電場
と直交する。各(q白板に供給される波形と適切なスキ
ャニング・プログラムを作るためのそれらの同調はスキ
ヤニ〉′り装置7・13によって達成される。
8はアナライリ′−・マクイ・ツ1へ20に、し−)て
運動星分伍される。電源22かマクネy+〜20を(X
J勢する。分子+iされたし−)\はアナライザー出[
」スリット24を通過し、次に加速器竹2Gを通過する
。ビーノ1はそこで高電圧ターミナル2から大地電位ま
でi:1意深く形成された電場”iJ配に出あう。当業
者には明らかなように、所望の画(象平面に空間エネル
キーfχ−点を作るために、力■・ラボール・トリブレ
ットした制御IIl装置34のような光学要素が用いら
れても良い。スキャニング電j■・は二組の静電偏向板
40及び/1 2 :I と4 2 t.+ にl(
給される。それらはそれぞれ作意にy及−びXと名けり
られ、ビームを画f象平面の所望の領域に向ける役目を
する。偏向板40に、J:って作られた電場は(扁向板
42a と4 2 1:l とによって作られた電場
と直交する。各(q白板に供給される波形と適切なスキ
ャニング・プログラムを作るためのそれらの同調はスキ
ヤニ〉′り装置7・13によって達成される。
スキャニング装置43はスキャン制御装置80、スキャ
ン増幅器90及び一般的にDCオフセットネッI〜ワー
ク92を有している。通常、固定されたオフセフl−電
圧がネットワーク92がらスキャン増幅器00を介して
スキャンブレート4. 2 aと421〕に−+7えら
れ、t’l)止(即ち、スキャニング電圧の適用前の状
態。)ビーノ\がビーム軸線Bから固定角7−(a的に
7°)だ(−〕屈折させられている。
ン増幅器90及び一般的にDCオフセットネッI〜ワー
ク92を有している。通常、固定されたオフセフl−電
圧がネットワーク92がらスキャン増幅器00を介して
スキャンブレート4. 2 aと421〕に−+7えら
れ、t’l)止(即ち、スキャニング電圧の適用前の状
態。)ビーノ\がビーム軸線Bから固定角7−(a的に
7°)だ(−〕屈折させられている。
該角度は中性ビーム411(残留ガスとのチャージ交換
衝突から生じる。)をチャージされたビーム18から完
全に分離するのに十分な角度である。
衝突から生じる。)をチャージされたビーム18から完
全に分離するのに十分な角度である。
町u!i!△は静止オフセットビーム18°の軸線てあ
る。スキャニング装置80によって作られたXスキ■〕
・(屈折)′屯圧供・1りがオフセット電圧に重ね音わ
Uらノ!、る。
る。スキャニング装置80によって作られたXスキ■〕
・(屈折)′屯圧供・1りがオフセット電圧に重ね音わ
Uらノ!、る。
ターゲ、1・す、ンハ’l 6はビーノ\限定アバーヂ
ャ、ビーノ\監課及び統計装置36及びウエハーノ、(
板を貫空装置内に導入し、ターゲット面にその基板をj
lr:/\るための装置(I¥1示せず)を有する。
ャ、ビーノ\監課及び統計装置36及びウエハーノ、(
板を貫空装置内に導入し、ターゲット面にその基板をj
lr:/\るための装置(I¥1示せず)を有する。
4’j;空ポンピンク装置及び装置り)−j’、j空エ
ンへ々1か図示されていないが、当業者にはビームが横
1tliする碩f或1γ体が高真空に保たれることが理
解さhよう。
ンへ々1か図示されていないが、当業者にはビームが横
1tliする碩f或1γ体が高真空に保たれることが理
解さhよう。
商業面においてはイオン注入星の高い均一性が々−ゲン
1−ウェハーの全表面にわたって維持されること、及び
ウェハーlXの注入に要する時間が短い、二とか(イ)
めで重要である。
1−ウェハーの全表面にわたって維持されること、及び
ウェハーlXの注入に要する時間が短い、二とか(イ)
めで重要である。
第2 IN ij: X−スキA・ンプレー1−4.2
a及び421Iにlj、給されl:s ’、3圧■9
によ−)で角J<g Oな(′)屈折させられたイオン
ビーム2]を示ず。軸線[、]つ1バーの中心を通るち
のど仮定する。以下に続く第2図の分析では、オフセッ
ト電圧は0と1反定され、スニマへ−ニンク電圧■、が
X−−スA−ヤン′ブし−トにl(給され杜?°屈折さ
ぜられなビーム21−はXの位置てX軸線と交差する。
a及び421Iにlj、給されl:s ’、3圧■9
によ−)で角J<g Oな(′)屈折させられたイオン
ビーム2]を示ず。軸線[、]つ1バーの中心を通るち
のど仮定する。以下に続く第2図の分析では、オフセッ
ト電圧は0と1反定され、スニマへ−ニンク電圧■、が
X−−スA−ヤン′ブし−トにl(給され杜?°屈折さ
ぜられなビーム21−はXの位置てX軸線と交差する。
ターゲットウェハー−rはヒ一)、軸線Bに垂直であり
X軸線はターゲラ1− Tの平面S上に有る。’1’
1tlllt線(第2図には示されていない。)はX軸
線とビーム軸線Bとに垂直であり、それらの交点を通る
。
X軸線はターゲラ1− Tの平面S上に有る。’1’
1tlllt線(第2図には示されていない。)はX軸
線とビーム軸線Bとに垂直であり、それらの交点を通る
。
従来技術で良く知られており、また第2図から分かるよ
うに、 (+) tan O= x/L である。ここで
、Lζ4スキャンプレートの中心からターゲラ1〜1゛
まての距離である。
うに、 (+) tan O= x/L である。ここで
、Lζ4スキャンプレートの中心からターゲラ1〜1゛
まての距離である。
第1次近似に対して次のこともよく知られている。
(2) Vx ?l<o tan Oここで、1(
。は定数である。例えば、A、Zhi[!arev、
”ElectronOpt+cs and E 1
ecLron−B L!arn Devicesll
(N 、ULkinによりロシャ詔かt)翻訳されてい
る。)Ml「Pul+1isl+ers、Mo5cou
+、(:l+apLCr 5 、 DeNect
i。
。は定数である。例えば、A、Zhi[!arev、
”ElectronOpt+cs and E 1
ecLron−B L!arn Devicesll
