JPH0199174A - 形状認識装置 - Google Patents
形状認識装置Info
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- JPH0199174A JPH0199174A JP62257516A JP25751687A JPH0199174A JP H0199174 A JPH0199174 A JP H0199174A JP 62257516 A JP62257516 A JP 62257516A JP 25751687 A JP25751687 A JP 25751687A JP H0199174 A JPH0199174 A JP H0199174A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント基板の配線パターン等の欠陥の有無
や形状を認識する形状認識装置に関官−るものである。
や形状を認識する形状認識装置に関官−るものである。
従来において、プリント基板の配線パターンをレーザビ
ームで走査し、その反射光像を突起や断線などの検出論
理に対応して認識パターンが設定された所定分解能のオ
ペレータによって調べ、反射光像で示される配線パター
ンの線幅が許容値以下の部分は欠け、許容値以上の部分
は突起という具合に、欠陥の有無等を認識する形状認識
装置がある。
ームで走査し、その反射光像を突起や断線などの検出論
理に対応して認識パターンが設定された所定分解能のオ
ペレータによって調べ、反射光像で示される配線パター
ンの線幅が許容値以下の部分は欠け、許容値以上の部分
は突起という具合に、欠陥の有無等を認識する形状認識
装置がある。
ところが、上記従来装置で用いられているオペレータは
その分解能と認O可能な2次元平面の大きさが例えば分
解能−10μm1大きさ−0,3mmという具合に固定
されているため、これ以上または以下の分解能で配線パ
ターンを巨視的あるいは微視的に調べることができない
。このため、例えば第9図(a)の破線部分を配線パタ
ーンの欠けとして認識してしまったり、第9図(b)の
破線部分を欠陥なしの直角部分として認識するなど、欠
陥の見逃しや過剰検出が多々発生し、信頼性に欠けると
いう問題があった。
その分解能と認O可能な2次元平面の大きさが例えば分
解能−10μm1大きさ−0,3mmという具合に固定
されているため、これ以上または以下の分解能で配線パ
ターンを巨視的あるいは微視的に調べることができない
。このため、例えば第9図(a)の破線部分を配線パタ
ーンの欠けとして認識してしまったり、第9図(b)の
破線部分を欠陥なしの直角部分として認識するなど、欠
陥の見逃しや過剰検出が多々発生し、信頼性に欠けると
いう問題があった。
本光明の目的は、欠陥の有無等を正確に認識することが
でさる信頼性の高い形状認識装置を提供することにある
。
でさる信頼性の高い形状認識装置を提供することにある
。
(問題点を解決するための手段〕
水サテ明は、分解能が異なる複数のオペレータと、これ
らのオペレータに対応した複数の形状認識モジュールと
、これらのオペレータと形状1 fiモジュールを選択
的に使用して認識対象物体の形状を判定する形状判定モ
ジュールとを設けることにより、上記目的を達成するも
のである。
らのオペレータに対応した複数の形状認識モジュールと
、これらのオペレータと形状1 fiモジュールを選択
的に使用して認識対象物体の形状を判定する形状判定モ
ジュールとを設けることにより、上記目的を達成するも
のである。
例えば、分解能が100μmで大きさが3mmの大オペ
レータと、分1fi’能が40μmで大きざが1.2m
mの中オペレータと、分解能が10μmで大きさがQ、
3mmの小オペレータを用意しておく。そこで、配線パ
ターンの欠陥や形状を認識する際には、まず大オペレー
タを使用して概略的な形状を認識し、その結果によって
中オペレーダまたは小オペレータを選択して細部の認識
を行う。
レータと、分1fi’能が40μmで大きざが1.2m
mの中オペレータと、分解能が10μmで大きさがQ、
3mmの小オペレータを用意しておく。そこで、配線パ
ターンの欠陥や形状を認識する際には、まず大オペレー
タを使用して概略的な形状を認識し、その結果によって
中オペレーダまたは小オペレータを選択して細部の認識
を行う。
