JPH02100376A - Forming method for electrode of gaas photoelectric converting device - Google Patents
Forming method for electrode of gaas photoelectric converting deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＧａＡｓ充電変換装置の電極形成方法に関し、
特に信頼性の高い電極を生産性良く形成できる方法に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for forming electrodes of a GaAs charge conversion device.
In particular, the present invention relates to a method for forming highly reliable electrodes with high productivity.
（従来の技術）
第２図は従来の一実施例に都けるＧａＡｓ太陽電池の電
極形成ｊｆ法を工程順に示す断面図である。ＧａＡｓ太
陽電池の電極材料としては従来Ｔｉ−Ａｇ又はＴｊ−Ｐ
ｄ−Ａｇを用いてきた。(Prior Art) FIG. 2 is a cross-sectional view showing the JF method for forming electrodes of a GaAs solar cell according to a conventional example in order of steps. Conventional electrode materials for GaAs solar cells include Ti-Ag or Tj-P.
d-Ag has been used.
Ｔｉは通常弗化水素溶液によってエツチング除去するが
、反射防止膜（以ＦＡＲコートという）に用いられてい
るＳｉ、Ｎ、膜が低温で形成されているために弗化水素
溶液に対して耐性がなく、エツチング保ａｌｌ ＩＩＱ
としてＳｉ：＋Ｎａ膜の上にフォトレジストを残してお
く必要がある。ところがフォトレジストの−ＥからＴｉ
−Ａｇを蒸着すると、フォトレジストが硬化し、レジス
ト除去液に溶けにくくなるため、フォトレジスト除去が
非常に困難であり、生産性が悪く、更にレジスト残りの
ために特性が劣化するなどの問題が生じている。以下、
従来の電極形成方法について、第２図を用いて説明する
。Ti is usually removed by etching with a hydrogen fluoride solution, but since the Si, N, and films used in antireflection coatings (hereinafter referred to as FAR coats) are formed at low temperatures, they are not resistant to hydrogen fluoride solutions. No etching protection all IIQ
As a result, it is necessary to leave a photoresist on the Si:+Na film. However, from -E of photoresist to Ti
- When Ag is deposited, the photoresist hardens and becomes difficult to dissolve in a resist removal solution, making it extremely difficult to remove the photoresist, resulting in poor productivity and problems such as deterioration of properties due to residual resist. It is occurring. below,
A conventional electrode forming method will be explained using FIG. 2.
第２図−（ａ）：
（１）及び（２）は、ＧａＡｓ太陽電池の活性層となる
ものであり、それぞれ、ｎ型ＧａＡｓ層、Ｐ型ＧａＡｓ
層である。（３）はＡ Ｉ ＧａＡｓ窓層、（４）はＡ
Ｒコートである。この工程に右いては、コンタクトホー
ル（６）を形成するためにＡＲコート（４）の上から、
フォトレジスト（５）を塗布し写真製版によりパターニ
ングを行なう。Figure 2-(a): (1) and (2) are the active layers of a GaAs solar cell, and are an n-type GaAs layer and a p-type GaAs layer, respectively.
It is a layer. (3) is A I GaAs window layer, (4) is A
It is an R coat. To the right of this step, from above the AR coat (4) in order to form the contact hole (6),
A photoresist (5) is applied and patterned by photolithography.
７ＪＪ２図−（ｂ）：
ＡＲコート（４）、Ａ Ｉ ＧａＡｓ窓層（３） を工
ｙチング除去し、コンタクトホール（６）を形成する。Figure 7JJ2-(b): The AR coat (4) and the AI GaAs window layer (3) are removed by etching to form a contact hole (6).
第２図−（Ｃ）；
フォトレジストを残した状態でその上にコンタクトメタ
ルとなるＴｉ層（■１）、電極金属となるＡｇ層（８）
を蒸着する。Figure 2-(C); On top of the photoresist, a Ti layer (■1) that will become a contact metal, and an Ag layer (8) that will become an electrode metal.
Deposit.
