JPH0197876A - 超電導線の臨界電流測定法 - Google Patents
超電導線の臨界電流測定法Info
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- JPH0197876A JPH0197876A JP25370787A JP25370787A JPH0197876A JP H0197876 A JPH0197876 A JP H0197876A JP 25370787 A JP25370787 A JP 25370787A JP 25370787 A JP25370787 A JP 25370787A JP H0197876 A JPH0197876 A JP H0197876A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導線の基本特性である臨界電流特性の測定
方法に係り、特に超電導線の臨界電流をより正確に評価
し、信頼性の高い超電導線及びこれを巻線した超電導マ
グネットを供給するのに好適な超電導線の臨界電流測定
法に関する。
方法に係り、特に超電導線の臨界電流をより正確に評価
し、信頼性の高い超電導線及びこれを巻線した超電導マ
グネットを供給するのに好適な超電導線の臨界電流測定
法に関する。
従来、超電導線の磁界−臨界電流特性（以下。
Ｈ−Ｉ ｃ特性）の測定は、短尺の超電導線試料を用い
４端子法で行われている。即ち、均一磁界中に置いた試
料に電流を流し、電圧が発生した時点での電流値を臨界
電流としている。
４端子法で行われている。即ち、均一磁界中に置いた試
料に電流を流し、電圧が発生した時点での電流値を臨界
電流としている。
以下、第３図を用いて従来例を具体的に説明する。第３
図に於て、先ず直流電流源６Ａでクライオスタット４内
の超電導マグネット２を励磁し所望の磁界を発生させる
。此の超電導マグネット２のボア内の均一磁界中に超電
導線試料１を置き、直流電流源６Ｂ、により超電導線試
料１に通電する。
図に於て、先ず直流電流源６Ａでクライオスタット４内
の超電導マグネット２を励磁し所望の磁界を発生させる
。此の超電導マグネット２のボア内の均一磁界中に超電
導線試料１を置き、直流電流源６Ｂ、により超電導線試
料１に通電する。
前記超電導線試料１の先端部分に取り付けた、端子間の
電圧と電流源６Ｂの電流値を記録計８（例えばＸ−Ｙレ
コーダー）で観測する。このとき端子間電圧を感度良く
検出するために、通常高倍率の増幅器７が用いられる。
電圧と電流源６Ｂの電流値を記録計８（例えばＸ−Ｙレ
コーダー）で観測する。このとき端子間電圧を感度良く
検出するために、通常高倍率の増幅器７が用いられる。
このようにして得られた、記録肥土の電圧−電流曲線を
一般化して第４図に示す、此の曲線から超電導線試料１
の発生電圧がＥの時の試料通電電流を臨界電流（以下Ｉ
ｃ）としている、前記の超電導線試料１の発生電圧の基
準として、現在国際的に統一された規格があるわけでは
ない。通常、アメリカン・ソサイアテイー・フォー・テ
スティング・アンド・マテリアルズ、デジグネーション
Ｂ ７１４−８２ （ＡｍｅｒｉｃａｎＳｏｃｉｅｔ
ｙ ｆｏｒ Ｔｅｓｔｉｎｇ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ、ＤｅｓｉｇｎａｔｉｏｎＢ７１４−８２）に於て
論じられているように、１μｖ／ａ１１の発生電圧、も
しくは超電導線の比抵抗ρに換算してρ＝ＩＸ１０″″
１１〜Ｉ Ｘ １０−１２Ω・■が常識的なＩｃの判断
基準とされている。
一般化して第４図に示す、此の曲線から超電導線試料１
の発生電圧がＥの時の試料通電電流を臨界電流（以下Ｉ
ｃ）としている、前記の超電導線試料１の発生電圧の基
準として、現在国際的に統一された規格があるわけでは
ない。通常、アメリカン・ソサイアテイー・フォー・テ
スティング・アンド・マテリアルズ、デジグネーション
Ｂ ７１４−８２ （ＡｍｅｒｉｃａｎＳｏｃｉｅｔ
ｙ ｆｏｒ Ｔｅｓｔｉｎｇ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ、ＤｅｓｉｇｎａｔｉｏｎＢ７１４−８２）に於て
論じられているように、１μｖ／ａ１１の発生電圧、も
しくは超電導線の比抵抗ρに換算してρ＝ＩＸ１０″″
１１〜Ｉ Ｘ １０−１２Ω・■が常識的なＩｃの判断