これによって、微視的な認識によって生じていた欠陥の
見逃しや過剰検出を防止し、正確な認識が可能になる。
見逃しや過剰検出を防止し、正確な認識が可能になる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図であり、大
別すると、走査光学系12画像メモリ部2、形状認識部
3.形状判定部4とから構成されている。
別すると、走査光学系12画像メモリ部2、形状認識部
3.形状判定部4とから構成されている。
走査光学系1は、認識対象となるプリント基板PWBの
配線パターン面をレーザビームによって走査し、その反
射光像の画@号を出力するもので、レーザビームを走査
するポリゴンスキャナ10と、配線パターン面からの反
射光像を集光する集光用光ファイバ11と、この集光用
光ファイバで集光された反射光像をポリゴンスキャナ1
0の走査速度に同期した速度でサンプリングした後、2
値化画信号として出力するAD変換モジュール12とか
ら構成されている。
配線パターン面をレーザビームによって走査し、その反
射光像の画@号を出力するもので、レーザビームを走査
するポリゴンスキャナ10と、配線パターン面からの反
射光像を集光する集光用光ファイバ11と、この集光用
光ファイバで集光された反射光像をポリゴンスキャナ1
0の走査速度に同期した速度でサンプリングした後、2
値化画信号として出力するAD変換モジュール12とか
ら構成されている。
画像メモリ部2は、走査光学系1から出力される2値化
画信丹を画素単位で記憶するもので、ここでは後述する
大、中、小の各オペレータにそれぞれ対応した分解能で
2rIi化画信号を記憶する第1〜第3メモリ2A〜2
Cで構成されている。
画信丹を画素単位で記憶するもので、ここでは後述する
大、中、小の各オペレータにそれぞれ対応した分解能で
2rIi化画信号を記憶する第1〜第3メモリ2A〜2
Cで構成されている。
ここで、各オペレータを自行xm列のmXn画素のマト
リクスで構成したとすると、第1〜第3メモリ2A〜2
Cはmx nii!ii素の記憶容rを備える必要があ
る。一方、走査光学系1で得た配線パターンの像は実時
間で高速処理する必要がある。
リクスで構成したとすると、第1〜第3メモリ2A〜2
Cはmx nii!ii素の記憶容rを備える必要があ
る。一方、走査光学系1で得た配線パターンの像は実時
間で高速処理する必要がある。
そこで、第1〜第3メモリ2A〜2Cはオペレータと同
一マトリクス構成のパイプラインモジュール20と第1
行目の画像信丹をi+1行目に順送りするラインバッフ
ァ21とを備えている。この場合、ラインバッファ21
はパイプラインモジ ゛ニール20と同−記憶容Qを備
えている。
一マトリクス構成のパイプラインモジュール20と第1
行目の画像信丹をi+1行目に順送りするラインバッフ
ァ21とを備えている。この場合、ラインバッファ21
はパイプラインモジ ゛ニール20と同−記憶容Qを備
えている。
第1〜第3メモリ2A〜20はこのようにオペレータと
同一画素数の記憶容Qを右するものであるが、この実施
例では、大、中、小の各オペレータの分解能を第2図(
a)〜(C)に示すように、大オペレータについては分
解能=100μm、大゛きさ=3mm、中オペレータに
ついては分解能−40μm、大きさ−1,2mm、小オ
ペレータについては分解能−10μm、大きさ−0,3
mmとし、大、中、小のオペレータの分解能を異ならせ
ているため、小オペレータに対応する第1メモリ2Aは
第3図(a>に示すように30x30画素の記憶容■を
有するパイプラインモジュール2OAとラインバッファ
21Aとで構成されている。
同一画素数の記憶容Qを右するものであるが、この実施
例では、大、中、小の各オペレータの分解能を第2図(
a)〜(C)に示すように、大オペレータについては分
解能=100μm、大゛きさ=3mm、中オペレータに
ついては分解能−40μm、大きさ−1,2mm、小オ
ペレータについては分解能−10μm、大きさ−0,3
mmとし、大、中、小のオペレータの分解能を異ならせ
ているため、小オペレータに対応する第1メモリ2Aは
第3図(a>に示すように30x30画素の記憶容■を
有するパイプラインモジュール2OAとラインバッファ
21Aとで構成されている。
また、中オペレータに対応する第2メモリ2Bについて
