JPH0196926A - ランプ加熱方法 - Google Patents
ランプ加熱方法Info
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- JPH0196926A JPH0196926A JP25385787A JP25385787A JPH0196926A JP H0196926 A JPH0196926 A JP H0196926A JP 25385787 A JP25385787 A JP 25385787A JP 25385787 A JP25385787 A JP 25385787A JP H0196926 A JPH0196926 A JP H0196926A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
赤外線ランプと被加熱物例えばウェハとの間に中心に穴
のあいた石英などのフィルタを配置し、穴のウェハから
見て後方に置いた赤外線センサで被加熱物から放射され
る赤外線のうち前記石英でフィルタされた波長の赤外線
を検知して被加熱物それ自体の温度を測定することを特
徴とするランプ加熱方法に関し、 被加熱物それ自゛体の温度を測定することによって被加
熱物の正確な温度管理が可能になるランプ加熱法を提供
することを目的とし、 赤外線ランプと被加熱物との間に中心に穴を形成したフ
ィルタを設け、前記穴を通して被加熱物から放射される
赤外線のうち前記フィルタで遮断され加熱に使用されな
かった波長帯の赤外線を赤外線センサで測温し赤外線ラ
ンプの強度を制御することを特徴とするランプ加熱方法
を含み構成する。
のあいた石英などのフィルタを配置し、穴のウェハから
見て後方に置いた赤外線センサで被加熱物から放射され
る赤外線のうち前記石英でフィルタされた波長の赤外線
を検知して被加熱物それ自体の温度を測定することを特
徴とするランプ加熱方法に関し、 被加熱物それ自゛体の温度を測定することによって被加
熱物の正確な温度管理が可能になるランプ加熱法を提供
することを目的とし、 赤外線ランプと被加熱物との間に中心に穴を形成したフ
ィルタを設け、前記穴を通して被加熱物から放射される
赤外線のうち前記フィルタで遮断され加熱に使用されな
かった波長帯の赤外線を赤外線センサで測温し赤外線ラ
ンプの強度を制御することを特徴とするランプ加熱方法
を含み構成する。
本発明は、赤外線ランプと被加熱物例えばウェハとの間
に中心に穴のあいた石英などのフィルタを配置し、穴の
ウェハから見て後方に置いた赤外線センサで被加熱物か
ら放射される赤外線のうち前記石英でフィルタされない
波長の赤外線を検知して被加熱物それ自体の温度を測定
することを特徴とするランプ加熱方法に関する。
に中心に穴のあいた石英などのフィルタを配置し、穴の
ウェハから見て後方に置いた赤外線センサで被加熱物か
ら放射される赤外線のうち前記石英でフィルタされない
波長の赤外線を検知して被加熱物それ自体の温度を測定
することを特徴とするランプ加熱方法に関する。
例えばスパッタ装置では、加熱されたウェハ上にターゲ
ツト材の薄膜を成長させる。被加熱物と赤外線ランプを
模式的に示す第２図を参照すると３１はその上に薄膜を
成長させる被加熱体であるウェハ、３２はリング状の赤
外線ランプ、３３はランプハウス、３４は熱電対で、赤
外線ランプ３２の光をウェハ３１に照射してウェハ３１
を加熱するものであり、赤外線ランプ３２の近くに熱電
対３４を配置して赤外線ランプの放出する熱を測定し、
それによってウェハの温度が一定になるように制御する
。
ツト材の薄膜を成長させる。被加熱物と赤外線ランプを
模式的に示す第２図を参照すると３１はその上に薄膜を
成長させる被加熱体であるウェハ、３２はリング状の赤
外線ランプ、３３はランプハウス、３４は熱電対で、赤
外線ランプ３２の光をウェハ３１に照射してウェハ３１
を加熱するものであり、赤外線ランプ３２の近くに熱電
対３４を配置して赤外線ランプの放出する熱を測定し、
それによってウェハの温度が一定になるように制御する
。
第２図に示す装置では、赤外線ランプの放出する温度を
測定し、それから間接的にウェハの温度を推定するもの
である。そのため、ウェハの種類状態、雰囲気の変化に
よって加熱温度のばらつきが生じ、ウェハの正確な温度
管理ができない問題がある。
測定し、それから間接的にウェハの温度を推定するもの
である。そのため、ウェハの種類状態、雰囲気の変化に
よって加熱温度のばらつきが生じ、ウェハの正確な温度
管理ができない問題がある。
そこで本発明は、被加熱物それ自体の温度を測定するこ
とによって被加熱物の正確な温度管理が可能になるラン
プ加熱法を提供することを目的とする。
とによって被加熱物の正確な温度管理が可能になるラン
プ加熱法を提供することを目的とする。
上記問題点は、赤外線ランプと被加熱物との間に中心に
穴を形成したフィルタを設け、前記穴を通して被加熱物
から放射される赤外線のうち前記フィルタで遮断され加
熱に使用されなかった波長帯の赤外線を赤外線センサで
測温し赤外線ランプの強度を制御することを特徴とする
ランプ加熱方法によって解決される。
穴を形成したフィルタを設け、前記穴を通して被加熱物
から放射される赤外線のうち前記フィルタで遮断され加
熱に使用されなかった波長帯の赤外線を赤外線センサで
測温し赤外線ランプの強度を制御することを特徴とする
ランプ加熱方法によって解決される。
本発明においては、フィルタとして石英板を用い、赤外