第２図−（ｄ）；
Ａｇ層（８）上にフォトレジスト（９）を塗布して、写
真製版によりパターニングを行う。FIG. 2-(d): A photoresist (9) is applied on the Ag layer (8) and patterned by photolithography.
第２図−（ｅ）：
Ａｇ層（８）とＴｉ層（１１）とをエツチング除去する
。FIG. 2-(e): The Ag layer (8) and the Ti layer (11) are removed by etching.
第２図−（ｆ）；
最後にフォトレジスト（５） 、（９）の除去を行い、
電極（９）の形成が完了する。この場合、第２図−（ａ
）で塗布したフォトレジスト（５）がＴｉ層（１１）、
Ａｇ層（８）の蒸着の際に硬化し、レジスト除去液に溶
けにくくなっているため、その除去が大変困難である。Figure 2-(f); Finally, remove the photoresists (5) and (9),
Formation of electrode (9) is completed. In this case, Fig. 2-(a
) The photoresist (5) coated with Ti layer (11),
Since the Ag layer (8) hardens during vapor deposition and becomes difficult to dissolve in a resist removal solution, it is very difficult to remove it.
（発明が解決しようとする課題）
従来の電極材料（Ｔｉ−Ａｇ）による、ＧａＡｓ光電変
換装置の電極形成工程は以上のように構成されているの
で、フォトレジスト（５）を除去するために大変な困難
がともなっていた。このため、生産性が悪く、更にレジ
スト残りのために特性が劣化するなどの問題点があり、
信頼性の高い電極を形成する上で障害となっていた。(Problems to be Solved by the Invention) Since the electrode forming process of a GaAs photoelectric conversion device using the conventional electrode material (Ti-Ag) is configured as described above, it takes a lot of effort to remove the photoresist (5). It was accompanied by great difficulties. For this reason, there are problems such as poor productivity and deterioration of characteristics due to resist residue.
This has been an obstacle in forming highly reliable electrodes.
本発明は以上のような従来の問題点を解消するためにな
されたもので、フォトレジストの除去工程を改善するた
め、新しい電極材料を用いて、４３箱性の高い電極を生
産性よく形成する方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and in order to improve the photoresist removal process, it is possible to form electrodes with high productivity using a new electrode material. The purpose is to provide a method.
上記問題点を解消するため、この発明におけるＧａＡｓ
光電変換装置の電極形成方法は、Ｐ型ＧａＡｓ半導体層
上に化合物半導体窓層及び反射防止膜を備えたＧａＡｓ
光電変換装置の電極形成方法であって、上記反射防止膜
上にフォトレジストを塗布してパターニングし、上記化
合物半導体窓層及び−上記反射防止膜を選択的に除去し
てコンタクトホールな設け、上記フォトレジストを除去
した後、上記反射防止膜及び上記コンタクトホールの上
記ｐ型ＧａＡｓ基板上にＴｉＷ層を設けて、該ＴｉＷ層
上に電極金属層を形成する工程を含むようにしたもので
ある。In order to solve the above problems, GaAs in this invention
A method for forming electrodes of a photoelectric conversion device is to form a GaAs layer with a compound semiconductor window layer and an antireflection film on a P-type GaAs semiconductor layer.
A method for forming an electrode of a photoelectric conversion device, the method comprising applying a photoresist on the antireflection film and patterning it, selectively removing the compound semiconductor window layer and the antireflection film to form a contact hole, and forming a contact hole. After removing the photoresist, a TiW layer is provided on the p-type GaAs substrate in the antireflection film and the contact hole, and an electrode metal layer is formed on the TiW layer.
本発明によれば、コンタクトホール写真製版時に塗布し
たフォトレジストはＴｉＷ層及び電極金属層を蒸着する
前にレジスト除去液で除去される。したがって、従来方
法のようなフォトレジストの硬化にともなうフォトレジ
スト除去の困難を解消することができる。According to the present invention, the photoresist applied during contact hole photolithography is removed with a resist removal solution before depositing the TiW layer and the electrode metal layer. Therefore, it is possible to solve the difficulty of removing the photoresist due to hardening of the photoresist as in the conventional method.