基準とされている。
超電導マグネット２による発生磁界を変化させ、以上の
測定を繰り返すことにより超電導線のＨ−Ｉｃ特性を得
ることができる。
測定を繰り返すことにより超電導線のＨ−Ｉｃ特性を得
ることができる。
又、現在良く用いられている超電導フィラメントがツイ
ストされた超電導素線や、此の超電導素線を複数本撚線
した極細多心超電導線試料では、試料内の分流現象によ
って電流通電開始から電圧が発生する場合がある。この
場合の試料の電圧−電流曲線を一般化して、第５図に示
す、この様な電圧−電流曲線が得られた場合、第５図中
破線で示すようにベースラインを引き、全発生電圧から
このベースラインに相当する電圧を差し引いた電圧が１
μＶ／ａｎ （又は、超電導線の比抵抗ρに換算してρ
＝ＩＸ１０″″１１〜Ｉ Ｘ １０−１ｚΩ・■）とな
る電流値を、Ｉｃの判断基準としている（以下この方法
をベースライン法と呼ぶ）。
ストされた超電導素線や、此の超電導素線を複数本撚線
した極細多心超電導線試料では、試料内の分流現象によ
って電流通電開始から電圧が発生する場合がある。この
場合の試料の電圧−電流曲線を一般化して、第５図に示
す、この様な電圧−電流曲線が得られた場合、第５図中
破線で示すようにベースラインを引き、全発生電圧から
このベースラインに相当する電圧を差し引いた電圧が１
μＶ／ａｎ （又は、超電導線の比抵抗ρに換算してρ
＝ＩＸ１０″″１１〜Ｉ Ｘ １０−１ｚΩ・■）とな
る電流値を、Ｉｃの判断基準としている（以下この方法
をベースライン法と呼ぶ）。
次に、前記４端子法による超電導線のＨ−Ｉ ｃ特性の
測定例を実験結果を用いて具体的に説明する。
測定例を実験結果を用いて具体的に説明する。
実験に用いた超電導線試料１は、外径１．９５ｍで直径
０．６２７ａｍの超電導素線７本をピッチ２４．５ｎｙ
ａで撚線して構成されている。上記、各超電導素線は直
径０．３８μｍのＮｂＴｉの超電導フィラメント７５６
，７２０本をピッチ６．３ｍでツイストし安定化銅の中
に埋め込んである。更に、上記ＮｂＴｉフィラメントの
周りは高抵抗のＣｕＮｉで覆われている。この超電導線
をＵ字状に曲げ第３図の超電導線試料１とした。この超
電導線試料１の先端に２ａｍ間隔で電圧端子３を取り付
け、液体ヘリウム５中の超電導マグネット２のボア内に
設置した。前記、超電導マグネット２は電流源６Ａによ
って励磁するがその励磁電流と発生磁界との関係は予め
測定してあり、シャント９Ａと電流記録計１０により実
験中、超電導線試料１に印加される磁界の大きさを知る
ことができる。超電導マグネット２により所望の磁界を
発生させ、電流源６Ｂにより超電導試料１に通電し試料
の通電電流をシャント９Ｂを介して、一方超電導線試料
１で発生する電圧を高倍率の増幅器７を通じてＸ−Ｙレ
コーダー８で記録した。
０．６２７ａｍの超電導素線７本をピッチ２４．５ｎｙ
ａで撚線して構成されている。上記、各超電導素線は直
径０．３８μｍのＮｂＴｉの超電導フィラメント７５６
，７２０本をピッチ６．３ｍでツイストし安定化銅の中
に埋め込んである。更に、上記ＮｂＴｉフィラメントの
周りは高抵抗のＣｕＮｉで覆われている。この超電導線
をＵ字状に曲げ第３図の超電導線試料１とした。この超
電導線試料１の先端に２ａｍ間隔で電圧端子３を取り付
け、液体ヘリウム５中の超電導マグネット２のボア内に
設置した。前記、超電導マグネット２は電流源６Ａによ
って励磁するがその励磁電流と発生磁界との関係は予め
測定してあり、シャント９Ａと電流記録計１０により実
験中、超電導線試料１に印加される磁界の大きさを知る
ことができる。超電導マグネット２により所望の磁界を
発生させ、電流源６Ｂにより超電導試料１に通電し試料
の通電電流をシャント９Ｂを介して、一方超電導線試料
１で発生する電圧を高倍率の増幅器７を通じてＸ−Ｙレ
コーダー８で記録した。
この様にして構成した装置によって、前記ベースライン
法で求めた超電導線試料１のＨＩｃ特性を第８図中Δで
示した。
法で求めた超電導線試料１のＨＩｃ特性を第８図中Δで
示した。
元来、超電導線の臨界電流は、磁界中で超電導線試料に
電流を流した場合に電圧（抵抗）発生の無いときの最大
電流値として決めるべきであるが、現実には測定機器の
感度等の問題から、前述の如く有限な電圧が発生すると
きの試料通電電流を便宜的に臨界電流としている。この
