JPH02101438A - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
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- JPH02101438A JPH02101438A JP25512088A JP25512088A JPH02101438A JP H02101438 A JPH02101438 A JP H02101438A JP 25512088 A JP25512088 A JP 25512088A JP 25512088 A JP25512088 A JP 25512088A JP H02101438 A JPH02101438 A JP H02101438A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コヒーレント光を利用する光情報処理分野、
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
および短波長レーザ光源に関するものである。
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
および短波長レーザ光源に関するものである。
従来の技術
第６図に従来の光波長変換素子の構成図を示す。
以下０．８４μｍの波長の基本波に対する高調波発生（
波長０．４２μｍ）について図を用いて詳しく述べる。
波長０．４２μｍ）について図を用いて詳しく述べる。
［Ｔ、Ｔａｎ１ｕｃｈｌ ａｎｄ Ｋ、Ｙａｍ
ａｍｏｔｏ、 ”５ｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｌｃ
ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ
ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｉｎｐｒｏｔｏｎ−ｅＸｃｈａｎ
ｇｅａ ＬＩＮｂＯａ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕ
ｉｄｅ”。
ａｍｏｔｏ、 ”５ｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｌｃ
ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ
ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｉｎｐｒｏｔｏｎ−ｅＸｃｈａｎ
ｇｅａ ＬＩＮｂＯａ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕ
ｉｄｅ”。
シーエルイーオ（ＣＬＥＯ） ’８［ｉ、 １ｌＲ３，
１９８ｆｔ年、参照コＬｉＮｂＯ５基板１に形成された
埋め込み型光導波路２の入射面５に半導体レーザからの
基本波Ｐ１の光を入射すると、基本波の導波モードの実
効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折率Ｎ２が等しくなるよ
うな条件が満足されるとき、光導波路２からＬＩＮｂ０
３基板！内に基板波内２の光が効率良く放射され、光波
長変換素子として動作する。
１９８ｆｔ年、参照コＬｉＮｂＯ５基板１に形成された
埋め込み型光導波路２の入射面５に半導体レーザからの
基本波Ｐ１の光を入射すると、基本波の導波モードの実
効屈折率Ｎ１と高調波の実効屈折率Ｎ２が等しくなるよ
うな条件が満足されるとき、光導波路２からＬＩＮｂ０
３基板！内に基板波内２の光が効率良く放射され、光波
長変換素子として動作する。
このような従来の光波長変換素子は埋め込み型の光導波
路を基本構成要素としていた。この埋め込み型光導波路
の製造方法について説明する。強誘電体基板であるＬｉ
ＮｂＯ３基板１にＣｒまたはＡＩ等を蒸着し、フォトプ
ロセスおよびエツチングにより幅数μｍのスリットを開
けたものを安息香酸中で熱処理を行い光導波路２となる
高屈折率層（基板との屈折率差ΔＮｅ＝０．１３程度）
を形成していた。［Ｊ、Ｌ、Ｊａｃｋｅｌ、 Ｃ，Ｅ、
ＲＩｃｅ、ａｎｄ Ｊ、Ｊ、Ｖｅｓｅｌｋａ、 ”Ｐ
ｒｏｔｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｏｒ ｈｌｇｈ−１