は、第3図(b)に示すように第1メモ −リ2Aと
同様に30X30画素の記憶容0を要するパイプライン
モジュール20Bとラインバッファ21Aとで構成され
ているが、中オペレータの分解能が小オペレータの1/
4に設定されているため、走査光学系1から出力される
2値化画信号を縦方向および横方向に1/4に圧縮する
圧縮モジュール22が付加されている。
は、第3図(b)に示すように第1メモ −リ2Aと
同様に30X30画素の記憶容0を要するパイプライン
モジュール20Bとラインバッファ21Aとで構成され
ているが、中オペレータの分解能が小オペレータの1/
4に設定されているため、走査光学系1から出力される
2値化画信号を縦方向および横方向に1/4に圧縮する
圧縮モジュール22が付加されている。
さらに、大オペレータに対応する第3メモリ2Cについ
ては、第3図(C)に示すように第1メモリ2Aと同様
に30X30画素の記゛n容争を右するバイブラインモ
ジュール20Cとラインバッファ21Gとで構成されて
いるが、大オペレータの分解能が小オペレータの1/1
0に設定されているため、走査光学系1から出力される
2値化画信丹を1/10に圧縮する圧縮モジコール23
が付加されている。
ては、第3図(C)に示すように第1メモリ2Aと同様
に30X30画素の記゛n容争を右するバイブラインモ
ジュール20Cとラインバッファ21Gとで構成されて
いるが、大オペレータの分解能が小オペレータの1/1
0に設定されているため、走査光学系1から出力される
2値化画信丹を1/10に圧縮する圧縮モジコール23
が付加されている。
ここで圧縮モジュール22は、走査光学系1から出力さ
れる2値化画信号を4画素ずつ論理和をとって横方向に
ついて1/4画素に圧縮し、さらにこの圧縮した信号を
縦方向について4画素ずつ論理和をとることにより、第
1メモリ2Aの1/4の分解能の画信号に変換するもの
である。圧縮モジュール23についても同様であり、走
査光学系1から出力される2値化画信丹を10画素ずつ
論理和をとって横方向について1/10画素に圧縮し、
さらにこの圧縮した信号を縦方向に10画素ずつ論理和
をとることにより、第1メモリ2Aの1/10の分解能
の画信号に変換するものである。
れる2値化画信号を4画素ずつ論理和をとって横方向に
ついて1/4画素に圧縮し、さらにこの圧縮した信号を
縦方向について4画素ずつ論理和をとることにより、第
1メモリ2Aの1/4の分解能の画信号に変換するもの
である。圧縮モジュール23についても同様であり、走
査光学系1から出力される2値化画信丹を10画素ずつ
論理和をとって横方向について1/10画素に圧縮し、
さらにこの圧縮した信号を縦方向に10画素ずつ論理和
をとることにより、第1メモリ2Aの1/10の分解能
の画信号に変換するものである。
・ 次に、第1図の形状認識部3はnxm画素のオペレ
ータを用いて配線パターンの形状をHhするもので、1
0μm、40μm、100μmの分解能で形状を認識す
る第1〜第3認識部3A〜3Cで構成されている。第1
認識部3Aは日xm画素の小オペレータ30Aと認識モ
ジュール31Aとで構成され、また第2認識部3Bはn
xm画素の中オペレータ30Bと認識モジュール31B
とで構成されている。さらに、第3認識部3Cはnxm
画素の大オペレータ30Cと認識モジュール31Cとで
構成されている。
ータを用いて配線パターンの形状をHhするもので、1
0μm、40μm、100μmの分解能で形状を認識す
る第1〜第3認識部3A〜3Cで構成されている。第1
認識部3Aは日xm画素の小オペレータ30Aと認識モ
ジュール31Aとで構成され、また第2認識部3Bはn
xm画素の中オペレータ30Bと認識モジュール31B
とで構成されている。さらに、第3認識部3Cはnxm
画素の大オペレータ30Cと認識モジュール31Cとで
構成されている。
認識モジュール31A〜31Gはそれぞれ対応するオペ
レータ30A〜30Cを用いて配線パターンの形状を認
識するものであるが、具体的にはROMまたはRAMな
どのメモリで構成され、その出力から配線パターンの欠
け、線太り、突起などの欠陥を表わす信号を出力する。
レータ30A〜30Cを用いて配線パターンの形状を認
識するものであるが、具体的にはROMまたはRAMな
どのメモリで構成され、その出力から配線パターンの欠