(N 、ULkinによりロシャ詔かt)翻訳されてい
る。)Ml「Pul+1isl+ers、Mo5cou
+、(:l+apLCr 5 、 DeNect
i。
n S ysl、cms、 r+p、31.6〜327
を参照されたい。この文献は釡考のなめに木明細書中に
組み入れられている。方程式(2)■フリンAンクフィ
ール1へ(fr目1RB reildr、)のために非
線形効果は′?膚に入れない。
を参照されたい。この文献は釡考のなめに木明細書中に
組み入れられている。方程式(2)■フリンAンクフィ
ール1へ(fr目1RB reildr、)のために非
線形効果は′?膚に入れない。
J1稈式(t)及び(2)から、
(3) x−Lv、 、・’k。か導かれる。言い換
えると、屈折さぜられなイオンヒー1、のX座(票は屈
折電圧V、によって線形的に変(ヒする。Ij’flっ
て、\−軸綿に沿った・fオンビーノ\の交点の速度は
rI X/z、] 1. = (L、/]<Jd
vx /d t である。
えると、屈折さぜられなイオンヒー1、のX座(票は屈
折電圧V、によって線形的に変(ヒする。Ij’flっ
て、\−軸綿に沿った・fオンビーノ\の交点の速度は
rI X/z、] 1. = (L、/]<Jd
vx /d t である。
1J゛(っで、ある時間v、、(t;)−αL (αは
定数)にわたって三角波形の一部である場合、d x
/ dl、−L(χ7・′川り1.はその時間中一定で
ある。
定数)にわたって三角波形の一部である場合、d x
/ dl、−L(χ7・′川り1.はその時間中一定で
ある。
従って、第2図に示された形状については第1次JIi
(t)、にダLするl′iff當は全く・z・要ない。
(t)、にダLするl′iff當は全く・z・要ない。
上記の関係は従来1々術において良く知られているが、
幾−)かのスキャン制御装置は明らかに非l′iIi整
三角電圧か時間間1eにわたって−・定σ〕角速度cl
O,/ (I t (こ−てrl v 、、’ CI
1; ?cx i′l静止ビームに垂直なターゲラ
I・とのイオンビームの交点の一定速度グ)代わりであ
る。)を生じるという仮定のうえに設旧されている。M
c(’、:uirc、 Ill 、 Ll 、S 、P
ut、cnl、 N 。
幾−)かのスキャン制御装置は明らかに非l′iIi整
三角電圧か時間間1eにわたって−・定σ〕角速度cl
O,/ (I t (こ−てrl v 、、’ CI
1; ?cx i′l静止ビームに垂直なターゲラ
I・とのイオンビームの交点の一定速度グ)代わりであ
る。)を生じるという仮定のうえに設旧されている。M
c(’、:uirc、 Ill 、 Ll 、S 、P
ut、cnl、 N 。
ti 、 593 、200を参照されたい。このよう
な制御装置は幾つかの装置においては正確な結果をもた
らさなかった。
な制御装置は幾つかの装置においては正確な結果をもた
らさなかった。
多くの応用において、ターケラ1へ1の表面Sがビーム
軸線13に関して固定角度φ傾(すられること(即ち、
Y軸線のまわりに固定角度φて開店される。)か望まし
い。第3図はY軸線に関し固定角度φて回転されられる
表面Sを示している。夕〜ゲントの中心は原点にあると
仮定されている。
軸線13に関して固定角度φ傾(すられること(即ち、
Y軸線のまわりに固定角度φて開店される。)か望まし
い。第3図はY軸線に関し固定角度φて回転されられる
表面Sを示している。夕〜ゲントの中心は原点にあると
仮定されている。
般に、φは20°よりも小さい傾斜角であるが、第3図
には明瞭にづるためにφをがなり大きく示しである。φ
はまた以下の誘導が正確に成され、1iIi整されfS
波ノF3がインバータ(図示せず)によって逆にされる
ような幾つかび)場き、負の値をとっても良い。ターゲ
ットの均一な注入を確実にするためには、プトート42
a及び42L)に供給される10四電圧が10向された
ビーム21をZ軸線(Z軸線はX及びI3軸線によって
Iff(定される平面内で表面Sにif7って沖びてい
る。)に沿って一定の速度で進むようにすることか望ま
しい。一定の速度を得るために求めr’Hr4e木偏向
電圧の形状は、L?J下に導き出される。
には明瞭にづるためにφをがなり大きく示しである。φ
はまた以下の誘導が正確に成され、1iIi整されfS
波ノF3がインバータ(図示せず)によって逆にされる
ような幾つかび)場き、負の値をとっても良い。ターゲ
ットの均一な注入を確実にするためには、プトート42
a及び42L)に供給される10四電圧が10向された
ビーム21をZ軸線(Z軸線はX及びI3軸線によって
Iff(定される平面内で表面Sにif7って沖びてい
る。)に沿って一定の速度で進むようにすることか望ま
しい。一定の速度を得るために求めr’Hr4e木偏向
電圧の形状は、L?J下に導き出される。
第3図、19次のようになる、
(t) 1.an O″ x 、’ 1.−。
(4)!旧10− ε+、 、′L+ :二、二て
1−)は、ピノ\2]とX軸線との交点からX軸線l\
の垂直線分の長さである。
1−)は、ピノ\2]とX軸線との交点からX軸線l\
の垂直線分の長さである。
(5) t、nn 4)= にl 7/(X
a、 ) 及び(6) cn!;φ =(x
−;1)、/zこれt、の関係から、ZとXとの関係は
以下のjこうに導き出される。
a、 ) 及び(6) cn!;φ =(x
−;1)、/zこれt、の関係から、ZとXとの関係は
以下のjこうに導き出される。
方程式(5)を書き換えて、
(7) 1.+ = (x −a )tan
φH(’7式くイ)かt)a = l:l jan
(Fl を方程式(7ンに代入・J−ると、 (8) h −−(x−1r1.aI+ 0)
tan φを1!)る。方程式<8)を1−1につい
て解いて、(9) l:+ i x tan
φ/ (t−1−tan φtan e )を得
る。方程式(4)を2しに−)いて解いて、(t0)
;l τ l:+ 1.an 0を得る。方程式(
E’t’l’ら1〕の値を方程式(t0)に代入して、 (t1) ;+ = X Lan O