ｎｄｅｘ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ Ｉｎ ＬＩＮｂＯａ
”Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 （アプラ
イド フィジックス レター） 、 Ｖ’０１４１．
Ｎ。
路を基本構成要素としていた。この埋め込み型光導波路
の製造方法について説明する。強誘電体基板であるＬｉ
ＮｂＯ３基板１にＣｒまたはＡＩ等を蒸着し、フォトプ
ロセスおよびエツチングにより幅数μｍのスリットを開
けたものを安息香酸中で熱処理を行い光導波路２となる
高屈折率層（基板との屈折率差ΔＮｅ＝０．１３程度）
を形成していた。［Ｊ、Ｌ、Ｊａｃｋｅｌ、 Ｃ，Ｅ、
ＲＩｃｅ、ａｎｄ Ｊ、Ｊ、Ｖｅｓｅｌｋａ、 ”Ｐ
ｒｏｔｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｏｒ ｈｌｇｈ−１
ｎｄｅｘ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ Ｉｎ ＬＩＮｂＯａ
”Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 （アプラ
イド フィジックス レター） 、 Ｖ’０１４１．
Ｎ。
７、 ｐｐ１１ｉ０７−８０８（１９Ｂ２）コ参照上記
安息香酸処理により作製される光波長変換素子は半導体
レーザからの波長０．８４μｍの基本波Ｐ１に対して導
波路の厚み０．５μｍで最大変換効率を示し、導波路の
長さを６ｍｍｔ Ｐ１＝４０ｍＷにしたときＰ２＝０
．４ｍＷの高調波が得られていた。この場合の変換効率
Ｐｉ／Ｐ２は１％である。
安息香酸処理により作製される光波長変換素子は半導体
レーザからの波長０．８４μｍの基本波Ｐ１に対して導
波路の厚み０．５μｍで最大変換効率を示し、導波路の
長さを６ｍｍｔ Ｐ１＝４０ｍＷにしたときＰ２＝０
．４ｍＷの高調波が得られていた。この場合の変換効率
Ｐｉ／Ｐ２は１％である。
発明が解決しようとする課題
上記のような半導体レーザを基本とした光波長変換素子
では光波長変換素子の基本波の入射面および出射面から
の戻り光のため半導体レーザの出力および縦モードが変
動し、そのため発生する高調波の出力が±２０％程度の
変動を生じ一定にならないといった問題点があった。特
に出射面よりの戻り光は縦モード変動に大きく寄与して
いた。
では光波長変換素子の基本波の入射面および出射面から
の戻り光のため半導体レーザの出力および縦モードが変
動し、そのため発生する高調波の出力が±２０％程度の
変動を生じ一定にならないといった問題点があった。特
に出射面よりの戻り光は縦モード変動に大きく寄与して
いた。
そのため短波長レーザ光源の実用レベルである１ｍＷ以
上の高調波を安定に得ることが困難であった。
上の高調波を安定に得ることが困難であった。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体レーザを基本とした光波長変換素子の
構造に新たな工夫を加えることにより高調波出射パワー
の高出力化および安定化を可能とするものである。
構造に新たな工夫を加えることにより高調波出射パワー
の高出力化および安定化を可能とするものである。
そのために本発明の光波長変換素子は光導波路が形成さ
れた非線形光学効果を有する基板と半導体レーザを備え
、なおかつ前記半導体レーザは高周波重畳されるという
手段を用いるものである。
れた非線形光学効果を有する基板と半導体レーザを備え
、なおかつ前記半導体レーザは高周波重畳されるという
手段を用いるものである。
また本発明の光波長変換素子は光導波路が形成された非
線形光学効果を有する基板と半導体レーザを備え、なお
かつ前記光導波路の出射部で半導体レーザからの基本波
を散乱または吸収させるという手段を用いるものである
。
線形光学効果を有する基板と半導体レーザを備え、なお
かつ前記光導波路の出射部で半導体レーザからの基本波
を散乱または吸収させるという手段を用いるものである
。
作用
上記手段により基本波を発生する半導体レーザへ高周波
重畳することで戻り光による変動が生じにくくなり、さ
らに光波長変換素子の入射および出射部、での戻り光に
よる出力および縦モードの変動が防止でき、それによっ
て生じる高調波出力に対しても安定化が図れる。
重畳することで戻り光による変動が生じにくくなり、さ
らに光波長変換素子の入射および出射部、での戻り光に
よる出力および縦モードの変動が防止でき、それによっ