け、線太り、突起などの欠陥を表わす信号を出力する。
すなわち、配線パターンの欠陥はnxm画素の2値化画
住の組合せによって認識できる。従って、nxm画素の
2値化画像の組合せに対応したアドレスに欠陥の種類を
表わす信号を記″巴させておき、nxm画素のオペレー
タを通して見た配線パターンの画信号をアドレス入力と
して供給することにより、配線パターンの欠陥の種類を
表わす信号を出力することができる。この場合、nxm
画素の全ての画素の組合ゼについて判別しようとすると
、アドレス数が非常に多くなる。そこで、本実施例では
、例えば第4図(a)、(b)に示すような認識パター
ンをオペレータに設定し、この認L4mパターンで示さ
れる画素の2値化画信号のみで欠陥の種類をTI Rす
るように構成している。
住の組合せによって認識できる。従って、nxm画素の
2値化画像の組合せに対応したアドレスに欠陥の種類を
表わす信号を記″巴させておき、nxm画素のオペレー
タを通して見た配線パターンの画信号をアドレス入力と
して供給することにより、配線パターンの欠陥の種類を
表わす信号を出力することができる。この場合、nxm
画素の全ての画素の組合ゼについて判別しようとすると
、アドレス数が非常に多くなる。そこで、本実施例では
、例えば第4図(a)、(b)に示すような認識パター
ンをオペレータに設定し、この認L4mパターンで示さ
れる画素の2値化画信号のみで欠陥の種類をTI Rす
るように構成している。
例えば、第5図に示すように一部分が欠落した配線パタ
ーン像100を十字状の認識パターンで見た時には、欠
落部分は1”、それ以外は“O”となる。そこで、この
パ1″、′○”の組合せパターンに対応したアドレスに
“欠け”という欠陥情報を記憶させておくことにより、
配線パターンの欠陥の種類を表わす信号を出力すること
ができる。
ーン像100を十字状の認識パターンで見た時には、欠
落部分は1”、それ以外は“O”となる。そこで、この
パ1″、′○”の組合せパターンに対応したアドレスに
“欠け”という欠陥情報を記憶させておくことにより、
配線パターンの欠陥の種類を表わす信号を出力すること
ができる。
形状認識部3の小、中、大のオペレータ30A“〜30
Cには、第6図に示すように各種の欠陥を認識するため
の認識パターンが必要に応じて設定され、また認識モジ
ュール31A〜31Cには同様の欠陥を表わす信号が予
め記憶されている。
Cには、第6図に示すように各種の欠陥を認識するため
の認識パターンが必要に応じて設定され、また認識モジ
ュール31A〜31Cには同様の欠陥を表わす信号が予
め記憶されている。
次に、形状判定部4ば第1〜第3の認識部3八〜3Cを
適宜に選択して配線パターンの欠陥を判定するもので、
オペレータ選択モジュール40および形状判定モジュー
ル41とから構成され、判定した欠陥の種類および座標
位置を表わす信号を外部に出力する。
適宜に選択して配線パターンの欠陥を判定するもので、
オペレータ選択モジュール40および形状判定モジュー
ル41とから構成され、判定した欠陥の種類および座標
位置を表わす信号を外部に出力する。
第7図は欠陥抽出判定シーケンスを示すフローチャート
である。以下、このフローチャートを参照して欠陥検出
動作を説明する。まず、プリント基板PWBをポリゴン
スキャナ10の走査面上に置き、配線パターン面をレー
ザビームで走査し、配線パターンの2値化画信号をΔD
変換モジュール12から取出す(Sl)。この時、配線
パターンに第8図<a)のように欠けがあった場合、そ
の2g1化画信丹として第8図(b)に示すような信号
が取出される。
である。以下、このフローチャートを参照して欠陥検出
動作を説明する。まず、プリント基板PWBをポリゴン
スキャナ10の走査面上に置き、配線パターン面をレー
ザビームで走査し、配線パターンの2値化画信号をΔD
変換モジュール12から取出す(Sl)。この時、配線
パターンに第8図<a)のように欠けがあった場合、そ
の2g1化画信丹として第8図(b)に示すような信号
が取出される。
この2値化画信号は′;:t51メモリ2A〜2Cに入
力されて記憶される。この時、2値化画信丹は小オペレ
ータ30Aと同じ分解能を右するため、第1メモリ2A
には入力された2値化画信丹が圧縮されずにそのまま記
憶される。しかし、第2メモリ2Bにおいては圧縮モジ
ュール22で4画素が1画素に圧縮され、パイプライン