tan φ/(]、]+an θ tanφ)を得
る。方程式(6)をZに−)いて解くと、(t2)
z−(x−a、)/cosφが導かれる。方程式(t1
)からaの値を方程式(t2)に代入して、 (+3) y、 = (X/Co!E
φ ) (t1ean e tanφ/ (t
+ tan e tan φ))を得る。
φH(’7式くイ)かt)a = l:l jan
(Fl を方程式(7ンに代入・J−ると、 (8) h −−(x−1r1.aI+ 0)
tan φを1!)る。方程式<8)を1−1につい
て解いて、(9) l:+ i x tan
φ/ (t−1−tan φtan e )を得
る。方程式(4)を2しに−)いて解いて、(t0)
;l τ l:+ 1.an 0を得る。方程式(
E’t’l’ら1〕の値を方程式(t0)に代入して、 (t1) ;+ = X Lan O
tan φ/(]、]+an θ tanφ)を得
る。方程式(6)をZに−)いて解くと、(t2)
z−(x−a、)/cosφが導かれる。方程式(t1
)からaの値を方程式(t2)に代入して、 (+3) y、 = (X/Co!E
φ ) (t1ean e tanφ/ (t
+ tan e tan φ))を得る。
tan ()−x、/I−(方程式(t))を用い、方
程式(t3)に代入して簡単にすると、 z = (X/c03φ)/ (]、 + (x /
L )La11φ) 又は、 (Iイ) z = a+x/(t−t−1:]+
x) ここで、al −1/cos φ、b+ =
(t/L)tanφである。
程式(t3)に代入して簡単にすると、 z = (X/c03φ)/ (]、 + (x /
L )La11φ) 又は、 (Iイ) z = a+x/(t−t−1:]+
x) ここで、al −1/cos φ、b+ =
(t/L)tanφである。
電圧v = kX 、には定数(方程式3を参照
。)であるので。
。)であるので。
(t5) z = a2/(t+lll2V)こ
こで、a2及び1〕、は定数。
こで、a2及び1〕、は定数。
をfl)る。
方程jl:(t5)をVて(成分すると、(t6)
(lz、/llv = a、/(t+1)、v)2ヒ
ーl、のX軸線との交点での速度が一定、即ち、(IZ
、・′+、lj =1)(一定)と1.て、求める電圧
関数v (t)かlj) 4.れる。
(lz、/llv = a、/(t+1)、v)2ヒ
ーl、のX軸線との交点での速度が一定、即ち、(IZ
、・′+、lj =1)(一定)と1.て、求める電圧
関数v (t)かlj) 4.れる。
(、l;+、/cl 1.− (lz/ clv・(
lv/ (、I L = p よりIv、’clL
= p・clv/(lz = p<1十l:l 2 V
) 27”’ ;12又(J、 (t7) ;12(lv/p(] −]+−1:+2
v2 = dlJj程式(t7)を1て稍分して、 (t8) vat) −−1,’l+ 、
n 2/l:l 、J−+(tl−C: )
ここて、0は積分定 数である。
lv/ (、I L = p よりIv、’clL
= p・clv/(lz = p<1十l:l 2 V
) 27”’ ;12又(J、 (t7) ;12(lv/p(] −]+−1:+2
v2 = dlJj程式(t7)を1て稍分して、 (t8) vat) −−1,’l+ 、
n 2/l:l 、J−+(tl−C: )
ここて、0は積分定 数である。
この方程式(J、
(t9) \7(L) =−cl−e、/(t+c)
こにて、(t及び(・1〕定数出あり、Qはゼロて
ない定数である。
こにて、(t及び(・1〕定数出あり、Qはゼロて
ない定数である。
スキャン制陣1(置80ζ」三角波形から上記波形を有
するスキャニング電圧を発生させる。
するスキャニング電圧を発生させる。
第3図に示された形状には、Xプレー1〜42こしと4
21.)及びターゲラ1−の中心を通るB軸線に供給さ
hる一定のオフセラ1へ電圧は全くない。
21.)及びターゲラ1−の中心を通るB軸線に供給さ
hる一定のオフセラ1へ電圧は全くない。
第11図では、一定のオフセット電圧か一定のオフセッ
ト角7・を41=しさせ、ターゲット1゛はオフセラ)
−ビームの軸線Δがターゲット′Fの中心を通るように
X軸線に沿って移動させられる。第2図に関する」二記
と同様の分析は、三角波形電圧に番4補整の必要がなく
、表面Sに沿ったビーム21の交点の一定の速度を得る
ためにオフセット電圧に重ね&わせられる。
ト角7・を41=しさせ、ターゲット1゛はオフセラ)
−ビームの軸線Δがターゲット′Fの中心を通るように
X軸線に沿って移動させられる。第2図に関する」二記
と同様の分析は、三角波形電圧に番4補整の必要がなく
、表面Sに沿ったビーム21の交点の一定の速度を得る
ためにオフセット電圧に重ね&わせられる。
第51図はスギャン制御装置43の一つの実施例である
。スギャン制御装置43はスキャン制御器80、Xスキ
ャン増幅器90 aとY、7.キャン増幅器90 bと
からなるスキャン増幅器90及びL)Cオフセット・ネ
ットワーク92を有する。
。スギャン制御装置43はスキャン制御器80、Xスキ
ャン増幅器90 aとY、7.キャン増幅器90 bと
からなるスキャン増幅器90及びL)Cオフセット・ネ
ットワーク92を有する。
スキャンff1l+御器80は一つの3 M Hz水晶
発j言器を有し、その方形波出力信号は周波数分割器8
4aに送られ、該周波数分割器の187.5 K Hz
の出力信シ3か周波数分;φI器841−+と8/1c
へ送らIしる。周波数分Fi’l器84 c:の1.
OJ、 91(y、の方形波出力信々が積分器■1に−
1)えられる。該F(分器は本発明のl/レシプロカル
・インバース)・ファンクシ:Tンネットワーク70に
!iえられる10 ]、 ’−) l(zの三角波形を
発生させる。
発j言器を有し、その方形波出力信号は周波数分割器8
4aに送られ、該周波数分割器の187.5 K Hz
の出力信シ3か周波数分;φI器841−+と8/1c
へ送らIしる。周波数分Fi’l器84 c:の1.