て生じる高調波出力に対しても安定化が図れる。
実施例
実施例の一つとして本発明の光波長変換素子を図を用い
て説明する。本発明の光波長変換素子の第１の実施例の
構造図を第１図に示す。この実施例では光波長変換素子
としてＬｉＮｂ０ａ基板１上に作製したプロトン交換光
導波路を用いたもので、第１図（ａ）は光波長変換素子
の斜視図、（ｂ）は光導波路に平行な面で切った断面図
である。第１図で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直に切り出され
た基板の＋側）のＬｉＮｂ０ａ基板、２は燐酸中でのプ
ロトン交換処理により形成された光導波路、３は基本波
Ｐ１の入射部、４は基本波の出射部である。
て説明する。本発明の光波長変換素子の第１の実施例の
構造図を第１図に示す。この実施例では光波長変換素子
としてＬｉＮｂ０ａ基板１上に作製したプロトン交換光
導波路を用いたもので、第１図（ａ）は光波長変換素子
の斜視図、（ｂ）は光導波路に平行な面で切った断面図
である。第１図で１は＋Ｚ板（Ｚ軸と垂直に切り出され
た基板の＋側）のＬｉＮｂ０ａ基板、２は燐酸中でのプ
ロトン交換処理により形成された光導波路、３は基本波
Ｐ１の入射部、４は基本波の出射部である。
フォーカスレンズにより集光された基本波Ｐ１は入射部
３の入射面５よりＬｉＮｂＯ３基板１人る。
３の入射面５よりＬｉＮｂＯ３基板１人る。
プロトン交換光導波路２は入射面５まで到達していない
。絞ることができる基本波Ｐ１のスポットサイズは屈折
率の高い物質中では空気中に比べ小さくなる。これによ
り光導波路２との結合効率は向上する。基本波Ｐ１の入
射部３より入った半導体レーザ光Ｐ１は光導波路２内部
で高調波Ｐ２に変換され、ＬＩＮｂＱｓ基板１内に放射
される。このとき高調波Ｐ２に変換されずに伝搬してい
った大部分の基本波は出射部４で散乱される。このため
半導体レーザには基本波は戻らないため半導体レーザの
出力および縦モードは安定になる。これに伴い高調波の
出力も安定となる。
。絞ることができる基本波Ｐ１のスポットサイズは屈折
率の高い物質中では空気中に比べ小さくなる。これによ
り光導波路２との結合効率は向上する。基本波Ｐ１の入
射部３より入った半導体レーザ光Ｐ１は光導波路２内部
で高調波Ｐ２に変換され、ＬＩＮｂＱｓ基板１内に放射
される。このとき高調波Ｐ２に変換されずに伝搬してい
った大部分の基本波は出射部４で散乱される。このため
半導体レーザには基本波は戻らないため半導体レーザの
出力および縦モードは安定になる。これに伴い高調波の
出力も安定となる。
次にこの光波長変換素子の製造方法について図を使って
説明する。第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程
図を示す。まず入射部３以外の部分をエツチングにより
ＬｉＮｂ０ａ基板１を２μｍ程エツチングした。具体的
には入射部３の上部をＴａマスクでおおい、ドライエツ
チングによりエツチングを行った。次に同図（ａ）にお
いてＬｉＮｂＯ３基板１にＴａによる保護マスク１０を
電子ビーム蒸着により３００Ａ蒸着を行った。次に同図
（ｂ）で保護マスク１０上に通常のフォトプロセスによ
り厚み０．５μｍのフォトレジスト１１をパターン化し
た後ＣＦａによりＴａによる保護マスク１０をドライエ
ツチングした。次にフォトレジスト１１を除去した後、
同図（Ｃ）でＬＩＮｂＯ３基板ｌに燐基板一種であるピ
ロ燐酸中で２３０℃、５分間熱処理（プロトン交換処理
）を行い厚み０゜３７μｍの光導波路２を形成した後、
保護マスク１０を除去する。次に光導波路２に垂直な面
を光学研磨し第１図に示される基本波の入射面５および
高調波の出射面６を形成する。しかる後、出射面６のエ
ツジとなる基本波の出射部４を荒研磨で基本波が散乱す
るように荒す。最後に入射面５に基本波に対する反射防
止膜作製（ＡＲコート）、そして出射面６に高調波に対
するＡＲコートを施すことにより光波長変換素子が作製
できる。この入射面５のＡＲコート５゛は半導体レーザ
への戻り光防止のためである。作製されたこの素子の長
さは６ｍｍである。第１図（ｂ）で基本波Ｐ１として半
導体レーザ光（波長０．８４μｍ）を入射部３より導波
させたところシングルモード伝搬し、波長０．４２μｍ
の高調波Ｐ２が出射面６より基板外部に取り出された。
説明する。第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程