電圧（抵抗）の発生基準も国際的に統一された値がある
訳ではない。また、この様にして求めた超電導線の短尺
試料のＨＩｃ特性を基に超電導マグネットを設計製作し
た場合に、臨界電流以下で超電導マグネット内で電圧の
発生がみられ、超電導マグネット全体の常電導転移に至
る等の問題があった。
電流を流した場合に電圧（抵抗）発生の無いときの最大
電流値として決めるべきであるが、現実には測定機器の
感度等の問題から、前述の如く有限な電圧が発生すると
きの試料通電電流を便宜的に臨界電流としている。この
電圧（抵抗）の発生基準も国際的に統一された値がある
訳ではない。また、この様にして求めた超電導線の短尺
試料のＨＩｃ特性を基に超電導マグネットを設計製作し
た場合に、臨界電流以下で超電導マグネット内で電圧の
発生がみられ、超電導マグネット全体の常電導転移に至
る等の問題があった。
更に、特に交流用超電導線等に用いられる極細多心超電
導線では、一般に交流損失を低減するために銅比を少な
くし、ＣｕＮｉ等の高抵抗体を使用するため超電導線内
の電流分流に伴う発熱が顕著となり、前記４端子法によ
る測定法では、超電導線試料に通電開始から電圧端手間
に電圧が発生しベースライン法を用いて臨界電流を決め
ようとしても、ベースラインを一義的に引くことが困難
であり、求めた臨界電流もデータの処理の仕方によって
は大きく異なる等信頼性に欠ける問題があった。
導線では、一般に交流損失を低減するために銅比を少な
くし、ＣｕＮｉ等の高抵抗体を使用するため超電導線内
の電流分流に伴う発熱が顕著となり、前記４端子法によ
る測定法では、超電導線試料に通電開始から電圧端手間
に電圧が発生しベースライン法を用いて臨界電流を決め
ようとしても、ベースラインを一義的に引くことが困難
であり、求めた臨界電流もデータの処理の仕方によって
は大きく異なる等信頼性に欠ける問題があった。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、安価で、かつ、厳密に超電導線の臨界電流
が測定でき、超電導マグネットの信頼性を大巾に向上さ
せる超電導線の臨界電流測定法を提供するにある。
るところは、安価で、かつ、厳密に超電導線の臨界電流
が測定でき、超電導マグネットの信頼性を大巾に向上さ
せる超電導線の臨界電流測定法を提供するにある。
上記目的は、従来の超電導線の発生電圧（もしくは比抵
抗）を臨界電流の判断基準とする代わりに、超電導線の
温度上昇を臨界電流の判断基準にしたり、又は両方法を
併用することによって達成される。
抗）を臨界電流の判断基準とする代わりに、超電導線の
温度上昇を臨界電流の判断基準にしたり、又は両方法を
併用することによって達成される。
超電導線の冷媒温度以上の温度上昇は、超電導線内で臨
界電流以上に電流が通電されたため常電導部が発生し、
通電電流の１部が安定化材に流れてそのジュール熱が発
生している事を示している。
界電流以上に電流が通電されたため常電導部が発生し、
通電電流の１部が安定化材に流れてそのジュール熱が発
生している事を示している。
従って、超電導線の温度上昇を感度良く検出すること１
こよって正確に臨界電流を測定することができる。
こよって正確に臨界電流を測定することができる。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。
本実施例で用いた超電導線試料１は第３図の従来の４端
子法との比較を容易にするため、従来法の場合と同一諸
元とし同じくＵ字（ヘアピン）状とした。本実施例では
超電導線試料１の温度上昇を検出する方法として、カー
ボン抵抗体で構成したブリッジ回路を用いた。超電導線
試料１の先端ニカーボン抵抗体１１ （１／ＩＯＷ、室
温テ１１０Ω）を密着させエポキシ樹脂で固定した。一
方。
子法との比較を容易にするため、従来法の場合と同一諸
元とし同じくＵ字（ヘアピン）状とした。本実施例では
超電導線試料１の温度上昇を検出する方法として、カー
ボン抵抗体で構成したブリッジ回路を用いた。超電導線
試料１の先端ニカーボン抵抗体１１ （１／ＩＯＷ、室
温テ１１０Ω）を密着させエポキシ樹脂で固定した。一
方。
これと近接する液体ヘリウム５中に前記カーボン抵抗体
と同一仕様のカーボン抵抗体１２．１３を置き、室温中
の可変抵抗体１４（１０にΩ、可変）とで第２図に示す