（実施例）
本発明に係るＧａＡｓ半導体装置における電極形成の一
実施例を第１図に示す。これは、ＧａＡｓ太陽電池にお
けるＰ型ＧａＡｓ層の電極形成方法を工程順に示した断
面図である。(Example) An example of forming electrodes in a GaAs semiconductor device according to the present invention is shown in FIG. This is a cross-sectional view showing a method for forming an electrode of a P-type GaAs layer in a GaAs solar cell in order of steps.
第１図−（ａ）：
（１）及び（２）はＧａＡｓ太陽電池の活性層となるも
のであり、それぞれ、ｎ型ＧａＡｓ層、Ｐ型ＧａＡｓ層
である。（３）はＡ Ｉ ＧａＡｓ窓層、（４）はＡＲ
コートである。この工程においてはコンタクトホール（
６）を形成するためにＡＲコート（４）の上からフォト
レジスト（５）を塗布し、写真製版によりパターニング
を行う。FIG. 1-(a): (1) and (2) are active layers of a GaAs solar cell, and are an n-type GaAs layer and a p-type GaAs layer, respectively. (3) is AI GaAs window layer, (4) is AR
It's a coat. In this process, contact holes (
6), a photoresist (5) is applied over the AR coat (4) and patterned by photolithography.
第１図−（ｂ）；
ＡＲＯ−ト（４）、ＡｌＧａＡｓ窓層（３） をエツチ
ング除去し、コンタクトホール（６）を形成する。FIG. 1-(b): The ARO plate (4) and the AlGaAs window layer (3) are removed by etching to form a contact hole (6).
第１図−（Ｃ）；
レジスト除去液により、フォトレジスト（５）の除去を
行う。FIG. 1-(C): The photoresist (5) is removed using a resist removal solution.
第１図−（ｄ）；
前記、第１図−（Ｃ）の工程でフォトレジスト（５）を
完全に除去した後、電極材料としてチタン・タングステ
ン（以下ＴｉＷと記す。重量比でＴｉｌＯ％、Ｗ９０％
）層（７） 、 Ａ ｇＰ：！ｊ（８）を蒸着する。Figure 1-(d); After the photoresist (5) is completely removed in the step of Figure 1-(C), titanium/tungsten (hereinafter referred to as TiW) is used as an electrode material. W90%
) layer (7), A gP:! Deposit j(8).
第１図−（ｅ）：
Ａｇ層（８）上にフォトレジスト（９）を塗布して、写
真製版によりパターニングを行う。FIG. 1-(e): A photoresist (9) is applied on the Ag layer (8) and patterned by photolithography.
第１図−（ｆ）：
フォトレジスト（９）をマスクとして、Ａｇ層（８）を
りん酸系溶液でエツチング除去し、更に、過酸化水素溶
液（Ｈ２０２溶液と称す）によって、ＴｉＷ層（７）と
エツチング除去する。Figure 1-(f): Using the photoresist (9) as a mask, the Ag layer (8) is removed by etching with a phosphoric acid solution, and then the TiW layer (7) is removed with a hydrogen peroxide solution (referred to as H202 solution). ) and remove by etching.
第１図−（ｇ）；
フォトレジスト（９）を５レジスト除去液で除去して、
電極の形成が完Ｙする。Figure 1-(g); Remove the photoresist (9) with 5 resist removal solution,
Formation of the electrode is completed.
このように、電極材料としてＴ ｉ Ｗ −Ａ ｇを用
い、ＴｉＷのエツチングＨ２Ｏ２溶液を用いることによ
り、ＴｉＷ−Ａｇ蒸着前に７オトレジストを除去、→Ｔ
ｉＷ、Ａｇ蒸着、→電極写真製版→Ａｇ、ＴｉＷエツチ
ング除去→フォトレジスト除去という工程を採用でき、
従来の方法におけるようなノ埼トレジストの嫂化による
、フォトンジス１−４除去の困難を解消することができ
る。In this way, by using TiW-Ag as the electrode material and using a TiW etching H2O2 solution, the 7 photoresist was removed before TiW-Ag deposition, →T
The process of iW, Ag vapor deposition → electrode photolithography → Ag, TiW etching removal → photoresist removal can be adopted,
It is possible to solve the difficulty of removing the photon resist 1-4 due to the formation of the photoresist as in the conventional method.