図を示す。まず入射部３以外の部分をエツチングにより
ＬｉＮｂ０ａ基板１を２μｍ程エツチングした。具体的
には入射部３の上部をＴａマスクでおおい、ドライエツ
チングによりエツチングを行った。次に同図（ａ）にお
いてＬｉＮｂＯ３基板１にＴａによる保護マスク１０を
電子ビーム蒸着により３００Ａ蒸着を行った。次に同図
（ｂ）で保護マスク１０上に通常のフォトプロセスによ
り厚み０．５μｍのフォトレジスト１１をパターン化し
た後ＣＦａによりＴａによる保護マスク１０をドライエ
ツチングした。次にフォトレジスト１１を除去した後、
同図（Ｃ）でＬＩＮｂＯ３基板ｌに燐基板一種であるピ
ロ燐酸中で２３０℃、５分間熱処理（プロトン交換処理
）を行い厚み０゜３７μｍの光導波路２を形成した後、
保護マスク１０を除去する。次に光導波路２に垂直な面
を光学研磨し第１図に示される基本波の入射面５および
高調波の出射面６を形成する。しかる後、出射面６のエ
ツジとなる基本波の出射部４を荒研磨で基本波が散乱す
るように荒す。最後に入射面５に基本波に対する反射防
止膜作製（ＡＲコート）、そして出射面６に高調波に対
するＡＲコートを施すことにより光波長変換素子が作製
できる。この入射面５のＡＲコート５゛は半導体レーザ
への戻り光防止のためである。作製されたこの素子の長
さは６ｍｍである。第１図（ｂ）で基本波Ｐ１として半
導体レーザ光（波長０．８４μｍ）を入射部３より導波
させたところシングルモード伝搬し、波長０．４２μｍ
の高調波Ｐ２が出射面６より基板外部に取り出された。
半導体レーザと光導波路との結合効率は５５％と従来め
もの（４０％）に比べて大幅に向上した。また、出射面
６が高調波に対してＡＲコートされていることにより高
調波の出力が有効に取り出せ１５％のアップが図れた。
もの（４０％）に比べて大幅に向上した。また、出射面
６が高調波に対してＡＲコートされていることにより高
調波の出力が有効に取り出せ１５％のアップが図れた。
基本波４０ｍＷの入力で１ｍＷの高調波（波長０゜４２
μｍ）を得た。また反射光が大幅に減らすことができた
ため半導体レーザは安定に動作し高調波出力の変動は±
３％以下であった。さらに半導体レーザに高調波重畳を
行うと高調波出力の変動±１％以下に抑えることができ
た。
μｍ）を得た。また反射光が大幅に減らすことができた
ため半導体レーザは安定に動作し高調波出力の変動は±
３％以下であった。さらに半導体レーザに高調波重畳を
行うと高調波出力の変動±１％以下に抑えることができ
た。
なお基本波に対してマルチモード伝搬では高調波の出力
が不安定で実用的ではない。また、０゜６５〜１．６μ
ｍの波長の基本波を用いて本光波長変換素子による高調
波発生を確認した。
が不安定で実用的ではない。また、０゜６５〜１．６μ
ｍの波長の基本波を用いて本光波長変換素子による高調
波発生を確認した。
次に本発明の短波長レーザ光源の実施例について図を用
いて説明する。第３図に短波長レーザ光源の構成図を示
す。第３図で半導体レーザ２１は０．７８μｍの発振波
長のものでＣＷ電源２２より一定電流をまた高周波重畳
回路２３よりサイン状の高周波が印加されており平均パ
ワー５０ｍＷの基本波Ｐ１が出射されている。この基本
波Ｐ１がレンズ２４．２５および半波長板２６を用いて
光波長変換素子２７に入射し高調波Ｐ２が発生する。半
波長板２６は半導体レーザ２１と光波長変換素子２７に
形成された光導波路２との偏光方向を一致させるために
挿入した。また、光導波路２の出射部４はやすりにより
基本波Ｐ１が散乱するように荒されている。この光波長
変換素子では１ｍＷの高調波が得られ変換効率は２％で
あった。
いて説明する。第３図に短波長レーザ光源の構成図を示
す。第３図で半導体レーザ２１は０．７８μｍの発振波
長のものでＣＷ電源２２より一定電流をまた高周波重畳
回路２３よりサイン状の高周波が印加されており平均パ
ワー５０ｍＷの基本波Ｐ１が出射されている。この基本
波Ｐ１がレンズ２４．２５および半波長板２６を用いて
光波長変換素子２７に入射し高調波Ｐ２が発生する。半
波長板２６は半導体レーザ２１と光波長変換素子２７に
形成された光導波路２との偏光方向を一致させるために
挿入した。また、光導波路２の出射部４はやすりにより
基本波Ｐ１が散乱するように荒されている。この光波長
変換素子では１ｍＷの高調波が得られ変換効率は２％で
あった。
また、高調波の安定性は±１％以下であった。第４図に
半導体レーザに対する入射電流波形を示す。