モジュール20’Bおよびラインバッフ121Bに記憶
される。
力されて記憶される。この時、2値化画信丹は小オペレ
ータ30Aと同じ分解能を右するため、第1メモリ2A
には入力された2値化画信丹が圧縮されずにそのまま記
憶される。しかし、第2メモリ2Bにおいては圧縮モジ
ュール22で4画素が1画素に圧縮され、パイプライン
モジュール20’Bおよびラインバッフ121Bに記憶
される。
同様に、第3メモリ2Cにおいては圧縮モジュール23
で10画素が1画素に圧縮されてパイプラインモジュー
ル20Cおよび21Cに記憶される。
で10画素が1画素に圧縮されてパイプラインモジュー
ル20Cおよび21Cに記憶される。
これにより、第1メモリ2Aには西己線パターンの像が
10μmの分解能で記憶され、また第2メモリ2B、2
Cには40.czm、iooμmの分解能で記憶された
ことになる。
10μmの分解能で記憶され、また第2メモリ2B、2
Cには40.czm、iooμmの分解能で記憶された
ことになる。
形状認識部3の形状認識モジュール31A〜31Gは、
10!m、40!m、100μmの分解能のオペレータ
30A〜30Cにそれぞれ設定された認識パターンによ
ってメモリ2A〜2Cに記′nされた2値化画像の形状
を認識する。この時、−オペレータ選択モジュール40
は最初に大オペレータ30Gを選択して概略的な形状を
認識させる。
10!m、40!m、100μmの分解能のオペレータ
30A〜30Cにそれぞれ設定された認識パターンによ
ってメモリ2A〜2Cに記′nされた2値化画像の形状
を認識する。この時、−オペレータ選択モジュール40
は最初に大オペレータ30Gを選択して概略的な形状を
認識させる。
例えば、第8図(C)に示すように大オペレータ30C
を米字状のHnパターンに設定し、この認識パターンで
2値化画信号をスクリーニングし、概略的な形状を認識
させる(S2)。
を米字状のHnパターンに設定し、この認識パターンで
2値化画信号をスクリーニングし、概略的な形状を認識
させる(S2)。
これにより、形状認識モジュール31Cから′欠け”と
いう欠陥信号が出力されると、オペレータ選択モジュー
ル40はさらに微細な認識を行うためには小オペレータ
30Aと中オペレータ30Bのいずれが適切であるかを
判定し、適切なオペレータ、例えば小オペレータ30A
を選択する(S3)。
いう欠陥信号が出力されると、オペレータ選択モジュー
ル40はさらに微細な認識を行うためには小オペレータ
30Aと中オペレータ30Bのいずれが適切であるかを
判定し、適切なオペレータ、例えば小オペレータ30A
を選択する(S3)。
すると、選択された小オペレータ30Aに対応する形状
認識モジュール31Aが該小オペレータ30Aに設定さ
れたQ iパターン、たとえば第8図(d)に示す十字
状の認識パターンで第1メモリ2Aに記憶された2値化
画像をスクリーニングし、形状の欠陥を認識する($4
)。この結果、欠陥の種類を表わす信号が形状認識モジ
ュール31Aから出力され、形状判定部41で欠陥の位
置座標を示す情報が付加されて外部に出力される(85
.86>。
認識モジュール31Aが該小オペレータ30Aに設定さ
れたQ iパターン、たとえば第8図(d)に示す十字
状の認識パターンで第1メモリ2Aに記憶された2値化
画像をスクリーニングし、形状の欠陥を認識する($4
)。この結果、欠陥の種類を表わす信号が形状認識モジ
ュール31Aから出力され、形状判定部41で欠陥の位
置座標を示す情報が付加されて外部に出力される(85
.86>。
このようにして最初に大オペレータ31Cを用いて概略
的な形状を認識し、その認識結果によって小オペレータ
30Aまたは中オペレータ30Bを選択して微細な形状
を認識する手順をとるこのにより、欠陥の過剰検出や見
逃しを防止し、欠陥検出の精度を高めることができる。
的な形状を認識し、その認識結果によって小オペレータ
30Aまたは中オペレータ30Bを選択して微細な形状
を認識する手順をとるこのにより、欠陥の過剰検出や見
逃しを防止し、欠陥検出の精度を高めることができる。
ところで、オペレータを大、中、小の異なる分解能に分
割することにより、画像メモリ部2の記・n容量を大幅
に削減し、メモリ素子の個数を少なくすることができる
。すなわち、3mmの大きさの画像を10!m、40!