線ランプとウェハとの間に中心に穴のあいた石英板を入
れて４μｍ以上の波長帯をカットしてウェハを加熱する
。加熱されたウェハから放射される赤外線のうちで、ウ
ェハの加熱に使用していない４μｍ以上の波長帯を測定
することのできる赤外線センサによって４μｍ以上の波
長の輝度を測定し、それによってウェハそれ自体の温度
を正確に測定し、その結果に基づいて赤外線ランプの強
度を制御しウェハを正確に加熱する。
線ランプとウェハとの間に中心に穴のあいた石英板を入
れて４μｍ以上の波長帯をカットしてウェハを加熱する
。加熱されたウェハから放射される赤外線のうちで、ウ
ェハの加熱に使用していない４μｍ以上の波長帯を測定
することのできる赤外線センサによって４μｍ以上の波
長の輝度を測定し、それによってウェハそれ自体の温度
を正確に測定し、その結果に基づいて赤外線ランプの強
度を制御しウェハを正確に加熱する。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図はスパッタ装置に本発明方法を実施する例の断面
図で、図中、１１はターゲット、Ｉ２はウェハ、１３は
ウェハ１２を保持するウェハホルダ、１４は石英フィル
タ、１５は石英フィルタの中心に形成した穴、１６は赤
外線ランプ、１７は赤外線ランプと石英フィルタを保持
し収納するランプハウス、１８は反応室、１９はウェハ
１２から放射される赤外線を透過させる覗き窓、２０は
赤外線センサ、２１はプラズマである。この装置では、
図示しない手段で発生せしめられたプラズマ２１を利用
してターゲット１１を例えばＡｒイオンでたたき、ター
ゲットからその原子を飛び出させてそれをウェハ１２上
に堆積させる；そのとき、成長される膜の膜質、膜厚の
均一性などの重要な要素がウェハ温度によって左右され
るので、ウェハ１２を正確に所定の温度に加熱しなけれ
ばならない。
図で、図中、１１はターゲット、Ｉ２はウェハ、１３は
ウェハ１２を保持するウェハホルダ、１４は石英フィル
タ、１５は石英フィルタの中心に形成した穴、１６は赤
外線ランプ、１７は赤外線ランプと石英フィルタを保持
し収納するランプハウス、１８は反応室、１９はウェハ
１２から放射される赤外線を透過させる覗き窓、２０は
赤外線センサ、２１はプラズマである。この装置では、
図示しない手段で発生せしめられたプラズマ２１を利用
してターゲット１１を例えばＡｒイオンでたたき、ター
ゲットからその原子を飛び出させてそれをウェハ１２上
に堆積させる；そのとき、成長される膜の膜質、膜厚の
均一性などの重要な要素がウェハ温度によって左右され
るので、ウェハ１２を正確に所定の温度に加熱しなけれ
ばならない。
ウェハ１２の加熱には従来例と同様に赤外線ランプ１６
を用いる。従来例では、赤外線ランプ１６から出される
熱の温度を熱電対で測定し、それによってウェハの加熱
を間接的に制御していたのに対し赤外線ランプのリング
の形状に対応して中心に穴を設けた石英板１４を赤外線
ランプ１６とウェハＩ２との間に配置し、赤外線ランプ
１６から放射される赤外線のうち４μｍ以上の波長の赤
外線を遮断する。
を用いる。従来例では、赤外線ランプ１６から出される
熱の温度を熱電対で測定し、それによってウェハの加熱
を間接的に制御していたのに対し赤外線ランプのリング
の形状に対応して中心に穴を設けた石英板１４を赤外線
ランプ１６とウェハＩ２との間に配置し、赤外線ランプ
１６から放射される赤外線のうち４μｍ以上の波長の赤
外線を遮断する。
透明石英の赤外線の透過率は第３図に示される如く知ら
れたもので、同図で横軸に波長を、縦軸に透過率を％で
示す。波長が４０００ｎｍ （４μｍ）を超えると透過
率はＯに近付くので、石英フィルタ１４を用い４μｍ以
上の波長の赤外線はほぼすべてカントする。
れたもので、同図で横軸に波長を、縦軸に透過率を％で
示す。波長が４０００ｎｍ （４μｍ）を超えると透過
率はＯに近付くので、石英フィルタ１４を用い４μｍ以
上の波長の赤外線はほぼすべてカントする。
第４図は固体のスペクトルを示す線図で、横軸に波長を
、縦軸に強度をＣＷ／ｍ２ｎｍ） ｘ ＩＱ２で示し、
各固体の温度はそれぞれの曲線の近くに書き入れである
。赤外線の場合、強度は波長１μｍの近くでほぼ最大に
なるから、４μｍ以上の波長の赤外線をカントしても、
ウェハの加熱にはほとんど影響がない。
、縦軸に強度をＣＷ／ｍ２ｎｍ） ｘ ＩＱ２で示し、
各固体の温度はそれぞれの曲線の近くに書き入れである
。赤外線の場合、強度は波長１μｍの近くでほぼ最大に
なるから、４μｍ以上の波長の赤外線をカントしても、
ウェハの加熱にはほとんど影響がない。
第１図の装置に戻ると、赤外線照射を受けたウェハ１２
は加熱され、今度はウェハそれ自体が赤外線を照射する
。その照射される赤外線は穴１５、覗き窓１９を通して
赤外線センサ２０で検知する。ところで、波長４μｍよ
り小なる波長の赤外線は、ウェハの加熱に寄与すると同
時に、ウェハ１２によって反射されて赤外線センサ２０
に到達する。そこで赤外線センサは、ウェハ１２からの
赤外線のうち、加熱に使用しなかった波長４μｍ以上の
赤外線のみを検知するものを選び、かかる赤外線の強度
を測定する。
は加熱され、今度はウェハそれ自体が赤外線を照射する
。その照射される赤外線は穴１５、覗き窓１９を通して
赤外線センサ２０で検知する。ところで、波長４μｍよ
り小なる波長の赤外線は、ウェハの加熱に寄与すると同
時に、ウェハ１２によって反射されて赤外線センサ２０