半導体レーザに対する入射電流波形を示す。
本実施例では同図（ａ）のように６００ＭＨｚのサイン
状の波形が重畳されているが同図（ｂ）（Ｃ）のような
区形波、三角波などを用いても半導体レーザの安定化が
図れ波形の形状に大きく依存しない。他に同図（ｄ）の
ように高周波のみでも安定動作が可能である。また周波
数はＩＭＨｚ程度でも安定動作を確認した。また本実施
例ではＭｇＯがドーピングされている基板を用いると短
波長の光に対しても光損傷が防止でき高調波の出力変動
がない。
状の波形が重畳されているが同図（ｂ）（Ｃ）のような
区形波、三角波などを用いても半導体レーザの安定化が
図れ波形の形状に大きく依存しない。他に同図（ｄ）の
ように高周波のみでも安定動作が可能である。また周波
数はＩＭＨｚ程度でも安定動作を確認した。また本実施
例ではＭｇＯがドーピングされている基板を用いると短
波長の光に対しても光損傷が防止でき高調波の出力変動
がない。
次に第３の実施例として本発明の短波長レーザ光源を基
本波の波長１．３μｍの半導体レーザと波長０． ８μ
ｍの半導体レーザおよび光波長変換素子により構成した
ものについて説明する。第５図において３１は波長１．
３μｍの半導体レーザ、３２は波長０．８６μｍの半導
体レーザ、２７は光波長変換素子である。この実施例で
はそれぞれの半導体レーザは光波長変換素子に直接結合
されている。つまりレンズを用いない結合を行っている
。入射導波路３３．３４を伝搬した基本波Ｐ１゜Ｐ３は
Ｙ分岐３５で合波され光導波路２に入りここで変換され
和周波Ｐ２（波長０．５２μｍ）として放射される。光
導波路２を伝搬し端部まで達した基本波Ｐｉ、Ｐ３は出
射部４で散乱され、半導体レーザには戻り光がなく安定
に動作する。出射部４はＣＯ２レーザを用いて基本波が
散乱するように加工を行った。半導体レーザ３１，３２
のそれぞれに高周波重畳を行うことにより和周波Ｐ２が
さらに安定に得られた。このように本構成は和周波発生
にも有効である。
本波の波長１．３μｍの半導体レーザと波長０． ８μ
ｍの半導体レーザおよび光波長変換素子により構成した
ものについて説明する。第５図において３１は波長１．
３μｍの半導体レーザ、３２は波長０．８６μｍの半導
体レーザ、２７は光波長変換素子である。この実施例で
はそれぞれの半導体レーザは光波長変換素子に直接結合
されている。つまりレンズを用いない結合を行っている
。入射導波路３３．３４を伝搬した基本波Ｐ１゜Ｐ３は
Ｙ分岐３５で合波され光導波路２に入りここで変換され
和周波Ｐ２（波長０．５２μｍ）として放射される。光
導波路２を伝搬し端部まで達した基本波Ｐｉ、Ｐ３は出
射部４で散乱され、半導体レーザには戻り光がなく安定
に動作する。出射部４はＣＯ２レーザを用いて基本波が
散乱するように加工を行った。半導体レーザ３１，３２
のそれぞれに高周波重畳を行うことにより和周波Ｐ２が
さらに安定に得られた。このように本構成は和周波発生
にも有効である。
次に第４の実施例として本発明の短波長レーザ光源を光
ディスクの読み取りに応用した例について説明する。こ
の短波長レーザ光源により得られた高調波を整形レンズ
により発散光側を平行光になるようにビーム成形を行い
、両側ともに平行光とする。この平行光にされた高調波
は偏光ビームスプリッタを通過後、フォーカシングレン
ズで集光され光デイスク上に０．６μｍのスポットを結
ぶ。この反射信号は再び偏光ビームスプリッタを通過後
、受光器に入射する。波長０．８４μｍ。
ディスクの読み取りに応用した例について説明する。こ
の短波長レーザ光源により得られた高調波を整形レンズ
により発散光側を平行光になるようにビーム成形を行い
、両側ともに平行光とする。この平行光にされた高調波
は偏光ビームスプリッタを通過後、フォーカシングレン
ズで集光され光デイスク上に０．６μｍのスポットを結
ぶ。この反射信号は再び偏光ビームスプリッタを通過後
、受光器に入射する。波長０．８４μｍ。
出力６０ｍＷの半導体レーザを用い１．４ｍＷの高調波
が放射された。
が放射された。
このように本発明の短波長レーザ光源を用いることで従
来使用していた０、 ８μｍ帯の半導体レーザを用い
た光ディスクの読み取り系に比べて半分のスポットに絞
ることができ光ディスクの記録密度を４倍に向上するこ
とができる。
来使用していた０、 ８μｍ帯の半導体レーザを用い
た光ディスクの読み取り系に比べて半分のスポットに絞
ることができ光ディスクの記録密度を４倍に向上するこ