m、100!mの分解能に別けて認識する場合、パイプ
ラインモジュールは10μmの分解能で2値化画信号を
記憶する構成でも構わない。しかし、この場合には、パ
イプラインモジュールには300x300画素分のメモ
リ容Rが必要となる。従って、例えば8ビツトの記憶容
量を有するシフトレジスタを用いた場合、300x30
0/8=11400ffi(7)シフ1−レジスタが必
要となる。
割することにより、画像メモリ部2の記・n容量を大幅
に削減し、メモリ素子の個数を少なくすることができる
。すなわち、3mmの大きさの画像を10!m、40!
m、100!mの分解能に別けて認識する場合、パイプ
ラインモジュールは10μmの分解能で2値化画信号を
記憶する構成でも構わない。しかし、この場合には、パ
イプラインモジュールには300x300画素分のメモ
リ容Rが必要となる。従って、例えば8ビツトの記憶容
量を有するシフトレジスタを用いた場合、300x30
0/8=11400ffi(7)シフ1−レジスタが必
要となる。
しかし、分解能毎にパイプラインモジュールを独立させ
ると、各モジュールでは30x30画素の記憶容Oだけ
でよく、8ビツトのシフトレジスタを用いた場合には、
3x (30x30/8)=360個となる。この場合
、中、大のオペレータに対応するパイプラインモジュー
ルには圧縮モジュールが必要となるが、これに要するシ
フトレジスタやオアゲートの個数はそれぞれ20個程度
である。
ると、各モジュールでは30x30画素の記憶容Oだけ
でよく、8ビツトのシフトレジスタを用いた場合には、
3x (30x30/8)=360個となる。この場合
、中、大のオペレータに対応するパイプラインモジュー
ルには圧縮モジュールが必要となるが、これに要するシ
フトレジスタやオアゲートの個数はそれぞれ20個程度
である。
従って、全体としてのシフトレジスタ等の素子数は約4
00fl!I程度となり、大幅な素子の削減となる。こ
の結果、これらの素子を収容する回路基板の枚数も減少
し、装置の小形化を図ることができる。
00fl!I程度となり、大幅な素子の削減となる。こ
の結果、これらの素子を収容する回路基板の枚数も減少
し、装置の小形化を図ることができる。
なお、上記実施例ではオペレータとして分解能の賃なる
3種類のオペレータを用いているが、2種類あるいは3
種類以上のオペレータを用いる構成にしてもよい。また
、配線パターンの欠陥に限らず、各種の物体の形状認識
にも同様に適用できるものである。
3種類のオペレータを用いているが、2種類あるいは3
種類以上のオペレータを用いる構成にしてもよい。また
、配線パターンの欠陥に限らず、各種の物体の形状認識
にも同様に適用できるものである。
〔発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、分解能の異なる複
数オペレータを用いて配線パターン等の形状を認識する
ように構成したため、認識対象の物体の形状を高粘度で
正確に認識できるという効果がある。
数オペレータを用いて配線パターン等の形状を認識する
ように構成したため、認識対象の物体の形状を高粘度で
正確に認識できるという効果がある。
第1図は本ざt明の一実施例を示すブロックa成図、第
2図は大、中、小のオペレータの構成を示す図、13図
は第1〜第3メモリの構成を示すブロック図、第4図は
オペレータに設定される認識パターンの一例を示す図、
第5図は欠落部分の検出方法を説明する説明図、第6図
はE Bする欠陥の種類を示す説明図、第7図は欠陥抽
出シーケンスを示すフローチャート、第8図は欠陥抽出
過程の説明図、第9図は欠陥の過剰検出と見逃しの一例
を示すパターン図である。 1・・・走査光学系、2・・・画像メモリ部、3・・・
形状認識部、4・・・形状判定部、10・・・ポリゴン
スギャナ、12・・・AD変換モジュール、20△〜2
0C・・・パイプラインモジュール、21A〜21C・
・・ラインバッファ、22.23・・・圧縮モジコール
、30A・・・小オペレータ、3013・・・中オペレ
ータ、30G・・・大オペレータ、31A〜31C・・
・形状認識モジュール、40・・・オペレータ選択モジ
ュール、41・・・形状判定モジュール。 03mm 12mm−一一一 (a ) (b )第4図 第6図 第9図
2図は大、中、小のオペレータの構成を示す図、13図
は第1〜第3メモリの構成を示すブロック図、第4図は
オペレータに設定される認識パターンの一例を示す図、
第5図は欠落部分の検出方法を説明する説明図、第6図
はE Bする欠陥の種類を示す説明図、第7図は欠陥抽
出シーケンスを示すフローチャート、第8図は欠陥抽出
過程の説明図、第9図は欠陥の過剰検出と見逃しの一例
を示すパターン図である。 1・・・走査光学系、2・・・画像メモリ部、3・・・
形状認識部、4・・・形状判定部、10・・・ポリゴン