ホイートストン・ブリッジ回路を構成した。尚、このと
き微小電流源１５の電流は３０μＡとした。実験前に、
電流源６Ａで超電導マグネット２を励磁し、超電導マグ
ネット２のボア内に所望の磁界を発生させこのブリッジ
回路のバランスをとった後、定電流電源６Ｂで超電導線
試料１に通電した。このときの超電導線試料１の分流、
又は超電導転移に伴う試料の温度上昇によるカーボン抵
抗体１１の抵抗変化；即ち第２図のブリッジ回路のアン
バランス電圧（第２図中。
と同一仕様のカーボン抵抗体１２．１３を置き、室温中
の可変抵抗体１４（１０にΩ、可変）とで第２図に示す
ホイートストン・ブリッジ回路を構成した。尚、このと
き微小電流源１５の電流は３０μＡとした。実験前に、
電流源６Ａで超電導マグネット２を励磁し、超電導マグ
ネット２のボア内に所望の磁界を発生させこのブリッジ
回路のバランスをとった後、定電流電源６Ｂで超電導線
試料１に通電した。このときの超電導線試料１の分流、
又は超電導転移に伴う試料の温度上昇によるカーボン抵
抗体１１の抵抗変化；即ち第２図のブリッジ回路のアン
バランス電圧（第２図中。
ａ−０間電圧）を、超電導線試料１の通電電流と共にＸ
−Ｙレコーダ８で記録した。尚、カーボン抵抗体１１〜
１３の校正は、液体Ｈｅ温度（４，２２４Ｋ） 、液体
Ｎｚ温度（７７，３４８Ｋ＞及び氷点（２７３，１５Ｋ
）での抵抗の実測値（各々カーボン抵抗体１１で１０７
２．０Ω、 １２５，８Ω、 １０１．２Ω、カーボン
抵抗体１２で１０７６．３Ω、 １２７．２Ω、 １０
２．９Ω。
−Ｙレコーダ８で記録した。尚、カーボン抵抗体１１〜
１３の校正は、液体Ｈｅ温度（４，２２４Ｋ） 、液体
Ｎｚ温度（７７，３４８Ｋ＞及び氷点（２７３，１５Ｋ
）での抵抗の実測値（各々カーボン抵抗体１１で１０７
２．０Ω、 １２５，８Ω、 １０１．２Ω、カーボン
抵抗体１２で１０７６．３Ω、 １２７．２Ω、 １０
２．９Ω。
カーボン抵抗１３で１０６４．０Ω、 １２６．４Ω、
１０２．２Ω）を用いて行った。
１０２．２Ω）を用いて行った。
このようにして求めた超電導線試料１の磁界４Ｔでの結
果をデータ処理して第６図に示す。第６図中、超電導試
料１の液体Ｈｅ温度（４，２２４Ｋ）からの温度上昇０
．００１ ＫをＩｃ判断基準とすると工。
果をデータ処理して第６図に示す。第６図中、超電導試
料１の液体Ｈｅ温度（４，２２４Ｋ）からの温度上昇０
．００１ ＫをＩｃ判断基準とすると工。
＝３０ＯＡであった。一方、これと同じ超電導線試料１
を用いた。前記従来の４端子法による測定結果を第７図
に示す。ベースライン法を用いて１μＶ ／ ａｍの電
圧発生基準では、Ｉｃ＝９４５Ａであった。０．００１
Ｋ の温度上昇をＩｃの判断基準とした超電導線試料
１の磁界１〜７Ｔでの臨界電流の測定結果を、第８図中
０印で示す、第８図Δ印で示した従来の４端子法（ベー
スライン法、発生電圧１μＶ ／ ａｎ ）と本発明に
よる試料温度上昇を検出する方法（第８図中０印）を比
較すると前者は後者の約２〜３倍大きいことが分かる。
を用いた。前記従来の４端子法による測定結果を第７図
に示す。ベースライン法を用いて１μＶ ／ ａｍの電
圧発生基準では、Ｉｃ＝９４５Ａであった。０．００１
Ｋ の温度上昇をＩｃの判断基準とした超電導線試料
１の磁界１〜７Ｔでの臨界電流の測定結果を、第８図中
０印で示す、第８図Δ印で示した従来の４端子法（ベー
スライン法、発生電圧１μＶ ／ ａｎ ）と本発明に
よる試料温度上昇を検出する方法（第８図中０印）を比
較すると前者は後者の約２〜３倍大きいことが分かる。
即ち。
従来法では超電導線試料１での工。の判断基準をベース
ライン法を用い１μＶ ／ ａｍとしたため、この時の
試料通電電流は臨界電流を越え周囲の銅やＣｕＮｉの常
電導体に電流が分流しているため。
ライン法を用い１μＶ ／ ａｍとしたため、この時の
試料通電電流は臨界電流を越え周囲の銅やＣｕＮｉの常
電導体に電流が分流しているため。
熱が発生している事を示している。第８図中の０印は、
前記４端子法の結果で発生電圧を１μＶ／１より厳しく
し、Ｘ−Ｙチャート上（、フル・スケール２ｍＶ）で読
み取れる最小値（第７図中、Ａ点）とした結果であり、
温度検出法による結果（第８図中の０印）と比較的良く
一致していることが分かる。
前記４端子法の結果で発生電圧を１μＶ／１より厳しく