とができる。
なお、実施例では出射部で基本波を散乱させたが、出射
部に吸収体を塗布するなどにより基本波を吸収すること
も効果的である。また、実施例では非線形光学定数の大
きなＬｉＮｂＯ２を用いたが、他にＬｉＴａＯ２、ＫＮ
ｂＯｓなどの強誘電体、ＭＮＡなどの有機物質、または
ＺｎＳなどの化合物半導体などの非線形光学定数の大き
な基板であれば用いることができる。
部に吸収体を塗布するなどにより基本波を吸収すること
も効果的である。また、実施例では非線形光学定数の大
きなＬｉＮｂＯ２を用いたが、他にＬｉＴａＯ２、ＫＮ
ｂＯｓなどの強誘電体、ＭＮＡなどの有機物質、または
ＺｎＳなどの化合物半導体などの非線形光学定数の大き
な基板であれば用いることができる。
発明の詳細
な説明したように本発明の光波長変換素子によれば、光
波長変換素子に入射する基本波を発生する半導体レーザ
を高周波印加することより安定な高調波パワーが得られ
る。また、光波長変換素子での戻り光を防止するこきに
より半導体レーザの出力および縦モード変化も起こらず
安定になおかつ高出力な高調波が発生できる。
波長変換素子に入射する基本波を発生する半導体レーザ
を高周波印加することより安定な高調波パワーが得られ
る。また、光波長変換素子での戻り光を防止するこきに
より半導体レーザの出力および縦モード変化も起こらず
安定になおかつ高出力な高調波が発生できる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の光波長変換素子の
斜を断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光波長変
換素子の製造工程図、第３図は本発明の短波長レーザ光
源の構成図、第Ａａ）〜（ｄ）−１Ｂは高周波重畳によ
り印加される電流波形図である。第５図は本発明の実施
例の短波長レーザ光源の構成図、第６図（ａ）、 （
ｂ）は従来の先口 波長変換素子の平〆断面図である。 １・・・ＬＩＮｂ０３基板、２・・・光導波路、３・・
・入射部、４・・・出射部、２１・・・半導体レーザ。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名第 ■ 図 第 図 （ｃｌ） ？ 第 図 萬 図 （αン （ｂ〕 （Ｃ） とαノ （Ｃ） ｒｄ） 第 図 第 図
斜を断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光波長変
換素子の製造工程図、第３図は本発明の短波長レーザ光
源の構成図、第Ａａ）〜（ｄ）−１Ｂは高周波重畳によ
り印加される電流波形図である。第５図は本発明の実施
例の短波長レーザ光源の構成図、第６図（ａ）、 （
ｂ）は従来の先口 波長変換素子の平〆断面図である。 １・・・ＬＩＮｂ０３基板、２・・・光導波路、３・・
・入射部、４・・・出射部、２１・・・半導体レーザ。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名第 ■ 図 第 図 （ｃｌ） ？ 第 図 萬 図 （αン （ｂ〕 （Ｃ） とαノ （Ｃ） ｒｄ） 第 図 第 図
Claims (8)
- （１）光導波路が形成された非線形光学効果を有する基
板と半導体レーザを備え、前記光導波路の出射部で半導
体レーザからの基本波を散乱または吸収させることを特
徴とする光波長変換素子。 - （２）光導波路が形成された非線形光学効果を有する基
板と少なくとも１つの半導体レーザを備え、前記半導体
レーザが高周波重畳されていることを特徴とする短波長
レーザ光源。 - （３）非線形光学効果を有する基板としてＬｉＮｂ＿Ｘ
Ｔａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦１）基板を使用した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変
換素子または同第２項記載の短波長レーザ光源。 - （４）非線形光学効果を有する基板としてＭｇＯがドー
ピングされたＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０
≦Ｘ≦１）基板を使用したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光波長変換素子または同第２項記載の