に到達する。そこで赤外線センサは、ウェハ１２からの
赤外線のうち、加熱に使用しなかった波長４μｍ以上の
赤外線のみを検知するものを選び、かかる赤外線の強度
を測定する。
ここで第４図を再び参照すると、波長４μｍ以上の赤外
線の強度を測定すると、その赤外線を放射した固体、本
発明の場合にはウェハ１２それ自体の温度が検知される
。検知結果は図示しないＩＪ御回路に入力し、赤外線ラ
ンプ１６の強度を制御することができる。
線の強度を測定すると、その赤外線を放射した固体、本
発明の場合にはウェハ１２それ自体の温度が検知される
。検知結果は図示しないＩＪ御回路に入力し、赤外線ラ
ンプ１６の強度を制御することができる。
なお、石英フィルタ、ランプハウスが加熱されてそれら
から赤外線を放射して外乱とならないように、ランプハ
ウジングには水冷ジャケット２２を設け、石英フィルタ
とランプハウスを冷却す乞。
から赤外線を放射して外乱とならないように、ランプハ
ウジングには水冷ジャケット２２を設け、石英フィルタ
とランプハウスを冷却す乞。
以上の説明では、波長４μｍ以上を遮断する石英を用い
る例について説明したが、本発明の適用範囲はその場合
に限定されるものでなく、その他のフィルタを用いる場
合にも及ぶ。
る例について説明したが、本発明の適用範囲はその場合
に限定されるものでなく、その他のフィルタを用いる場
合にも及ぶ。
以上のように本発明によれば、被加熱物の温度を直接測
定できるため、正確な温度が制御可能になりさらには被
加熱物の裏面より加熱、測温ができるので、かかる加熱
、測温をなすと同時に表面処理が可能になる利点もある
。
定できるため、正確な温度が制御可能になりさらには被
加熱物の裏面より加熱、測温ができるので、かかる加熱
、測温をなすと同時に表面処理が可能になる利点もある
。
第１図は本発明実施例断面図、
第２図は従来例断面図、
第３図は石英の赤外線透過率線図、
第４図は固体のスペクトルの線図である。
第１図において、
１１はターゲット、
１２はウェハ、
１３はウェハホルダ、
１４は石英フィルタ、
１５は穴、
１６は赤外線ランプ、
１７はランプハウス、
１８は反応室、
１９は覗き窓、
２０は赤外線センサ、
２１はプラズマを示す。
特 打出願人 富士通株式会社
代理人弁理士 久木元 彰
−１５に５８月支１ｔと１ｆｌＪピη“６１２０３１
〆４ 従来例断面図 、ｉ ２ 、Ｑ。
〆４ 従来例断面図 、ｉ ２ 、Ｑ。
Claims (1)
- 赤外線ランプ（１６）と被加熱物（１２）との間に中
心に穴（１５）を形成したフィルタ（１４）を設け、前
記穴（１５）を通して被加熱物から放射される赤外線の
うち前記フィルタ（１４）で遮断され加熱に使用されな
かった波長帯の赤外線を赤外線センサ（２０）で測温し
赤外線ランプ（１６）の強度を制御することを特徴とす
るランプ加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25385787A JPH0196926A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | ランプ加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25385787A JPH0196926A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | ランプ加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196926A true JPH0196926A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17257099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25385787A Pending JPH0196926A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | ランプ加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196926A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131430A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体基板の温度測定装置 |
| JPS60253939A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | 基板温度の測定方法 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP25385787A patent/JPH0196926A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131430A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体基板の温度測定装置 |
| JPS60253939A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Fujitsu Ltd | 基板温度の測定方法 |
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