OJ、 91(y、の方形波出力信々が積分器■1に−
1)えられる。該F(分器は本発明のl/レシプロカル
・インバース)・ファンクシ:Tンネットワーク70に
!iえられる10 ]、 ’−) l(zの三角波形を
発生させる。
同様に周波数分割器84 l)から1. ]、 7.2
1(Zの方形波出力信号が積分器I、にIjえちれる。
1(Zの方形波出力信号が積分器I、にIjえちれる。
該積分器はtl、7.2Hzの三角波形をレジ11フカ
ル(インバース)・フ7・ンクジョンネットワーク70
に与える。1ン、下に説明する。Lうに積分器I、と出
力増幅器861)との間のレシプロカル・ファンクショ
ン発生1iii 7 (+は光学−1−のもので装置の
形態に依存する。トジブI7カル・ファンクション発生
器70の出力1J1すは出カスデージ増幅器80 aと
861.+に1テえられる。該増幅器はXスキャン信号
とYスギャンfr5−’jを各々出力ノード88 aと
88 bとにjy、える。
ル(インバース)・フ7・ンクジョンネットワーク70
に与える。1ン、下に説明する。Lうに積分器I、と出
力増幅器861)との間のレシプロカル・ファンクショ
ン発生1iii 7 (+は光学−1−のもので装置の
形態に依存する。トジブI7カル・ファンクション発生
器70の出力1J1すは出カスデージ増幅器80 aと
861.+に1テえられる。該増幅器はXスキャン信号
とYスギャンfr5−’jを各々出力ノード88 aと
88 bとにjy、える。
ノート88.1のXスキャン電圧信号はスキャン増幅器
Q O+tのインハープインク総和器94F1にjxら
れ、そドソ旧〕オフセ・ソl〜ネッ1−ワーク92によ
っ’Ctj’; If;さhる一定のDCオフセット電
圧に加えらズしる(オフセ・ソl−電圧はオフセット角
7・を−)くる(第]1′71参照))。逆にされノこ
これらの信号の和がインハープインク増幅器94(tに
送られる。
Q O+tのインハープインク総和器94F1にjxら
れ、そドソ旧〕オフセ・ソl〜ネッ1−ワーク92によ
っ’Ctj’; If;さhる一定のDCオフセット電
圧に加えらズしる(オフセ・ソl−電圧はオフセット角
7・を−)くる(第]1′71参照))。逆にされノこ
これらの信号の和がインハープインク増幅器94(tに
送られる。
増幅器94X1と94 <Iの出方信号は各々高電圧増
幅器1−1 、及び14.に1jえら)t、次にX偏向
板42XI及び’I 21’、+にり、えられる。
幅器1−1 、及び14.に1jえら)t、次にX偏向
板42XI及び’I 21’、+にり、えられる。
同イ菜C,二ノード88111..のY2スキャン?t
tj上がインバーデイン′り増幅器’:) 41.、+
に供給される。該増幅器の出力信号はインバーディング
増幅器9/−1(・に供給される。インバーチインク増
幅器94I)及び9 /l r)、の出力信号は各々高
電圧増幅器H、及びIf、を介し”Cy II向版4
fJ ;l及t)’ /J、 OI:>に供#l’iさ
ノする。
tj上がインバーデイン′り増幅器’:) 41.、+
に供給される。該増幅器の出力信号はインバーディング
増幅器9/−1(・に供給される。インバーチインク増
幅器94I)及び9 /l r)、の出力信号は各々高
電圧増幅器H、及びIf、を介し”Cy II向版4
fJ ;l及t)’ /J、 OI:>に供#l’iさ
ノする。
第61」は不発明のレシプロカル・ファンクシi1ン
イ・ツトワーク70を示している。、ノード7ユの積分
器■1がらの出カ信刊(第5図参照。)はV8口) −
−m Lの1tt状を存している。に二で、[1目セ[
7て(tない定数である。v + (+:、 )は抵抗
器々、及びI?2及び可4抵抗h R,1,) 、 を
存する減衰器回路網5に対して人ツノ信号としての役割
りをする。R,If 、の鎖目手動てセットしても良い
し、制御7H々置(し1示すず)に、L−)でセラ1〜
されても良い。
イ・ツトワーク70を示している。、ノード7ユの積分
器■1がらの出カ信刊(第5図参照。)はV8口) −
−m Lの1tt状を存している。に二で、[1目セ[
7て(tない定数である。v + (+:、 )は抵抗
器々、及びI?2及び可4抵抗h R,1,) 、 を
存する減衰器回路網5に対して人ツノ信号としての役割
りをする。R,If 、の鎖目手動てセットしても良い
し、制御7H々置(し1示すず)に、L−)でセラ1〜
されても良い。
1シ1(哀器凹h’3 Jln 5の出力1;i号V2
(L)はノート9にrlも給され、” 2 (’; )
=−I:、+ rn 1=の形状を右する。
(L)はノート9にrlも給され、” 2 (’; )
=−I:、+ rn 1=の形状を右する。
ノート9[の信号は抵抗器1(3がらR6及びインハー
プインク増幅器11 、 を有するインバーチインク及
び総I’ll林11(、こ11(給される。抵抗器R1
,11、及びI−(!、 c’)値は笠りい。−1ポル
トのl) +i:電圧が総[11器11の入力端子15
に供給される。ノート々1−の総I’ll器]]の出力
信−リはv3(t、)J11Ii111の形成をイjし
1、アナ々り分周器13のX人力に1!(、給さ)しろ
。
プインク増幅器11 、 を有するインバーチインク及
び総I’ll林11(、こ11(給される。抵抗器R1
,11、及びI−(!、 c’)値は笠りい。−1ポル
トのl) +i:電圧が総[11器11の入力端子15
に供給される。ノート々1−の総I’ll器]]の出力
信−リはv3(t、)J11Ii111の形成をイjし
1、アナ々り分周器13のX人力に1!(、給さ)しろ
。
アナ々り分周器]3は例えばAnnlo)(Drvic
csrlに、L−)で製造されるアナ々グ分周器ΔD
53 /1て、l:い。7′−ノ・々り分周p、:r
1Bの伝達関数は、方程テ(テ( v−、n+で−81”(72−−Zl、−/XlX7)
l v て定義さiする。1 ′、pこて、S l?は換算係数
であり、10に等しい。端子X、は接地り0ポルト)さ
れているので、第6図には示されていない。第6し1に
示されているように、+1ホルl−及び−10ポルトの
一定電圧が各々アナ々り分周器13の人力であるZ、及
びy 、に供給さズしる。従って、ノード19上のアナ
ログ分周器13の出力電圧は、V((t)= 10/
(t+bmt) 10てり、えられる。ノード19上
の信号はインバーチインク増幅器回路網33に供給され
る。該回路網は抵抗器R7及びR9及び増幅器(t1の
出力と増幅器+13のインバーテイング入力端子との間
のフィードバック抵抗器R6を有する。ノード23上の
イン/<−ティンク増幅器回路網33の出力信号は、V
s (t、)= 1.O−10/<1+bmt)で
与えられる。この後者の信号は前記のAD5B11ても
、しいアナログ分周器25の入力Z2として働・ぐ。可
変電圧101〕がアナログ分周器25の入−,11x
、にイ1(給され、y1人力は接地されている。
csrlに、L−)で製造されるアナ々グ分周器ΔD
53 /1て、l:い。7′−ノ・々り分周p、:r
1Bの伝達関数は、方程テ(テ( v−、n+で−81”(72−−Zl、−/XlX7)
l v て定義さiする。1 ′、pこて、S l?は換算係数
であり、10に等しい。端子X、は接地り0ポルト)さ
れているので、第6図には示されていない。第6し1に