し、Ｘ−Ｙチャート上（、フル・スケール２ｍＶ）で読
み取れる最小値（第７図中、Ａ点）とした結果であり、
温度検出法による結果（第８図中の０印）と比較的良く
一致していることが分かる。
尚、本発明では、従来の４端子法のように高価な電圧増
幅器７を必要としないため測定装置も安価となる。又、
本発明の他の実施例とした従来の４端子法と本実施例を
併用する方法もある。
幅器７を必要としないため測定装置も安価となる。又、
本発明の他の実施例とした従来の４端子法と本実施例を
併用する方法もある。
ここでは、超電導線の温度を検出する方法としてカーボ
ン抵抗と可変抵抗からなるブリッジ回路を用いた実施例
を示したが、他の方法を用いても構わないし、又超電導
線試料が高温超電導体の場合などは液体Ｈｅ以外の冷媒
（例えば液Ｎ２）を用いても良い。
ン抵抗と可変抵抗からなるブリッジ回路を用いた実施例
を示したが、他の方法を用いても構わないし、又超電導
線試料が高温超電導体の場合などは液体Ｈｅ以外の冷媒
（例えば液Ｎ２）を用いても良い。
この様に、本実施例によれば従来法より厳密な超電導線
の臨界電流を安価な装置を用いて測定することができる
。
の臨界電流を安価な装置を用いて測定することができる
。
以上説明した本発明によれば、従来法より安価で、かつ
厳密に超電導線の臨界電流を測定するのに効果があり、
超電導マグネットの信頼性を大巾に向上させることが出
来る。
厳密に超電導線の臨界電流を測定するのに効果があり、
超電導マグネットの信頼性を大巾に向上させることが出
来る。
第１図は本発明の一実施例のカーボン抵抗体でブリッジ
回路を構成し超電導線の温度上昇を検出する臨界電流測
定方法を示す図、第２図は第１図のブリッジ回路構成の
詳細を示す図、第３図は、従来の４端子による超電導線
の臨界電流測定法を示す図、第４図は、従来の４端子法
による超電導試料の電圧端子間の電圧−電流曲線からＩ
ｃの決定法を一般化して示した図、第５図は従来の４端
子法のベースライン法でＩｃを決める図、第６図は本発
明による磁界４Ｔでの結果を説明する図、第７図は第６
図と同じ試料を用いた磁界４Ｔでの従来の４端子法によ
る測定結果を示す図、第８図は同一試料を用いて従来の
４端子法と本発明による方法で測定した超電導線の磁界
１〜７ＴでのＨＩｃ特性の具体的な測定結果を示す図で
ある。 １・・・超電導線試料、２・・・超電導マグネット、６
Ａ。 ６Ｂ・・・電流源、８・・・記録計、９Ａ、９Ｂ・・・
シャント、１１〜１３・・・カーボン抵抗体、１４・・
・可変抵抗体、１５・・・微小電流源。 Ｘ、エ ′／ 奉 ／１２１ 乎２ カ ー 第 ３ 口 乎 ４ ａ 箒 ５ 目 第 ６ 図 第 ７Ｉ２］ べ料走電電３ｔ（Ａ） 早 ８ 囚 扁騙 界 （丁）
回路を構成し超電導線の温度上昇を検出する臨界電流測
定方法を示す図、第２図は第１図のブリッジ回路構成の
詳細を示す図、第３図は、従来の４端子による超電導線
の臨界電流測定法を示す図、第４図は、従来の４端子法
による超電導試料の電圧端子間の電圧−電流曲線からＩ
ｃの決定法を一般化して示した図、第５図は従来の４端
子法のベースライン法でＩｃを決める図、第６図は本発
明による磁界４Ｔでの結果を説明する図、第７図は第６
図と同じ試料を用いた磁界４Ｔでの従来の４端子法によ
る測定結果を示す図、第８図は同一試料を用いて従来の
４端子法と本発明による方法で測定した超電導線の磁界
１〜７ＴでのＨＩｃ特性の具体的な測定結果を示す図で
ある。 １・・・超電導線試料、２・・・超電導マグネット、６
Ａ。 ６Ｂ・・・電流源、８・・・記録計、９Ａ、９Ｂ・・・
シャント、１１〜１３・・・カーボン抵抗体、１４・・
・可変抵抗体、１５・・・微小電流源。 Ｘ、エ ′／ 奉 ／１２１ 乎２ カ ー 第 ３ 口 乎 ４ ａ 箒 ５ 目 第 ６ 図 第 ７Ｉ２］ べ料走電電３ｔ（Ａ） 早 ８ 囚 扁騙 界 （丁）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超電導線の臨界電流を測定する方法において、超電
導線の温度上昇を臨界電流値の判断基準としたことを特