スギャナ、12・・・AD変換モジュール、20△〜2
0C・・・パイプラインモジュール、21A〜21C・
・・ラインバッファ、22.23・・・圧縮モジコール
、30A・・・小オペレータ、3013・・・中オペレ
ータ、30G・・・大オペレータ、31A〜31C・・
・形状認識モジュール、40・・・オペレータ選択モジ
ュール、41・・・形状判定モジュール。 03mm 12mm−一一一 (a ) (b )第4図 第6図 第9図
Claims (2)
- (1)所定分解能のオペレータに形状認識用の認識パタ
ーンを設定し、この認識パターンによって認識対象の物
体の画像を調べ、認識対象物体の形状を認識する形状認
識装置において、分解能が異なる複数のオペレータと、
これらのオペレータに対応した複数の形状認識モジュー
ルと、これらのオペレータと形状認識モジュールを選択
的に使用して認識対象物体の形状を判定する形状判定モ
ジュールとを備えて成る形状認識装置。 - (2)形状判定モジュールは、複数のオペレータのうち
分解能が最も大きいオペレータを最先に使用して認識対
象物体の概略形状を判定し、その判定結果に応じて次に
用いるオペレータを順次に選択して形状を判定するもの
である特許請求の範囲第(1)項記載の形状認識装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62257516A JPH0199174A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 形状認識装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62257516A JPH0199174A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 形状認識装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0199174A true JPH0199174A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17307383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62257516A Pending JPH0199174A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 形状認識装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0199174A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0324446A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Komatsu Ltd | 物体の欠陥検出方法 |
JP2001521250A (ja) * | 1997-10-27 | 2001-11-06 | マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー | 情報の検索および検索システム |
JP2010217117A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62257516A patent/JPH0199174A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0324446A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Komatsu Ltd | 物体の欠陥検出方法 |
JP2001521250A (ja) * | 1997-10-27 | 2001-11-06 | マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー | 情報の検索および検索システム |
JP2009187581A (ja) * | 1997-10-27 | 2009-08-20 | Massachusetts Inst Of Technol <Mit> | 情報の検索および検索システム |
US7860854B2 (en) | 1997-10-27 | 2010-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Information search and retrieval system |
JP2010217117A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
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