示されているように、+1ホルl−及び−10ポルトの
一定電圧が各々アナ々り分周器13の人力であるZ、及
びy 、に供給さズしる。従って、ノード19上のアナ
ログ分周器13の出力電圧は、V((t)= 10/
(t+bmt) 10てり、えられる。ノード19上
の信号はインバーチインク増幅器回路網33に供給され
る。該回路網は抵抗器R7及びR9及び増幅器(t1の
出力と増幅器+13のインバーテイング入力端子との間
のフィードバック抵抗器R6を有する。ノード23上の
イン/<−ティンク増幅器回路網33の出力信号は、V
s (t、)= 1.O−10/<1+bmt)で
与えられる。この後者の信号は前記のAD5B11ても
、しいアナログ分周器25の入力Z2として働・ぐ。可
変電圧101〕がアナログ分周器25の入−,11x
、にイ1(給され、y1人力は接地されている。
可変電圧10L)は可変抵抗器R+) 2及び抵抗器1
’!10を有する減衰器回路網27によって供給される
。1−10ポルl−グl D C電圧が減衰器回路網2
7の入力ノード3つに供給される。
’!10を有する減衰器回路網27によって供給される
。1−10ポルl−グl D C電圧が減衰器回路網2
7の入力ノード3つに供給される。
出力電圧は、
V o (i、) −1,/l+ 1l−1
,、’(t+bmt))てある。、二にで、t −0の
とき、v o (t) ’−0である。
,、’(t+bmt))てある。、二にで、t −0の
とき、v o (t) ’−0である。
−に記の分析において、積分器11の出力信号がv、
(t、) = −+口tの形を有することか仮定され
ている。三角関数発生器の出力信号が−1−rnLの形
を有するときは、出力電圧は、 vo(L) =l/′I〕f 1−1./(]、−bm
t)1て々.えられる。
(t、) = −+口tの形を有することか仮定され
ている。三角関数発生器の出力信号が−1−rnLの形
を有するときは、出力電圧は、 vo(L) =l/′I〕f 1−1./(]、−bm
t)1て々.えられる。
いり゛れの場なも出力電圧はv(L)=−d−e7、/
(シ1−C)の形をしており、方程式(t9)によって
求められている。
(シ1−C)の形をしており、方程式(t9)によって
求められている。
第6図に示されたしシブ■7カル・ファンクション・ネ
ットワークは、スキャンビーl\とZ軸線とグ)交点の
速度が一定であるようにするXスキャン電圧を発生ずる
問題に正確な解(」−記の分析モテルにちと1′いプき
もの。)をIj−えるが、本発明の曲の実施例も正確な
解に近々1<ことができる。
ットワークは、スキャンビーl\とZ軸線とグ)交点の
速度が一定であるようにするXスキャン電圧を発生ずる
問題に正確な解(」−記の分析モテルにちと1′いプき
もの。)をIj−えるが、本発明の曲の実施例も正確な
解に近々1<ことができる。
方程式(t9)のv(L)に関する表現(Jべき級数に
ル開てきるのて、角了は)7・ンクシミ1ン・ネ・ント
ワク70゛を使用して近似できる。該ファンクション・
ネットワーク70′の出力信号は方程式(t9)グ)〜
・(t)の表現に近jlJ、する多項式である。
ル開てきるのて、角了は)7・ンクシミ1ン・ネ・ント
ワク70゛を使用して近似できる。該ファンクション・
ネットワーク70′の出力信号は方程式(t9)グ)〜
・(t)の表現に近jlJ、する多項式である。
多項式関数発生器70′を用いる最も簡jjjな近fl
フ1回路が第7図に示された実施例によって提供される
。第7図に」3いて積分器II(第5図)は■(t,)
= mt (ここで、川はゼ々ではない定数。)の形
のノート5 <、)−hに三角波形を提供する。この波
形は可変抵抗器R1−)をイJする可変減衰器51に(
jli給される。ノード63十、の出力電圧63はV。
フ1回路が第7図に示された実施例によって提供される
。第7図に」3いて積分器II(第5図)は■(t,)
= mt (ここで、川はゼ々ではない定数。)の形
のノート5 <、)−hに三角波形を提供する。この波
形は可変抵抗器R1−)をイJする可変減衰器51に(
jli給される。ノード63十、の出力電圧63はV。
(t、 ) = tt m tの形を有し、増幅器1
16、抵抗器R1,及び等しい値の抵抗器R,,、R,
,4と■マ、。
16、抵抗器R1,及び等しい値の抵抗器R,,、R,
,4と■マ、。
とを有するインバーディング総和器53に供給される。
2ノード65」二の総和器53の出力信号はV:l (
t)−1,−1,:zn L、の形を有する。この信号
は角波Ir′5の積分器■1の出力信号と共にマルチプ
ライヤ55に1共給さjL剋。マルチプライヤノート(
、 O J二にv + ( L ) = m t
−b m 2t 2 の形の出力信号を与える。この
後者の信号は、抵抗器Rja 、 R,□,R16及び
増幅器しj8を有するインバーチインク増幅器57に供
給される。ノード73十の増幅器57の出力電圧はV。
t)−1,−1,:zn L、の形を有する。この信号
は角波Ir′5の積分器■1の出力信号と共にマルチプ
ライヤ55に1共給さjL剋。マルチプライヤノート(
、 O J二にv + ( L ) = m t
−b m 2t 2 の形の出力信号を与える。この
後者の信号は、抵抗器Rja 、 R,□,R16及び
増幅器しj8を有するインバーチインク増幅器57に供
給される。ノード73十の増幅器57の出力電圧はV。
(t)−1:+ m ’ 1. ’ −m tの形を有
する。二次の項の係数はこのように減衰器のセ・ソティ
ング値R l:lによって法定さjL、それに比例する
。係数すは次に、多項式■。(シ)が方程式(t9)の
レシプロカル・ファンクジコンに近似するように調整さ
れる。もし望むなtつ、その係数は1・−バント分布の
二次の非均一性のための部分的補整をするように経験的
に調整されてもよい。
する。二次の項の係数はこのように減衰器のセ・ソティ
ング値R l:lによって法定さjL、それに比例する
。係数すは次に、多項式■。(シ)が方程式(t9)の
レシプロカル・ファンクジコンに近似するように調整さ
れる。もし望むなtつ、その係数は1・−バント分布の
二次の非均一性のための部分的補整をするように経験的
に調整されてもよい。
方形近11スを提(j(する波形発生(社)か第8図に
示された回路70″によー)てt78供される。第8図
に示された回路において、三角波形発生器■,の出カイ
言号v 1( L ) −− m t. (ここでIl
lはぜ口てはない定数。)がノー1−トj1」−て可変
抵抗器R.を有4−るn1変減衰冊75に提[11,さ
れろ。ノートN2Jニの減衰器7 5−&3櫂:j)信
号は、V7.(t)= −=tm(、の形を有する。ノ
ードN2での信号はインバーチインク総和器77への一
つの人力として働く。
示された回路70″によー)てt78供される。第8図
に示された回路において、三角波形発生器■,の出カイ
言号v 1( L ) −− m t. (ここでIl
lはぜ口てはない定数。)がノー1−トj1」−て可変
抵抗器R.を有4−るn1変減衰冊75に提[11,さ
れろ。ノートN2Jニの減衰器7 5−&3櫂:j)信
号は、V7.(t)= −=tm(、の形を有する。ノ
ードN2での信号はインバーチインク総和器77への一
つの人力として働く。
該総和器は増幅器IJ 、、及び等しい値の抵抗器R。
