JPH0192164U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0192164U JPH0192164U JP18739787U JP18739787U JPH0192164U JP H0192164 U JPH0192164 U JP H0192164U JP 18739787 U JP18739787 U JP 18739787U JP 18739787 U JP18739787 U JP 18739787U JP H0192164 U JPH0192164 U JP H0192164U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser element
- array
- submount
- array laser
- channel
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例の斜視図、第２図は
同側断面図、第３図ａ，ｂは同実施例の位置合わ
せ時の様子を示す側面図及び平面図、第４図はサ
ブマウントとステムとのダイボンドの様子を示す
図、第５図は同部分拡大斜視図、第６図は従来例
のモノリシツク形３ビーム半導体レーザの構造を
示す斜視図である。 １……サブマウント、２……フオトダイオード
、３……アレイレーザ素子、４……Ｎ＋基板、５
……Ｎ−エピタキシヤル層、６……Ｐ型拡散部。
同側断面図、第３図ａ，ｂは同実施例の位置合わ
せ時の様子を示す側面図及び平面図、第４図はサ
ブマウントとステムとのダイボンドの様子を示す
図、第５図は同部分拡大斜視図、第６図は従来例
のモノリシツク形３ビーム半導体レーザの構造を
示す斜視図である。 １……サブマウント、２……フオトダイオード
、３……アレイレーザ素子、４……Ｎ＋基板、５
……Ｎ−エピタキシヤル層、６……Ｐ型拡散部。
Claims (1)
- アレイレーザ素子の各チヤンネルから発振され
るレーザ光を独立して受光する複数に分割された
フオトダイオードと上記アレイレーザ素子を載置
するサブマウントを一体型にしたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18739787U JPH0192164U (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18739787U JPH0192164U (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192164U true JPH0192164U (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=31478554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18739787U Pending JPH0192164U (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0192164U (ja) |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP18739787U patent/JPH0192164U/ja active Pending