徴とする超電導線の臨界電流測定法。 ２、４端子法と併用して行うことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の導電導線の臨界電流測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25370787A JPH0197876A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 超電導線の臨界電流測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25370787A JPH0197876A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 超電導線の臨界電流測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197876A true JPH0197876A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17255030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25370787A Pending JPH0197876A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 超電導線の臨界電流測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0197876A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065087A (en) * | 1988-10-04 | 1991-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for observing a superconductive phenomenon in a superconductor |
| US5218296A (en) * | 1992-02-07 | 1993-06-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining at least one characteristic of a superconductive film |
| JP2007142137A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Railway Technical Res Inst | 高温超電導電流リード基礎特性試験装置 |
| JP2015045617A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社フジクラ | 長尺用超電導線材の臨界電流評価装置および評価方法 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP25370787A patent/JPH0197876A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065087A (en) * | 1988-10-04 | 1991-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for observing a superconductive phenomenon in a superconductor |
| US5218296A (en) * | 1992-02-07 | 1993-06-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining at least one characteristic of a superconductive film |
| JP2007142137A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Railway Technical Res Inst | 高温超電導電流リード基礎特性試験装置 |
| JP2015045617A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社フジクラ | 長尺用超電導線材の臨界電流評価装置および評価方法 |
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