なお、この方法はエツチング１程として、ウェットエツ
チングを採用した場合に限らず、トライエツチングを採
用した場合でも、同様の効果−が期待できるほか、太陽
電池に限らず、広（ＧａＡｓ半導体装置におけるＰ型Ｇ
ａＡｓ層の電Ｎｉ祠料として適する材料を用いた電極形
成方法を提供するものである。Note that this method can be expected to have the same effect not only when wet etching is used, but also when tri-etching is used. Type G
The present invention provides a method for forming an electrode using a material suitable as a Ni abrasive for an aAs layer.
また、上記実施例では、Ｔ ｉ Ｗ −Ａ ｇを電極祠
料とり、た場合について説明したが、Ｔ ｉ Ｗ−Ａ
ｇのほかにも、ＴｉＷ−Ｐｄ−Ａｇ、ＴｉＷ−Ａｕなど
、コンタクトメタルとして、ＴｉＷを用いるものであれ
ば、他の電極金属と組合せて形成するものであっても同
様に所間の目的を達し得る。。In addition, in the above embodiment, the case where T i W-A g was used as an electrode abrasive was explained, but T i W-A g
In addition to contact metals such as TiW-Pd-Ag, TiW-Au, etc., if TiW is used as a contact metal, even if it is formed in combination with other electrode metals, the intended purpose can be met. can be achieved. .
、（発明の効果°）
本発明によれば、ＧａＡｓ光電変換装置の電極形成にあ
たり、コンタクトメタルとしてＴｉＷを用いて形成する
ようにしたので、写真製版後のフォトレジスト除去の困
難を解消することか容易である。したがって、ＧａＡｓ
光電変換装置の電極を信頼性高く、かつ生産性良く形成
することができるという効果がある。(Effects of the Invention°) According to the present invention, TiW is used as a contact metal when forming electrodes of a GaAs photoelectric conversion device, which solves the difficulty of removing photoresist after photolithography. It's easy. Therefore, GaAs
This has the effect that electrodes of photoelectric conversion devices can be formed with high reliability and high productivity.
第１図は本発明に係るＧａＡｓ光電変換装置における電
極形成の一実施例を工程順に示した断面図、第２図は従
来のＧａＡｓ変電変換装置における電極形成の一例を工
程順に示した断面図である。図において、（１）はｎ型
ＧａＡｓ層、（２）はＰ型ＧａＡｓ層、（３）はＡ Ｉ
ＧａＡｓ窓層、（４）はＡＲコート、（５） （
９）はフォトレジスト、（６）はコンタクトホール、（
７）はＴｉＷ層、（８）はＡｇ層、（ｌＯ）は電極であ
る。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
第１図
代 理 人 人 岩 増 雄第２図
手
続
補
正 書（自発）
平成
１１＃ｌ＝１ 年 ２ 月２２［１
、発明の名称
ＧａＡ１光電変換装置のＷｌｌ影形成方法３補正をする
者
事件との関係 特許出願人
４、代
理
人
代表者 志 岐 守 哉
１ 補正の対象
明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄、
図面の簡単な説明の欄、および図面。
６、 補正の内容
（１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する
。
（２）明細書の第３頁第２行に「Ｐ型Ｇ Ｉ Ａ １層
」とあるのを「Ｐ型・Ｇ ａ Ａ ｓ層」に訂正する。
（３）゛明細書の第５頁第３行に「Ｐ型」とあるのをｒ
Ｐ型」に訂正する。
（４）明細・書の第５頁第１１行に「ＴｉＷｌｌを設け
」とあるのを「チタン・タングステン（以下ＴｉＷと記
す。）層金設け」に訂正する。
（５）明細書の第６頁第４行に「Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層
」とあるのをｒｐ型ＧａＡｓ層」に訂正する。
（６）明細書の第６頁第８行に「Ｐ型」とあるのを「ｐ
型」に訂正する。
（７）明細書の第７負第３行から第４行に「チタン・タ
ングステン（以下ＴｉＷと記す。重量比で」とあるのを
「ＴｉＷ（重量比」に訂正する。
（８）明細書の第７頁第１９行に「エツチングＨ３Ｏ２
溶液」とあるのを「エツチング液乏してＨ２Ｏ２溶液」
に訂正する。
（９）明細書の第８頁第１０行に「Ｐ型ＧａＡｓ層」と
あるのを「ｐ型Ｇ ａ Ａ ａ Ｊｕｌ Ｊに訂正する
、ＧＯ明細書の第５頁第１１行に「ＧａＡａ変電変換装
置」とあるのを「ＧａＡＩＩ光市変換光透変換装置する
。
（ロ）明細書の第９頁第１３行に「Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ
ｉ Ｊとあるのを「ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ ｆｆ？Ｊ
Ｊに訂正する。
（６）図面中筒１図（ａ）〜（ｇ）を別紙のとおり訂正
する。
（至）図面中筒２図（昌）〜（ｆ）を別紙のとおり訂正
する。
７、添付書類の目録
（１）訂正後の特許請求の範囲を記載した書面１通
（２）訂正図面（第１図（ａ）〜（ｇ） ）
１通（３）訂正図面（第２図ａ〜（ｆ） ）
１連星 上
特許請求の範囲
ｐ型Ｇ ａ Ａ ａ半導体層上に化合物半導体窓層及び
反射防止膜を備え九Ｇ ａ Ａ ｓ光電変換装置の電極
形成方法であって、１記反射防止１ｔＬＬにフォトレジ
ストを塗布してパターニングし、ト記化合物半導体窓層
及び上記反射防止膜を選択的に除去してコンタクトホー
ルを設け、と記フォトレジストを除去した後、上記反射
防止膜及び上記コンタクトホールの上記Ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板上にＴｉＷ層を設けて、該’ｒｔｗ７Ｈとに電
極金属層を形成する工程金倉むことを特徴とするＧ ａ
Ａ ｓ光電変換装置の電極形成方法。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of electrode formation in a GaAs photoelectric conversion device according to the present invention in the order of steps, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of electrode formation in a conventional GaAs power conversion device in order of steps. be. In the figure, (1) is an n-type GaAs layer, (2) is a p-type GaAs layer, and (3) is an A I
GaAs window layer, (4) is AR coat, (5) (
9) is photoresist, (6) is contact hole, (
7) is a TiW layer, (8) is an Ag layer, and (IO) is an electrode. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts. Figure 1 Agent Masuo Iwa Figure 2 Procedural Amendment (Spontaneous) 1999 #l = 1 February 22, 1999 [1] Name of the invention: Wll shadow forming method 3 of GaA1 photoelectric conversion device Relationship with Patent applicant 4, Representative Moriya Shiki 1 Claims column of the specification subject to amendment, Detailed description of the invention column,
A column for a brief description of the drawing, and the drawing. 6. Contents of amendment (1) The scope of claims in the description will be corrected as shown in the attached sheet. (2) In the second line of page 3 of the specification, the phrase "P-type GIA 1 layer" is corrected to "P-type/GaAs layer." (3) ``The 3rd line of page 5 of the specification says ``P type''.
Corrected to "P type". (4) In the 11th line of page 5 of the specification, the phrase ``Providing TiWll'' is corrected to ``Providing a titanium-tungsten (hereinafter referred to as TiW) layer.'' (5) In the fourth line of page 6 of the specification, the phrase "P-type GaAs layer" is corrected to "rp-type GaAs layer." (6) "P-type" on page 6, line 8 of the specification should be replaced with "p-type".
Correct to "type". (7) In the 7th negative line 3 to 4 of the specification, "Titanium/tungsten (hereinafter referred to as TiW. By weight ratio") is corrected to "TiW (weight ratio)". (8) Specification "Etching H3O2" on page 7, line 19 of
The phrase “solution” should be replaced with “H2O2 solution due to lack of etching solution.”