。、R2,及びR22をイ1する。可変抵抗器R5を有
する可変減衰器ネットワーク83が、ノードN6のとこ
ろでインバーテイング総和器77に電圧すを供給する。
する可変減衰器ネットワーク83が、ノードN6のとこ
ろでインバーテイング総和器77に電圧すを供給する。
ノードN,での総和器77の出力はv v ( t.
) −一1) −1− a m tの形を有し、マルチ
プライヤ79への一つの入力として働く。マルチプライ
ヤ79への池の人力は、積分器11の出力f言号である
。ノードN,でのマルチプライヤ7の出カイ言号はした
がってVl (t.) = bmt−aIn2−の形を
有する。ノードN,での信号はインバーチインク総和器
81に一すえられる。該総和器もまた入力ノード87て
一1ポル■・のDC電圧を受ける。インバーテイング総
和器81は抵抗器Rzo 、 Rs2. R.tt 、
増幅器L112及びフィードバック抵抗器R:ll を
有する。総和器81の出力信りはv, (l:、) −
1−−−1+m1+a.rn2↑2の形を有する。
) −一1) −1− a m tの形を有し、マルチ
プライヤ79への一つの入力として働く。マルチプライ
ヤ79への池の人力は、積分器11の出力f言号である
。ノードN,でのマルチプライヤ7の出カイ言号はした
がってVl (t.) = bmt−aIn2−の形を
有する。ノードN,での信号はインバーチインク総和器
81に一すえられる。該総和器もまた入力ノード87て
一1ポル■・のDC電圧を受ける。インバーテイング総
和器81は抵抗器Rzo 、 Rs2. R.tt 、
増幅器L112及びフィードバック抵抗器R:ll を
有する。総和器81の出力信りはv, (l:、) −
1−−−1+m1+a.rn2↑2の形を有する。
この後者の侶弄は積分器■1の出力信号と共にマルチプ
ライヤ85に与えられる。
ライヤ85に与えられる。
ノード89でのマルチプライヤ85の出力信号は、VO
(t)= −atn’t’ +bm2t2−mtの形を
有する。可変減衰器75及び83が独立して出力信号の
二次及び三次の係数を制御することが分かる。係数は減
衰器のセット値R8及びRbに比例する。これらの係数
はIn を中の方形多項式が方程式(t9)の関数に近
似するように調整されてもよい。
(t)= −atn’t’ +bm2t2−mtの形を
有する。可変減衰器75及び83が独立して出力信号の
二次及び三次の係数を制御することが分かる。係数は減
衰器のセット値R8及びRbに比例する。これらの係数
はIn を中の方形多項式が方程式(t9)の関数に近
似するように調整されてもよい。
もし望むなら、より高次の多項式近似をもならず回路が
用いられてもよいわ 第3及び4図に示されたターゲットは該ターゲットをX
、111#線に関して回転することにより傾斜させら
れてはいないので、積分器■2からのXスキャン三角波
形を補整する必要がない。この場合には、積分器I、の
出力は直接、出力増幅器ステージ86bに供給される。
用いられてもよいわ 第3及び4図に示されたターゲットは該ターゲットをX
、111#線に関して回転することにより傾斜させら
れてはいないので、積分器■2からのXスキャン三角波
形を補整する必要がない。この場合には、積分器I、の
出力は直接、出力増幅器ステージ86bに供給される。
Xスキャンプレートに供給される三角電圧波形とXスキ
ャンプレートに供給される第6図σ】実施例によって作
られる波形との組み合わぜは欠−ゲットSの平坦面に沿
うスキャンビームの交点の速度を一定にする。ここで、
Sは第3図に示されるようにY軸線に関する回転によっ
て炉層させられている。
ャンプレートに供給される第6図σ】実施例によって作
られる波形との組み合わぜは欠−ゲットSの平坦面に沿
うスキャンビームの交点の速度を一定にする。ここで、
Sは第3図に示されるようにY軸線に関する回転によっ
て炉層させられている。
もし、第2図に示されたターゲットTが第2図に示した
ビーム軸線Bに直角な位置がらX軸線に関して角度ζだ
け回転することにより傾斜させられているならば、(図
示せず)そのときは第6図のレシプロカル・ファンクシ
ョン発生器がXスキャン・プレー1−に用いられ、Xス
キャン・プレートにjjえられる三角波形にはいかなる
補整も必要とぜず、スキャン・プレートを駆動する得ら
れた波形は、傾斜されたターゲットSの平坦面に沿った
ビームの交点の一定速度をもならす。
ビーム軸線Bに直角な位置がらX軸線に関して角度ζだ
け回転することにより傾斜させられているならば、(図
示せず)そのときは第6図のレシプロカル・ファンクシ
ョン発生器がXスキャン・プレー1−に用いられ、Xス
キャン・プレートにjjえられる三角波形にはいかなる
補整も必要とぜず、スキャン・プレートを駆動する得ら
れた波形は、傾斜されたターゲットSの平坦面に沿った
ビームの交点の一定速度をもならす。
もし、第3図のターゲットTがZ軸線に関して固定角ζ
(図示せず)で回転させられるなら、第6図のレシプロ
カル・スキャン発生器7oはターゲラ1−Tの二次元表
面S上でスキャンされたビームの交点の一定速度を得る
ために、Xスキャン・プレート及びy7.キャン・プレ
ートの双方に用いられる。
(図示せず)で回転させられるなら、第6図のレシプロ
カル・スキャン発生器7oはターゲラ1−Tの二次元表
面S上でスキャンされたビームの交点の一定速度を得る
ために、Xスキャン・プレート及びy7.キャン・プレ
ートの双方に用いられる。
補整回路70.70’及び70″はまた可変減衰器のセ
ツティング値及び注入量の改善された均−付をもならず
ために経験的に定められた補整をされた波形の極性につ
いて既に論じた総ての桁成に用いてもよく、飛的分析の
困難な非均一性の補整をかのうにする。
ツティング値及び注入量の改善された均−付をもならず
ために経験的に定められた補整をされた波形の極性につ
いて既に論じた総ての桁成に用いてもよく、飛的分析の
困難な非均一性の補整をかのうにする。
」−記の実施例は説明のためのものであり、限定をする
ものではない。また、上記の開示により、多くの代用が
可能であることが当業者には明らがであろう。
ものではない。また、上記の開示により、多くの代用が
可能であることが当業者には明らがであろう。
第1図はイオン・インプランテーション装置1に於ける
本発明のスキャニング装置43を示す。 第2図は、Xスキャンプレート42a及び421ノに供
給された電圧VXによって角度θだけ屈折されてターゲ
ットTに進むイオンビーム21を示ず。 第3図はターゲット′「の表面Sが固定角φだけ傾斜(
回転)したものを示す。 第4図はオフセラ二ド」ビームの軸線Aがターゲット]
゛の中心を通るように、X軸線に沿って離して置かれた
ターゲットTを示す。 第5図は第1図に示したスキャン制御装置43の一実施
例である。 第6図は本発明のレシプロカル・ファンクション・ネッ
トワークの一実施例である。 第7図は、第6図に示したレシプロカル・ファンクショ
ン・ネットワークの出力信号に近似する多項関数を発生
させるための近似回路を示す。 第81vlは近似回路であって、その出力が第6図に示
したレシプロカル・ファンクション発生器に方形近似を
与えるものを示す。 [主要符号の説明コ 1 ]、、53.77.81.94a、94b、94c
、94d・・・インバーテイング総和器43.80・・