短波長レーザ光源。 - （５）光導波路としてプロトン交換光導波路を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子または同第２項記載の短波長レーザ光源。 - （６）半導体レーザからの基本波が直接光導波路に入射
する構成となる特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子。 - （７）プロトン交換光導波路が基本波の入射面に形成さ
れていないことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光波長変換素子または同第２項記載の短波長レーザ光
源。 - （８）基本波の入射部に反射防止膜が形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換
素子または同第２項記載の短波長レーザ光源。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25512088A JPH02101438A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光波長変換装置 |
| US07/354,324 US4951293A (en) | 1988-05-26 | 1989-05-19 | Frequency doubled laser apparatus |
| DE68917785T DE68917785T2 (de) | 1988-05-26 | 1989-05-23 | Laserlichtquelle für den sichtbaren Bereich. |
| EP89109241A EP0343591B1 (en) | 1988-05-26 | 1989-05-23 | Visible laser source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25512088A JPH02101438A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 光波長変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101438A true JPH02101438A (ja) | 1990-04-13 |
| JPH0454210B2 JPH0454210B2 (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=17274370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25512088A Granted JPH02101438A (ja) | 1988-05-26 | 1988-10-11 | 光波長変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101438A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120799A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Nec Corp | 波長変換器 |
| JP2005294424A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Shimadzu Corp | 波長変換レーザ装置 |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25512088A patent/JPH02101438A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120799A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Nec Corp | 波長変換器 |
| JP2005294424A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Shimadzu Corp | 波長変換レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0454210B2 (ja) | 1992-08-28 |
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