Correct. (9) "P-type GaAs layer" on page 8, line 10 of the specification is corrected to "p-type GaA a Jul J.""GaAa substation layer" is corrected on page 5, line 11 of the GO specification as "p-type GaA a Jul J." ``Conversion device'' is replaced by ``GaAII optical conversion device.'' (b) On page 9, line 13 of the specification, ``P type
i J means “p-type Ga A s ff?J”
Correct to J. (6) Figures (a) to (g) of cylinder 1 in the drawing are corrected as shown in the attached sheet. (To) Correct the figures 2 (Chang) to (f) in the middle of the drawing as shown in the attached sheet. 7. List of attached documents (1) One document stating the scope of claims after the correction (2) Corrected drawings (Figures 1 (a) to (g))
1 copy (3) Corrected drawings (Figure 2 a to (f))
1 Binary Star The above claims provide a method for forming an electrode of a 9G a As photoelectric conversion device comprising a compound semiconductor window layer and an antireflection film on a p-type GaAa semiconductor layer, comprising: 1 antireflection 1tLL; A photoresist is applied and patterned, and the compound semiconductor window layer and the antireflection film are selectively removed to form a contact hole. After removing the photoresist, the antireflection film and the contact hole are formed. The above P type G a A
A process of providing a TiW layer on a S substrate and forming an electrode metal layer on the 'rtw7H.
A method for forming electrodes of a photoelectric conversion device.
Claims (1)
止膜を備えたＧａＡｓ光電変換装置の電極形成方法であ
って、上記反射防止膜上にフォトレジストを塗布してパ
ターニングし、上記化合物半導体窓層及び上記反射防止
膜を選択的に除去してコンタクトホールを設け、上記フ
ォトレジストを除去した後、上記反射防止膜及び上記コ
ンタクトホールの上記Ｐ型ＧａＡｓ基板上にＴｉＷ層を
設けて、該ＴｉＷ層上に電極金属層を形成する工程を含
むことを特徴とするＧａＡｓ光電変換装置の電極形成方
法。A method for forming an electrode of a GaAs photoelectric conversion device comprising a compound semiconductor window layer and an antireflection film on a P-type GaAs semiconductor layer, the method comprising applying a photoresist on the antireflection film and patterning the compound semiconductor window layer. and selectively removing the anti-reflection film to provide a contact hole, removing the photoresist, and then providing a TiW layer on the P-type GaAs substrate in the anti-reflection film and the contact hole; A method for forming an electrode for a GaAs photoelectric conversion device, the method comprising the step of forming an electrode metal layer thereon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254152A JPH02100376A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Forming method for electrode of gaas photoelectric converting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254152A JPH02100376A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Forming method for electrode of gaas photoelectric converting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100376A true JPH02100376A (en) | 1990-04-12 |
Family
ID=17260949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63254152A Pending JPH02100376A (en) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Forming method for electrode of gaas photoelectric converting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100376A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433129B1 (en) | 2000-11-08 | 2002-08-13 | Millennium Cell, Inc. | Compositions and processes for synthesizing borohydride compounds |
| US6524542B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-02-25 | Millennium Cell, Inc. | Processes for synthesizing borohydride compounds |
| US6670444B2 (en) | 2000-11-08 | 2003-12-30 | Millennium Cell, Inc. | Processes for synthesizing borohydride compounds |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP63254152A patent/JPH02100376A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433129B1 (en) | 2000-11-08 | 2002-08-13 | Millennium Cell, Inc. | Compositions and processes for synthesizing borohydride compounds |
| US6670444B2 (en) | 2000-11-08 | 2003-12-30 | Millennium Cell, Inc. | Processes for synthesizing borohydride compounds |
| US7019105B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-03-28 | Millennium Cell, Inc. | Compositions and processes for synthesizing borohydride compounds |
| US6524542B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-02-25 | Millennium Cell, Inc. | Processes for synthesizing borohydride compounds |
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