・スキャン制御装置 T0.70’ 、70″・・・レシプロカル・ファンク
ション・ネットワーク T、、I2・・・積分器 手続補正書く方式)
本発明のスキャニング装置43を示す。 第2図は、Xスキャンプレート42a及び421ノに供
給された電圧VXによって角度θだけ屈折されてターゲ
ットTに進むイオンビーム21を示ず。 第3図はターゲット′「の表面Sが固定角φだけ傾斜(
回転)したものを示す。 第4図はオフセラ二ド」ビームの軸線Aがターゲット]
゛の中心を通るように、X軸線に沿って離して置かれた
ターゲットTを示す。 第5図は第1図に示したスキャン制御装置43の一実施
例である。 第6図は本発明のレシプロカル・ファンクション・ネッ
トワークの一実施例である。 第7図は、第6図に示したレシプロカル・ファンクショ
ン・ネットワークの出力信号に近似する多項関数を発生
させるための近似回路を示す。 第81vlは近似回路であって、その出力が第6図に示
したレシプロカル・ファンクション発生器に方形近似を
与えるものを示す。 [主要符号の説明コ 1 ]、、53.77.81.94a、94b、94c
、94d・・・インバーテイング総和器43.80・・
・スキャン制御装置 T0.70’ 、70″・・・レシプロカル・ファンク
ション・ネットワーク T、、I2・・・積分器 手続補正書く方式)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、イオンビームをスキャニングするための装置であっ
て:三角波形を有する電圧信号を発生させるための手段
;前記電圧信号から v(t)=−d−e/(t+c)(d及びcは定数、e
はゼロでない定数) の形を有する第1スキャン電圧信号v(t)を引き出す
ための手段;及び、 前記スキャン電圧を前記イオンビームを屈折させるため
の第1の対になった電極に供給するための手段、とから
なる装置。 2、更に、前記電圧信号から v_2(t)=−d_2−e_2/(t+c_2) (d_2とc_2は定数、e_2はゼロでない定数) の形を有する第2スキャン電圧信号を引き出すための手
段;及び、前記第2スキャン電圧を前記イオンビームを
屈折させるための第2の対になった電極に供給するため
の手段とからなり、前記第1の対になった電極により生
じる電場が前記第2の対になった電極により生じる電場
と直交する、請求項1記載のイオンビームをスキャニン
グするための装置。 3、スキャン電圧を引き出すための前記手段が、アナロ
グ分周器からなるところの、請求項1記載のイオンビー
ムをスキャニングするための装置。 4、イオンビームをスキャニングするための装置であっ
て:三角波形を有する電圧信号s(t)を発生させるた
めの手段;前記電圧信号から、a_0+a_1_S(t
)+a_2(s(t)^2)の形のs(t)の二次の多
項式であるスキャン電圧信号を引き出すための手段;及
び、前記スキャン電圧信号を前記イオンビームを屈折さ
せるための第1の対になった電極に供給するための手段
、とからなる装置。 5、イオンビームをスキャニングするための装置であっ
て:三角波形を有する電圧信号s(t)を発生させるた
めの手段;前記電圧信号から、a_0+a_1_s(t
)+・・・+a_N(s(t)^N)であって、Nが2
以上の整数であるs(t)のN次の多項式であるスキャ
ン電圧信号を引き出すための手段;前記多項式の前記係
数の各々を前記多項式の他のいかなる前記係数の調整と
も独立して、その幅の調整をするための手段;及び、前
記スキャン電圧信号を前記イオンビームを屈折させるた
めの第1の対になつた電極に供給するための手段、とか
らなる装置。 6、イオンビームをスキャニングするための方法であっ
て:三角波形を有する電圧信号を発生させるステップ;
前記電圧信号から v(t)=−d−e/(t+c) (d及びcは定数、eはゼロでない定数) の形を有するスキャン電圧信号を引き出すステップ;及
び、前記スキャン電圧信号を前記イオンビームを屈折さ
せるための第1の対になった電極に供給するためのステ
ップ、とからなる方法。 7、イオンビームをスキャニングするための方法であつ
て:三角波形を有する電圧信号s(t)を発生させるス
テップ;前記電圧信号から、a_0+a_1_s(t)
+・・・+a_N(s(t)^N)の形を有するs(t
)のN次の多項式であスキャン電圧信号を引き出すステ
ップ; v(t)=−d−e/(t+c) の形の関数に近似させるために、前記多項式の前記係数
を調整するステップ;及び、前記スキャン電圧信号を前
記イオンビームを屈折させるための第1の対になった電
極に供給するためのステップ、とからなる方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202,748 | 1988-06-03 | ||
US07/202,748 US4851693A (en) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Compensated scan wave form generator for ion implantation equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02103851A true JPH02103851A (ja) | 1990-04-16 |
JP2875282B2 JP2875282B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=22751099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1139404A Expired - Fee Related JP2875282B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-06-02 | イオン注入装置のための補整されたスキャン波形発生器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4851693A (ja) |
EP (1) | EP0344918B1 (ja) |
JP (1) | JP2875282B2 (ja) |
KR (1) | KR0142431B1 (ja) |
DE (1) | DE68911593T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014232671A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社Sen | 高エネルギーイオン注入装置 |
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---|---|---|---|---|
JPH078300B2 (ja) * | 1988-06-21 | 1995-02-01 | 三菱電機株式会社 | 荷電粒子ビームの照射装置 |
DE3935408A1 (de) * | 1989-10-24 | 1991-04-25 | Siemens Ag | Metallionenquelle |
NL9000822A (nl) * | 1990-04-09 | 1991-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor bestraling van een object met een geladen deeltjesbundel en inrichting voor uitvoering van de werkwijze. |
JP2969788B2 (ja) * | 1990-05-17 | 1999-11-02 | 日新電機株式会社 | イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置 |
JP3034009B2 (ja) * | 1990-10-22 | 2000-04-17 | 株式会社日立製作所 | イオン打込み装置 |
US5418378A (en) * | 1994-03-14 | 1995-05-23 | Advanced Micro Devices | Ion implant device with modulated scan output |
US5801488A (en) * | 1996-02-29 | 1998-09-01 | Nissin Electric Co., Ltd. | Variable energy radio-frequency type charged particle accelerator |
US6075249A (en) * | 1998-06-19 | 2000-06-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam |
JP3414337B2 (ja) * | 1999-11-12 | 2003-06-09 | 日新電機株式会社 | 電磁界レンズの制御方法およびイオン注入装置 |
JP4374487B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-12-02 | 株式会社Sen | イオン源装置およびそのクリーニング最適化方法 |
US6903350B1 (en) | 2004-06-10 | 2005-06-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity |
JP2006019048A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Toshiba Corp | イオン注入装置および半導体装置の製造方法 |
EP1956630A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Achromatic mass separator |
US8071964B2 (en) | 2008-05-01 | 2011-12-06 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of performing uniform dose implantation under adverse conditions |
US8080814B2 (en) * | 2010-03-04 | 2011-12-20 | Axcelis Technologies Inc. | Method for improving implant uniformity during photoresist outgassing |
JP6161571B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2017-07-12 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3932817A (en) * | 1974-03-28 | 1976-01-13 | Rogers Edwin J | High voltage triangular waveform generator |
US4013262A (en) * | 1974-12-13 | 1977-03-22 | Varian Associates | Rotary apparatus for moving workpieces through treatment beam with controlled angle of orientation and ion implanter incorporating such apparatus |
US4144579A (en) * | 1977-07-25 | 1979-03-13 | Rca Corporation | Arithmetic synthesizer frequency generation with reduced phase jitter |
US4283631A (en) * | 1980-02-22 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Bean scanning and method of use for ion implantation |
US4593200A (en) * | 1984-03-06 | 1986-06-03 | Mcguire Iii Edward L | Scan controller for ion implanter device |
-
1988
- 1988-06-03 US US07/202,748 patent/US4851693A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-03 EP EP89304431A patent/EP0344918B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-03 DE DE89304431T patent/DE68911593T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-31 KR KR1019890007382A patent/KR0142431B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-02 JP JP1139404A patent/JP2875282B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014232671A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社Sen | 高エネルギーイオン注入装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP0344918B1 (en) | 1993-12-22 |
US4851693A (en) | 1989-07-25 |
JP2875282B2 (ja) | 1999-03-31 |
KR0142431B1 (ko) | 1998-07-15 |
KR900000987A (ko) | 1990-01-31 |
EP0344918A1 (en) | 1989-12-06 |
DE68911593T2 (de) | 1994-04-14 |
DE68911593D1 (de) | 1994-02-03 |
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